WO2008010286A1

WO2008010286A1 - Panneau d'affichage à plasma

Info

Publication number: WO2008010286A1
Application number: PCT/JP2006/314429
Authority: WO
Inventors: Masahiro Sawa; Koji Ohira
Original assignee: Hitachi Plasma Display Limited
Priority date: 2006-07-20
Filing date: 2006-07-20
Publication date: 2008-01-24
Also published as: JPWO2008010286A1; US20090174329A1

Description

明細書

プラズマディスプレイパネノレ

技術分野

[0001] 本発明は，排気コンダクタンスを改善したプラズマディスプレイパネルに関し，特に

,背面基板に形成され単位発光領域を画する格子状の隔壁構造を改良して，封止工程での排気コンダクタンスを改善したプラズマディスプレイパネルに関する。

背景技術

[0002] 近年において，プラズマディスプレイパネル（以下 PDP)は，より大画面化の要請が強い。現在商品化されている PDPは， AC型 3電極面放電形式である。図 1は，従来の PDPの概略構成を示す展開斜視図である。前面基板 11上に，横方向に延びる複数の表示電極 40とそれを被覆する誘電体層 17とその保護層 18とが形成され，背面基板 21上に，縦方向に延び表示電極に交差する複数のアドレス電極 Aとそれを被覆する誘電体層 24と，アドレス電極と表示電極とが交差する単位発光領域 (放電セル)を画する格子状（閉鎖形、ボックス形、ワッフル形ともいう）の隔壁（リブ） 29H, 29 Vと，アドレス電極を覆う誘電体層上と隔壁の側壁上の蛍光体 28とが形成される。

[0003] そして，前面基板と背面基板とがそれらの間に放電空間を介して封止される。この封止工程では，前面基板と背面基板の周囲を封止材により封止し，さらに，背面基板に形成された通気孔と通気管を介して内部排気をしてから， Ne及び Xeの混合ガスなどの放電ガスを封入して通気管をチップオフ（閉じる）する。この内部排気工程は ,保護膜 18に吸着された水分やパネル内部の不純物を取り除いて，蛍光体劣化による輝度の低下や電圧変動，電圧変動に伴う輝度ムラを抑制する工程である。

[0004] 図 1に示されるとおり，隔壁 29は，縦方向に延びる縦隔壁 29Vと横方向に延びる横隔壁 28Hとで構成される格子状の隔壁であり，それらにより単位発光領域 (放電セル ) Cが画されている。各単位発光領域 Cには，横方向に延びる表示電極対 40と縦方向に延びるアドレス電極 Aとが配置される。

[0005] 格子状の隔壁により単位発光領域 Cの 4方を囲み，蛍光体を 4つの隔壁の側壁上まで形成することで，放電時の紫外線により励起される蛍光体の表面積を増カロさせて発光効率を高めることができる。したがって，高精細化されて単位発光領域が狭くなつても高い輝度を保つことができる。さらに，格子状の隔壁により単位発光領域 Cを囲んでいるので，上下左右方向に隣接する単位発光領域 Cに放電の干渉が生じることが回避でき，誤放電防止が期待できる。

[0006] 格子状の隔壁により単位発光領域間の放電干渉を回避し，蛍光体の発光効率を高めることができる。しかし，隔壁を格子状にすると封止工程における内部排気での排気コンダクタンスが低下するという問題がある。特に，パネルの中心部分ほど排気コンダクタンスが低下する。この排気コンダクタンスの改善は，大画面化される PDPにぉ、て解決すべき問題である。

[0007] 排気コンダクタンスを改善した隔壁構造については，例えば以下の特許文献 1, 2, 3, 4に記載されている。特許文献 1には，横隔壁に隙間を設けることにより横方向の排気コンダクタンスを改善することが記載されている。しかし，縦方向の排気コンダクタンスの改善については記載されていない。特許文献 2には，横隔壁の幅を縦隔壁よりも太くすることで，ガラスペーストで形成された隔壁の高温焼成工程での引っ張り応力により低く形成することが記載されている。つまり，縦方向の排気コンダクタンスの改善は示されているが，横方向の排気コンダクタンスの改善は行われていない。特許文献 3には，横隔壁と縦隔壁の交差部の高さが他の部分よりもへこんでいることが記載されている。そして，特許文献 4には，各部分の隔壁を構成する材料を異ならせることにより部分的に隔壁の高さを低くして排気コンダクタンスを改善することが記載されている。

