WO2009080010A1 - Beschichtungsvorrichtung zur beschichtung eines substrates bei atmosphärenbedingungen - Google Patents

Beschichtungsvorrichtung zur beschichtung eines substrates bei atmosphärenbedingungen Download PDF

Info

Publication number
WO2009080010A1
WO2009080010A1 PCT/DE2008/002122 DE2008002122W WO2009080010A1 WO 2009080010 A1 WO2009080010 A1 WO 2009080010A1 DE 2008002122 W DE2008002122 W DE 2008002122W WO 2009080010 A1 WO2009080010 A1 WO 2009080010A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
movement
plasma source
coating
outlet
substrate
Prior art date
Application number
PCT/DE2008/002122
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Gerrit Mäder
Julius Roch
Felix Kaphengst
Original Assignee
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. filed Critical Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Publication of WO2009080010A1 publication Critical patent/WO2009080010A1/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45589—Movable means, e.g. fans
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/453—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating passing the reaction gases through burners or torches, e.g. atmospheric pressure CVD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets

Definitions

  • the present invention describes a coating apparatus (hereinafter alternatively referred to as a module) for coating a substrate under atmospheric conditions and a method for modifying substrate surfaces under atmospheric conditions.
  • the modification or the coating takes place here with a plasma generated by a plasma source, wherein the structure according to the invention is essentially exposed to the normal ambient atmosphere: atmospheric conditions thus mean a pressure interval of about ⁇ 300 Pascals around the respective ambient atmospheric pressure.
  • atmospheric conditions thus mean a pressure interval of about ⁇ 300 Pascals around the respective ambient atmospheric pressure.
  • CVD chemical reducing pressure within vacuum chambers
  • PVD process falling processes are performed.
  • the term "atmospheric condition" is thus to be understood as meaning atmospheric compositions which deviate by at most a few 100 pascals from the absolute atmospheric pressure of the ambient atmosphere.
  • a plasma should be used, for example, a cleaning of a surface, the application of one or more layer (s) on a surface, the removal of layers or components of the surface, a modification of one on a Surface applied layer of substrates or to make a chemical or physical modification of surfaces of substrates using the plasma energy.
  • the basic idea of the solution of the object of the present invention is to move the one-dimensional movement direction of the substrate (which is also referred to alternatively as the first movement direction or feed direction) to a second movement in a second direction of movement which does not correspond to the first direction of movement at least partially performed at an angle greater than 0 degrees to the first direction of movement) of the exit port field of the plasma source used for the coating.
  • the nozzle field or the outlet device of the stationarily arranged plasma source is particularly advantageously moved back and forth with a translational movement, in particular a rectangular movement.
  • This reciprocating motion is preferably perpendicular to the feed direction of the substrate.
  • a rotational movement is also possible, it only has to be ensured that it at least partially contains components of movement which are not directed in the feed direction of the substrate.
  • this indication is not to be understood as restricting only two translational movements be performed as the first and second directions of movement, which are performed for example at a fixed angle or the like to each other, but it is also an arcuate movement as the second movement possible, if it is only ensured that the second movement has at least a proportion of movement, which under an angle> 0 ° relative to the first direction of movement is performed.
  • the plasma extraction is moved in a beam-guided, coordinated manner (the plasma extraction from the plasma source thus follows the nozzle movement).
  • the plasma source is arranged stationarily in the space, thus it is not moved in contrast to the substrate carrier and to the outlet device.
  • the substrate handling is still very easy.
  • due to the low intrinsic mass of the nozzle plate for example, about 300 g compared to about 10 to 15 kg of the plasma source) to achieve the advantageous weaponhomogene Schichtabschei- fertilization necessary to achieve by means of high dynamics of the coating nozzles.
  • solar wafers can be coated and etched, functional coatings applied to stainless steel substrates and non-stick coatings of printing plates and / or printing rollers carried out.
  • Figure 1 is an overview of an embodiment of a coating device according to the invention.
  • FIG 2 is a sketch of the plasma source used and the outlet device used in the embodiment shown in Figure 1.
  • Figure 3 is a plan view of the invention in the
  • Embodiment according to Figures 1 and 2 used outlet device.
  • FIG. 1 shows a sectional view perpendicular to the substrate plane or to the transport plane of the substrate S through the coating device according to the invention.
  • FIG. 2 shows a section in a plane parallel to the sectional plane of FIG. 1 through the plasma source 1 and the outlet device 3, and
  • FIG. 3 shows a plan view of the outlet device 3 used, that is to say a section in a plane perpendicular to FIG. right to the sectional planes shown in Figures 1 and 2.
  • an arc plasma source or a microwave plasma source can be used as the plasma source 1 used in the context of the coating apparatus according to the invention.
  • the plasma source 1 shown in Figure 2 is designed as a microwave plasma source, which may be formed as described in DE 102 39 875 Al (see in the cited patent document particular Figure 4 and the associated points of description, DE 102 39 875 Al, in particular in view of the above points, fully incorporated in the disclosure of the present invention).
