WO2008007535A1 - Procédé de montage, structure de montage, procédé de fabrication d'équipement électronique, équipement électronique, procédé de fabrication d'affichage à diode électroluminescente et affichage à diode électroluminescente - Google Patents

Procédé de montage, structure de montage, procédé de fabrication d'équipement électronique, équipement électronique, procédé de fabrication d'affichage à diode électroluminescente et affichage à diode électroluminescente Download PDF

Info

Publication number
WO2008007535A1
WO2008007535A1 PCT/JP2007/062724 JP2007062724W WO2008007535A1 WO 2008007535 A1 WO2008007535 A1 WO 2008007535A1 JP 2007062724 W JP2007062724 W JP 2007062724W WO 2008007535 A1 WO2008007535 A1 WO 2008007535A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
viscosity
mounting
emitting diode
light emitting
move
Prior art date
Application number
PCT/JP2007/062724
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Katsuhiro Tomoda
Masato Doi
Toshiya Takagishi
Toshiaki Kanemitsu
Original Assignee
Sony Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corporation filed Critical Sony Corporation
Priority to US12/373,479 priority Critical patent/US8101457B2/en
Priority to EP07767530.4A priority patent/EP2048704A4/en
Priority to CN2007800263132A priority patent/CN101490828B/zh
Publication of WO2008007535A1 publication Critical patent/WO2008007535A1/ja

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • H01L2224/26152—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/26175—Flow barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/27011—Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature
    • H01L2224/27013—Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature for holding or confining the layer connector, e.g. solder flow barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83009—Pre-treatment of the layer connector or the bonding area
    • H01L2224/83051—Forming additional members, e.g. dam structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8312—Aligning
    • H01L2224/83143—Passive alignment, i.e. self alignment, e.g. using surface energy, chemical reactions, thermal equilibrium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01055—Cesium [Cs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10349—Aluminium gallium indium phosphide [AlGaInP]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12043—Photo diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146—Mixed devices
    • H01L2924/1461—MEMS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H01L2924/15155—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device the shape of the recess being other than a cuboid
    • H01L2924/15156—Side view
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H01L2924/15155—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device the shape of the recess being other than a cuboid
    • H01L2924/15157—Top view
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
    • H05K3/305—Affixing by adhesive

