WO2007102471A1 - 光電面、それを備える電子管及び光電面の製造方法 - Google Patents

光電面、それを備える電子管及び光電面の製造方法 Download PDF

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photocathode
substrate
intermediate layer
quantum efficiency
layer
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PCT/JP2007/054206
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Shinichi Yamashita
Hiroyuki Watanabe
Hideaki Suzuki
Kengo Suzuki
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Hamamatsu Photonics K.K.
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/12—Manufacture of electrodes or electrode systems of photo-emissive cathodes; of secondary-emission electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01J40/00—Photoelectric discharge tubes not involving the ionisation of a gas
    • H01J40/16—Photoelectric discharge tubes not involving the ionisation of a gas having photo- emissive cathode, e.g. alkaline photoelectric cell

Definitions

  • Photocathode electron tube provided with the photocathode, and method for producing photocathode
  • the present invention relates to a photocathode that emits photoelectrons to the outside when light is incident, and an electron tube including the photocathode
  • a photocathode is an element that emits electrons (photoelectrons) generated in response to incident light, and is used, for example, in a photomultiplier tube.
  • the photocathode has a photoelectron emission layer formed on a substrate, and incident light transmitted through the substrate enters the photoelectron emission layer, where photoelectrons are emitted (see, for example, Document 1: US Pat. No. 3,254,253). .
  • Patent Document 1 US Pat. No. 3,254,253
  • the sensitivity of the photocathode with respect to incident light is preferably high.
  • Patent Document 1 discusses a photocathode including an antireflection film between a substrate and a photoelectron emission layer.
  • further improvements in quantum efficiency are desired on the photocathode.
  • An object of the present invention is to provide a photocathode capable of exhibiting a high value for effective quantum efficiency, an electron tube including the photocathode, and a method for producing the photocathode.
  • the inventor of the present application has made extensive studies to achieve a high quantum efficiency and a photocathode.
  • the photocathode having a photoelectron emitting layer containing an alkali metal is exposed to a high temperature during production. It came to find the new fact that effective quantum efficiency falls.
  • the inventor of the present application considers that the cause of such a decrease in quantum efficiency is that the photoelectron emission layer force, the alkali metal moves to the substrate, and is there an acid hafnium between the substrate and the photoelectron emission layer? I came up with an intermediate layer.
  • the photocathode according to the present invention includes a substrate that transmits incident light, a photoelectron emission layer containing an alkali metal, and an intermediate layer formed between the substrate and the photoelectron emission layer.
  • the intermediate layer also has a hafnium oxide force.
  • the method of manufacturing a photocathode according to the present invention includes a step of forming an intermediate layer that also has an oxided hafnium force on a substrate that transmits incident light, and an intermediate layer that is opposite to the surface in contact with the substrate. And a step of forming a photoelectron emitting layer containing an alkali metal.
  • the effective quantum efficiency of the photocathode is prevented from being reduced by heat treatment performed during manufacture, and high quantum efficiency can be maintained.
  • the intermediate layer made of HfO 2 functions as an antireflection film. Therefore, in the photoemission layer
  • the effective quantum efficiency refers to the quantum efficiency of the entire photocathode including the substrate and the like that are not only for the photoelectron emission layer. Therefore, effective quantum efficiency also reflects factors such as substrate transmittance.
  • an electron tube according to the present invention includes the above-described photocathode, an anode that collects electrons emitted from the photocathode, and a container that accommodates the photocathode and the anode. With such a configuration, a highly sensitive electron tube can be realized.
  • the present invention it is possible to provide a photocathode that can show a high value for effective quantum efficiency, an electron tube including the photocathode, and a method for producing the photocathode.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a partially enlarged configuration of a photocathode according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram showing a cross-sectional configuration of the photomultiplier according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing a process for forming an intermediate layer.
  • FIG. 4 is a diagram showing a process of sealing a container with a stem.
  • FIG. 5 is a diagram showing a process of forming a base layer.
  • FIG. 6 is a diagram showing a step of forming a photoelectron emission layer.
  • FIG. 7 is a conceptual diagram for explaining that an intermediate layer functions as a barrier layer.
  • FIG. 8 is a graph showing temperature dependence of quantum efficiency for Examples and Comparative Examples.
  • FIG. 9 is a graph showing the spectral sensitivity characteristics of Examples and Comparative Examples.
  • FIG. 10 is a graph showing the spectral sensitivity characteristics of Examples and Comparative Examples.
  • FIG. 11 is a graph showing the spectral sensitivity characteristics of Examples and Comparative Examples.
  • FIG. 12 is a diagram showing an AFM image of an Sb film according to an example and an AFM image of an Sb film according to a comparative example.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a partially enlarged configuration of the photocathode according to the embodiment.
  • an intermediate layer 14 On this photoelectric surface 10, as shown in FIG. 1, an intermediate layer 14, an underlayer 16 and a photoelectron emission layer 18 are formed in this order on a substrate 12.
  • the photocathode 10 is schematically shown as a transmissive type in which light hv is incident on both the substrate 12 side force and the photoelectron emission layer 18 side force is emitted.
  • the substrate 12 can be formed thereon with an intermediate layer 14 made of acid hafnium (HfO).
  • HfO acid hafnium
  • the board power is also good.
  • the substrate 12 is preferably one that transmits light with a wavelength of 300 nm to 1000 nm. That's right.
  • An example of such a substrate is a substrate made of quartz glass or borosilicate glass.
  • the intermediate layer 14 is made of HfO.
  • HfO is light with a wavelength of 300nm to 1000nm
  • HfO has an Sb key when Sb is formed on it.
  • the film thickness of the intermediate layer 14 is, for example, in the range of 50 to 1000 (511111 to 100 nm).
  • the underlayer 16 is made of, for example, MnO, MgO, or TiO. Underlayer 16 is a wave
  • the photoelectron emission layer 18 may be formed on the intermediate layer 14 formed by the underlayer 16.
  • the film thickness of the underlayer 16 is, for example, in the range of 5 A to 800 A (0.5 nm to 80 nm).
  • the photoelectron emitting layer 18 is, for example, K—CsSb, Na—KSb, Na—K—CsSb, or Cs.
  • the photoelectron emission layer 18 functions as an active layer of the photocathode 10.
  • the film thickness of the photoelectron emission layer 18 is, for example, in the range of 50 to 2000 (511111 to 20011111).
  • FIG. 2 is a diagram showing a cross-sectional configuration of a photomultiplier tube in which the photocathode 10 is applied as a transparent photocathode.
  • the photomultiplier tube 30 includes an incident window 34 that transmits incident light and a container 32.
