WO2008049688A1 - Mikromechanisches bauelement mit antihaftschicht - Google Patents

Mikromechanisches bauelement mit antihaftschicht Download PDF

Info

Publication number
WO2008049688A1
WO2008049688A1 PCT/EP2007/059448 EP2007059448W WO2008049688A1 WO 2008049688 A1 WO2008049688 A1 WO 2008049688A1 EP 2007059448 W EP2007059448 W EP 2007059448W WO 2008049688 A1 WO2008049688 A1 WO 2008049688A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
component
layer
stick layer
stick
functional element
Prior art date
Application number
PCT/EP2007/059448
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Franz Laermer
Silvia Kronmueller
Tino Fuchs
Original Assignee
Robert Bosch Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch Gmbh filed Critical Robert Bosch Gmbh
Priority to US12/312,165 priority Critical patent/US20100127339A1/en
Priority to EP07803365A priority patent/EP2084103A1/de
Priority to JP2009533766A priority patent/JP2010507494A/ja
Publication of WO2008049688A1 publication Critical patent/WO2008049688A1/de

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00912—Treatments or methods for avoiding stiction of flexible or moving parts of MEMS
    • B81C1/0096—For avoiding stiction when the device is in use, i.e. after manufacture has been completed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0002—Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts
    • B81B3/0005—Anti-stiction coatings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/11—Treatments for avoiding stiction of elastic or moving parts of MEMS
    • B81C2201/112—Depositing an anti-stiction or passivation coating, e.g. on the elastic or moving parts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/01—Packaging MEMS
    • B81C2203/0109—Bonding an individual cap on the substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/03—Bonding two components
    • B81C2203/031—Anodic bondings

