WO2008059732A1 - Display device, method for driving electro-optical element, and electronic device - Google Patents

Display device, method for driving electro-optical element, and electronic device Download PDF

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    • H10K2102/3026—Top emission

Definitions

  • Display device method of driving electro-optical element, and electronic apparatus
  • the present invention relates to a display device in which pixels including an electro-optical element are arranged in a matrix (matrix), a driving method of the electro-optical element, and an electronic apparatus.
  • electroluminescent elements which are electroluminescent elements, whose emission luminance changes according to the current value flowing as an electro-optical element of pixels.
  • An organic EL display device in which a large number of pixel circuits including elements (electro luminescence) and the like are arranged in a matrix has been developed and commercialized.
  • An organic EL display device is a self-light emitting device in which an organic EL element emits light by itself, and therefore, compared to a liquid crystal display device in which light intensity from a light source (backlight) is controlled by pixels including liquid crystal cells. It has features such as high image visibility, no need for backlight, and fast response speed of elements.
  • the organic EL display device as in the liquid crystal display device, a simple (passive) matrix method and an active matrix method can be adopted as a driving method thereof.
  • a simple (passive) matrix method and an active matrix method can be adopted as a driving method thereof.
  • the simple matrix type display device has a simple structure, there are problems such as difficulty in realizing a large and high definition display device.
  • an active element provided in the same pixel circuit as the electro-optical element such as an insulated gate field effect transistor (generally, a thin film transistor (Thin Film Transistor; TFT), is used. Active matrix type display devices controlled by) are actively being developed.
  • an insulated gate field effect transistor generally, a thin film transistor (Thin Film Transistor; TFT)
  • TFT Thin Film Transistor
  • a drive transistor for driving the organic EL element and sampling of an input signal voltage are performed.
  • At least a writing transistor for writing in the pixel and a holding capacitance connected to the gate of the driving transistor and holding an input signal voltage written by the writing transistor are provided (for example, JP-A-2005-345722). reference).
  • the drive transistor operates as a constant current source because it is designed to operate in the saturation region.
  • the constant drain-source current Ids given by the following equation (1) is supplied from the drive transistor to the organic EL element in which the anode electrode is connected to the source of the drive transistor.
  • Vth is the threshold voltage of the drive transistor
  • ⁇ is the mobility of the semiconductor thin film forming the channel of the drive transistor
  • W is the channel width
  • L is the channel length
  • Cox is the gate capacitance per unit area
  • Vgs is the source The gate-to-source voltage applied to the gate with reference to
  • the source potential Vs of the drive transistor is increased by the coupling between the storage capacitance and the capacitance of the organic EL element.
  • the capacitance value of the storage capacitor is Ccs
  • the capacitance value of the organic EL element is Coled
  • the rise of the gate potential Vg of the drive transistor is AVg
  • the rise AVs of the source potential Vs of the drive transistor is Given by).
  • the present invention provides a display device capable of arbitrarily setting the capacitance value of an electro-optical element such as an organic EL element which can change the light extraction efficiency of a pixel, a method of driving the electro-optical element, and an electronic apparatus.
  • the purpose is to
  • pixels including an electro-optical element and a light shielding film forming a light outlet having an opening area smaller than the light emitting area of the electro-optical element are arranged in a matrix.
  • the capacitance value of the electro-optical element is set according to the light emitting area of the electro-optical element.
  • the method of driving an electro-optical element according to the present invention is a method of driving an electro-optical element that emits light according to current, and drives a plurality of electro-optical elements and makes the light-emitting areas of the respective electro-optical elements different.
  • the drive current values of the respective electro-optical elements are made substantially the same.
  • pixels including an electro-optical element and a light shielding film forming a light outlet having an opening area smaller than the light emitting area of the electro-optical element are arranged in a matrix.
  • the display device is characterized in that a capacitance value of the electro-optical element is set according to a light emitting area of the electro-optical element.
  • the capacitance value of the electro-optical element is determined by the light emitting material, the film thickness of the light emitting layer, the light emitting area and the like.
  • the capacitance value of the electro-optical element is set to the optimum value.
  • the opening area of the light outlet formed by the light shielding film is smaller than the light emitting area of the electro-optical element, even if the light emitting area of the electro-optical element is changed, the light emission of the pixel determined by the opening area of the light outlet There is no change in the area, in other words, the light extraction efficiency.
  • FIG. 1 is a system configuration diagram showing an outline of a configuration of an active matrix organic EL display device according to the present invention.
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a circuit configuration of a pixel (pixel circuit).
  • FIG. 3 A characteristic diagram of drain 'source voltage Vds-drain' source current Ids of the drive transistor.
  • FIG. 4 is a timing waveform diagram for explaining the circuit operation of the active matrix organic EL display device according to the present invention.
  • FIG. 5 is a cross sectional view showing an example of a cross sectional structure of a pixel.
  • FIG. 6 is a view showing a relationship between a change in light emitting area of an organic EL element and a change in capacitance value Coled.
  • FIG. 7 is a perspective view showing a television to which the present invention is applied.
  • FIG. 8 is a perspective view showing a digital camera to which the present invention is applied, (A) is a perspective view seen from the front side, and (B) is a perspective view seen from the back side.
  • FIG. 9 is a perspective view showing a notebook personal computer to which the present invention is applied.
  • FIG. 10 is a perspective view showing a video camera to which the present invention is applied.
  • FIG. 11 is a perspective view showing a mobile phone to which the present invention is applied, wherein (A) is a front view in an open state, (B) is a side view thereof, and (C) is a front view in a closed squad (D) is a left side view, (E) is a right side view, (F) is a top view, and (G) is a bottom view.
  • FIG. 1 is a system configuration diagram showing an outline of the configuration of an active matrix type display device according to the present invention, for example, an active matrix type organic EL display device.
  • the organic EL display device 10 is a current-driven electro-optical element whose emission luminance changes in accordance with the value of the current flowing through the device, for example, an organic EL that is an electroluminescent element. It has a pixel array unit 30 in which pixels (pixel circuits) 20 each including an element 21 (see FIG. 2) as a light emitting element are two-dimensionally arranged in a matrix form.
  • the pixel array unit 30 is usually formed on a transparent insulating substrate such as a glass substrate!
  • Correction scanning lines 33-;!-33-m, 34 1;!-34-m are wired respectively, and signal lines (data lines) 35-;!-35-n are wired for each pixel column. There is.
  • the write scan circuit 40, the drive scan circuit 50, and the first and second correction scan circuits 60, 70 are scan lines 31-;!-31-m, drive lines 32--!-32--m and In order to scan and drive the first and second correction scan lines 33-;!-33- m, 34-;!-34- m, the write signals WS 1 to WS m, the drive signals DS; , Second correction scanning signals AZ11 to AZ1m, AZ2;! To AZ2m as appropriate.
  • Each pixel 20 of the pixel array unit 30 can be formed using an amorphous silicon TFT (thin film transistor) or a low temperature polysilicon TFT.
  • amorphous silicon TFT thin film transistor
  • a low temperature polysilicon TFT the case where the pixel 20 is formed of a low temperature polysilicon TFT will be described as an example.
  • the pixel array unit 30 is formed also for the write scan circuit 40, the drive scan circuit 50, the first and second correction scan circuits 60 and 70, and the horizontal drive circuit 80. (Substrate) can be integrally formed.
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of the circuit configuration of the pixel (pixel circuit) 20. As shown in FIG. As shown in FIG. 2, the pixel 20 is driven in addition to the organic EL element 21 which is a current drive type electro-optical element.
  • an N-channel TFT is used as the drive transistor 22, the write transistor 23, and the switching transistors 25 and 26, and a P-channel TFT is used as the switching transistor 24.
  • a P-channel TFT is used as the switching transistor 24.
  • the combination of the conductivity types of the drive transistor 22, the write transistor 23, and the switching transistors 24 to 26 here is merely an example, and the invention is not limited to these combinations.
  • the organic EL element 21 has a force sword electrode connected to the first power supply potential VSS (here, the ground potential GND).
  • the driving transistor 22 is for driving the current of the organic EL element 21, and the source is connected to the anode electrode of the organic EL element 21 to form a source follower circuit. That is, as shown in FIG. 3, the source potential Vs of the drive transistor 22 is driven. It is determined by the operating point of the dynamic transistor 22 and the organic EL element 21 and has different voltage value depending on the gate potential Vg.
  • the source of the write transistor 23 is connected to the signal line 35 (35-;!-35-n), the drain is connected to the gate of the drive transistor 22, and the gate is the scan line 31 (31-;!- 31-m) are connected.
  • the source is connected to the second power supply potential VDD (here, the positive power supply potential)
  • the drain is connected to the drain of the driving transistor 22, and the gate is the driving line 32 (32-; —M) connected.
  • the drain is connected to the third power supply potential Vinil
  • the source is connected to the drain of the write transistor 23 (the gate of the driving transistor 22), and the gate is the first correction scanning line 33 (33-; ! ⁇ 33-m) are connected.
  • the drain is connected to a connection node Nil between the source of drive transistor 22 and the anode electrode of organic EL element 21, and the source is the fourth power supply potential Vini2 (here, negative power supply potential And the gate is connected to the second correction scanning line 34 (34-;!-34-m).
  • One end of the storage capacitor 27 is connected to a connection node N12 between the gate of the drive transistor 22 and the drain of the write transistor 23, and the other end is a connection node N1 between the source of the drive transistor 22 and the anode electrode of the organic EL element 21. Connected to 1!
  • each component performs the following function. That is, the write transistor 23 becomes conductive, thereby sampling the input signal voltage Vsig supplied through the signal line 35 and writing it in the pixel 20.
  • the written input signal voltage Vsig is held by the holding capacitor 27.
  • Switching transistor 24 conducts current to be supplied to drive transistor 22 from power supply potential VDD.
  • the drive transistor 22 supplies the current corresponding to the input signal voltage Vsig held in the holding capacity 27 to the organic EL element 21 when the switching transistor 24 is in the conductive state.
  • Drive 21 (current drive).