  • the container 32 there are a photocathode 10 that emits photoelectrons, a focusing electrode 36 that guides the emitted photoelectrons to the multiplication unit 40, a multiplication unit 40 that multiplies the electrons, and an anode 38 that collects the multiplied electrons. Is provided.
  • the container 32 houses the photocathode 10 and the anode 38.
  • the substrate 12 of the photocathode 10 may be configured to function as the entrance window 34.
  • the multiplication unit 40 provided between the focusing electrode 36 and the anode 38 is composed of a plurality of dynodes 42. Each electrode is electrically connected to a stem pin 44 provided so as to penetrate the container 32.
  • FIGS. 3 to 6 are diagrams schematically showing each step in the method of manufacturing the photomultiplier tube 30.
  • FIG. 3 to 6 are diagrams schematically showing each step in the method of manufacturing the photomultiplier tube 30.
  • a thin film is grown on the substrate portion 12 heated by the heater. As a result, an intermediate layer 14 having an HfO force is formed on the substrate portion 12.
  • a stem plate 57 is prepared in which a focusing electrode 36 having an Sb vapor deposition source 53, a dynode 42, and an alkaline metal source 54 are assembled into a body.
  • a plurality of stem pins 44 for supplying a control voltage to each electrode are fixed to the stem plate 57 in a penetrating state.
  • the Sb vapor deposition source 53 and the alkali metal source 54 are connected via a conductive wire 56 to an electrode 55 fixed in a penetrating manner to the stem plate 57.
  • the stem plate 57 thus prepared and the container 32 are sealed.
  • MnO is vapor-deposited on the intermediate layer 14 formed on the substrate portion 12 in the container 32 to form the underlayer 16. Further, the Sb deposition source 53 is energized and heated to deposit Sb on the underlayer 16 to form the Sb film 58.
  • an alkali metal for example, K, Cs, etc.
  • alkali metal vapor is sent to the Sb film 58 and dynode 42 to activate it.
  • alkali metal vapor is sent to the intermediate layer 14 on the side opposite to the surface of the intermediate layer 14 that contacts the substrate portion 12.
  • a photoelectron emission layer for example, a film made of K—Cs—Sb
  • an alkali metal for example, K, Cs, etc.
  • the photocathode 10 and the photomultiplier tube 30 including the photocathode 10 are formed by the above manufacturing method.
  • the effective quantum efficiency of the photocathode is reduced by the heat treatment applied during manufacture. To be suppressed, and high quantum efficiency can be maintained.
  • This includes an intermediate layer 14 having an HfO force between the substrate 12 and the photoelectron emission layer 18, and the intermediate layer 14 is provided with a photoelectron.
  • HfO constituting the intermediate layer 14 has a very dense structure, it does not pass through an alkali metal.
  • HfO is very suitable as a material constituting the intermediate layer 14 that is expected to function as a barrier layer that suppresses the migration of alkali metal from the photoelectron emitting layer 18 to the substrate 12.
  • FIG. 7 is a conceptual diagram for explaining the idea that the intermediate layer 14 functions as a Noria layer.
  • the photocathode 10A without the intermediate layer 14, that is, the photocathode 10A composed of the substrate 12 and the photoelectron emission layer 18, is included in the photoelectron emission layer 18 during the heat treatment in the manufacturing process.
  • Alkali metals for example, K, Cs, etc.
  • K, Cs, etc. are considered to move to the substrate 12. It is assumed that the effective quantum efficiency is reduced.
  • the photocathode 10B including the intermediate layer 14 alkali metals (for example, K, Cs, etc.) contained in the photoelectron emission layer 18 during the heat treatment in the manufacturing process are present. It is considered that the intermediate layer 14 suppresses the movement to the substrate 12. It is inferred that the high effective quantum efficiency can be realized on the photocathode with an intermediate layer.
  • alkali metals for example, K, Cs, etc.
  • the alkali vapor When there are a plurality of types of alkali metals contained in the photoelectron emitting layer, the alkali vapor must be sent a plurality of times. Therefore, it is very effective to suppress the reduction of quantum efficiency due to heat treatment.
  • the photocathode 10 includes an intermediate layer 14 between the substrate 12 and the photoelectron emission layer 18. Therefore, by appropriately controlling the film thickness of the intermediate layer 14, it is possible to reduce the reflectance with respect to light having a desired wavelength. In this way, the intermediate layer 14 functions as an antireflection film, It becomes possible to show effective quantum efficiency.
  • the photocathode 10 includes a base layer 16.
  • the Sb film 58 deposited on the underlayer 16 when forming the photoelectron emission layer 18 can be formed as a more homogeneous film.
  • the photocathode 10 does not have to include the base layer 16.
  • the photomultiplier tube 30 includes the photocathode 10 exhibiting high effective quantum efficiency as described above. Therefore, a photomultiplier tube with good sensitivity can be realized.
  • Samples A to C of the photocathode and samples D to F as comparative examples will be described. Samples A to C and Samples D to F are different in the material constituting the photoelectron emission layer. Samples D to F all have an intermediate layer of HfO.
  • sample A includes a substrate made of quartz glass, an intermediate layer made of HfO, and N
  • sample D which is a comparative example to sample A, includes a substrate made of quartz glass and a photoelectron emission layer made of Na—K—CsSb.
  • Sample B includes a substrate having borosilicate glass power, an intermediate layer made of HfO, Na-K
  • sample E which is a comparative example for sample B, includes a substrate having borosilicate glass power and a photoelectron emission layer made of Na—KSb.
  • Sample C includes a substrate having borosilicate glass power, an intermediate layer made of HfO, and MnO.
  • Sample F which is a comparative example for the sample, includes a substrate made of borosilicate glass, an underlayer made of MnO, and a photoelectron emitting layer made of K CsSb.
  • the refractive index of HfO is about 2.05, and in these samples A to F, the substrate (quartz glass)
  • Table 1 below shows the alkali content (wt%) of the substrate on the photocathode with Sample E, that is, a substrate having borosilicate glass power and a photoelectron emission layer made of Na-KSb. The result measured on the layer side and the opposite side is shown. The measurement results shown in Table 1 are It is the result measured after washing away the alkali metal adhering to the surface of the substrate. Also, ZKN7 (manufactured by Schott) was used as the sample E substrate.
  • FIG. 8 is a graph showing the temperature dependence of the quantum efficiency when Sample A and Sample D are fired.
  • the horizontal axis of the graph shown in Fig. 8 indicates the firing temperature (° C), and the vertical axis indicates the normalized quantum efficiency (%).
  • the standard ⁇ quantum efficiency is a value obtained by standardizing the quantum efficiency at each temperature, assuming that the quantum efficiency at a firing temperature of 10 ° C is 100% for each sample.