Definitions

  • the invention is based on a micromechanical component and a method for producing a micromechanical component having the features of the preambles of the independent claims.
  • Movable elements in micromechanical structures or in microelectromechanical structures or components can adhere or adhere to the solid structures.
  • Contacting surfaces with high surface energy - such as silicon surfaces with or without a covering layer of OH groups or with or without a water film or even a hydrogen-terminated silicon surface - can show strong bonding forces, which then on, for example, ionic interactions or covalent bonds based and hold the two surfaces together.
  • the adhesion described can be prevented or at least mitigated by non-stick layers.
  • SAM coatings self-assembled monolayers
  • alkyltrichlorosilanes For example, it is known from European Patent Publication EP 1 416 064 A2 to coat micromechanical structures by means of so-called SAM coatings (self-assembled monolayers) of, for example, alkyltrichlorosilanes and thus to reduce the likelihood of sticking.
  • SAM coatings have only a limited thermal stability, which reduces the thermal budget of subsequent processes, ie the scope of possible usable temperatures for subsequent constricting processes, very limited, and in particular below about 500 0 C.
  • Verkappungsreae are high-temperature processes, such as epitaxial deposition of membrane covers -.
  • SAM coatings are no longer possible on so micromachined structures coated by SAM layers due to the mentioned temperature limitation, because this would destroy the SAM coating.
  • a further disadvantage of SAM coatings is their low abrasion resistance of these layers consisting of only a few atomic or molecular layers (substantially only one molecular level). In the case of struck or rubbed on such coated micromechanical structures, the local removal or damage of SAM coatings is observed. This can lead to an increase in the probability of sticking during operation and thus to an increased failure risk of the system.
  • a further disadvantage of the known SAM coatings is that it is not possible to carry out bonding processes-such as, for example, anodic bonding-on the coated surfaces (and without elaborate preliminary work, such as, for example, laser ablation).
  • the micromechanical component according to the invention and the method according to the invention for producing a micromechanical component according to the independent claims have the advantage that a significantly increased temperature budget is available for processes following the application or generation of the release layer, which has the advantage of that subsequent processes - in particular for the production of a packaging of the component - can be carried out more easily and inexpensively and with a higher quality.
  • Zero be level packaging processes ie packaging processes to be carried out on the substrate wafer itself steps
  • a thin film cap-process with silicon as a cap material which during the silicon epitaxial growth temperatures of approximately 1000 0 C to about 1100 0 C required.
  • silicon carbide as a constituent or as a main constituent of the non-stick layer makes it advantageous It is possible, of course, that the non-stick layer can be produced comparatively easily and with established technology and therefore comparatively cost-effectively.
  • the layer thickness of the release layer between about 1 nanometer and about 1 micrometer is provided, preferably between about 2 nanometers and about 200 nanometers, more preferably between about 5 nanometers and about 50 nanometers.
  • the non-stick layer can be made particularly thin, so that the geometrical and the function of the micromechanical device influencing dimensions of the functional element are changed only slightly by the non-stick layer.
  • the micromechanical component it is preferable for the micromechanical component to have a cover of the functional element, the cover having closed perforation openings, wherein the anti-adhesive layer is also provided in the areas of the functional surface facing the perforation openings. This ensures a particularly high effectiveness of the non-stick layer.
  • the first embodiment of the component according to the invention corresponds to a production method of the micromechanical component in which structuring of the functional element, the cover and the perforation openings is carried out in a first step, wherein in a second step the non-adhesive layer is formed on at least part of the functional surface and in which the perforation openings are closed in a third step.
  • the choice of the non-stick layer or the composition of the non-stick layer advantageously prevents the third step from reducing the effectiveness of the non-stick effect of the non-stick layer.
  • the non-stick effect is maintained in particular in areas in which small amounts of silicon atoms are subsequently deposited, in particular by carbon atoms introduced in excess in the anti-adhesion layer.
  • a multiplicity of packaging processes can be combined with the non-stick layer according to the invention, which would not be accessible without an anti-adhesive layer according to the invention, for instance because the closing of the perforation openings at least in the regions of the radio-facing areas facing the perforation openings tion surface, the non-stick properties of a non-inventive non-stick layer would be destroyed.
  • the cover of the functional element is provided as a component cap connected to the substrate by a connection technique.
  • a connection technique As a result, a stable inclusion of the functional elements of the component can be achieved in a cost-saving manner. This applies in particular to the case in which the component cap is provided with a Pyrex intermediate layer as connection technology connected to the substrate.
  • the second embodiment of the component according to the invention corresponds to a production method of the micromechanical component, in which a structuring of the functional element, the cover and the perforation openings is carried out in a first step, in which the non-adhesive layer is produced on at least part of the functional surface in a second step is and in which in a third step, the component cap is connected to the substrate, in particular, for example, by means of a Pyrex intermediate layer is anodically bonded.
  • FIG. 1 shows a schematic sectional illustration through a micromechanical component according to the invention according to a first embodiment
  • FIG. 2 shows a schematic sectional illustration through a precursor structure of a micromechanical component according to the invention according to FIG. 1
  • FIG. 3 shows a schematic sectional illustration through a micromechanical component according to the invention in accordance with a second embodiment.
  • FIG. 1 shows a schematic sectional representation through a micromechanical component 10 according to the invention according to a first embodiment of the invention or in FIG. 3 according to a second embodiment of the invention.
  • the component 10 comprises a substrate 11, a cover 30 and a micromechanical functional element 12, which is provided movable relative to the substrate 11 and the cover 30.
  • the micromechanical component 10 is in particular an inertial sensor, for example a (linear) acceleration sensor, a rotation rate sensor or else another micromechanical component with an at least partially movable structure, for example a micromechanical microphone.
  • the functional element 12 is, in particular, a mass element for an inertial sensor or else a microphone diaphragm or the like.
  • the cover 30 is connected to the substrate 11 according to the invention - but this does not have to be provided as a direct connection to the substrate material, but rather can take place via an intermediate layer 14 or via a plurality of intermediate layers 14 which is produced during the production of the component 10. be, for example by deposition of materials to form the functional element or to form a sacrificial layer.
  • an anti-adhesion layer 20 is provided according to the invention.
  • This non-stick layer 20 is produced or deposited according to the invention by means of a coating process. This results in a preferably only a few nanometers thick layer as an anti-adhesion layer.
  • silicon carbide with the chemical empirical formula Si x C x is provided as the material or as the main material of the non-stick layer.
  • such an anti-adhesion layer 20 comprising silicon carbide is produced or deposited in particular by means of a PECVD process (plasma-enhanced chemical vapor deposition), in particular using silane and methane as precursor reductants (so-called precursors) and preferably with argon as carrier gas.
  • the non-stick layer according to the invention either grown amorphous or microcrystalline or deposited.
  • the layers thus obtained already have many of the advantageous properties, which are known from monocrystalline silicon carbide, such as the high chemical, thermal and mechanical stability. Furthermore, such a layer has an extremely low adhesion energy for silicon carbide to silicon carbide or silicon carbide over silicon carbide coated surfaces.
  • the invention it is particularly advantageously possible according to the invention to use such a silicon carbide layer as the non-stick layer 20. It has been demonstrated that the anti-adhesion effect of the silicon carbide layers produced by PECVD remains intact even if a thermal treatment of the material at temperatures of for example 850 0 C and higher, for example at 1000 0 C and even at 1200 0 C, is performed. Since at a temperature above about 800 0 C in the PECVD process inevitable in the silicon carbide layer built-in hydrogen is completely diffused out, changes at the anti-adhesive or non-stick property of silicon carbide described even at even higher temperatures, nothing more, up to makes extremely high temperatures possible.
  • the non-stick layer 20 by producing the coating already at the abovementioned high temperatures, for example in high-temperature plasma CVD processes with a very hot substrate electrode of, for example, 600 ° C. or 850 ° C. ( as a graphite electrode) or in a so-called LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) process or an epitaxial deposition process (such as in pipe or RTP reactors), so that can be dispensed (following the deposition) annealing and the non-stick layer 20 equal to the hydrogen-free structure can be applied.
  • LPCVD low pressure chemical vapor deposition
  • an epitaxial deposition process such as in pipe or RTP reactors
  • the main advantage of the non-stick layer 20 of this invention over known in the art SAM layers is therefore an e- norme expansion of the thermal operating range or allowable temperature budgets for subsequent process steps up to temperatures far above about 800 0 C or even above about 1000 0 C or above about 1200 0 C, which represent typical temperatures for epitactic depositions.
  • cost-saving zero-level packaging processes such as a thin-film cap process (for sealing the micromechanical structure) with silicon as the cap material, are possible.
  • an anti-adhesion layer 20 according to the invention is particularly hard and clearly more abrasion-resistant and resistant than SAM layers, which significantly reduces the wear-related risk of sticking during operation.
  • CMOS complementary metal oxide semiconductor
  • FIG. 2 shows a precursor structure of a component 10 with the substrate 11, the micromechanical functional element 12, the intermediate layers 14 and the cover 30.
  • the cover 30 is provided as a so-called thin-film cap layer and comprises a plurality of perforation openings 33, which serve in particular to remove a sacrificial layer, not shown, between, for example, the substrate 11 and the functional element 12.
  • perforation openings 33 For this purpose, an access to the (later completed or at least largely closed) interior of the component 10 through the perforation openings 33 must be present through the cover 30.
  • these perforation openings 33 must always be closed again in such thin-film capping processes.
  • this is also done by a thin-film process, for example, a silicon deposition in a reactor (such as a so-called Epi reactor to form an epitaxial layer) by so-called deposited epitaxial polysilicon (EpiPolySilizium) or epitaxially deposited single-crystal silicon.
  • a silicon deposition in a reactor such as a so-called Epi reactor to form an epitaxial layer
  • so-called deposited epitaxial polysilicon (EpiPolySilizium) or epitaxially deposited single-crystal silicon regions 22 of the functional surface 13 provided with the non-stick layer 20 are inevitably also coated (due to the deposition direction designated by an arrow 34 through the perforation openings 33). This applies in particular to those regions 22 which are provided facing the perforation openings 33.
  • the non-stick layer 20 in the form of a silicon carbide layer with an excess of carbon.
  • formation or maintenance of a carbide-like, for example, silicon carbide again occurs. bidirectional surface even if, during the sealing step, foreign atoms, such as silicon atoms, are deposited on the silicon carbide layer present before the sealing step as an anti-adhesion layer 20.
  • FIG. 3 shows the component 10 with the substrate 11, the micromechanical functional element 12, the intermediate layer 14 and the cover 30 according to the second embodiment.
  • the cover 30 is formed as a so-called component cap 39, which is connected to the substrate 11 or indirectly to the substrate 11 (approximately via the intermediate layer 14). It is advantageous that directly and immediately a high-strength anodic bonding is possible on silicon carbide.
  • a Pyrex intermediate layer 38 or a pyrex cap can be bonded directly onto the non-stick surface, which is required, for example, in so-called MPT solutions (micropackaging technology), so that these can be realized cost-effectively.
  • MPT solutions micropackaging technology
  • the silicon carbide layer of hydrogen in the layer must be removed, either at high temperature - for example, greater than about 600 0 C, preferably greater than about 800 0 C - annealed and the excess hydrogen are removed from the film thereby.
  • a hydrogen-free silicon carbide layer at a high temperature of greater than about 600 0 C, preferably greater than about 800 0 C are deposited, for example in an LPCVD process.
  • Anodic bonding is possible because Pyrex shows adhesion to silicon carbide, and during the anodic bonding process in the bond interface (ie, in the region of contacting surfaces) oxygen oxidizes the silicon carbide contact surfaces, thereby forming chemical bonds.