Description

明 細 書
実装方法、実装構造体、電子機器の製造方法、電子機器、発光ダイォー ドディスプレイの製造方法および発光ダイオードディスプレイ
技術分野
[0001] この発明は、実装方法、実装構造体、電子機器の製造方法、電子機器、発光ダイ オードディスプレイの製造方法および発光ダイオードディスプレイに関する。
背景技術
[0002] ディスプレイの各画素の位置精度は、画面の均一性の観点から、一般に画素ピッ チの ιΖιοο程度が要求される。このため、発光ダイオードなどの自発光素子を基板 上に実装することにより製造されるディスプレイにおいては、画素ピッチの 1/100程 度の実装位置精度が要求される。例えば、対角 40インチのフル HD (High Definition )高精細フルカラーディスプレイにおいては、画面の水平方向の画素数が 1920、画 面の垂直方向の画素数が 1080であるから、画素ピッチは 0. 461mmとなり、要求実 装位置精度は ± 0. 005mm (5 z m)となる。この場合、実装する発光素子の個数は 1920 X 1080 X (—画素を構成するのに使用する赤 (R)緑 (G)青（B) 3色の発光素 子の数）で約 200万個 X (—画素を構成するのに使用する RGB3色の発光素子の数 )となるが、このような膨大な数の発光素子を 40インチの基板上に ± 0. 005mmの位 置精度で実装するためには、極めて高精度な実装装置の開発が必要である。また、 画面サイズよりも小さなサイズで発光素子アレイを形成し、それを基板上に位置をず らしながら順次実装すること、すなわちステップ実装することで大画面ディスプレイを 形成する場合、始めに形成する発光素子アレイのピッチずれの分だけさらに高い実 装位置精度が要求される。例えば、ピッチずれを ± 0. 002mmとした場合、実装位 置精度は ± 0. 003mmが要求され、実装装置のコストやスループットの観点から、 なりの困難が生じる。
[0003] なお、基盤上に凸部を設け、その上に液体接着剤を滴下して表面張力により半球 状態に濡れ広げ、さらに上に部材を設置することで、その部材に接触角の分布が等 しくなるような力が働き、整列され、そこに紫外線を照射することで部材を固定させる 複合素子の製造方法が提案されている（特開 2005— 14141号公報参照。）。しかし ながら、この特開 2005— 14141号公報には、粘度を制御することができる物質から なる物体保持層を形成し、この物体保持層の、物体の実装領域を含む第 1の部分の 粘度をこの物体が移動可能な粘度に制御し、かつ、この物体保持層の、第 1の部分 の外側の第 2の部分の粘度を物体が移動不可能な粘度に制御し、第 1の部分に物 体を実装した後、第 1の部分の粘度を物体が移動不可能な粘度に制御することを特 徴とするこの発明に関しては、何ら開示も示唆もされてレ、なレ、。
発明の開示
[0004] 上述の実装上の困難は、発光素子を実装する場合だけでなぐ一般に微小な物体 を μ mオーダーの位置精度で実装する場合全般に生じるものである。
そこで、この発明が解決しょうとする課題は、基板上に素子などの物体、特に微小 な物体を実装する場合に、容易にし力も確実に高い位置精度で実装することができ る実装方法およびそのような実装方法により物体が実装された実装構造体を提供す ることである。
この発明が解決しょうとする他の課題は、上記のような実装方法に基づく電子機器 の製造方法および電子機器を提供することである。
この発明が解決しょうとするさらに他の課題は、上記のような実装方法に基づく発光 ダイオードディスプレイの製造方法および発光ダイオードディスプレイを提供すること である。
[0005] 上記課題を解決するために、第 1の発明は、
粘度を制御することができる物質からなる物体保持層を基板上に形成する工程と、 上記物体保持層の、物体の実装領域を含む第 1の部分の粘度を上記物体が移動 可能な粘度に制御し、かつ、上記物体保持層の、上記第 1の部分の外側の第 2の部 分の粘度を上記物体が移動不可能な粘度に制御する工程と、
上記第 1の部分に少なくとも一つの物体を実装する工程と、
上記第 1の部分に上記物体を実装した後、上記第 1の部分の粘度を上記物体が移 動不可能な粘度に制御する工程とを有する
ことを特徴とする実装方法である。 [0006] 第 2の発明は、
粘度を制御することができる物質力 なる物体保持層を基板上に形成する工程と、 上記物体保持層の、物体の実装領域を含む第 1の部分の粘度を上記物体が移動 可能な粘度に制御し、かつ、上記物体保持層の、上記第 1の部分の外側の第 2の部 分の粘度を上記物体が移動不可能な粘度に制御する工程と、
上記第 1の部分に少なくとも一つの物体を実装する工程と、
上記第 1の部分に上記物体を実装した後、上記第 1の部分の粘度を上記物体が移 動不可能な粘度に制御する工程とを少なくとも実施することにより製造される ことを特徴とする実装構造体である。
[0007] 第 1および第 2の発明において、第 1の部分が物体が移動可能な粘度である状態 は、第 1の部分が物体が自然に移動可能な程度の流動性を有する状態に対応し、第 2の部分または第 1の部分が物体が移動不可能な粘度である状態は、第 2の部分ま たは第 1の部分が流動性をほとんど有しておらず（ほぼ硬化してレ、る）物体が自然に は移動不可能な状態に対応する。
[0008] 第 1の部分に実装する物体は典型的には一つである力 場合によっては複数の物 体を実装してもよぐこの場合、それらの物体は同種のものであっても異種のものであ つてもよい。第 1の部分に一つの物体を坦め込んで実装する場合を考えると、この第 1の部分が流動性を有するため、この物体の周囲の第 1の部分が盛り上がる。このと き、基板面内で見て、物体の重心が第 1の部分の重心からずれていると、この物体の 側面と接触する第 1の部分の表面張力の基板面に平行な成分の合力が物体に働く 。この合力は第 1の部分の重心を向いており、この合力が駆動力となって物体は自動 的に（自然に）この第 1の部分の重心に向かって移動し、これに伴レ、この合力は減少 する。基板面内で見て、物体の重心が第 1の部分の重心と一致した時点でこの合力 はゼロとなり、物体の移動は停止する。こうして、第 1の部分に物体を埋め込んで実装 するだけで、物体の重心を自動的に第 1の部分の重心に位置決めすることができる。 すなわち、物体を第 1の部分に対して自己整列化（セルファライメント）することができ る。この自己整列化をより短時間で行うためには、第 1の部分に物体を実装した後、 第 1の部分の粘度を物体が移動不可能な粘度に制御する前に、第 1の部分の粘度を 低くするのが有効である。また、この自己整列化をより有効に行うためには、第 1の部 分に物体を実装するとき、物体の側面 (端面）に対する第 1の部分の接触角は 90度 以下であるのが望ましぐ特に自己整列化をより短時間で行うために第 1の部分の粘 度を低くする場合には、この状態での物体の側面 (端面）に対する第 1の部分の接触 角が 90度以下であるのが望ましい。この自己整列化を促進するために、基板に超音 波振動などを加えるようにしてもよい。第 1の部分に複数の物体を坦め込んで実装す る場合は、各物体にその位置に応じて上記の合力が働き、各物体は自動的に（自然 に）この第 1の部分の重心の周りに配列する。この場合、これらの物体が互いに接触 して凝集状態となることもある。
[0009] 物体が移動可能であるときの第 1の部分の粘度は例えば 1〜： lOOOOPa' sであるが 、これに限定されるものではない。 自己整列化をより短時間で行うために第 1の部分 の粘度を低くする場合、低くしたときの粘度は例えば 0. 001〜： lOPa' sである力 こ れに限定されるものではない。参考までに挙げると、室温での水の粘度は 0. OOlPa •sでめる。
[0010] 典型的には、第 1の部分は第 2の部分により囲まれるように形成される。第 1の部分 に一つの物体を埋め込んで実装する場合、第 1の部分の重心に精度よく物体を位置 決めする観点より、好適には、第 1の部分の平面形状と物体の平面形状とを互いに 相似とする。第 1の部分の平面形状は、好適には回転対称であり、具体的には、円形 や正多角形 (正三角形、正方形、正五角形、正六角形など)あるいはこれらを変形し た形状などである。第 1の部分の平面形状は必ずしも回転対称である必要はなぐ線 対称や点対称であってもよぐさらには対称性を有していなくてもよい。
[0011] 図 1は、粘度を制御することができる物質からなる物体保持層を基板上に形成し、こ の物体保持層の、物体の実装領域を含む第 1の部分の粘度を物体が移動可能な粘 度に制御し、かつ、この物体保持層の、第 1の部分の外側の第 2の部分の粘度を物 体が移動不可能な粘度に制御し、第 1の部分に少なくとも一つの物体を埋め込んで 実装した状態を示す。最初に形成する物体保持層の厚さを tlとする。第 1の部分の 面積を Sl、物体の底面の面積を S2、物体の高さを t2、物体を第 1の部分に実装した 後の物体の底面と物体保持層の表面との高さの差を dと表す。このとき、第 1の部分 の表面張力により物体を第 1の部分の重心に向かって移動させるのに必要十分な大 きさの力が働くようにする観点より、好適には 1く S1/S2く 100、より好適には 1 < S 1/S2< 10、さらに好適には K S1/S2く 5とする。図 2に示すように、第 1の部分 に埋め込まれた部分の物体の体積は S2 ' dであり、物体が第 1の部分を排除すること により物体の周囲の第 1の部分が盛り上がった部分の体積も S2 ' dである。図 3にお いて点線で示す領域の体積は（S1— S2) . (t2-d)と表されるが、第 1の部分の表面 張力により物体を第 1の部分の重心に向かって移動させるのに必要十分な大きさの 力が働くようにする観点より、好適には（S1— S2) · (t2-d) > S2 ' dであり、変形する と Sl ' d< (S1 -S2) -t2である。