  • the switching transistors 25 and 26 are appropriately turned on to detect the threshold voltage Vth of the drive transistor 22 prior to the current drive of the organic EL element 21, and cancel the influence in advance.
  • the detected threshold voltage Vth is held in the holding capacitor 27.
  • the storage capacitor 27 holds the potential difference between the gate and the source of the drive transistor 22 over the display period.
  • the fourth power supply potential Vini2 is set to be lower than a potential obtained by subtracting the threshold voltage Vth of the driving transistor 22 from the third power supply potential Vinil as a condition for ensuring normal operation. It is set. That is, there is a level relationship of Vini2 ⁇ Vinil-Vth.
  • the threshold voltage Vthel of the organic EL element 21 added to the force-sword potential Vcat of the organic EL element 21 (here, the ground potential GND) is the third power supply potential Vinil from the threshold voltage Vth of the driving transistor 22. It is set to be higher than the subtracted level. That is, the level relation of Vc at + Vthel> Vinil ⁇ Vth (> Vini 2)! /,
  • a write signal WS (WS;! To WSm) is given from the write scanning circuit 40 to the pixel 20 when driving the pixels 20 in a certain row, and is given from the drive scanning circuit 50 to the pixel 20.
  • First to second correction scanning signals AZ1 (AZ1;! To AZlm), which are supplied from the first and second correction scanning circuits 60 and 70 to the pixel 20.
  • the timing relationship of AZ2 (AZ2 ! to AZ2m) and changes in the gate potential Vg and the source potential Vs of the drive transistor 22 are shown respectively.
  • the state of the write signal WS and the first and second correction scanning signals AZ1 and AZ2 at high level (in this example, the power supply potential VDD; hereinafter referred to as "H” level) Is activated, and the low level (in this example, the power supply potential VSS (GND); hereinafter referred to as "L” level) is inactivated.
  • the switching transistor 24 is a P-channel type, the drive signal DS is set to the "L" level state as an adaptive state and the "H" level state as an inactive state.
  • the drive signal DS force transits from the L “level to the" H '"level, and the switching
  • the switching transistor 26 is turned on, whereby the driving transistor 22 is turned on.
  • the power supply potential Vini2 is applied to the source of the switching transistor 26 via the switching transistor 26.
  • the first correction scan signal AZ 1 transitions from “L” level to “H” level, and the switching transistor 25 becomes conductive, whereby the gate of the driving transistor 22 is switched to the switching transistor.
  • the supply potential Vinil is applied via 25.
  • the gate-source voltage Vgs of the driving transistor 22 takes a value Vinil-Vini2.
  • Vinil-Vini2> Vth is satisfied.
  • the second correction scanning signal AZ2 changes from "H” level to “L” level, and the switching transistor 26 becomes nonconductive.
  • the drive signal DS changes from "H” level transitions to "L” level, the switching by the transistor 24 becomes conductive, may current it according to the potential difference Vgs between the drive transistor 22 has a gate source 0
  • the organic EL element 21 whose power seed potential Vcat (power supply potential VSS) of the organic EL element 21 is higher than the source potential Vs of the drive transistor 22 is in a reverse bias state. Since the current flows through the path of node N11 ⁇ storage capacity 27 ⁇ node N12 ⁇ switching transistor 25 ⁇ power supply potential Vinil, charge corresponding to the current is stored in the storage capacity 27. In addition, as the storage capacitor 27 is charged, the source potential Vs of the drive transistor 22 gradually rises from the power supply potential Vini2 with the lapse of time.
  • Vcat power supply potential VSS
  • the drive transistor 22 is cut off. Do. As a result, no current flows in the drive transistor 22, and therefore, the potential difference Vgs between the gate and the source (between Ni and N12) of the drive transistor 22, That is, the threshold voltage Vth is held in the storage capacitor 27 as a threshold correction potential.
  • the drive signal DS changes from the L "level to the" H '"level, and the switching transistor 24 becomes nonconductive.
  • the period from time t5 to time t6 is a period in which the threshold voltage Vth of the drive transistor 22 is detected and held in the holding capacitance 27.
  • this fixed period t5-16 is referred to as a Vth correction period.
  • the first correction scanning signal AZ1 changes from the “H” level to the “L” level, and the switching transistor 25 is turned off.
  • the write signal WS transits from the “L” level to the “H” level at time t8 to drive the input transistor 23 to sample the input signal voltage Vsig and write it into the pixel.
  • the gate potential Vg of the transistor 22 becomes the input signal voltage Vsig This input signal voltage Vsig is held by the holding capacitance 27.
  • the source potential Vs of the drive transistor 22 is capacitively coupled between the storage capacitor 27 and the organic EL element 21 with respect to the amplitude of the gate potential Vg of the drive transistor 22 at the time of sampling by the write transistor 23.
  • the rise ⁇ Vs of the source potential Vs of the drive transistor 22 is expressed by the equation (2) described above.
  • the input signal voltage Vsig written by the write transistor 23 is held in the holding capacitor 27 in such a manner as to be added to the threshold voltage Vth held in the holding capacitor 27.
  • the holding voltage of the holding capacitor 27 is Vsig ⁇ Vinil + Vth.
  • Vinil OV
  • the gate-source voltage Vgs becomes Vsig + Vth.
  • the threshold voltage Vth of the drive transistor 22 is offset with the threshold voltage Vth held in the storage capacitor 27. In other words, correction of the threshold voltage Vth is It will be.
  • the threshold voltage Vth varies or changes with time due to the correction operation of the threshold voltage Vth, the threshold for driving the organic EL element 21 by the drive transistor 22 is obtained.
  • the influence of the voltage Vth can be canceled.
  • the drive signal DS changes from "H" level to "L” level at time t9 while the write transistor 23 is conductive, and the switching transistor 24 becomes conductive, whereby the power supply potential VDD to the drive transistor 22.
  • Current supply is started.
  • the period is a horizontal force period (1 H) from time t8 to time t9.
  • Vinil-Vth to Vthel
  • the organic EL element 21 is placed in a reverse bias state.
  • the organic EL device 21 When the organic EL device 21 is in the reverse bias state, the organic EL device 21 exhibits not a diode characteristic but a simple capacitance characteristic. Therefore, the drain-source current Ids flowing to the drive transistor 22 has a capacitance value Ccs of the holding capacitance 27 and a capacitance value 016 of the capacitance component of the organic EL element 21 (a capacitance value of 1 The source potential Vs of the drive transistor 22 is raised by this write operation.
  • the rise AVs of the source potential Vs of the drive transistor 22 is subtracted from the potential difference Vgs between the gate and the source of the drive transistor 22 held in the holding capacitance 27, in other words, the charge of the holding capacitance 27 is Because it acts to discharge, it means that negative feedback is applied. That is, the rise amount ⁇ Vs of the source potential Vs of the drive transistor 22 is a feedback amount of negative feedback. At this time, the potential difference Vgs between the gate and the source of the drive transistor 22 is Vsig ⁇ Vs + Vth.
  • the drive transistor in each pixel 20 is negatively fed back to the gate input (the potential difference between the gate and the source) of the drive transistor 22 by the current (drain 'source-to-source current Ids) flowing through the drive transistor 22. It becomes possible to cancel the dependence of the drain 'source-to-source current Ids on the mobility of 22 and to correct the variation in mobility of the drive transistor 22.
  • the mobility correction period As the mobility correction period.
  • the driving transistor having a high mobility during this mobility correction period has the mobility
  • the source potential Vs greatly rises with respect to the driving transistor having a low
  • the potential difference between the gate and the source of the drive transistor 22 is reduced, and the force is less likely to be degraded.
  • the same drain-source current Ids can be supplied to the drive transistors 22 having different mobilities.
  • the gate-source potential difference Vgs of the drive transistor 22 determined in this mobility correction period T is maintained by the storage capacitance 27, and a current (drain'source current Ids) corresponding to the gate-source potential difference Vgs is driven.
  • the resistor 22 flows to the organic EL element 21, the organic EL element 21 emits light.
  • the write signal WS goes low and the write transistor 23 becomes nonconductive, and the mobility correction period T ends and the light emission period begins.
  • the source of the drive transistor 22 is turned on.
  • the potential Vs rises to the drive voltage of the organic EL element 21. Since the gate of the drive transistor 22 is disconnected from the signal line 35 (35 to 35-n) by the rise of the source potential Vs, it is in the floating state.
  • the gate potential Vg also rises via the storage capacitor 27.
  • the gate-source potential difference Vgs held in the holding capacitance 27 maintains the value of Vsig ⁇ Vs + Vth.
  • the reverse bias state of the organic EL element 21 is eliminated, and the drive transistor 22 is given to the organic EL element 21 by the equation (1) described above.
  • the organic EL element 21 actually starts to emit light because a constant drain-source current Ids is supplied.
  • Ids k i u (Vgs- Vth) 2
  • the term of the threshold voltage Vth of the drive transistor 22 is canceled, and the drain-source current Ids supplied from the drive transistor 22 to the organic EL element 21 is It can be seen that it does not depend on the threshold voltage Vth of the drive transistor 22. Basically, the drain'source current Ids is determined by the input signal voltage Vsig. In other words, the organic EL element 21 emits light with luminance according to the input signal voltage Vsig which is not affected by the variation of the threshold voltage Vth of the drive transistor 22 or the change with time.
  • the input signal voltage Vsig is corrected by the feedback amount AVs by the negative feedback to the gate input of the drive transistor 22 of the drain-source current Ids.
  • This feedback amount AVs acts to cancel the effect of mobility located in the coefficient part of equation (4). Therefore, the drain-source current Ids substantially depends only on the input signal voltage Vsig. That is, the organic EL element 21 emits light with luminance according to the input signal voltage Vsig which is not affected by the variation of the mobility of the drive transistor 22 or the change with time as well as the threshold voltage Vth of the drive transistor 22. As a result, uniform image quality without unevenness in luminance can be obtained.