特許文献 1：特開 2000 - 311612号公報

特許文献 2 :特開 2002— 83545号公報

特許文献 3：特開 2005 - 26050号公報

特許文献 4：特開 2005 - 347045号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0008] 前述のとおり，格子状の隔壁を形成すると封止工程における排気コンダクタンスが低くなるという問題がある。つまり，封止工程において前面側基板と背面側基板とを貼り合わせた状態で内部排気を行って，パネル内部の水分や有機物などの不純物を除去することが行われる。内部排気を十分に行うことができないと，蛍光体が劣化して輝度の低下や電圧変動，電圧変動に伴うパネル面内の表示ムラなどを招く。

[0009] 前述した特許文献 1〜4は，格子状の隔壁構造で且つ部分的に隔壁を低くするェ夫が示されているが，いずれも充分な改善とは言えない。例えば，特許文献 1, 2では，縦又は横の一方の排気コンダクタンスを改善してヽるが両方向の排気コンダクタンスの改善にはなっていない。また，特許文献 3では，隔壁の交差位置で部分的に低く形成されるのみである。そして，特許文献 4では隔壁の材料を変更するなど複雑な製造プロセスを要求するので現実的な改善とは言えない。

[0010] そこで，本発明の目的は，簡単な構成で排気コンダクタンスを改善し発光効率の低下を抑制した隔壁構造を有するプラズマディスプレイパネルを提供することにある。課題を解決するための手段

[0011] 上記の目的を達成するために，本発明の第 1の側面によれば，一対の基板の対向空間に放電ガスが封入され，一対の基板に横方向に延びる複数の表示電極と縦方向に延びて前記表示電極と交差するアドレス電極とが設けられ，一方の基板上に単位発光領域を画する縦隔壁と横隔壁とからなる格子状の隔壁が設けられたプラズマディスプレイパネルであって，前記隔壁が平面視のパターンにおいて第 1の幅力第 2の幅に部分的に細くなり更に第 1の幅に戻るパターンを有し，当該第 2の幅の部分の高さが前記第 1の幅の部分の高さよりも低いことを特徴とする。

[0012] 第 1の隔壁が部分的に狭い第 2の幅になっているので，高温焼成工程での熱収縮作用によりその高さを低く形成することができる。

[0013] 上記の目的を達成するために，本発明の第 2の側面によれば，一対の基板の対向空間に放電ガスが封入され，一対の基板に横方向に延びる複数の表示電極と縦方向に延びて前記表示電極と交差するアドレス電極とが設けられ，一方の基板上に単位発光領域を画する縦隔壁と横隔壁とからなる格子状の隔壁が設けられたプラズマディスプレイパネルであって，単位発光領域を画する横隔壁は，縦隔壁により連結され，さらに平面視において複数の空間を間欠的に有して 1対のサブ横壁とそれを連結するサブ縦壁とを有する梯子形状を有する。この横隔壁は縦隔壁よりも低く，縦方向の排気コンダクタンスを改善する。さらに，サブ縦壁の幅は縦隔壁よりも狭くそれによりサブ縦壁の高さは部分的に低く，横方向の排気コンダクタンスを改善する。

[0014] 上記の第 2の側面によれば，縦方向の排気コンダクタンスと横方向の排気コンダクタンスとが共に改善されて、る。

[0015] 上記の目的を達成するために，本発明の第 3の側面によれば， 1対の基板の対向する空間に放電ガスを封入してなるプラズマディスプレイパネルにぉ、て，前記 1対の基板に，横方向に延びる複数の表示電極と，縦方向に延びて前記表示電極と交差するアドレス電極とが設けられ，前記 1対の基板の一方の基板上に，前記表示電極とアドレス電極とが交差する単位発光領域を画する縦隔壁と横隔壁とを有する格子状の隔壁が形成され，前記格子状の隔壁の横隔壁は，前記縦隔壁により連結されるとともに，平面視の内部に複数の空間を間欠的に有して 1対のサブ横壁とそれを連結するサブ縦壁とを有する梯子形状を有し，当該サブ縦壁の幅が前記縦隔壁の幅よりも狭く高さが部分的に低く形成されていることを特徴とする。