  • the plasma source 1 is equipped in a manner known per se with a power supply and a feed for a plasma gas.
  • the plasma source 1 can be equipped in a manner known per se with a feed for a precursor gas which, together with the plasma gas of the source, is introduced into the actual reaction space of the coating of the substrate.
  • a precursor gas is advantageously supplied at a rate of about 70 to 80 l / min, so that an optimal operation of the coating apparatus according to the invention under atmospheric conditions is possible.
  • the substrate carrier 2 with the substrate S arranged thereon is therefore in direct contact with the ambient atmosphere
  • the stationarily arranged plasma source 1 of the coating apparatus shown in FIG. 1 has on one side (the upper side in the figure) a ball bearing guide (not shown) in which the outlet device 3 is movably mounted.
  • the outlet device 3 can thus be regarded as a movable upper cover surface of the plasma source 1, which is movable perpendicular to the ejection direction A of the plasma P from the plasma source.
  • the sliding translational movement which the outlet device 3 can perform in the ball bearing guide of the plasma source is indicated in the figure by the reference B2 (second direction of movement in the x direction of a Cartesian coordinate system perpendicular to the ejection direction A of the plasma in the y direction of the plasma Coordinate system).
  • the second movement B2 is performed in the form of a rectangular, reciprocal movement.
  • This movement of the outlet device 3 can be realized by moving the outlet device 3 by means of pneumatic cylinders (not shown).
  • the weight of the plasma source 1 is approx. 15 kg, whereas the weight of the movable outlet device (or nozzle plate, see below) is about 300 g.
  • the rectangular reciprocating movement B2 is advantageously carried out at a constant speed, which can be ensured for example by an electronic program control of the pneumatic cylinder.
  • the outlet device 3 is embodied such that a multiplicity of bores 3 'extending in the outlet direction A (or y-direction) are introduced laterally (in the x-direction and / or in the z-direction) offset from one another into a planar plate.
  • the plasma P is driven through these outlet openings or nozzle openings 3 f in order, as described below, to provide for the coating of the substrate S in the actual reaction chamber 4 on the side of the outlet device 3 opposite the plasma source.
  • FIG. 1 further shows, on the plasma source 1 opposite side of the outlet device 3, a wall portion 5, which is U-shaped in cross-section shown, arranged so that the two legs of the U reach up to the outlet device.
  • a wall portion 5 which is U-shaped in cross-section shown, arranged so that the two legs of the U reach up to the outlet device.
  • the substrate carrier 2 is moved translationally in a first direction of movement (feed direction).
  • the first direction of movement in which a continuous translational movement of the carrier 2 together with the substrate S arranged thereon is carried out at constant speed is directed in the z direction, ie perpendicular to the second direction B2 and perpendicular to the exit direction A of the plasma P.
  • the movement of the substrate carrier 2 takes place here in a manner known per se.
  • the substrate carrier 2 transports the substrate S arranged on its side facing the nozzle plate 3, which substrate is to be coated by the combination of the second movement B2 of the nozzle plate 3 and the first movement of the substrate carrier 2.
  • the nozzle plate 3 is moved between the wall regions 5 and the plasma source 1 in a transverse movement B2 at a significantly higher speed than the feed rate of the substrate carrier or the substrate.
  • the substrate speed or the substrate carrier speed can be about 2 to 5 mm / sec, whereas the nozzle plate is reciprocated at a maximum stroke of about 40 mm (maximum amplitude of the rectangular movement in the B2 direction) by means of a frequency of 2 to 5 Hz.
  • adjacent outlet openings 3 'of the outlet device 3 have a smaller distance than the maximum stroke of the rectangular movement of the outlet device 3 (the distance between adjacent nozzles 3' is approximately 22 mm ).
  • the distance of the surface of the substrate S facing the outlet device 3 (which in particular is to be coated) to the outlet device 3 is 1 to 10 mm.
  • gas curtains 6 are arranged on the ends of the wall regions 5 facing the outlet device 3. Similarly, at the outlet device 3 facing the end (or at the top) of the plasma source 1 such gas curtains 6 are arranged. These gas curtains 6 touch the outlet device 3 so as to be movable, so that they ensure that, on the one hand, one the homogenous coating required reaction atmosphere in the reaction chambers 4 is substantially retained (in particular conservation of the supplied precursor gas, not shown), that is not in the lying outside the wall areas 5 and the source 1 ümbuch namess Schemee U flows, and on the other hand is prevented by the movement of the nozzle plate 3 in the direction B2 gas flow effect, as in an air pump, are caused, which in turn complicate a homogeneous coating of the substrate S, if not prevent.
  • FIG. 2 now shows in cross-section (x-y plane perpendicular to the first and second directions of movement) a cross-section through the plasma source 1 together with the nozzle plate 3 arranged at its end.
  • FIG. 3 shows a plan view of the corresponding nozzle plate (x-z plane).
  • FIGS. 2 and 3 clearly show, three individual rows each having six individual nozzle openings or outlet openings 3 '(outlet openings 3'-1 to 3' -18) are arranged in the nozzle plate 3.
  • the individual nozzle openings 3 ' are in each case at a distance of 22 mm from one another in a regular grid and completely formed through the nozzle plate 3 (holes or the like).
  • the individual nozzle openings 3 ' have a circular cross-section.

