CN116103046A - 量子点薄膜、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置 - Google Patents

量子点薄膜、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置 Download PDF

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Abstract

本申请实施例提供一种量子点薄膜、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置；量子点薄膜包括第一量子点、第二量子点、以及第一配体，第一配体用于将第一量子点产生的第一激子与第二量子点产生的第二激子堆叠；上述量子点薄膜通过在第一量子点与第二量子点之间添加第一配体，第一配体能够将第一量子点产生的第一激子与第二量子点产生的第二激子堆叠，激子间的堆叠作用使得整个混合体系的量子点兼具两种不同类型的量子点的优势，从而使得上述量子点薄膜制备的量子点发光二极管兼具单独采用第一量子点制备的第一量子点发光二极管的特性以及单独采用第二量子点制备的第二量子点发光二极管的特性，进一步提升了量子点发光二极管的发光性能。

Description

量子点薄膜、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示领域，具体涉及一种量子点薄膜、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置。
背景技术
以无机量子点作为电致发光材料的自发光QLED(Quantum Dot Light-EmittingDiode，量子点电致发光半导体)器件具有色域覆盖广、色纯度高、超薄轻便、可弯折卷曲等优势，因此已经收到学术与产业界的广泛关注。
目前红绿光QLED的外量子效率和寿命已经可以和有机电致发光器件相媲美。但是，蓝光QLED的器件性能，尤其是寿命仍旧远远落后。因此，如何进一步提高蓝光QLED器件寿命是QLED现阶段真正实现商业化的关键技术问题。当前技术通过对不同量子点薄膜材料进行选择，以制备出不同外量子效率的QLED器件。其中，使用一类量子点薄膜材料制备的QLED器件具有较高的外量子效率，然而此类QLED器件的实测寿命往往很低；使用另一类量子点薄膜材料制备的QLED器件具有较高的实测寿命，然而此类QLED器件又具有较低的外量子效率。因此，现有的量子点薄膜材料制备的QLED器件在具有高外量子点效率特性的同时，难以具有高实测寿命的特性。
综上所述，确有必要来开发一种量子点薄膜、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置，以克服现有技术的缺陷。
发明内容
本申请实施例提供一种量子点薄膜、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置，可以改善现有的量子点薄膜材料制备的QLED器件在具有高外量子点效率特性的同时，难以具有高实测寿命的特性的技术问题。
本申请实施例提供一种量子点薄膜，包括第一量子点、第二量子点、以及结合在所述第一量子点和/或者所述第二量子点表面的第一配体；
其中，所述第一配体用于将所述第一量子点产生的第一激子与所述第二量子点产生的第二激子堆叠。
可选的，在本申请的一些实施例中，单独使用所述第一量子点制备的第一量子点发光二极管的外量子效率大于或等于10％，且所述第一量子点发光二极管的亮度在1000nit下的实测寿命小于或者等于1h；单独使用所述第二量子点制备的第二量子点发光二极管的亮度在1000nit下的实测寿命在1h至20h之间；
可选的，在本申请的一些实施例中，，所述第一配体包括苯基二硫代氨基甲酸酯以及1,3-二甲基-4,5-二取代咪唑亚基N-杂环卡宾中的任意一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一配体占所述量子点发光层的质量百分比范围为2％至15％。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一量子点或者所述第二量子点分别独立地选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe以及SnPbSTe中的至少一种；所述第一量子点的材料与所述第二量子点的材料不同。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一量子点与所述第二量子点的质量比范围在1:10至1：1之间。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点发光二极管还包括：衬底、设置于所述衬底上的阳极、设置于所述阳极上的空穴注入层、设置于所述空穴注入层上的空穴传输层、设置于所述空穴传输层上电子传输层以及设置于所述空穴传输层上的电子传输层；
其中，所述量子点发光二极管还包括由如上任一项所述量子点薄膜制备的量子点发光层，所述量子点发光层设置于所述空穴传输层与所述电子传输层之间。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述空穴注入层的材料包括聚(亚乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐、聚(9,9-二辛基-芴-共-N-(4-丁基苯基)-二苯基胺)、多芳基胺、聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺、聚吡咯、N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)-联苯胺、4-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯、4,4',4”-三[苯基(间-甲苯基)氨基]三苯基胺、4,4',4”-三(N-咔唑基)-三苯基胺、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基环己烷、掺杂有四氟-四氰基-醌二甲烷的4,4',4”-三(二苯基氨基)三苯胺、p-掺杂酞菁、掺杂有四氟-四氰基-醌二甲烷的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4″-二胺以及六氮杂苯并菲-己腈中的任意一种；
