WO2007141890A1 - 熱電変換モジュールおよびその製造方法 - Google Patents

熱電変換モジュールおよびその製造方法 Download PDF

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WO2007141890A1
WO2007141890A1 PCT/JP2006/319123 JP2006319123W WO2007141890A1 WO 2007141890 A1 WO2007141890 A1 WO 2007141890A1 JP 2006319123 W JP2006319123 W JP 2006319123W WO 2007141890 A1 WO2007141890 A1 WO 2007141890A1
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WO
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thermoelectric
conversion module
type
insulating layer
thermoelectric conversion
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PCT/JP2006/319123
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English (en)
French (fr)
Inventor
Masahiro Sasaki
Yasuhiro Kawauchi
Takanori Nakamura
Original Assignee
Murata Manufacturing Co., Ltd.
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Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co., Ltd. filed Critical Murata Manufacturing Co., Ltd.
Publication of WO2007141890A1 publication Critical patent/WO2007141890A1/ja

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device

Definitions

  • Thermoelectric conversion module and manufacturing method thereof are thermoelectric conversion module and manufacturing method thereof.
  • the present invention relates to a thermoelectric conversion module and a method for manufacturing the same.
  • thermoelectric element A general structure of a conventional thermoelectric element is as shown in FIG. 5 of JP-A-6-338636 (Patent Document 1).
  • the entire element is plate-shaped, and p-type and n-type thermoelectric materials are arranged so as to extend in the thickness direction as a large number of pillars.
  • Plate-like conductors are arranged so as to connect the ends of the thermoelectric materials, and each constitutes a thermocouple. All the thermocouples formed in large numbers throughout the device are connected in series! Since the plate-shaped conductors responsible for pn connection are located on both the front and back surfaces, the direction of heat transfer to and from the outside of this thermoelectric element, that is, the direction in which a temperature difference is to be generated for power generation is the thickness direction.
  • thermoelectric sheet is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 8-32126 (Patent Document 2).
  • Patent Document 2 This structure is a structure in which the lower conductive paste, P-type and N-type semiconductor paste, and the upper conductive paste are stacked in this order on the surface of the heat-resistant insulating film, and the thermocouple is spread over the entire device. Many of these thermocouples are connected in series, although many are formed. The direction of heat exchange with the outside of this thermoelectric sheet is also the thickness direction of the sheet.
  • thermoelectric conversion device is disclosed in FIG. 1 of Japanese Patent Laid-Open No. 2004-104041 (Patent Document 3).
  • rod-shaped p-type and n-type thermoelectric semiconductor elements are alternately arranged between a pair of flexible polymer sheets, and P-type and n-type thermoelectric semiconductor elements adjacent to both ends are respectively arranged.
  • a large number of thermocouples are connected in series by arranging electrodes for connecting the ends.
  • the direction of heat exchange with the outside is the longitudinal direction of the rod-shaped thermoelectric semiconductor element, and is therefore parallel to the surface of the polymer sheet.
  • Patent Document 1 JP-A-6-338636
  • Patent Document 2 JP-A-8-32126
  • Patent Document 3 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-104041
  • Patent Document 1 is not suitable for increasing the density because a large number of columnar structures are arranged.
  • the direction of heat exchange with the outside is the thickness direction, if the length in this direction is increased in order to increase the temperature difference in this direction, it will be contrary to the reduction in thickness.
  • Patent Document 2 The structure of Patent Document 2 is effective for reducing the thickness, but the direction of heat exchange with the outside is in the thickness direction of the sheet. There are disadvantages. Further, since it is necessary to print and superimpose each component, each component must have a certain area, and is not suitable for increasing the density in the sheet surface direction, that is, reducing the area.
  • Patent Document 3 since the semiconductor elements are rod-shaped, it is possible to increase the density in the surface direction of the sheet, but it is difficult to increase the density in the thickness direction of the sheet due to machining limitations. It is.
  • an object of the present invention is to provide a thermoelectric conversion module that can take a large distance for generating a temperature difference and can be immediately densified, and a method for manufacturing the same.
  • thermoelectric conversion module includes a laminate in which a plurality of thermoelectric components are laminated, and each of the plurality of thermoelectric components includes an insulating layer and the insulating layer.
  • the first planar pattern group includes a portion where a plurality of first basic patterns are discretely repeated, and the second planar pattern group is a plurality of second basic patterns which are repeatedly arranged side by side.
  • the first basic pattern and the second basic pattern are connected to each other directly or through a metal layer printed so as to be discretely arranged in parallel on the surface of the insulating layer. Connected indirectly.
  • the thermoelectric conversion module includes two external electrodes formed on a side surface of the laminate, and the thermoelectric conversion module electrically connects from one end of the meandering shape to the end of the insulating layer. 1 lead portion and a second lead portion that electrically connects the other end of the meandering shape to the end of the insulating layer, and the two external electrodes include the first lead portion and the second lead portion. Are individually electrically connected.
  • a first via hole that electrically connects one end of the meandering shape so as to penetrate all of the plurality of thermoelectric components in the stacking direction, and the other end of the meandering shape
  • a second via hole that is electrically connected so as to penetrate through all of the plurality of thermoelectric components in the stacking direction, and at least one end of each of the first and second via holes is the stacked body It is exposed on the outside.
  • At least one of the p-type thermoelectric semiconductor layer and the n-type thermoelectric semiconductor layer includes a plurality of semiconductor layer pieces having different peak temperatures of output factors, The plurality of semiconductor layer pieces are arranged in order according to the peak temperature value of the output factor.
  • a first aspect of a method for manufacturing a thermoelectric conversion module according to the present invention is to print both a p-type thermoelectric semiconductor material and an n-type thermoelectric semiconductor material on the surface of an insulating sheet.
  • thermoelectric component is laminated on the surface of an insulating substrate by repeating a thermoelectric component forming step a plurality of times. And the step of firing after the whole formation step, wherein the thermoelectric structure formation step includes a p-type thermoelectric semiconductor material and an n-type thermoelectric semiconductor material. And forming a thermoelectric component by forming one or more pn junctions and forming an insulating layer so as to cover the pn junction of the thermoelectric component Process.
  • the manufacturing operation is easy and the density can be easily increased.
  • the direction of heat exchange with the outside is the direction parallel to the main surface of the thermoelectric structure forming one layer of the laminate, not the thickness direction of the laminate, so the dimension in the direction to give the temperature difference is lengthened. It is easy to take.
  • FIG. 1 is a perspective view of a thermoelectric conversion module according to Embodiment 1 based on the present invention.
  • FIG. 2 is a single perspective view of a thermoelectric component included in the thermoelectric conversion module according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a plan view of a first planar pattern group related to the thermoelectric conversion module according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a plan view of a second planar pattern group related to the thermoelectric conversion module according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a top view illustrating a thermoelectric structure included in the thermoelectric conversion module according to the first embodiment of the present invention.
  • Fig. 6 is a first plan view showing a meandering-shaped nori- cation according to the first embodiment of the present invention.
  • Fig. 7 is a second plan view showing a meander-shaped nomination in the first embodiment according to the present invention.
  • FIG. 8 is a third plan view showing a serpentine-shaped nomination according to the first embodiment of the present invention.
  • Fig. 9 is a fourth plan view showing a meander-shaped nomination in the first embodiment according to the present invention.
  • FIG. 10 is a fifth plan view showing a meander-shaped nomination in the first embodiment according to the present invention.
  • FIG. 11 is a sixth plan view showing a serpentine-shaped noirence according to the first embodiment of the present invention.
  • Fig. 12 is a seventh plan view showing a meander-shaped nori- cation according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is an eighth plan view showing a serpentine-shaped noirishment according to the first exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a ninth plan view showing a serpentine-shaped noirence according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a tenth plan view showing a serpentine-shaped noirence according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a plan view of a first example in which two or more meandering shapes are arranged in the first embodiment based on the present invention.
  • FIG. 17 is a plan view of a second example in which two or more meandering shapes are arranged in the first embodiment based on the present invention.
  • FIG. 18 is a perspective view of a single thermoelectric component included in the thermoelectric conversion module when the thermoelectric conversion module according to the first embodiment of the present invention is of the via-hole type.
  • FIG. 19 is a perspective view when the thermoelectric conversion module according to the first embodiment of the present invention is a via-hole type.
  • FIG. 20 is a first graph showing the relationship between temperature and output factor in Embodiment 2 based on the present invention.