Abstract

Die vorliegende Erfindung beschreibt eine Beschichtungsvorrichtung zur Beschichtung eines Substrates bei Atmosphärenbedingungen sowie ein Verfahren für die Modifizierung von Substratoberflächen bei Atmosphärenbedingungen. Aufgabe der Erfindung ist es, einen Atmosphärendruckdurchlaufreaktor bzw. eine Beschichtungsvorrichtung zur Verfügung zu stellen, der bzw. die so ausgebildet ist, dass eine homogene Schichtabscheidung in einem im Vergleich zum Stand der Technik deutlich erweiterten Parameterfeld möglich ist, und dass eine deutlich erhöhte Flexibilität in Bezug auf die Verwendung für unterschiedliche Beschichtungen oder Schichtsysteme vorliegt. Die Beschichtungsvorrichtung weist eine ortsfest angeordnete Plasmaquelle, einen relativ zur Plasmaquelle in eine erste Bewegungsrichtung (Vorschubrichtung) bewegbaren Substratträger, welcher auf einer der Plasmaquelle zugewandten Seite ausgebildet ist, zum Tragen und zum Transport eines zu beschichtenden Substrats und eine relativ zur Plasmaquelle in einer zweiten Bewegungsrichtung (B2), welche zumindest teilweise nicht der ersten Bewegungsrichtung entspricht, bewegbare Austrittsvorrichtung für das Plasma der Plasmaquelle, wobei die Austrittsvorrichtung mindestens eine Austrittsöffnung auf. Die Austrittsvorrichtung ist so angeordnet und entlang der zweiten Bewegungsrichtung bewegbar, dass über die mindestens eine Austrittsöffnung Plasma aus der Plasmaquelle in Richtung auf die Substratoberfläche richtbar ist.