[0016] 上記の 3の側面によれば，サブ縦壁の幅を狭くしてその高さを部分的に低くしているので，横方向の排気コンダクタンスを改善することができる。

発明の効果

[0017] 格子状の隔壁を有しつつ縦方向と横方向の排気コンダクタンスを改善することができる。また，単位発光領域間の境界の横隔壁を構成するサブ縦壁を狭くして高さを低くして、るので，発光領域での放電干渉防止作用に影響を与えることは少な!/、。図面の簡単な説明

[0018] [図 1]従来の PDPの概略構成を示す展開斜視図である。

[図 2]格子状隔壁の一例の平面図である。

[図 3]第 1の実施の形態における格子状隔壁の平面図である。

[図 4]図 3の A— A'と B— B'の断面図である。

[図 5]図 3の A— A'と B— B'の別の断面図である。

[図 6]第 1の実施の形態における隔壁とそれ重なる表示電極とを示す平面図である。

[図 7]図 6のアドレス電極に沿った部分的な断面図である。

[図 8]第 1の実施の形態における隔壁とそれ重なる別の表示電極とを示す平面図である。

[図 9]図 8のアドレス電極に沿った部分的な断面図である。

[図 10]第 2の実施の形態における格子状隔壁の平面図である。

[図 11]図 10の C— C，と D— D'の断面図である。

[図 12]図 10の C— C'と D— D'の別の断面図である。

[図 13]本実施の形態の隔壁を形成するための製造プロセスの断面図である。

[図 14]本実施の形態の隔壁を形成するための製造プロセスの断面図である。

[図 15]第 1の実施の形態における隔壁の変形例を示す平面図である。

[図 16]第 1の実施の形態における隔壁の変形例を示す平面図である。

[図 17]第 2の実施の形態における隔壁の変形例を示す平面図である。

[図 18]第 1の実施の形態における隔壁の変形例を示す平面図である。

符号の説明

[0019] 29 :隔壁 29V:縦隔壁

29H- 1, 29H— 2 :横隔壁 29VS :サブ縦壁

29HS :サブ横壁 32 :空間

40 :表示電極 A：アドレス電極

C :単位発光領域

発明を実施するための最良の形態

[0020] 以下，図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し，本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず，特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。

[0021] 図 2は，格子状隔壁の一例の平面図である。この隔壁の例は， 6つの単位発光領域

(セル)を画する隔壁を示すものであり，横方向に延びる合計 3本の横隔壁 29H— 1, 29H— 2とそれらを連結して縦方向に延びる合計 4本の縦隔壁 29Vとを有し，それらの横隔壁と縦隔壁とで格子形状をなしている。そして， 1本の横隔壁 29H— 2の幅 W 4は，縦隔壁 29Vの幅 W1や他の横隔壁 29H—1の幅よりも太く形成されている。また，横隔壁 29H— 2は，平面視の内部に空間 32が間欠的に設けられ， 1対のサブ横壁 29HSとそれらを連結するサブ縦壁 29VSとからなる梯子形状にされて、る。これらの隔壁及びサブ壁は， V、ずれも低融点ガラスペーストをパターユングしたあと焼成工程により焼成されて形成され，その焼成工程における熱収縮特性によりその高さが変化する。

[0022] 図 2の横隔壁 29H— 2は，前述の特許文献 2によれば，その幅 W4が他の隔壁等よりも太く形成されているため，熱収縮作用により焼成後の高さは他の隔壁等よりも低く形成される。そのため， 6つの単位発光領域のうち縦方向に隣接する領域間の横隔壁 29H— 2が低くなり，封止工程での縦方向の排気コンダクタンスを改善している。なお，横隔壁 29H— 2には，平面視で空間 32が間欠的に形成されているが，この空間 32が形成されていても，サブ横壁 29HSとサブ縦壁 29VSとで構成される横隔壁 2 9H— 2は，ある幅 W4を有する一体の隔壁として熱収縮作用を受けるものと考えられる。

[0023] [第 1の実施の形態]

図 3は，第 1の実施の形態における格子状隔壁の平面図である。この隔壁は，図 2 と同様に， 6つの単位発光領域 (セル)を画する隔壁を示すものであり，横方向に延びる合計 3本の横隔壁 29H— 1 , 29H— 2とそれらを連結して縦方向に延びる合計 4 本の縦隔壁 29Vとを有し，それらの横隔壁と縦隔壁とで格子形状をなしている。そして，横隔壁 29H— 2の幅 W4や，横隔壁 29H— 2の梯子形状なども図 2と同じである。図 3の隔壁構造で図 2と異なるところは，サブ縦壁 29VSの幅 W2が縦隔壁 29Vの幅 W1よりも狭!ヽことにある。

