WO2009026998A2 - Verbindung eines mit anschlussflächen und bumps versehenen chips mit einem mit metallischen leiterbahnen versehenen substrat - Google Patents

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    • H01L2924/181Encapsulation

Definitions

  • the invention relates to a compound according to the preamble of claim 1.
  • connections in an RF chip or an electronic component with pads or bumps are provided with substrate equipped with metallic tracks, which are suitable for radiofrequency based transponder textile labels, transponder-the-TAG, transponder smart card, transponder inlays, chip modules and others similar IC circuits are used in superior quality.
  • frequency ranges from 1 to 3000 megahertz are provided.
  • Smart cards can be functioning transponders and consist of chip modules and antennas.
  • a chip module consists of at least one chip on a conductor track with an antenna connection.
  • Document EP-A-0 706 152 shows a solution for the construction of smart cards using a substrate with metallic wiring pattern layer (antenna) with chip bonded thereto in conventional bonding technique (US 6,259,408). Another chip-cut substrate is punched over the chip in chip thickness to accommodate the chip, followed by another two films. This is a very complex working process, which places the highest demands on the centering process (indexing of the foils) and on the gluing. The use of multiple substrate layers gives this solution a relatively large thickness, making it very stiff (undesirable in inlets and card making). Due to the above-mentioned problems and requirements, this solution is very costly and not suitable for economical use in environments with increased load and where card flexibility and card quality are required.
  • connection quality Due to the very small dimensions of the chips, the connecting surfaces / bump and the printed conductors, which lie in the micrometer range, the smallest unevenness and tolerances have a negative effect on the connection quality. The required quality is difficult to control and maintain. The profitability of the manufacturing process is thereby enormously impaired.
  • RFID Radio Frequency Identification
  • Such labels must e.g. also be suitable for cooking linen. Due to the moisture, the aforementioned conventional connection of the pads and bumps suffers from the corresponding traces. The plastic / adhesive surrounding the pads / bumps swells and can lift the connection feet by a few nanometers, resulting in a connection interruption. Due to the high temperature of the cooking laundry, thermal expansions are generated in the materials involved, which in turn generate the smallest displacements in the connection and also cause connection interruptions.
  • interconnects and the individual joints are very close to each other (distance about 100 microns) and are not limited, there is also a risk of short circuit on the conductive connection means of the adjacent joints.
  • the process of attaching the globtop is very difficult to control because, on the one hand, the droplet on the carrier, because it is not guided, widens, and on the other hand, contamination is created on both sides of the chipcard module, which can only be removed with difficulty. Furthermore, there is no guarantee that the thin, sensitive wire will actually lie inside the globtop dome, because the dome is lowered uncontrollably due to widening on the support surface.
  • the conductor track structure is prepared by punching before connecting the chip to the conductor track. Due to the many delicate process steps, the production costs for chip cards of this type are high. For these reasons, the design is not suitable for producing high-stress, high-quality and low-cost connections between microchip and interconnect structures on a polymer or leadframe laminate for use in harsh environments, for example for the production of transponders.
  • the document DE-A-195 00 925 shows another method for the production of smart cards.
  • the chip card for contactless data transmission has various steps and elements, According to this method, the separately molded or stamped plastic card body with the following openings: a) a separately finished manufactured transmission module is attached, which is an antenna in the form of at least one coil and / or in Has form of electrically conductive layers.
  • the separately finished transmission module consists of a single metallic printed circuit board (Lead) or can be combined in a special application applied to a carrier body made of plastic.
  • the transmission module has connection surfaces for electrical connection to the connection surfaces of the chip module through openings in the card body.
  • This intermediate product (card body with embedded transmission module without expensive chip module) can now optionally be printed and then visually inspected according to committee criteria. c) A separately finished chip module with chip and on carrier mounted connecting tracks. d) Subsequent connection of the positions a and b and finally the assembly and connection of the position c with functional checks.
  • a transmission module with antenna is to be created separately from the chip module and card body
  • a card body is to be made by spraying or punching
  • the transmission module must be fixed together with the card body
  • the chip module must be installed in the card body with the transmission module.
  • connection chip module with transmission module For the use of chip cards with the chip module and rougher operation (high bending load, elevated temperature and increased pressure and humidity), several problems arise with the connection chip module with transmission module, in particular: a) NCP glued connections that produce contacts only on a pressure basis, are sufficient limited in this case, since the glue swells due to absorption of moisture and creates a contact interruption gap, which leads to functional errors. b) Compounds with conductive glue are not possible for these solutions with a chip module, since the contact distances of the chip are too close to each other. - A -
  • the card body is for reasons of stiffness a relatively thick plastic part made of a polymer such as PET or PEN or PEI.
  • the required heat of soldering is around 232 0 C.
  • the contact on the surface of the plastic must be addressed with about 280 0 C.
  • PEN plastic melt 250oC. So it must be an expensive polyimide plastic having a melting point above 300 0 C used.
  • the transmission module For wirebending the transmission module must be executed in any case with a closed carrier with transmission tracks.
  • the carrier must also be made of a polyimide plastic because of the relatively high bonding temperature. This also leads to high costs, on the one hand Wirebondieri are already higher than soldering costs and on the other hand, the costs for the closed carrier in addition and because polyimide must be used, high.
  • An economical production is not given. A punched lead without a closed support can not be used for this method, because the required adhesive sealant for the additional necessary fixation of the chip module in the card body through the openings in the punch runs out and can be cleaned later only by large expenses. Also, the production facilities are heavily affected by pollution and cause further costs.
  • the antenna structures of the transmission module with the openings in the card body must be designed precisely matching each other prior to connection to the chip module, which makes enormous demands on the indexing (match tolerance) of the layers.
  • the invention has for its object to provide a compound of the type mentioned above, which has an improved connection quality, and in the negative effects of bumps and tolerances of the chips, the pads / bumps and the interconnects as well as the negative temperature and pressure influences can be largely eliminated.
  • the invention aims for a clear, cost-effective production with high quality. This object is achieved according to the invention by a compound having the features of claim 1.
  • openings are made in which the chip or the chip connection area is at least partially immersed.
  • Electrically conductive connecting means are present in the openings and, or as an order on the pads / bumps.
  • connecting means soft solders, metal wires, adhesive and / or sealant are provided.
  • the metal foil is structured and serves as an electrical conductor.
  • the pads / bump no longer need to be placed exactly on the corresponding tracks, but they are introduced with at least part of their height in the openings with connecting means and are anchored stable in position through the walls of the openings and the cured connection means.
  • the connection feet for the connection, but the unevenness or other dimensional deviations no longer matter.
  • the economy and quality of the manufacturing process is thus significantly improved.
  • an intermetallic compound is created at the transition points between the trace, the solder and the connection feet.
  • the entire chip with pads / bumps in the opening in the substrate can be completely immersed and connected with connecting means to the track and be poured with plastic compound, which results in a special protection against pressure, heat and moisture.
  • FIG. 1 shows a section through bonding of a chip provided with connection surfaces with a substrate provided with metallic interconnects according to the prior art
  • Fig. 2 is a sectional view of an embodiment of the invention
  • connection according to the invention in section, with openings made in the polymeric substrate for chip pads or bumps containing connecting means,
  • 5 shows an embodiment in section, in which the chip and the pads or bumps at least partially embedded in the opening of the substrate (4) and are partially encapsulated with sealant
  • 6 shows a section of a variant in which the chip and the connection surfaces or bumps are completely embedded in the opening of the substrate and completely encapsulated with sealing compound
  • the connecting means is a metallic, electrically conductive wire which is connected to the bumps and the interconnects intermetallically in the Wirebond method
  • FIG. 8 shows a section of a variant in which the connecting means is connected in a wire-bonding process to a metallic, electronically conductive wire which extends intermetallically at the connecting surfaces or bumps and at the conductor tracks over at least part of the spirally laid turns.
  • FIG. 9 is a plan view of the embodiment of FIG. 8, without cover sheets and
  • FIG. 10a and FIG. 10b HF smartcard in plan view and side view with the connection according to the invention according to FIG. 7 or FIG. 8, FIG.
  • FIG. 11a and 11b a second application of the connection according to the invention according to FIG. 5 or FIG. 6 for a UHF smartcard in top view and side view, respectively, FIG.
  • FIG. 12a a third application of the solution according to the invention according to FIG. 5 or FIG. 6 for a strap chip module in plan view or longitudinal section along the line G-G according to FIG. 12a, FIG.
  • FIG. 13a and 13b show a fourth application of the connection according to FIG. 4, FIG. 5 or FIG. 6 in a UHF foil inlay in plan view or in longitudinal section,
  • Fig. 14b a side view.
  • FIG. 1 shows a prior art conventional connection of a chip (1, 2) provided with connecting surfaces (2, 2 ') with a polymeric substrate (4) of the laminate (26) provided with metallic conductor tracks (3, 3').
  • the chip (1) may for example have a size of 400x400x150 microns.
  • the conductor tracks (3, 3 ') are preferably made of copper.
  • the chip (1) is placed on the corresponding conductor tracks (3, 3 ') with the, for example, gold-plated connection surfaces (2, T), and the connection feet (2, 2') are materially connected to the conductor tracks (3, 3 ') , usually by a non-conductive adhesive.
  • the corresponding connection means is designated in FIG. 1 with (6).
  • the chip (1) itself is connected to the substrate 4 and the conductor tracks (3, 3 ') cohesively, usually by means of the non-conductive adhesive (6).
  • the result is the case that the adhesive (6) does not dry out to the desired line (dot-dashed line 24), but expands widely on the laminate (26), indicated by arrows D and D " Adhesive quality and there is a risk of moisture penetration into the joints (swelling of the adhesive 6) .
  • connection feet and the conductor tracks the smallest unevenness and tolerances can have a negative effect on the connection quality, which in FIG. 1 does not affect the connection foot (2 ') Conductor track (3 ') "sits", indicated (arrow C). Also, the "lifting" of the pad (2 1 ) (which may cause a connection interruption) may be due to temperature, or caused by swelling of the adhesive 6.