Description

Beschichtungsvorrichtung zur Beschichtung eines Substrates bei Atmosphärenbedingungen
Die vorliegende Erfindung beschreibt eine Beschichtungsvorrichtung (nachfolgend alternativ auch Modul genannt) zur Beschichtung eines Substrates bei Atmosphärenbedingungen sowie ein Verfahren für die Modifizierung von Substratoberflächen bei Atmosphärenbedingungen. Die Modifikation bzw. die Beschichtung erfolgt dabei mit einem von einer Plasmaquelle generierten Plasma, wobei der erfindungsgemäße Aufbau im Wesentlichen der normalen Umgebungsatmosphäre ausgesetzt ist: Unter Atmosphärenbedingungen wird somit ein Druckintervall von etwa ± 300 Pascal um den jeweiligen Umgebungsatmosphärendruck verstanden. Dabei kann auf eine vor äußeren Einflüssen vollständig schützende Kammer genauso verzichtet werden, wie auf üblicherweise eingesetzte Elemente zur Reduzierung eines Drucks innerhalb von Vakuumkammern, in denen die unterschiedlichsten unter die Oberbegriffe CVD- und PVD-Verfahren fallenden Prozesse durchgeführt werden. Unter dem Begriff „Atmosphärenbedingung" sollen also Atmosphärenzusammensetzungen verstanden werden, die maximal um einige wenige 100 Pascal vom ab- soluten Atmosphärendruck der ümgebungsatmosphäre abweichen, verstanden werden.
Für die Modifizierung der jeweiligen Substratoberfläche soll dabei in jedem Fall ein Plasma eingesetzt werden, um beispielsweise eine Reinigung einer Oberfläche, den Auftrag einer oder mehrerer Schicht (en) auf einer Oberfläche, den Abtrag von Schichten oder Bestandteilen der Oberfläche, eine Modifizierung einer auf einer Oberfläche aufgebrachten Schicht von Substraten oder auch eine chemische oder physikalische Modifizierung von Oberflächen von Substraten mit Hilfe der Plasmaenergie vornehmen zu können.
Aus dem Stand der Technik sind bereits verschiedene Module sowie Verfahren für die Modifizierung von Substratoberflächen bei Atmosphärenbedingungen bekannt. Derzeit sind dabei homogene Schichtabscheidungen mittels eines Atmosphärendruckdurchlaufreaktors bzw. einer Beschichtungsvorrichtung zur Beschichtung eines Substrats bei Atmosphärenbedingungen nur in einem sehr engen Parameterfeld möglich. Hochwertige anorganische Funktionsschichten bzw. die Verwendung der Reaktoren für unterschiedliche Schichtsysteme erfordern jedoch den Einsatzbereich der Reaktoren in einem sehr weiten Parameterbereich.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es somit, einen Atmosphärendruckdurchlaufreaktor bzw. eine Beschichtungsvorrichtung zur Verfügung zu stellen, der bzw. die so ausgebildet ist, dass eine homogene
Schichtabscheidung in einem im Vergleich zum Stand der Technik deutlich erweiterten Parameterfeld möglich ist, und dass eine deutlich erhöhte Flexibilität in Bezug auf die Verwendung für unterschiedliche Be- schichtungen oder Schichtsysteme vorliegt.
Die vorstehende Aufgabe wird durch eine erfindungsgemäße Beschichtungsvorrichtung nach Patentanspruch 1 sowie durch ein entsprechendes Beschichtungsverfahren nach Anspruch 15 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Beschichtungsvorrichtung bzw. des erfindungsgemäßen Beschichtungsverfahrens lassen sich den abhängigen Ansprüchen entnehmen.
Nachfolgend wird die vorliegende Erfindung zunächst allgemein beschrieben, dieser allgemeinen Beschreibung schließt sich ein spezielles Ausführungsbeispiel an. Im Rahmen der vorliegenden Erfindung und im Rahmen des Fachwissens des Fachmanns können die einzelnen erfindungsgemäßen Ausgestaltungsformen, welche im speziellen Ausführungsbeispiel gezeigt sind, jedoch auch in einer anderen Konfiguration als der im speziellen Ausführungsbeispiel gezeigten ausgeführt sein bzw. verwendet werden.
Grundlegende Idee der Lösung der Aufgabenstellung der vorliegenden Erfindung ist es, zu der eindimensionalen Bewegungsrichtung des Substrates (welche nachfolgend alternativ auch als erste Bewegungsrichtung oder Vorschubrichtung bezeichnet wird) eine zweite Bewe- gung in eine zweite Bewegungsrichtung, welche nicht der ersten Bewegungsrichtung entspricht (welche somit zumindest teilweise unter einem Winkel größer 0 Grad zur ersten Bewegungsrichtung durchgeführt wird) des Austrittsöffnungsfeldes der zur Beschichtung verwen- deten Plasmaquelle hinzuzufügen. Um hierbei die über einen weiten Parameterbereich notwendigen, zufriedenstellenden Homogenitäten der Beschichtung sicherzustellen, wozu insbesondere eine deutlich höhere Bewegungsgeschwindigkeit des Austrittsöffnungsfeldes der Plasmaquelle im Vergleich zur Substratvorschubgeschwindigkeit sehr vorteilhaft ist, wird hierzu lediglich eine Austrittsvorrichtung für das Plasma das Plasmaquelle bewegt, da sich eine entsprechende Austrittsvorrichtung auf einfache Art und Weise als leichtgewichtige Düsenplatte oder als Schieber realisieren lässt, so dass eine Bewegung der vergleichsweise schweren Plasmaquelle vermieden werden kann. Erfindungsgemäß wird somit die Austritts- Vorrichtung bewegt, während die Plasmaquelle selbst ortsfest angeordnet bleibt.
Überraschenderweise hat auch diese Konstruktion einer ortsfest angeordneten Plasmaquelle und einer relativ dazu bewegten Austrittsvorrichtung für das Plasma der Plasmaquelle gezeigt, dass sich auf diese Art und Weise besonders homogene Beschichtungen des Substrates erzielen lassen.