[0024] つまり，図 3の隔壁構造では，縦隔壁 29Vとそれに連結するサブ縦壁 29 VSからなる一続きの縦方向の隔壁において，サブ縦幅 29VSの幅 W2を縦隔壁 29Vより狭く形成して，焼成工程での熱収縮作用に基づいてサブ縦壁 29VSの高さを部分的に低くし，横方向の排気コンダクタンスも改善している。この原理は，隔壁幅を部分的に細くすることで，隔壁形成時の熱収縮特性により細く形成した部分の高さが低くなることにある。

[0025] また，図 3の隔壁構造は，図 2と同様に横隔壁 29H— 2の幅 W4を適切に太くすることでその高さを縦隔壁 29Vよりも低くして，縦方向の排気コンダクタンスも改善している。この熱収縮作用については，前述の特許文献 2に記載されているとおりである。 [0026] 図 4は，図 3の A— A'と B— B'の断面図である。これらの断面図において，背面基板 21上にアドレス電極 Aが形成され，それを誘電体層 24が被覆し，その上に隔壁 2 9が形成されている。誘電体層 24の上と隔壁 29の側面には蛍光体 28が形成されている。

[0027] A—A'断面図には， 3つの横隔壁 29H—1, 29H— 2, 29H—1が示され，それらは縦隔壁 29Vで連結され，さらに，横隔壁 29H— 2は，空間 32が形成されて， 1対のサブ横壁 29HSとそれらを連結するサブ縦壁 29VSとで構成されている。そして，サブ縦壁 29VSの幅 W2が他の縦隔壁 29Vやサブ横壁 29HSより細く形成されているため，焼成工程の熱収縮によりその高さが長手方向の中心部分で部分的に低くなつているのが示されている。

[0028] また， B— B'の断面図には， 4つのサブ縦壁 29VSとそれらを連結するサブ横壁 29 HSと力示され，サブ縦壁 29VSはその高さが低くなつていて，その頂上部分にその傾斜面 SLPが示される。

[0029] これらの断面図から明らかなとおり，サブ縦壁 29VSがー部低くなつているので，図 3の横方向に前面基板との間に貫通する隙間が形成され，横方向の排気コンダクタンスが改善されている。つまり，図 4の A—A'断面図の紙面方向及び B—B'断面図の横方向の排気コンダクタンスが改善される。なお，図 4では，横隔壁 29H— 2の高さは縦隔壁 29Vと同じ高さになっている。

[0030] 図 5は，図 3の A—A'と B— B'の別の断面図である。この例では， A—A'断面図に示されるとおり，横隔壁 29H— 2の幅 W4が他の隔壁よりも適切な太い幅に選択され ,熱収縮作用により横隔壁 29H— 2全体が，縦隔壁 29Vや他の横隔壁 29H— 1よりも低く形成されている。そして，サブ縦壁 29VSも，その幅 W2を狭くしたことで更に低く形成されている。これにより，図 3の横方向の排気コンダクタンス，つまり，図 4の A— A'断面図の紙面方向及び B— B'断面図の横方向の排気コンダクタンスがより改善される。

[0031] 図 6は，第 1の実施の形態における隔壁とそれ重なる表示電極とを示す平面図である。図 6には，図 3の平面図に示した隔壁 29が 4つ縦方向に配置されている。図 6では明確ではなヽが，横隔壁 29H— 2を構成するサブ縦壁の幅が細く形成されてヽる。また，各隔壁単位 29が隙間 30を介して並べられている。図 6の右側には，隔壁 29 に重ねて表示電極 40とアドレス電極 A (破線)とが示されている。表示電極 40は， ITO など力もなる透明電極 41とその中央部に重ねて形成され CrZCuZCr力もなるバス電極 42とで構成され，バス電極 42が横隔壁 29H— 1, 29H— 2と重なるように形成され，各単位発光領域 Cには上下一対の表示電極 40が配置されている。表示電極 40 は，上下に隣接する単位発光領域で共通の電極となっている。