  • Fig. 1 the possible skipping of the conductive connecting means of very close to each other lying joints is indicated by an arrow A, which means a risk of short circuit.
  • FIG. 2 shows a connection according to the invention of the same chip (1) to the substrate (4) and the conductor tracks (3, 3 ').
  • the conductor tracks (3, 3 ') have openings (10, 10') which are open on the chip side and contain electrically conductive connection means (11) (soft solders or conductive adhesives).
  • the connecting surfaces (2, 2 ') are immersed in the connecting means (11) at least with part of their height.
  • connection feet (2, 2 ') available for the connection, but the unevenness or other dimensional deviations no longer matter.
  • the economy of the manufacturing process is thus significantly improved. Even with temperature-related small shifts, there is no connection interruption. Since now the electrically conductive connecting means (1 1) in the openings (10, 10 ') and not on the conductor surface are present, the risk of short circuit is eliminated or at least reduced.
  • connection feet (2, 2 ') with the corresponding conductor tracks (3, 3') via the electrically conductive connection means (1 1) are additionally solidified by a protective coating (15) (preferably a plastic compound, epoxy paint or an adhesive) and covered moisture-proof.
  • a chip (1a) which may be, for example, an RFID (Radio Frequency Identification) chip generation 2, and its connection to the conductor track (3), on a polymeric substrate 4a is laminated.
  • the substrate may e.g. made of PE or PET, PI or PEI, or made of impregnated with epoxy resin fabric.
  • the copper interconnects (3a, 3a ') are mounted on the side of the substrate 4a facing away from the chip (1a). In the substrate 4a through openings (10a, 10a ') per pad or bump (2) are made.
  • connection feet (2a, 2a ', 11d) are immersed at least part of their height.
  • the connecting means (11) as Lötbump (11 d) with the chip pads or bump (2) is supplied; this is such that a soldering tin is applied to the end face (2d ') of the connection surface (2d) of the chip (1).
  • a stored in the opening connection means is therefore no longer mandatory.
  • the conductor track (3) is open on the opposite side of the chip pad.
  • the required Lötsammlung, 220 0 C are optimally supplied to the junction. This via metal (copper) and chip quartz without going over the polymeric substrate.
  • the soldering times are significantly shortened due to metallic heat conduction.
  • the laminate bonding is significantly less stressed. This allows the use of less expensive substrates such as PE and less expensive laminate adhesives.
  • the chip (1 a) is connected to the substrate (4a) by means of an additional adhesive (16a), which may be mixed with soldering flux.
  • the compound is solidified with an additional protective coating (15) and covered moisture-proof, preferably in the form of a plastic film, or an epoxy paint coating or adhesive.
  • the development of the conductor track structure of the conductor foil on the laminate is carried out by etching or by a laser plasma method.
  • 4 shows a chip (1) with a connection surface (2d) which is equipped with an additional solder bump (1 1 d), in such a way that a soldering tin is provided on the end face (2d ') of the connection surface (2d) of the chip (1) (1 1 d) is applied.
  • An embedded in the opening (10a) connecting means (11) is thus no longer mandatory.
  • Fig. 5 shows a second embodiment according to the invention, in which the entire base of the chip (1) with bumps (2) with at least ei nem part of its height in the chip-side opening (1Of) of the substrate (4) dipped is and the pads or bumps (2) of the chip (1) with connecting means (11, 11d) in the recess with the conductor track (3) are connected.
  • the opening (10f) is open on the chip side and bounded on the opposite side of the chip (1) by the conductor track.
  • the conductor track (3) is freely open on the opposite side of the chip pad in this example.
  • the difference from the previous embodiment according to the invention lies in the fact that the chip (1), the connection surfaces and bumps (2) and the affected conductor track part (3) with connecting means (11, 11d) lie in the opening (10f) and with plastic sealant (6,16, 16c) are moisture-proof over at least a part of their heights.
  • the chip is precisely positioned and firmly anchored to the laminate by the chip and connection means guide in the opening.
  • Fig. 6 shows a third embodiment according to the invention and analogous to FIG. 5, in which the chip (1) and its pads or bumps (2, 2 ') immersed entirely in the substrate (4) and with plastic sealant (16 ) are completely poured.
  • the difference from the embodiment according to FIG. 5 lies in the fact that the chip with the connection surfaces and bumps are completely immersed in the substrate and completely surrounded by plastic sealing compound (6, 16, 16c).
  • the connection surfaces or bumps (2) are connected to the conductor track (3) in an intermetallic manner in a particularly rigid, firm and secure manner.
  • the whole chip (1) is completely immersed in the opening (10f) with plastic sealing compounds (6, 16, 16c) and surrounded.
  • the chip is accurately positioned and firmly anchored by the chip potting compound in the opening with the laminate.
  • the conductor track (3) is at least partially exposed on the opposite side of the chip pad freely.
  • the required soldering heat of approximately 220 0 C can be optimally supplied to the junction, this via metal (copper) and chip quartz without going over the polymeric substrate.
  • the soldering times are significantly shortened.
  • the laminate bonding is significantly less stressed. This allows the use of inexpensive substrate such as PE and inexpensive laminate adhesive.
  • the formation of the antenna conductor / antenna structure (3) by etching or lasing can also take place here after complete connection of the chip to the conductor foil and casting of the opening 10f with sealing compound (6, 16, 16c). This procedure •,. is preferred so that the opening, without polluting the plant, shed clean and can then be dried.
  • This design withstands chip, bumps and joints for increased pressure, temperature and humidity loads. These have an advantageous effect for continuous use in laundries (passing through calender rolls is made possible, etc.), high temperature pressure and humidity environment.
  • connection means (27; ).
  • the chip (1) is positioned in the opening (1 Of) with Die Attach adhesive (20) and glued to the conductor foil (3).
  • the chip (1) and the connection surfaces / bumps (2) with the connecting wires (21) are completely embedded in the opening (10f) of the substrate (4) and completely molded with plastic sealant (16).
  • the chip is exactly positioned, and firmly anchored by the chip potting compound in the opening (10f) with the laminate (26).
  • the conductor track (3) is at least partially exposed on the opposite side of the chip pad.
  • the required heat of welding temperature above 220 0 C
  • the laminate bonding is significantly less thermally stressed.
  • the wirebond process can be greatly accelerated.
  • this inventive method allows the use of less expensive substrates such as PE and less expensive laminate adhesive.
  • the formation of the antenna conductor (3) / antenna structure (22) by etching, laser or plasma method can also advantageously after complete connection of the chip to the antenna conductor, and after pouring the opening (10) with the sealant (6, 16) This is analogous to Fig. 2, Fig. 4, Fig. 5.
  • a hundred percent controlled sealing compound order is guaranteed and the connection is of the highest quality.
  • the chip, the bumps and joints with the wire (21) withstand increased pressure, temperature and humidity loads.
  • Fig. 8 shows a fifth embodiment in which a metallically electrically conductive wire (21) with the pads / bumps (2,2 ') and the interconnects (3) is intermetallically connected (Wirebondvon).
  • the chip (1) is positioned in the opening (10f) with Die attach adhesive (20) and glued to the conductor foil (3).
  • the chip (1) and the connecting surfaces / bumps (2,2 ') with the connecting wires (21) are completely embedded in the opening (10f) of the substrate (4) and completely encapsulated with plastic sealant (6, 16).
  • plastic sealant (6, 16) plastic sealant
  • the conductor track (3) is embodied here as a spiral antenna / coil antenna, as used for the production of HF smartcads (FIG. 9).
  • FIG. 8 illustrates how the connection of the start and end of the spiral antenna antenna track (3) with the pads / bumps) of the chip (1) through the connecting wire (21) in Wirebond compiler in the simplest, most universal and cost-effective manner is solved. Furthermore, it is clearly visible how the loops of the antenna cross the chips and how the beginning and the end of the coil antenna (3) are connected to the chip (1).
  • the formation of the antenna conductor (3) / antenna structure (3; 31) by etching, laser or plasma method can also be advantageously carried out after complete connection of the chip to the antenna conductor foil and after pouring the opening (10f) with sealing compound (6,16). This is one to one hundred percent Controlled sealing compound ensures and the connection is of the highest quality.
  • the chip, the bumps and the joints with the wire (21) are resistant to elevated pressure, temperature and humidity loads. These have an advantageous effect for continuous use at high temperatures and or high pressure and or high humidity.
  • FIG. 9 shows a top view of the solution according to the invention of FIG. 8.
  • the cover films and the sealant (16) have been omitted here for the sake of simplicity.
  • the optimal solution possibility of the connecting means (27, 28) and the simple bridging of the chip (1) over the antenna loops (3) by using the connecting wire (21), which allows a great flexibility with regard to the connection distances, are apparent.
  • FIG. 10a and 10b show an application for HF smart card (35), which is constructed according to the invention of FIG. 8 and FIG.
  • the spiral antenna (3) is made up of the antenna layer which is integrated (connected) to the substrate (4).
  • the entire smart card (35) is realized from a thickness of 0.1 mm and upwards. Again, the simple and inexpensive bridging of the antenna loop is clearly visible.
  • the two cover sheets (23) required for smart cards are applied to the laminate (26) by lamination.
  • the cover sheets are made of paper or polymer films and can be provided with fonts and logos before or after lamination.
  • FIG. 11a and 11b show an application for UHF smart card (36), which is constructed according to the invention according to FIG. 6 and FIG.
  • the dipole antenna is made up of the antenna layer (3) which is integrated with the substrate (4).
  • the entire smartcard (36) has a thickness from 0.1 mm. Again, the simple and inexpensive and thus optimal connection (40) of the antennas (trace) (3) to the chip pad (2) is clearly visible.
  • the two cover sheets (23) required for smart cards are applied to the laminate (26) by lamination.
  • the cover sheets (23) are made of paper or polymer films and can be provided with fonts and logos, before or after lamination. Smart card with UHF antennas respond to a greater distance than HF antennas. The choice of antenna type is made according to their requirement.