Abstract

Es wird ein mikromechanisches Bauelement mit einem Substrat und einem Funktionselement vorgeschlagen, wobei das Funktionselement eine Funktionsoberfläche mit einer wenigstens bereichsweise aufgebrachten Antihaftschicht zur Reduzierung von Oberflächenhaftkräften aufweist, wobei ferner die Antihaftschicht gegenüber einer Temperatur von über 800 °C stabil ist.

Description

Beschreibung
Titel
MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT MIT ANTIHAFTSCHICHT
Stand der Technik
Die Erfindung geht aus von einem mikromechanischen Bauelement und von einem Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements mit den Merkmalen der Oberbegriffe der nebengeordneten Ansprüche.
Bewegliche Elemente in mikromechanischen Strukturen bzw. in mikroelektro- mechanischen Strukturen bzw. Bauelementen (sogenannte M E MS- Bauelemente) können an den festen Strukturen ankleben bzw. anhaften. Als auslösende Mechanismen für das Zusammenkleben bzw. Anhaften kommen u. a. mechanische Überlast, oder elektrostatische Aufladung in Frage. Ein kritisches weil zumeist irreversibles Anhaften wird vor allem über chemische Bindungen vermittelt, beispielsweise van der Waals Wechselwirkungen, ionische Wechselwirkungen, kovalente Bindungen oder metallische Bindungen. Sich berührende Oberflächen mit hoher Oberflächenenergie - wie zum Beispiel Silizium- Oberflächen mit oder ohne einer Deckschicht aus OH-Gruppen oder aber mit oder ohne einem Wasserfilm oder aber auch eine wasserstoffterminierte Siliziumoberfläche - können starke Bindungskräfte zeigen, die dann auf beispielsweise ionischen Wechselwirkungen oder kovalenten Bindungen beruhen und die beiden Oberflächen zusammenhalten. Das beschriebene Ankleben kann durch Antihaftschichten verhindert oder zumin- dest gemildert werden.
So ist es beispielsweise aus der europäischen Patentveröffentlichung EP 1 416 064 A2 bekannt, mikromechanische Strukturen mittels sogenannter SAM-Beschichtungen (self- assembled monolayers) aus beispielsweise Alkyltrichlorsilanen zu beschichten und damit die Wahrscheinlichkeit des Anhaftens zu verringern. Solche SAM-Beschichtungen besitzen allerdings nur eine begrenzte thermische Stabilität, die das thermische Budget nachfolgender Prozesse, d.h. den Rahmen möglicher verwendbarer Temperaturen für nachfol- gende Prozesse, stark begrenzt, insbesondere auf unterhalb von etwa 500 0C. Dies stellt insbesondere eine starke Einschränkung für die in Frage kommenden O-Level- Verpackungsprozesse, zum Beispiel Verkappungsprozesse, dar. Hochtemperaturprozesse, wie zum Beispiel eine epitaktische Abscheidung von Membranabdeckungen - soge- nannte Dünnschichtverkappungen - sind über derart mittels SAM-Schichten beschichte mikromechanische Strukturen aufgrund der erwähnten Temperaturbegrenzung nicht mehr möglich, weil dadurch die SAM-Beschichtung zerstört werden würde. Ein weiterer Nachteil von SAM-Beschichtungen ist ihre geringe Abrasionsbeständigkeit dieser aus nur wenigen Atom- bzw. Moleküllagen (im wesentlichen lediglich einer molekularen Ebene) bestehen- den Schichten. Im Fall des Anschlagens oder Aneinanderreibens solchermaßen beschichteter mikromechanischer Strukturen wird der lokale Abtrag oder die Beschädigung von SAM-Beschichtungen beobachtet. Dies kann zu einer Erhöhung der Wahrscheinlichkeit eines Anhaftens im Betrieb und damit zu einem erhöhten Ausfallrisiko des Systems führen. Ein weiterer Nachteil der bekannten SAM-Beschichtungen besteht darin, dass es nicht möglich ist, Bondprozesse - wie beispielsweise anodisches Bonden - auf den beschichteten Oberflächen (und ohne aufwändige Vorarbeiten wie beispielsweise Laserabla- tion) durchzuführen.
Offenbarung der Erfindung
Das erfindungsgemäße mikromechanische Bauelement und das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements gemäß den nebengeordneten Patentansprüchen hat demgegenüber den Vorteil, dass für auf das Aufbringen oder Erzeugen der Antihaftschicht folgende Prozesse ein erheblich erhöhtes Tempe- raturbudget zur Verfügung steht, was den Vorteil nach sich zieht, dass nachfolgende Prozesse - insbesondere zur Herstellung einer Verpackung des Bauelements - leichter und kostengünstiger und mit einer höheren Qualität durchgeführt werden können. Die Tatsache, dass die Antihaftschicht gegenüber einer Temperatur von über etwa 800 0C, bevorzugt gegenüber einer Temperatur von über etwa 1000 0C, besonders bevorzugt gegen- über einer Temperatur von über etwa 1200 0C beständig bzw. stabil ist, ermöglicht insbesondere die Durchführung von Epitaxieschritten im Anschluss an die Abscheidung bzw. Erzeugung der Antihaftschicht. Hierdurch werden kostensparende sogenannte Zero- Level-Packaging Prozesse (d.h. Verpackungsprozesse durch auf dem Substratwafer selbst durchzuführende Verfahrensschritte) möglich, wie beispielsweise ein Dünnschicht- kappen- Prozess mit Silizium als Kappenmaterial, der während der Silizium-Epitaxie Temperaturen von etwa 1000 0C bis etwa 1100 0C erfordert. Die Verwendung von Siliziumcar- bid als ein Bestandteil bzw. als ein Hauptbestandteil der Antihaftschicht macht es vorteil- hafterweise möglich, dass die Antihaftschicht vergleichsweise einfach sowie mit eingeführter Technologie und damit vergleichsweise kostengünstig herstellbar ist.