  • FIG. 22 is a top view of a first example of a thermoelectric component included in the thermoelectric conversion module according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 23 is a top view of a second example of the thermoelectric structure included in the thermoelectric conversion module according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 24 is a flowchart of a method for manufacturing a thermoelectric conversion module according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 25 is an explanatory diagram of a first step of the method of manufacturing the thermoelectric conversion module according to the third embodiment based on the present invention.
  • FIG. 26 is an explanatory diagram of a second step of the method of manufacturing the thermoelectric conversion module according to the third embodiment based on the present invention.
  • FIG. 27 is an explanatory diagram of a third step of the method of manufacturing the thermoelectric conversion module according to the third embodiment based on the present invention.
  • FIG. 28 is an explanatory diagram of a fourth step of the method of manufacturing the thermoelectric conversion module in the third embodiment based on the present invention.
  • FIG. 29 is a flow chart of a method for manufacturing a thermoelectric conversion module according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 30 is an explanatory diagram of a first step of the method of manufacturing the thermoelectric conversion module according to the fourth embodiment based on the present invention.
  • FIG. 31 is an explanatory diagram of a second step of the method of manufacturing the thermoelectric conversion module according to the fourth embodiment based on the present invention.
  • FIG. 32 is an explanatory diagram of a third step of the method of manufacturing the thermoelectric conversion module in the fourth embodiment based on the present invention.
  • thermoelectric structure 10 laminate, 10u (under fabrication), 11 thermoelectric structure, 12 insulating layer, 12f insulation sheet, 13, 13h p-type thermoelectric semiconductor layer, 13hl, 13h2, 13h3 semiconductor layer piece, 14, 1 4h n-type thermoelectric semiconductor layer, 15 1st planar pattern group, 16 2nd planar pattern group, 1 7 External electrode, 18 1st lead part, 19 2nd lead part, 20, 21, 22, 23 Metal layer 24 First via hole, 25 Second via hole, 24a, 25a (each via hole;) Exposed part, 26a, 26b pn junction, 27 Thermoelectric sheet, 90 arrows, 100, 101 Thermoelectric conversion module, 15 1 First basic pattern 161 Second basic pattern.
  • thermoelectric conversion module in Embodiment 1 based on this invention is demonstrated.
  • This thermoelectric conversion module is a laminate of multiple thermoelectric components Each of the plurality of thermoelectric components is provided with an insulating layer, a p-type thermoelectric semiconductor layer formed in a first planar pattern group by printing on the surface of the insulating layer, and a surface of the insulating layer.
  • thermoelectric semiconductor layer formed in a second planar pattern group by printing, wherein the first planar pattern group includes a portion in which a plurality of first basic patterns are discretely arranged and repeated,
  • the planar pattern group includes a portion in which a plurality of second basic patterns are discretely arranged and repeated, and the first basic pattern and the second basic pattern are directly connected alternately or the insulating layer
  • the first basic pattern and the first pattern include a portion extending toward the left side and a portion extending toward the right side. 2 Arranged so that it can be distinguished from the basic pattern.
  • thermoelectric conversion module 100 includes a laminate 10 in which a plurality of thermoelectric components 11 are laminated as shown in FIG.
  • each of the plurality of thermoelectric structures 11 includes an insulating layer 12, a P-type thermoelectric semiconductor layer 13 formed in a first planar pattern group by printing on the surface of the insulating layer 12, and the above-mentioned And an n-type thermoelectric semiconductor layer 14 formed in a second planar pattern group by printing on the surface of the insulating layer.
  • Figure 3 shows the first planar pattern group 15.
  • Figure 4 shows the second planar pattern group 16.
  • the first planar pattern group 15 includes a portion in which a plurality of first basic patterns 151 are discretely arranged side by side.
  • the second planar pattern group 16 includes a portion in which a plurality of second basic patterns 161 are discretely arranged.
  • the first basic pattern 151 and the second basic pattern 161 are:
  • first basic pattern 151 and the second basic pattern 161 are alternately connected “directly” in accordance with the above (a), thereby forming one meandering shape.
  • the first basic pattern 151 and the second basic pattern 161 are the “one meandering shape or two or more meandering shapes arranged in parallel to each other”. ”When viewed from the back in the direction of travel, it is distinguished whether the type is the first basic pattern or the second basic pattern by a portion extending toward the left side and a portion extending to the right side. It is arranged so that. Viewing the meandering shape “from behind in the direction of travel” means looking in the direction of arrow 90 in FIG. This is because the meandering shape proceeds in the direction of arrow 90. In Fig. 2, the arrow 90 indicates that the left force also points to the right! However, in Fig. 2, it can be considered that the left and right sides are shifted backward in the direction of travel!
  • thermoelectric component 11 In order to make it easier to make a force, a top view of the thermoelectric component 11 is displayed in FIG. 5 in such an orientation that the arrow 90 also causes the downward force to be upward.
  • the meandering shape when the meandering shape is observed along the arrow 90, the meandering shape can be regarded as progressing from the bottom to the top in FIG. Since the meandering shape is formed by alternately repeating the extension to the left and the extension to the right in the direction of travel, each basic pattern is also indicated by a horizontal arrow in FIG. As shown, it can be classified as to which of the left and right sides extends. In the example of Fig. 5, it is the first basic pattern 151 that can be regarded as extending toward the “left” and can be regarded as extending toward the “right”. Is the second basic pattern 161.
  • thermoelectric conversion module 100 includes two external electrodes 17 formed on the side surface of the laminate 10 as shown in FIG.
  • the thermoelectric conversion module 100 electrically connects the first lead portion 18 that electrically connects from one end of the meandering shape to the end of the insulating layer and the other end force of the meandering shape to the end of the insulating layer.
  • the two external electrodes 17 are individually electrically connected to the first lead portion 18 and the second lead portion 19 respectively! Speak.
  • the pattern printed on the uppermost surface of the laminate 10 is not shown. Even if the meandering pattern as shown in FIG. Good. Alternatively, the meandering pattern may be covered or hidden by stacking the insulating layer 12 on which the meandering shape is not printed on the uppermost layer.
  • the thermoelectric conversion module 100 in the present embodiment is formed by forming p-type and n-type thermoelectric semiconductor layers as a planar pattern on the surface of the insulating layer 12 by printing, and alternately connecting these layers. Since it is a laminated body 10 in which a certain thermoelectric component 11 is laminated, it is easy to manufacture while including many connection points of p-type and n-type thermoelectric semiconductor layers, and it is easy to increase the density. Further, since the direction of heat exchange with the outside is a direction parallel to the main surface of the thermoelectric component 11 in the thickness direction, it is easy to increase the dimension in the direction in which the temperature difference should be given. If the length is increased without changing the thickness of the thermoelectric structure 11, the distance to which the temperature difference should be given becomes longer. Moreover, it is possible to make it thinner or thicker by appropriately changing the number of laminated thermoelectric components.
  • the external electrode 17 is arranged on the side surface of the laminated body 10 and can easily be electrically connected to the first lead portion 18 or the second lead portion 19 of the thermoelectric structure of all layers simultaneously.
  • the meander-shaped nomination will be described.
  • the “meandering shape” is sometimes referred to as “meander shape” or “meander pattern”.
  • the meandering shape is a pattern in which L-shaped and inverted L-shaped are alternately arranged as shown in FIG.
  • the pattern is not limited to such a pattern, and may be a pattern as shown in FIG. That is, as shown in FIGS. 6 and 7, the L-shaped short side may extend in either direction.
  • the first basic pattern which is a p-type thermoelectric semiconductor layer
  • the second basic pattern which is an n-type thermoelectric semiconductor layer
  • the meandering shape is formed by indirectly connecting the metal layers 20, 21, 22 and 23 which are printed so as to be discretely arranged side by side. Force formed Such a configuration may be used.
  • the meandering shape constituted by alternately connecting the first basic pattern and the second basic pattern is not limited to one, and may be two or more meandering shapes arranged in parallel to each other. .
  • it may be as shown in FIGS. In Fig. 16 and Fig. 17, there are three meandering shapes.
  • a zigzag shape that repeats V-turns as shown in Fig. 17 is convenient for increasing the density because a plurality of meandering shapes can be arranged close to each other using a V-shaped valley.
  • thermoelectric conversion module may be a thermoelectric conversion module 101 shown in FIGS. As shown in FIG.