  • the active matrix display device in which the pixels 20 including the organic EL elements 21 which are current-driven electro-optical elements are arranged in a matrix, when the light emission time of the organic EL elements 21 becomes long, The IV characteristics of the organic EL element 21 change. Because of this, the potential of the connection node N11 between the anode electrode of the organic EL element 21 and the source of the drive transistor 22 also changes.
  • the active matrix organic EL display device 10 having the above configuration, since the potential difference Vgs between the gate and the source of the drive transistor 22 is maintained at a constant value, the current flowing through the organic EL element 21 is It does not change. Therefore, even if the IV characteristic of the organic EL element 21 is deteriorated, the constant emission current between the source and the source continues to flow to the organic EL element 21, so that the light emission luminance of the organic EL element 21 changes. Not (The characteristic change of the organic EL element 21 Motion compensation).
  • the threshold voltage Vth of the drive transistor 22 is canceled (corrected) by holding the threshold voltage Vth of the drive transistor 22 in advance in the storage capacitor 27 before the input signal voltage Vsig is written. Since a constant drain-source current Ids can be supplied to the organic EL element 21 without being affected by variations in the voltage Vth or aging, it is possible to obtain a display image of high quality (Vth of the driving transistor 22 Compensation function for fluctuations).
  • the drain-source current Ids is negatively fed back to the gate input of the drive transistor 22, and the input signal voltage Vsig is corrected by the feedback amount AVs, thereby the drive transistor. Because the drain 'source-to-source current Ids dependent only on the input signal voltage Vsig can be supplied to the organic EL element 21 by canceling out the dependence of the drain' source-to-source current Ids on mobility of the 22, the movement of the drive transistor 22 It is possible to obtain a display image of uniform image quality without unevenness in luminance due to time-dependent change in degree (compensation function for mobility ⁇ of the drive transistor 22).
  • the capacitance value Coled of the organic EL element 21 is sufficiently large relative to the capacitance value Ccs of the storage capacitance 27! /, While the gate potential Vg of the drive transistor rises. It is advantageous to be able to secure a large potential difference Vgs between the gate and source of the drive transistor by being able to suppress the rise AVs of the source potential Vs.
  • an organic EL device that can not change the light extraction efficiency of the pixel 20 is provided.
  • the capacitance value Coled of 21 can be set arbitrarily, and the capacitance of the organic EL element 21 can be set sufficiently large with respect to the capacitance value Ccs of the holding capacitance 27.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the cross-sectional structure of the pixel 20. As shown in FIG. As shown in Figure 5, pixel 2
  • the insulating film 52 is formed on the substrate 51 on which the through 26 and the like are formed, and the organic EL element 21 is provided in the recess 52A of the insulating film 52.
  • the organic EL element 21 includes a first electrode (for example, an anode electrode) 53 made of metal or the like formed on the bottom of the recess 52 A of the insulating film 52, and an organic electrode formed on the first electrode 53. With layer 54 A second electrode (for example, a force-sword electrode) 55 made of a transparent conductive film or the like formed on the organic layer 54 in common to all the pixels.
  • a first electrode for example, an anode electrode
  • a second electrode for example, a force-sword electrode
  • the organic layer 54 is formed by sequentially depositing a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer on the first electrode 53. Then, when current flows from the drive transistor 22 of FIG. 2 to the organic layer 54 through the first electrode (anode electrode) 53, light is emitted when electrons and holes are recombined in the light emitting layer in the organic layer 54. It is supposed to
  • the organic EL element 21 On the upper surface of the organic EL element 21, that is, the upper surface of the second electrode (transparent electrode) 55, the organic EL element
  • the light shielding film 57 acts to enhance the contrast ratio by suppressing the light interference between the adjacent pixels.
  • the organic EL element 21 when the organic EL element 21 emits light, the area that can be extracted as light is the light shielding film.
  • the opening area of the light outlet 56 is the light emitting area of the pixel 20.
  • the capacitance value Coled of the organic EL element 21 is proportional to the light emitting area of the organic EL element 21 (the surface area of the organic layer 54). Therefore, by increasing the light emitting area of the organic EL element 21, the capacitance value Coled of the organic EL element 21 can be increased. Specifically, when the light emitting area of the organic EL element 21 is expanded from the state of FIG. 6 (A) to the state of FIG. 6 (B), the capacitance value Coled of the organic EL element 21 becomes larger by that amount EL capacity UP).
  • the light extraction efficiency of the pixel 20 is the same as before the light emitting area of the organic EL element 21 is increased.
  • the reason is that when the light emitting area of the organic EL element 21 is increased, the area of the organic layer 54 is expanded under the light shielding film 57, and the light emitted in the wide S portion is blocked by the light shielding film 57. Therefore, the light extraction efficiency of the pixel 20 is determined by the opening area of the light outlet 56 which is not related to the light emitting area of the organic EL element 21 (the surface area of the organic layer 54).
  • the pixels 20 in which the light outlet 56 having an opening area smaller than the light emitting area of the organic EL element 21 is formed by the light shielding film (black matrix) 57 on the pixel surface are arranged in a matrix.
  • the capacitance value Coled of the organic EL element 21 can be arbitrarily set by adjusting the light emission area of the organic EL element 21, thereby changing the light extraction efficiency of the pixel 20.
  • the capacitance of the organic EL element 21 can be set sufficiently large with respect to the capacitance value Ccs of.
  • the capacitance value Coled of the organic EL element is sufficiently large relative to the capacitance value Ccs of the storage capacitance, the source when the gate potential Vg of the drive transistor 22 rises, as is apparent from the equation (2) described above. Since the increase AVs of the potential Vs can be suppressed, a large potential difference Vgs between the gate and the source of the drive transistor 22 can be secured.
  • a color organic EL display device in which pixels 20 are arranged in units of at least two colors, for example, three colors of R (red), G (green) and B (blue),
  • the capacitance of the organic EL element 21 emitting light of each color is different because the material and thickness of the organic EL element 21 emitting light of each color are different.
  • the emission color is determined by the material of the light emitting layer in the organic layer 54, the film thickness t of the organic layer 54, and the like.
  • the material and thickness t of the organic EL element are different for each of the organic EL elements that emit light of each color of R, G and B.
  • the capacitance Coled of the organic EL element changes. That is, the capacitance Coled of the organic EL element emitting light of each color is different because the material of the organic EL element emitting light of each color and the film thickness t are different.
  • the film thickness t of the organic EL element 21 is large and small of R>G> B from the relationship of long and short wavelengths (R>G> B) in three colors of R, G, B
  • the capacity Co of the organic EL element 21 The magnitude relation of led is B>G> R where B is the largest, contrary to the film thickness.
  • the light emitting area of the organic EL element is adjusted, for example, the light emitting area is increased in the order of G and R based on B.
  • the signal voltage Vsig is written by sampling by the write transistor 23 and the gate potential Vg of the drive transistor 22 rises.
  • the rise AVs of the source potential Vs of the drive transistor 22 due to the coupling with the capacitance can be made uniform among the R, G, and B pixels.
  • the increase AVg of the gate potential Vg of the drive transistor 22 is R, G, Even if B is the same, the increase AVs of the source potential Vs of the drive transistor 22 is different among R, G, and B.
  • the input signal voltage Vsig of the same level (voltage value) is input to each pixel of R, G, B, the voltage corresponding to the signal voltage Vsig is the drive voltage of each organic EL element of R, G, B.
  • the white balance is broken because it does not become a value.
  • the white balance is broken means that even if the input signal voltage Vsig for displaying white is input to each pixel of R, G, and B, the display by each pixel of R, G, and B is performed. It is to say that the color does not become perfect white. If the white balance is broken, it will not be possible to achieve natural color picture display.
  • the light emitting area of the organic EL element is made different for each of the organic EL elements that emit light of each color of R, G, and B (for each pixel whose light emission color is different).
  • the difference between the gate-source potential difference Vgs at the time of writing and the gate-source potential difference Vgs at the time of light emission of the organic EL element 21 is adjusted between the R, G, and B pixels to obtain the same level of input signal voltage.
  • the drive voltage of the organic EL element 21 of each color becomes a voltage value corresponding to the input signal voltage Vsig, and the drive current value of the organic EL element 21 between each color is substantially the same.
  • White balance can be maintained. As a result, it is possible to realize an image display of more natural color.
  • the plurality of colors serving as a unit of image display are three colors of red, green and blue, a combination of these three colors is used. It is also possible to combine four colors, for example, white in addition to the three color combinations not limited to the combination, or to combine other colors.
  • the pixel circuit (pixel) of the organic EL display device to which the present invention is applied is not limited to the circuit example of the pixel shown in FIG. 2, but a signal is written to the gate of the drive transistor 22.
  • the present invention can be applied to all circuits in which the source potential Vs of the drive transistor 22 is increased by the coupling between the storage capacity 22 and the capacity of the organic EL element 21.
  • the present invention is applied to an organic EL display device using the organic EL element 21 as the electro-optical element of the pixel 20 has been described as an example, but the present invention is limited to this application example.
  • the present invention is applicable to all display devices using current-driven electro-optical elements (light-emitting elements) in which the light emission luminance changes in accordance with the value of the current flowing through the device.
  • the display device according to the present invention described above can be applied to various electronic devices shown in FIGS. 7 to 11, for example, digital cameras, laptop personal computers, portable terminal devices such as mobile phones, video cameras, etc. It is possible to apply to a display device of an electronic device in any field where an image signal generated in the electronic device or generated in the electronic device is displayed as an image or a video.
  • an example of an electronic device to which the present invention is applied will be described.
  • the display device also includes a module-shaped device having a sealed configuration.
  • a display module formed by being attached to the opposite portion of transparent glass or the like in the pixel array portion 30 corresponds to this.
  • the transparent opposing portion may be provided with a color filter, a protective film, etc., and the above-mentioned light shielding film.
  • the display module is provided with a circuit unit for inputting and outputting signals to the pixel array unit from the outside, a flexible printed circuit (FPC), etc.!
  • FPC flexible printed circuit
  • FIG. 7 is a perspective view showing a television to which the present invention is applied.
  • the television according to this application example includes a video display screen unit 101 including a front panel 102 and a filter glass 103, and the display device according to the present invention is used as the video display screen unit 101. Is made.