所述空穴传输层的材料包括芳基胺、聚苯胺、聚吡咯、聚(对)亚苯基亚乙烯基及其衍生物、铜酞菁、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-双(对咔唑基)-1,1'-联苯化合物、N,N,N',N'-四芳基联苯胺、聚(亚乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐及其衍生物；聚(N-乙烯基咔唑)及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺以及螺NPB中的至少一种。
所述电子传输层的材料包括第一无机材料或者第一有机材料，所述第一无机材料包括未掺杂或用Al、Mg、In、Li、Ga、Cd、Cs或Cu掺杂的氧化物、未掺杂或用Al、Mg、In、Li、Ga、Cd、Cs或Cu掺杂的半导体颗粒、以及氮化物中的至少一种；所述第一有机材料包括噁唑类化合物、异噁唑类化合物、三唑类化合物、异噻唑类化合物、噁二唑类化合物、噻二唑类化合物、苝类化合物以及铝络合物中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阳极的材料包括ITO、IZO、ITZO、ICO、SnO2、In2O3、Cd:ZnO、F:SnO2、In:SnO2、Ga:SnO2、AZO、Ni、Pt、Au、Ag、Ir以及CNT中的至少一种；
所述阴极的材料包括Ca、Ba、Ca/Al、LiF/Ca、LiF/Al、BaF2/Al、CsF/Al、CaCO3/Al、BaF2/Ca/Al、Al、Mg、Au:Mg以及Ag:Mg中的至少一种。
相应地，本申请实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
在衬底上制备阳极；
在所述阳极上制备空穴注入层；
在所述空穴注入层上制备空穴传输层；
在所述空穴传输层上制备量子点发光层；
在所述量子点发光层上制备电子传输层；
在所述电子传输层上制备阴极；
其中，所述量子点发光层包括量子点薄膜，所述量子点薄膜包括第一量子点、第二量子点、以及结合在所述第一量子点和/或者所述第二量子点表面的第一配体；
其中，所述第一配体用于将所述第一量子点产生的第一激子与所述第二量子点产生的第二激子堆叠。
相应地，本申请实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括如上任一项所述的量子点发光二极管，或由所述的量子点发光二极管的制备方法制得的量子点发光二极管。
本申请实施例提供一种量子点薄膜、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置；所述量子点薄膜包括第一量子点、第二量子点、以及结合在所述第一量子点和/或者所述第二量子点表面的第一配体，其中，所述第一配体用于将所述第一量子点产生的第一激子与所述第二量子点产生的第二激子堆叠；上述量子点薄膜通过在所述第一量子点与所述第二量子点之间添加所述第一配体，所述第一配体能够将所述第一量子点产生的第一激子与所述第二量子点产生的第二激子堆叠，激子间的堆叠作用使得一部分所述第一激子跟随与其堆叠的所述第二激子辐射复合输出至所述第二量子点的核壳中，同时使得一部分所述第二激子跟随与其堆叠的所述第一激子辐射复合输出至所述第一量子点的核壳中，从而使得所述第一量子点和/或者所述第二量子点同时具备所述第一激子以及所述第二激子，进而使得整个混合体系的量子点兼具两种不同类型的量子点的优势，从而使得上述量子点薄膜制备的量子点发光二极管兼具单独采用所述第一量子点制备的第一量子点发光二极管的特性以及单独采用所述第二量子点制备的第二量子点发光二极管的特性，进一步提升了量子点发光二极管的发光性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的显示面板的截面结构示意图；
图2是本申请实施例提供的显示面板的制备方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。在本发明中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
针对现有的量子点薄膜材料制备的QLED器件在具有高外量子点效率特性的同时，难以具有高实测寿命的特性的技术问题，本申请实施例可以改善上述技术问题。
本申请实施例提供一种量子点薄膜，包括第一量子点、第二量子点、以及结合在所述第一量子点和/或者所述第二量子点表面的第一配体；
其中，所述第一配体用于将所述第一量子点产生的第一激子与所述第二量子点产生的第二激子堆叠。
本申请实施例提供的一种量子点薄膜通过在所述第一量子点与所述第二量子点之间添加所述第一配体，所述第一配体能够将所述第一量子点产生的第一激子与所述第二量子点产生的第二激子堆叠，激子间的堆叠作用使得整个混合体系的量子点兼具两种不同类型的量子点的优势，从而使得上述量子点薄膜制备的量子点发光二极管兼具高效率与高实测寿命的特点，从而在一定程度上解决了常规量子点发光二极管表现的高效率与高实测寿命相矛盾的问题，进一步提升了量子点发光二极管的性能。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
本申请实施例首先提供一种量子点薄膜，包括第一量子点、第二量子点、以及结合在所述第一量子点和/或者所述第二量子点表面的第一配体；
其中，所述第一配体用于将所述第一量子点产生的第一激子与所述第二量子点产生的第二激子堆叠。
在本申请实施例中，单独使用所述第一量子点制备的第一量子点发光二极管的外量子效率在至少大于或等于10％，优选在10％至22％之间，且所述第一量子点发光二极管的亮度在1000nit下的实测寿命小于或者等于1h；单独使用所述第二量子点制备的第二量子点发光二极管在1000nit下的实测寿命在1h至20h之间，优选为3h至10h之间。
其中，外量子点效率是注入到量子点中的电子-空穴对数转化为出射的光子数的比值，单位是％，是衡量电致发光器件优劣的一个重要参数，采用外量子光学测试仪器测定即可得到。其测试条件在室温下进行，空气湿度为30～60％。
进一步地，QLED器件寿命是在恒定电流或电压驱动下，亮度减少至最高亮度的一定比例时所需的时间，亮度下降至最高亮度的95％的时间定义为T95，该寿命为实测寿命。其测试条件是在室温下采用寿命测试系统对相应QLED器件进行寿命测试，空气湿度为30～60％。
在本申请实施例中，所述第一配体包括苯基二硫代氨基甲酸酯以及1,3-二甲基-4,5-二取代咪唑亚基N-杂环卡宾中的至少一种。
在本申请实施例中，所述第一配体占所述量子点发光层的质量百分比范围为2％至15％。
在本申请实施例中，所述第一量子点或者所述第二量子点包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe以及SnPbSTe中的至少一种形成的组合。
在本申请实施例中，所述第一量子点与所述第二量子点的质量比范围为1:1～1:10。