Besonders vorteilhaft wird dabei das Düsenfeld bzw. die Austrittsvorrichtung der ortsfest angeordneten Plasmaquelle mit einer translatorischen Bewegung, insbesondere einer rechteckigförmigen Bewegung, hin und her bewegt. Diese Hinundherbewegung erfolgt be- vorzugt senkrecht zur Vorschubrichtung des Substrates. Neben einer translatorischen Hinundherbewegung ist jedoch auch eine rotatorische Bewegung möglich, es muss nur sichergestellt werden, dass diese zumindest teilweise Bewegungskomponenten enthält, die nicht in Vorschubrichtung des Substrates gerichtet sind. Wird somit nachfolgend davon gesprochen, dass die Austrittsvorrichtung relativ zur Plasmaquelle in eine zweite Bewegungsrichtung bewegt wird, welche zumindest teilweise nicht der ersten Bewegungsrichtung (also der Bewegung des Substratträgers samt darauf angeordnetem Substrat relativ zur Plasmaquelle) entspricht, so ist diese Angabe nicht einschränkend dahingehend zu verstehen, dass lediglich zwei translatorische Bewegungen als erste und zweite Bewegungsrichtung durchgeführt werden, welche beispielsweise unter einem festen Winkel oder ähnliches zueinander durchgeführt werden, sondern es ist z.B. auch eine bogenförmige Bewegung als die zweite Bewegung möglich, sofern nur sichergestellt ist, dass die zweite Bewegung zumindest einen Bewegungsanteil aufweist, welcher unter einem Winkel > 0° relativ zur ersten Bewegungsrichtung durchgeführt wird.
Durch die Bewegung der Austrittsvorrichtung bzw. der Düsenplatte wird die Plasmaextraktion strahlgeführt koordiniert bewegt (die Plasmaextraktion aus der Plasmaquelle folgt somit der Düsenbewegung) . Die Plasmaquelle ist hierbei ortsfest im Raum angeordnet, wird somit im Gegensatz zum Substratträger und zur Austrittsvorrichtung nicht bewegt. Das Substrathand- ling ist jedoch weiterhin sehr einfach möglich. Insbesondere infolge der geringen Eigenmasse der Düsenplatte (beispielsweise etwa 300 g im Vergleich zu etwa 10 bis 15 kg der Plasmaquelle) ist die zur Erlangung der vorteilhaften hochhomogenen Schichtabschei- düngen notwendige Bewegung mittels einer hohen Dynamik der Beschichtungsdüsen zu erreichen. Durch die vorbeschriebene Überlagerung der beiden Bewegungen ist also eine sehr homogene Beschichtung des auf dem Substratträger angeordneten Substrates möglich. In der Praxis zeigt sich, dass gerade diese Kombination der beiden Bewegungen dazu führt, dass die Steuerung bzw. Regelung der Beschichtungsvorrichtung weitestge- hend parameterunabhängig und gleichzeitig weitestge- hend unabhängig vom konkreten Schichtsystem möglich ist.
Insbesondere lassen sich mit der vorgestellten erfindungsgemäßen Beschichtungsvorrichtung Solarwafer beschichten und ätzen, Funktionsbeschichtungen auf Edelstahlsubstrate aufbringen und Antihaftbeschich- tungen von Druckplatten und/oder Druckwalzen durchführen.
Nachfolgend wird nun die vorliegende Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels beschrieben.
Es zeigen:
Figur 1 eine Übersicht über ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Beschichtungsvorrichtung.
Figur 2 eine Skizze der verwendeten Plasmaquelle und der verwendeten Austrittsvorrichtung des in Figur 1 gezeigten Ausführungsbeispiels.
Figur 3 eine Aufsicht auf die im erfindungsgemäßen
Ausführungsbeispiel nach den Figuren 1 und 2 verwendete Austrittsvorrichtung.
Figur 1 zeigt eine Schnittansicht senkrecht zur Sub- stratebene bzw. zur Transportebene des Substrates S durch die erfindungsgemäße Beschichtungsvorrichtung. Figur 2 zeigt dann einen Schnitt in einer Ebene parallel zur Schnittebene von Figur 1 durch die Plasmaquelle 1 und die Austrittsvorrichtung 3 und Figur 3 zeigt eine Aufsicht auf die verwendete Austrittsvorrichtung 3, also einen Schnitt in einer Ebene senk- recht zu den in den Figuren 1 und 2 gezeigten Schnittebenen.
Als im Rahmen der erfindungsgemäßen Beschichtungsvor- richtung eingesetzte Plasmaquelle 1 kann beispielsweise eine Lichtbogenplasmaquelle oder eine Mikrowellenplasmaquelle eingesetzt werden. Die in der Figur 2 gezeigte Plasmaquelle 1 ist als Mikrowellenplasmaquelle ausgebildet, die wie in der DE 102 39 875 Al beschrieben ausgebildet sein kann (siehe in der genannten Offenlegungsschrift insbesondere die Figur 4 und die zugehörigen Beschreibungsstellen; die DE 102 39 875 Al wird, insbesondere im Hinblick auf die vorstehend genannten Stellen, vollständig in die Offen- barung der vorliegenden Erfindung mit einbezogen) .
Die Plasmaquelle 1 ist in an sich bekannter Form mit einer Energiezuführung und einer Zuführung für ein Plasmagas ausgestattet. Ebenfalls kann die Plasma- quelle 1 in an sich bekannter Weise mit einer Zuführung für ein Precursor-Gas ausgestattet sein, welches zusammen mit dem Plasmagas der Quelle in den eigentlichen Reaktionsraum der Beschichtung des Substrates eingeführt wird. Ein solches Precursor-Gas wird vor- teilhafterweise mit einer Rate von etwa 70 bis 80 l/min zugeführt, damit ein optimales Arbeiten der erfindungsgemäßen Beschichtungsvorrichtung bei Atmosphärenbedingungen möglich ist. Der Substratträger 2 mit dem darauf angeordneten Substrat S steht somit unmittelbar in Kontakt mit der ümgebungsatmosphäre
(in der Regel Luft) und es kann prinzipiell ohne Weiteres auf ein schützendes Gehäuse verzichtet werden, wenn auch (siehe nachfolgend) im vorliegenden Ausführungsbeispiel ein solches Schutzgehäuse gegenüber der außenseitigen Umgebung U gezeigt ist. Insbesondere kann somit auf Gehäuse verzichtet werden, innerhalb derer bestimmte atmosphärische Bedingungen, welche nicht der Umgebungsatmosphäre entsprechen, eingestellt werden müssten. Wird somit nachfolgend von einer „Abschirmung" des eigentlichen Reaktionsraumes für die Beschichtung des Substrates bzw. einer entsprechenden Reaktionskammer gesprochen, so ist damit nicht gemeint, dass hier eine vollständige Abschirmung in Form einer Abdichtung gegenüber der Umgebungsatmosphäre U erfolgen müsste.
Die ortsfest angeordnete Plasmaquelle 1 der in Figur 1 gezeigten Beschichtungsvorrichtung weist auf einer Seite (die Oberseite in der Figur) eine Kugellagerführung auf (nicht gezeigt) , in welcher die Aus- trittsvorrichtung 3 beweglich gelagert ist. Die Austrittsvorrichtung 3 kann somit als bewegliche obere Deckelfläche der Plasmaquelle 1 angesehen werden, welche senkrecht zur Austriebsrichtung A des Plasmas P aus der Plasmaquelle beweglich ist. Die gleitende translatorische Bewegung, welche die Austrittsvorrichtung 3 in der Kugellagerführung der Plasmaquelle durchführen kann, ist im Bild mit dem Bezugszeichen B2 gekennzeichnet (zweite Bewegungsrichtung in x- Richtung eines kartesischen Koordinatensystems senk- recht zur Austriebsrichtung A des Plasmas in y-Rich- tung des Koordinatensystems) .