  • FIGs 12a and 12b show an application for UHF chip modules (37). These can be found in separately fabricated antennas, e.g. Metal antennas woven into textile or large antennas made in plastic application.
  • the connection to the antenna track (3) can be soldered or glued or mechanical.
  • This embodiment is constructed analogously as in FIG. 5 or FIG. 6 or FIG. 7 in the context of the invention and constructed in a thickness of the chip module from 0.1 mm. Also, the simple and inexpensive construction is clearly perceptible.
  • the chip (1) is completely covered by the substrate (4).
  • the chip module is suitable for heavy loads (laundry machines, high temperatures and pressures).
  • FIGS. 13a and 13b show an application for UHF inlay (38), which is constructed analogously to the connection according to FIG. 5 or FIG. 6 or FIG.
  • the dipole antenna is formed from the antenna layer (3) integrated with the substrate (4).
  • the total inlet thickness is realized from 0.1 mm. Also, the simple and inexpensive construction is clearly visible.
  • Figures 14a and 14b show an application for RF inlay (39) constructed in accordance with the invention of Figures 8 and 9.
  • the spiral antenna is formed of the antenna layer (3) integrated with the substrate (4). Again, the simple and inexpensive bridging of the antenna loop and thus the simple design of the solution is well visible.
  • the connection variants according to the invention described above are examples and, compared with the conventional connection solutions, have a significantly improved quality of connection and are much easier to manufacture, more cost-effective and usable in harsh and damp environments, such as in laundries.

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Abstract

Eine Verbindung eines RF- Chips (1 ) mit Anschlussflächen (2; 2') wird erzeugt, indem diese Anschlussflächen (2; 2') in eine Öffnung (10a; 10f) eines Laminates mit Substrat und Leiterbahnen verbunden wird. Die Verbindung erfolgt über die Chipanschlussflächen (2) mit den im Substrat (4) integrierten Leiterbahnen (3, 31). Nach der Vollendung der Verbindung wird die Öffnung (10, 10', 10f) mit dem Chip und den Anschlussflächen mit einer dichtende Masse ausgegossen, welche die Druckfestigkeit des gesamtem Chipmodul erhöht. Die Bildung der Leiterbahnstrukturen erfolgt bevorzugt nach dem vollständigen Verbindungsprozess des Chips (1 ). Die Wirtschaftlichkeit und Qualität des Chips und der Herstellungsprozesse wird damit erheblich verbessert und vereinfacht, auch eine dauerhafte sichere Verbindung zwischen dem Chip und den Leiterbahnen wird optimiert. Der Einsatz dieser Verbindungen ist auch in rauer Umgebung, zum Beispiel Wäschereien etc., vollauf gegeben.

Description

Verbindung eines mit Anschlussflächen und Bumps versehenen Chips mit einem mit metallischen Leiterbahnen versehenen Substrat
Die Erfindung betrifft eine Verbindung gemäss dem Oberbegriff des Anspruches 1.
Solche Verbindungen bei einem RF-Chip oder einem elektronischen Baustein mit Anschlussflächen bzw. Bumps sind mit metallischen Leiterbahnen bestücktes Substrat versehen, welche für auf Radiofrequenz basierenden Transponder-Textiletiketten, Transpon-der-TAG, Transponder-Smartcard, Transponder-Inlays, Chipmodule sowie weitere ähnli-che IC- Schaltkreise in hochstehender Qualität verwendet werden. Hiefür sind Frequenz-bereiche von 1 bis 3000 Megahertz vorgesehen.
Chipkarten können funktionierende Transponder sein und bestehen aus Chipmodulen und Antennen. Ein Chipmodul besteht aus mindestens einem Chip auf einer Leiterbahn mit einem Antennenanschluss.
Die heute bekannten Lösungen zur Herstellung der oben erwähnten Produkte verlangen ein aufwendiges Klebeverfahren mit Cyan-Acrylatklebern oder ein Hotmelt-Verfahren für die Verbindung zwischen dem Substrat und dem Chip. Auch ist die Kontaktverbindung zwischen der Anschlussfläche / Bump und der Leiterbahn mit Kleber wegen dem Quellen des Kunststoffes im Leim äusserst anfällig. Auch muss wegen den verschiedenen Temperaturausdehnungskoeffizienten der verschiedenen Kunststoffe und des Klebers mit starker Verwölbung und Delaminierung gerechnet werden.
Aus der Druckschrift US-A-6,259,408 ist bekannt, ein Chipmodul zu bauen, bei der die Anschlussflächen / Bumps (Höcker) der Chips auf die Oberfläche der Leiterbahnen aufgesetzt werden und diese durch Kleben miteinander in Kontakt zu halten, derart, dass ein metallischer Berührungskontakt entsteht, wobei auch vorgeschlagen wird, den Chip mit dem Substrat, beispielsweise mittels eines Klebstoffes, zusätzlich zu fixieren. Kunststoff-Folien sind wegen dessen Herstellungsverfahren durch Walz- und Giess- prozesse, sehr glatt und uneben. Dadurch findet der zusätzliche Klebstoff (hier Globtop in der Fachsprache genannt) kaum Möglichkeit, sich genügend zu verankern. Die Bump- Klebeverbindung und die zusätzliche Fixierungsart des Chips mit Anschlussflächen / Bumps sind nicht in der Lage, grossere äussere Kräfte standzuhalten, die in täglichen Prozessen (z.B. Wäscherei oder Tragen in Geldbeuteln) auftreten. Anwendungen bei hoher Feuchte, erhöhtem Druck und Temperaturen sind damit nicht möglich.
Die Druckschrift EP-A-O 706 152 zeigt eine Lösung für den Bau von Chipkarten, bei der ein Substrat mit metallischem Leiterbahnstrukturen-Layer (Antenne) mit darauf in herkömmlicher Klebe-Technik (US 6,259,408) verbundenen Chip zu verwenden. Über den Chip wird ein weiteres Substrat mit ausgestanzter Fläche in Chipdicke zur Aufnahme des Chip laminiert, gefolgt mit weiteren zwei Folien. Es handelt sich hier um einen sehr aufwändigen Arbeitsprozess, welche höchste Anforderung an den Zentrierungsprozess (Indexierung der Folien) und an die Verleimung stellt. Die Verwendung von mehreren Substratlagen gibt dieser Lösung eine relativ grosse Dicke und macht sie dadurch sehr steif (in Inlets und Kartenbau unerwünscht). Durch die oben erwähnte Problematik und Anforderungen ist diese Lösung sehr kostenintensiv und nicht verwendbar für den wirtschaftlichen Einsatz in Umgebungen mit erhöhter Belastung und wo Kartenflexibilität und Kartenqualität verlangt sind.
Durch die sehr kleinen Abmasse der Chips, der Anschlussflächen /Bump und der Leiterbahnen, welche im Mikrometer-Bereich liegen, wirken sich kleinste Unebenheiten und Toleranzen negativ auf die Verbindungsqualität aus. Die erforderliche Qualität ist schwierig zu kontrollieren und zu halten. Die Wirtschaftlichkeit des Herstellungsprozesses wird dadurch enorm beeinträchtigt.
Oft werden Etiketten für Textilwaren mit so genannten RFID (Radio Frequency Identifi- cation)-Chips versehen, die in Prozess- oder Verkaufslogistik Anwendung finden sowie auch zum Diebstahlschutz dienen können. Derartige Etiketten müssen z.B. auch für Kochwäsche geeignet sein. Durch die Feuchtigkeit leidet die vorher erwähnte, herkömmliche Verbindung der Anschlussflächen und Bumps mit den entsprechenden Leiterbahnen. Der die Anschlussflächen/ Bumps umliegende Kunst- bzw. Klebstoff quillt und kann die Anschlussfüsse um einige Nanometer abheben, was einen Verbindungsunterbruch zur Folge hat. Durch die hohe Temperatur bei der Kochwäsche werden Wärmedehnungen in beteiligten Materialien erzeugt, die wiederum kleinsten Verschiebungen in der Verbindung erzeugen und ebenfalls Verbindungsunterbrüche verursachen.
Da die Leiterbahnen und die einzelnen Verbindungsstellen sehr nahe beieinander liegen (Abstand ca. 100 μm) und nicht begrenzt sind, besteht über die leitenden Verbindungsmittel der benachbarten Verbindungsstellen ausserdem eine Kurzschlussgefahr.
In der Druckschrift DE-A-196 18 103 wird eine Chipkartenmodul-Ausführung vorgeschlagen, bei der das Wirebond-Verfahren angewendet wird. Sehr nachteilig bei diesem Vorschlag ist, dass der Wirebonddraht auf jeden Fall über die Oberkante des Verbindungssteges des Trägers verläuft und durch einen sogenannten Globtop gegen Beschädigungen geschützt werden muss. Der Grund dafür ist der, dass der Chipanschluss und die Anschlüsse der Kontaktflächen nicht in der gleichen Kavität liegen können, was bedingt, dass der Chip durch aus dem Träger gebildete Verbindungsstege getragen werden muss. Der Bonddraht muss diesen Verbindungssteg des Trägers überqueren. Zum Schutz des Anschlusses am Chip und des Bonddrahtes (-bogens) muss ein von der Trägeroberfläche erhöhter Globtop aufgebracht werden. Diese Erhöhung wirkt sich sehr nachteilig aus, da keine ebene Fläche mehr gegeben ist. Der Prozess für das Anbringen des Globtops ist sehr schwierig zu kontrollieren, da sich einerseits der Tropfen auf dem Träger, weil nicht geführt, breit macht (verläuft) und andererseits Verschmutzungen auf beiden Seiten des Chipkartenmoduls entstehen, die nur mühsam entfernt werden können. Weiter ist nicht gewährleistet, dass der dünne empfindliche Draht auch wirklich innerhalb der Globtop-Kuppe liegt, dies weil sich die Kuppe durch das Verbreitern auf der Trägeroberfläche unkontrolliert senkt. Die Leiterbahnstruktur ist vor dem Verbinden des Chips mit der Leiterbahn durch Stanzen ausgearbeitet. Durch die vielen heiklen Prozessschritte sind die Herstellungskosten für Chipkarten dieser Art hoch. Aus diesen Gründen ist die Ausführung nicht geeignet zur Herstellung von hoch beanspruchbaren, qualitativ guten und kostengünstigen Verbindungen zwischen Microchip und Leiterbahnstrukturen auf einen Polymer- oder Leadframe-Laminat für den Einsatz in rauer Umgebung, dies zum Beispiel zur Herstellung von Transpondern.
