WO2007065685A1 - Verfahren zum abscheiden eines aufdampfmaterials - Google Patents

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WO2007065685A1
WO2007065685A1 PCT/EP2006/011775 EP2006011775W WO2007065685A1 WO 2007065685 A1 WO2007065685 A1 WO 2007065685A1 EP 2006011775 W EP2006011775 W EP 2006011775W WO 2007065685 A1 WO2007065685 A1 WO 2007065685A1
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WO
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evaporation
vapor deposition
batch
casing
shell
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PCT/EP2006/011775
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Jan Birnstock
Ansgar Werner
Michael Hofmann
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Novaled Ag
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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases

Definitions

  • the invention relates to a method for depositing a vapor deposition material on a base material, in particular for doping a semiconductor material.
  • the invention also relates to a vapor deposition batch and a method for producing the vapor deposition batch.
  • OLEDs have been used since the demonstration of low working voltages by Tang et al. (cf. C.W. Tang et al., Appl. Phys. Lett. 51 (12), 913 (1987)) promising candidates for the implementation of novel lighting or display elements.
  • They comprise a series of thin layers of organic materials, which are preferably vapor-deposited in a vacuum or spun in their polymeric form. After electrical contacting by means of metal layers, they form a variety of electronic or optoelectronic components, for example diodes, light-emitting diodes or photodiodes. Transistors can also be realized with the help of the organic thin layers. These organic components compete with the established components based on inorganic layers.
  • organic-based components over conventional inorganic-based components, for example semiconductors such as silicon, gallium arsenide, is that it is possible to produce very large-area elements, i.e. large display elements such as screens or display areas.
  • the organic starting materials are relatively cheap compared to the inorganic materials.
  • these materials can be applied to flexible substrates, which opens up a whole range of new applications in display and lighting technology.
  • Document US 5,093,698 describes an organic light-emitting diode of the pin type, which is an organic light-emitting diode with doped charge carrier transport layers.
  • three organic layers are used, which are located between two contacts formed as electrodes.
  • N-type and p-type doped layers improve charge carrier injection and the transport of both holes and electrons in the correspondingly doped layer.
  • the energy levels HOMO (“Highest Ocupied Molecular Orbital”) and LUMO (“Lowest Unoccupied Molecular Orbital”) are preferably selected so that both types of charge carriers are “caught” in the emission zone in order to efficiently recombine electrons and
  • the charge carriers are restricted to the emission zone by means of a suitable choice of the ionization potentials / electron affinities for the emission layer and / or the charge carrier transport layer, and the emission layer can also be doped with fluorescent or phosphorescent emitter dopants.
  • the component structure known from document US Pat. No. 5,093,698 leads to a greatly improved charge carrier injection from the contacts into the organic layers.
  • the high conductivity of the doped layers also reduces the voltage drop that occurs there when the OLED is in operation. Doped components can therefore require significantly lower operating voltages than comparable undoped structures with a desired luminance.
  • the dopants for the electron transport layer are very sensitive to oxygen and moisture. Since these molecules are very strong donors in the case of n-doping, they at least partially react with the surrounding air at room temperature and then cannot or at least not fully function in the OLED fulfill. This applies both to inorganic n-dopants such as cesium and to organic n-dopants such as decamethyl cobaltocene.
  • Emitter dopants are also known to react with atmospheric oxygen and moisture at room temperature, thereby reducing the efficiency of the OLED and possibly shifting the spectrum of light emission.
  • An example of such a reactive material is the phosphorescent emitter tris (l-phenylisoquinoline) iridium (III).
  • phosphorescent emitter tris l-phenylisoquinoline
  • III iridium
  • other materials used in organic components can also react with the surrounding atmosphere at room temperature.
  • the production of the component is particularly critical.
  • the air-sensitive material is thermally evaporated in a vacuum system and deposited on a substrate of the component. This process step is not critical for the air-sensitive material, since it usually takes place in a vacuum and the air-sensitive material consequently cannot react with ambient air.
  • the transport of the air-sensitive material to the vacuum coating chamber and the loading of the air-sensitive material with it are critical. In most cases, loading using an inert gas glovebox is not possible, and therefore loading using ambient air is necessary.
  • the loading of a conventional coating system with an evaporation material, which is particularly sensitive to air, for coating by means of evaporation should take place as far as possible without the evaporation material to be processed being exposed to the ambient air and without the modification of the coating system being necessary.
  • the vacuum chamber is conventionally connected to a glove box which is filled with inert gas such as nitrogen or argon. Then the sensitive evaporation material is loaded into the chamber via the glovebox. This procedure is not particularly practical, since a large part of coating systems do not connect to a glovebox is closed and both the purchase and maintenance of such a glovebox are very expensive and complex.
  • Another alternative is to use a source for the evaporation material, which is to be separated from the evaporation system, the source having to be gas-tight after removal.
  • the source can then be filled in a glove box under inert gas with the air-sensitive evaporation material, sealed airtight, discharged from the glove box and reconnected to the coating system.
  • the separation between the source and the coating system is removed and the evaporation process can begin without the air-sensitive material having been able to react.
  • the disadvantage of this variant is that such sources are hardly widespread. They are expensive and the loading procedure is complex.
  • a method for depositing an evaporation material is known (cf. patent abstract of JP 59031865), in which an evaporation batch of an evaporation material is arranged in a container, which is then sealed with a lid.
  • the disgust is made of a material that can be broken open by heating or internal pressure.
  • a thin film made of quartz can be used.