  • the results of the normalized quantum efficiency when the firing temperature is changed from 10 ° C to 220 ° C every 10 ° C are shown.
  • sample A is represented by a circle and sample D is represented by a rectangle.
  • sample D shows a normalized quantum efficiency of 71.2% at 220 ° C, since the firing temperature exceeds 180 ° C and the force also decreases the standardized quantum efficiency value. Reduce by.
  • Sample A shows a substantially constant normalized quantum efficiency until the firing temperature reaches 220 ° C, and it can be seen that the standard quantum efficiency of 98.3% is maintained even at 220 ° C.
  • Sample A with an intermediate layer does not reduce quantum efficiency even when the firing temperature is increased. It is clearly shown.
  • the temperature is raised to about 200 ° C or higher, so that the quantum efficiency does not decrease even when the temperature exceeds 200 ° C, which means that a photocathode showing high quantum efficiency is finally obtained. It is very effective. As a result, it can be seen that Sample A suppresses the reduction in quantum efficiency even when heat treatment is performed during production.
  • Fig. 9 is a graph showing the quantum efficiency with respect to wavelength for sample A and sample D, Fig. 10 for sample B and sample E, and Fig. 11 for sample C and sample F, respectively.
  • the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents quantum efficiency (%).
  • the graph indicated by the solid line is Sample A
  • the graph indicated by the dotted line is Sample D
  • the graph indicated by the solid line in Fig. 10 is Sample B
  • the graph indicated by the dotted line is Sample E
  • the graph In Fig. 11 the solid line indicates sample C
  • the dotted line indicates sample F.
  • Sample A exhibits higher quantum efficiency than Sample D for light in the wavelength band of 300 nm to 1000 nm. Specifically, for example, sample A has a quantum efficiency of about 23.1%, sample D has a quantum efficiency of about 16.7%, and sample A has an increase of about 40% of sample D for 400 nm wavelength light. Shows the quantum efficiency of.
  • sample B exhibits higher quantum efficiency than sample E for light in the wavelength band of 300 nm to 700 nm. Specifically, for example, for light with a wavelength of 370 nm, sample B has a quantum efficiency of 30.4%, sample E has a quantum efficiency of 22.9%, and sample B has a quantum efficiency approximately 30% higher than that of sample E. Shows efficiency.
  • sample C exhibits higher quantum efficiency than sample F for light in the wavelength band of 300 nm to 700 nm. Specifically, for example, for light with a wavelength of 420 nm, sample C has a quantum efficiency of 36.5%, sample F has a quantum efficiency of 25.6%, and sample C has a quantum efficiency approximately 40% higher than that of sample F. Indicates.
  • the photocathode For the photocathode provided with the intermediate layer, 23 samples were prepared and measured. For the photocathode without an intermediate layer, three samples were prepared and measured. As a result, as can be seen from Table 2, the average value reaches 28.4% for the photocathode with the intermediate layer, whereas the average value reaches 22.7% for the photocathode without the intermediate layer. But only. Therefore, from Table 2, the photocathode can achieve high quantum efficiency by providing an intermediate layer with HfO force.
  • a photoelectric device comprising a substrate, an intermediate layer made of HfO force, and a photoelectron emitting layer made of K-Cs.
  • the quantum efficiency of the photocathode was measured, and the quantum efficiency of the photocathode with a substrate and a photoelectron emission layer composed of K Cs but without an intermediate layer. In the measurement, light having a wavelength of 420 nm was used as incident light.
  • Nine samples were prepared for the photocathode with the intermediate layer, and one sample was prepared for the photocathode without the intermediate layer.
  • the average values of the quantum efficiencies obtained with these sample forces were obtained for the photocathode with and without the intermediate layer, and the results are shown in Table 3.
  • the photocathode can achieve high quantum efficiency by providing an intermediate layer with HfO force.
  • Figure 12 (b) shows the AFM image of the surface of the Sb film formed on the glass substrate.
  • An AFM image is an image obtained by an atomic force microscope (AFM).
  • the Sb film (Fig. 12 (a)) with the intermediate layer under it is flat and spatially homogeneous compared to the Sb film without the intermediate layer (Fig. 12 (b)). I understand that.
  • an intermediate layer with HfO force By providing an intermediate layer with HfO force in this way, a homogeneous Sb film can be obtained.
  • a photoemission layer can be formed by reacting alkali metal vapor with a homogeneous Sb film. As a result, it is possible to obtain a high-quality photoelectron emission layer with less formation of defect parts such as grain boundaries and contribute to improvement of quantum efficiency.
  • the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible.
  • the substances contained in the substrate 12, the underlayer 16, and the photoelectron emission layer 18 are not limited to the substances described above.
  • the photocathode 10 may not include the underlayer 16.
  • the method for forming the intermediate layer 14, the underlayer 16 and the photoelectron emission layer 18 on the photocathode 10 is not limited to the method described in the above embodiment.
  • the type of alkali metal contained in the photoelectron emitting layer 18 is not limited to cesium (Cs), potassium) and sodium (Na) described in the above embodiment, but may be, for example, rubidium (Rb), or May be lithium (Li). Further, the number of types of alkali metals contained in the photoelectron emitting layer 18 may be one, two (bialkali), or three or more (multialkali). Further, the film thicknesses of the intermediate layer 14, the underlayer 16 and the photoelectron emission layer 18 on the photocathode 10 are not limited to the thicknesses exemplified in the above embodiment.
  • the force shown as an example of the base layer 16 made of MnO is not limited to MnO as exemplified in the description of the photocathode 10.
  • MnO as exemplified in the description of the photocathode 10.
  • MgO, TiO, etc. may be an underlayer.
  • the photocathode according to the present invention may be applied to an electron tube such as a photoelectric tube or an image intensifier (a soot tube).
  • an electron tube such as a photoelectric tube or an image intensifier (a soot tube).
  • the photocathode according to the above embodiment includes a substrate that transmits incident light, a photoelectron emission layer containing an alkali metal, and an intermediate layer formed between the substrate and the photoelectron emission layer. Using a structure that also has acid hafnium power.
  • the method for manufacturing a photocathode according to the above embodiment includes a step of forming an intermediate layer that also has an oxygen-hafnium force on a substrate that transmits incident light, and an opposite side of the surface of the intermediate layer that contacts the substrate. And a step of forming a photoelectron emitting layer containing an alkali metal.
  • an underlayer may be formed between the intermediate layer and the photoelectron emission layer.
  • the Sb film formed when the photoelectron emission layer is formed can be formed as a more uniform film.
  • the photoelectron emitting layer is preferably a compound of antimony (Sb) and an alkali metal.