Erfindungsgemäß ist ferner bevorzugt, wenn die Schichtdicke der Antihaftschicht zwi- sehen etwa 1 Nanometer und etwa 1 Mikrometer vorgesehen ist, bevorzugt zwischen etwa 2 Nanometer und etwa 200 Nanometer, besonders bevorzugt zwischen etwa 5 Nanometer und etwa 50 Nanometer. Hierdurch ist es möglich, dass die Antihaftschicht besonders dünn ausgebildet werden kann, so dass die geometrischen und die Funktion des mikromechanischen Bauelements beeinflussenden Abmessungen des Funktionselements durch die Antihaftschicht nur unwesentlich verändert werden. Ferner ist es erfindungsgemäß vorteilhaft möglich, die Dicke der Antihaftschicht den jeweiligen Verhältnisse, insbesondere hinsichtlich der erforderlichen Abriebfestigkeiten und dergleichen, anzupassen.
Gemäß einer ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Bauelements ist es bevor- zugt, wenn das mikromechanische Bauelement eine Abdeckung des Funktionselements aufweist, wobei die Abdeckung verschlossene Perforationsöffnungen aufweist, wobei die Antihaftschicht auch in den den Perforationsöffnungen zugewandten Bereichen der Funktionsoberfläche vorgesehen ist. Hierdurch ist eine besonders große Wirksamkeit der Antihaftschicht gewährleistet.
Mit der ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Bauelements korrespondiert ein Herstellungsverfahren des mikromechanischen Bauelements, bei dem in einem ersten Schritt eine Strukturierung des Funktionselements, der Abdeckung und der Perforationsöffnungen durchgeführt wird, bei dem in einem zweiten Schritt die Antihaftschicht auf we- nigstens einem Teil der Funktionsoberfläche erzeugt wird und bei dem in einem dritten Schritt die Perforationsöffnungen geschlossen werden. Erfindungsgemäß wird durch die Wahl der Antihaftschicht bzw. durch die Zusammensetzung der Antihaftschicht in vorteilhafter Weise verhindert, dass es durch den dritten Schritt zu einer Herabsetzung der Wirksamkeit der Antihaftwirkung der Antihaftschicht kommt. Bei einer Antihaftschicht aus Siliziumcarbid wird die Antihaftwirkung insbesondere durch im Überschuss in die Antihaftschicht eingebrachte Kohlenstoffatome auch in solchen Bereichen aufrechterhalten, auf die nachfolgend geringe Mengen an Siliziumatomen abgeschieden werden. Hierdurch ist es erfindungsgemäß möglich, dass eine Vielzahl von Verpackungsprozessen mit der erfindungsgemäßen Antihaftschicht kombinierbar sind, die ohne eine erfindungsgemäße Antihaftschicht nicht zugänglich wären, etwa weil durch das Schließen der Perforationsöffnungen zumindest in den den Perforationsöffnungen zugewandten Bereichen der Funk- tionsoberfläche die Antihafteigenschaften einer nicht erfindungsgemäßen Antihaftschicht zerstört würden.
Gemäß einer zweiten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Bauelements ist es be- vorzugt, wenn die Abdeckung des Funktionselements als eine mit dem Substrat durch eine Verbindungstechnik verbundene Bauelementkappe vorgesehen ist. Hierdurch kann in kostensparender Weise ein stabiler Einschluss der Funktionselemente des Bauelements erzielt werden. Dies gilt insbesondere für den Fall, dass die Bauelementkappe mit einer Pyrex- Zwischenschicht als Verbindungstechnik mit dem Substrat verbunden vorge- sehen ist.
Mit der zweiten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Bauelements korrespondiert ein Herstellungsverfahren des mikromechanischen Bauelements, bei dem in einem ersten Schritt eine Strukturierung des Funktionselements, der Abdeckung und der Perforations- Öffnungen durchgeführt wird, bei dem in einem zweiten Schritt die Antihaftschicht auf wenigstens einem Teil der Funktionsoberfläche erzeugt wird und bei dem in einem dritten Schritt die Bauelementkappe mit dem Substrat verbunden wird, insbesondere zum Beispiel mittels einer Pyrex- Zwischenschicht anodisch gebondet wird. Hierdurch ist es möglich, ohne kostenaufwändige Zwischenschritte - etwa einer Laserablation der Antihaft- schicht in solchen Bereichen, mittels derer eine Verbindung der Abdeckung mit dem Substrat des Bauelements durchzuführen ist - direkt auf der Antihaftschicht eine Verbindung zwischen dem Substrat und der Abdeckung herzustellen.
Kurze Beschreibung der Zeichnung
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Schnittdarstellung durch ein erfindungsgemäßes mikromechanisches Bauelement gemäß einer ersten Ausführungsform,
Figur 2 eine schematische Schnittdarstellung durch eine Vorläuferstruktur eines erfin- dungsgemäßen mikromechanischen Bauelements gemäß Figur 1 und Figur 3 eine schematische Schnittdarstellung durch ein erfindungsgemäßes mikrome- chanisches Bauelement gemäß einer zweiten Ausführungsform.
Ausführungsform(en) der Erfindung
In Figur 1 ist eine schematische Schnittdarstellung durch ein erfindungsgemäßes mikromechanisches Bauelement 10 gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung bzw. in Figur 3 gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung dargestellt.