Die Druckschrift DE-A-195 00 925 zeigt ein weiteres Verfahren zur Herstellung von Chipkarten. Die Chipkarte zur kontaktlosen Datenübertragung weist verschiedene Schritte und Elemente auf, Gemäß diesem Verfahren wird dem separat gespritzten oder gestanzten Kartenkörper aus Kunststoff mit folgenden Öffnungen: a) ein separat fertig hergestelltes Übertragungsmodul angebaut, welches eine Antenne in Form von mindestens einer Spule und/oder in Form elektrisch leitender Schichten aufweist. Das separat fertig gefertigtes Übertragungsmodul besteht aus einer einzigen metallischen Leiterplatte (Lead) oder kann in einer speziellen Anwendung kombiniert auf einen Trägerkörper aus Kunststoff aufgebracht sein. Das Übertragungsmodul weist Anschlussflächen zur elektrischen Ankopplung an die Anschlussflächen des Chipmoduls durch Öffnungen im Kartenkörper auf. b) Ein fertig gefertigtes Kartenkörper dass bereits bedruckt sein kann. Dieses Zwischenerzeugnis (Kartenkörper mit eingelagertem Übertragungsmodul ohne teures Chipmodul) kann nun gegebenenfalls bedruckt und anschliessend optisch nach Ausschusskriterien begutachtet werden. c) Ein separat fertig gefertigtes Chipmodul mit Chip und auf Träger aufgebrachten Anschlussleiterbahnen. d) Nachträgliche Verbindung der Positionen a und b und zuletzt die Montage und Verbindung der Position c mit Funktionskontrollen.
Es zeigt sich, dass der Aufwand zur Herstellung von Chipkarten nach diesem Verfahren sehr kostenintensiv und umständlich ist, weil
1 ) vorgängig ein Chipmodul aus polymerem Substrat mit Leiterbahn und mit mindestens ein Chip erstellt werden muss;
2) ein Übertragungsmodul mit Antenne separat vom Chipmodul und Kartenköper zu erstellen ist;
3) ein Kartenkörper durch Spritzen oder Stanzen anzufertigen ist;
4) das Übertragungsmodul mit dem Kartenkörper zusammen fixiert werden muss;
5) das Chipmodul im Kartenkörper mit dem Übertragungsmodul eingebaut werden muss.
Wegen den vielen erforderlichen Arbeitsschritten mit relativ kritischen Arbeitsprozessen, resultieren daraus hohe Ausschussraten. Diese wirken sich erheblich negativ auf die Kosten aus.
Für den Einsatz der Chipkarten mit dem Chipmodul und rauerem Betrieb (hohe Biegebelastung, erhöhte Temperatur und erhöhter Druck und Feuchtigkeit) entstehen etliche Probleme mit der Verbindung Chipmodul mit Übertragungsmodul, wie insbesondere: a) NCP geklebte Verbindungen, die Kontakte nur auf Druckbasis erzeugen, genügen hier nur beschränkt, da der Leim durch Aufnahme von Feuchtigkeit aufquillt und einen Kontakt-Unterbruchspalt erzeugt, was zu Funktionsfehlern führt. b) Verbindungen mit leitendem Leim sind für diese Lösungen mit einem Chipmodul nicht möglich, da die Kontaktabstände der Chip zu nahe beieinander liegen. - A -
Die Leimmenge lässt sich nicht in so kleiner Menge dosieren, so dass der Leim den kleinen Leitertrennspalt überquert und Fehler durch Kurzschlüsse zwischen den einzelnen Kontaktstellen entstehen. c) Es zeigt sich, dass die Erstellung der Verbindung durch Weichlöten zwischen Chipmodul und Übertragungsmodul ein Erfordernis ist.
Mit diesem Verfahren ist das Löten der Verbindung Chipmodul-Leiterbahn sehr schwierig, da die Lötwärme von unten und von oben durch den Kartenkörper und oder den Träger geführt werden muss. Es entstehen folgende sehr negativ auswirkende Probleme:
1.) Der Kartenkörper ist aus Steifheitsgründen ein relativ dicker Kunststoffteil aus einem Polymer z.B. PET oder PEN oder PEI. Die erforderliche Lötwärme beträgt um die 232 0C. Der Kontakt an der Oberfläche des Kunststoffs muss mit ca. 2800C angegangen werden. Bei dieser Temperatur beginnt bereits der aus Kostengründen verwendete PET- ; PEN- Kunststoff zu schmelzen (250oC). Es muss also ein teurer Polyimid-Kunststoff mit einem Schmelzpunkt über 3000C verwendet werden.
2.) Dieser Kunststoff ist erhältlich, aber sehr teuer, ca. 15 bis 20 mal höher als ein Kunststoff aus PET. Somit ist dieser Kunststoff für die Anwendung als Kartenköper zu teuer und könnte nur für Anwendungen, bei denen Kosten und Belastung unproblematische sind, eingesetzt werden. Leider gilt das besagte auch für den Träger des Übertragungsmodul. Die Wirtschaftlichkeit ist nicht gegeben.
3.) Ein weiterer Nachteil der Wärmezuführung von aussen über den Kunststoff zur Verbindungsstelle ist die schlechte Wärmeleitung des Kunststoffes, kombiniert mit dem grossen Wärmeleitweg. Der grosse Wärmeleitweg ergibt sich wegen der verlangten Steifheit des Kartenkörpers, was ein dicker Kunststoff erfordert. Diese schlechte Wärmeleitung verlangsamt den automatischen Prozess enorm, was wiederum zu hohen Kosten führt.
Zum Wirebonden muss das Übertragungsmodul auf jeden Fall mit einem geschlossenem Träger mit Übertragungsleiterbahnen ausgeführt werden. Der Träger muss wegen der relativ hohen Bondtemperatur ebenfalls aus einem Polyimid-Kunststoff ausgeführt werden. Dies führt ebenfalls zu hohen Kosten, einerseits sind Wirebondkosten schon höher als Lötkosten und anderseits sind die Kosten für den geschlossenen Träger zusätzlich und weil Polyimid verwendet werden muss, hoch. Eine wirtschaftliche Fertigung ist nicht gegeben. Ein Stanzlead ohne geschlossenen Träger kann für dieses Verfahren nicht verwendet werden, weil die erforderliche Klebe-Dichtmasse für die zusätzlich notwendige Fixierung des Chipmoduls im Kartenkörper durch die Öffnungen im Stanzlead ausläuft und nur durch grosse Aufwendungen nachträglich gereinigt werden kann. Auch werden die Produktionsanlagen durch Verschmutzung stark in Mitleidenschaft gezogen und verursachen weitere Kosten.
Ferner müssen die Antennenstrukturen des Übertragungsmoduls mit den Öffnungen im Kartenkörper präzis aufeinander passend vor dem Verbinden mit dem Chipmodul ausgearbeitet sein, was enorm hohe Anforderungen an die Indexierung (Übereinstimmungstoleranz) der Schichten stellt.
Dieses Verfahren ist daher für eine intermetallische Lötverbindung zwischen Chip und Antennenleiter zum einen zu unwirtschaftlich (zusätzlicher Träger) für die Leiterbahnstrukturen und zum anderen lässt sich die Verbindungsöffnung nicht verschmutzungsfrei abdichten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Verbindung der eingangs genannten Art zu schaffen, die eine verbesserte Verbindungsqualität aufweist, und bei der die negativen Auswirkungen von Unebenheiten und Toleranzen der Chips, der Anschlussflächen / Bumps und der Leiterbahnen sowie auch die negativen Temperatur- und Druckeinflüsse weitgehend eliminiert werden können. Ausserdem wird mit der Erfindung eine übersichtliche, kostengünstige Produktion bei hoher Qualität angestrebt. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss durch eine Verbindung mit den Merkmalen des Anspruches 1 gelöst.
Weitere bevorzugte Ausgestaltungen der erfindungsgemässen Verbindung bilden den Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Erfindungsgemäss sind in einem Substrat eines Laminates aus der Polymer- Substratfolie und einer Metallfolie Öffnungen angefertigt, in denen der Chip oder die Chipanschlussfläche mindestens teilweise eingetaucht sind. Elektrisch leitende Verbindungsmittel sind in den Öffnungen und, oder als Auftrag auf die Anschlussflächen / Bumps vorhanden. Als Verbindungsmittel sind Weichlote, Metalldrähte, Kleber und/oder Dichtmasse vorgesehen. Die Metallfolie ist strukturiert und dient als elektrischen Leiter.
Dabei müssen die Anschlussflächen / Bump nicht mehr exakt auf die entsprechenden Leiterbahnen aufgesetzt werden, sondern sie werden mit mindestens einem Teil ihrer Höhe in die Öffnungen mit Verbindungsmittel eingeführt und sind durch die Wandungen der Öffnungen und das ausgehärtete Verbindungsmittel lagestabil verankert. Somit steht nicht nur mehr Fläche von den Anschlussfüssen für die Verbindung zur Verfügung, sondern die Unebenheiten oder sonstige Abmassabweichungen spielen keine Rolle mehr. Die Wirtschaftlichkeit und Qualität des Herstellungsprozesses wird somit erheblich verbessert. Auch bei temperaturbedingten kleinen Verschiebungen kommt es zu keinem Verbindungsunterbruch. Da nun die elektrisch leitenden Verbindungsmittel geführt in den Öffnungen und nicht auf der Leiterbahnoberfläche vorhanden sind, wird auch die Kurzschlussgefahr weitgehend eliminiert oder zumindest vermindert. Bei Anwendungen von Weichloten entsteht eine intermetallische Verbindung an den Übergangsstellen zwischen Leiterbahn, Lot und Anschlussfüssen.