粘度を制御することができる物質力 なる物体保持層は、光（特に紫外線など）、放 射線 (X線など）、電子線などを照射したり、熱、圧力、電界、磁界などを加えたりする ことを始めとした何らかの方法により粘度を制御することができる限り、基本的にはど のようなものであってもよぐ材質を問わないが、容易に形成することができ、し力も容 易に粘度を制御することができるものは例えば樹脂層、取り分け感光性樹脂、熱硬 化性樹脂または熱可塑性樹脂からなるものである。感光性樹脂としては従来公知の ものを用いることができ、具体的には、例えば、ポリケィ皮酸ビエルやポリビニルアジド ベンザノレなどの光架橋反応により露光部が難溶性となり、あるいは、アクリルアミドな どの光重合反応により露光部が難溶性となるネガ型のもの、 o—キノンジアジドノボラ ック榭脂のようなキノンジアジド基が光分解によりカルボン酸を生じて易溶性となるポ ジ型のものなどを用いることができる。熱硬化性樹脂としても従来公知のものを用いる ことができ、具体的には、例えば、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、ユリア樹脂、メラミ ン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミドなどを用いることができ る。熱可塑性樹脂としても従来公知のものを用いることができ、具体的には、例えば、 ポリエチレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビュル、ポリアミドなどを用いることができる。例 えば、感光性樹脂からなる樹脂層を用いる場合、この樹脂層を流動性を有する状態 で形成した後、第 2の部分に選択的に光を照射することによりこの第 2の部分を硬化 させること力 Sできる。また、熱硬化性樹脂からなる樹脂層を用いる場合、この樹脂層を 流動性を有する状態で形成した後、光の照射などにより第 2の部分を選択的に加熱 することによりこの第 2の部分を硬化させることができる。さらに、熱可塑性樹脂からな る樹脂層を用いる場合、この樹脂層を流動性を有していない状態で形成した後、光 の照射などにより第 1の部分を選択的に加熱することによりこの第 1の部分を融解し、 流動性を持たせることができる。粘度を制御することができる物質は、上記のもののほ かに、例えば、感圧性樹脂層（例えば、アクリル系のもの）、金属（単体金属および合 金）、ガラスなどであってもよい。
[0013] 第 1の部分に実装する物体は、基本的にはどのようなものであってもよぐ形状、大 きさ、材質、機能、用途などを問わず、生物、非生物も問わないが、典型的には、何ら 力、の機能または用途を有する素子である。素子は、具体的には、例えば、発光素子（ 発光ダイオード、半導体レーザ、エレクト口ルミネッセンス (EL)素子など）、受光素子 (フォトダイオード、 CCDセンサ、 MOSセンサなど）、電子素子（ICチップなど）などで ある。この素子は、半導体素子 (発光素子、受光素子、電子走行素子など）のほか、 圧電素子、焦電素子、光学素子 (非線形光学結晶を用いる第 2次高調波発生素子な ど）、誘電体素子（強誘電体素子を含む）、超伝導素子などの各種のものを含む。第 1の部分に実装する物体は、例えば、光エンコーダなどの各種の MEMS (Micro Ele ctro Mechanical Systems)に用レヽる微小な部品または要素であってもよレヽ。この物体 または素子の大きさ（チップサイズ)も特に制限されない。この物体または素子は、典 型的には微小なものであり、具体的には例えば lmm以下あるいは例えば 300 μ m 以下あるいは例えば 100 μ ΐη以下の大きさのものである力 これに限定されるもので はない。
基板上に実装する物体は、一つまたは複数であり、基板の用途や機能などに応じ てその数、種類、配置、間隔などが決められる。
[0014] 基板上に複数の物体を実装する場合には、これらの物体の配置に対応する配置で 物体保持層に第 1の部分を形成する。この場合、第 1の部分の間の距離は、例えば、 物体保持層の厚さの 0. 1倍以上とするのが望ましい。これらの物体の配置、したがつ て第 1の部分の配置は規則的であっても不規則であってもよい。例えば、複数の第 1 の部分が一組となり、これが周期的に繰り返されるようにしてもよい。この場合、各組 の複数の第 1の部分には、互いに異なる物体または素子を実装してもよいし、同一の 物体または素子を実装してもよい。具体的には、例えば、基板上に赤色発光の発光 ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞ れ複数実装してディスプレイなどを製造する場合には、例えば三つの第 1の部分が 一組となり、これが周期的に繰り返されるようにする。この場合、各組の三つの第 1の 部分に、それぞれ赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青 色発光の発光ダイオードを実装する。
[0015] また、基板上に実装する全ての物体を個別に第 1の部分に実装した後にこれらの 物体を一括して自己整列化してもよいし、基板上に実装する全ての物体を一括して 第 1の部分に実装した後にこれらの物体を一括して自己整列化してもよいし、基板上 に実装する全ての物体を複数回に分けて繰り返し実装 (ステップ実装またはステップ 転写）した後にこれらの物体を一括して自己整列化してもよいし、基板上に実装する 複数種類の物体を第 1の部分に実装した後にこれらの物体を一括して自己整列化し てもよい。
[0016] 必要に応じて、第 1の部分に物体を実装し、第 1の部分の粘度を物体が移動不可 能な粘度に制御した後に、第 1の部分の少なくとも物体を含む領域の粘度を物体が 移動可能な粘度に制御する工程を実施するようにしてもよい。こうすることで、例えば 何らかの原因で実装完了後の物体の位置が実装予定位置からずれていることが判 明した場合、この位置を微調整することができ、実装予定位置に精度よく位置決めす ること力 Sできる。この場合、第 1の部分のうちの粘度を物体が移動可能な粘度に制御 する領域は、物体を実装予定位置に移動させる力が発生するように選ばれる。
[0017] さらに、必要に応じて、粘度を制御することができる物質からなる物体保持層の第 1 の部分に物体を実装し、第 1の部分の粘度を物体が移動不可能な粘度に制御する 工程を実施した後、その上に粘度を制御することができる物質からなる物体保持層を 再度形成し、この物体保持層の第 1の部分に物体を実装し、第 1の部分の粘度を物 体が移動不可能な粘度に制御する工程を繰り返し実施するようにしてもよい。こうす ることで、物体を立体的に実装することができる。
実装構造体は、基本的にはどのような用途や機能を有するものであってもよいが、 例えば、発光ダイオードディスプレイ、発光ダイオードバックライト、発光ダイオード照 明装置、 ELディスプレイ、電子機器などである。
[0018] 第 3の発明は、
粘度を制御することができる物質力 なる素子保持層を基板上に形成する工程と、 上記素子保持層の、素子の実装領域を含む第 1の部分の粘度を上記素子が移動 可能な粘度に制御し、かつ、上記素子保持層の、上記第 1の部分の外側の第 2の部 分の粘度を上記素子が移動不可能な粘度に制御する工程と、
上記第 1の部分に少なくとも一つの素子を実装する工程と、
上記第 1の部分に上記素子を実装した後、上記第 1の部分の粘度を上記素子が移 動不可能な粘度に制御する工程とを有する
ことを特徴とする電子機器の製造方法である。
[0019] 第 4の発明は、
粘度を制御することができる物質からなる素子保持層を基板上に形成する工程と、 上記素子保持層の、素子の実装領域を含む第 1の部分の粘度を上記素子が移動 可能な粘度に制御し、かつ、上記素子保持層の、上記第 1の部分の外側の第 2の部 分の粘度を上記素子が移動不可能な粘度に制御する工程と、
上記第 1の部分に少なくとも一つの素子を実装する工程と、
上記第 1の部分に上記素子を実装した後、上記第 1の部分の粘度を上記素子が移 動不可能な粘度に制御する工程とを少なくとも実施することにより製造される ことを特徴とする電子機器である。
[0020] 電子機器は、基本的にはどのようなものであってもよぐ携帯型のものと据え置き型 のものとの双方を含み、具体例を挙げると、携帯電話、モパイル機器、ロボット、パー ソナルコンピュータ、車載機器、各種家庭電気製品などである。
第 3および第 4の発明においては、上記以外のことについては、その性質に反しな い限り、物体保持層、物体の実装領域および物体をそれぞれ素子保持層、素子の 実装領域および素子と読み替えて、第 1および第 2の発明に関連して説明したことが 成立する。
[0021] 第 5の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダ ィオードが基板上にそれぞれ複数実装された発光ダイオードディスプレイの製造方 法にぉレ、て、 粘度を制御することができる物質からなる素子保持層を上記基板上に 形成する工程と、 上記素子保持層の、発光ダイオードの実装領域を含む第 1の部 分の粘度を上記発光ダイオードが移動可能な粘度に制御し、かつ、上記素子保持 層の、上記第 1の部分の外側の第 2の部分の粘度を上記発光ダイオードが移動不可 能な粘度に制御する工程と、
上記第 1の部分に少なくとも一つの発光ダイオードを実装する工程と、 上記第 1の部分に上記発光ダイオードを実装した後、上記第 1の部分の粘度を上 記発光ダイオードが移動不可能な粘度に制御する工程とを有する
