WO2008106956A3 - Spannungsversorgung für eine sputteranlage - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Sputteranlage, umfassend eine erste Spannungsquelle und eine zweite Spannungsquelle, deren zwei Ausgänge miteinander parallel geschaltet sind, wobei in einer Verbindung (14) der ersten Ausgänge der beiden Spannungsquellen (10, 12, 38) zwei gegeneinander geschaltete Dioden (D1, D2) angeordnet sind, zwischen denen ein Abgriff (18) angeordnet ist, der mit einem ersten Anschluss (21) für die Strornzufuhr in eine Plasmakammer (22) verbunden ist, und wobei der zweite Anschluss (23) für die Stromzufuhr in die Plasmakammer (22) mit der Verbindung (16) der anderen Ausgänge der Spannungsquellen (10, 12, 38) verbunden ist oder die beiden Spannungsquellen (10) oder diesen nachgeordnete elektronische Schalter (82, 84) durch eine gemeinsame Steuerung (34) synchronisiert angesteuert sind. Die Erfindung betrifft ebenfalls eine Sputteranlage, umfassend wenigstens eine Spannungsquelle (10, 12, 38) für die Stromzufuhr in eine Plasmakammer, in der eine die Kathode (20, 50, 52) umgebende Anode (24, 54, 56) vorgesehen ist, welche Anode durch wenigstens einen Schalter (Sm1, Sm2) und/oder eine Diode (D3) mit einem auf einem definierten Potential liegenden Anschluss, insbesondere mit der Gehäusemasse (26) verbunden ist. Durch beide Anordnungen lässt sich das Plasma und die Abscheidung in einer Magnetron-Beschichtungsanlage sehr individuell auf unterschiedliche Targets, Substrate und deren Geometrien einstellen.
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