相应地，本申请实施例还提供一种使用所述量子点薄膜制备的量子点发光二极管。如图1所示，为本申请实施例提供的量子点发光二极管的截面结构示意图；其中，所述量子点发光二极管10包括衬底11、设置于所述衬底11上的阳极12、设置于所述阳极12上的空穴注入层13、设置于所述空穴注入层13上的空穴传输层14、设置于所述空穴传输层14上的电子传输层16以及设置于所述电子传输层16上的阴极17；
其中，所述量子点发光层15设置于所述空穴传输层14与所述电子传输层16之间；所述量子点发光层15包括第一量子点、第二量子点、以及结合在所述第一量子点和/或者所述第二量子点表面的第一配体；
其中，单独使用所述第一量子点制备的第一量子点发光二极管的外量子效率大于或等于10％且小于或等于22％，单独使用所述第二量子点制备的第二量子点发光二极管在1000nit下的实测寿命在1h至20h之间，所述第一配体用于将所述第一量子点产生的第一激子与所述第二量子点产生的第二激子耦合。
具体地，所述衬底11包括钢性、柔性衬底，具体包括玻璃、硅晶片、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、聚醚砜、或其组合。
具体地，所述阳极12具有相对高功函数的导电材料组成，可以由掺杂或未掺杂的金属氧化物组成，如ITO、IZO、ITZO、ICO、SnO2、In2O3、Cd:ZnO、F:SnO2、In:SnO2、Ga:SnO2或AZO等；或者除上述金属氧化物以外，其可由包括镍(Ni)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)、铱(Ir)或碳纳米管(CNT)的金属材料组成。
具体地，所述空穴注入层13包括聚(亚乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)、聚(9,9-二辛基-芴-共-N-(4-丁基苯基)-二苯基胺)(TFB)、多芳基胺、聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺、聚吡咯、N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)-联苯胺(TPD)、4-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯(α-NPD)、4,4',4”-三[苯基(间-甲苯基)氨基]三苯基胺(m-MTDATA)、4,4',4”-三(N-咔唑基)-三苯基胺(TCTA)、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基环己烷(TAPC)、掺杂有四氟-四氰基-醌二甲烷(F4-TCNQ)的4,4',4”-三(二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、p-掺杂酞菁(例如，F4-TCNQ-掺杂的锌酞菁(ZnPc))、F4-TCNQ掺杂的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4″-二胺(α-NPD)、以及六氮杂苯并菲-己腈(HAT-CN)中的至少一种。
具体地，所述空穴传输层14包括有机材料组成时，包括芳基胺，例如4,4'-N,N'-二咔唑基-联苯(CBP)、N,N'-二苯基-N,N'-双(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4”-二胺(α-NPD)、N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺(TPD)、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-螺(螺-TPD)、N,N'-二(4-(N,N'-二苯基-氨基)苯基)-N,N'-二苯基联苯胺(DNTPD)、4,4',4'-三(N-咔唑基)-三苯胺(TCTA)、三(3-甲基苯基苯基氨基)-三苯胺(m-MTDATA)、聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺))](TFB)和聚(4-丁基苯基-二苯基胺)(聚-TPD)；聚苯胺；聚吡咯；聚(对)亚苯基亚乙烯基及其衍生物，例如聚(亚苯基亚乙烯基)(PPV)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基](MEH-PPV)和聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基](MOMO-PPV)；铜酞菁；芳香族叔胺或多核芳香叔胺；4,4'-双(对咔唑基)-1,1'-联苯化合物；N,N,N',N'-四芳基联苯胺；PEDOT:PSS及其衍生物；聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)及其衍生物；聚甲基丙烯酸酯及其衍生物；聚(9,9-辛基芴)及其衍生物；聚(螺芴)及其衍生物；N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)；螺NPB；以及它们的组合。
具体地，所述电子传输层16可以由无机材料和/或有机材料组成。当为无机材料时，可以由选自由以下物质组成的组中的无机材料组成：未掺杂或用Al、Mg、In、Li、Ga、Cd、Cs或Cu掺杂的金属/非金属氧化物(例如，TiO2、ZnO、ZrO、SnO2、WO3、Ta2O3、HfO3、Al2O3、ZrSiO4、BaTiO3和BaZrO3)；未掺杂或用Al、Mg、In、Li、Ga、Cd、Cs或Cu掺杂的半导体颗粒(例如，CdS、ZnSe和ZnS)；氮化物，例如Si3N4；以及它们的组合。当为有机材料时，可以由诸如噁唑类化合物、异噁唑类化合物、三唑类化合物、异噻唑类化合物、噁二唑类化合物、噻二唑类化合物、苝类化合物或铝络合物等有机材料形成。
具体地，所述阴极17具有相对低功函数的导电材料组成，可以为Ca、Ba、Ca/Al、LiF/Ca、LiF/Al、BaF2/Al、CsF/Al、CaCO3/Al、BaF2/Ca/Al、Al、Mg、Au:Mg或Ag:Mg。
在本申请实施例中，所述阳极12的厚度为20～200nm；所述空穴注入层13的厚度为20～200nm；所述空穴传输层14的厚度为30～180nm；所述量子点发光层15的总厚度为30～180nm。所述电子传输层16的厚度为10～180nm；所述阴极17的厚度为40～190nm。
在本申请实施例中，单独使用所述第一量子点制备的第一量子点发光二极管的外量子效率在10～22％之间，亮度在1000nit下的实测寿命为0～1h；单独使用所述第二量子点制备的第二量子点发光二极管在1000nit下的实测寿命为1～20h，优选为3～10h。