ことを特徴とする発光ダイオードディスプレイの製造方法である。
[0022] 第 6の発明は、
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダ ィオードが基板上にそれぞれ複数実装された発光ダイオードディスプレイにおいて、 粘度を制御することができる物質からなる素子保持層を上記基板上に形成するェ 程と、
上記素子保持層の、発光ダイオードの実装領域を含む第 1の部分の粘度を上記発 光ダイオードが移動可能な粘度に制御し、かつ、上記素子保持層の、上記第 1の部 分の外側の第 2の部分の粘度を上記発光ダイオードが移動不可能な粘度に制御す る工程と、
上記第 1の部分に少なくとも一つの発光ダイオードを実装する工程と、 上記第 1の部分に上記発光ダイオードを実装した後、上記第 1の部分の粘度を上 記発光ダイオードが移動不可能な粘度に制御する工程とを少なくとも実施することに より製造される
ことを特徴とする発光ダイオードディスプレイである。
[0023] 第 5および第 6の発明においては、赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダ ィオードおよび青色発光の発光ダイオードとしては、例えば、窒化物系 III—V族化合 物半導体を用いたものを用いることができる。赤色発光の発光ダイオードとしては、例 えば、 AlGalnP系半導体を用いたものを用いることもできる。 第 5および第 6の発明においては、上記以外のことについては、その性質に反しな い限り、物体保持層、物体の実装領域および物体をそれぞれ素子保持層、発光ダイ オードの実装領域および発光ダイオードと読み替えて、第 1および第 2の発明に関連 して説明したことが成立する。
[0024] 上述のように構成されたこの発明においては、第 1の部分に物体を実装したとき、こ の物体の重心が基板面内で見たときに第 1の部分の重心からずれていると、第 1の部 分の表面張力の基板面に平行な成分の合力が物体に働き、これが駆動力となって 物体が第 1の部分の重心に向かって移動する。この力は、物体の重心が第 1の部分 の重心に近づくにつれて徐々に小さくなり、物体の重心が第 1の部分の重心に一致 した時点でゼロとなる。こうして、第 1の部分に物体を実装するだけで、物体を自動的 に第 1の部分の重心に精度よく位置決めすることができる。すなわち、物体を第 1の 部分に対して自己整列化させることができる。
図面の簡単な説明
[0025] [図 1]この発明による実装方法を説明するための断面図である。
[図 2]この発明による実装方法を説明するための断面図である。
[図 3]この発明による実装方法を説明するための断面図である。
[図 4]この発明の第 1の実施形態による実装方法を説明するための断面図である。
[図 5]この発明の第 1の実施形態による実装方法を説明するための断面図および平 面図である。
[図 6]この発明の第 1の実施形態による実装方法を説明するための断面図および平 面図である。
[図 7]この発明の第 1の実施形態による実装方法を説明するための断面図および平 面図である。
[図 8]この発明の第 1の実施形態による実装方法において感光性樹脂層にマイクロ発 光ダイオードを実装した状態およびその後にマイクロ発光ダイオードが自己整列化し た状態を示す図面代用写真である。
[図 9]この発明の第 2の実施形態においてステップ転写により感光性樹脂層にマイク 口発光ダイオードを実装した状態およびその後にマイクロ発光ダイオードが自己整列 化した状態を示す平面図である。
[図 10]この発明の第 3の実施形態によるマイクロ発光ダイオードを示す断面図である
[図 11]この発明の第 4の実施形態による素子の実装方法を説明するための断面図で ある。
[図 12]この発明の第 4の実施形態による素子の実装方法を説明するための断面図で ある。
[図 13]この発明の第 4の実施形態による素子の実装方法を説明するための断面図で ある。
発明を実施するための最良の形態
[0026] 以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、実施形 態の全図において、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
まず、この発明の第 1の実施形態による素子の実装方法について説明する。
図 4〜図 7はこの第 1の実施形態による素子の実装方法を示す。
この第 1の実施形態においては、図 4に示すように、まず、基板 11上に、粘度を制 御することができる物質からなる素子保持層 12を形成する。この素子保持層 12はど のような方法により形成してもよいが、具体的には、例えば、塗布 (スピンコートなど）、 印刷（コンタクトプリント法、インプリント法、スクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット 印刷など）などにより形成することができる。この素子保持層 12は、例えば感光性樹 脂や熱硬化性樹脂などからなるが、これに限定されるものではない。形成直後の素 子保持層 12は未硬化の状態にあり、この素子保持層 12に素子を坦め込んで実装し たときにこの素子が移動することが可能な程度の低い粘度を有し、流動性を有する。
[0027] 次に、図 5 (A)に示すよう、素子保持層 12の、素子の実装領域を含む第 1の部分 1 2aの粘度を実装する素子が自然に移動可能な粘度に制御し、かつ、素子保持層 12 の、第 1の部分 12aの外側の第 2の部分 12bを選択的に硬化させることで素子が自然 には移動不可能な粘度に制御する。この硬化は、例えば、素子保持層 12が感光性 樹脂からなる場合には、使用する感光性樹脂に応じた露光条件で第 2の部分 12bに 紫外線などの光や電子線などを選択的に照射して感光させることにより行うことがで き、素子保持層 12が熱硬化性樹脂からなる場合には、使用する熱硬化性樹脂に応 じた露光条件で第 2の部分 12bに紫外線などの光や電子線などを選択的に照射して 硬化温度以上の温度に加熱することにより行うことができる。図 5 (B)にこの状態の平 面図を示す。図 5 (B)に示すように、この場合、第 1の部分 12aの平面形状は円形で ある。図 5では、第 1の部分 12aがーつだけ図示されているが、素子を複数実装する 場合には、第 1の部分 12aも複数形成される。
[0028] 次に、図 6 (A)に示すように、円柱形状の素子 13を素子保持層 12の第 1の部分 12 aに坦め込んで実装する。図 6 (B)にこの状態の平面図を示す。この素子 13は第 1の 部分 12aの範囲内に実装すればよぐこのときの実装精度は低くても問題ない。ここ では、素子 13の重心 C が第 1の部分 12aの重心 Cに対して Δだけずれているものと
1 0
する。第 1の部分 12aに素子 13が実装されると、素子 13の重心 C が第 1の部分 12a
1
の重心 Cに対してずれていることを反映して、第 1の部分 12aの表面張力の基板面
0
に平行な成分が素子 13の重心 C に対して非対称な分布となる結果、この表面張力
1
の基板面に平行な成分の合力 Fが素子 13に働き、この素子 13が第 1の部分 12aの 重心 Cに向かって徐々に移動する。この合力 Fは、素子 13の重心 C が第 1の部分 1
0 1
2aの重心 Cに近づくにつれて徐々に小さくなり、素子 13の重心 C が第 1の部分 12
0 1
aの重心 Cと一致した時点でゼロとなり、素子 13の移動が停止する。こうして一定時
0
間経過後には、図 7に示すように、素子 13の重心 C が第 1の部分 12aの重心 Cと一
1 0 致する。すなわち、素子 13が第 1の部分 12aの重心 Cに自己整列化する。素子 13
0
の重心 C が第 1の部分 12aの重心 Cと一致するまでに要する時間は、第 1の部分 1
1 0
2aの粘度、第 1の部分 12aの表面張力の基板面に平行な成分の合力の大きさ、実 装時の素子 13の重心 C と第 1の部分 12aの重心 Cとのずれの大きさ Δ、素子 13の
1 0
質量、第 1の部分 12aの温度などによって決まる。この時間を短くするためには、好適 には、基板 11を適度な温度に加熱することにより、第 2の部分 l ibが硬化した状態を 保存したまま、第 1の部分 12aの粘度を低くし、素子 13がより移動しやすいようにすれ ばよい。
[0029] 上述のようにして素子 13が第 1の部分 12aの重心 Cに位置決めされた状態で、第 1
0
の部分 12aを硬化させる。この硬化は、例えば、素子保持層 12が感光性樹脂からな る場合には、第 1の部分 12aに光を照射して感光させることにより行うことができ、素 子保持層 12が熱硬化性樹脂からなる場合には、第 1の部分 12aに光を照射して硬 化温度以上の温度に加熱することにより行うことができる。この結果、素子 13が、硬化 後の第 1の部分 12aの重心 Cに強固に固定された状態となり、実装が完了する。
0
以上のように、この第 1の実施形態によれば、素子 13を第 1の部分 12aの重心 Cに
0 自動的に、容易にし力、も高い位置精度で自己整列化させることができる。そして、例 えば、完成時の素子 13に要求される位置精度が ± 1. 5 z mだとしても、素子 13の最 初の実装位置精度は ± 7 z mと低くても構わないため、素子 13を同一基板上に多数 形成する際の形成位置精度や実装装置の実装位置精度が低くて済み、プロセスコス トの低減による素子 13の製造コストの低減や実装装置のコストの低減を図ることがで きる。また、基板 11上に素子 13を複数実装する場合、これらの素子 13を例えば未硬 化の樹脂などの未硬化の状態の素子保持層 12に埋め込んで実装すると、これらの 素子 13は相互に凝集する性質を持っため、素子 13の位置精度は実装装置の実装 位置精度よりもさらに悪くなるおそれがあるのに対し、この第 1の実施形態では、素子 保持層 12の未硬化の状態の第 1の部分 12aに一つの素子 13を坦め込んで実装す るようにしてレ、ることにより、素子 13の凝集を本質的に防止することができる。