[0032] 図 7は，図 6のアドレス電極に沿った部分的な断面図である。この断面図には，前面基板 11と背面基板 21とが示されている。前面基板 11には，透明電極 41とバス電極 42とカゝらなる表示電極 42と，それを被覆する誘電体層 17と，その上の MgOカゝらなる保護層 18とが形成される。また，背面基板 21には，アドレス電極 Aと，誘電体層 24と ,隔壁 29と，蛍光体 28とが形成されている。そして，横隔壁 29H— 2を構成する 1対のサブ横壁 29HSの高さが縦隔壁 29Vよりも低く形成され，さらに 1対のサブ横壁 29 HSを連結するサブ縦壁 29VSも中心部分が低く形成されている。それにより，前面基板 11の保護層 18との間に十分な隙間 34が形成され，紙面に垂直方向の排気コンダクタンスが改善されている。また，表示電極 40のバス電極 42は，横隔壁 29H— 1, 29H— 2と重なるように形成され，単位発光領域 Cを遮ることはない。

[0033] なお，図 6に示したとおり，隔壁単位 29が隙間 30を介して並べられているので，その隙間 30も紙面に垂直方向の排気コンダクタンスを改善している。ただし，隔壁単位を隙間 30を介して並べないで，全ての横隔壁 29Hを梯子形状の横隔壁 29H— 2にしてもよい。この場合でも，横隔壁 29H— 2は他の隔壁より低く形成され，横隔壁 29 H— 2を構成するサブ縦壁 29VSが低く形成されているので，図 6の横方向の排気コンダクタンスは改善される。

[0034] 図 8は，第 1の実施の形態における隔壁とそれに重なる別の表示電極とを示す平面図である。図 8の左側の隔壁の平面図は，図 6の隔壁と同じである。そして，図 8の右側の表示電極 40は，図 6の表示電極と異なり，各単位発光領域 Cに配置された 1対の X, Y電極 40で構成されている。そして，上下に隣接する単位発光領域では，表示電極 40が分離されている。なお，図 8にはバス電極と透明電極とは省略されている。

[0035] 図 9は，図 8のアドレス電極に沿った部分的な断面図である。この断面図において，表示電極 40と遮光膜 43を除いて，図 7と同じである。表示電極 40は，蛍光体 28が形成された各単位発光領域に配置された 1対の表示電極で構成され，各表示電極 4 0は，透明電極 41とバス電極 42とで構成される。そして， 1対の表示電極 40の非放電領域には，暗色の遮光膜 43が形成されて，内部の蛍光体 28が前面基板 11側から見えるのを防止している。

[0036] 図 9の場合も同様に，前面基板 11の保護層 18との間に十分な隙間 34が形成され ,紙面に垂直方向の排気コンダクタンスが改善されている。

[0037] [第 2の実施の形態]

図 10は，第 2の実施の形態における格子状隔壁の平面図である。この隔壁は，図 2 や図 3と同様に， 6つの単位発光領域 (セル)を画する隔壁を示すものであり，横方向に延びる合計 3本の横隔壁 29H—1, 29H— 2とそれらを連結して縦方向に延びる合計 4本の縦隔壁 29Vとを有し，それらの横隔壁と縦隔壁とで格子形状をなして!/、る。そして，横隔壁 29H— 2の幅 W4や，横隔壁 29H— 2の梯子形状なども，図 2, 3と同じである。図 10の隔壁構造で図 2と異なるところは，サブ縦壁 29VSの幅 W2が縦隔壁 29Vの幅 W1よりも狭いことと，さらにサブ横壁 29HSの幅 W3も縦隔壁 29Vの幅 W1よりも狭ヽことにある。

[0038] つまり，図 10の隔壁構造では，サブ縦壁 29VSの幅 W2とサブ横壁 29HSの幅 W3 を他の隔壁より部分的に狭く形成して，サブ縦壁 29VSとサブ横壁 29HSの高さを縦隔壁 29Vなどよりも低くして，横方向と縦方向の排気コンダクタンスを共に改善している。また，図 10の隔壁構造でも，図 2と同様に横隔壁 29H— 2の幅 W4を適切に太くすることでその高さを縦隔壁 29Vや横隔壁 29H—1よりも低くして，縦方向の排気コンダクタンスも改善してヽる。