具体地，所述量子点发光层15中的所述第一量子点或者所述第二量子点分别独立地选自II-VI族的CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe，或者III-V族的GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb，或者IV-VI族的SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、以及SnPbSTe中的至少一种；所述第一量子点的材料与所述第二量子点的材料不同。进一步地，所述第一量子点发光二极管具有较高的外量子效率，外量子点效率是衡量器件发光性能的一个重要指标，该指标反映的是量子点发光二极管10工作过程中电荷注入量子点层并形成激子的过程。由于影响外量子点效率的因素较多，比如：量子点质量优劣、电荷传输层与量子点层的能级势垒大小、各功能层膜厚、功能层材料降解等。针对文中列举的量子点种类，理论上只要合成的量子点的质量足够高，且与电荷传输层能级相匹配，器件的外量子点效率都可以达到理论极限值25％。但是，由于电荷材料选择有限，且有部分难以实现高质量量子点的制备，故在此不具体明确，只需要满足该量子点在单独制备器件时器件EQE达到10～22％即可为高效率量子点选择。理论上文中列举的量子点种类都可以。
进一步地，所述第二量子点发光二极管具有较高的寿命，寿命作为衡量量子点发光二极管10是否能实现产业化应用的关键性能指标。现阶段，量子点发光二极管10的发展也正处于提升寿命的关键阶段，但由于对器件老化衰减的机理并未有统一的认识，因此，量子点发光二极管10的寿命的发展仍旧任道重远。影响量子点发光二极管10的寿命的因素也是多重的，不但与量子点自身稳定性有关、也与功能层材料降解、电荷注入不平衡导致的电荷积累/泄露和焦耳热等具有重要关系。因此，对不同的量子点材料在理论上搭配合适种类的功能层时都可以实现较高的寿命。但是，由于量子点自身质量及功能层的选择存在诸多问题，器件的寿命尤其是蓝色量子点发光二极管10的寿命仍旧得不到有效解决。理论上文中列举的量子点种类都可以选择。
在本申请实施例中，所述第一量子点与所述第二量子点的发光波长在一个波段，且能带宽度相同。其中，能带宽度是指能带中的最低能级到最高能级之间的能量范围。
进一步地，将所述第一量子点与所述第二量子点的发光波长设置在同一个波段，可以使混合上述两种量子点后制备的量子点薄膜发射的光的发光波长在一个波段范围内；将所述第一量子点与所述第二量子点的能带宽度设置成相同是为了使所述第一配体更容易地将所述第一量子点产出的第一激子与所述第二量子点产出的第二激子堆叠(激子移动的能量范围在能带宽度内)。
进一步地，所述第一量子点与所述第二量子点的质量比范围在1:10至1：1之间；其中，所述第一量子点与所述第二量子点通过混合的方式成膜，成膜方式包括涂布、喷涂、喷墨打印等技术。
在本申请实施例中，所述第一配体为激子离域配体；所述激子离域配体是一类具有与量子点带边缘态强烈接合的前沿分子轨道的配体。所述激子离域配体能够促进载流子波函数扩散至量子点之外，使量子点内部的激子辐射至量子点带边缘态，从而增强量子点激子与邻近分子之间的耦合作用。所述激子离域配体用于将具有高外量子效率的所述第一量子点表面发射的第一激子与具有高实测寿命的所述第二量子点表面发射的第二激子发生耦合作用，使得所述第一激子与所述第二激子堆叠，激子间的堆叠作用使得整个混合体系的量子点的器件兼具两种不同类型的量子点的优势，从而使得最终混合的所述量子点发光层15制备的量子点发光二极管10器件具备高效率和高寿命的指标。
进一步地，所述量子点发光层15中的量子点配体的质量通常占所述量子点发光层15总质量的20％左右，其中，所述第一配体占所述量子点发光层15的质量百分比在2％～15％左右，其余配体为常规配体。所述常规配体包括C5至C30饱和或不饱和脂肪酸、C5至C30线性或支链烷基硫醇、C1至C20线性或支链烷基胺以及C1至C20线性或支链烷基膦中的至少一种。
在本申请实施例中，所述常规配体一方面具有使所述量子点薄膜的核与壳变得稳定的作用，另一方面具有提高所述量子点薄膜的核与壳溶解或者分散于有机溶剂中的能力的作用。优选地，所述第一配体占所述量子点发光层15的质量百分比范围优选为2％至8％之间；其中，所述第一配体的数量可以通过控制所述第一配体交换时的用量得到，具体的配体含量可对每次交换后的量子点进行热重分析测试并结合红外即可得到配体含量。更进一步地，所述第一配体占所述量子点发光层15的质量百分比不大于8％，若述第一配体占所述量子点发光层15的质量百分比大于8％，则可能造成量子点自身的激子程度太高，造成激子的离域幅度太大，不仅量子点自身的光学带隙红移幅度太大，同时也可能造成离域的激子容易受外界环境影响产生猝灭的风险；同时，所述第一配体占所述量子点发光层15的质量百分比不小于2％，若所述第一配体占所述量子点发光层15的质量百分比小于2％，则造成量子点自身激子离域程度太小，不同类型的量子点间的激子不容易发生堆叠，从而很难起到平衡器件高效率和高实测寿命的矛盾问题。
在本申请实施例中，所述第一配体包括但不限于苯基二硫代氨基甲酸酯(PDTC)、1,3-二甲基-4,5-二取代咪唑亚基N-杂环卡宾(NHC)等。所述第一配体的制备采用现有技术进行配体交换即可，此处对其交换方法不做赘述。
进一步地，上述混合后形成的所述量子点发光层15具有以下有益效果：所述第一配体具有与量子点带边缘态强烈结合的前沿分子轨道，促进载流子波函数扩散到量子点之外，增强量子点激子与邻近分子的耦合作用。当将高外量子效率的第一量子点材料、高实测寿命的第二量子点材料以及所述第一配体进行混合时，两种不同类型的量子点离域至表面的激子在所述第一配体的作用下会发生一定程度的堆叠，激子间的堆叠作用使得整个混合体系的量子点的器件兼具两种不同类型的量子点的优势，表现为器件兼具高效率与高实测寿命，一定程度上解决了常规器件表现的高效率与高实测寿命相矛盾的问题，从而提升器件的性能。
相应的，本申请实施例还提供一种上述量子点发光二极管10的制备方法，包括：
在衬底11上制备阳极12；
在所述阳极12上制备空穴注入层13；
在所述空穴注入层13上制备空穴传输层14；
在所述空穴传输层14上制备量子点发光层15；
在所述量子点发光层15上制备电子传输层16；
在所述电子传输层16上制备阴极17；
其中，所述量子点发光层15包括第一量子点、第二量子点、以及结合在所述第一量子点和/或者所述第二量子点表面的第一配体；
其中，单独使用所述第一量子点制备的第一量子点发光二极管的外量子效率大于或等于10％且小于或等于22％，单独使用所述第二量子点制备的第二量子点发光二极管在1000nit下的实测寿命在1h至20h之间，所述第一配体用于将所述第一量子点产生的第一激子与所述第二量子点产生的第二激子堆叠。
请参阅图2，图2是本申请实施例所提供的量子点发光器件的制备方法流程示意图；具体地，所述方法包括：
S201，在衬底11上制备阳极12。