〈実施例〉
基板 11としてガラス基板を用い、このガラス基板上に以下のようにして、素子 13とし て直径 20 / m、高さ 12 / mの円柱形状のマイクロ発光ダイオードを実装した。
まず、このガラス基板上の所定の位置に、あらかじめ薄膜金属などによりァライメント マークを形成する。
次に、このガラス基板上に、素子保持層 12として厚さ 3. 5 z mの感光性樹脂層をス ピンコートにより塗布形成した。
次に、ガラス基板上の感光性樹脂層に対し、露光装置、例えばコンタクトァライナや ステツパ（縮小投影露光装置)などにより、上記のァライメントマークを基準として 150 μ m X 150 μ mピッチで直径 30 μ mの領域（第 1の部分 12a)以外の領域に紫外線 を照射し、感光性樹脂層を感光させる。このときのァライメントマークに対する位置精 度は ± l x mである。こうして、直径 30 x mの円形の第 1の部分 12aの外側の第 2の 部分 12bを硬化させた (仮硬化）。
[0031] 一方、以下のようにしてマイクロ発光ダイオードを形成した。まず、従来公知の技術 により、サファイア基板上に発光ダイオード構造を形成する n型 GaN層、活性層およ び p型 GaN層を順次成長させた後、これらの層を円錐台形状にパターニングし、さら に P側電極や端面保護層などを形成してマイクロ発光ダイオードアレイを形成する。 次に、 p側電極側を別の基板上に仮接着剤層を介して固定したり、サファイア基板の 裏面側から例えばエキシマーレーザなどによるレーザビームを選択的に照射したり するなどの工程を含む従来公知のレーザ選択転写法により、微粘着シリコーンゴムを 形成した中継基板上に 150 μ ηι Χ 150 μ mピッチで実装した（例えば、特開 2002— 311858号公報、特開 2002— 314052号公報、特開 2004— 273596号公報、特 開 2004— 281630号公報など参照。）。各マイクロ発光ダイオードは直径 20 μ m、 高さ 12 μ mの円柱形状を有する。この実装時のマイクロ発光ダイオードの相対位置 精度は ± 2 μ ΐηである。
[0032] 次に、ガラス基板上に形成されたァライメントマークを基準に、中継基板からマイク 口発光ダイオードを、ガラス基板上の感光性樹脂層の直径 30 β mの円形の第 1の部 分 12aに坦め込んで実装した。このときのァライメントマークに対する実装位置精度 は ± 7 μ ΐηである。この状態では、この第 1の部分 12aの粘度は 1〜： lOOOOPa ' s程度 と低ぐ十分な流動性を有していた。この状態の光学顕微鏡写真を図 8 (A)に示す。 図 8 (A)中、未硬化エリア φ 30 μ mと記載されてレ、る円形の部分が第 1の部分 12aで あり、 LED φ 20 μ ΐηと記載されている円形のものがマイクロ発光ダイオードである。 図 8 (A)から分かるように、マイクロ発光ダイオードの重心は、第 1の部分 12aの重心 力、らかなりずれている。
[0033] 次に、第 1の部分 12aにマイクロ発光ダイオードが実装されたガラス基板を 80°Cに 加熱した。この加熱により、第 2の部分 12bが硬化した状態が保存されたまま、第 1の 部分 12aの粘度が 0. 001〜： lOPa ' sと大幅に低下し、流動性が大幅に増大した。こ のとき、第 1の部分 12aに実装されたマイクロ発光ダイオードは第 1の部分 12aの重心 に向かって移動し、 80°Cに加熱し始めてから 3分間経過後には、マイクロ発光ダイォ ードの重心は第 1の部分 12aの重心にほぼ一致した。こうして、位置精度 ± 7 x mで あったものが、 ± 1. 5 μ ΐηにまで自己整列化された。この状態の光学顕微鏡写真を 図 8 (B)に示す。
この後、感光性樹脂層を紫外線により全面露光し、第 1の部分 12aおよび第 2の部 分 12bとも十分に硬化させた。こうして、マイクロ発光ダイオードが第 1の部分 12aに 強固に固定された状態となった。
[0034] 次に、この発明の第 2の実施形態について説明する。
この第 2の実施形態においては、第 1の実施形態による実装方法を用いて、赤色発 光のマイクロ発光ダイオード、緑色発光のマイクロ発光ダイオードおよび緑色発光の マイクロ発光ダイオードを基板 1 1上に実装することによりマイクロ発光ダイオードディ スプレイを製造する方法にっレ、て説明する。
[0035] まず、ガラス基板などの透明な基板 1 1上の所定の位置に、あらかじめ薄膜金属な どによりァライメントマークを形成する。
次に、この基板 1 1上に、粘度を制御することができる物質からなる素子保持層 12と して感光性樹脂層をスピンコートなどにより形成する。この感光性樹脂層の厚さは例 えば 3. 5 i mとする。
次に、露光装置、例えばコンタクトァライナゃステツパなどにより、上記のァライメント マークを基準として 150 μ ηι Χ δΟ μ mピッチで直径 35 μ mの領域（第 1の部分 12a) 以外の領域に紫外線を照射し、感光性樹脂層を感光させる。このときのァライメントマ ークに対する位置精度は ± 1 μ mである。
[0036] 次に、レーザ選択転写などにより、微粘着シリコーンゴムを形成した中継基板上に 直径 20 /i m、高さ 12 μ mの円柱形状のマイクロ発光ダイオードを 150 /i m X 150 μ mピッチで実装する。このときのマイクロ発光ダイオードの相対位置精度は ± 2 μ mで ある。こうして、一枚の中継基板上に、 160 X 120 = 19200個の各色のマイクロ発光 ダイオードが実装されるようにする。このような中継基板を RGBのマイクロ発光ダイォ ードが実装されたものとして各色 16枚ずつ準備する。
次に、基板 1 1上のァライメントマークを基準に、中継基板からマイクロ発光ダイォー ドを、ガラス基板上の感光性樹脂層の直径 35 x mの円形の第 1の部分 12aに坦め込 んで実装（転写）した。このときのァライメントマークに対する実装位置精度は ± 7 μ m である。この状態では、この第 1の部分 12aの粘度は 1〜： lOOOOPa' s程度と低ぐ十 分な流動性を有してレ、た。この転写を感光性樹脂層上の位置をずらしながら 4 X 4枚 の中継基板を用いて繰り返し行い（ステップ転写）、さらに RGBの 3色のマイクロ発光 ダイオードについて繰り返し行う。この状態の基板 11の一部を図 9 (A)に示す。図 9 ( A)において、符号 30が赤色発光のマイクロ発光ダイオード、符号 40が緑色発光の マイクロ発光ダイオード、符号 50が青色発光のマイクロ発光ダイオードを示す。
[0037] 次に、上述のようにして第 1の部分 12aにマイクロ発光ダイオードが実装されたガラ ス基板を 80°Cに加熱する。この加熱により、第 2の部分 12bが硬化した状態が保存さ れたまま、第 1の部分 12aの粘度が 0. 001〜： lOPa' sと大幅に低下し、流動性が大 幅に増大する。このとき、第 1の部分 12aに実装されたマイクロ発光ダイオードは第 1 の部分 12aの重心に向かって移動し、 80°Cに加熱してから 3分間経過後には、マイ クロ発光ダイオードの重心は第 1の部分 12aの重心にほぼ一致する。こうして、位置 精度 ± 7 /i mであったものが、 ± 1. 5 /i mにまで自己整歹 IJィ匕された。また、この時点 でステップ転写境界も消失する。この状態を図 9 (B)に示す。
次に、感光性樹脂層を紫外線により全面露光し、第 1の部分 12aおよび第 2の部分 12bとも十分に硬化させる。こうして、マイクロ発光ダイオードが第 1の部分 12aに強固 に固定された状態とする。
次に、各マイクロ発光ダイオードに配線を施し、駆動用 ICと接続する。
以上により、画素ピッチ 150 /i m、マイクロ発光ダイオードの位置精度 ± 1. 5 m、 画素数 640 X RGB X 480の対角 4. 7インチのパッシブ型マイクロ発光ダイオードデ イスプレイを製造することができる。
[0038] この第 2の実施形態によれば、第 1の実施形態と同様に、基板 11上に赤色発光の マイクロ発光ダイオード 30、緑色発光のマイクロ発光ダイオード 40および青色発光 のマイクロ発光ダイオード 50を容易にし力、も高い位置精度で配列することができるの で、ディスプレイ画面の均一性の向上を図ることができる。また、ステップ転写により、 マイクロ発光ダイオード 30、 40、 50を形成するサファイア基板などの成長基板のサイ ズよりも大きなサイズのマイクロ発光ダイオードディスプレイを製造する際に、そのステ ップ転写境界を消失させることができるので、これによつてもディスプレイ画面の均一 性の向上を図ることができる。そして、例えば、ディスプレイの完成時のマイクロ発光 ダイオード 30、 40、 50に要求される位置精度が ± 1. 5 /i mだとしても、これらのマイ クロ発光ダイオード 30、 40、 50の最初の実装位置精度は ± 7 / mと低くても構わな いため、これらのマイクロ発光ダイオード 30、 40、 50を同一基板上に多数形成する 際の形成位置精度や実装装置の実装位置精度が低くて済み、プロセスコストの低減 によるマイクロ発光ダイオード 30、 40、 50の製造コストの低減や実装装置のコストの 低減を図ることができ、ひレ、てはマイクロ発光ダイオードディスプレイの製造コストの 低減を図ることができる。