  • the alkali metal is preferably cesium (Cs), potassium (K), or sodium (Na).
  • the electron tube according to the embodiment uses a configuration including the photocathode, an anode that collects electrons emitted from the photocathode, and a container that stores the photocathode and the anode.
  • a highly sensitive electron tube can be realized.
  • the present invention can be used as a photocathode capable of exhibiting a high value for effective quantum efficiency, an electron tube including the photocathode, and a method for producing the photocathode.

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)

Description

明 細 書
光電面、それを備える電子管及び光電面の製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、光の入射により光電子を外部に放出する光電面、それを備える電子管
、及び光電面の製造方法に関するものである。
背景技術
[0002] 光電面は、入射した光に応じて発生する電子 (光電子)を放出する素子であり、例 えば光電子増倍管に用いられている。光電面は基板上に光電子放出層が形成され たものであり、基板を透過した入射光が光電子放出層に入射し、そこで光電子が放 出される（例えば、文献 1 :米国特許第 3254253号参照)。
特許文献 1：米国特許第 3254253号明細書
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0003] 入射光に対する光電面の感度は高いことが好ましい。光電面の感度を高くするに は、基板及び光電子放出層を備える光電面に入射する光子の数に対する光電面外 部に放出される光電子の数の割合を示す実効的な量子効率を高くする必要がある。 例えば、特許文献 1においては、基板と光電子放出層との間に反射防止膜を備える 光電面が検討されている。しかしながら、光電面においては、さらなる量子効率の向 上が望まれている。
[0004] 本発明は、実効的な量子効率について高い値を示すことができる光電面、それを 備える電子管、及び光電面の製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0005] ところで、本願発明者は、量子効率の高!、光電面を実現すべく鋭意研究を重ねた ところ、アルカリ金属を含む光電子放出層を備える光電面では製造時に高温にさらさ れることで、実効的な量子効率が低下してしまうという新たな事実を見出すに至った。 本願発明者はこうした量子効率の低下の原因は光電子放出層力 アルカリ金属が基 板に移動してしまうことにあると考え、基板と光電子放出層との間に酸ィ匕ハフニウムか らなる中間層を設けることに思い至った。
[0006] このような検討結果を踏まえ、本発明による光電面は、入射光を透過する基板と、 アルカリ金属を含む光電子放出層と、基板と光電子放出層との間に形成された中間 層とを備え、中間層が酸化ハフニウム力もなることを特徴とする。
[0007] また、本発明による光電面の製造方法は、入射光を透過する基板上に、酸化ハフ -ゥム力もなる中間層を形成する工程と、中間層の基板に接する面と反対側に、アル カリ金属を含む光電子放出層を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
[0008] 上記の光電面では、製造時に施す熱処理によって光電面の実効的量子効率が低 減することが抑制され、高い量子効率を維持することが可能となる。これは、基板と光 電子放出層との間に酸化ハフニウム (HfO )からなる中間層を備え、この中間層が光
2
電子放出層から基板へのアルカリ金属の移動を抑制するバリア層として機能すること によると考えられる。また、基板と光電子放出層との間に挿入された酸化ハフニウム（
HfO )からなる中間層は、反射防止膜として機能する。そのため、光電子放出層に
2
入射する光について所望の波長の反射率が低減され、高い実効的量子効率を示す ことが可能となる。このように、上記の光電面では、実効的量子効率について高い値 を示すことが可能である。ここで、実効的な量子効率とは、光電子放出層についてだ けでなぐ基板等を含む光電面全体での量子効率をいう。したがって、実効的な量子 効率には、基板の透過率などの要素も反映されている。
[0009] また、本発明による電子管は、上記の光電面と、光電面から放出された電子を収集 する陽極と、光電面及び陽極を収納する容器と、を備えることを特徴とする。このよう な構成とすることにより感度の良い電子管を実現することができる。
発明の効果
[0010] 本発明によれば、実効的な量子効率につ!、て高 、値を示すことができる光電面、 それを備える電子管、及び光電面の製造方法を提供することができる。
図面の簡単な説明
[0011] [図 1]図 1は、実施形態に係る光電面の構成を一部拡大して示す断面図である。
[図 2]図 2は、実施形態に係る光電子増倍管の断面構成を示す図である。
[図 3]図 3は、中間層を形成する工程について示す図である。 [図 4]図 4は、ステムによって容器を封止する工程について示す図である。
[図 5]図 5は、下地層を形成する工程について示す図である。
[図 6]図 6は、光電子放出層を形成する工程について示す図である。
[図 7]図 7は、中間層がバリア層として機能することを説明するための概念図である。
[図 8]図 8は、実施例及び比較例について、量子効率の温度依存性を示すグラフで ある。
[図 9]図 9は、実施例及び比較例のそれぞれの分光感度特性を示すグラフである。
[図 10]図 10は、実施例及び比較例のそれぞれの分光感度特性を示すグラフである。
[図 11]図 11は、実施例及び比較例のそれぞれの分光感度特性を示すグラフである。
[図 12]図 12は、実施例に係る Sb膜の AFM像と、比較例に係る Sb膜の AFM像とを 示す図である。
符号の説明
[0012] 10…光電面、 12· ··基板、 14…中間層、 16…下地層、 18· ··光電子放出層、 30· ·· 光電子増倍管、 32…容器、 34…入射窓、 36· ··集束電極、 38· ··陽極、 40· ··増倍部 、 42· ··ダイノード、 44· ··ステムピン、 50· ··ΕΒ装置、 51· ··ΗίΟの蒸着源、 52· "容器
2
、 53- "Sb蒸着源、 54· ··アルカリ金属源、 55· ··電極、 56· ··導線、 57· ··ステム板、 58
〜Sb膜。
発明を実施するための最良の形態
[0013] 以下、図面とともに、本発明による光電面、それを備える電子管及び光電面の製造 方法の実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素 には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
[0014] 図 1は、実施形態に係る光電面の構成を一部拡大して示す断面図である。この光 電面 10では、図 1に示すように、基板 12上に中間層 14、下地層 16、及び光電子放 出層 18がこの順で形成されている。図 1においては、光電面 10は、基板 12側力も光 h vが入射し、光電子放出層 18側力も光電子 e—が放出される透過型として模式的に 図示されている。