  • FIG. 8 is a perspective view showing a digital camera to which the present invention is applied, (A) is a perspective view seen from the front side, and (B) is a perspective view seen from the back side.
  • the digital camera according to this application example includes a light emitting unit 111 for flash, a display unit 112, a menu switch 113, a shutter button 114 and the like, and is manufactured by using the display device according to the present invention as the display unit 112.
  • FIG. 9 is a perspective view showing a notebook personal computer to which the present invention is applied.
  • the notebook personal computer includes, in the main body 121, a keyboard 122 operated when inputting characters and the like, a display unit 123 for displaying an image, and the like, and the display unit 123 according to the present invention. It is produced by using
  • FIG. 10 is a perspective view showing a video camera to which the present invention is applied.
  • the video camera according to this application example includes a main body 131, a lens 132 for photographing an object on the side facing forward, a start / stop switch 133 at the time of photographing, a display 134, etc. It manufactures by using the display apparatus which concerns.
  • FIG. 11 is a perspective view showing a portable terminal device to which the present invention is applied, for example, a portable telephone, where (A) is a front view in an open state, (B) is a side view thereof, (C) Is a front view in a closed unit, (D) is a left side view, (E) is a right side view, (F) is a top view, and (G) is a bottom view.
  • the mobile phone according to this application example includes an upper housing 141, a lower housing 142, a connecting portion (here, a hinge portion) 143, a display 144, a sub display 145, a picture light 146, a camera 147, etc. It is manufactured by using the display device according to the present invention as the display 144 and the sub display 145.
  • the present invention by adjusting the light emitting area of the electro-optical element, it is possible to arbitrarily set the capacitance value of the electro-optical element without changing the light extraction efficiency of the pixel.

Description

明 細 書
表示装置、電気光学素子の駆動方法および電子機器
技術分野
[0001] 本発明は、電気光学素子を含む画素が行列状（マトリクス状）に配置されてなる表 示装置、電気光学素子の駆動方法および電子機器に関する。
背景技術
[0002] 近年、画像表示を行う表示装置の分野では、画素の電気光学素子として、流れる 電流値に応じて発光輝度が変化するいわゆる電流駆動型の電気光学素子、例えば 電気発光素子である有機 EL(electro luminescence)素子等を含む画素回路が行列 状に多数配置されてなる有機 EL表示装置が開発され、商品化が進められている。
[0003] 有機 EL表示装置は、有機 EL素子が自ら発光する自発光素子であることから、液 晶セルを含む画素によって光源 (バックライト）からの光強度を制御する液晶表示装 置に比べて、画像の視認性が高い、バックライトが不要、素子の応答速度が速い等 の特長を持っている。
[0004] 有機 EL表示装置では、液晶表示装置と同様、その駆動方式として単純 (パッシブ） マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とを採ることができる。ただし、単純マトリクス 方式の表示装置は、構造が簡単であるものの、大型でかつ高精細な表示装置の実 現が難しレ、などの問題がある。
[0005] そのため、近年、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素回 路内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（一般には、薄膜 トランジスタ (Thin Film Transistor;TFT))によって制御するアクティブマトリクス方式の 表示装置の開発が盛んに行われている。
[0006] アクティブマトリクス方式の有機 EL表示装置にお!/、ては、画素（画素回路）力 有機 EL素子に加えて、当該有機 EL素子を駆動する駆動トランジスタと、入力信号電圧を サンプリングして画素内に書き込む書き込みトランジスタと、駆動トランジスタのゲート に接続され、書き込みトランジスタによって書き込まれた入力信号電圧を保持する保 持容量とを少なくとも有する構成となっている（例えば、特開 2005— 345722号公報 参照)。
発明の開示
[0007] 上記構成の有機 EL表示装置にお!/、て、駆動トランジスタは、飽和領域で動作する ように設計されているために定電流源として動作する。その結果、駆動トランジスタの ソースにアノード電極が接続された有機 EL素子には、駆動トランジスタから次式（1) で与えられる一定のドレイン 'ソース間電流 Idsが供給される。
Ids = (1/2) . (W/L) Cox (Vgs - Vth) 2 …… (1)
ここに、 Vthは駆動トランジスタの閾値電圧、 μは駆動トランジスタのチャネルを構 成する半導体薄膜の移動度、 Wはチャネル幅、 Lはチャネル長、 Coxは単位面積当 たりのゲート容量、 Vgsはソースを基準としてゲートに印加されるゲート'ソース間電圧 である。
[0008] また、書き込みトランジスタによるサンプリングによって入力信号電圧 Vsigが書き込 まれ、駆動トランジスタのゲート電位 Vgが上昇すると、保持容量と有機 EL素子の容 量とのカップリングで駆動トランジスタのソース電位 Vsが上昇する。ここで、保持容量 の容量値を Ccs、有機 EL素子の容量値を Coled、駆動トランジスタのゲート電位 Vg の上昇分を AVgとすると、駆動トランジスタのソース電位 Vsの上昇分 AVsは、次式（ 2)で与えられる。
AVs = AVg X {Ccs/ (Coled + Ccs) } …… (2)
[0009] 上記の式（2)から明らかなように、保持容量の容量値 Ccsに対して有機 EL素子の 容量値 Coledが十分に大き!/、と、駆動トランジスタのゲート電位 Vgが上昇する際のソ ース電位 Vsの上昇分 AVsを抑えることができる。すなわち、保持容量の容量値 Ccs に対して有機 EL素子の容量値 Coledが十分に大きい方力 S、駆動トランジスタのゲー トーソース間の電位差を大きく確保できるために有利である。
[0010] その理由は、書き込みトランジスタによる入力信号電圧 Vsigの書き込みの際に、駆 動トランジスタのゲート ソース間の電位差を大きく確保できると、その分だけ画素に 書き込む入力信号電圧 Vsigの振幅を小さくすることができるために、各画素に信号 線を通して入力信号電圧 Vsigを供給する水平駆動系の消費電力を低減でき、その 結果、表示装置全体の低消費電力化が可能になるからである。 [0011] そこで、本発明は、画素の光取り出し効率を変化させることなぐ有機 EL素子等の 電気光学素子の容量値を任意に設定可能な表示装置、電気光学素子の駆動方法 および電子機器を提供することを目的とする。
[0012] 本発明による表示装置は、電気光学素子と、前記電気光学素子の発光面積よりも 小さい開口面積の光取出口を形成する遮光膜とを含む画素が行列状に配置されて なり、前記電気光学素子の発光面積によって当該電気光学素子の容量値を設定す ることを特徴とする。
[0013] 本発明による電気光学素子の駆動方法は、電流に応じて発光する電気光学素子 の駆動方法であって、複数の電気光学素子を駆動するとともに、各電気光学素子の 発光面積を異ならせることで、各電気光学素子の駆動電流値を略同一にすることを 特徴とする。
[0014] 本発明による電子機器は、電気光学素子と、前記電気光学素子の発光面積よりも 小さい開口面積の光取出口を形成する遮光膜とを含む画素が行列状に配置されて なり、前記電気光学素子の発光面積によって当該電気光学素子の容量値を設定す る表示装置を有することを特徴とする。
[0015] 上記構成の表示装置、電気光学素子の駆動方法および電子機器にお!/、て、電気 光学素子の容量値は、発光材料、発光層の膜厚、発光面積などによって決まる。そ こで、電気光学素子の発光面積を調整することで、電気光学素子の容量値を最適値 に設定する。この場合、遮光膜によって形成される光取出口の開口面積が電気光学 素子の発光面積よりも小さいことから、電気光学素子の発光面積を変えても、光取出 口の開口面積で決まる画素の発光面積、換言すれば光取出効率が変化することは ない。
図面の簡単な説明
[0016] [図 1]本発明に係るアクティブマトリクス型有機 EL表示装置の構成の概略を示すシス テム構成図である。
[図 2]画素（画素回路）の回路構成の一例を示す回路図である。
[図 3]駆動トランジスタのドレイン 'ソース間電圧 Vds—ドレイン'ソース間電流 Idsの特 性図である。 [図 4]本発明に係るアクティブマトリクス型有機 EL表示装置の回路動作の説明に供 するタイミング波形図である。
[図 5]画素の断面構造の一例を示す断面図である。
[図 6]有機 EL素子の発光面積の変化と容量値 Coledの変化との関係を示す図であ [図 7]本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。