  • the thermoelectric conversion module 101 includes a first via hole 24 that electrically connects one end of the meandering shape so as to penetrate all of the plurality of thermoelectric components 11 in the stacking direction, and A second via hole 25 is provided that electrically connects the other end of the meandering shape so as to penetrate all of the plurality of thermoelectric components 11 in the stacking direction.
  • the ends of the first and second via holes 24 and 25 may be exposed to the outer surface of the laminate 10.
  • the first via hole 24 has an exposed portion 24a
  • the second via hole 25 has an exposed portion 25a.
  • thermoelectric connection with external force can be easily performed using the exposed portions 24a and 25a in which the ends of the first and second via holes 24 and 25 are exposed on the outer surface of the laminate 10. This can be done reliably and electrical connections between all thermoelectric structures 11 can be achieved.
  • the exposed portions 24a and 25a are both exposed to the upper and lower outer surfaces of the laminate 10.
  • the exposed portions 24a and 25a are not limited to the configuration where they are exposed to both the upper and lower outer surfaces.
  • One of the exposed portion 24a and the exposed portion 25a may be exposed only on the upper surface, and the other may be exposed only on the lower surface.
  • external electrodes that are electrically connected to the exposed portion of the via hole are formed by dipping the left and right ends of the entire laminate into the metal base. It is also possible to form so as to cover the entire ends of the laminate.
  • an external electrode may be formed by printing or the like so as to be in contact with the exposed portion of the via hole!
  • the belt-like electrode is printed so as to cover the exposed portion of the via hole.
  • thermoelectric conversion module 101 may have a meandering pattern exposed on the top surface of the laminate 10 and may be covered with an insulating layer! It may be hidden.
  • thermoelectric semiconductor layer has a specific peak temperature, as shown in FIG. 20, depending on the material, and the output factor curve has a slope at temperatures above and below that temperature. Therefore, the thermoelectric component can generate power most efficiently in a suitable range R where the slope of the output factor curve is stable and steep to some extent in the temperature range that is slightly out of the peak temperature force of the output factor curve. it can.
  • thermoelectric conversion module according to the second embodiment based on the present invention will be described with reference to FIGS.
  • This thermoelectric conversion module is basically the same as that described in the first embodiment.
  • at least one of the p-type thermoelectric semiconductor layer and the n-type thermoelectric semiconductor layer is provided.
  • the semiconductor device includes a plurality of semiconductor layer pieces having different output factor peak temperatures, and the plurality of semiconductor layer pieces are sequentially arranged in accordance with the value of the peak temperature of the output factor.
  • the plurality of semiconductor layer pieces referred to here have different peak temperatures of output factors.
  • the thermoelectric conversion module in the present embodiment may be configured as shown in FIG. Such a configuration may be adopted.
  • the configuration shown in FIG. 23 is easier to print than the configuration shown in FIG.
  • thermoelectric semiconductor substrate 13h is included instead of the p-type thermoelectric semiconductor layer 13 in the first embodiment.
  • the p-type thermoelectric semiconductor layer 13h is the peak temperature of the output factor Includes semiconductor layer pieces 13hl, 13h2, and 13h3, each having three different material strengths, PI, P2, and P3.
  • a plurality of meandering shapes are arranged in parallel, and the material type of the p-type thermoelectric semiconductor layer included in each of the meandering shapes is different.
  • PI, P2, and P3 are arranged in the vertical direction.
  • thermoelectric semiconductor layer is left as one n-type thermoelectric semiconductor layer 14 in the same manner as in the first embodiment, but instead of the p-type thermoelectric semiconductor layer, n
  • the type thermoelectric semiconductor layer may have a similar configuration by including a plurality of semiconductor layer pieces having different peak temperatures of output factors.
  • both p-type and n-type may have a similar configuration by including a plurality of mutually different semiconductor layer pieces!
  • the direction in which the three types of semiconductor layer pieces 13hl, 13h2, and 13h3 of PI, P2, and P3 are arranged is preferably parallel to the direction that creates the temperature difference.
  • thermoelectric conversion module the semiconductor layer pieces having different peak temperatures of the output factors are arranged depending on the part, so that each semiconductor layer piece is optimal in one large temperature gradient. It is possible to design each semiconductor piece to perform its maximum function in the face of a wide temperature range.
  • thermoelectric conversion module according to the third embodiment of the present invention.
  • Fig. 24 shows a rough flow chart of the manufacturing method of this thermoelectric conversion module.
  • This method of manufacturing a thermoelectric conversion module is a single sheet that forms a thermoelectric sheet by printing both a P-type thermoelectric semiconductor material and an n-type thermoelectric semiconductor material on the surface of an insulating sheet to form one or more pn junctions.
  • a p-type thermoelectric semiconductor material and an n-type thermoelectric semiconductor material are sequentially printed on the surface of the insulating sheet 12f as shown in FIG. That is, as shown in Fig. 26, first one is printed.
  • the p-type thermoelectric semiconductor is set to be the first planar pattern group 15. The material is printed.
  • the n-type thermoelectric semiconductor material is printed so as to form the second planar pattern group 16! It is preferable that the P-type thermoelectric semiconductor material and the n-type thermoelectric semiconductor material be printed in such a manner that their ends partially overlap each other, thereby ensuring the alternate connection.
  • thermoelectric semiconductor material may be printed first and the n-type thermoelectric semiconductor material printed later may be in the reverse order.
  • thermoelectric semiconductor materials can be printed by screen printing. If both can be reliably connected, both may be printed at the same time. In this way, a thermoelectric sheet 27 shown in FIG. 27 is obtained.
  • the insulating sheet 12f used in the single sheet printing step is, for example, BaO-AlO-SiO.
  • Mainly alumina such as 2 3 2 ceramic materials and ZnO-MgO-Al O—SiO glass materials
  • the p-type thermoelectric semiconductor material may be, for example, a paste obtained by mixing chromel powder in an organic vehicle.
  • the n-type thermoelectric semiconductor material may be, for example, a paste obtained by mixing constantan powder in an organic vehicle.
  • thermoelectric conversion module 100 shown in FIG. 1 can be obtained.
  • the first method is, for example, laser irradiation or punching.
  • a through hole is formed in the laminate 10.
  • a paste made by mixing Cu powder in an organic vehicle may be filled into the through-holes by screen printing.
  • through holes are individually provided in advance in positions corresponding to via holes in the insulating sheet to be the respective layers of the laminated body 10, and these insulations are formed.
  • the first via hole 24 and the second via hole 25 are formed by connecting the through holes by laminating the sheets.
  • thermoelectric conversion module described in Embodiment 1 can be easily obtained.
  • both the p-type and n-type thermoelectric semiconductor layers can be formed by a printing process, they are easy to manufacture and can be formed thin. Further, the density can be increased. If the p-type and n-type semiconductor layers are not connected directly, but are “through a metal layer” as shown in FIGS.
  • the printing process may be performed as well. In this case, it is preferable to perform printing so that the end portions partially overlap each other between the metal layer and the p-type thermoelectric semiconductor material and between the metal layer and the n-type thermoelectric semiconductor material.
  • thermoelectric semiconductor material metal layer n-type thermoelectric semiconductor material metal layer p-type thermoelectric semiconductor material metal layer n-type thermoelectric semiconductor material metal layer, and so on, an electrical connection in order is realized.
  • a paste made by mixing Cu powder in an organic vehicle may be screen printed.
  • thermoelectric conversion module according to the fourth embodiment of the present invention
  • Fig. 29 shows a rough flow chart of the manufacturing method of this thermoelectric conversion module.
  • thermoelectric sheet 27 see FIG. 27
  • the manufacturing method of the thermoelectric conversion module in the present embodiment the single-sheet printing process is not performed, and the laminated body is grown by repeating printing and insulating layer formation directly on the laminated body.
  • thermoelectric conversion module includes an entire formation step of laminating a thermoelectric component on the surface of an insulating base material by repeating the thermoelectric component formation step a plurality of times, and the thermoelectric component formation step A pn junction printing step for forming a thermoelectric component by printing both a P-type thermoelectric semiconductor material and an n-type thermoelectric semiconductor material to form one or more pn junctions, and the thermoelectric component forming an insulating layer so as to cover the pn junction.
  • thermoelectric structure forming process includes a pn junction printing process and an insulating layer forming process. Which of these two processes included in one thermoelectric structure forming process comes first? You may catch it. The whole forming process is a repetition of the thermoelectric structure forming process. Ie
  • the whole forming step includes alternately repeating the pn junction printing step and the insulating layer forming step.