Gemäss der Erfindung kann aber auch der ganze Chip mit Anschlussflächen / Bumps in die Öffnung im Substrat vollständig eingetaucht und mit Verbindungsmittel mit der Leiterbahn verbunden und mit Plastikmasse eingegossen sein, womit sich ein besonderer Schutz gegen Druck, Wärme und Feuchtigkeit ergibt. Dies macht den Transpon- der auch fähig für den Einsatz unter schwersten Bedingungen wie: hoher Druck, hohe Temperatur- und grosse Feuchtigkeitseinwirkung (Wäscherei-Kailander oder Autoclave), das heisst, dass die erfindungsgemässe Verbindung im Transponder eingesetzt werden kann in feuchte Umgebung und Wäschereien bei Waschtemperaturen bis zu 900C, in Autoclaven bis 1380C und in Wäscherei-Kailander mit Oberflächentemperaturen (+Druck) bis 1700C.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt rein schematisch:
Fig. 1 einen Schnitt durch Kleben eines mit Anschlussflächen versehenen Chips mit einem mit metallischen Leiterbahnen versehenen Substrat gemäss dem Stand der Technik,
Fig. 2 ein im Schnitt dargestelltes Ausführungsbeispiel einer erfindungsge-mässen
Verbindung eines mit Anschlussflächen und Bumps versehenen Chips mit einem in metallischen Leiterbahnen versehenen Öffnungen,
Fig. 3 ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemässen Verbindung im Schnitt, mit im polymeren Substrat angefertigten Öffnungen für Chipanschlussflächen bzw. Bumps beinhaltend Verbindungsmittel,
Fig. 4 ein Ausführungsbeispiel eines Chips mit Anschlussflächen bzw. Bumps beinhaltend das Verbindungsmittel im Schnitt,
Fig. 5 ein Ausführungsbeispiel im Schnitt, bei welchem der Chip und die Anschlussflächen bzw. Bumps mindestens teilweise in die Öffnung des Substrates (4) eingelassen und teilweise mit Dichtmasse eingegossen sind, Fig. 6 einen Schnitt einer Variante, bei welcher der Chip und die Anschluss-flächen bzw. Bumps vollständig in die Öffnung des Substrates eingelassen und vollständig mit Dichtmasse eingegossen sind,
Fig. 7 einen Schnitt eines Ausführungsbeispiels, bei der das Verbindungsmittel ein metallischer, elektrisch leitender Draht das an den Anschlussflächen bzw. Bumps und an den Leiterbahnen intermetallisch im Wirebond-Verfahren verbunden ist,
Fig. 8 einen Schnitt einer Variante, bei der das Verbindungsmittel ein metallischer, elektronisch leitender Draht das an den Anschlussflächen oder Bumps und an den Leiterbahnen intermetallisch, über mindestens ein Teil der spiralmässig ausgelegten Windungen erstreckt, im Wirebond-Verfahren verbunden ist,
Fig. 9 eine Draufsicht auf die Ausführung gemäss Fig. 8, ohne Deckfolien und
Klebemasse,
Fig. 10a und Fig. 10b, HF-Smartcard in Drauf- bzw. Seitenansicht mit der erfin- dungsgemässen Verbindung nach Fig. 7 bzw. Fig. 8,
Fig. 11a und Fig. 11 b, eine zweite Anwendung der erfindungsgemässen Verbindung nach der Fig. 5 oder Fig. 6 für eine UHF-Smartcard in Drauf- bzw. Seitenansicht,
Fig. 12a und Fig. 12b, eine dritte Anwendung der erfindungsgemässen Lösung nach der Fig. 5 oder Fig. 6 für einen Strap-Chipmodul in Draufsicht bzw. Längsschnitt entlang der Linie G - G nach Fig. 12a,
Fig. 13a und Fig. 13b eine vierte Anwendung der Verbindung nach Fig. 4, Fig. 5 oder Fig. 6 in einem UHF Folien Inlay in Draufsicht bzw. im Längsschnitt,
Fig. 14a und Fig. 14b eine fünfte Anwendung der Verbindung nach der Fig. 7 und Fig. 8 für einen HF Folien Inlay im Schnitt gemäss der Linie K - K nach
Fig. 14b einer Seitenansicht.
Fig.1 zeigt eine dem Stand der Technik entsprechende, herkömmliche Verbindung eines mit Anschlussflächen (2, 2') versehenen Chips (1 ) mit einem mit metallischen Leiterbahnen (3, 3') versehenen polymeren Substrat (4) des Laminates (26). Der Chip (1 ) kann beispielsweise eine Grosse von 400x400x150 μm aufweisen. Die Leiterbahnen (3, 3') bestehen vorzugsweise aus Kupfer. Der Chip (1 ) wird mit den zum Beispiel vergoldeten Anschlussflächen (2, T) auf die entsprechenden Leiterbahnen (3, 3') aufgesetzt, und die Anschlussfüsse (2, 2') werden mit den Leiterbahnen (3, 3') stoffschlüssig verbunden, in der Regel durch einen nicht leitenden Kleber. Das entsprechende Verbindungsmittel ist in Fig. 1 mit (6) bezeichnet. Auch der Chip (1 ) selber wird mit dem Substrat 4 und den Leiterbahnen (3, 3') stoffschlüssig, in der Regel mittels des nicht leitenden Klebstoffes (6) verbunden. Dabei ergibt sich der Fall, dass der Klebstoff (6) nicht nach der Wunschlinie (strichpunktierte Linie 24) austrocknet, sondern sich weiträumig auf dem Laminat (26) ausläuft, mit Pfeile D und D" dargestellt. Das Auslaufen des Klebers verschlechtert ganz wesentlich die Klebequalität und es entsteht die Gefahr des Eindringens von Feuchtigkeit in die Verbindungsstellen (Aufquellen des Klebstoffes 6). Dies führt zu Korrosion und Oxydation der Kontaktstellen. Weiter hebt sich durch die Wasseraufnahme die Verbindung Anschlussfläche (2) / Leiterbahn (3) voneinander im Mikrometerbereich ab (Aufquellen), was dazu führt, dass der Transponder schon nach kurzer Einsatzzeit ausfällt.
Wie bereits erwähnt, können sich bei den sehr kleinen Abmassen der Chips (1 ), der Anschlussfüsse und der Leiterbahnen die kleinsten Unebenheiten und Toleranzen negativ auf die Verbindungsqualität auswirken, was in Fig. 1 beim Anschlussfuss (2'), der nicht ganz auf der Leiterbahn (3') „sitzt", angedeutet ist (Pfeil C). Auch kann das „Anheben" der Anschlussfläche (21) (was ein Verbindungsunterbruch zur Folge haben kann) temperaturbedingt sein, oder durch Anquellen des Klebstoffes 6 verursacht werden. In Fig. 1 ist auch mit einem Pfeil A das mögliche Überspringen der leitenden Verbindungsmittel der sehr nahe beieinander liegenden Verbindungsstellen angedeutet, welches eine Kurzschlussgefahr bedeutet.
Fig. 2 zeigt eine erfindungsgemässe Verbindung des gleichen Chips (1 ) mit dem Substrat (4) und den Leiterbahnen (3, 3'). Die Leiterbahnen (3, 3') weisen Öffnungen (10, 10') auf, die chipseitig offen stehen und elektrisch leitende Verbindungsmittel (11 ) (Weichlote oder leitende Kleber) beinhalten. Die Anschlussflächen (2, 2') sind zumindest mit einem Teil ihrer Höhe in die Verbindungsmittel (11 ) eingetaucht. Somit steht nicht nur mehr Fläche von Anschlussfüssen (2, 2') für die Verbindung zur Verfügung, sondern die Unebenheiten oder sonstige Abmassabweichungen spielen keine Rolle mehr. Die Wirtschaftlichkeit des Herstellungsprozesses wird somit erheblich verbessert. Auch bei temperaturbedingten kleinen Verschiebungen kommt es zu keinem Verbindungsunterbruch. Da nun die elektrisch leitenden Verbindungsmittel (1 1 ) in den Öffnungen (10, 10') und nicht auf der Leiterbahnoberfläche vorhanden sind, wird auch die Kurzschlussgefahr eliminiert oder zumindest vermindert.
Der stoffschlüssig, über klebende Dichtmasse (16) mit dem Substrat (4) und der Leiterbahnen (3) verbundene Chip 1 , dessen Anschlussfüsse (2, 2') mit den entsprechenden Leiterbahnen (3, 3') über die elektrisch leitenden Verbindungsmittel (1 1 ) verbunden sind, ist zusätzlich durch einen Schutzüberzug (15) (vorzugsweise eine Kunststoffmasse, Epoxy-Lack oder ein Kleber) verfestigt und feuchtigkeitsdicht abgedeckt.
Fig.3 zeigt eine erste Ausführungsart gemäss der Erfindung bei der ein Chip (1a), bei dem es sich beispielsweise um einen RFID (Radio Frequency Identification)-Chip Generation 2 handeln kann, und deren Verbindung mit der Leiterbahn (3), die auf einem polymeren Substrat 4a laminiert ist. Das Substrat kann z.B. aus PE oder PET, PI oder PEI, oder aus mit Epoxydharz getränktem Gewebe bestehen. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind die Kupferleiterbahnen (3a, 3a') auf der dem Chip (1a) abgewandten Seite des Substrates 4a angebracht. Im Substrat 4a sind durchgehende Öffnungen (10a, 10a') pro Anschlussfläche bzw. Bump (2) angefertigt. Diese sind chipseitig offen und auf der Gegenseite durch die Leiterbahn verschlossen und beinhalten die elektrisch leitende Verbindungsmittel (11 ) (Weichlote oder leitende Kleber) in welche die Anschlussfüsse (2a, 2a', 11 d) zumindest mit einem Teil ihrer Höhe eingetaucht sind. Dadurch ist der Chip exakt positioniert und durch die Bump- und Verbindungsmittelführung in der Öffnung fest zum Laminat verankert.