[0015] 基板 12は、酸ィ匕ハフニウム (HfO )からなる中間層 14をその上に形成することが可
2
能な基板力もなる。基板 12は、波長 300nm〜1000nmの光を透過するものが好ま しい。このような基板として、例えば石英ガラス、あるいは硼珪酸ガラスカゝらなる基板 がある。
[0016] 中間層 14は、 HfOから形成されている。 HfOは、波長 300nm〜1000nmの光
2 2
に対して高い透過率を示す。また、 HfOは、その上に Sbが形成される場合、 Sbのァ
2
ィランド構造を細力べする。中間層 14の膜厚は、例ぇば50 〜1000 （511111〜100 nm)の範囲である。
[0017] 下地層 16は、例えば MnO、 MgO、あるいは TiOなどからなる。下地層 16は、波
2
長 300ηπ！〜 lOOOnmの光を透過するものが好ましい。また、下地層 16がなぐ中間 層 14上に光電子放出層 18が形成されていてもよい。下地層 16の膜厚は、例えば 5 A〜800A (0. 5nm〜80nm)の範囲である。
[0018] 光電子放出層 18は、例えば K— CsSb、 Na— KSb、 Na— K— CsSb、あるいは Cs
TeSbからなる。光電子放出層 18は、光電面 10の活性層として機能する。光電子 放出層 18の膜厚は、例ぇば50 〜2000 （511111〜20011111)の範囲でぁる。
[0019] 次に、本発明による電子管の実施形態について説明する。図 2は、光電面 10を透 過型光電面として適用した光電子増倍管の断面構成を示す図である。光電子増倍 管 30は、入射光を透過する入射窓 34と、容器 32とを備える。容器 32内には光電子 を放出する光電面 10、放出された光電子を増倍部 40へ導く集束電極 36、電子を増 倍する増倍部 40、及び増倍された電子を収集する陽極 38が設けられている。このよ うに、容器 32は、光電面 10及び陽極 38を収納する。なお、光電子増倍管 30では、 光電面 10の基板 12が入射窓 34として機能するように構成されて 、てもよ!/、。
[0020] 集束電極 36と陽極 38との間に設けられる増倍部 40は、複数のダイノード 42で構 成されている。各電極は、容器 32を貫通するように設けられたステムピン 44と電気的 に接続されている。
[0021] 次に、光電子増倍管 30の製造方法について、図 3〜図 6に基づいて説明する。図 3〜図 6は、光電子増倍管 30の製造方法における各工程について模式的に示す図 である。
[0022] まずは、図 3を参照して、 HfOカゝらなる中間層を基板上に形成する工程を説明す
2
る。図 3に示されるように、洗浄処理を行ったガラスノ レブの容器 32の入射窓 34に相 当する基板部分 12に HfOを蒸着する。蒸着は、例えば EB (electron beam ;エレクト
2
ロンビーム)蒸着装置 50を用いた EB蒸着法によってなされる。すなわち、真空容器 内において、容器 52に収容された HfOの蒸着源 51を電子ビームで加熱蒸発させ、
2
ヒータによって加熱された基板部分 12上に薄膜として成長させる。これにより、基板 部分 12上に HfO力もなる中間層 14が形成される。
2
[0023] 次に、図 4に示すように、 Sb蒸着源 53を備える集束電極 36、ダイノード 42、及びァ ルカリ金属源 54がー体に組み立てられたステム板 57を用意する。ステム板 57には、 各電極に制御電圧を供給するための複数のステムピン 44が貫通状態で固定されて いる。 Sb蒸着源 53及びアルカリ金属源 54は導線 56を介して、ステム板 57に貫通状 態で固定された電極 55に接続している。こうして用意されたステム板 57と容器 32とを 封止する。
[0024] 次に、図 5に示すように、容器 32における基板部分 12上に形成された中間層 14上 に、 MnOを蒸着して下地層 16を形成する。さらに、 Sb蒸着源 53を通電加熱するこ とにより、下地層 16の上に Sbを蒸着し、 Sb膜 58を形成する。
[0025] 次に、図 6を参照して、光電子放出層を形成する工程を説明する。 Sb膜 58及びダ ィノード 42に対してアルカリ金属（例えば、 K、 Csなど)蒸気を送り、活性化処理を施 す。このとき、中間層 14に対し、当該中間層 14の基板部分 12に接する面と反対側 に、アルカリ金属蒸気が送られる。これにより、アルカリ金属（例えば、 K、 Csなど）を 含む光電子放出層（例えば、 K— Cs— Sbからなる膜） 18が形成される。
[0026] 以上の製造方法により、光電面 10及び当該光電面 10を備える光電子増倍管 30が 形成される。
[0027] 光電面 10及び光電子増倍管 30の動作を説明する。光電子増倍管 30において、 入射窓 34を透過した入射光 h vが光電面 10に入射する。光 h vは、基板 12側から 入射し、基板 12、中間層 14、及び下地層 16を透過して光電子放出層 18に達する。 光電子放出層 18は活性層として機能し、ここで光子が吸収されて光電子 e—が発生 する。光電子放出層 18で発生した光電子 e—は、光電子放出層 18表面から放出され る。放出された光電子 e—は増倍部 40で増倍され、陽極 38によって収集される。
[0028] 光電面 10では、製造時に施す熱処理によって光電面の実効的な量子効率が低減 することが抑制され、高い量子効率を維持することが可能となる。これは、基板 12と 光電子放出層 18との間に HfO力もなる中間層 14を備え、この中間層 14が光電子
2
放出層 18から基板 12へのアルカリ金属の移動を抑制するノリア層として機能するこ とに起因すると考えられる。アルカリ金属が移動してしまうと光電子放出層 18の感度 が低下し、さらに移動してきたアルカリ金属によって基板 12が着色し透過率を低下さ せてしまう。したがって、アルカリ金属の基板 12への移動を抑制することによって、光 電子放出層 18の感度上昇、及び基板 12の透過率向上が達成でき、その結果高い 量子効率を維持することが可能となる。
[0029] 中間層 14を構成する HfOは、非常に緻密な構造であるため、アルカリ金属を通し
2
にくいと考えられる。したがって、光電子放出層 18から基板 12へのアルカリ金属の移 動を抑制するバリア層としての機能が期待される中間層 14を構成する材料としては HfOは非常に好適である。
2
[0030] 図 7は、中間層 14がノリア層として機能しているとの考えを説明するための概念図 である。図 7の構成（a)に示すように、中間層 14のない光電面 10A、すなわち基板 1 2と光電子放出層 18とからなる光電面 10Aでは、製造工程における熱処理時に光電 子放出層 18に含まれるアルカリ金属（例えば、 K、 Csなど）が基板 12に移動してしま うと考えられる。実効的な量子効率の低減はその結果によるものと推察される。
[0031] 一方、図 7の構成 (b)に示すように、中間層 14を備える光電面 10Bでは、製造工程 における熱処理時に光電子放出層 18に含まれるアルカリ金属（例えば、 K、 Csなど） が基板 12に移動してしまうことを中間層 14が抑制すると考えられる。中間層を備える 光電面において高い実効的量子効率を実現できるのは、その結果によるものと推察 される。
[0032] 光電子放出層に含まれるアルカリ金属の種類が複数の場合、複数回に渡ってアル カリ蒸気を送らなければならない。そのため、熱処理による量子効率の低減が抑制さ れることは、非常に有効である。
[0033] 光電面 10では、基板 12と光電子放出層 18との間に中間層 14を備える。そのため 、中間層 14の膜厚を適宜制御することで、所望の波長の光について反射率を低減 することが可能となる。このように中間層 14が反射防止膜として機能することで、高い 実効的量子効率を示すことが可能となる。