  • the thermoelectric structure forming process will be described on the assumption that the pn junction printing process is performed first and the insulating layer is formed later.
  • the insulating base material may be the insulating sheet 12f shown in FIG. 25, but may be a larger member.
  • the insulating base material here does not need to have the same shape as the insulating layer to be formed later.
  • the state force that has been accumulated to some extent as the laminated body lOu will be described.
  • a pn junction printing process is performed. This process includes two printing processes, a p-type thermoelectric semiconductor material and an n-type thermoelectric semiconductor material.
  • a p-type thermoelectric semiconductor material and an n-type thermoelectric semiconductor material are printed in order on the upper surface of the stack lOu that is being manufactured.
  • the p-type thermoelectric semiconductor material is first printed so as to form the first planar pattern group 15.
  • the n-type thermoelectric semiconductor material is printed so as to form the second planar pattern group 16. Up to this point, it is the force 3 ⁇ 4n printing process.
  • the p-type thermoelectric semiconductor material and the n-type thermoelectric semiconductor material are printed so that their ends partially overlap each other, thereby assuring an alternate connection.
  • a plurality of pn junctions 26a and 26b are formed.
  • the p-type thermoelectric semiconductor material is printed first, and the n-type thermoelectric semiconductor material is printed later, but this order may be reversed. If both can be securely connected, both may be printed at the same time.
  • a step of forming an insulating layer is performed. That is, the step of forming the insulating layer 12 so as to cover the pn junctions 26a and 26b of the thermoelectric component is performed. Accordingly, as shown in FIG. 32, the p-type thermoelectric semiconductor material and the n-type thermoelectric semiconductor material printed during the above-described thermoelectric structure forming step are hidden under the insulating layer 12 and become invisible. The upper surface of the unprinted insulating layer 12 is exposed on the uppermost surface of the laminate lOu. This is the process of forming the insulating layer.
  • thermoelectric structure forming element The combination of the pn junction printing process and the insulating layer forming process is a thermoelectric structure forming element. As described above, since the entire formation process is a repetition of the thermoelectric structure forming process, the thermoelectric structure forming process is further performed on the uppermost surface of the laminate lOu. In this way, the laminated body lOu grows by alternately repeating the thermoelectric structure forming step and the insulating layer forming process, and becomes a laminated body 10 (see FIG. 1) in which a desired number of thermoelectric structures are laminated. Furthermore, if the process of forming the external electrode 17 is performed as necessary, the thermoelectric conversion module 100 shown in FIG. 1 can be obtained.
  • the present invention can be applied to a thermoelectric conversion module and a manufacturing method thereof.

Abstract

 熱電変換モジュールは、複数の熱電構成体(11)を積層した積層体を備える。複数の熱電構成体(11)の各々は、絶縁層(12)と、その表面に印刷によって形成されたp型熱電半導体層(13)とn型熱電半導体層(14)とを含む。p型熱電半導体層(13)とn型熱電半導体層(14)とは、直接に交互に接続し合うことによって1本以上の蛇行形状を構成し、この蛇行形状を進行方向後ろから見たときに左側に向かって延在する部分と右側に延在する部分とでp型熱電半導体層(13)とn型熱電半導体層(14)とのいずれの種類であるかが区別されるように配置されている。

Description

明 細 書
熱電変換モジュールおよびその製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、熱電変換モジュールおよびその製造方法に関するものである。
背景技術
[0002] 従来の熱電素子の一般的構造としては、特開平 6— 338636号公報 (特許文献 1) の図 5に示されているようなものがある。この構造においては、素子全体は板状であり 、 p型および n型の熱電材料が多数の柱として厚み方向に延在するように配置され、 表裏両面において、互いに隣接する p型と n型との熱電材料の端部同士をつなぐよう に板状の導電体が配置され、それぞれ熱電対を構成している。素子全体にわたって 多数形成される熱電対はすべて直列に接続されて!ヽる。 pn接続を担う板状の導電 体は表裏両面に位置するので、この熱電素子における外部との熱の授受方向、すな わち発電のために温度差をつけるべき方向は厚み方向となって 、る。
[0003] さらに、熱電シートに相当するものが特開平 8— 32126号公報 (特許文献 2)に開 示されている。この構造は、耐熱絶縁フィルムの表面に、下側の導電性ペースト、 P 型および N型の半導体ペースト、上側の導電性ペーストの順に積層して印刷した構 造であり、素子全体にわたって熱電対が多数形成される形となっているが、これらの 熱電対はすべて直列に接続されている。この熱電シートにおける外部との熱の授受 方向はやはりシートの厚み方向となっている。