Bei einer anderen Lösung wird das Verbindungsmittel (11 ) als Lötbump (11 d) mit den Chipanschlussflächen bzw. Bump (2) zugeführt; dies, derart, dass an der Stirnseite (2d') der Anschlussfläche (2d) des Chips (1) ein Lötzinn aufgebracht ist. Ein in der Öffnung eingelagertes Verbindungsmittel ist damit nicht mehr zwingend erforderlich. Die Leiterbahn (3) liegt auf der Gegenseite der Chipanschlussfläche frei offen. Dadurch kann die erforderliche Lötwärme, 2200C, zur Verbindungsstelle optimal zugeführt werden. Dies via Metall (Kupfer) und Chipquarz ohne über das polymere Substrat zu gehen. Dadurch werden die Lötzeiten auf Grund metallischer Wärmeleitung wesentlich verkürzt. Die Laminatklebung wird bedeutend weniger beansprucht. Dies erlaubt die Anwendung von kostengünstigeren Substraten wie z.B. PE und kostengünstigeren Laminatklebern.
Der Chip (1 a) ist mittels eines zusätzlichen Klebstoffes (16a), welches mit Lötflussmittel durchmischt sein kann, mit dem Substrat (4a) verbunden. Die Verbindung ist mit einem zusätzlichen Schutzüberzug (15) verfestigt und feuchtigkeitsdicht abgedeckt, dies vorzugsweise in Form einer Kunststoff-Folie, oder eines Epoxy- Lack-Überzuges oder einer Klebemasse. Die Ausarbeitung der Leiterbahn-Struktur aus der Leiterbahnfolie am Laminat erfolgt durch Ätzen oder durch ein Laser-Plasmaverfahren. Fig. 4 zeigt ein Chip (1 ) mit Anschlussfläche (2d) welcher mit zusätzlichem Lötbump (1 1 d) ausgerüstet ist, dies, derart, dass an der Stirnseite (2d') der Anschlussfläche (2d) des Chips (1 ) ein Lötzinn (1 1 d) aufgebracht ist. Ein in der Öffnung (1Oa) eingelagertes Verbindungsmittel (11 ) ist damit nicht mehr zwingend erforderlich.
Fig. 5 zeigt eine zweite Ausführungsart gemäss der Erfindung, bei der die ganze Grundfläche des Chips (1) mit Anschlussflächen bzw. Bumps (2) mit mindestens ei-nem Teil ihrer Höhe in die chipseitige Öffnung (1Of) des Substrates (4) eingetaucht ist und die Anschlussflächen bzw. Bumps (2) des Chips (1) mit Verbindungsmitteln (11 ,11d) in der Vertiefung mit der Leiterbahn (3) verbunden sind. Die Öffnung (1Of) ist chipseitig offen und auf der Gegenseite des Chip (1 ) durch die Leiterbahn begrenzt. Die Leiterbahn (3) liegt auf der Gegenseite der Chipanschlussfläche in diesem Beispiel frei offen. Dadurch kann die erforderliche Lötwärme von 2200C zur Verbindungsstelle optimal zugeführt werden. Dies via Metall (Kupfer) und Chipquarz ohne über das poly- mere Substrat zu gehen. Dadurch werden die Lötzeiten (weil metallische Wärmeleitung) wesentlich verkürzt. Die Laminatklebung wird bedeutend weniger beansprucht. Dies erlaubt die Anwendung von kostengünstigen Substraten wie z.B. PE und kostengünstigen Laminatkleber.
Der Unterschied zu der vorherigen erfindungsgemässen Ausführung liegt darin, dass der Chip (1 ), die Anschlussflächen und Bumps (2) und der betroffene Leiterbahnteil(3) mit Verbindungsmitteln (11 , 11d) in der Öffnung (10f) liegen und mit Plastik-Dichtmasse (6,16, 16c) über mindestens einen Teil ihrer Höhen feuchtigkeitssicher umgössen sind. Dadurch ist der Chip exakt positioniert und durch die Chip- und Verbindungsmittelführung in der Öffnung fest zum Laminat verankert.
Ein weiterer Unterschied liegt darin, dass das Ätzen oder Lasern der Antennenleiter (3) /Antennenstruktur (3) nach dem vollständigen Verbinden des Chips (1 ) mit dem Antennenleiter (3) und nach dem Ausgiessen der Öffnung (10f) mit Dichtmasse (6, 16, 16c) erfolgen kann. Damit wird ein zu 100%tig kontrollierter Dichtmassenauftrag begrenzt durch die Ränder der Öffnung (10f) gewährleistet und die Verbindung ist von höchster Qualität und sehr kostengünstig gegenüber anderen bekannten Verfahren. Dieses Vorgehen ist sehr wichtig, damit die Öffnung ohne die Anlage zu verschmutzen sauber vergossen und anschliessend getrocknet werden kann.
Fig. 6 zeigt eine dritte Ausführungsart gemäss der Erfindung und analog der Fig. 5, bei welcher der Chip (1 ) und dessen Anschlussflächen bzw. Bumps (2, 2') gänzlich im Substrat (4) eingetaucht und mit Plastik-Dichtmasse (16) vollständig eingegossen sind. Der Unterschied zur Ausführung gemäss Figur 5 liegt darin, dass der Chip mit den Anschlussflächen und Bumps hier vollständig im Substrat eingetaucht und mit Plastik- Dichtmasse (6, 16, 16c) vollständig umgössen sind. Dadurch werden die Anschlussflächen bzw. Bumps (2) besonders steif, fest und sicher mit der Leiterbahn (3) intermetallisch verbunden. Der ganze Chip (1 ) ist mit Plastik-Dichtmassen (6, 16, 16c) vollständig in der Öffnung (10f) eingetaucht und umgössen. Dadurch ist der Chip exakt positioniert und durch die Chip- Vergussmasse in der Öffnung fest mit dem Laminat verankert.
Die Leiterbahn (3) liegt mindestens teilweise auf der Gegenseite der Chipanschlussfläche frei offen liegen. Dadurch kann die erforderliche Lötwärme von annähernd 2200C zur Verbindungsstelle optimal zugeführt werden, dies via Metall (Kupfer) und Chipquarz ohne über das polymere Substrat zu gehen. Dadurch werden die Lötzeiten (weil metallische Wärmeleitung) wesentlich verkürzt. Die Laminatklebung wird bedeutend weniger beansprucht. Dies erlaubt die Anwendung von kostengünstigem Substrat wie z.B. PE und kostengünstigem Laminatkleber.
Das Bilden der Antennenleiter / Antennenstruktur (3) durch Ätzen oder Lasern kann auch hier nach dem vollständigen Verbinden des Chips mit der Leiterbahnfolie und Ausgiessen der Öffnung 10f mit Dichtmasse (6, 16, 16c) erfolgen. Dieses Vorgehen •,. wird bevorzugt, damit die Öffnung, ohne die Anlage zu verschmutzen, sauber vergossen und anschliessend getrocknet werden kann.
Durch diese Ausführung widersteht der Chip, die Anschlussflächen bzw. Bumps und Verbindungsstellen erhöhten Druck-, Temperatur- und Feuchtigkeitsbelastungen. Diese wirken sich vorteilhaft für den Dauereinsatz in Wäschereien (Durchfahren durch Kalanderwalzen ist dadurch ermöglicht, etc.), hohe Temperatur- Druck- und Feuchte- Umgebung aus.
Fig. 7 zeigt ein viertes Ausführungsbeispiel gemäss der Erfindung, bei der als Verbindungsmittel (27; 28) ein die Anschlussflächen / Bumps (2) und die Leiterbahnen (3; 28) intermetallisch verbindender metallischer, elektrisch leitender Draht (21 ) vorgesehen ist (Wirebondverfahren). Der Chip (1 ) ist in der Öffnung (1 Of) mit Die-Attach-Kleber (20) positioniert und an die Leiterbahnfolie (3) geklebt. Der Chip (1 ) und die Anschlussflächen / Bumps (2) mit den Verbindungsdrähten (21 ) sind ganz in die Öffnung (10f) des Substrates (4) eingelassen und vollständig mit Kunststoff-Dichtmasse (16) eingegossen. Dadurch ist der Chip exakt positioniert, und durch die Chip-Vergussmasse in der Öffnung (10f) mit dem Laminat (26) fest verankert.
Die Leiterbahn (3) liegt auf der Gegenseite der Chipanschlussfläche mindestens teilweise frei offen. Dadurch kann die erforderliche Schweisswärme (Temperatur über 2200C), welche an der Verbindungsstelle entsteht, optimal abgeführt bzw. kontrolliert werden. Dies via Metall (Kupfer) und Chipquarz auf entsprechende Kühlplatten, ohne über das polymere Substrat zu gehen. Dadurch wird die Schweissqualität wesentlich verbessert. Die Laminatklebung wird bedeutend weniger thermisch beansprucht. Der Wirebond-Prozess kann stark beschleunigt werden. Weiter erlaubt dieses erfindungs- gemässe Verfahren die Anwendung von kostengünstigerem Substrate wie z.B. PE und kostengünstigerem Laminatkleber.
Das Bilden der Antennenleiter (3) / Antennenstruktur (22) durch Ätzen, Lasern- oder Plasmaverfahren kann auch hier vorteilhafterweise nach dem vollständigen Verbinden des Chips mit dem Antennenleiter, und nach dem Ausgiessen der Öffnung (10) mit der Dichtmasse (6, 16) erfolgen, dies analog der Fig. 2, Fig. 4, Fig. 5. Hierbei wird ein zu hundertprozentig kontrollierter Dichtmassenauftrag gewährleistet und die Verbindung ist von bester Qualität. Durch diese Ausführung widerstehen der Chip, die Anschlussflächen bzw. Bumps und Verbindungsstellen mit dem Draht (21 ) erhöhten Druck-, Temperatur- und Feuchtigkeitsbelastungen.