具体地，所述S201还包括：
在一衬底11上沉积一层金属层，所述金属层经图案化后形成阳极12，所述阳极12的沉积方式可以选自真空蒸镀法或溅射法；；其中，所述衬底11包括钢性、柔性衬底，具体包括玻璃、硅晶片、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、聚醚砜、或其组合；进一步地，所述阳极12具有相对高功函数的导电材料组成，可以由掺杂或未掺杂的金属氧化物组成，如ITO、IZO、ITZO、ICO、SnO2、In2O3、Cd:ZnO、F:SnO2、In:SnO2、Ga:SnO2或AZO等；或者除上述金属氧化物以外，其可由包括镍(Ni)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)、铱(Ir)或碳纳米管(CNT)的金属材料组成。
S202，在所述阳极12上制备空穴注入层13。
具体地，所述S202还包括：
在所述阳极12上制备空穴注入层13，所述空穴注入层13的沉积方式可以分别选自溶液法或真空蒸镀法；所述空穴注入层13包括聚(亚乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)、聚(9,9-二辛基-芴-共-N-(4-丁基苯基)-二苯基胺)(TFB)、多芳基胺、聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺、聚吡咯、N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)-联苯胺(TPD)、4-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯(α-NPD)、4,4',4”-三[苯基(间-甲苯基)氨基]三苯基胺(m-MTDATA)、4,4',4”-三(N-咔唑基)-三苯基胺(TCTA)、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基环己烷(TAPC)、掺杂有四氟-四氰基-醌二甲烷(F4-TCNQ)的4,4',4”-三(二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、p-掺杂酞菁(例如，F4-TCNQ-掺杂的锌酞菁(ZnPc))、F4-TCNQ掺杂的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4″-二胺(α-NPD)、六氮杂苯并菲-己腈(HAT-CN)。
S203，在所述空穴注入层13上制备空穴传输层14。
具体地，所述S203还包括：
在所述空穴注入层13上制备空穴传输层14；所述空穴传输层14的沉积方式可以分别选自溶液法或真空蒸镀法；其中，所述空穴传输层14包括有机材料组成时，包括芳基胺，例如4,4'-N,N'-二咔唑基-联苯(CBP)、N,N'-二苯基-N,N'-双(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4”-二胺(α-NPD)、N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺(TPD)、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-螺(螺-TPD)、N,N'-二(4-(N,N'-二苯基-氨基)苯基)-N,N'-二苯基联苯胺(DNTPD)、4,4',4'-三(N-咔唑基)-三苯胺(TCTA)、三(3-甲基苯基苯基氨基)-三苯胺(m-MTDATA)、聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺))](TFB)和聚(4-丁基苯基-二苯基胺)(聚-TPD)；聚苯胺；聚吡咯；聚(对)亚苯基亚乙烯基及其衍生物，例如聚(亚苯基亚乙烯基)(PPV)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基](MEH-PPV)和聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基](MOMO-PPV)；铜酞菁；芳香族叔胺或多核芳香叔胺；4,4'-双(对咔唑基)-1,1'-联苯化合物；N,N,N',N'-四芳基联苯胺；PEDOT:PSS及其衍生物；聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)及其衍生物；聚甲基丙烯酸酯及其衍生物；聚(9,9-辛基芴)及其衍生物；聚(螺芴)及其衍生物；N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)；螺NPB；以及它们的组合。
S204，在所述空穴传输层14上制备量子点发光层15。
具体地，所述S204还包括：
首先，在所述空穴传输层14上表面涂布量子点墨水，所述涂布方式包括旋涂、刮涂或喷墨打印等；其中，所述量子点墨水包括第一类量子点墨水、第二类量子点墨水以及第一配体，所述第一类量子点墨水用于形成第一量子点，所述第二类量子点墨水用于形成第二量子点。
其次，将所述量子点墨水放置一段时间后干燥，形成量子点薄膜。具体包括：将所述量子点墨水形成的湿膜在常压环境下放置2min～10min，然后转移至真空舱室，在减压环境下使其干燥，形成所述量子点薄膜；其中，上述量子点薄膜在常压放置的过程中，可以对其在10℃～35℃之间进行温度控制。
最后，对所述量子点薄膜进行热退火处理，形成量子点发光层15；其中，所述量子点薄膜的热退火温度在50℃至120℃之间，时间在5min～30min之间。
S205，在所述量子点发光层15上制备电子传输层16。
具体地，所述S205还包括：
首先，在所述量子点发光层15上，利用溶液法形成电子传输层16，其中，所述溶液法形成所述电子传输层16的过程可以包括溶液的涂布、干燥以及对干燥后的薄膜进行退火处理等操作。上述溶液法的涂布方式包括旋涂、刮涂或喷墨打印等。具体地，所述电子传输层16可以由无机材料和/或有机材料组成。当为无机材料时，可以由选自由以下物质组成的组中的无机材料组成：未掺杂或用Al、Mg、In、Li、Ga、Cd、Cs或Cu掺杂的金属/非金属氧化物(例如，TiO2、ZnO、ZrO、SnO2、WO3、Ta2O3、HfO3、Al2O3、ZrSiO4、BaTiO3和BaZrO3)；未掺杂或用Al、Mg、In、Li、Ga、Cd、Cs或Cu掺杂的半导体颗粒(例如，CdS、ZnSe和ZnS)；氮化物，例如Si3N4；以及它们的组合。当为有机材料时，可以由诸如噁唑类化合物、异噁唑类化合物、三唑类化合物、异噻唑类化合物、噁二唑类化合物、噻二唑类化合物、苝类化合物或铝络合物等有机材料形成。
S206，在所述电子传输层16上制备阴极17。