[図 8]本発明が適用されるデジタルカメラを示す斜視図であり、 (A)は表側から見た 斜視図、（B)は裏側から見た斜視図である。
[図 9]本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
[図 10]本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。
[図 11]本発明が適用される携帯電話機を示す斜視図であり、（A)は開いた状態での 正面図、（B)はその側面図、（C)は閉じた除隊での正面図、（D)は左側面図、（E) は右側面図、（F)は上面図、（G)は下面図である。
発明を実施するための最良の形態
[0017] 以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
[0018] 図 1は、本発明に係るアクティブマトリクス型表示装置、例えばアクティブマトリクス型 有機 EL表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。
[0019] 図 1に示すように、本発明に係る有機 EL表示装置 10は、デバイスに流れる電流値 に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば電気発光素子で ある有機 EL素子 21 (図 2参照）を発光素子として含む画素（画素回路） 20が行列状（ マトリクス状）に 2次元配置されてなる画素アレイ部 30を有する。
[0020] 画素アレイ部 30は、通常、ガラス基板などの透明絶縁基板上に形成されて!/、る。画 素アレイ部 30には、 m行 n列の画素配列に対して、画素行ごとに走査線 31—；!〜 31 —m、駆動線 32— ;!〜 32— mおよび第一，第二補正用走査線 33— ;!〜 33— m, 34 一；!〜 34— mがそれぞれ配線され、また画素列ごとに信号線 (データ線） 35— ;!〜 3 5— nが配線されている。
[0021] 画素アレイ部 30の周囲には、走査線 31—；!〜 31— mを走査駆動する書き込み走 查回路 40と、駆動線 32— ;!〜 32— mを走査駆動する駆動走査回路 50と、第一，第 二補正用走査線 33—；!〜 33— m, 34—；!〜 34— mを走査駆動する第一，第二補正 用走査回路 60, 70と、輝度情報に応じた映像信号 (データ信号、即ち、入力信号） を信号線 35—；!〜 35— nに供給する水平駆動回路 80とが配置されている。
[0022] 書き込み走査回路 40、駆動走査回路 50および第一，第二補正用走査回路 60, 7 0は、走査線 31—；!〜 31— m、駆動線 32—；!〜 32— mおよび第一，第二補正用走 查線 33— ;!〜 33— m, 34— ;!〜 34— mを走査駆動するに当たって、書き込み信号 WS l~WSm,駆動信号 DS；!〜 DSmおよび第一，第二補正用走査信号 AZ11〜A Zlm, AZ2；!〜 AZ2mを適宜出力する。
[0023] 画素アレイ部 30の各画素 20は、アモルファスシリコン TFT (薄膜トランジスタ）また は低温ポリシリコン TFTを用いて形成することができる。ここでは、画素 20を低温ポリ シリコン TFTで形成する場合を例に挙げて説明するものとする。低温ポリシリコン TF Tを用いる場合には、書き込み走査回路 40、駆動走査回路 50、第一，第二補正用 走査回路 60, 70および水平駆動回路 80についても、画素アレイ部 30を形成するパ ネル (基板）上に一体的に形成することができる。
[0024] (画素回路）
図 2は、画素（画素回路） 20の回路構成の一例を示す回路図である。図 2に示すよ うに、画素 20は、電流駆動型の電気光学素子である有機 EL素子 21に加えて、駆動
〜26および保持容量 27を構成素子として有する回路構成となっている。
[0025] かかる構成の画素 20では、駆動トランジスタ 22、書き込みトランジスタ 23およびスィ ツチングトランジスタ 25, 26として Nチャネル型の TFTが用いられ、スイッチングトラン ジスタ 24として Pチャネル型の TFTが用いられている。ただし、ここでの駆動トランジ スタ 22、書き込みトランジスタ 23およびスイッチングトランジスタ 24〜26の導電型の 組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
[0026] 有機 EL素子 21は、力ソード電極が第 1の電源電位 VSS (ここでは、接地電位 GND )に接続されている。駆動トランジスタ 22は、有機 EL素子 21を電流駆動するためのも のであり、ソースが有機 EL素子 21のアノード電極に接続されてソースフォロア回路を 形成している。つまり、図 3に示すように、駆動トランジスタ 22のソース電位 Vsは、駆 動トランジスタ 22と有機 EL素子 21との動作点で決まり、ゲート電位 Vgによって異な る電圧値を持つ。
[0027] 書き込みトランジスタ 23は、ソースが信号線 35 (35—；!〜 35— n)に接続され、ドレ インが駆動トランジスタ 22のゲートに接続され、ゲートが走査線 31 (31—；!〜 31—m )に接続されている。スイッチングトランジスタ 24は、ソースが第 2の電源電位 VDD (こ こでは、正の電源電位）に接続され、ドレインが駆動トランジスタ 22のドレインに接続 され、ゲートが駆動線 32 (32—；!〜 32— m)に接続されている。スイッチングトランジ スタ 25は、ドレインが第 3の電源電位 Vinilに接続され、ソースが書き込みトランジス タ 23のドレイン (駆動トランジスタ 22のゲート）に接続され、ゲートが第一補正用走査 線 33 (33—；!〜 33— m)に接続されている。
[0028] スイッチングトランジスタ 26は、ドレインが駆動トランジスタ 22のソースと有機 EL素 子 21のアノード電極との接続ノード Ni lに接続され、ソースが第 4の電源電位 Vini2 (ここでは、負の電源電位）に接続され、ゲートが第二補正用走査線 34 (34—；!〜 34 —m)に接続されている。保持容量 27は、一端が駆動トランジスタ 22のゲートと書き 込みトランジスタ 23のドレインとの接続ノード N12に接続され、他端が駆動トランジス タ 22のソースと有機 EL素子 21のアノード電極との接続ノード Nl 1に接続されて!/、る
〇
[0029] 上述した接続関係にて各構成素子が接続されてなる画素 20において、各構成素 子は次のような作用をなす。すなわち、書き込みトランジスタ 23は、導通状態となるこ とにより、信号線 35を通して供給される入力信号電圧 Vsigをサンプリングして画素 2 0内に書き込む。書き込まれた入力信号電圧 Vsigは保持容量 27に保持される。スィ ツチングトランジスタ 24は、導通状態になることにより、電源電位 VDDから駆動トラン ジスタ 22に電流を供給する。
[0030] 駆動トランジスタ 22は、スイッチングトランジスタ 24が導通状態にあるときに、保持容 量 27に保持された入力信号電圧 Vsigに応じた電流を有機 EL素子 21に供給するこ とによって当該有機 EL素子 21を駆動する（電流駆動）。スイッチングトランジスタ 25, 26は、適宜導通状態になることで、有機 EL素子 21の電流駆動に先立って駆動トラ ンジスタ 22の閾値電圧 Vthを検知し、あらかじめその影響をキャンセルするために当 該検知した閾値電圧 Vthを保持容量 27に保持する。保持容量 27は、表示期間に亘 つて駆動トランジスタ 22のゲート ソース間の電位差を保持する。
[0031] 画素 20では、正常な動作を保証するための条件として、第 4の電源電位 Vini2は、 第 3の電源電位 Vinilから駆動トランジスタ 22の閾値電圧 Vthを差し引いた電位より も低くなるように設定されている。すなわち、 Vini2 <Vinil—Vthのレベル関係とな つている。また、有機 EL素子 21の力ソード電位 Vcat (ここでは、接地電位 GND)に 有機 EL素子 21の閾値電圧 Vthelを加えたレベルは、第 3の電源電位 Vinilから駆 動トランジスタ 22の閾値電圧 Vthを差し引いたレベルよりも高くなるように設定されて V、る。すなわち、 Vc at + Vthel > Vinil— Vth ( >Vini2)のレベル関係となって!/、る
〇
[0032] [回路動作の説明]
続レ、て、上記構成の画素 20をマトリクス状に 2次元配置してなるアクティブマトリクス 型有機 EL表示装置 10の回路動作について、図 4のタイミング波形図を用いて説明 する。
[0033] 図 4には、ある行の画素 20を駆動する際に、書き込み走査回路 40から画素 20に与 えられる書き込み信号 WS (WS；!〜 WSm)、駆動走査回路 50から画素 20に与えら れる駆動信号 DS (DS；!〜 DSm)および第一，第二補正用走査回路 60, 70から画 素 20に与えられる第一，第二補正用走査信号 AZ1 (AZ1；!〜 AZlm) , AZ2 (AZ2 ；!〜 AZ2m)のタイミング関係、ならびに駆動トランジスタ 22のゲート電位 Vgおよびソ ース電位 Vsの変化をそれぞれ示して!/、る。 型であるために、書き込み信号 WSおよび第一，第二補正用走査信号 AZ1 , AZ2に ついては、高レベル（本例では、電源電位 VDD ;以下、「"H"レベル」と記述する）の 状態をアクティブ状態とし、低レベル (本例では、電源電位 VSS (GND)；以下、「"L "レベル」と記述する）の状態を非アクティブ状態とする。また、スイッチングトランジス タ 24が Pチャネル型であるために、駆動信号 DSについては、 "L"レベルの状態をァ クティブ状態とし、 "H"レベルの状態を非アクティブ状態とする。
[0035] 時刻 tlで駆動信号 DS力 L"レベルから" H' 'レベルに遷移し、スイッチングトランジ スタ 24が非導通になった状態で、時刻 t2で第二補正用走査信号 AZ2が" L"レベル から" H"レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ 26が導通状態となることにより、駆 動トランジスタ 22のソースにはスイッチングトランジスタ 26を介して電源電位 Vini2が 印加される。
[0036] このとき、先述したように、 Vini2<Vcat + Vthelのレベル関係にあるために、有機 EL素子 21は逆バイアス状態となる。したがって、有機 EL素子 21には電流が流れず 、非発光状態にある。
[0037] 次に、時刻 t3で第一補正用走査信号 AZ1が" L"レベルから" H"レベルに遷移し、 スイッチングトランジスタ 25が導通状態となることにより、駆動トランジスタ 22のゲート にはスイッチングトランジスタ 25を介して電源電位 Vinilが印加される。このとき、駆 動トランジスタ 22のゲート'ソース間電圧 Vgsは、 Vinil—Vini2という値をとる。ここで 、先述したように、 Vinil—Vini2〉Vthのレベル関係を満たしている。
[0038] (Vth補正期間）
次に、時刻 t4で第二補正用走査信号 AZ2が" H"レベルから" L"レベルに遷移し、 スイッチングトランジスタ 26が非導通状態となり、その後、時刻 t5で駆動信号 DSが" H"レベルから" L"レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ 24が導通状態となること により、駆動トランジスタ 22にはそのゲート ソース間の電位差 Vgsに応じた電流が ィしれ · 0