Im vorliegenden Fall wird die zweite Bewegung B2 in Form einer rechteckförmigen Hinundherbewegung ausge- führt: Diese Bewegung der Austrittsvorrichtung 3 kann dadurch realisiert werden, dass die Austrittsvorrichtung 3 mit Hilfe von Pneumatikzylindern (nicht gezeigt) bewegt wird. Im gezeigten Fall beträgt das Gewicht der Plasmaquelle 1 ca . 15 kg, wohingegen das Gewicht der beweglichen Austrittsvorrichtung (bzw. Düsenplatte, siehe nachfolgend) etwa 300 g beträgt. Die rechteckförmige Hinundherbewegung B2 wird vorteilhafterweise mit konstanter Geschwindigkeit ausgeführt, was beispielsweise durch eine elektronische Programmsteuerung der Pneumatikzylinder sichergestellt werden kann.
Die Austrittsvorrichtung 3 ist so ausgeführt, dass in eine ebene Platte eine Vielzahl von in Austrittsrich- tung A (bzw. y-Richtung) verlaufende Bohrungen 3' seitlich (in x-Richtung und/oder in z-Richtung) versetzt zueinander eingebracht sind. Durch diese Austrittsöffnungen bzw. Düsenöffnungen 3f wird das Plasma P hindurch getrieben, um wie nachfolgend beschrie- ben, in der eigentlichen Reaktionskämmer 4 auf der der Plasmaquelle gegenüber liegenden Seite der Austrittsvorrichtung 3 für die Beschichtung des Substrates S zu sorgen.
Wie die Schnittansicht von Figur 1 weiter zeigt, ist auf der der Plasmaquelle 1 gegenüber liegenden Seite der Austrittsvorrichtung 3 ein Wandbereich 5, welcher im gezeigten Querschnitt U-förmig ausgebildet ist, so angeordnet, dass die beiden Schenkel des U bis an die Austrittsvorrichtung heranreichen. In dieser in Richtung senkrecht zur gezeigten Schnittebene langgestreckten U-Wanne wird der Substratträger 2 in einer ersten Bewegungsrichtung (Vorschubrichtung) translatorisch bewegt. Die erste Bewegungsrichtung, in der eine kontinuierliche Translationsbewegung des Trägers 2 samt darauf angeordnetem Substrat S mit konstanter Geschwindigkeit durchgeführt wird, ist hierbei in z- Richtung, also senkrecht zur zweiten Bewegungsrichtung B2 und senkrecht zur Austrittsrichtung A des Plasmas P gerichtet. Die Bewegung des Substratträgers 2 erfolgt hierbei auf an sich bekannte Art und Weise. Der Substratträger 2 transportiert dabei das auf seiner der Düsenplatte 3 zugewandten Seite angeordnete Substrat S, welches durch die Kombination der zweiten Bewegung B2 der Düsenplatte 3 und der ersten Bewegung des Substratträgers 2 zu beschichten ist. Die Düsenplatte 3 wird hierbei zwischen den Wandbereichen 5 und der Plasmaquelle 1 in einer Querbewegung B2 mit deutlich höherer Geschwindigkeit als der Vorschubgeschwindigkeit des Substratträgers bzw. des Substrates bewegt: Beispielsweise kann die Substratgeschwindigkeit bzw. die Substratträgergeschwindigkeit etwa 2 bis 5 mm/sec betragen, wohingegen die Düsenplatte bei einem Maximalhub von etwa 40 mm (maximale Amplitude der Rechteckbewegung in B2-Richtung) mittels einer Frequenz von 2 bis 5 Hz hin und her bewegt wird.
Wie nachfolgend (Figur 3) noch genauer gezeigt, ist es hierbei besonders vorteilhaft, dass benachbarte Austrittsöffnungen 3' der Austrittsvorrichtung 3 ei- nen kleineren Abstand aufweisen, als der Maximalhub der Rechteckbewegung der Austrittsvorrichtung 3 (der Abstand benachbarter Düsen 3' beträgt etwa 22 mm) .
Der Abstand der der Austrittsvorrichtung 3 zugewand- ten Oberfläche des Substrates S (welche insbesondere zu beschichten ist) zur Austrittsvorrichtung 3 beträgt 1 bis 10 mm.
Wie die Figur weiterhin zeigt, sind an den der Aus- trittsvorrichtung 3 zugewandten Enden der Wandbereiche 5 Gasvorhänge 6 angeordnet. Ebenso sind am der Austrittsvorrichtung 3 zugewandten Ende (bzw. an der Oberseite) der Plasmaquelle 1 solche Gasvorhänge 6 angeordnet. Diese Gasvorhänge 6 stoßen beweglich be- rührend an die Austrittsvorrichtung 3 an, so dass mit ihnen sichergestellt wird, dass einerseits eine zu der homogenen Beschichtung notwendige Reaktionsatmosphäre in der Reaktionskämmer 4 im Wesentlichen erhalten bleibt (insbesondere Erhaltung des zugeführten Precursor-Gases, nicht gezeigt) , also nicht in die außerhalb der Wandbereiche 5 und der Quelle 1 liegenden ümgebungsbereiche U abfließt, und andererseits verhindert wird, dass durch die Bewegung der Düsenplatte 3 in Richtung B2 Gasströmungseffekt, wie bei einer Luftpumpe, hervorgerufen werden, welche ihrer- seits eine homogene Beschichtung des Substrates S erschweren, wenn nicht gar verhindern würden. Alternativ zur Verwendung von Gasvorhängen 6 ist es jedoch auch möglich, Faltenbälge oder andere abgeschlossene Bereiche, in denen sich die Düsenplatte 3 dann hin und her bewegen kann, auszubilden. Hierbei ist allerdings dann sicherzustellen, dass durch die Bewegung der Platte keine solchen Gasströmungen, wie bei einer Luftpumpe hervorgerufen werden, so dass solche Konstruktionen zwar möglich, aber in der Regel aufwändi- ger sind.
Figur 2 zeigt nun im Querschnitt (x-y-Ebene senkrecht zur ersten und zur zweiten Bewegungsrichtung) einen Querschnitt durch die Plasmaquelle 1 samt an deren Ende angeordneter Düsenplatte 3. Figur 3 zeigt eine Aufsicht auf die entsprechende Düsenplatte (x-z- Ebene) .
Wie Figuren 2 und 3 klar zeigen, sind in der Düsen- platte 3 drei einzelne Reihen mit jeweils sechs einzelnen Düsenöffnungen bzw. Austrittsöffnungen 3' (Austrittsöffnungen 3'-l bis 3' -18) angeordnet. Die einzelnen Düsenöffnungen 3' sind dabei jeweils im Abstand von 22 mm zueinander in einem regelmäßigen Ras- ter und vollständig durch die Düsenplatte 3 hindurchgehend ausgebildet (Bohrungen oder ähnliches) . Im ge- zeigten Fall (Fig. 3) weisen die einzelnen Düsenöffnungen 3' einen kreisförmigen Querschnitt auf. Es lassen sich jedoch auch Düsen mit einem ovalen Querschnitt, beispielsweise insbesondere einem elliptischen Querschnitt, verwenden.