Fig. 8 zeigt ein fünftes Ausführungsbeispiel, bei dem ein metallisch elektrisch leitender Draht (21 ) mit den Anschlussflächen / Bumps (2,2') und den Leiterbahnen (3) intermetallisch verbunden ist (Wirebondverfahren). Der Chip (1) ist in der Öffnung (10f) mit Die- Attach-Kleber (20) positioniert und an die Leiterbahnfolie (3) geklebt. Der Chip (1 ) und die Anschlussflächen / Bumps (2,2') mit den Verbindungsdrähten (21 ) sind vollständig in die Öffnung (10f) des Substrates (4) eingelassen und vollständig mit Kunststoff- Dichtmasse (6, 16) eingegossen. Dadurch ist der Chip exakt positioniert und durch die Chip-Vergussmasse in der Öffnung (10f) fest zum Laminat (26) verankert.
Die Leiterbahn (3) ist hier als Spiralantenne/Spulenantenne ausgeführt, wie sie für die Herstellung von HF-Smartcads (Fig. 9) eingesetzt wird. In der Fig. 8 ist verdeutlicht, wie die Verbindung der Anfangs- und Endstelle der spiralartigen Antennenleiterbahn (3) mit den Anschlussflächen /Bumps) des Chips(1 ) durch den Verbindungsdraht (21 ) im Wirebondverfahren auf einfachste, universale und kosten-günstige Weise gelöst ist. Weiter ist deutlich sichtbar gemacht, wie die Schleifen der Antenne den Chips unterkreuzen und wie der Anfang und das Ende der Spulenantenne (3) mit dem Chips (1 ) verbunden sind. Das Bilden der Antennenleiter (3) / Antennenstruktur (3;31 ) durch Ätzen, Lasernoder Plasmaverfahren kann auch hier vorteilhafterweise nach dem vollständigen Verbinden des Chips mit der Antennenleiterfolie und nach dem Ausgiessen der Öffnung (10f) mit Dichtmasse (6,16) erfolgen. Hierbei wird ein zu hundertprozentig kontrollierter Dichtmassenauftrag gewährleistet und die Verbindung ist von bester Qualität. Durch diese Ausführung ist der Chip, die Anschlussflächen bzw. Bumps und die Verbindungsstellen mit dem Draht (21 ) beständig bei erhöhten Druck-, Temperatur- und Feuchtigkeits-Belastungen. Diese wirken sich vorteilhaft aus für den Dauereinsatz bei hohen Temperaturen und oder hohem Druck und oder grosser Feuchte.
Fig. 9 zeigt eine Draufsicht auf die erfindungsgemässe Lösung der Fig. 8. Die Deckfolien und die Dichtmasse (16) sind hier zur vereinfachten Darstellung weggelassen worden. Ersichtlich ist die optimale Lösungsmöglichkeit der Verbindungsmittel (27, 28) und die einfache Überbrückung des Chips (1 ) über die Antennenschleifen (3) durch Anwendung des Verbindungsdrahtes (21 ), das eine grosse Flexibilität bezüglich der Ver- bindungsabstände zulässt.
Fig. 10a und Fig. 10b zeigen eine Anwendung für HF- Smartcard (35), die gemäss der Erfindung nach Fig. 8 und Fig. 9 aufgebaut ist. Die Spiralantenne (3) ist aus dem An- tennenlayer, welcher mit dem Substrat (4) integriert (verbunden) ist, ausgearbeitet. Die gesamte Smart-card (35) ist ab einer Dicke ab 0,1 mm realisiert. Auch hier ist die einfache und kostengünstige Überbrückung der Antennenschleife gut ersichtlich. Die zwei für Smartcards erforderlichen Deckfolien (23) werden durch Auflaminieren auf das Laminat (26) aufgebracht. Die Deckfolien sind aus Papier- oder aus Polymerefolien und können mit Schriften und Logos vor oder nach dem Laminieren versehen werden.
Fig. 11a und Fig. 1 1 b zeigen eine Anwendung für UHF- Smartcard (36), die gemäss der Erfindung nach Figur 6 und Figur 7 aufgebaut ist. Die Dipolantenne ist aus dem Antennenlayer (3), welcher mit dem Substrat (4) integriert ist, ausgearbeitet. Die gesamte Smartcard (36) hat eine Dicke ab 0,1 mm. Auch hier ist der einfache und kostengünstige und damit optimale Anschluss (40) der Antennen (Leiterbahn) (3) zur Chip- Anschlussfläche (2) gut ersichtlich. Die zwei für Smartcards erforderlichen Deckfolien (23) werden durch Auflaminieren auf das Laminat (26) aufgebracht. Die Deckfolien (23) sind aus Papier- oder aus Polymerfolien und können mit Schriften und Logos, vor oder nach dem Laminieren, versehen werden. Smartcard mit UHF-Antennen sprechen auf eine grossere Distanz an als Ausführung mit HF-Antennen. Die Wahl der Antennenart wird nach deren Anforderung getroffen.
Fig. 12a und Fig. 12b zeigen eine Anwendung für UHF-Chipmodule (37). Diese finden in separat gefertigten Antennen, wie z.B. in Textil eingewobenen Metallantennen oder in Plastik ausgearbeitete grosse Antennen Anwendung. Die Verbindung mit der Antennen Leiterbahn (3) kann dabei gelötet oder geleimt oder mechanisch sein. Diese Ausführung ist im Rahmen der Erfindung analog wie nach Fig. 5 oder Fig. 6 oder Fig.7 aufgebaut und in einer Dicke des Chipmoduls ab 0, 1 mm gebaut. Auch ist der einfache und kostengünstige Aufbau deutlich wahrnehmbar dargestellt. Ersichtlich in Fig. 6 bzw. Fig. 7 ist, wie der Chip (1 ) vollkommen durch das Substrat (4) abgedeckt ist. Der Chipmodul ist für grosse Belastungen geeignet (Wäscherei-Maschinen, hohe Temperaturen und Drücke.)
Fig. 13a und Fig. 13b zeigen eine Anwendung für UHF-Inlay (38), die analog wie die Verbindung nach Fig. 5 oder Fig. 6 oder Fig. 7 aufgebaut ist. Die Dipolantenne ist aus dem Antennenlayer (3), welches mit dem Substrat (4) integriert ist, gebildet. Die gesamte Inlet-Dicke ist ab 0,1 mm realisiert. Auch ist der einfache und kostengünstige Aufbau deutlich ersichtlich.
Fig. 14a und Fig. 14b zeigen eine Anwendung für HF-Inlay (39), die gemäss der Erfindung nach Fig. 8 und Fig. 9 aufgebaut ist. Die Spiralantenne ist aus dem Antennenlayer (3), welches mit dem Substrat (4) integriert ist, gebildet. Auch hier ist die einfache und kostengünstige Überbrückung der Antennenschleife und somit der einfache Aufbau der Lösung gut ersichtlich. Die vorstehend beschriebenen erfindungsgemässen Verbindungsvarianten stellen Beispiele dar, und weisen gegenüber den herkömmlichen Verbindungslösungen eine wesentlich verbesserte Verbindungsqualität und sind in ihrer Herstellung wesentlich einfacher, kostengünstiger und in rauer und feuchter Umgebung, wie zum Beispiel in Wäschereien, einsetzbar.
LEGENDE:
1 Chip
1 a Chip
1 b Chip
1 c Chip
2, 2' Anschlussfläche
2a, 2a1 Anschlussfäche
2b Anschlussfläche / Bump
2c Anschlussfläche
2d Anschlussfläche
2d' Stirnseite des Anschlussfläche
2d" Mantelseite des Anschlussfläche
3, 3' Leiterbahnen
3a, 3a' Leiterbahnen
3b Leiterbahn
3, 3' Leiterbahnen
3b, 3b1 Leiterbahnen
3b", 3b" " Leiterbahnen
3c Leiterbahn
4 polymeres Substrat
4a polymeres Substrat
5 Verbindungsmittel, leitender Leim
6 Klebstoff, elektrisch nicht leitend
10; 10' Öffnung in der Leiterbahn
10a, 10. ϊ Öffnung im Substrat
10b Öffnung in der Leiterbahn
10e Öffnung in der Leiterbahn
10f Öffnung im Substrat
1 1 Verbindungsmittel, Lote
1 1 d Verbindungsmittel (Lötbumps)
13b Verdickter Teil
15 Schutzüberzug
16 Dichtmasse, (Underfill), elektrisch nicht leitend
16a Klebstoff
16b Kunststoffmasse
16c Klebstoff mit Lötflussmittel
18 Schlitz
20 Klebstoff für Die-Attach
21 Draht- Verbindungsmittel für Wirebondverfahren
22 Abstand zwischen den Leiterbahnen
23 Deckfolien
26 Laminat
27, 28 Verbindungsmittel
31 Antennenstruktur
35, 36 Smartcard
37 UHF-Chipmodul
38 UHF-Inlay
39 HF-Inlay
40 Anschluss
C Abstand zwischen zwei Leiterbahnen D Verlaufender Klebstoff h2 Höhe der Dichtmasse über den Chip h1 Höhe der Anschlussfläche / Bumps x1 Öffnungsmass x2 Öffnungsmass x3 öffnungsmass

Claims

PATENTANSPRÜCHE
1. Verbindung eines mit Anschlussflächen bzw. Bumps versehenen Chips (1 ) für Herstellung von Chipmodulen, Tags, Inlays für textile Etiketten, Chipkarten oder dergleichen, mit einem Laminat (26) aus metallischen Leiterbahnen (3, 3'; 3a, 3a'; 3b, 3b', 3b", 3b1") und einem Substrat (4) insbesondere aus polymeren Kunststoffen und mit Verbindungsmitteln (5, 11 , 11d ,21 ) zur Verbindung der Anschlussflächen bzw. Bumps (2) mit den Leiterbahnen, wobei die Leiterbahnen Antennenstrukturen für Transponder bilden oder nach aussen führende elektrische Kontakte für eine nachträgliche Verbindung mit Antennenstrukturen aufweisen, dadurch gekennzeichnet, dass das Laminat (26) mit Öffnungen (10, 10'; 10a, 10a'; 10b; 10e; 10f) und/oder Vertiefungen versehen ist, in welche die Chip-Anschlussflächen (2, 2'; 2a, 2a'; 2b; 2c; 2d) und/oder der komplette Chip (1 ) mit mindestens einem Teil der Höhe eingetaucht sind, und in welcher die elektrische Verbindung des Chips über das in der korrespondierenden Öffnung liegenden Verbindungsmittel (5, 11 , 11d, 21 ) mit der jeweiligen Leiterbahn (3, 3'; 3a, 3a'; 3b, 3b', 3b", 3b'") erfolgt.