具体地，所述S206还包括：
在所述电子传输层16上制备阴极17，所述阴极17的沉积方式可以选自真空蒸镀法或溅射法；其中，所述阴极17具有相对低功函数的导电材料组成，可以为Ca、Ba、Ca/Al、LiF/Ca、LiF/Al、BaF2/Al、CsF/Al、CaCO3/Al、BaF2/Ca/Al、Al、Mg、Au:Mg或Ag:Mg。
具体地，根据上述量子点发光二极管10的制备方法制备出12种不同的量子点发光二极管10，待上述量子点发光二极管10器件制备完成后，将上述量子点发光二极管10器件置于120℃下热处理15min。然后在对完成热处理后的量子点发光二极管10器件进行后续性能表征。
进一步地，上述12种不同的量子点发光二极管10的膜层结构从所述衬底11至所述阴极17的结构依次如下所示：
实施例1：
本申请第一实施例提供的量子点发光二极管10(QLED1)包括：
所述衬底11为玻璃基底；
所述阳极12为ITO，厚度为80nm；
所述空穴注入层13为PEDOT:PSS，厚度为40nm；
所述空穴传输层14为TFB和PVK，厚度为60nm；
所述量子点发光层15为：
CdxZn1-xS/CdyZn1-yS/ZnS和CdxZn1-xSe/CdyZn1-ySe/CdZnS(其中0<x<1，0<y<1，x>y)的混合层，厚度为30nm，两者间的制备比为1:1；
两种量子点表面的第一配体为苯基二硫代氨基甲酸酯(PDTC)，所述第一配体含量为5％；
电子传输层16为ZnO，厚度为70nm；以及
顶电极为Ag，厚度为50nm。
对比例1-1：
与本申请第一实施例对比的第一对比实施例制备的量子点发光二极管10(QLED1-1)包括：
所述衬底11为玻璃基底；
所述阳极12为ITO，厚度为90nm；
所述空穴注入层13为PEDOT:PSS，厚度为40nm；
所述空穴传输层14为PVK，厚度为50nm；
所述量子点发光层15为CdxZn1-xS/CdyZn1-yS/ZnS(其中0<x<1，0<y<1，x>y)的混合层，发光波长为471nm，厚度为20nm，峰宽为22nm；
电子传输层16为ZnO，厚度为80nm；以及
顶电极为Ag，厚度为50nm。
对比例1-2：
与本申请第一实施例对比的第二对比实施例制备的量子点发光二极管10(QLED1-2)包括：
所述衬底11为玻璃基底；
所述阳极12为ITO，厚度为90nm；
所述空穴注入层13为PEDOT:PSS，厚度为60nm；
所述空穴传输层14为TFB，厚度为50nm；
所述量子点发光层15为和CdxZn1-xSe/CdyZn1-ySe/CdZnS(其中0<x<1，0<y<1，x>y)的混合层，发光波长为471nm，厚度为20nm，峰宽为20nm；
电子传输层16为ZnO，厚度为60nm；以及
顶电极为Ag，厚度为50nm。
实施例2：
本申请第二实施例提供的量子点发光二极管10(QLED2)包括：所述衬底11为玻璃基底；
所述阳极12为ITO，厚度为80nm；
所述空穴注入层13为PEDOT:PSS，厚度为40nm；
所述空穴传输层14为TFB和PVK，厚度为60nm；
所述量子点发光层15为：
CdxZn1-xS/CdyZn1-yS/ZnS和CdxZn1-xSe/CdyZn1-ySe/CdZnS(其中0<x<1，0<y<1，x>y)的混合层，厚度为30nm，两者间的制备比为2:1；
两种量子点表面的第一配体为苯基二硫代氨基甲酸酯(PDTC)，所述第一配体含量为5％；
电子传输层16为ZnO，厚度为70nm；以及
顶电极为Ag，厚度为50nm。
对比例2-1：
与本申请第二实施例对比的第一对比实施例制备的量子点发光二极管10(QLED2-1)包括：
所述衬底11为玻璃基底；
所述阳极12为ITO，厚度为90nm；
所述空穴注入层13为PEDOT:PSS，厚度为40nm；
所述空穴传输层14为PVK，厚度为50nm；
所述量子点发光层15为CdxZn1-xS/CdyZn1-yS/ZnS(其中0<x<1，0<y<1，x>y)的混合层，发光波长为475nm，厚度为20nm，峰宽为19nm；
电子传输层16为ZnO，厚度为80nm；以及
顶电极为Ag，厚度为50nm。
对比例2-2：
与本申请第二实施例对比的第二对比实施例制备的量子点发光二极管10(QLED2-2)包括：
所述衬底11为玻璃基底；
所述阳极12为ITO，厚度为80nm；
所述空穴注入层13为PEDOT:PSS，厚度为70nm；
所述空穴传输层14为TFB，厚度为50nm；
所述量子点发光层15为和CdxZn1-xSe/CdyZn1-ySe/CdZnS(其中0<x<1，0<y<1，x>y)的混合层，发光波长为475nm，厚度为20nm，峰宽为23nm；
电子传输层16为ZnO，厚度为50nm；以及
顶电极为Ag，厚度为50nm。
实施例3：
本申请第三实施例提供的量子点发光二极管10(QLED3)包括：
所述衬底11为玻璃基底；
所述阳极12为ITO，厚度为80nm；
所述空穴注入层13为PEDOT:PSS，厚度为40nm；
所述空穴传输层14为TFB和PVK，厚度为70nm；
所述量子点发光层15为：
CdxZn1-xS/CdyZn1-yS/ZnS和CdxZn1-xSe/CdyZn1-ySe/CdZnS(其中0<x<1，0<y<1，x>y)的混合层，厚度为30nm，两者间的制备比为1:1；
两种量子点表面的第一配体为1,3-二甲基-4,5-二取代咪唑亚基N-杂环卡宾(NHC)，所述第一配体含量为3％；
电子传输层16为ZnO和ZnMgO(Mg含量为15％)的混合层，厚度为50nm；
以及顶电极为Ag，厚度为50nm。
对比例3-1：
与本申请第三实施例对比的第一对比实施例制备的量子点发光二极管10
(QLED3-1)包括：
所述衬底11为玻璃基底；
所述阳极12为ITO，厚度为90nm；
所述空穴注入层13为PEDOT:PSS，厚度为40nm；
所述空穴传输层14为PVK，厚度为50nm；
所述量子点发光层15为CdxZn1-xS/CdyZn1-yS/ZnS(其中0<x<1，0<y<1，x>y)的混合层，发光波长为465nm，厚度为20nm，峰宽为22nm；
电子传输层16为ZnO，厚度为60nm；以及
顶电极为Ag，厚度为60nm。
对比例3-2：
与本申请第三实施例对比的第二对比实施例制备的量子点发光二极管10(QLED3-2)包括：
所述衬底11为玻璃基底；
所述阳极12为ITO，厚度为70nm；
所述空穴注入层13为PEDOT:PSS，厚度为60nm；
所述空穴传输层14为TFB，厚度为60nm；
所述量子点发光层15为CdxZn1-xSe/CdyZn1-ySe/CdZnS(其中0<x<1，0<y<1，x>y)的混合层，发光波长为465nm，厚度为20nm，峰宽为20nm；
电子传输层16为ZnMgO(Mg含量为15％)，厚度为60nm；以及顶电极为Ag，厚度为50nm。