[0039] 次に、この発明の第 3の実施形態について説明する。この第 3の実施形態において は、第 2の実施形態によるマイクロ発光ダイオードディスプレイに用いて好適なマイク 口発光ダイオードにつレ、て説明する。
図 10はこのマイクロ発光ダイオードを示す。
図 10に示すように、このマイクロ発光ダイオードにおいては、 n型半導体層 61、そ の上の活性層 62およびその上の p型半導体層 63により発光ダイオード構造が形成 されている。これらの n型半導体層 61、活性層 62および p型半導体層 63は全体とし て例えば円形の平面形状を有し、その端面 (側面） 64は n型半導体層 61の下面に対 して角度 Θ傾斜している。これらの n型半導体層 61、活性層 62および p型半導体層 6 3の直径方向の断面形状は、台形（Θく 90度）、長方形（Θ = 90度）または逆台形（ Θ > 90度）であり、 p型半導体層 63上には、例えば円形の p側電極 65が形成されて いる。 n型半導体層 61の下面の一部には例えば円形の n側電極 66が形成されてい る。 n型半導体層 61の下面の n側電極 66の周りには透明絶縁層 67が形成されてい る。 n側電極 66および透明絶縁層 67から端面 64の途中の高さまで、この端面 64を 覆うように絶縁層 68が形成されている。この絶縁層 68の上には p側電極 65よりも高 い位置まで絶縁層 69が形成されている。 p側電極 65の上の部分の絶縁層 69にはコ ンタクトビァ 70が形成されている。このコンタクトビア 70は p側電極 65に配線をコンタ タトさせるためのものである。
[0040] n型半導体層 61、活性層 62および p型半導体層 63に用いる半導体は必要に応じ て選択されるが、具体的には、例えば、 GaN系半導体、 AlGalnP系半導体などであ る。
このマイクロ発光ダイオードが例えば GaN系発光ダイオードである場合、その各部 の寸法、材料などの具体例を挙げると次のとおりである。 n型半導体層 61は n型 GaN 層でその厚さは例えば 2600nm、活性層 62の厚さは例えば 200nm、 p型半導体層 63は p型 GaN層でその厚さは例えば 200nmである。活性層 62は、例えば、 InGaN 井戸層と GaN障壁層とからなる多重量子井戸（MQW)構造を有し、 InGaN井戸層 の In組成は、この GaN系発光ダイオードが青色発光である場合は例えば 0. 17、緑 色発光である場合は例えば 0. 25である。発光ダイオード構造の最大径、すなわち n 型 GaN層 61の下面の直径を aとすると、 aは例えば 20 μ mである。上記のように n型 半導体層 61としての n型 GaN層 61の厚さ力 S2600nm、活性層 62および p型半導体 層 63としての p型 GaN層の厚さがそれぞれ 200nmである場合、この発光ダイオード 構造の全体の厚さは 2600 + 200 + 200 = 3000應= 3〃111である。この場合、発光 ダイオード構造のアスペクト比は、この発光ダイオード構造の全体の厚さ（高さ）を bと すると、 b/a = 3/20 = 0. 15である。 Θは例えば 50度である。 p側電極 65は例え ば Ag/Pt/Au構造の金属多層膜からなり、 Ag膜の厚さは例えば 50nm、 Pt膜の 厚さは例えば 50nm、 Au膜の厚さは例えば 2000nmである。 p側電極 65は Agの単 層膜からなるものであってもよレ、。 n側電極 66は例えば Ti/Pt/Au構造の金属積 層膜からなり、 Ti膜および Pt膜の厚さは例えばそれぞれ 50nm、 Au膜の厚さは例え ば 2000nmである。
このマイクロ発光ダイオードにおいては、動作時に活性層 62から発生する光は、端 面 64で反射されて n型半導体層 61の下面から外部に取り出され、あるいは、直接 n 型半導体層 61の下面に向かってそのまま外部に取り出される。
この第 3の実施形態によれば、次のような種々の利点を得ることができる。すなわち 、第 2の実施形態で説明したように、マイクロ発光ダイオードを高い位置精度で配列 することができることにより、位置ずれに対してマイクロ発光ダイオードに施す様々な 対策工程を省くことができる。
具体的には、従来は、例えば、第 2の実施形態による実装方法を用いずに実装装 置の精度などを高めることで ± 5 x mの位置精度を実現していたが、第 2の実施形態 では ± 1 · 5 μ ΐηの位置精度を実現することができるため、マイクロ発光ダイオードの 構成および製造方法を大幅に簡略化することができる。具体的には、位置精度 ± 5 β mの場合、マイクロ発光ダイオードの位置ずれに伴う光取り出し効率のばらつきを 抑制するために、発光面側の n側電極 66の配線に ITOインクなどによる透明電極を 用いる必要があるのに対し、この第 3の実施形態では位置精度を ± 1. とするこ とができるため、 n側電極 66の配線に形成が容易な金属配線を用いても取り出し効 率のばらつきを許容範囲内に収めることができる。すなわち、 n側電極 66の配線に IT Oインクなどによる透明電極を用いる必要がないため、 n側電極 66の配線を容易に 形成すること力 Sできる。
[0042] また、従来は、 n型半導体層 61、活性層 62および p型半導体層 63の端面 64を保 護するためにこの端面 64を樹脂層により覆っていたが、この樹脂層と端面 64との密 着性が悪いため、この樹脂層と端面 64との界面が露出した状態で p側電極 65および n側電極 66に配線を施すと、ショートやその他の不良が発生する要因となる。したが つて、従来は、例えば、端面 64の全体を覆い、さらに p側電極 65も覆う程度に厚く榭 脂層を形成し、この樹脂層に、配線をコンタクトさせるためのコンタクトビアもしくはそ れに類するものを形成することで、樹脂層と端面 64との界面が露出しないようにする 必要があった。その際、マイクロ発光ダイオードの位置精度が ± 5 / mの場合、樹脂 層と端面 64との界面が露出しないようにするためには、例えば、コンタクトビアの位置 ずれは ± 2 μ ΐη、コンタクトビア径は 6 μ ΐη以下という厳しい制約が生じてしまう。これ に対し、この第 3の実施形態によれば、例えば、マイクロ発光ダイオードの位置精度 が ± 1 · 5 mの場合、例えば、コンタクトビアの位置ずれ ± 3 m、コンタクトビア径 は 1 1 μ m以下という設計が可能になり、設計が極めて容易になる。
[0043] 上述のようにマイクロ発光ダイオードの位置精度が ± 5 μ mの場合に、位置ずれ ± 2 z m、ビア径 6 z m以下でコンタクトビアを形成することは困難であるため、それに代 わる構造として、 p側電極 65上にバンプを形成する必要があった。これに対し、この 第 3の実施形態によれば、例えば、マイクロ発光ダイオードの位置精度を ± 1. 5 u m とすることができることにより、コンタクトビアを容易に形成することができるため、この バンプ形成工程を削減できる。 [0044] 次に、この発明の第 4の実施形態による素子の実装方法について説明する。
図 11〜図 13はこの第 4の実施形態による素子の実装方法を示す。
この第 4の実施形態においては、まず、第 1の実施形態と同様にして、図 11 (A)に 示すように、粘度を制御することができる物質からなる素子保持層 12の第 1の部分 1 2aに素子 13を実装し、 自己整列化した後、第 1の部分 12aを硬化させる。
次に、図 11 (B)に示すように、第 1の実施形態と同様にして、素子 13および素子保 持層 12の全体を覆うように、二層目の素子保持層 12を形成する。
[0045] 次に、図 12 (A)に示すように、第 1の実施形態と同様にして、二層目の素子保持層 12の第 1の部分 12aの粘度を実装する素子が自然に移動可能な粘度に制御し、か つ、この素子保持層 12の第 2の部分 12bを選択的に硬化させることで素子が自然に は移動不可能な粘度に制御する。図 12 (A)では、二層目の素子保持層 12の第 1の 部分 12aの位置が一層目の素子保持層 12の第 1の部分 12aの位置と一致している 、一致していなくてもよい。
次に、図 12 (B)に示すように、素子 14を二層目の素子保持層 12の第 1の部分 12a に埋め込んで実装する。素子 14は素子 13と同種のものであっても異種のものであつ てもよレ、。一定時間経過後には、図 13に示すように、素子 14がこの第 1の部分 12a に自己整列化する。この後、この第 1の部分 12aを硬化させる。
以上により、素子 13、 14を二段に配列することができる。
以上の工程を必要な回数、繰り返し実施することにより、素子を多段に配列すること ができる。
この第 4の実施形態によれば、複数の素子が高い位置精度で立体的に実装された 実装構造体を容易に得ることができる。
[0046] 以上、この発明の実施形態について具体的に説明した力 この発明は、上述の実 施形態に限定されるものではなぐこの発明の技術的思想に基づく各種の変形が可 能である。
例えば、上述の第 1〜第 3の実施形態において挙げた数値、材料、構成、構造、形 状、基板、原料、プロセスなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる 数値、材料、構成、構造、形状、基板、原料、プロセスなどを用いてもよい。 この発明によれば、基板上に素子などの物体、特に微小な物体を実装する場合に 、容易にし力も確実に高い位置精度で実装することができる。そして、この実装方法 を用いることにより、高性能の各種の電子機器や高性能の発光ダイオードディスプレ ィなどを容易に実現することができる。