2. Verbindung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung auch für Einsatz in rauer Umgebung vorgesehen ist, wie hohe äussere Druck-, hohe Temperatur- und grosse Feuchtigkeitseinwirkung oder den Einsatz in der Wäscherei vorgesehen ist.
3. Verbindung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die An- schluss- und Leiterbahnstrukturen in der metallischen Leiterbahnfolie nach dem vollständigen Verbindungsprozess des Chips (1 ) auf die unstrukturierte Leiterbahnfolie erzeugbar ist.
4. Verbindung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Anschluss- und Leiterbahnstrukturen in der metallischen Leiterbahnfolie vor dem Verbindungsprozess des Chips mit der Leiterbahn (1 ) durch Löten, Schweissen und/oder Vergiessen mit Kunststoff erzeugbar ist.
5. Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Chip (1 ) und das Verbindungsmittel (5,1 1 , 11d) substratseitig eingebaut sind, dass die Öffnung im Substrat (4) vor dem Laminieren mit der Leiterbahnfolie (3) durchgehend bis zur Leiterbahn Oberfläche (3) ausgeführt ist, derart, dass der Chip-Bump (2) darin aufgenommen und mit mindestens einem Teil seiner Höhe eintaucht, wobei die Dicke des Substrates (4) und der Leiterbahn (3) beliebig ist.
6. Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Chip (1 ) und das Verbindungsmittel (5, 11 , 11d) Leiterbahnseitig eingebaut sind, dass die Öffnung oder Vertiefung (10) in der Leiterbahn ausgeführt ist, derart, das der Chip-Bump oder die Anschlussflächen (2) mit den mit mindestens einen Teil seiner Höhe darin aufgenommen ist, wobei die Dicke des Substrates (4) und die Dicke der Leiterbahn (3) beliebig ist.
7. Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Chip (1 ) und das Verbindungsmittel (5, 1 1 , 1 1d, 21 ) substratseitig eingebaut sind, dass die Öffnung (1 Of) im Substrat (4) vor dem Laminieren mit der Leiterbahnfolie (3) durchgehend bis zur Leiterbahn Oberfläche (3) ausgeführt ist, derart, dass die ganze Grundfläche des Chips (1) mit den Anschlussflächen mit mindestens einem Teil der Chiphöhe mit den Anschlussflächen bzw. Bump (2) darin eintaucht, wobei die Dicke des Substrates (4) mindestens die Höhe der Anschlussfläche bzw, Bump (2) bis maximal 1 mm über die Höhe des Chips mit den Bump (2) beträgt und die Dicke der Leiterbahn (3) beliebig ist.
8. Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung der Anschlussflächen bzw. Bumps (2) im Flipchip-Verfahren mit der entsprechenden Leiterbahn (3) über Verbindungsmittel (5,11 ,1 Id) erzeugbar ist, wobei das Verbindungsmittel (5, 1 1 ,1 1 d) auf der Leiterbahn (3) und oder auf den Anschlussflächen bzw. Bumps (2) angelagert sind und dass mindestens ein Teilungsabstand von Leiterbahn (3) zu Leiterbahn (3) zwischen den Anschlussflächen bzw. Bump (2) des Chips (1 ) verläuft.
9. Verbindung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungsmittel (5) leitend, wie Weichlote oder elektrisch leitende Kleber oder nicht leitende Klebstoffe sind.
10. Verbindung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlussflächen (2d') bzw. Bumps (2d,) des Chips (1 b) vor dem Einbringen in die Öffnungen (10, 10'; 10a, 10a'; 10b; 10e) mit elektrisch leitenden Verbindungsmitteln (11d), wie Löt- bumps, ausgeführt sind, welche die elektrischen Verbindungen herstellen.
1 1. Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung der Anschlussflächen bzw. Bumps (2) mit der entsprechenden Leiterbahn (3) über Verbindungsmittel (21 ), die als metallisch, elektrisch leitende Drähte ausgeführt sind erfolgt, wobei eine intermetallische Verbindung zwischen Verbindungsmittel, Anschlussflächen bzw. Bumps (2) und den Leiterbahnen (3) vorliegt, und wobei das Verbindungsmittel (21 ) und der Chip (1 ) in der korrespondierenden sub- stratseitigen Öffnung (10f) eingetaucht sind, wobei der Chip (1 ) mit seiner den Anschlussflächen / Bump (2) gegenüber liegenden Oberfläche mit den Leiterbahnen klebend verbunden ist, wobei die Substratdicke (4) gleich oder grösser als die Höhe des Chip (1 ) mit dessen Anschlussfüssen (2) und Anschlussdrähten (21 ) ist, und wobei die Leiterbahnen beliebig dick ausgeführt sind.
12. Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 1 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Öffnung (10, 10'; 10b; 10e) im Substrat (4) oder in der Leiterbahn (3) durch Stanzen oder andere mechanische Verfahren oder chemisch oder elektrolytisch vor dem Laminieren des Antennenleiters (3) erzeugbar ist.
13. Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Öffnung (1Of) im Substrat nach der Verbindung mit einer elektrisch isolierenden Kunststoffmasse (6, 16;16c) bis maximal der Höhe der Oberfläche des Substrats (4) verfestigend abgedichtet ist.
14. Verbindung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die metallischen Leiterbahnen (3, 31; 3a, 3a'; 3b, 3b', 3b", 3b'") auf polymeren Substraten (4; 4a) aus PA oder PE, PET, PEN, PEI, PI oder aus einem Gewebe mit Epoxyd-Kleber laminiert sind und dass die Leiterbahnen (3, 3'; 3a, 3a'; 3b, 3b', 3b", 3b1") aus Kupfer bestehen.
15. Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Chip (1 , 1a, 1 b, 1c) ein RFID (Radio Frequency Identification)-Chip und oder eine Schwingkreisschaltung ist.
16. Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass der stoffschlüssig mit dem Substrat (4, 4a) verbundene Chip (1 , 1a, 1 b), dessen Anschlussflächen bzw. Bump (2, 2'; 2a, 2a'; 2b) mit den entsprechenden Leiterbahnen über die elektrisch leitenden Verbindungsmittel (11 ,1 1d) verbunden sind, zusätzlich durch einen Schutzüberzug (15) vorzugsweise aus einer Kunststofffolie oder aus Epo- xyd-Lack oder aus einem Kleber verfestigt und feuchtigkeitsdicht abgedeckt ist.
17. Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 16, gekennzeichnet durch ein Hochfrequenz (HF oder UHF)-Smartcard enthaltend.
18. Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 17, gekennzeichnet durch ein Strap- Chipmodul enthaltend.
19. Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 18, gekennzeichnet durch einen Ultrahochfrequenz-Inlay enthaltend.
20. Maschine bzw. Maschinenanlage für die Herstellung einer Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 19.
21. Verfahren zur Herstellung einer Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet dass die Öffnungen im Substrat (4) vor, indes die Antennenstrukturen nach dem Laminieren des Substrats (4) mit der Leiterbahn (3, 3'; 3a, 3a'; 3b, 3b', 3b", 3b'") erzeugt werden.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2290590A3 (de) * 2009-08-14 2011-07-27 Giesecke & Devrient GmbH Portabler Datenträger
DE102010041917A1 (de) * 2010-10-04 2012-04-05 Smartrac Ip B.V. Schaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5048179A (en) * 1986-05-23 1991-09-17 Ricoh Company, Ltd. IC chip mounting method
EP1048483A1 (de) * 1997-12-22 2000-11-02 Hitachi, Ltd. Vorrichtung mit einem halbleiterelement
WO2002069385A2 (de) * 2001-02-27 2002-09-06 Infineon Technologies Ag Anordnung mit einem eine integrierte schaltung aufweisenden chip und einem träger beziehungsweise ein trägerelement
EP1394734A1 (de) * 2001-06-07 2004-03-03 Sony Corporation Chipkarte
WO2005062246A1 (en) * 2003-12-19 2005-07-07 Axalto Sa Identification document

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5048179A (en) * 1986-05-23 1991-09-17 Ricoh Company, Ltd. IC chip mounting method
EP1048483A1 (de) * 1997-12-22 2000-11-02 Hitachi, Ltd. Vorrichtung mit einem halbleiterelement
WO2002069385A2 (de) * 2001-02-27 2002-09-06 Infineon Technologies Ag Anordnung mit einem eine integrierte schaltung aufweisenden chip und einem träger beziehungsweise ein trägerelement
EP1394734A1 (de) * 2001-06-07 2004-03-03 Sony Corporation Chipkarte
WO2005062246A1 (en) * 2003-12-19 2005-07-07 Axalto Sa Identification document

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2290590A3 (de) * 2009-08-14 2011-07-27 Giesecke & Devrient GmbH Portabler Datenträger
EP2595095A1 (de) * 2009-08-14 2013-05-22 Giesecke & Devrient GmbH Portabler Datenträger
DE102010041917A1 (de) * 2010-10-04 2012-04-05 Smartrac Ip B.V. Schaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102010041917A8 (de) * 2010-10-04 2012-06-21 Smartrac Ip B.V. Schaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102010041917B4 (de) * 2010-10-04 2014-01-23 Smartrac Ip B.V. Schaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung

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