[0034] 光電面 10は下地層 16を備える。この場合、光電子放出層 18を形成する際に下地 層 16上に蒸着される Sb膜 58を、より一層均質な膜として形成することが可能となる。 なお、光電面 10は、下地層 16を備えなくてもよい。
[0035] 光電子増倍管 30は、上記したように高い実効的量子効率を示す光電面 10を備え る。そのため、感度の良い光電子増倍管を実現することができる。
[0036] 続いて、光電面の具体的なサンプル A〜C及び比較例であるサンプル D〜Fにつ いて説明する。サンプル A〜C及びサンプル D〜Fはそれぞれ、光電子放出層を構 成する材料が異なる。サンプル D〜Fはいずれも、 HfOからなる中間層を備えてい
2
ない。また、これらのサンプルについて測定された量子効率は、上述の実効的量子 効率に相当する。
[0037] 具体的には、サンプル Aは、石英ガラス力 なる基板と、 HfOからなる中間層と、 N
2
a— K— CsSbからなる光電子放出層とを備える。一方、サンプル Aに対する比較例 であるサンプル Dは、石英ガラスからなる基板と、 Na— K— CsSbからなる光電子放 出層とを備える。
[0038] また、サンプル Bは、硼珪酸ガラス力もなる基板と、 HfOからなる中間層と、 Na— K
2
Sbからなる光電子放出層とを備える。一方、サンプル Bに対する比較例であるサンプ ル Eは、硼珪酸ガラス力もなる基板と、 Na— KSbからなる光電子放出層とを備える。
[0039] また、サンプル Cは、硼珪酸ガラス力もなる基板と、 HfOからなる中間層と、 MnO
2
からなる下地層と、 K— CsSbからなる光電子放出層とを備える。一方、サンプルじに 対する比較例であるサンプル Fは、硼珪酸ガラス力 なる基板と、 MnOからなる下地 層と、 K CsSbからなる光電子放出層とを備える。
[0040] HfOの屈折率は約 2. 05であり、これらのサンプル A〜Fにおいて、基板（石英ガ
2
ラス、あるいは硼珪酸ガラス）の屈折率と光電子放出層（Na— K— CsSb、あるいは N a— KSb、あるいは K— CsSb)の屈折率との中間の値である。
[0041] 以下の表 1に、サンプル E、すなわち硼珪酸ガラス力もなる基板と Na— KSbからな る光電子放出層とを備える光電面における基板のアルカリの含有量 (wt%)を、光電 子放出層側とその反対側とで測定した結果を示す。なお、表 1に示す測定結果は、 基板の表面に付着したアルカリ金属を洗い流した後に測定した結果である。また、サ ンプル Eの基板として ZKN7 (ショット社製)を用いた。
[表 1]
Figure imgf000010_0001
[0042] 表 1より、光電子放出層側とその反対側とで含有されているアルカリ金属 (K、 Na) の量が大きく異なり、光電子放出層側の方が多くなつていることがわかる。さらに、サ ンプル Eの光電子放出層と反対側は、着色されず透明のままであつたのに対し、光 電子放出層側は着色して茶色となっていた。これは、製造時の熱処理によって、光 電子放出層に含まれるアルカリ金属 (K、 Na)が基板に侵入したためと考えられる。
[0043] 図 8は、サンプル A及びサンプル Dを焼成したときの、量子効率の温度依存性を表 すグラフである。図 8に示すグラフの横軸は焼成温度 (°C)を、縦軸は規格化量子効 率 (％)をそれぞれ示す。規格ィ匕量子効率とは、各サンプルについて、焼成温度が 1 0°Cの時の量子効率を 100%として各温度での量子効率を規格化した値である。ここ では、各サンプルに対し、焼成温度を 10°Cから 220°Cまで 10°Cごとに変化させたと きの規格化量子効率を求めた結果を示す。図 8に示すグラフでは、サンプル Aを円で 、サンプル Dを四角形で表している。
[0044] 図 8から、サンプル Dは、焼成温度が 180°Cを超えて力も規格ィ匕量子効率の値が小 さくなつてしまい、 220°Cでは 71. 2%の規格化量子効率を示すまでに低減する。一 方、サンプル Aは、焼成温度が 220°Cに至るまで略一定の規格化量子効率を示し、 220°Cにおいても規格ィ匕量子効率 98. 3%を維持することがわかる。このように、中 間層を備えるサンプル Aは焼成温度を上昇させても量子効率を低減させないことが 明確に示されている。光電面を製造する工程においては温度を約 200°C以上に上 昇させるため、 200°Cを超えても量子効率が低減しないということは、最終的に高い 量子効率を示す光電面を得るのに非常に有効である。その結果、サンプル Aでは製 造時に熱処理を施しても量子効率を低減することが抑制されることがわかる。
[0045] 図 9〜図 11に、サンプル A〜Fの分光感度特性を示す。図 9はサンプル A及びサン プル Dについて、図 10はサンプル B及びサンプル Eについて、図 11はサンプル C及 びサンプル Fについて、それぞれ波長に対する量子効率を示すグラフである。図 9〜 図 11それぞれに示すグラフの横軸は波長 (nm)を、縦軸は量子効率 (％)を表す。図 9にお 、て実線で示したグラフはサンプル Aを、点線で示したグラフはサンプル Dを、 図 10において実線で示したグラフはサンプル Bを、点線で示したグラフはサンプル E を、図 11において実線で示したグラフはサンプル Cを、点線で示したグラフはサンプ ル Fをそれぞれ示す。
[0046] 図 9から理解されるように、サンプル Aは 300nm〜1000nmの波長帯域の光に対 し、サンプル Dより高い量子効率を示す。具体的には、例えば波長 400nmの光に対 してサンプル Aは約 23. 1%の量子効率、サンプル Dは約 16. 7%の量子効率と、サ ンプル Aはサンプル Dの約 40%増の量子効率を示す。
[0047] また、図 10から理解されるように、サンプル Bは 300nm〜700nmの波長帯域の光 に対し、サンプル Eより高い量子効率を示す。具体的には、例えば波長 370nmの光 に対してサンプル Bは 30. 4%の量子効率、サンプル Eは 22. 9%の量子効率と、サ ンプル Bはサンプル Eの約 30%超増の量子効率を示す。
[0048] また、図 11から理解されるように、サンプル Cは 300nm〜700nmの波長帯域の光 に対し、サンプル Fより高い量子効率を示す。具体的には、例えば波長 420nmの光 に対してサンプル Cは 36. 5%の量子効率、サンプル Fは 25. 6%の量子効率と、サ ンプル Cはサンプル Fの約 40%増の量子効率を示す。
[0049] 続いて、基板と HfO力 なる中間層と Na—Kからなる光電子放出層とを備える光
2
電面の量子効率、及び基板と光電子放出層とを備え中間層を備えない光電面の量 子効率をそれぞれ測定した。その結果を表 2に示す。測定では、波長 370nmの光を 入射光として用いた。 [表 2]
Figure imgf000012_0001
[0050] 中間層を備える光電面については、 23個のサンプルを用意し測定を行った。中間 層を備えない光電面については、 3個のサンプルを用意し測定を行った。その結果、 表 2から理解されるように、中間層を備える光電面では、平均値が 28. 4%に達する のに対し、中間層を備えない光電面では、平均値が 22. 7%にしか至らない。したが つて、表 2から、 HfO力もなる中間層を備えることで光電面は高い量子効率を実現で
2
きることを明確に理解することができる。
[0051] さらに、基板と HfO力 なる中間層と K—Csからなる光電子放出層とを備える光電
2
面の量子効率、及び基板と K Csからなる光電子放出層とを備え中間層を備えない 光電面の量子効率を測定した。測定では、波長 420nmの光を入射光として用いた。 中間層を備える光電面については 9つのサンプルを用意し、中間層を備えない光電 面については 1つのサンプルを用意した。これらのサンプル力も得られた量子効率を 、中間層を備える光電面及び中間層を備えない光電面それぞれについて平均値を 求め、その結果を表 3に示す。
[表 3]
Figure imgf000013_0001