[0004] さらに、「熱電変換装置」と称するものが特開 2004— 104041号公報 (特許文献 3) の図 1に開示されている。この熱電変換装置は、一対のフレキシブルな高分子シート の間に棒状の p型および n型の熱電半導体エレメントを交互に配置し、両端にそれぞ れ隣接する P型および n型の熱電半導体エレメントの端部同士を接続するための電 極を配置することにより、多数の熱電対を直列に接続した構造となっている。この熱 電変換装置における外部との熱の授受方向は棒状の熱電半導体エレメントの長手 方向となっているので、高分子シートの表面に平行な方向となっている。
特許文献 1:特開平 6— 338636号公報 特許文献 2:特開平 8— 32126号公報
特許文献 3:特開 2004—104041号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] 特許文献 1の構造においては、多数の柱構造を配列することとなるので、高密度化 には不向きである。また、外部との熱の授受方向が厚み方向となるので、この方向に 関する温度差を大きくとるためにこの方向の長さを大きくすると、結局は薄型化に反 することとなる。
[0006] 特許文献 2の構造においては、薄型化には効果的であるが、外部との熱の授受方 向はシートの厚み方向であるため、薄型化した結果、温度差を大きくとりにくいという 短所がある。また、各構成要素を印刷して重ねる必要があるため、各構成要素はある 程度広い面積のものとせざるを得ず、シートの面方向の高密度化すなわち、小面積 化には不向きである。
[0007] 特許文献 3の構造においては、半導体エレメントが棒状となっているため、シートの 面方向の高密度化も可能であるが、機械加工限界により、シートの厚み方向の高密 度化は困難である。
[0008] そこで、本発明は、温度差を発生させるための距離を大きくとりやすぐ高密度化も 可能な熱電変換モジュールおよびその製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0009] 上記目的を達成するため、本発明に基づく熱電変換モジュールは、複数の熱電構 成体を積層した積層体を備え、上記複数の熱電構成体の各々は、絶縁層と、上記絶 縁層の表面に印刷によって第 1平面的パターン群で形成された P型熱電半導体層と 、上記絶縁層の表面に印刷によって第 2平面的パターン群で形成された n型熱電半 導体層とを含み、上記第 1平面的パターン群は、複数の第 1基本パターンが離散的 に並んで繰り返す部分を含み、上記第 2平面的パターン群は、複数の第 2基本バタ ーンが離散的に並んで繰り返す部分を含み、上記第 1基本パターンと上記第 2基本 ノターンとは、直接に交互に接続し合うか、または上記絶縁層の表面に離散的に並 んで繰り返すように印刷された金属層をそれぞれ介して間接的に交互に接続し合うこ とによって 1本の蛇行形状または互いに平行に配列された 2本以上の蛇行形状を構 成し、上記 1本の蛇行形状または互いに平行に配列された 2本以上の蛇行形状を進 行方向後ろ力 見たときに左側に向力つて延在する部分と右側に延在する部分とで 上記第 1基本パターンと上記第 2基本パターンとのいずれの種類であるかが区別さ れるように配置されている。
[0010] 上記発明において好ましくは、上記積層体の側面に形成された 2つの外部電極を 備え、上記熱電変換モジュールは、上記蛇行形状の一端から上記絶縁層の端まで を電気的に接続する第 1引出し部と、上記蛇行形状の他端から上記絶縁層の端まで を電気的に接続する第 2引出し部を含み、上記 2つの外部電極は、上記第 1引出し 部と上記第 2引出し部とにそれぞれ個別に電気的に接続されている。
[0011] 上記発明において好ましくは、上記蛇行形状の一端を上記複数の熱電構成体の すべてに渡って積層方向に貫通するように電気的に接続する第 1ビアホールと、上 記蛇行形状の他端を上記複数の熱電構成体のすべてに渡って積層方向に貫通す るように電気的に接続する第 2ビアホールとを備え、上記第 1および第 2ビアホールの 各々において少なくとも一方の端は上記積層体の外面に露出している。
[0012] 上記発明にお!/、て好ましくは、上記 p型熱電半導体層および上記 n型熱電半導体 層のうち少なくとも一方は、出力因子のピーク温度が互いに異なる複数の半導体層 片を含み、上記複数の半導体層片は、出力因子のピーク温度の値に応じて順に配 置されている。
[0013] 上記目的を達成するため、本発明に基づく熱電変換モジュールの製造方法の第 1 の局面は、絶縁シートの表面に p型熱電半導体材料と n型熱電半導体材料とを両方 印刷して pn接合部を 1ケ所以上形成することによって熱電シートを形成する単シート 印刷工程と、上記単シート印刷工程によって形成された上記熱電シートを複数枚積 層する工程と、上記積層する工程の後に焼成する工程とを含む。
[0014] 上記目的を達成するため、本発明に基づく熱電変換モジュールの製造方法の第 2 の局面は、絶縁基材の表面に、熱電構成体形成工程を複数回繰り返すことによって 熱電構成体を積層させる全体形成工程と、上記全体形成工程の後に焼成する工程 とを含み、上記熱電構成体形成工程は、 p型熱電半導体材料と n型熱電半導体材料 とを両方印刷して pn接合部を 1ケ所以上形成することによって熱電構成部を形成す る pn接合部印刷工程と、上記熱電構成部の上記 pn接合部を覆うように絶縁層を形 成する工程とを含む。
発明の効果
[0015] 本発明によれば、 pn接合部を印刷によって絶縁層表面に形成することができるの で作製作業が容易であり、高密度化も容易である。また、外部との熱の授受方向は 積層体の厚み方向ではなぐ積層体の 1層 1層をなす熱電構成体の主表面に平行な 方向であるので、温度差を与えるべき方向の寸法を長くとることも容易である。
図面の簡単な説明
[0016] [図 1]本発明に基づく実施の形態 1における熱電変換モジュールの斜視図である。
[図 2]本発明に基づく実施の形態 1における熱電変換モジュールに含まれる熱電構 成体の単独での斜視図である。
[図 3]本発明に基づく実施の形態 1における熱電変換モジュールに関係する第 1平面 的パターン群の平面図である。
[図 4]本発明に基づく実施の形態 1における熱電変換モジュールに関係する第 2平面 的パターン群の平面図である。
[図 5]本発明に基づく実施の形態 1における熱電変換モジュールに含まれる熱電構 成体の上面説明図である。
[図 6]本発明に基づく実施の形態 1にお 、て蛇行形状のノリエーシヨンにっ 、て示す 第 1の平面図である。
[図 7]本発明に基づく実施の形態 1にお 、て蛇行形状のノリエーシヨンにっ 、て示す 第 2の平面図である。
[図 8]本発明に基づく実施の形態 1にお 、て蛇行形状のノリエーシヨンにっ 、て示す 第 3の平面図である。
[図 9]本発明に基づく実施の形態 1にお 、て蛇行形状のノリエーシヨンにっ 、て示す 第 4の平面図である。
[図 10]本発明に基づく実施の形態 1にお 、て蛇行形状のノリエーシヨンにっ 、て示 す第 5の平面図である。 [図 11]本発明に基づく実施の形態 1にお 、て蛇行形状のノ リエーシヨンにっ 、て示 す第 6の平面図である。
[図 12]本発明に基づく実施の形態 1にお 、て蛇行形状のノ リエーシヨンにっ 、て示 す第 7の平面図である。
[図 13]本発明に基づく実施の形態 1にお 、て蛇行形状のノ リエーシヨンにっ 、て示 す第 8の平面図である。
[図 14]本発明に基づく実施の形態 1にお 、て蛇行形状のノ リエーシヨンにっ 、て示 す第 9の平面図である。
[図 15]本発明に基づく実施の形態 1にお 、て蛇行形状のノ リエーシヨンにっ 、て示 す第 10の平面図である。
圆 16]本発明に基づく実施の形態 1において 2本以上の蛇行形状が配列される第 1 の例の平面図である。
圆 17]本発明に基づく実施の形態 1において 2本以上の蛇行形状が配列される第 2 の例の平面図である。
[図 18]本発明に基づく実施の形態 1における熱電変換モジュールをビアホール方式 とした場合の熱電変換モジュールに含まれる熱電構成体の単独での斜視図である。
[図 19]本発明に基づく実施の形態 1における熱電変換モジュールをビアホール方式 とした場合の斜視図である。
圆 20]本発明に基づく実施の形態 2において温度と出力因子との関係を示す第 1の グラフである。
圆 21]本発明に基づく実施の形態 2において温度と出力因子との関係を示す第 2の グラフである。
圆 22]本発明に基づく実施の形態 2における熱電変換モジュールに含まれる熱電構 成体の第 1の例の上面図である。
圆 23]本発明に基づく実施の形態 2における熱電変換モジュールに含まれる熱電構 成体の第 2の例の上面図である。
[図 24]本発明に基づく実施の形態 3における熱電変換モジュールの製造方法のフロ 一チャートである。 [図 25]本発明に基づく実施の形態 3における熱電変換モジュールの製造方法の第 1 の工程の説明図である。
[図 26]本発明に基づく実施の形態 3における熱電変換モジュールの製造方法の第 2 の工程の説明図である。
[図 27]本発明に基づく実施の形態 3における熱電変換モジュールの製造方法の第 3 の工程の説明図である。