Claims

請求の範囲
[1] 粘度を制御することができる物質力 なる物体保持層を基板上に形成する工程と、 上記物体保持層の、物体の実装領域を含む第 1の部分の粘度を上記物体が移動 可能な粘度に制御し、かつ、上記物体保持層の、上記第 1の部分の外側の第 2の部 分の粘度を上記物体が移動不可能な粘度に制御する工程と、
上記第 1の部分に少なくとも一つの物体を実装する工程と、
上記第 1の部分に上記物体を実装した後、上記第 1の部分の粘度を上記物体が移 動不可能な粘度に制御する工程とを有する
ことを特徴とする実装方法。
[2] 上記第 1の部分に上記物体を実装した後、上記第 1の部分の粘度を上記物体が移 動不可能な粘度に制御する前に、上記第 1の部分の粘度を低くする工程をさらに有 することを特徴とする請求項 1記載の実装方法。
[3] 上記第 1の部分は上記第 2の部分により囲まれていることを特徴とする請求項 1記 載の実装方法。
[4] 上記第 1の部分に一つの上記物体を実装することを特徴とする請求項 1記載の実 装方法。
[5] 上記第 1の部分の平面形状と上記物体の平面形状とが互いに相似であることを特 徴とする請求項 4記載の実装方法。
[6] 上記第 1の部分の平面形状は回転対称であることを特徴とする請求項 1記載の実 装方法。
[7] 上記第 1の部分の平面形状は円形または正多角形であることを特徴とする請求項 1 記載の実装方法。
[8] 上記第 1の部分の面積を Sl、上記物体の底面の面積を S2と表したとき、 K S1/
S2< 100であることを特徴とする請求項 4記載の実装方法。
[9] 上記第 1の部分の面積を Sl、上記物体の底面の面積を S2、上記物体の高さを t2
、上記物体を上記第 1の部分に実装した後の上記物体の底面と上記物体保持層の 表面との高さの差を dと表したとき、 Sl ' dく（Sl— S2) 't2であることを特徴とする請 求項 4記載の実装方法。
[10] 上記物体保持層は樹脂層であることを特徴とする請求項 1記載の実装方法。
[11] 上記樹脂層は感光性樹脂、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂からなることを特徴 とする請求項 10記載の実装方法。
[12] 上記第 1の部分の粘度を上記物体が移動不可能な粘度に制御した後、上記第 1の 部分の粘度を上記物体が移動可能な粘度に制御する工程をさらに有することを特徴 とする請求項 1記載の実装方法。
[13] 粘度を制御することができる物質からなる物体保持層を基板上に形成する工程と、 上記物体保持層の、物体の実装領域を含む第 1の部分の粘度を上記物体が移動 可能な粘度に制御し、かつ、上記物体保持層の、上記第 1の部分の外側の第 2の部 分の粘度を上記物体が移動不可能な粘度に制御する工程と、
上記第 1の部分に少なくとも一つの物体を実装する工程と、
上記第 1の部分に上記物体を実装した後、上記第 1の部分の粘度を上記物体が移 動不可能な粘度に制御する工程とを少なくとも実施することにより製造される ことを特徴とする実装構造体。
[14] 粘度を制御することができる物質力 なる素子保持層を基板上に形成する工程と、 上記素子保持層の、素子の実装領域を含む第 1の部分の粘度を上記素子が移動 可能な粘度に制御し、かつ、上記素子保持層の、上記第 1の部分の外側の第 2の部 分の粘度を上記素子が移動不可能な粘度に制御する工程と、
上記第 1の部分に少なくとも一つの素子を実装する工程と、
上記第 1の部分に上記素子を実装した後、上記第 1の部分の粘度を上記素子が移 動不可能な粘度に制御する工程とを有する
ことを特徴とする電子機器の製造方法。
[15] 粘度を制御することができる物質からなる素子保持層を基板上に形成する工程と、 上記素子保持層の、素子の実装領域を含む第 1の部分の粘度を上記素子が移動 可能な粘度に制御し、かつ、上記素子保持層の、上記第 1の部分の外側の第 2の部 分の粘度を上記素子が移動不可能な粘度に制御する工程と、
上記第 1の部分に少なくとも一つの素子を実装する工程と、
上記第 1の部分に上記素子を実装した後、上記第 1の部分の粘度を上記素子が移 動不可能な粘度に制御する工程とを少なくとも実施することにより製造される ことを特徴とする電子機器。
[16] 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダ ィオードが基板上にそれぞれ複数実装された発光ダイオードディスプレイの製造方 法において、
粘度を制御することができる物質からなる素子保持層を上記基板上に形成するェ 程と、
上記素子保持層の、発光ダイオードの実装領域を含む第 1の部分の粘度を上記発 光ダイオードが移動可能な粘度に制御し、かつ、上記素子保持層の、上記第 1の部 分の外側の第 2の部分の粘度を上記発光ダイオードが移動不可能な粘度に制御す る工程と、
上記第 1の部分に少なくとも一つの発光ダイオードを実装する工程と、 上記第 1の部分に上記発光ダイオードを実装した後、上記第 1の部分の粘度を上 記発光ダイオードが移動不可能な粘度に制御する工程とを有する
ことを特徴とする発光ダイオードディスプレイの製造方法。
[17] 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダ ィオードが基板上にそれぞれ複数実装された発光ダイオードディスプレイにおいて、 粘度を制御することができる物質からなる素子保持層を上記基板上に形成するェ 程と、
上記素子保持層の、発光ダイオードの実装領域を含む第 1の部分の粘度を上記発 光ダイオードが移動可能な粘度に制御し、かつ、上記素子保持層の、上記第 1の部 分の外側の第 2の部分の粘度を上記発光ダイオードが移動不可能な粘度に制御す る工程と、
上記第 1の部分に少なくとも一つの発光ダイオードを実装する工程と、 上記第 1の部分に上記発光ダイオードを実装した後、上記第 1の部分の粘度を上 記発光ダイオードが移動不可能な粘度に制御する工程とを少なくとも実施することに より製造される
ことを特徴とする発光ダイオードディスプレイ。
PCT/JP2007/062724 2006-07-12 2007-06-25 Procédé de montage, structure de montage, procédé de fabrication d'équipement électronique, équipement électronique, procédé de fabrication d'affichage à diode électroluminescente et affichage à diode électroluminescente WO2008007535A1 (fr)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/373,479 US8101457B2 (en) 2006-07-12 2007-06-25 Mounting method, mounted structure, manufacturing method for electronic equipment, electronic equipment, manufacturing method for light-emitting diode display, and light-emitting diode display
EP07767530.4A EP2048704A4 (en) 2006-07-12 2007-06-25 ATTACHING METHOD, ATTACHMENT STRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC EQUIPMENT, ELECTRONIC DEVICES, METHOD FOR PRODUCING AN ILLUMINATED DIODE DISPLAY AND LUMINOUS DIODE DISPLAY
CN2007800263132A CN101490828B (zh) 2006-07-12 2007-06-25 安装方法及结构体、电子设备及其制造方法、发光二极管显示器及其制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-191365 2006-07-12
JP2006191365A JP4899675B2 (ja) 2006-07-12 2006-07-12 実装方法、電子機器の製造方法および発光ダイオードディスプレイの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2008007535A1 true WO2008007535A1 (fr) 2008-01-17

Family

ID=38923100

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2007/062724 WO2008007535A1 (fr) 2006-07-12 2007-06-25 Procédé de montage, structure de montage, procédé de fabrication d'équipement électronique, équipement électronique, procédé de fabrication d'affichage à diode électroluminescente et affichage à diode électroluminescente

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8101457B2 (ja)
EP (1) EP2048704A4 (ja)
JP (1) JP4899675B2 (ja)
KR (1) KR20090031411A (ja)
CN (1) CN101490828B (ja)
WO (1) WO2008007535A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017227887A (ja) * 2012-12-17 2017-12-28 アップル インコーポレイテッド スマートピクセル照明及びディスプレイのマイクロコントローラ
WO2023032314A1 (ja) * 2021-09-03 2023-03-09 ソニーグループ株式会社 発光デバイスおよび電子機器