[0052] 表 3から理解されるように、中間層を備える光電面では、平均値が 36. 2%に達する のに対し、中間層を備えない光電面では、平均値が 27. 6%にしか至らない。したが つて、表 3から、 HfO力もなる中間層を備えることで光電面は高い量子効率を実現で
2
さることを理解することがでさる。
[0053] また、図 12 (a)に HfO力もなる中間層が形成されたガラス基板の当該中間層上に
2
形成された Sb膜表面の AFM像を、図 12 (b)にガラス基板上に形成された Sb膜表 面の AFM像をそれぞれ示す。 AFM像とは、原子間力顕微鏡 (AFM)によって得ら れた像をいう。図 12から、中間層をその下に有する Sb膜 (図 12 (a) )は、中間層を有 さない Sb膜 (図 12 (b) )に比べ平坦で且つ空間的に均質な膜であることがわかる。こ のように HfO力もなる中間層を備えることで、均質な Sb膜を得ることができ、したがつ
2
てアルカリ金属蒸気を均質な Sb膜に反応させて光電子放出層を形成することができ る。その結果、粒界等の欠陥部の形成が少なく良質な光電子放出層を得ることがで き、量子効率の向上に寄与すると考えることができる。
[0054] 以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に 限定されるものではなぐ様々な変形が可能である。例えば、基板 12、下地層 16、及 び光電子放出層 18に含まれる物質は上記に記載した物質に限定されない。光電面 10は、下地層 16を備えていなくてもよい。光電面 10の中間層 14、下地層 16、及び 光電子放出層 18を形成する方法はそれぞれ、上記実施形態に記載された方法に限 らない。
[0055] また、光電子放出層 18が含むアルカリ金属の種類は、上記実施形態に記載したセ シゥム（Cs)、カリウム ）、ナトリウム（Na)に限らず、例えばルビジウム (Rb)、あるい はリチウム (Li)でもよい。また、光電子放出層 18が含むアルカリ金属の種類の数は、 1種類であっても、あるいは 2種類 (バイアルカリ）であっても、あるいは 3種類以上（マ ルチアルカリ）であってもよい。また、光電面 10の中間層 14、下地層 16、及び光電子 放出層 18の膜厚は上記実施形態において例示した厚さに限られない。また、上記 実施形態に係る光電面の製造方法及びサンプルでは、下地層 16として MnOから なる例を示した力 光電面 10の説明で例示したように MnOに限らず例えば MgO、 あるいは TiOなど力もなる下地層であってもよい。
2
[0056] また、光電子増倍管以外に光電管、イメージインテンシファイア (Π管)などの電子 管に本発明による光電面を適用してもよい。
[0057] 上記実施形態による光電面は、入射光を透過する基板と、アルカリ金属を含む光 電子放出層と、基板と光電子放出層との間に形成された中間層とを備え、中間層が 酸ィ匕ハフニウム力もなる構成を用いて 、る。
[0058] また、上記実施形態による光電面の製造方法は、入射光を透過する基板上に、酸 ィ匕ハフニウム力もなる中間層を形成する工程と、中間層の基板に接する面と反対側 に、アルカリ金属を含む光電子放出層を形成する工程と、を備える構成を用いている
[0059] ここで、中間層と光電子放出層との間に下地層が形成されていてもよい。この場合 、光電子放出層を形成する際に形成される Sb膜を、より一層均質な膜として形成す ることが可能となる。
[0060] 光電子放出層は、アンチモン (Sb)とアルカリ金属との化合物であることが好適であ る。アルカリ金属は、セシウム（Cs)、カリウム (K)、またはナトリウム (Na)であるのが好 適である。
[0061] また、上記実施形態による電子管は、上記の光電面と、光電面から放出された電子 を収集する陽極と、光電面及び陽極を収納する容器と、を備える構成を用いている。 このような構成とすることにより感度の良い電子管を実現することができる。
産業上の利用可能性
[0062] 本発明は、実効的な量子効率について高い値を示すことができる光電面、それを 備える電子管、及び光電面の製造方法として利用可能である。

Claims

請求の範囲
[1] 入射光を透過する基板と、アルカリ金属を含む光電子放出層と、前記基板と前記光 電子放出層との間に形成された中間層とを備え、
前記中間層が酸ィ匕ハフニウム力 なることを特徴とする光電面。
[2] 前記中間層と前記光電子放出層との間に下地層が形成されていることを特徴とす る請求項 1記載の光電面。
[3] 前記光電子放出層は、アンチモンと前記アルカリ金属との化合物であることを特徴 とする請求項 1又は 2記載の光電面。
[4] 前記アルカリ金属は、セシウム、カリウム、またはナトリウムであることを特徴とする請 求項 1〜3の何れか一項記載の光電面。
[5] 請求項 1〜4のいずれか一項記載の光電面と、
前記光電面力 放出された電子を収集する陽極と、
前記光電面及び前記陽極を収納する容器と、
を備えることを特徴とする電子管。
[6] 入射光を透過する基板上に、酸化ハフニウムからなる中間層を形成する工程と、 前記中間層の前記基板に接する面と反対側に、アルカリ金属を含む光電子放出層 を形成する工程と、を備えることを特徴とする光電面の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103887126B (zh) * 2008-06-13 2017-06-20 浜松光子学株式会社 光电阴极

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8212475B2 (en) * 2009-04-02 2012-07-03 Hamamatsu Photonics K.K. Photocathode, electron tube, and photomultiplier tube
US8664853B1 (en) * 2012-06-13 2014-03-04 Calabazas Creek Research, Inc. Sintered wire cesium dispenser photocathode
JP5955713B2 (ja) * 2012-09-18 2016-07-20 浜松ホトニクス株式会社 光電陰極
CA2887442C (fr) * 2012-10-12 2019-08-06 Photonis France Photocathode semi-transparente a taux d'absorption ameliore
JP2014044960A (ja) * 2013-11-05 2014-03-13 Hamamatsu Photonics Kk 光電陰極
CN103715033A (zh) * 2013-12-27 2014-04-09 中国科学院西安光学精密机械研究所 一种高灵敏度锑碱光电阴极和光电倍增管
JP6419572B2 (ja) * 2014-12-26 2018-11-07 浜松ホトニクス株式会社 光電面、光電変換管、イメージインテンシファイア、及び光電子増倍管
WO2017128271A1 (en) * 2016-01-29 2017-08-03 Shenzhen Genorivision Technology Co. Ltd. A photomultiplier and methods of making it
CN105655214B (zh) * 2016-03-18 2017-06-20 天津宝坻紫荆科技有限公司 碱源承载器及内置碱源式光电倍增管

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3254253A (en) 1960-12-14 1966-05-31 Emi Ltd Photo-electrically sensitive devices
JPS4984362A (ja) * 1972-12-18 1974-08-13
JPS5532397A (en) * 1978-08-28 1980-03-07 Rca Corp Photoelectric cathode and method of manufacturing same