实施例4：
本申请第四实施例提供的量子点发光二极管10(QLED4)包括：
所述衬底11为玻璃基底；
所述阳极12为ITO，厚度为80nm；
所述空穴注入层13为PEDOT:PSS，厚度为40nm；
所述空穴传输层14为TFB和PVK，厚度为60nm；
所述量子点发光层15为：
CdxZn1-xS/CdyZn1-yS/ZnS和CdxZn1-xSe/CdyZn1-ySe/CdZnS(其中0<x<1，0<y<1，x>y)的混合层，厚度为30nm，两者间的制备比为2:1；
两种量子点表面的第一配体为1,3-二甲基-4,5-二取代咪唑亚基N-杂环卡宾(NHC)，所述第一配体含量为5％；
电子传输层16为ZnO和ZnMgO(Mg含量为15％)的混合层，厚度为60nm；
顶电极为Ag，厚度为50nm。
对比例4-1：
与本申请第四实施例对比的第一对比实施例制备的量子点发光二极管10(QLED4-1)包括：
所述衬底11为玻璃基底；
所述阳极12为ITO，厚度为90nm；
所述空穴注入层13为PEDOT:PSS，厚度为40nm；
所述空穴传输层14为PVK，厚度为50nm；
所述量子点发光层15为CdxZn1-xS/CdyZn1-yS/ZnS(其中0<x<1，0<y<1，x>y)的混合层，发光波长为468nm，厚度为20nm，峰宽为18nm；
电子传输层16为ZnO，厚度为80nm；以及
顶电极为Ag，厚度为50nm。
对比例4-2：
与本申请第四实施例对比的第一对比实施例制备的量子点发光二极管10(QLED4-2)包括：
所述衬底11为玻璃基底；
所述阳极12为ITO，厚度为80nm；
所述空穴注入层13为PEDOT:PSS，厚度为70nm；
所述空穴传输层14为TFB，厚度为50nm；
所述量子点发光层15为CdxZn1-xSe/CdyZn1-ySe/CdZnS(其中0<x<1，0<y<1，x>y)的混合层，发光波长为468nm，厚度为20nm，峰宽为20nm；
电子传输层16为ZnMgO(Mg含量为10％)，厚度为50nm；以及
顶电极为Ag，厚度为50nm。
最后，分别对上述十二种量子点发光二极管10器件的最大外量子效率以及实测寿命进行测试，量子点发光二极管10器件性能结果参见表1所示：
Figure BDA0003345937390000221
表1
表1中EQEmax为量子点发光二极管10的最大外量子效率，T951000nit为在1000nit亮度下，亮度下降至最高亮度的95％的时间；以上对比例1～4与实施例1～4中制备的量子点发光二极管10进行性能测试，测试方法如下：
(1)外量子点效率：注入到量子点中的电子-空穴对数转化为出射的光子数的比值，单位是％，是衡量电致发光器件优劣的一个重要参数，采用EQE光学测试仪器测定即可得到。具体计算公式如下：
EQE＝ηeηrχ*KR/(KR+KNR)；
式中ηe为光输出耦合效率，ηr为复合的载流子数与注入载流子数的比值，χ为产生光子的激子数与总激子数的比值，KR为辐射过程速率，KNR为非辐射过程速率。
测试条件：在室温下进行，空气湿度为30～60％。
(2)量子点发光二级管器件寿命：器件在恒定电流或电压驱动下，亮度减少至最高亮度的一定比例时所需的时间，亮度下降至最高亮度的95％的时间定义为T95，该寿命为实测寿命。为缩短测试周期，器件寿命测试通常是参考有机发光二极管器件测试在高亮度下通过加速器件老化进行，并通过延伸型指数衰减亮度衰减拟合公式拟合得到高亮度下的寿命，比如：1000nit下的寿命计为T951000nit。具体计算公式如下：
T95L＝T95H*(LH/LL)A
式中T95L为低亮度下的寿命，T95H为高亮度下的实测寿命，LH为器件加速至最高亮度，LL为1000nit，A为加速因子，对OLED而言，该取值通常为1.6～2，本实验通过测得若干组绿色QLED器件在额定亮度下的寿命得出A值为1.7。
采用寿命测试系统对相应器件进行寿命测试的测试条件为：在室温下进行，空气湿度为30～60％。
由上表1可知，将实施例1与对比例1-1、对比例1-2进行对比可知，对比例1-1提供的量子点发光二极管具有相对高的最大外量子效率以及相对短的实测寿命特性，对比例1-2提供的量子点发光二极管具有相对长的实测寿命以及相对低的最大外量子效率特性，实施例1提供的量子点发光二极管的最大外量子效率介于对比文件1-1与对比文件1-2最大外量子效率之间，实施例1提供的量子点发光二极管的实测寿命介于对比文件1-1与对比文件1-2的实测寿命之间；因此，实施例1提供的量子点发光二极管因为加入所述第一配体，使得其兼具高效率与高实测寿命的特点。同理，实施例2、实施例3以及实施例4提供的量子点发光二极管均是如此，在此不再赘述。
进一步地，将实施例1与实施例2进行对比可知，在所述第一配体的材料和含量相同且其他膜层大致相同的情况下，增加所述量子点发光层15中具有相对高的最大外量子效率的第一量子点中占所述量子点发光层15的总质量的质量百分比时，此时制备的量子点发光二极管的最大外量子效率变小，且实测寿命的时间变长。
进一步地，将实施例2与实施例4进行对比可知，在实施例2中的所述第一配体的含量与实施例4中的所述第一配体的含量相同，且其他膜层大致相同的情况下，所述第一配体的材料为苯基二硫代氨基甲酸酯时制备的量子点发光二极管的最大外量子效率大于所述第一配体的材料为1,3-二甲基-4,5-二取代咪唑亚基N-杂环卡宾时制备的量子点发光二极管的最大外量子效率；所述第一配体的材料为苯基二硫代氨基甲酸酯时制备的量子点发光二极管的实测寿命高于所述第一配体的材料为1,3-二甲基-4,5-二取代咪唑亚基N-杂环卡宾时制备的量子点发光二极管的实测寿命。
进一步地，将实施例3与实施例4进行对比可知，在实施例3中的所述第一配体的材料与实施例4中的所述第一配体的材料相同，且其他膜层大致相同的情况下，所述第一配体的占所述量子点发光层15的质量百分比在一定范围内增加，此时制备的量子点发光二极管的最大外量子效率以及实测寿命均增加。
进一步地，将对比例1-1与对比例3-1对比可知，在其他膜层相同的情况下，第一量子点的发光波长越大，其最大外量子效率越大，且实测寿命越高。
相应地，本申请实施例还提供一种显示装置，包括如上任一项所述的量子点发光二极管10。
综上所述，本申请实施例提供一种量子点薄膜、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置；所述量子点薄膜包括第一量子点、第二量子点、以及结合在所述第一量子点和/或者所述第二量子点表面的第一配体，其中，所述第一配体用于将所述第一量子点产生的第一激子与所述第二量子点产生的第二激子堆叠；上述量子点薄膜通过在所述第一量子点与所述第二量子点之间添加所述第一配体，所述第一配体能够将所述第一量子点产生的第一激子与所述第二量子点产生的第二激子堆叠，激子间的堆叠作用使得一部分所述第一激子跟随与其堆叠的所述第二激子辐射复合输出至所述第二量子点的核壳中，同时使得一部分所述第二激子跟随与其堆叠的所述第一激子辐射复合输出至所述第一量子点的核壳中，从而使得所述第一量子点和/或者所述第二量子点同时具备所述第一激子以及所述第二激子，进而使得整个混合体系的量子点兼具两种不同类型的量子点的优势，从而使得上述量子点薄膜制备的量子点发光二极管兼具单独采用所述第一量子点制备的第一量子点发光二极管的特性以及单独采用所述第二量子点制备的第二量子点发光二极管的特性，进一步提升了量子点发光二极管的发光性能。