Bei beiden Ausführungsformen umfasst das Bauelement 10 ein Substrat 11, eine Abdeckung 30 und ein mikromechanisches Funktionselement 12, das gegenüber dem Substrat 11 sowie der Abdeckung 30 beweglich vorgesehen ist. Bei dem erfindungsgemäßen mikromechanischen Bauelement 10 handelt es sich insbesondere um einen Inertialsensor, etwa einen (linearen) Beschleunigungssensor, einen Drehratensensor oder aber um ein anderes mikromechanisches Bauelement mit einer zumindest teilweise beweglichen Struktur, etwa ein mikromechanisches Mikrofon. Bei dem Funktionselement 12 handelt es sich erfindungsgemäß insbesondere um ein Massenelement für einen Inertialsensor oder aber um eine Mikrofonmembran oder dergleichen. Die Abdeckung 30 ist erfindungsge- maß mit dem Substrat 11 verbunden - dies muss jedoch nicht als eine direkte Verbindung mit dem Substratmaterial vorgesehen sein, sondern kann über eine Zwischenschicht 14 oder über mehrere Zwischenschichten 14 erfolgen, die bei der Herstellung des Bauelements 10 erzeugt wird/werden, etwa durch Abscheidung von Materialien zur Bildung des Funktionselements oder zur Bildung einer Opferschicht. Auf wenigstens einem Teil der Oberfläche 13 des Funktionselements 12 ist erfindungsgemäß eine Antihaftschicht 20 vorgesehen. Diese Antihaftschicht 20 wird erfindungsgemäß mittels eines Beschichtungs- verfahrens erzeugt bzw. abgeschieden. Hierbei entsteht eine bevorzugt nur wenige Na- nometer dicke Schicht als Antihaftschicht. Erfindungsgemäß ist es hierbei besonders bevorzugt, dass als Material bzw. als Hauptmaterial der Antihaftschicht Siliziumcarbid mit der chemischen Summenformel SixCi-x vorgesehen ist.
Eine solche Siliziumcarbid umfassende Antihaftschicht 20 wird erfindungsgemäß insbesondere mittels eines PECVD-Prozesses (Plasma enhanced chemical vapor deposition) erzeugt bzw. abgeschieden, insbesondere unter Verwendung von Silan und Methan als Vorläuferedukte (sogenannte Precursor) und vorzugsweise mit Argon als Trägergas. Hierbei wird die Antihaftschicht erfindungsgemäß entweder amorph oder mikrokristallin aufgewachsen bzw. abgeschieden. Die so erhaltenen Schichten besitzen bereits viele der vorteilhaften Eigenschaften, die von monokristallinem Siliziumcarbid bekannt sind, wie die hohe chemische, thermische und mechanische Stabilität. Ferner besitzt eine solche Schicht eine äußerst geringe Adhäsionsenergie für Siliziumcarbid gegenüber Siliziumcarbid oder Siliziumcarbid gegenüber mit Siliziumcarbid beschichteten Oberflächen. Hier- durch ist es erfindungsgemäß besonders vorteilhaft möglich, eine solche Siliziumcarbid- schicht als Antihaftschicht 20 einzusetzen. Hierbei wurde nachgewiesen, dass die Anti- haft-Wirkung der mittels PECVD erzeugten Siliziumcarbid-Schichten sogar dann unbeeinträchtigt erhalten bleibt, wenn eine thermische Behandlung des Materials bei Temperaturen von beispielsweise 850 0C und höher, beispielsweise bei 1000 0C und sogar bei 1200 0C, durchgeführt wird. Da bei einer Temperatur ab etwa 800 0C der im PECVD-Prozess unvermeidbar in die Siliziumcarbid-Schicht eingebaute Wasserstoff vollständig ausdiffundiert ist, ändert sich an der Antihaftwirkung bzw. Antihafteigenschaft der beschriebenen Siliziumcarbidschichten auch bei noch höheren Temperaturen nichts mehr, was einen Einsatz bis zu extrem hohen Temperaturen möglich macht. Alternativ ist es auch möglich, die Antihaftschicht 20 dadurch zu realisieren, dass die Beschichtung bereits bei den vorstehend erwähnten hohen Temperaturen erzeugt wird, zum Beispiel in Hochtemperatur- Plasma-CVD-Prozessen mit sehr heißer Substratelektrode von beispielsweise 600 0C oder 8500C (etwa als Graphitelektrode) oder in einem sogenannten LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) Prozess bzw. einem epitaktischen Abscheideprozess (etwa in Rohr oder RTP- Reaktoren), so dass auf eine (auf die Abscheidung folgende) Temperbehandlung verzichtet werden kann und die Antihaftschicht 20 gleich mit der wasserstofffreien Struktur aufgebracht werden kann. In beiden Fällen der Aufbringung der Antihaftschicht 20 wird eine derart geringe Oberflächen(adhäsions)energie erhalten, dass keine oder im wesentlichen keine Klebeneigung zwischen gleichartig beschichteten Oberflächen mehr beobachtet werden kann. Der wesentliche Vorteil der erfindungsgemäßen Antihaftschicht 20 gegenüber im Stand der Technik bekannten SAM-Schichten ist daher eine e- norme Ausdehnung des thermischen Arbeitsbereichs oder zulässigen Temperaturbudgets für nachfolgende Prozessschritte bis zu Temperaturen weit oberhalb von etwa 800 0C bzw. sogar oberhalb von etwa 1000 0C bzw. oberhalb von etwa 1200 0C, welche für epi- taktische Abscheidungen typische Temperaturen darstellen. Hierdurch werden unter anderem kostensparende Zero- Level- Packaging- Prozesse wie beispielsweise ein Dünn- schichtkappenprozess (zum Verschluss der mikromechanischen Struktur) mit Silizium als Kappenmaterial möglich. Ferner ist eine erfindungsgemäße Antihaftschicht 20 besonders hart und deutlich abrasionsbeständiger und widerstandsfähiger als SAM-Schichten, was das verschleißbedingte Risiko eines Haftens im Betrieb deutlich reduziert. Auch durch massive mechanische Beanspruchung der Antihaftschichten 20 durch Zusammenschlagen von funktionalen beweglichen und/oder festen Strukturen bleibt die Funktion der Anti- haftschicht 20 voll erhalten. Hierdurch ist es erfindungsgemäß insbesondere möglich, dass die Bauelementgröße verringert werden kann und so die Herstellungskosten durch eine verminderte benötigte Chipfläche verringert werden können. Ferner ist es erfindungsgemäß vorteilhaft, dass eine solche Antihaftschicht 20 chemisch außerordentlich widerstandsfähig ist und daher zur Passivierung der beschichteten Oberfläche in aggressiver Umgebung (zum Beispiel beim Vorhandensein aggressiver Prozessgase) beitragen kann. Darüber hinaus ist Siliziumcarbid als CMOS-(complementary metal oxide semicon- ductor) kompatibles Material etabliert und lässt sich damit leicht in eine bestehende Fertigungsumgebung integrieren.
Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Antihaftschicht 20, insbesondere für die erste Ausführungsform des erfindungsgemäßen Bauelements 10, geht aus der Figur 2 hervor. In der Figur 2 ist eine Vorläuferstruktur eines Bauelements 10 mit dem Substrat 11, dem mikromechanischen Funktionselement 12, den Zwischensichten 14 und der Abdeckung 30 dargestellt. Die Abdeckung 30 ist als sogenannte Dünnschichtkappenschicht vorgesehen und umfasst eine Mehrzahl von Perforationsöffnungen 33, die insbesondere dazu dienen, eine nicht dargestellte Opferschicht zwischen beispielsweise dem Substrat 11 und dem Funktionselement 12 zu entfernen. Hierzu muss durch die Abdeckung 30 ein Zugang zum (später abgeschlossenen oder zumindest weitgehend abgeschlossenen) Inneren des Bauelements 10 durch die Perforationsöffnungen 33 vorliegen. Diese Perforationsöffnungen 33 müssen jedoch bei solchen Dünnschichtverkappungsprozessen immer auch wieder verschlossen werden. Dies geschieht herkömmlicherweise beispielsweise ebenfalls durch einen Dünnschichtprozess, beispielsweise einer Silizium-Abscheidung in einem Reaktor (etwa ein sogenannter Epi- Reaktor zur Bildung einer Epitaxieschicht) durch sogenanntes abgeschiedenes epitaktisches Polysilizium (EpiPolySilizium) oder epitaktisch abgeschiedenes einkristallines Silizium. Als Konsequenz dieser Abscheidung zum Versiegeln von Perforationsöffnungen 33 werden zwangsläufig auch Bereiche 22 der mit der Antihaftschicht 20 versehenen Funktionsoberfläche 13 (aufgrund der mit einem Pfeil 34 bezeichneten Abscheiderichtung durch die Perforationsöffnungen 33 hindurch) mitbe- schichtet. Dies trifft insbesondere für solche Bereiche 22 zu, die den Perforationsöffnungen 33 zugewandt vorgesehen sind. Durch eine solche ungewollte Beschichtung der Antihaftschicht 20 kann es zu einer lokalen Reduktion der Antihaftwirkung kommen, indem lokal die Oberflächenadhäsionsenergie wieder erhöht wird. Erfindungsgemäß ist es vorteilhafterweise vorgesehen, die Antihaftschicht 20 in Form einer Siliziumcarbid-Schicht mit einem Überschuss an Kohlenstoff herzustellen. Hierdurch kommt es bei den hohen Abscheidetemperaturen während des Versiegeins der Perforationsöffnungen 33 zur Ausbildung bzw. einer Aufrechterhaltung einer carbidartigen, beispielsweise wieder Siliziumcar- bidartigen, Oberfläche, selbst dann, wenn während des Versiegelungsschritts Fremdato- me - wie beispielsweise Siliziumatome - auf der vor dem Versiegelungsschritt vorhandenen Siliziumcarbidschicht als Antihaftschicht 20 deponiert werden. Solange daher nicht zu viele Fremdatome die ursprüngliche Siliziumcarbidoberfläche bedecken und die Tempera- turen nur ausreichend hoch sind (um eine ausreichend hohe Mobilität des freien Kohlenstoffs und eine ausreichend hohe Interdiffusion der beteiligten Silizium- und Kohlenstoffatomen zu bewirken), wird der Überschuss an Kohlenstoffatomen in der nichtstöchio- metrischen Siliziumcarbid-Schicht ausreichen, um trotzdem wieder eine carbidartige O- berfläche der Antihaftschicht 20 (auch in den Bereichen 22) mit ausreichend geringer O- berflächenenergie auszubilden bzw. aufrechtzuerhalten. Man erzielt somit durch den Kohlenstoff- Überschuss in der Antihaftschicht eine "Getterwirkung", durch die unerwünscht abgeschiedene Silizium-Atome "gegettert", aber in ihrer schädlichen Wirkung neutralisiert werden können.
Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Antihaftschicht 20, insbesondere für die zweite Ausführungsform des erfindungsgemäßen Bauelements 10, geht aus der Figur 3 hervor. In der Figur 3 ist das Bauelement 10 mit dem Substrat 11, dem mikromechanischen Funktionselement 12, der Zwischenschicht 14 und der Abdeckung 30 gemäß der zweiten Ausführungsform dargestellt. Die Abdeckung 30 ist als sogenannte Bauelementkappe 39 ausgebildet, die mit dem Substrat 11 bzw. indirekt mit dem Substrat 11 (etwa über die Zwischenschicht 14) verbunden ist. Hierbei ist von Vorteil, dass auf Siliziumcarbid direkt und unmittelbar eine hochfeste anodische Bondung möglich ist. Beispielsweise kann eine Pyrex- Zwischenschicht 38 oder eine Pyrexkappe direkt auf die Antihaftoberfläche aufge- bondet werden, was beispielsweise bei sogenannten MPT-Lösungen (Micropackaging- Technology) erforderlich ist, so dass diese kostengünstig realisiert werden können. Insbesondere wird es mittels einer erfindungsgemäßen Antihaftschicht 20 möglich, auf eine Laserbehandlung vor dem Verbindungsschritt zwischen dem Substrat 11 und der Bauelementkappe 39 zu verzichten. Hierzu muss die Siliziumcarbid-Schicht von Wasserstoff in der Schicht befreit werden, also entweder bei hoher Temperatur - beispielsweise grö- ßer als etwa 600 0C, bevorzugt größer als etwa 800 0C - getempert und der überschüssige Wasserstoff aus der Schicht dabei ausgetrieben werden. Alternativ kann auch eine wasserstofffreie Siliziumcarbid-Schicht bei hoher Temperatur von größer als etwa 600 0C, vorzugsweise größer als etwa 800 0C abgeschieden werden, beispielsweise in einem LPCVD-Verfahren. Die anodische Bondung ist möglich, weil Pyrex auf Siliziumcarbid eine Adhäsion zeigt und während des anodischen Bondvorgangs im Bondinterface (d.h. im Bereich der sich berührenden Flächen) freigesetzter Sauerstoff die Siliziumcarbid- Kontaktflächen oxidiert und dabei chemische Bindungen aufgebaut werden.