[0039] 図 11は，図 10の C— C'と D— D，の断面図である。図 4と対比すると理解できるとおり， C— C'断面図ではサブ縦壁 29VSは中心部が低く形成されて，さらに， D— D'断面図ではサブ横壁 29HSは中心部が低く形成されている。つまり， C— C'断面図の 1 対のサブ横壁 29HSの頂上部には傾斜 SLPが形成され，且つ， D— D'断面図のサブ縦壁 29VSの頂上部にも傾斜 SLPが形成される。したがって，横隔壁 29H— 2を構成する 1対のサブ横壁 29HSそれぞれが中心部で低く形成されるので，図 10の縦方向の排気コンダクタンスは改善される。

[0040] 図 10の C C'と D— D'の別の断面図である。この断面図では， C C'断面図に示されるとおり，横隔壁 29H— 2の幅 W4が適切な太さにされて全体として低く形成されている。よって，サブ縦壁 29VSが中央部で低く形成されていることと相まって，図 10の横方向の排気コンダクタンスは更に改善される。

[0041] [製造プロセス]

図 13,図 14は，本実施の形態の隔壁を形成するための製造プロセスの断面図である。図 13 (a)に示されるとおり，ガラス基板力もなる背面基板 21上に，アドレス電極 Aとそれを被覆する誘電体層 24とが形成され，さらに隔壁層 29が低融点ガラスべ一ストのスクリーン印刷法またはコート法により，例えば 100〜200 m程度の厚みに形成される。ガラスペーストの材料成分は，例えば PbOが 50〜70Wt%, B203が 5〜 10wt%, Si02力 l0〜30wt%, A1203力 5〜25wt%, CaOが〜 5wt%である。そして，所定の高温処理により隔壁層 29が乾燥される。

[0042] 次に，図 13 (b) (c)に示されるとおり，ドライフィルム層 50を隔壁層 29の上に貼り付けて，マスク 51を介して露光，現像することで，隔壁パターンのドライフィルム層パターン 50が形成される。そして，図 14 (d)のように，ドライフィルム層パターン 50をマスクにしたサンドブラスト法により隔壁層 29をパターユングして，図 14 (e)のように格子状の隔壁 29が形成される。

[0043] そして，最後に，ピーク温度が 500〜600°Cの焼成工程により，隔壁 29が焼成される。この焼成工程において，縦隔壁 29Vより狭く形成されたサブ縦壁 29VSは，溶融時の熱収縮作用によりその中心部分で高さが低くなる。焼成前のサブ隔壁 29VSの高さ力 00〜200 μ mであるのに対して，焼成工程によりその高さは約 5〜10 μ m程度低くなる。また，図示しないが， 1対のサブ横壁 29HSとサブ縦壁 29VSとからなる横隔壁 29H— 2の幅 W4を最適な太さにすることで，その高さを縦隔壁 29Vより低くできる。図 5,図 12に示した通りである。

[0044] 図 15,図 16は，第 1の実施の形態における隔壁の変形例を示す平面図である。いずれも，空間 32により梯子形状になっている横隔壁 29H— 2のサブ縦壁 29VSの幅 W2を縦隔壁 29Vの幅 W1よりも狭くしている。そして，縦隔壁 29Vとサブ縦壁 29VS と縦隔壁 29Vを連続してみると，縦隔壁 29Vの太い幅 W1から徐々にその幅が狭くなり，サブ隔壁 29VSの幅 W2が最も細くなり，さらに縦隔壁 29Vの幅 W1が元の太さに戻っている。図 15では幅 W1が階段状に細くされ，図 16では幅 W1がテーパー状に細くされている。このように形成することで，焼成工程の熱収縮作用により，太い幅 W 1の領域よりも細、幅 W2の領域の熱収縮量が大きく，細!、幅 W2での高さが太!、幅 W1よりも低くなるものと考えられる。

[0045] 図 17は，第 2の実施の形態における隔壁の変形例を示す平面図である。この例では，横隔壁 29H— 2のサブ縦壁 29VSとサブ横壁 29HSのいずれもが，縦隔壁 29V の幅 W1よりも狭い幅 W2, W3に形成されている。しかも，サブ横壁 29HSはテーパ一状に細く形成され，サブ縦壁 29VSも縦隔壁 29V力もみるとテーパー状に細く形成されている。この場合は，サブ縦壁 29VSとサブ横壁 29HSのいずれもがその高さが低くなる。