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9018833B2 (en) 2007-05-31 2015-04-28 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting or absorbing diodes
US8415879B2 (en) 2007-05-31 2013-04-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8852467B2 (en) 2007-05-31 2014-10-07 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8809126B2 (en) 2007-05-31 2014-08-19 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US9343593B2 (en) 2007-05-31 2016-05-17 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8877101B2 (en) 2007-05-31 2014-11-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus
US9425357B2 (en) 2007-05-31 2016-08-23 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Diode for a printable composition
US9419179B2 (en) 2007-05-31 2016-08-16 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US9534772B2 (en) 2007-05-31 2017-01-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting diodes
US8674593B2 (en) 2007-05-31 2014-03-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8846457B2 (en) 2007-05-31 2014-09-30 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8456393B2 (en) 2007-05-31 2013-06-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
CN103594461B (zh) * 2010-09-01 2016-10-05 无限科技全球公司 二极管、二极管或其他二端集成电路的液体或胶体悬浮液的可印组成物及其制备方法
KR20130117766A (ko) * 2010-09-01 2013-10-28 엔티에이치 디그리 테크놀로지스 월드와이드 인코포레이티드 다이오드, 다이오드 또는 기타 2-단자 집적 회로의 액체 또는 겔 현탁액의 인쇄 가능한 조성물, 및 이의 제조 방법
KR102404843B1 (ko) * 2010-09-01 2022-06-07 엔티에이치 디그리 테크놀로지스 월드와이드 인코포레이티드 발광, 발전 또는 기타 전자 장치 및 이의 제조 방법
FR2972324B1 (fr) * 2011-03-01 2013-04-12 Commissariat Energie Atomique Procede d'assemblage de composants electroniques sur un support
DE102012109460B4 (de) 2012-10-04 2024-03-07 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays und Leuchtdioden-Display
WO2014175856A1 (en) * 2013-04-22 2014-10-30 Empire Technology Development, Llc Opto-mechanical alignment
DE102013219063A1 (de) * 2013-09-23 2015-03-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US10242977B2 (en) 2014-10-31 2019-03-26 eLux, Inc. Fluid-suspended microcomponent harvest, distribution, and reclamation
US10543486B2 (en) 2014-10-31 2020-01-28 eLux Inc. Microperturbation assembly system and method
US9825202B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 eLux, Inc. Display with surface mount emissive elements
US10381335B2 (en) 2014-10-31 2019-08-13 ehux, Inc. Hybrid display using inorganic micro light emitting diodes (uLEDs) and organic LEDs (OLEDs)
US10520769B2 (en) 2014-10-31 2019-12-31 eLux, Inc. Emissive display with printed light modification structures
US10446728B2 (en) 2014-10-31 2019-10-15 eLux, Inc. Pick-and remove system and method for emissive display repair
US10319878B2 (en) 2014-10-31 2019-06-11 eLux, Inc. Stratified quantum dot phosphor structure
US10418527B2 (en) 2014-10-31 2019-09-17 eLux, Inc. System and method for the fluidic assembly of emissive displays
US10535640B2 (en) 2014-10-31 2020-01-14 eLux Inc. System and method for the fluidic assembly of micro-LEDs utilizing negative pressure
US10236279B2 (en) 2014-10-31 2019-03-19 eLux, Inc. Emissive display with light management system
US10381332B2 (en) 2014-10-31 2019-08-13 eLux Inc. Fabrication method for emissive display with light management system
JP2016115881A (ja) * 2014-12-17 2016-06-23 京セラ株式会社 発光素子搭載用基板および発光装置
JP6670077B2 (ja) * 2015-10-30 2020-03-18 アズビル株式会社 接着方法
TWI657563B (zh) * 2015-12-15 2019-04-21 優顯科技股份有限公司 光電裝置及其製造方法
CN107833527B (zh) * 2016-09-15 2021-06-22 伊乐视有限公司 具有印刷的光改变结构的发光显示器
CN107833903B (zh) * 2016-09-15 2022-10-18 伊乐视有限公司 具有光管理系统的发光显示器
CN107833525B (zh) * 2016-09-15 2020-10-27 伊乐视有限公司 发光显示器的流体组装的系统和方法
CN109994413A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 南昌欧菲显示科技有限公司 微型元件巨量转移方法
JP7243897B2 (ja) * 2018-05-24 2023-03-22 大日本印刷株式会社 自発光型表示体
KR102652723B1 (ko) 2018-11-20 2024-04-01 삼성전자주식회사 마이크로 led 전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 led 전사 방법
JP7223318B2 (ja) * 2018-12-12 2023-02-16 大日本印刷株式会社 保持体、位置決めシート、位置決め済み発光ダイオードチップ付き転写部材、位置決め済み発光ダイオードチップ付き転写部材の製造方法、発光基板の製造方法、及び、発光基板
CN109830191B (zh) * 2019-04-24 2019-08-02 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种像素结构以及微发光二极管的转移方法
US11038088B2 (en) * 2019-10-14 2021-06-15 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode package
EP4070364A1 (en) * 2019-12-04 2022-10-12 3M Innovative Properties Company Circuits including micropatterns and using partial curing to adhere dies
CN111640708B (zh) * 2020-06-22 2022-08-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示模组及其制作方法以及电子设备
JP2022072180A (ja) 2020-10-29 2022-05-17 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 樹脂積層体及び実装構造体

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01503424A (ja) * 1987-06-01 1989-11-16 モトローラ・インコーポレーテッド 共面式ダイ・基板結合方法
JP2001087953A (ja) * 1999-09-14 2001-04-03 Tokyo Inst Of Technol 液体の表面張力を利用した部品の位置合わせ方法
JP2002311858A (ja) 2001-04-19 2002-10-25 Sony Corp 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP2002314052A (ja) 2001-04-11 2002-10-25 Sony Corp 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP2004273596A (ja) 2003-03-06 2004-09-30 Sony Corp 素子転写方法および表示装置
JP2004281630A (ja) 2003-03-14 2004-10-07 Sony Corp 素子転写方法、素子転写用基板および表示装置
JP2004304161A (ja) * 2003-03-14 2004-10-28 Sony Corp 発光素子、発光装置、画像表示装置、発光素子の製造方法及び画像表示装置の製造方法
JP2005014141A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Ricoh Co Ltd 複合素子の製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100853410B1 (ko) * 2001-04-11 2008-08-21 소니 가부시키가이샤 소자의 전사방법 및 이를 이용한 소자의 배열방법,화상표시장치의 제조방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01503424A (ja) * 1987-06-01 1989-11-16 モトローラ・インコーポレーテッド 共面式ダイ・基板結合方法
JP2001087953A (ja) * 1999-09-14 2001-04-03 Tokyo Inst Of Technol 液体の表面張力を利用した部品の位置合わせ方法
JP2002314052A (ja) 2001-04-11 2002-10-25 Sony Corp 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP2002311858A (ja) 2001-04-19 2002-10-25 Sony Corp 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP2004273596A (ja) 2003-03-06 2004-09-30 Sony Corp 素子転写方法および表示装置
JP2004281630A (ja) 2003-03-14 2004-10-07 Sony Corp 素子転写方法、素子転写用基板および表示装置
JP2004304161A (ja) * 2003-03-14 2004-10-28 Sony Corp 発光素子、発光装置、画像表示装置、発光素子の製造方法及び画像表示装置の製造方法
JP2005014141A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Ricoh Co Ltd 複合素子の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2048704A4

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017227887A (ja) * 2012-12-17 2017-12-28 アップル インコーポレイテッド スマートピクセル照明及びディスプレイのマイクロコントローラ
US10380952B2 (en) 2012-12-17 2019-08-13 Apple Inc. Smart pixel lighting and display microcontroller
US10796648B2 (en) 2012-12-17 2020-10-06 Apple Inc. Smart pixel lighting and display microcontroller
US11837179B2 (en) 2012-12-17 2023-12-05 Apple Inc. Smart pixel lighting and display microcontroller
WO2023032314A1 (ja) * 2021-09-03 2023-03-09 ソニーグループ株式会社 発光デバイスおよび電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
EP2048704A4 (en) 2013-08-07
KR20090031411A (ko) 2009-03-25
US20090290337A1 (en) 2009-11-26
US8101457B2 (en) 2012-01-24
JP4899675B2 (ja) 2012-03-21
CN101490828A (zh) 2009-07-22
CN101490828B (zh) 2011-07-06
JP2008021769A (ja) 2008-01-31
EP2048704A1 (en) 2009-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2008007535A1 (fr) Procédé de montage, structure de montage, procédé de fabrication d&#39;équipement électronique, équipement électronique, procédé de fabrication d&#39;affichage à diode électroluminescente et affichage à diode électroluminescente
US10037980B2 (en) Fabricating method of a semiconductor light emitting device
US6933208B2 (en) Method of forming wiring, and method of arranging devices and method of manufacturing image display system by using the same
JP2002366054A (ja) 素子実装基板及び不良素子の修復方法
JP2002311858A (ja) 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP4450067B2 (ja) 電子部品及びその製造方法、これを用いた画像表示装置
JP2004304161A (ja) 発光素子、発光装置、画像表示装置、発光素子の製造方法及び画像表示装置の製造方法
WO2004079700A1 (ja) 素子転写方法および表示装置
JP2003077940A (ja) 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
TW202032817A (zh) 微型ｌｅｄ封裝構造、微型ｌｅｄ顯示器及微型ｌｅｄ顯示器之製造方法
JP2002344011A (ja) 表示素子及びこれを用いた表示装置
JP3994681B2 (ja) 素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法
JP4120223B2 (ja) 電子部品の製造方法、これを用いた画像表示装置
JP4882273B2 (ja) 素子実装基板、不良素子の修復方法及び画像表示装置
JP3890921B2 (ja) 素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法
JP2003347524A (ja) 素子の転写方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法
JP2004281630A (ja) 素子転写方法、素子転写用基板および表示装置
JP2003332523A (ja) 素子の転写方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法
JP2002314053A (ja) チップ部品の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP4982932B2 (ja) 画像表示装置の製造方法
JP2002343944A (ja) 電子部品の転写方法及び素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP2008122681A (ja) 物品の実装方法、発光ダイオード表示装置の製造方法、及び、物品中間物の仮固定用基板への仮固定方法
TW202114251A (zh) 電子零件封裝構造、電子零件封裝方法及led顯示面板
JP2005284305A (ja) 画像表示装置の製造方法
JP2003060242A (ja) 素子の実装方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200780026313.2

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07767530

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10595/DELNP/2008

Country of ref document: IN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007767530

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020097000426

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12373479

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: RU