Claims

Patentansprüche
1. Mikromechanisches Bauelement (10) mit einem Substrat (11) und einem Funktionselement (12), wobei das Funktionselement (12) eine Funktionsoberfläche (13) mit einer wenigstens bereichsweise aufgebrachten Antihaftschicht (20) zur Redu- zierung von Oberflächenhaftkräften aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die
Antihaftschicht (20) gegenüber einer Temperatur von über 800 0C stabil ist.
2. Bauelement (10) nach Anspruch 1 oder nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Antihaftschicht (20) Siliziumcarbid umfasst.
3. Bauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtdicke der Antihaftschicht (20) zwischen etwa 1 Nanome- ter und etwa 1 Mikrometer vorgesehen ist, bevorzugt zwischen etwa 2 Nanometer und etwa 200 Nanometer, besonders bevorzugt zwischen etwa 5 Nanometer und etwa 50 Nanometer.
4. Bauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das mikromechanische Bauelement (10) eine Abdeckung (30) des Funktionselements (12) aufweist, wobei die Abdeckung (30) nachträglich wieder verschlossene Perforationsöffnungen (33) aufweist, wobei die Antihaftschicht (20) auch in den den Perforationsöffnungen (33) zugewandten Bereichen (22) der Funktionsoberfläche (13) vorgesehen ist.
5. Bauelement (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn- zeichnet, dass die Abdeckung (30) des Funktionselements (12) als eine mit dem
Substrat (11) verbundene Bauelementkappe (39) vorgesehen ist.
6. Bauelement (10) nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Bauelementkappe (39) als Pyrexkappe oder als Bauelementkappe mit einer Pyrex- Zwischenschicht (38) mit dem Substrat (11) anodisch verbunden vorgesehen ist.
7. Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements (10) gemäß Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass in einem ersten Schritt eine Strukturierung des Funktionselements (12), der Abdeckung (30) und der Perforationsöffnungen (33) durchgeführt wird, dass in einem zweiten Schritt die Antihaftschicht (20) auf wenigstens einem Teil der Funktionsoberfläche (13) erzeugt wird und dass in einem dritten Schritt die Perforationsöffnungen (33) geschlossen werden.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Antihaftschicht (20) Siliziumcarbid umfasst und dass während des zweiten Schrittes Kohlenstoff- atome im Überschuss in die Antihaftschicht (20) eingebracht werden.
9. Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements (10) gemäß Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass in einem ersten Schritt eine Strukturierung des Funktionselements (12) und der Abdeckung (30) durchgeführt wird, dass in einem zweiten Schritt die Antihaftschicht (20) auf wenigstens einem
Teil der Funktionsoberfläche (13) erzeugt wird und dass in einem dritten Schritt die Bauelementkappe (39) mit dem Substrat (11) verbunden wird, insbesondere anodisch gebondet wird.
PCT/EP2007/059448 2006-10-25 2007-09-10 Mikromechanisches bauelement mit antihaftschicht WO2008049688A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/312,165 US20100127339A1 (en) 2006-10-25 2007-09-10 Micromechanical component having an anti-adhesive layer
EP07803365A EP2084103A1 (de) 2006-10-25 2007-09-10 Mikromechanisches bauelement mit antihaftschicht
JP2009533766A JP2010507494A (ja) 2006-10-25 2007-09-10 付着防止層を有するマイクロメカニカル素子

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006050188.8 2006-10-25
DE102006050188A DE102006050188A1 (de) 2006-10-25 2006-10-25 Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2008049688A1 true WO2008049688A1 (de) 2008-05-02

Family

ID=38814642

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2007/059448 WO2008049688A1 (de) 2006-10-25 2007-09-10 Mikromechanisches bauelement mit antihaftschicht

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20100127339A1 (de)
EP (1) EP2084103A1 (de)
JP (1) JP2010507494A (de)
CN (1) CN101528590A (de)
DE (1) DE102006050188A1 (de)
WO (1) WO2008049688A1 (de)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI345289B (en) * 2007-06-08 2011-07-11 Advanced Semiconductor Eng Microelectromechanical system package and the method for manufacturing the same
CN102105389A (zh) * 2008-05-28 2011-06-22 Nxp股份有限公司 Mems器件
DE102008042443A1 (de) 2008-09-29 2010-04-01 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements und Mikromechanisches Bauelement
DE102009027898B4 (de) * 2009-07-21 2019-09-05 Robert Bosch Gmbh Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauelement
DE102009028084A1 (de) 2009-07-29 2011-02-10 Robert Bosch Gmbh Hochohmige Siliziumcarbidschicht, Verfahren zur Herstellung einer hochohmigen Siliziumcarbidschicht und CVD-Anlage für die Herstellung einer hochohmigen Siliziumcarbidschicht
DE102010038810B4 (de) 2010-08-03 2020-01-02 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Verkappen eines mikromechanischen Bauelements
KR101507200B1 (ko) * 2011-05-13 2015-03-31 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 Ｍｅｍｓ 패키지 및 그 제조 방법
US9029179B2 (en) * 2012-06-28 2015-05-12 Analog Devices, Inc. MEMS device with improved charge elimination and methods of producing same
US9108842B2 (en) * 2013-07-19 2015-08-18 Freescale Semiconductor, Inc. Reducing microelectromechanical systems stiction by formation of a silicon carbide layer
US10745268B2 (en) * 2017-06-30 2020-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of stiction prevention by patterned anti-stiction layer
DE102018122261B4 (de) 2017-09-27 2024-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrationsverfahren zum waferebenenpackaging und mikroelektromechanisches system-, mems-, bauelement
US10294098B2 (en) 2017-09-27 2019-05-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing a MEMS device by first hybrid bonding a CMOS wafer to a MEMS wafer