Claims

Patentansprüche
1. Beschichtungsvorrichtung zur Beschichtung eines Substrats bei Atmosphärenbedingungen, aufweisend
eine ortsfest angeordnete Plasmaquelle (1),
einen relativ zur Plasmaquelle in eine erste Bewegungsrichtung (Vorschubrichtung) bewegbaren Substratträger (2), welcher auf einer der Plasmaquelle zugewandten Seite ausgebildet ist zum Tragen und zum Transport eines zu beschichtenden
Substrats (S) , und eine relativ zur Plasmaquelle in einer zweiten Bewegungsrichtung (B2), welche zumindest teilweise nicht der ersten Bewegungsrichtung ent- spricht, bewegbare Austrittsvorrichtung (3) für das Plasma (P) der Plasmaquelle, wobei die Austrittsvorrichtung mindestens eine Austrittsöffnung (3' ) aufweist und wobei die Austrittsvorrichtung so angeordnet und entlang der zweiten Bewegungsrichtung bewegbar ist, dass über die mindestens eine Austrittsöffnung Plasma aus der Plasmaquelle in Richtung auf die Substratoberfläche richtbar ist.
2. Beschichtungsvorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch,
dadurch gekennzeichnet, dass die Austrittsvorrichtung im Wesentlichen zwischen der Plasmaquelle und dem Substratträger angeordnet ist und/oder dass die Austrittsvor- richtung als Teil der Plasmaquelle, insbesondere als beweglicher Wandabschnitt der Plasmaquelle, ausgebildet ist.
3. Beschichtungsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Bewegung in die Vorschubrichtung translato- rische Bewegungsanteile aufweist und/oder als translatorische Bewegung ausgebildet ist.
4. Beschichtungsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Bewegung in die zweite Bewegungsrichtung translatorische Bewegungsanteile aufweist und/oder als translatorische ^Bewegung ausgebildet ist und/oder dass die Bewegung in die zweite Bewegungsrichtung rotatorische Bewegungsanteile aufweist und/oder als rotatorische Bewegung ausgebildet ist.
5. Beschichtungsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Bewegung in die zweite Bewegungsrichtung Bewegungsanteile aufweist, welche im Wesentlichen senkrecht zur Vorschubrichtung gerichtet sind und/oder dass die Bewegung in die zweite Bewegungsrichtung im Wesentlichen senkrecht zur Vor- schubrichtung ausgebildet ist.
6. Beschichtungsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die Bewegung in die zweite Bewegungsrichtung als im Wesentlichen rechteckförmige Bewegung und/oder als translatorische Hin- und Herbewegung mit im Wesentlichen konstanter Hin- und Herbewegungsgeschwindigkeit ausgebildet ist.
7. Beschichtungsvorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch,
dadurch gekennzeichnet, dass in der Austrittsvorrichtung mehrere Austrittsöffnungen (3'-l, 3' -2, ...) ausgebildet sind und dass die maximale Amplitude (Hub) der Bewegung in die zweite Bewegungsrichtung größer ist als der mittlere Abstand zweier benachbarter Austrittsöffnungen der mehreren Austrittsöffnungen.
8. Beschichtungsvorrichtung nach einem der vorher- gehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die mittlere Bewegungsgeschwindigkeit der Bewegung in die zweite Bewegungsrichtung größer ist, bevorzugt um mindestens 50% größer ist, bevor- zugt um mindestens 100% größer ist, bevorzugt um mindestens 250% größer ist, bevorzugt um mindestens 500% größer ist, bevorzugt um mindestens 1000% größer ist als die mittlere Geschwindigkeit der Bewegung in die erste Bewegungsrich- tung.
9. Beschichtungsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die Austrittsvorrichtung als im Wesentlichen ebene Platte ausgebildet ist und/oder dass in der Austrittsvorrichtung mehrere Austrittsöffnungen (3'-l, 3' -2, ...) ausgebildet sind.
10. Beschichtungsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der Austrittsöffnungen als Düse, insbesondere als im Querschnitt kreisförmige Düse (Rundlochdüse) oder als im Querschnitt im Wesentlichen elliptische Düse (Ovaldüse) ausgebil- det ist.
11. Beschichtungsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
gekennzeichnet durch eine ortsfest angeordnete, insbesondere als Teil der Plasmaquelle oder eines Wandabschnitts derselben ausgebildete Gleitlager- oder Wälzlagerführung, insbesondere Kugellagerführung, in der die Austrittsvorrichtung beweglich gelagert ist.
12. Beschichtungsvorrichtung nach einem der vorher- gehenden Ansprüche,
gekennzeichnet durch eine Reaktionskammer (4), welche durch die der Plasmaquelle abgewandte Seite der Austrittsvorrichtung und durch einen auf der der Plasmaquel- Ie gegenüberliegenden Seite der Austrittsvorrichtung ortsfest angeordneten und bis an die Austrittsvorrichtung herangeführten Wandbereich (5) ausgebildet ist, wobei die Reaktionskämmer zum Hindurchbewegen des Substratträgers in die erste Bewegungsrichtung ausgebildet ist.
13. Beschichtungsvorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch,
dadurch gekennzeichnet, dass die Reaktionskammer durch zwischen dem Wandbe- reich und der Austrittsvorrichtung angeordnete
Gasvorhänge (6) und/oder Gasschleusen gegenüber der Umgebung (U) abgeschirmt ist.
14. Beschichtungsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Plasmaquelle eine Lichtbogenplasmaquelle oder eine Mikrowellenplasmaquelle ist.
15. Beschichtungsverfahren zur Beschichtung eines Substrats bei Atmosphärenbedingungen, wobei
eine Plasmaquelle (1) ortsfest angeordnet wird, wobei ein Substratträger (2) , welcher auf einer der Plasmaquelle zugewandten Seite ausgebildet ist zum Tragen und zum Transport eines zu beschichtenden Substrats (S) , relativ zur Plasma- quelle in eine erste Bewegungsrichtung (Vorschubrichtung) bewegt wird, und wobei gleichzeitig zur Bewegung des Substratträgers eine Austrittsvorrichtung (3) für das Plasma (P) der Plasmaquelle, welche mindestens eine Austrittsöffnung (3') aufweist, relativ zur
Plasmaquelle in einer zweiten Bewegungsrichtung (B2), welche zumindest teilweise nicht der ersten Bewegungsrichtung entspricht, bewegt wird, wobei die Austrittsvorrichtung so angeordnet und entlang der zweiten Bewegungsrichtung bewegt wird, dass über die mindestens eine Austrittsöffnung Plasma aus der Plasmaquelle in Richtung auf die Substratoberfläche gestrahlt wird.
16. Beschichtungsverfahren nach dem vorhergehenden Anspruch,
dadurch gekennzeichnet, dass eine Beschichtungsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Vorrichtungsansprüche zur Durchführung des Verfahrens eingesetzt wird.
17. Verwendung einer Beschichtungsvorrichtung oder eines Beschichtungsverfahrens nach einem der vorhergehenden Ansprüche zur Modifikation einer Oberfläche eines Substrates bei Atmosphärenbedingungen.
PCT/DE2008/002122 2007-12-20 2008-12-15 Beschichtungsvorrichtung zur beschichtung eines substrates bei atmosphärenbedingungen WO2009080010A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007063380A DE102007063380A1 (de) 2007-12-20 2007-12-20 Beschichtungsvorrichtung zur Beschichtung eines Substrates bei Atmosphärenbedingungen
DE102007063380.9 2007-12-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2009080010A1 true WO2009080010A1 (de) 2009-07-02