[図 28]本発明に基づく実施の形態 3における熱電変換モジュールの製造方法の第 4 の工程の説明図である。
[図 29]本発明に基づく実施の形態 4における熱電変換モジュールの製造方法のフロ 一チャートである。
[図 30]本発明に基づく実施の形態 4における熱電変換モジュールの製造方法の第 1 の工程の説明図である。
[図 31]本発明に基づく実施の形態 4における熱電変換モジュールの製造方法の第 2 の工程の説明図である。
[図 32]本発明に基づく実施の形態 4における熱電変換モジュールの製造方法の第 3 の工程の説明図である。
符号の説明
[0017] 10 積層体、 10u (作製途中の)積層体、 11 熱電構成体、 12 絶縁層、 12f 絶 縁シート、 13, 13h p型熱電半導体層、 13hl, 13h2, 13h3 半導体層片、 14, 1 4h n型熱電半導体層、 15 第 1平面的パターン群、 16 第 2平面的パターン群、 1 7 外部電極、 18 第 1引出し部、 19 第 2引出し部、 20, 21, 22, 23 金属層、 24 第 1ビアホール、 25 第 2ビアホール、 24a, 25a (各ビアホールの;)露出部、 26a, 26b pn接合部、 27 熱電シート、 90 矢印、 100, 101 熱電変換モジュール、 15 1 第 1基本パターン、 161 第 2基本パターン。
発明を実施するための最良の形態
[0018] (実施の形態 1)
図 1〜図 5を参照して、本発明に基づく実施の形態 1における熱電変換モジュール について説明する。この熱電変換モジュールは、複数の熱電構成体を積層した積層 体を備え、前記複数の熱電構成体の各々は、絶縁層と、前記絶縁層の表面に印刷 によって第 1平面的パターン群で形成された p型熱電半導体層と、前記絶縁層の表 面に印刷によって第 2平面的パターン群で形成された n型熱電半導体層とを含み、 前記第 1平面的パターン群は、複数の第 1基本パターンが離散的に並んで繰り返す 部分を含み、前記第 2平面的パターン群は、複数の第 2基本パターンが離散的に並 んで繰り返す部分を含み、前記第 1基本パターンと前記第 2基本パターンとは、直接 に交互に接続し合うか、または前記絶縁層の表面に離散的に並んで繰り返すように 印刷された金属層をそれぞれ介して間接的に交互に接続し合うことによって 1本の蛇 行形状または互いに平行に配列された 2本以上の蛇行形状を構成し、前記 1本の蛇 行形状または互いに平行に配列された 2本以上の蛇行形状を進行方向後ろ力 見 たときに左側に向かって延在する部分と右側に延在する部分とで前記第 1基本バタ ーンと前記第 2基本パターンとの 、ずれの種類であるかが区別されるように配置され ている。
[0019] この熱電変換モジュールにつ 、て、その構成の文言を区切りながら、より詳しく説明 する。まず、この熱電変換モジュール 100は、図 1に示すように複数の熱電構成体 11 を積層した積層体 10を備える。複数の熱電構成体 11の各々は、図 2に示すように、 絶縁層 12と、この絶縁層 12の表面に印刷によって第 1平面的パターン群で形成され た P型熱電半導体層 13と、前記絶縁層の表面に印刷によって第 2平面的パターン群 で形成された n型熱電半導体層 14とを含む。図 3に第 1平面的パターン群 15を示す 。図 4に第 2平面的パターン群 16を示す。第 1平面的パターン群 15は、複数の第 1基 本パターン 151が離散的に並んで繰り返す部分を含む。第 2平面的パターン群 16は 、複数の第 2基本パターン 161が離散的に並んで繰り返す部分を含む。
[0020] 第 1基本パターン 151と第 2基本パターン 161とは、
(a)直接に交互に接続し合うか、
または
(b)前記絶縁層の表面に離散的に並んで繰り返すように印刷された金属層をそ れぞれ介して間接的に交互に接続し合う、
ことによって 1本の蛇行形状または互いに平行に配列された 2本以上の蛇行形状を 構成する。図 2の例では第 1基本パターン 151と第 2基本パターン 161とが上記 (a) に則って「直接に」交互に接続し合うことによって、 1本の蛇行形状が構成されている
[0021] この熱電変換モジュール 100においては、第 1基本パターン 151と第 2基本パター ン 161とは、前記「 1本の蛇行形状または互!、に平行に配列された 2本以上の蛇行形 状」を進行方向後ろから見たときに左側に向力つて延在する部分と右側に延在する 部分とで前記第 1基本パターンと前記第 2基本パターンとのいずれの種類であるかが 区別されるように配置されている。蛇行形状を「進行方向後ろから」見るとは、図 2に おいて矢印 90の向きに見るようなことを意味する。蛇行形状は矢印 90の向きに進行 する形状となっているからである。図 2において矢印 90は左力も右を指すようになつ て!、るが、図 2にお 、て左右 、ずれを進行方向後ろと考えてもよ!、。
[0022] よりわ力りやすくするために、熱電構成体 11の上面図を、矢印 90が下力も上向きに なるような向きで図 5に表示する。図 5に示すように、矢印 90に沿って蛇行形状を見 たとき、蛇行形状は図 5における下から上へと進行しているものとみなすことができる 。蛇行形状は、進行方向の左側に延在することと右側に延在することとを交互に繰り 返して成立している形状であるので、各基本パターンも図 5の中に横方向の矢印で 示したように左右のどちらに向力つて延在しているか分類することができる。図 5の例 では、「左」に向力つて延在しているとみなすことができるのは第 1基本パターン 151 であり、「右」に向かって延在しているとみなすことができるのは第 2基本パターン 161 である。
[0023] さらに好ましくは、この熱電変換モジュール 100は、図 1に示すように積層体 10の側 面に形成された 2つの外部電極 17を備える。熱電変換モジュール 100は、前記蛇行 形状の一端から前記絶縁層の端までを電気的に接続する第 1引出し部 18と、前記 蛇行形状の他端力 前記絶縁層の端までを電気的に接続する第 2引出し部 19を含 む。前記 2つの外部電極 17は、第 1引出し部 18と第 2引出し部 19とに対してそれぞ れ個別に電気的に接続されて!ヽる。
[0024] なお、図 1においては積層体 10の最上面に印刷されたパターンは図示省略してい る。積層体 10の最上面には図 2に示したような蛇行形状のパターンが露出していても よい。あるいは、最上層にこのような蛇行形状が印刷されていない絶縁層 12を積み 重ねることによって蛇行形状のパターンは覆 、隠されて 、てもよ 、。
[0025] 本実施の形態における熱電変換モジュール 100は、絶縁層 12の表面に印刷によ つて平面的パターンとして p型, n型の熱電半導体層を形成し、これらを交互につな げたものである熱電構成体 11を積層した積層体 10であるので、 p型, n型の熱電半 導体層の接続箇所を多数含んでいながら作製が容易であり、高密度化も容易である 。また、外部との熱の授受方向は厚み方向ではなぐ熱電構成体 11の主表面に平行 な方向であるので、温度差を与えるべき方向の寸法を長くとることも容易である。熱電 構成体 11の厚みは変えずに長さを大きくすれば、温度差を与えるべき距離は長くな る。また、熱電構成体の積層枚数を適宜変えることで薄くすることも厚くすることも可 能である。
[0026] さらに、側面に 2つの外部電極 17を備えることにより、外部との接続がしゃすくなる 。外部電極 17は、積層体 10の側面に配置されているのですベての層の熱電構成体 の第 1引出し部 18または第 2引出し部 19と一斉に電気的に接続することも容易であ る。
[0027] 蛇行形状のノリエーシヨンにっ 、て説明する。「蛇行形状」は「ミアンダ (meander) 形状」または「ミアンダパターン」と呼ばれることもある。図 1〜図 5の例では、蛇行形状 は図 6に示すように L字形状と逆 L字形状とを交互に並べたパターンとなっていた。こ こでは、蛇行形状の進行方向を図 6における左力 右とすると進行方向前側に向か つて L字形状の短辺が延びる配置となっていた。しかし、このようなパターンに限らず 、図 7に示すようなパターンであってもよい。すなわち、図 6、図 7に示すように L字形 状の短辺はどちらに延びていてもよい。さらに、図 8に示すように略 Z字形状と略逆 Z 字形状とを交互に並べたパターンであってもよい。図 9、図 10に示すように Vターンを 繰り返すジグザグ形状であってもよ 、。図 11に示すように Uターンを繰り返す蛇行形 状であってもよい。図 6〜図 11で示した例ではいずれも、 p型熱電半導体層である第 1基本パターンと n型熱電半導体層である第 2基本パターンとが直接に交互に接続し 合って蛇行形状を構成している。これに対して、図 12〜図 15に示した例では、 p型 熱電半導体層である第 1基本パターンと n型熱電半導体層である第 2基本パターンと は、上記 (b)の条件に則って、離散的に並んで繰り返すように印刷された金属層 20, 21 , 22, 23をそれぞれ介して間接的に交互に接続し合うことによって蛇行形状を構 成している力 このような構成であってもよい。