JPS5755048A (en) * 1980-07-30 1982-04-01 Philips Nv Photoelectric cathode, method of producing same and photomultiplier with same cathode
JPH03238747A (ja) * 1990-02-16 1991-10-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 金属蒸気放電灯およびその製造方法
JPH0574406A (ja) * 1991-09-11 1993-03-26 Hamamatsu Photonics Kk 反射型光電面および光電子増倍管
JPH0668840A (ja) * 1992-08-24 1994-03-11 Hamamatsu Photonics Kk 光電面および光電子増倍管
JPH09213277A (ja) * 1996-02-05 1997-08-15 Matsushita Electron Corp 蛍光ランプ及びその製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4217135Y1 (ja) * 1965-10-23 1967-10-03
US4331701A (en) * 1978-08-28 1982-05-25 Rca Corporation Rubidium-cesium-antimony photocathode
US4311939A (en) * 1980-03-21 1982-01-19 Rca Corporation Alkali antimonide layer on a beryllim-copper primary dynode
FR2498321A1 (fr) * 1981-01-21 1982-07-23 Labo Electronique Physique Structure de detection photoelectrique
DD213549A1 (de) * 1982-12-14 1984-09-12 Werk Fernsehelektronik Veb Verfahren zum aufdampfen von alkalimetallen
JPH0833661B2 (ja) * 1988-10-31 1996-03-29 松下電器産業株式会社 光導電材料
CN1016104B (zh) * 1989-07-25 1992-04-01 浙江大学 防蚀双层减反射膜
JP2758529B2 (ja) * 1992-04-22 1998-05-28 浜松ホトニクス株式会社 反射型光電面および光電子増倍管
JP2000323192A (ja) * 1999-03-10 2000-11-24 Fuji Xerox Co Ltd 半導体電極及びそれを用いた光電変換素子
JP2000346805A (ja) * 1999-06-09 2000-12-15 Shimadzu Corp 蛍光分光光度計
JP2002231326A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Nec Corp 光電変換素子及びその製造方法
JP2003069011A (ja) * 2001-08-27 2003-03-07 Hitachi Ltd 半導体装置とその製造方法
JP2003273068A (ja) * 2002-03-19 2003-09-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法
JP4459635B2 (ja) * 2004-01-16 2010-04-28 浜松ホトニクス株式会社 電子管及びその製造方法
JP2005268380A (ja) * 2004-03-17 2005-09-29 Renesas Technology Corp ウェットエッチング装置、およびウェットエッチング方法。
WO2005096403A2 (en) * 2004-03-31 2005-10-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic photoelectric conversion element utilizing an inorganic buffer layer placed between an electrode and the active material
US20050224812A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-13 Yu-Chuan Liu Light-emitting device and manufacturing process of the light-emitting device
US20100026590A1 (en) * 2004-07-28 2010-02-04 Kuo-Ching Chiang Thin film multi-band antenna
US7858206B2 (en) * 2004-08-13 2010-12-28 Kanagawa Academy Of Science And Technology Transparent conductor, transparent electrode, solar cell, light emitting device and display panel

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3254253A (en) 1960-12-14 1966-05-31 Emi Ltd Photo-electrically sensitive devices
JPS4984362A (ja) * 1972-12-18 1974-08-13
JPS5532397A (en) * 1978-08-28 1980-03-07 Rca Corp Photoelectric cathode and method of manufacturing same
JPS5755048A (en) * 1980-07-30 1982-04-01 Philips Nv Photoelectric cathode, method of producing same and photomultiplier with same cathode
JPH03238747A (ja) * 1990-02-16 1991-10-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 金属蒸気放電灯およびその製造方法
JPH0574406A (ja) * 1991-09-11 1993-03-26 Hamamatsu Photonics Kk 反射型光電面および光電子増倍管
JPH0668840A (ja) * 1992-08-24 1994-03-11 Hamamatsu Photonics Kk 光電面および光電子増倍管
JPH09213277A (ja) * 1996-02-05 1997-08-15 Matsushita Electron Corp 蛍光ランプ及びその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2006876A4

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103887126B (zh) * 2008-06-13 2017-06-20 浜松光子学株式会社 光电阴极
EP3288060A1 (en) * 2008-06-13 2018-02-28 Hamamatsu Photonics K.K. Photocathode

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Publication number Publication date
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