以上对本申请实施例所提供的一种量子点发光二极管10及其制备方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (11)

1.一种量子点薄膜，其特征在于，包括第一量子点、第二量子点、以及结合在所述第一量子点和/或者所述第二量子点表面的第一配体；
其中，所述第一配体用于将所述第一量子点产生的第一激子与所述第二量子点产生的第二激子堆叠。
2.根据权利要求1所述的量子点薄膜，其特征在于，单独使用所述第一量子点制备的第一量子点发光二极管的外量子效率大于或等于10％，且所述第一量子点发光二极管的亮度在1000nit下的实测寿命小于或者等于1h；单独使用所述第二量子点制备的第二量子点发光二极管的亮度在1000nit下的实测寿命在1h至20h之间。
3.根据权利要求1所述的量子点薄膜，其特征在于，所述第一配体选自苯基二硫代氨基甲酸酯以及1,3-二甲基-4,5-二取代咪唑亚基N-杂环卡宾中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的量子点薄膜，其特征在于，所述第一配体占所述量子点发光层的质量百分比范围为2％至15％。
5.根据权利要求1所述的量子点薄膜，其特征在于，所述第一量子点或者所述第二量子点分别独立地选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe以及SnPbSTe中的至少一种；所述第一量子点的材料与所述第二量子点的材料不同。
6.根据权利要求1所述的量子点薄膜，其特征在于，所述第一量子点与所述第二量子点的质量比范围为1:1～1:10。
7.一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管包括：
衬底；
阳极，设置于所述衬底上；
空穴注入层，设置于所述阳极上；
空穴传输层，设置于所述空穴注入层上；
电子传输层，设置于所述空穴传输层上；以及
阴极，设置于所述电子传输层上；
其中，所述量子点发光二极管还包括由权利要求1至6任一项所述量子点薄膜制备的量子点发光层，所述量子点发光层设置于所述空穴传输层与所述电子传输层之间。
8.根据权利要求7所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层的材料包括聚(亚乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐、聚(9,9-二辛基-芴-共-N-(4-丁基苯基)-二苯基胺)、多芳基胺、聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺、聚吡咯、N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)-联苯胺、4-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯、4,4',4”-三[苯基(间-甲苯基)氨基]三苯基胺、4,4',4”-三(N-咔唑基)-三苯基胺、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基环己烷、掺杂有四氟-四氰基-醌二甲烷的4,4',4”-三(二苯基氨基)三苯胺、p-掺杂酞菁、掺杂有四氟-四氰基-醌二甲烷的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4″-二胺以及六氮杂苯并菲-己腈中的任意一种；
所述空穴传输层的材料包括芳基胺、聚苯胺、聚吡咯、聚(对)亚苯基亚乙烯基及其衍生物、铜酞菁、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-双(对咔唑基)-1,1'-联苯化合物、N,N,N',N'-四芳基联苯胺、聚(亚乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐及其衍生物；聚(N-乙烯基咔唑)及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺以及螺NPB中的至少一种。
所述电子传输层的材料包括第一无机材料或者第一有机材料，所述第一无机材料包括未掺杂或用Al、Mg、In、Li、Ga、Cd、Cs或Cu掺杂的氧化物、未掺杂或用Al、Mg、In、Li、Ga、Cd、Cs或Cu掺杂的半导体颗粒、以及氮化物中的至少一种；所述第一有机材料包括噁唑类化合物、异噁唑类化合物、三唑类化合物、异噻唑类化合物、噁二唑类化合物、噻二唑类化合物、苝类化合物以及铝络合物中的至少一种。
9.根据权利要求7所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极的材料包括ITO、IZO、ITZO、ICO、SnO2、In2O3、Cd:ZnO、F:SnO2、In:SnO2、Ga:SnO2、AZO、Ni、Pt、Au、Ag、Ir以及CNT中的至少一种；
所述阴极的材料包括Ca、Ba、Ca/Al、LiF/Ca、LiF/Al、BaF2/Al、CsF/Al、CaCO3/Al、BaF2/Ca/Al、Al、Mg、Au:Mg以及Ag:Mg中的至少一种。
10.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在衬底上制备阳极；
在所述阳极上制备空穴注入层；
在所述空穴注入层上制备空穴传输层；
在所述空穴传输层上制备量子点发光层；
在所述量子点发光层上制备电子传输层；
在所述电子传输层上制备阴极；
其中，所述量子点发光层包括量子点薄膜，所述量子点薄膜包括第一量子点、第二量子点、以及结合在所述第一量子点和/或者所述第二量子点表面的第一配体；
其中，所述第一配体用于将所述第一量子点产生的第一激子与所述第二量子点产生的第二激子堆叠。
11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求7至9任一项所述的量子点发光二极管，或由权利要求10所述的量子点发光二极管的制备方法制得的量子点发光二极管。
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