[0028] 第 1基本パターンと第 2基本パターンとが交互に接続し合うことによって構成される 蛇行形状は 1本に限らず互いに平行に配列された 2本以上の蛇行形状であってもよ い。たとえば図 16、図 17に示すようなものであってもよい。図 16、図 17ではそれぞれ 3本の蛇行形状が構成されている。図 17に示すように Vターンを繰り返すジグザグ形 状であれば、 V字の谷間を利用して複数の蛇行形状を互いに接近させて配置するこ とができるので、高密度化に好都合である。
[0029] 本実施の形態では、好ましい形態として積層体 10の側面に 2つの外部電極 17が 形成された例について説明したが、各層の熱電構成体 11を電気的に接続し、同時 に電流を取り出すための構成としては、このような外部電極 17を用いる構成の代わり にビアホールによって各層を電気的に接続する構成であってもよい。すなわち、上述 の熱電変換モジュールの好ましい構成としては、図 18、図 19に示す熱電変換モジュ ール 101のようなものであってもよい。熱電変換モジュール 101は、図 18に示すよう に、前記蛇行形状の一端を前記複数の熱電構成体 11のすべてに渡って積層方向 に貫通するように電気的に接続する第 1ビアホール 24と、前記蛇行形状の他端を前 記複数の熱電構成体 11のすべてに渡って積層方向に貫通するように電気的に接続 する第 2ビアホール 25とを備える。図 19に示すように、第 1および第 2ビアホール 24, 25の端は積層体 10の外面に露出していればよい。図 19では、第 1ビアホール 24は 露出部 24aを有し、第 2ビアホール 25は露出部 25aを有する。このようになっていれ ば、第 1,第 2のビアホール 24, 25の端が積層体 10の外面に露出している露出部 2 4a, 25aを利用して外部力もの電気的接続を容易に行なうことができ、確実にすべて の熱電構成体 11との間の電気的接続を達成することができる。
[0030] なお、図 19では露出部 24a, 25aはいずれも積層体 10の上下両方の外面に露出 させている力 このように上下両方の外面に露出させる構成に限らず、上面のみまた は下面のみに露出させることとしてもょ 、。露出部 24aと露出部 25aとで一方は上面 のみ、他方は下面のみに露出させることとしてもよい。 [0031] ビアホールの端を露出させる方式の場合、この積層体全体の左右の端部を金属べ 一スト中にそれぞれディップすることによって、ビアホールの露出部に対して電気的 に接続する外部電極を、積層体の各端部全体を覆うように形成することも可能である
[0032] また、ビアホールの露出部に接するように印刷などで外部電極を形成してもよ!/、。
その場合、たとえば帯状電極がビアホールの露出部を覆うように印刷される。
[0033] 熱電変換モジュール 101においても熱電変換モジュール 100 (図 1参照)と同様に 積層体 10の最上面には蛇行形状のパターンが露出して 、てもよく、絶縁層に覆!、隠 されていてもよい。
[0034] (実施の形態 2)
一般に、熱電半導体層は材質によって図 20に示すように、特定のピーク温度を有 し、その上下の温度では出力因子曲線は勾配を有している。したがって、熱電構成 体としては、出力因子曲線のピーク温度力 やや外れた温度範囲で、出力因子曲線 の勾配が安定し、かつある程度急峻となっている適当な範囲 Rにおいて最も効率良く 発電することができる。
[0035] 図 21〜図 23を参照して、本発明に基づく実施の形態 2における熱電変換モジユー ルについて説明する。この熱電変換モジュールは、基本的に実施の形態 1で説明し たものと同様であるが、さらに追加的な特徴として、前記 p型熱電半導体層および前 記 n型熱電半導体層のうち少なくとも一方は、出力因子のピーク温度が互いに異なる 複数の半導体層片を含み、前記複数の半導体層片は、出力因子のピーク温度の値 に応じて順に配置されて 、る。
[0036] ここでいう複数の半導体層片は、図 21に示すように出力因子のピーク温度が互い に異なる。これらの半導体層片の種類を図 21に示すように PI, P2, P3と表示すると 、本実施の形態における熱電変換モジュールは、図 22に示すような構成であっても よぐ図 23に示すような構成であってもよい。図 22に示す構成に比べて図 23に示す 構成の方が印刷が容易である。
[0037] 図 22の例においては、実施の形態 1における p型熱電半導体層 13に代えて p型熱 電半導体基板 13hが含まれている。 p型熱電半導体層 13hは出力因子のピーク温度 がそれぞれ異なる PI, P2, P3の 3種類の材質力もなる半導体層片 13hl, 13h2, 1 3h3を含んでいる。
[0038] 一方、図 23の例にぉ 、ては、複数の蛇行形状が平行に配列されており、蛇行形状 の 1本 1本ごとに含まれている p型熱電半導体層の材質種類が異なっており、図 23に おける上下方向に PI, P2, P3が分かれて並んでいる。
[0039] 図 22、図 23のいずれの例においても、 PI, P2, P3の並ぶ順は、出力因子のピー ク温度の順となっている。図 22、図 23のいずれの例においても、 n型熱電半導体層 については、実施の形態 1と同じく 1種類の n型熱電半導体層 14のままとしたが、 p型 熱電半導体層の代わりに n型熱電半導体層につ 、て出力因子のピーク温度が互 、 に異なる複数の半導体層片を含ませて同様の構成としてもよい。あるいは、 p型, n型 の両方につ 、て互 ヽに異なる複数の半導体層片を含ませて同様の構成としてもよ!ヽ
[0040] PI, P2, P3の 3種類の半導体層片 13hl, 13h2, 13h3の並ぶ方向は温度差をつ ける方向と平行にすることが好ましい。
[0041] 本実施の形態における熱電変換モジュールでは、部位によって、出力因子のピー ク温度がそれぞれ異なる半導体層片が配置されているので、 1つの大きな温度勾配 の中で各半導体層片がそれぞれ最適な温度範囲に直面するようにして各半導体片 に最大の働きをさせるように設計することが可能となる。
[0042] (実施の形態 3)
図 24〜図 28を参照して、本発明に基づく実施の形態 3における熱電変換モジユー ルの製造方法につ!、て説明する。この熱電変換モジュールの製造方法の大まかなフ ローチャートを図 24に示す。この熱電変換モジュールの製造方法は、絶縁シートの 表面に P型熱電半導体材料と n型熱電半導体材料とを両方印刷して pn接合部を 1ケ 所以上形成することによって熱電シートを形成する単シート印刷工程と、前記単シー ト印刷工程によって形成された前記熱電シートを複数枚積層する工程とを含む。
[0043] 単シート印刷工程では、図 25に示すような絶縁シート 12fの表面に、 p型熱電半導 体材料と n型熱電半導体材料とを順に印刷する。すなわち、図 26に示すようにまず 片方を印刷する。この例では、第 1平面的パターン群 15となるように p型熱電半導体 材料を印刷している。次に図 27に示すように第 2平面的パターン群 16となるように n 型熱電半導体材料を印刷して!/ヽる。 P型熱電半導体材料と n型熱電半導体材料とは それぞれの端が一部重なるようにして印刷することによって交互接続を確実にするこ とが好ましい。その結果、 pn接合部 26a, 26bがそれぞれ複数形成されている。ここ では、 p型熱電半導体材料を先に印刷し、 n型熱電半導体材料を後に印刷している 力 の順序は逆であってもよ 、。これらの熱電半導体材料の印刷はスクリーン印刷で 行なうことができる。また、両者の接続が確実にできるのであれば、両方を同時に印 刷してもよい。こうして、図 27に示す熱電シート 27が得られる。
[0044] なお、単シート印刷工程で用いる絶縁シート 12fは、たとえば BaO— Al O— SiO
2 3 2 系セラミック材料や、 ZnO-MgO-Al O—SiO系ガラス材料などのアルミナを主
2 3 2
成分とする材料を含むスラリーをシート成形することにより形成された未焼成のダリー ンシートであってよい。 p型熱電半導体材料は、たとえばクロメル粉末を有機ビヒクル に混鍊させてなるペーストであってよい。 n型熱電半導体材料は、たとえばコンスタン タン粉末を有機ビヒクルに混鍊させてなるペーストであってよい。
[0045] 図 28に示すように、単シート印刷工程によって形成された熱電シート 27を複数枚 積層する工程を行なう。図 28では作製途中の積層体 10uの上に 1枚の熱電シート 2 7を載せている。これを必要回数だけ繰り返した後、圧着させ、必要に応じて個々の 大きさにカットし、さらに焼成することによって完成した積層体 10 (図 1参照)が得られ る。さらに必要に応じて外部電極 17を形成する工程を行なえば、図 1に示した熱電 変換モジュール 100が得られる。