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10106715A1 (de) * 2001-02-14 2002-08-22 Bosch Gmbh Robert Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
FR2839712A1 (fr) 2002-05-14 2003-11-21 Westonbridge Internat Ltd Dispositif micromecanique, en particulier fluidique, et son procede de fabrication, organe de controle d'entree de liquide et/ou organe de detection de pression de liquide et/ou micropompe formant un tel dispositif micromecanique

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5658698A (en) * 1994-01-31 1997-08-19 Canon Kabushiki Kaisha Microstructure, process for manufacturing thereof and devices incorporating the same
US6096149A (en) * 1997-04-21 2000-08-01 Ford Global Technologies, Inc. Method for fabricating adhesion-resistant micromachined devices
EP1270506A4 (de) * 2000-03-17 2008-06-25 Japan Science & Tech Agency Mikro-aktor und verfahren zur dessen herstellung
US6698295B1 (en) * 2000-03-31 2004-03-02 Shipley Company, L.L.C. Microstructures comprising silicon nitride layer and thin conductive polysilicon layer
JP3745648B2 (ja) * 2001-06-06 2006-02-15 日本電信電話株式会社 微細構造の製造方法
JP2004059368A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 成形用金型および成形用金型の製造方法
JP2004130449A (ja) * 2002-10-10 2004-04-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｍｅｍｓ素子及びその製造方法
US6930367B2 (en) * 2003-10-31 2005-08-16 Robert Bosch Gmbh Anti-stiction technique for thin film and wafer-bonded encapsulated microelectromechanical systems
JP2005262412A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Toyota Central Res & Dev Lab Inc シリコン系構造体とその製造方法
US8154092B2 (en) * 2004-08-09 2012-04-10 Case Western Reserve University Silicon carbide MEMS structures and methods of forming the same
US7692839B2 (en) * 2004-09-27 2010-04-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of providing MEMS device with anti-stiction coating
JP4859015B2 (ja) * 2005-03-07 2012-01-18 昭和電工株式会社 導電性炭化ケイ素セラミックス及びその製造方法
US7563633B2 (en) * 2006-08-25 2009-07-21 Robert Bosch Gmbh Microelectromechanical systems encapsulation process

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10106715A1 (de) * 2001-02-14 2002-08-22 Bosch Gmbh Robert Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
FR2839712A1 (fr) 2002-05-14 2003-11-21 Westonbridge Internat Ltd Dispositif micromecanique, en particulier fluidique, et son procede de fabrication, organe de controle d'entree de liquide et/ou organe de detection de pression de liquide et/ou micropompe formant un tel dispositif micromecanique

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
RAI-CHOUDHURY, P.: "MEMS & MOEMS: technology and applications", 2000, SPIE, BELLINGHAM, WASHINGTON, USA, XP002462879 *
See also references of EP2084103A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010507494A (ja) 2010-03-11
DE102006050188A1 (de) 2008-04-30
US20100127339A1 (en) 2010-05-27
EP2084103A1 (de) 2009-08-05
CN101528590A (zh) 2009-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2008049688A1 (de) Mikromechanisches bauelement mit antihaftschicht
DE10055421A1 (de) Verfahren zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur und mikromechanische Struktur
WO2002038492A1 (de) Mikrostrukturbauelement
DE102013209266A1 (de) Bauelement mit einem Hohlraum
EP2307308A2 (de) Verfahren zum verkappen eines mems-wafers sowie mems-wafer
EP1532071B1 (de) Schichtsystem mit einer siliziumschicht und einer passivierschicht, verfahren zur erzeugung einer passivierschicht auf einer siliziumschicht und deren verwendung
DE102005062554A1 (de) Mikromechanisches Bauelement mit Kappe mit Verschluss
DE102006022377B4 (de) Mikromechanische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Vorrichtung
DE4445177C5 (de) Verfahren zur Herstellung mikromechanischer Bauelemente mit freistehenden Mikrostrukturen
EP3402910B1 (de) Verfahren zum herstellen einer dünnen schicht aus porösem dlc, verwendung einer pecvd-anlage und mit porösem dlc beschichtetes werkstück
DE10051315A1 (de) Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Hersellungsverfahren
DE102008042443A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements und Mikromechanisches Bauelement
DE102005049280A1 (de) Verfahren zur Erzeugung einer Nanostruktur und optisches Element mit einer Nanostruktur
DE102009027898A1 (de) Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauelement mit einer Dünnschicht-Verkappung
DE102011086399A1 (de) Nanoskalige Oberflächenstruktur zur Verbesserung der Adhäsion
EP2280907B1 (de) Mikromechanisches bauteil mit getemperter metallschicht und verfahren zu dessen herstellung
DE102004028030B4 (de) Katalytisches Beschichtungsverfahren für strukturierte Substratoberflächen und mit einer Siliziumdioxid-Dünnschicht beschichtetes Substrat mit einer strukturierten Oberfläche
DE10244785A1 (de) Verfahren und mikromechanisches Bauelement
EP0793736B1 (de) Verfahren zur herstellung mikromechanischer bauelemente mit freistehenden mikrostrukturen oder membranen
WO2009059868A2 (de) Verfahren zur herstellung von mikromechanischen strukturen mit reliefartigem seitenwandverlauf oder einstellbarem neigungswinkel
DE10307568A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Membran mit Membranlöchern und nach diesem Verfahren hergestellte Mikro-/Nanomembran
EP2168910B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen SiC-Struktur
DE102009027284A1 (de) Verfahren zur Herstellung mikromechanischer Strukturen und mikromechanische Strukturen
DE102005048482A1 (de) Verfahren zur Beschichtung von elektrisch isolierenden Oberflächen und beschichtetes Substrat
WO2003027002A2 (de) Herstellungsverfahren für eine mikromechanische struktur

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200780039752.7

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07803365

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007803365

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2009533766

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12312165

Country of ref document: US