[0046] 図 18は，第 1の実施の形態における隔壁の変形例を示す平面図である。この例では，格子状の隔壁 29により画される単位発光領域じが，上の行と下の行とで半ピッチずれて配置されている。この場合でも，単位発光領域 Cの上の行と下の行の間には，横隔壁 29H— 2が形成され，その横隔壁 29H— 2のサブ縦壁 29VSの幅 W2が縦隔壁 29Vの幅 W1よりも細く形成され，それによりその高さが低く形成される。

[0047] 上記説明した本実施の形態では，単位発光領域を画する格子形状の隔壁にぉ、て，その横隔壁 29H— 2のサブ縦壁 29VSやサブ横壁 29HSなどの幅を細くして，高温焼成工程時に発生する熱収縮作用によりその高さを縦隔壁 29Vよりも低くするようにしている。いずれも非表示部分の隔壁を細くして高さを低くしている。ただし，高さを低くしているが，隔壁自体は存在しているので，隣接する単位発光領域間の放電の干渉は抑制可能である。

Claims

請求の範囲

[1] 一対の基板の対向空間に放電ガスが封入され，一対の基板に横方向に延びる複数の表示電極と縦方向に延びて前記表示電極と交差するアドレス電極とが設けられ，一方の基板上に単位発光領域を画する縦隔壁と横隔壁とからなる格子状の隔壁が設けられたプラズマディスプレイパネルであって，

前記隔壁が平面視のパターンにおいて第 1の幅力第 2の幅に部分的に細くなり更に第 1の幅に戻るパターンを有し，当該第 2の幅の部分の高さが前記第 1の幅の部分の高さよりも低いことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。

[2] 請求項 1において，前記第 2の幅の部分が，前記単位発光領域間の非発光領域に配置されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。

[3] 1対の基板の対向する空間に放電ガスを封入してなるプラズマディスプレイパネルにおいて，

前記 1対の基板に，横方向に延びる複数の表示電極と，縦方向に延びて前記表示電極と交差するアドレス電極とが設けられ，

前記 1対の基板の一方の基板上に，前記表示電極とアドレス電極とが交差する単位発光領域を画する縦隔壁と横隔壁とを有する格子状の隔壁が形成され，前記格子状の隔壁の横隔壁は，前記縦隔壁により連結されるとともに，平面視の内部に複数の空間を間欠的に有して 1対のサブ横壁とそれを連結するサブ縦壁とを有する梯子形状を有し，当該 1対のサブ横壁の高さが前記縦隔壁よりも低く，当該サブ縦壁の幅が前記縦隔壁の幅よりも狭く高さが部分的に低く形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。

[4] 請求項 2において，前記横隔壁の幅は前記縦隔壁の幅よりも大きいことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。

[5] 請求項 4において，前記サブ横壁の幅が前記縦隔壁の幅よりも狭く高さが部分的に低く形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。

[6] 請求項 4または 5において，

前記単位発光領域には 1対の表示電極と 1本のアドレス電極とが配置され，前記表示電極が透明電極と当該透明電極に接触するバス電極とで構成され，前記表示電極のバス電極が，前記横隔壁と重なるよう配置されて、ることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。

[7] 請求項 6において，縦方向に隣接する単位発光領域に配置された表示電極が共通化されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。

[8] 請求項 6において，縦方向に隣接する単位発光領域に配置された表示電極は電気的に分離されており，各単位発光領域毎に 1対の表示電極が配置されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。

[9] 1対の基板の対向する空間に放電ガスを封入してなるプラズマディスプレイパネルにおいて，

前記 1対の基板の一方の基板上に，前記表示電極とアドレス電極とが交差する単位発光領域を画する縦隔壁と横隔壁とを有する格子状の隔壁が形成され，

前記格子状の隔壁の横隔壁は，前記縦隔壁により連結されるとともに，平面視の内部に複数の空間を間欠的に有して 1対のサブ横壁とそれを連結するサブ縦壁とを有する梯子形状を有し，当該サブ縦壁の幅が前記縦隔壁の幅よりも狭く高さが部分的に低く形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。

[10] 請求項 9において，前記横隔壁の幅は前記縦隔壁の幅よりも大きく，当該 1対のサブ横壁の高さが前記縦隔壁よりも低いことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。

[11] 請求項 9において，前記縦隔壁の幅が前記サブ縦壁に近づくにつれて徐々に狭くなるように形成されてヽることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。