[0039] このとき、駆動トランジスタ 22のソース電位 Vsよりも有機 EL素子 21の力ソード電位 Vcat (電源電位 VSS)が高ぐ有機 EL素子 21が逆バイアス状態にあり、駆動トランジ スタ 22から流れる電流がノード Nl l→保持容量 27→ノード N12→スイッチングトラン ジスタ 25→電源電位 Vinilの経路で流れるために、当該電流に応じた電荷が保持 容量 27に充電される。また、保持容量 27の充電に伴って駆動トランジスタ 22のソー ス電位 Vsが電源電位 Vini2から時間の経過とともに徐々に上昇する。
[0040] そして、一定時間が経過し、駆動トランジスタ 22のゲート一ソース間（Ni l— N12 間）の電位差 Vgsが当該駆動トランジスタ 22の閾値電圧 Vthと等しくなつたところで、 駆動トランジスタ 22がカットオフする。これにより、駆動トランジスタ 22に電流が流れな くなるため、駆動トランジスタ 22のゲート一ソース間（Ni l— N12間）の電位差 Vgs、 即ち閾値電圧 Vthが閾値補正用の電位として保持容量 27に保持される。
[0041] その後、時刻 t6で駆動信号 DS力 L"レベルから" H' 'レベルに遷移し、スイッチング トランジスタ 24が非導通状態となる。この時刻 t5から時刻 t6までの期間が駆動トラン ジスタ 22の閾値電圧 Vthを検出して保持容量 27に保持する期間である。ここでは、 便宜上、この一定期間 t5— 16を Vth補正期間と呼ぶこととする。その後、時刻 t7で第 一補正用走査信号 AZ1が" H' 'レベルから" L"レベルに遷移し、スイッチングトランジ スタ 25が非導通状態になる。
[0042] (書き込み期間）
続!/、て、時刻 t8で書き込み信号 WSが" L"レベルから" H' 'レベルに遷移することで 、書き込みトランジスタ 23によって入力信号電圧 Vsigがサンプリングされ、画素内に 書き込まれるために、駆動トランジスタ 22のゲート電位 Vgが入力信号電圧 Vsigにな る。この入力信号電圧 Vsigは保持容量 27に保持される。
[0043] このとき、駆動トランジスタ 22のソース電位 Vsは、書き込みトランジスタ 23によるサ ンプリング時の駆動トランジスタ 22のゲート電位 Vgの振幅に対して、保持容量 27と 有機 EL素子 21との容量カップリングによって上昇する。駆動トランジスタ 22のソース 電位 Vsの上昇分 Δ Vsは、先述した式（2)で表される。
[0044] また、書き込みトランジスタ 23によって書き込まれた入力信号電圧 Vsigは、保持容 量 27に保持されている閾値電圧 Vthに足し込まれる形で当該保持容量 27に保持さ れる。このとき、保持容量 27の保持電圧は、 Vsig— Vinil +Vthとなる。ここで、理解 を容易にするために、 Vinil = OVとすると、ゲート'ソース間電圧 Vgsは、 Vsig + Vth となる。
[0045] このように、保持容量 27にあらかじめ閾値電圧 Vthを保持しておくことで、駆動トラ ンジスタ 22の閾値電圧 Vthの画素ごとのバラツキや経時変化を補正することが可能 になる。すなわち、入力信号電圧 Vsigによる駆動トランジスタ 22の駆動の際に、当該 駆動トランジスタ 22の閾値電圧 Vthが保持容量 27に保持した閾値電圧 Vthと相殺さ れる、換言すれば、閾値電圧 Vthの補正が行われる。
[0046] この閾値電圧 Vthの補正動作により、画素ごとに閾値電圧 Vthにバラツキや経時変 化があつたとしても、駆動トランジスタ 22による有機 EL素子 21の駆動に対する閾値 電圧 Vthの影響をキャンセルすることができる。その結果、閾値電圧 Vthにバラツキ や経時変化の影響を受けることなぐ有機 EL素子 21の発光輝度を一定に保つこと ができる。
[0047] (移動度補正期間）
その後、書き込みトランジスタ 23が導通したまま、時刻 t9で駆動信号 DSが" H"レ ベルから" L"レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ 24が導通状態になることで、 電源電位 VDDから駆動トランジスタ 22への電流供給が開始される。なお、時刻 t8か ら時刻 t9までの期間力 水平期間（1H)となる。ここで、 Vinil— Vthく Vthelと設定 しておくことにより、有機 EL素子 21が逆バイアス状態におかれる。
[0048] 有機 EL素子 21が逆バイアス状態にあることで、当該有機 EL素子 21はダイオード 特性ではなく単純な容量特性を示すようになる。したがって、駆動トランジスタ 22に流 れるドレイン 'ソース間電流 Idsは、保持容量 27の容量値 Ccsと有機 EL素子 21の容 量成分の容量値じ016(1とを合成した容量じ（=じじ3 + 0316(1)に書き込まれてぃく。こ の書き込みにより、駆動トランジスタ 22のソース電位 Vsが上昇する。
[0049] 駆動トランジスタ 22のソース電位 Vsの上昇分 AVsは、保持容量 27に保持された 駆動トランジスタ 22のゲート ソース間の電位差 Vgsから差し引かれるように、換言 すれば、保持容量 27の充電電荷を放電するように作用することになるので、負帰還 をかけられたことになる。すなわち、駆動トランジスタ 22のソース電位 Vsの上昇分 Δ Vsは負帰還の帰還量となる。このとき、駆動トランジスタ 22のゲート一ソース間の電 位差 Vgsは、 Vsig- Δ Vs + Vthとなる。
[0050] このように、駆動トランジスタ 22に流れる電流（ドレイン 'ソース間電流 Ids)を当該駆 動トランジスタ 22のゲート入力（ゲート ソース間の電位差）に負帰還することで、各 画素 20における駆動トランジスタ 22のドレイン 'ソース間電流 Idsの移動度 に対す る依存性を打ち消す、即ち駆動トランジスタ 22の移動度 のバラツキを補正すること が可能になる。
[0051] 書き込み信号 WSのアクティブ期間（"H"レベル期間）と駆動信号 DSのアクティブ 期間（"L"レベル期間）とがオーバーラップする期間 T (t9— tl0)、即ち書き込みトラ ンジスタ 23とスイッチングトランジスタ 24とが共に導通状態となるオーバーラップ期間 を移動度補正期間とする。
[0052] ここで、移動度 μが高!/、駆動トランジスタと移動度 μが低!/、駆動トランジスタとを考 えた場合、この移動度補正期間 Τに移動度 が高い駆動トランジスタは、移動度 が低い駆動トランジスタに対してソース電位 Vsが大きく上昇する。また、ソース電位 V sが大きく上昇するほど、駆動トランジスタ 22のゲート一ソース間の電位差が小さくなり 、 ¾¾¾力 荒れにくくなる。
[0053] つまり、移動度補正期間 Tを調整することにより、移動度 の違う駆動トランジスタ 2 2で同じドレイン 'ソース間電流 Idsを流すことができる。この移動度補正期間 Tで決め た駆動トランジスタ 22のゲート—ソース間電位差 Vgsを保持容量 27で維持して、当 該ゲート ソース間電位差 Vgsに応じた電流（ドレイン 'ソース間電流 Ids)を駆動トラ ンジスタ 22が有機 EL素子 21に流すことによって当該有機 EL素子 21が発光する。
[0054] (発光期間）
時刻 tlOで書き込み信号 WS力 L"レベルになり、書き込みトランジスタ 23が非導 通状態になることで、移動度補正期間 Tが終了し、発光期間に入る。この発光期間で は駆動トランジスタ 22のソース電位 Vsは、有機 EL素子 21の駆動電圧まで上昇する 。ソース電位 Vsの上昇により、駆動トランジスタ 22のゲートが信号線 35 (35— 〜 35 —n)から切り離されてフローティング状態にあるために、保持容量 27を介してゲート 電位 Vgも上昇する。
[0055] このとき、駆動トランジスタ 22のゲートの寄生容量を Cgとすると、ゲート電位 Vgの上 昇分 Δ Vgは次式（3)で表される。
Δ Vg= Δ Vs X {Ccs/ (Ccs + Cg) } …… (3)
その間、保持容量 27に保持されたゲート ソース間電位差 Vgsは、 Vsig- Δ Vs + Vthの値を維持する。
[0056] そして、駆動トランジスタ 22のソース電位 Vsの上昇に伴って、有機 EL素子 21の逆 バイアス状態が解消され、駆動トランジスタ 22から有機 EL素子 21に対して先述した 式（1)で与えられる一定のドレイン 'ソース間電流 Idsが供給されるために、有機 EL素 子 21は実際に発光を開始する。
[0057] このときのドレイン 'ソース間電流 Ids対ゲート ソース間電位差 Vgsの関係は、先述 した式（1)の Vgsに Vsig— AVs+Vthを代入することで、次式（4)で与えられる。
Ids = kiu (Vgs-Vth) 2
= ]ί β (Vsig- AV) 2 ……（4)
上記の式（4)において、 k= (l/2) (W/U Coxである。
[0058] この式 (4)から明らかなように、駆動トランジスタ 22の閾値電圧 Vthの項がキャンセ ルされており、駆動トランジスタ 22から有機 EL素子 21に供給されるドレイン 'ソース 間電流 Idsは、駆動トランジスタ 22の閾値電圧 Vthに依存しないことが分かる。基本 的に、ドレイン 'ソース間電流 Idsは入力信号電圧 Vsigによって決まる。換言すると、 有機 EL素子 21は、駆動トランジスタ 22の閾値電圧 Vthのバラツキや経時変化の影 響を受けることなぐ入力信号電圧 Vsigに応じた輝度で発光する。
[0059] また、上記の式 (4)から明らかなように、入力信号電圧 Vsigは、ドレイン 'ソース間電 流 Idsの駆動トランジスタ 22のゲート入力への負帰還によって帰還量 AVsで補正さ れている。この帰還量 AVsは、式 (4)の係数部に位置する移動度 の効果を打ち消 すように作用する。したがって、ドレイン 'ソース間電流 Idsは、実質的に、入力信号電 圧 Vsigのみに依存することになる。すなわち、有機 EL素子 21は、駆動トランジスタ 2 2の閾値電圧 Vthのみならず、駆動トランジスタ 22の移動度 のバラツキや経時変 化の影響を受けることなぐ入力信号電圧 Vsigに応じた輝度で発光する。その結果、 スジゃ輝度ムラのない均一な画質を得ることができる。
[0060] ここで、電流駆動型の電気光学素子である有機 EL素子 21を含む画素 20が行列 状に配置されてなるアクティブマトリクス型表示装置においては、有機 EL素子 21の 発光時間が長くなると、当該有機 EL素子 21の I V特性が変化してしまう。それがた めに、有機 EL素子 21のアノード電極と駆動トランジスタ 22のソースとの接続ノード N 11の電位も変化する。
[0061] これに対して、上記構成のアクティブマトリクス型有機 EL表示装置 10では、駆動ト ランジスタ 22のゲート ソース間電位差 Vgsが一定値に保たれているために、有機 E L素子 21に流れる電流は変化しない。したがって、有機 EL素子 21の I—V特性が劣 化したとしても、一定のドレイン 'ソース間電流 Idsが有機 EL素子 21に流れ続けるた めに、有機 EL素子 21の発光輝度が変化することはない（有機 EL素子 21の特性変 動に対する補償機能)。
[0062] また、入力信号電圧 Vsigが書き込まれる前に駆動トランジスタ 22の閾値電圧 Vth をあらかじめ保持容量 27に保持しておくことで、駆動トランジスタ 22の閾値電圧 Vth をキャンセル (補正）し、当該閾値電圧 Vthのバラツキや経時変化の影響を受けない 一定のドレイン 'ソース間電流 Idsを有機 EL素子 21に流すことができるために、高画 質の表示画像を得ることができる（駆動トランジスタ 22の Vth変動に対する補償機能 )。
[0063] さらに、移動度補正期間 t9— tl0において、ドレイン 'ソース間電流 Idsを駆動トラン ジスタ 22のゲート入力へ負帰還し、その帰還量 AVsによって入力信号電圧 Vsigを 補正することで、駆動トランジスタ 22のドレイン 'ソース間電流 Idsの移動度 に対す る依存性を打ち消し、入力信号電圧 Vsigのみに依存するドレイン 'ソース間電流 Ids を有機 EL素子 21に流すことができるため、駆動トランジスタ 22の移動度 のバラッ キゃ経時変化に起因するスジゃ輝度ムラのない均一な画質の表示画像を得ることが できる（駆動トランジスタ 22の移動度 βに対する補償機能)。
