WO2008117450A1 - Procédé de production de transistor organique et transistor organique - Google Patents

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Abstract

La présente un procédé de production de transistor organique réalisant moins de décalage de tension de seuil inférieur, ainsi que sa structure. La présente invention concerne un procédé de production d'un transistor organique, le transistor organique comportant une électrode de source (4) et une électrode de drain (5) appariées, une couche semi-conductrice organique (6) pour former un canal entre l'électrode de source et l'électrode de drain et, déposé sur la couche semi-conductrice organique, un film isolant de grille (3) et une électrode de grille (2). Ledit procédé comprend la formation d'un composé de porphyrine en un film pour obtenir la couche semi-conductrice organique et la formation simultanée d'un composé siloxane ou d'un composé silazane en un film et son durcissement pour obtenir le film isolant de grille.
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