[0046] なお、外部電極 17の代わりに図 18、図 19に示したような第 1ビアホール 24、第 2ビ ァホール 25を形成する場合は、第 1の方法としては、たとえばレーザ照射やパンチン グによって積層体 10に貫通孔を形成する。 Cu粉末を有機ビヒクルに混鍊させてなる ペーストをスクリーン印刷によってこの貫通孔に充填すればよい。あるいは、第 2の方 法としては、積層体 10を形成する前に、積層体 10の各層となるべき絶縁シートのビ ァホールに相当する位置に個別に予め貫通孔を設けておき、これらの絶縁シートが 積層されることによって貫通孔が連接して第 1ビアホール 24、第 2ビアホール 25を形 成するようにしてちょい。 [0047] 本実施の形態における熱電変換モジュールの製造方法によれば、実施の形態 1で 説明した熱電変換モジュールを容易に得ることができる。この製造方法では、 p型, n 型の熱電半導体層をいずれも印刷工程によって形成することができるので、作製が 容易であり、薄く形成することができる。また、高密度化することもできる。 p型, n型の 半導体層同士の接続を「直接に」行なうのではなく、図 12〜図 15に示すように「金属 層を介して」行なう場合は、単シート印刷工程の中で金属層の印刷工程も行なうことと すればよい。この場合、金属層と p型熱電半導体材料との間、金属層と n型熱電半導 体材料との間で、端部がそれぞれ一部重なるように印刷することが好ましい。こうする ことによって、 p型熱電半導体材料 金属層 n型熱電半導体材料 金属層 p型 熱電半導体材料 金属層 n型熱電半導体材料 金属層 …と ヽぅ順の電気的接 続を実現する。このような金属層の印刷にあたっては、たとえば Cu粉末を有機ビヒク ルに混鍊させてなるペーストをスクリーン印刷すればよい。
[0048] (実施の形態 4)
図 29〜図 32を参照して、本発明に基づく実施の形態 4における熱電変換モジユー ルの製造方法につ!、て説明する。この熱電変換モジュールの製造方法の大まかなフ ローチャートを図 29に示す。実施の形態 3では単シート印刷工程があり、単体で存在 し得る熱電シート 27 (図 27参照)をまず作製して力もこれを積層していたが、本実施 の形態における熱電変換モジュールの製造方法では、単シート印刷工程は行なわ ず、積層体に対して直接、印刷と絶縁層形成とを繰返し行なうことで積層体を成長さ せている。
[0049] この熱電変換モジュールの製造方法は、絶縁基材の表面に、熱電構成体形成ェ 程を複数回繰り返すことによって熱電構成体を積層させる全体形成工程を含み、前 記熱電構成体形成工程は、 P型熱電半導体材料と n型熱電半導体材料とを両方印 刷して pn接合部を 1ケ所以上形成することによって熱電構成部を形成する pn接合部 印刷工程と、前記熱電構成部の前記 pn接合部を覆うように絶縁層を形成する工程と を含む。
[0050] 熱電構成体形成工程には、 pn接合部印刷工程と絶縁層を形成する工程とが含ま れている。 1つの熱電構成体形成工程の中に含まれるこれら 2つの工程はどちらを先 ととらえてもよい。全体形成工程は、熱電構成体形成工程の繰返しである。すなわち
、全体形成工程は、 pn接合部印刷工程と絶縁層を形成する工程とを交互に繰返す ことを含んでいる。ここでは、熱電構成体形成工程は pn接合部印刷工程を先に行な つて絶縁層を形成する工程を後に行なうものと仮定して説明する。
[0051] ただし、何もな 、ところに 、きなり印刷することはできな 、ので、最初に印刷を行なう 対象として絶縁基材を用意する。この絶縁基材は図 25に示した絶縁シート 12fのよう なものであってよいが、より大きな部材であってもよい。ここでいう絶縁基材は、後に 形成する絶縁層と同じ形状である必要はない。本実施の形態では、積層体 lOuとし てある程度積み上がった状態力 説明する。
[0052] まず、 pn接合部印刷工程を行なう。この工程は、 p型熱電半導体材料と n型熱電半 導体材料との 2つの印刷の工程を含む。たとえば図 30に示すように、作製途中の積 層体 lOuの上面に対して p型熱電半導体材料と n型熱電半導体材料とを順に印刷す る。図 30の例ではまず第 1平面的パターン群 15となるように p型熱電半導体材料を 印刷している。次に図 31に示すように、第 2平面的パターン群 16となるように n型熱 電半導体材料を印刷している。ここまで力 ¾n接合部印刷工程である。 p型熱電半導 体材料と n型熱電半導体材料とはそれぞれの端が一部重なるようにして印刷すること によって交互接続を確実にすることが好ましい。その結果、 pn接合部 26a, 26bがそ れぞれ複数形成されている。ここでは、 pn接合部印刷工程の中で、 p型熱電半導体 材料を先に印刷し、 n型熱電半導体材料を後に印刷して 、るがこの順序は逆であつ てもよい。また、両者の接続が確実にできるのであれば、両方を同時に印刷してもよ い。
[0053] 次に、絶縁層を形成する工程を行なう。すなわち、熱電構成部の pn接合部 26a, 2 6bを覆うように絶縁層 12を形成する工程を行なう。これによつて、図 32に示すように 、上述の熱電構成体形成工程にぉ ヽて印刷された p型熱電半導体材料および n型 熱電半導体材料は絶縁層 12の下に隠れて見えなくなる。積層体 lOuの最上面には 未印刷の絶縁層 12上面が露出することとなる。ここまでが絶縁層を形成する工程で ある。
[0054] pn接合部印刷工程と絶縁層を形成する工程を合わせたものが熱電構成体形成ェ 程であり、上述したように、全体形成工程は、熱電構成体形成工程の繰返しであるの で、この積層体 lOuの最上面に対してさらに熱電構成体形成工程を行なう。こうして、 熱電構成体形成工程と絶縁層を形成する工程とを交互に繰り返すことによって積層 体 lOuは成長し、所望の数だけ熱電構成体が積層された積層体 10 (図 1参照)となる 。さらに必要に応じて外部電極 17を形成する工程を行なえば、図 1に示した熱電変 換モジュール 100が得られる。
[0055] なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なもので はない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求 の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
産業上の利用可能性
[0056] 本発明は、熱電変換モジュールおよびその製造方法に適用することができる。

Claims

請求の範囲
[1] 複数の熱電構成体 (11)を積層した積層体 (10)を備え、
前記複数の熱電構成体の各々は、
絶縁層(12)と、
前記絶縁層の表面に印刷によって第 1平面的パターン群(15)で形成された p型熱 電半導体層(13)と、
前記絶縁層の表面に印刷によって第 2平面的パターン群(16)で形成された n型熱 電半導体層(14)とを含み、
前記第 1平面的パターン群は、複数の第 1基本パターン(151)が離散的に並んで 繰り返す部分を含み、
前記第 2平面的パターン群は、複数の第 2基本パターン(161)が離散的に並んで 繰り返す部分を含み、
前記第 1基本パターンと前記第 2基本パターンとは、直接に交互に接続し合うか、ま たは前記絶縁層の表面に離散的に並んで繰り返すように印刷された金属層(21, 22 , 23)をそれぞれ介して間接的に交互に接続し合うことによって 1本の蛇行形状また は互いに平行に配列された 2本以上の蛇行形状を構成し、
前記 1本の蛇行形状または互いに平行に配列された 2本以上の蛇行形状を進行方 向後ろ力も見たときに左側に向力つて延在する部分と右側に延在する部分とで前記 第 1基本パターンと前記第 2基本パターンとのいずれの種類であるかが区別されるよ うに配置されている、熱電変換モジュール(100, 101)。
[2] 前記積層体の側面に形成された 2つの外部電極(17)を備え、
前記熱電変換モジュールは、
前記蛇行形状の一端から前記絶縁層の端までを電気的に接続する第 1引出し部( 18)と、前記蛇行形状の他端力 前記絶縁層の端までを電気的に接続する第 2引出 し部(19)を含み、
前記 2つの外部電極は、前記第 1引出し部と前記第 2引出し部とにそれぞれ個別に 電気的に接続されている、請求の範囲第 1項に記載の熱電変換モジュール。
[3] 前記蛇行形状の一端を前記複数の熱電構成体のすべてに渡って積層方向に貫通 するように電気的に接続する第 1ビアホール(24)と、
前記蛇行形状の他端を前記複数の熱電構成体のすべてに渡って積層方向に貫通 するように電気的に接続する第 2ビアホール(25)とを備え、
前記第 1および第 2ビアホールの各々において少なくとも一方の端(24a, 25a)は 前記積層体の外面に露出している、請求の範囲第 1項に記載の熱電変換モジユー ル。
[4] 前記 p型熱電半導体層および前記 n型熱電半導体層のうち少なくとも一方は、出力 因子のピーク温度が互いに異なる複数の半導体層片(13hl, 13h2, 13h3)を含み 、前記複数の半導体層片は、出力因子のピーク温度の値に応じて順に配置されてい る、請求の範囲第 1項に記載の熱電変換モジュール。
[5] 絶縁シート(12f)の表面に p型熱電半導体材料と n型熱電半導体材料とを両方印 刷して pn接合部(26a, 26b)を 1ケ所以上形成することによって熱電シート (27)を形 成する単シート印刷工程と、
前記単シート印刷工程によって形成された前記熱電シートを複数枚積層する工程 と、
前記積層する工程の後に焼成する工程とを含む、熱電変換モジュールの製造方法
[6] 絶縁基材の表面に、熱電構成体形成工程を複数回繰り返すことによって熱電構成 体を積層させる全体形成工程と、
前記全体形成工程の後に焼成する工程とを含み、
前記熱電構成体形成工程は、 P型熱電半導体材料と n型熱電半導体材料とを両方 印刷して pn接合部(26a, 26b)を 1ケ所以上形成することによって熱電構成部を形成 する pn接合部印刷工程と、
前記熱電構成部の前記 pn接合部を覆うように絶縁層(12)を形成する工程とを含 む、熱電変換モジュールの製造方法。
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