[0064] ところで、先述したように、保持容量 27の容量値 Ccsに対して有機 EL素子 21の容 量値 Coledが十分に大き!/、方が、駆動トランジスタのゲート電位 Vgが上昇する際の ソース電位 Vsの上昇分 AVsを抑えることができることによって駆動トランジスタのゲ 一トーソース間の電位差 Vgsを大きく確保できるために有利である。
[0065] そこで、本発明では、画素 20の光取り出し効率を変化させることなぐ有機 EL素子
21の容量値 Coledを任意に設定可能とし、保持容量 27の容量値 Ccsに対して有機 EL素子 21の容量ィ直 Coledを十分に大きく設定できるようにしたことを特徴とする。
[0066] (画素構造）
図 5は、画素 20の断面構造の一例を示す断面図である。図 5に示すように、画素 2
〜26等が形成された基板 51上に絶縁膜 52が形成され、当該絶縁膜 52の凹部 52A 内に有機 EL素子 21が設けられた構成となっている。
[0067] 有機 EL素子 21は、絶縁膜 52の凹部 52Aの底部に形成された金属等からなる第 1 の電極（例えば、アノード電極） 53と、当該第 1の電極 53上に形成された有機層 54と 、当該有機層 54上に全画素共通に形成された透明導電膜等からなる第 2の電極 (例 えば、力ソード電極） 55とから構成されている。
[0068] この有機 EL素子 21において、有機層 54は、第 1の電極 53上に正孔輸送層、発光 層、電子輸送層および電子注入層が順次堆積されることによって形成される。そして 、図 2の駆動トランジスタ 22から第 1の電極（アノード電極） 53を通して有機層 54に電 流が流れることで、当該有機層 54内の発光層において電子と正孔が再結合する際 に発光するようになっている。
[0069] 有機 EL素子 21の上面、即ち第 2の電極（透明電極） 55の上面には、有機 EL素子
21の発光面積、即ち有機層 54の表面積よりも小さい開口面積の光取出口 56を形成 する、いわゆるブラックマトリクスと称される遮光膜 57が画素単位でパターン化されて 成膜されている。この遮光膜 57は、隣接する画素間での光の干渉を抑制することで コントラスト比を高める作用をなす。
[0070] すなわち、有機 EL素子 21が発光したとき、光として取り出し可能な面積は、遮光膜
57が存在しない光取出口 56の開口面積である。つまり、遮光膜 57が存在する部分 、換言すれば光取出口 56よりも外側の部分の有機 EL素子 21は、発光しても光とし て取り出されない。すなわち、光取出口 56の開口面積が画素 20の発光面積となる。
[0071] 上記構成の画素 20において、有機 EL素子 21の容量値 Coledは、有機 EL素子 21 の発光面積（有機層 54の表面積）に比例する。したがって、有機 EL素子 21の発光 面積を大きくすることで、有機 EL素子 21の容量値 Coledが大きくすることができる。 具体的には、図 6 (A)の状態から図 6 (B)の状態に、有機 EL素子 21の発光面積を 拡大すると、その拡大した分だけ有機 EL素子 21の容量値 Coledが大きくなる（EL容 量 UP)。
[0072] 有機 EL素子 21の発光面積を大きくしても、画素 20の光取り出し効率は、有機 EL 素子 21の発光面積を大きくする前と変わらない。その理由は、有機 EL素子 21の発 光面積を大きくしたとき、遮光膜 57の下において有機層 54の面積が広がり、その広 力 Sつた部分で発光される光が遮光膜 57によって遮光されるため、有機 EL素子 21の 発光面積（有機層 54の表面積）に関係なぐ光取出口 56の開口面積によって画素 2 0の光取り出し効率が決まるからである。 [0073] このように、画素表面上の遮光膜（ブラックマトリクス） 57によって有機 EL素子 21の 発光面積よりも小さい開口面積の光取出口 56が形成された画素 20が行列状に配置 されてなる有機 EL表示装置において、有機 EL素子 21の発光面積の調整によって 有機 EL素子 21の容量値 Coledを任意に設定可能とすることで、画素 20の光取り出 し効率を変化させることなぐ保持容量 27の容量値 Ccsに対して有機 EL素子 21の 容量ィ直 Coledを十分に大きく設定することができる。
[0074] 保持容量の容量値 Ccsに対して有機 EL素子の容量値 Coledが十分に大きいと、 先述した式（2)から明らかなように、駆動トランジスタ 22のゲート電位 Vgが上昇する 際のソース電位 Vsの上昇分 AVsを抑えることができるために、駆動トランジスタ 22の ゲート ソース間の電位差 Vgsを大きく確保できる。
[0075] このように、書き込みトランジスタ 22による入力信号電圧 Vsigの書き込みの際に、 駆動トランジスタ 22のゲート ソース間の電位差 Vgsを大きく確保できると、その分だ け画素 20に書き込む入力信号電圧 Vsigの振幅を小さくすることができるために、書 き込み走査回路 40によって選択された行の各画素 20に信号線 35 (35—；!〜 35— n )を通して入力信号電圧 Vsigを供給する水平駆動回路 80の消費電力を低減できる 。これにより、表示装置全体の低消費電力化が可能になる。
[0076] また、少なくとも 2色、例えば R (赤）， G (緑）， B (青）の 3色を単位として画素 20が配 置されてなるカラー方式の有機 EL表示装置におレ、ては、各色の光を発光する有機 EL素子 21の材料や膜厚が異なることによって各色の光を発光する有機 EL素子 21 の容量ィ直 Coledが異なる。
[0077] 図 5に示す構造の有機 EL素子 21においては、有機層 54内の発光層の材料や有 機層 54の膜厚 tなどによって発光色が決まることになる。換言すれば、 R, G, Bの各 色の光を発光する有機 EL素子ごとに有機 EL素子の材料や膜厚 tが異なる。有機 E L素子の材料や膜厚 tが異なると、有機 EL素子の容量 Coledが変わる。すなわち、各 色の光を発光する有機 EL素子の材料や膜厚 tが異なることによって各色の光を発光 する有機 EL素子の容量 Coledが異なることになる。
[0078] 一例として、 R, G, Bの 3色において、波長の長短（R〉G〉B)の関係から有機 EL 素子 21の膜厚 tは R〉G〉Bの大小の関係にあるために、有機 EL素子 21の容量 Co ledの大小関係は、膜厚と逆に Bが一番大きぐ B〉G〉Rとなる。その容量比は、一 例として、 R: G : B = 1 : 1. 2 : 1. 5の関係となる。
[0079] そこで、 R, G, Bの各色の光を発光する有機 EL素子ごとに、当該有機 EL素子の 発光面積を調整する、例えば Bを基準として、 G, Rの順に発光面積を大きくして各色 の有機 EL素子の容量 Coledを揃えることにより、書き込みトランジスタ 23によるサン プリングによって信号電圧 Vsigが書き込まれ、駆動トランジスタ 22のゲート電位 Vgが 上昇する際の、保持容量 27と有機 EL素子 21の容量とのカップリングによる駆動トラ ンジスタ 22のソース電位 Vsの上昇分 AVsを R, G, Bの各画素間で揃えることができ
[0080] また、発光する色によって有機 EL素子 21の容量 Coledが異なると、先述した式（2 )力、ら明らかなように、駆動トランジスタ 22のゲート電位 Vgの上昇分 AVgが R, G, B で同じでも、駆動トランジスタ 22のソース電位 Vsの上昇分 AVsが R, G, Bで異なるこ とになる。その結果、 R, G, Bの各画素に同一レベル（電圧値）の入力信号電圧 Vsig を入力したとしても、 R, G, Bの各有機 EL素子の駆動電圧が信号電圧 Vsigに対応 した電圧値にならないためにホワイトバランスが崩れる。
[0081] ここに、「ホワイトバランスが崩れる」ということは、 R, G, Bの各画素に白表示のため の入力信号電圧 Vsigを入力したとしても、 R, G, Bの各画素による表示色が完全な 白にならないと言うことである。ホワイトバランスが崩れると、自然な色合いの画表示を 実現できないことになる。
[0082] このような場合にも、 R, G, Bの各色の光を発光する有機 EL素子ごとに (発光色が 異なる画素ごとに）、当該有機 EL素子の発光面積を異ならせ、入力信号書き込み時 のゲート ソース間電位差 Vgsと有機 EL素子 21の発光時のゲート ソース間電位 差 Vgsとの変化分を R, G, Bの各画素間で調整することにより、同一レベルの入力信 号電圧 Vsigの入力に対して、各色の有機 EL素子 21の駆動電圧が入力信号電圧 V sigに対応した電圧値になり、各色間の有機 EL素子 21の駆動電流値が略同一にな るために、ホワイトバランスを保つことができる。その結果、より自然な色合いの画表示 を実現できる。
[0083] ここでは、画表示の単位となる複数色を赤，緑，青の 3色としたが、これら 3色の組み 合わせに限られるものではなぐ当該 3色の組み合わせにさらに例えば白を加えた 4 色の組み合わせとしたり、あるいは、他の色の組み合わせとしたりすることも可能であ
[0084] なお、本発明が適用される有機 EL表示装置の画素回路（画素）としては、図 2に示 した画素の回路例に限られるものではなぐ駆動トランジスタ 22のゲートに信号を書 き込む際に、保持容量 22と有機 EL素子 21の容量とのカップリングによって駆動トラ ンジスタ 22のソース電位 Vsが上昇する回路全てに適用することができる。
[0085] また、上記実施形態では、画素 20の電気光学素子として、有機 EL素子 21を用い た有機 EL表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例 に限られるものではなぐデバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電 流駆動型の電気光学素子 (発光素子）を用いた表示装置全般に対して適用可能で ある。
[0086] [適用例]
以上説明した本発明に係る表示装置は、図 7〜図 11に示す様々な電子機器、例 えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置 、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成 した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示 装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例に ついて説明する。
[0087] なお、本発明に係る表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含 む。例えば、画素アレイ部 30に透明なガラス等の対向部に貼り付けられて形成され た表示モジュールが該当する。この透明な対向部には、カラーフィルタ、保護膜等、 更には、上記した遮光膜が設けられてもよい。尚、表示モジュールには、外部から画 素アレイ部への信号等を入出力するための回路部や FPC (フレキシブルプリントサー キット）等が設けられて!/、てもよレ、。
[0088] 図 7は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは 、フロントパネル 102やフィルターガラス 103等力も構成される映像表示画面部 101 を含み、その映像表示画面部 101として本発明に係る表示装置を用いることにより作 成される。
[0089] 図 8は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す斜視図であり、（A)は表側から見 た斜視図、（B)は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フ ラッシュ用の発光部 111、表示部 112、メニュースィッチ 113、シャッターボタン 114 等を含み、その表示部 112として本発明に係る表示装置を用いることにより作製され