Family

ID=40546008

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE2008/002122 WO2009080010A1 (de) 2007-12-20 2008-12-15 Beschichtungsvorrichtung zur beschichtung eines substrates bei atmosphärenbedingungen

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102007063380A1 (de)
WO (1) WO2009080010A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102315068A (zh) * 2010-07-07 2012-01-11 中国科学院微电子研究所 用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置
CN103290643A (zh) * 2013-06-27 2013-09-11 苏州祺尚纺织有限公司 一种基于涂层设备的凹陷印花装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0552547A1 (de) * 1991-12-23 1993-07-28 General Electric Company Diamantschichten
US5674573A (en) * 1989-07-31 1997-10-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of synthesizing diamond-like carbon thin films
US5976992A (en) * 1993-09-27 1999-11-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of supplying excited oxygen
DE10239875A1 (de) * 2002-08-29 2004-03-18 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zur großflächigen Beschichtung von Substraten bei Atmosphärendruckbedingungen
US20060102286A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Kim Do-Hyeong Plasma processing apparatus

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6820570B2 (en) * 2001-08-15 2004-11-23 Nobel Biocare Services Ag Atomic layer deposition reactor

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5674573A (en) * 1989-07-31 1997-10-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of synthesizing diamond-like carbon thin films
EP0552547A1 (de) * 1991-12-23 1993-07-28 General Electric Company Diamantschichten
US5976992A (en) * 1993-09-27 1999-11-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of supplying excited oxygen
DE10239875A1 (de) * 2002-08-29 2004-03-18 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zur großflächigen Beschichtung von Substraten bei Atmosphärendruckbedingungen
US20060102286A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Kim Do-Hyeong Plasma processing apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102315068A (zh) * 2010-07-07 2012-01-11 中国科学院微电子研究所 用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置
CN103290643A (zh) * 2013-06-27 2013-09-11 苏州祺尚纺织有限公司 一种基于涂层设备的凹陷印花装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE102007063380A1 (de) 2009-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102007026633B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum elektrolytischen Behandeln von plattenförmiger Ware
DE4018665C2 (de) Einrichtung zum Aufbringen von Keramikschichten
DE102007026635B4 (de) Vorrichtung zum nasschemischen Behandeln von Ware, Verwendung eines Strömungsorgans, Verfahren zum Einbauen eines Strömungsorgans in die Vorrichtung sowie Verfahren zur Herstellung einer nasschemisch behandelten Ware
DE102010033256A1 (de) Methode zur Erzeugung gezielter Strömungs- und Stromdichtemuster bei der chemischen und elektrolytischen Oberflächenbehandlung
EP2805345B1 (de) Vorrichtung und verfahren zur plasmabehandlung von oberflächen
DE2812271A1 (de) Vorrichtung zum chargenweisen beschichten von substraten mit mehreren schleusenkammern
EP1973668B1 (de) Vorrichtung und verfahren zum gleichmässigen beschichten von substraten
EP0352591B1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln einer Textilware
DE112014003000T5 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten einer Oberfläche eines Substrats
EP2826887A1 (de) Verfahren zum Auftragen einer wässrigen Behandlungslösung auf die Oberfläche eines bewegten Stahlbands
DE102012110284B3 (de) Sputterbeschichtungseinrichtung und Vakuumbeschichtungsanlage
WO2009080010A1 (de) Beschichtungsvorrichtung zur beschichtung eines substrates bei atmosphärenbedingungen
DE10062713C1 (de) Verfahren zum Beschichten von Substraten und Maskenhaltern
DE102010002839B4 (de) Beschichtungsanlage und Verfahren zur Beschichtung von Halbleiterscheiben in Beschichtungsanlagen
EP1673488B1 (de) Modulare vorrichtung zur beschichtung von oberflächen
DE112013003446T5 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung eines Substrats
EP2915901B1 (de) Vorrichtung zur Plasmaprozessierung mit Prozessgaszirkulation in multiplen Plasmen
DE102004015216A1 (de) Modul und Verfahren für die Modifizierung von Substratoberflächen bei Atmosphärenbedingungen
DE102008026000B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung flächiger Substrate
DD294609A5 (de) Verfahren zur herstellung von hochenergieelektronenmauern mit hoher leistung
CH630417A5 (en) Process and apparatus for the uniform coating of sheet-like substrates
EP1837084B1 (de) Vorrichtung zur Spritzbeschichtung von Werkstücken
DE102008062619B4 (de) Mikrowellenplasmaquelle und Verfahren zur Bildung eines linear langgestreckten Plasma bei Atmosphärendruckbedingen
WO2001081655A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum behandeln der oberflächen von metallischem bandgut, insbesondere zum beizen von walzgut
DE102011118441A1 (de) Anlage und Verfahren zur Behandlung von flachen Substraten

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 08865196

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 08865196

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1