[0090] 図 9は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体 121に、文字等を入力する とき操作されるキーボード 122、画像を表示する表示部 123等を含み、その表示部 1 23として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
[0091] 図 10は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビ デォカメラは、本体部 131、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ 132、撮影 時のスタート/ストップスィッチ 133、表示部 134等を含み、その表示部 134として本 発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
[0092] 図 11は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す斜視図で あり、（A)は開いた状態での正面図、（B)はその側面図、（C)は閉じた除隊での正面 図、（D)は左側面図、（E)は右側面図、（F)は上面図、（G)は下面図である。本適用 例に係る携帯電話機は、上側筐体 141、下側筐体 142、連結部（ここではヒンジ部） 1 43、ディスプレイ 144、サブディスプレイ 145、ピクチャーライト 146、カメラ 147等を 含み、そのディスプレイ 144やサブディスプレイ 145として本発明に係る表示装置を 用いることにより作製される。
[0093] 本発明によれば、電気光学素子の発光面積を調整することで、画素の光取り出し 効率を変化させることなぐ電気光学素子の容量値を任意に設定できる。

Claims

請求の範囲
[1] 電気光学素子と、前記電気光学素子の発光面積よりも小さい開口面積の光取出口 を形成する遮光膜とを含む画素が行列状に配置されてなり、
前記電気光学素子の発光面積によって当該電気光学素子の容量値を設定する ことを特徴とする表示装置。
[2] 前記画素は、少なくとも、発光色に対応して、前記発光面積が異なる電気光学素子 を 2個以上含む単位ごとに配列されている
ことを特徴とする請求項 1記載の表示装置。
[3] 前記画素の各単位間において、
各発光色の電気光学素子の容量 が等しくなるように当該各発光色の電気光学素 子の発光面積を設定する
ことを特徴とする請求項 2記載の表示装置。
[4] 少なくとも、電気光学素子と、前記電気光学素子の発光面積よりも小さい開口面積 の光取出口を形成する遮光膜を含む画素を有し、
各画素は発光面積の異なる 2以上の電気光学素子を単位として行列状に配置され 前記発光面積によって、各画素における前記電気光学素子の容量値が等しくなる ように設定されていること
を特徴とする表示装置。
[5] 電流に応じて発光する電気光学素子の駆動方法であって、
複数の電気光学素子を駆動するとともに、各電気光学素子の発光面積を異ならせ ることで、各電気光学素子の駆動電流値を略同一にする
ことを特徴とする電気光学素子の駆動方法。
[6] 電流に応じて発光する電気光学素子の駆動方法であって、
発光色の異なる電気光学素子を 2個以上で 1単位として複数色の電気光学素子を 駆動するとともに、
各発光色間において前記電気光学素子の発光面積を異ならせ、各発光色間の電 気光学素子の駆動電流値を略同一にする ことを特徴とする電気光学素子の駆動方法。
電気光学素子と、前記電気光学素子の発光面積よりも小さい開口面積の光取出口 を形成する遮光膜とを含む画素が行列状に配置されてなり、
前記電気光学素子の発光面積によって当該電気光学素子の容量値を設定する表 示装置を
有することを特徴とする電子機器。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103778883A (zh) * 2012-10-25 2014-05-07 群康科技(深圳)有限公司 主动式矩阵有机发光二极管的像素驱动电路及其方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008122647A (ja) 2006-11-13 2008-05-29 Sony Corp 表示装置、電気光学素子の駆動方法および電子機器
JP5369552B2 (ja) * 2008-09-04 2013-12-18 セイコーエプソン株式会社 画素回路の駆動方法、発光装置および電子機器
JP5239812B2 (ja) * 2008-12-11 2013-07-17 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器
JP4844634B2 (ja) * 2009-01-06 2011-12-28 ソニー株式会社 有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法
KR101097341B1 (ko) * 2010-03-09 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
CN102082161B (zh) * 2010-09-16 2012-11-07 昆山维信诺显示技术有限公司 一种有机电致发光器件,掩模板,发光模组及其应用
KR101147426B1 (ko) * 2010-10-27 2012-05-23 삼성모바일디스플레이주식회사 입체 영상 표시 장치 및 그의 구동 방법
TWI476744B (zh) * 2012-10-25 2015-03-11 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 主動式矩陣有機發光二極體之畫素驅動電路及其方法
KR20140122362A (ko) * 2013-04-09 2014-10-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 구동 방법
TWI566395B (zh) 2013-11-18 2017-01-11 元太科技工業股份有限公司 有機發光二極體顯示器及其製造方法
CN103700693B (zh) * 2013-12-30 2018-10-09 固安翌光科技有限公司 一种有机发光显示器件
TWI512708B (zh) * 2014-05-05 2015-12-11 Au Optronics Corp 畫素補償電路
US9831387B2 (en) * 2014-06-14 2017-11-28 Hiphoton Co., Ltd. Light engine array
JP2017134145A (ja) 2016-01-26 2017-08-03 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
TWI710826B (zh) * 2019-11-29 2020-11-21 友達光電股份有限公司 顯示面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06290872A (ja) * 1993-03-31 1994-10-18 Seikosha Co Ltd Ｅｌ素子
JPH11345688A (ja) * 1998-06-01 1999-12-14 Tdk Corp 有機ｅｌディスプレイ
JP2001290441A (ja) * 1999-02-26 2001-10-19 Sanyo Electric Co Ltd カラー表示装置
JP2005345722A (ja) * 2004-06-02 2005-12-15 Sony Corp 画素回路及、アクティブマトリクス装置及び表示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11251059A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Sanyo Electric Co Ltd カラー表示装置
US6366025B1 (en) * 1999-02-26 2002-04-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display apparatus
KR100515861B1 (ko) * 2001-09-19 2005-09-21 가부시끼가이샤 도시바 자기 발광형 표시 장치
US7071932B2 (en) * 2001-11-20 2006-07-04 Toppoly Optoelectronics Corporation Data voltage current drive amoled pixel circuit
TWI280532B (en) * 2002-01-18 2007-05-01 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device
JP2005100724A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Sanyo Electric Co Ltd トップエミッション型有機ｅｌ表示装置
JP2005222928A (ja) * 2004-01-07 2005-08-18 Seiko Epson Corp 電気光学装置
US7173590B2 (en) 2004-06-02 2007-02-06 Sony Corporation Pixel circuit, active matrix apparatus and display apparatus
TW200620207A (en) * 2004-07-05 2006-06-16 Sony Corp Pixel circuit, display device, driving method of pixel circuit, and driving method of display device
JP2008122647A (ja) 2006-11-13 2008-05-29 Sony Corp 表示装置、電気光学素子の駆動方法および電子機器
CN101371822B (zh) 2007-08-20 2013-06-26 北京天衡药物研究院 胃滞留缓控释药物释出系统及制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06290872A (ja) * 1993-03-31 1994-10-18 Seikosha Co Ltd Ｅｌ素子
JPH11345688A (ja) * 1998-06-01 1999-12-14 Tdk Corp 有機ｅｌディスプレイ
JP2001290441A (ja) * 1999-02-26 2001-10-19 Sanyo Electric Co Ltd カラー表示装置
JP2005345722A (ja) * 2004-06-02 2005-12-15 Sony Corp 画素回路及、アクティブマトリクス装置及び表示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103778883A (zh) * 2012-10-25 2014-05-07 群康科技(深圳)有限公司 主动式矩阵有机发光二极管的像素驱动电路及其方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8743098B2 (en) 2014-06-03
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CN102881840A (zh) 2013-01-16
US20120274672A1 (en) 2012-11-01
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