  • the vapor deposition batch is irradiated with laser light.
  • the object of the invention is to provide a method for depositing a vapor deposition material on a base material, in particular for doping a semiconductor, in which the process-appropriate handling of the vapor deposition material is facilitated. Furthermore, an evaporation batch with improved handling and a method for producing the evaporation batch are to be created.
  • This object is achieved according to the invention by a method for depositing a vapor deposition material on a base material according to independent claim 1, a vapor deposition batch according to independent claim 5 and a method for producing a vapor deposition batch according to independent claim 10.
  • the vapor deposition material is reactive, especially sensitive to air. There is sensitivity to one or more gases and / or gas mixtures comprised by air. Alternatively or in addition, there may be sensitivity to moisture.
  • the invention has the advantage over the prior art that the handling of a vapor deposition material is simplified and nevertheless proper handling of the vapor deposition material before evaporation is ensured by the vapor deposition material being shielded from the environment. In this way the quality of the vapor deposition material is maintained and the transportation and storage are facilitated.
  • An airtight enclosure within the meaning of the invention is also present in particular if a small amount of permeation of water vapor is possible through the casing.
  • the casing for enclosing the vapor deposition material can be formed completely or only partially from the meltable casing material.
  • the casing has a section made of a bimetal or a spring steel, which serves as a type of cover or an openable / closable opening.
  • an alternative embodiment of the invention can provide the use of a material, in particular a metal or an alloy, with a shape memory.
  • a "thermal memory effect" is used to open / close the shell.
  • the casing is opened in the area of a casing section formed as a film.
  • Films can be processed using a wide variety of processing methods and are used in various applications for airtight packaging or encapsulation of materials.
  • the use of a film allows the casing to be opened with little effort for the purpose of evaporating the vapor deposition material.
  • a vacuum environment or an inert gas atmosphere is maintained in the vapor deposition space during evaporation and during deposition of the vapor deposition material.
  • the shell is closed by means of gluing, cold forming, welding or soldering.
  • the processes of cold forming also include squeezing to close the casing.
  • a receiving device for receiving at least one casing section to be formed on the crucible, which device is broken open when the casing is opened.
  • the receiving device receives a sleeve section that contracts when the sleeve melts.
  • a further development of the invention provides that when the batch quantity of the vapor deposition material is enclosed, a space that accommodates the batch quantity is evacuated and / or filled with an inert gas, so that it is reliably ensured that no air remains in the space surrounded by the envelope.
  • Fig. 1 is a schematic representation of a vapor deposition batch in cross section, in which one
  • Batch amount of the evaporation material is enclosed in an airtight manner by a casing;
  • 2 shows a schematic illustration of a vapor deposition batch, in which a batch quantity of the vapor deposition material is arranged in a crucible, which is sealed airtight;
  • FIG. 3 shows a schematic illustration of a vapor deposition batch in which a batch quantity of the vapor deposition material is enclosed in an airtight manner in a box-shaped crucible;
  • Fig. 4 is a schematic representation of an arrangement of several coherently formed vapor deposition batches, in which a one-piece for several batch quantities
  • FIG. 5 shows a schematic illustration of the vapor deposition batch according to FIG. 2 in cross section in the closed state and in the open state;
  • Fig. 6 is a schematic representation of a vapor deposition batch in cross section, in which a
  • Cover for receiving a batch amount of the vapor deposition material is provided with a lid;
  • Fig. 7 is a schematic representation of a vapor deposition batch in cross section, in which a
  • Shell is formed from two hemispherical shells.
  • a sensitive material for vapor deposition which is also referred to below as vapor deposition material, is enclosed in an airtight manner after its production and before use for deposition by means of a coating or vapor deposition system, as a result of which a vapor deposition batch is formed which is an airtight sealed batch quantity contains the material to be vapor-deposited in a casing, which can also be called encapsulation.
  • An airtight enclosure within the meaning of the invention is also present in particular if a small amount of permeation of water vapor is possible through the casing.
  • the permeation of water vapor is preferably limited to a maximum of about 100 to 1000 g per m 2 and day 1 shows a schematic illustration of a vapor deposition batch 1 in cross section, in which a batch quantity 2 of the vapor deposition material is enclosed in an airtight manner in a casing 3.
  • the vapor deposition batch 1 is produced, for example, in a glove box under an inert gas atmosphere or in a vacuum, for example by welding into an inert shell material which melts at a temperature which is lower than a vapor deposition temperature of the material to be vaporized.
  • the evaporation batch 1 thus formed is then placed in a deposition crucible in a coating or evaporation chamber of a deposition or coating system (not shown) when the deposition material is deposited.
  • the coating chamber is then pumped out.
  • the evaporation crucible is then heated in order to evaporate the evaporation material.
  • the shell material melts at the melting temperature, which is lower than a vapor deposition temperature of the vapor deposition material, and thus releases the vapor deposition material.
  • the evaporation material released in this way since it is already in a vacuum, does not react chemically, but will evaporate when it reaches its evaporation temperature and is then deposited on a substrate to be coated.
  • a semiconductor substrate can be doped onto this, for example.
  • materials which have one or more of the following properties are suitable as materials for the envelope for the airtight containment of the vapor deposition material:
  • a melting temperature of the material for wrapping is lower than a vaporization temperature of the vapor deposition material
  • the material for the casing in particular a material which is not too brittle or too brittle, allow the vapor-deposition material to be enclosed airtight,
  • materials from the following material classes can be used:
  • Metal alloys for example Indalloy 57 made of 50% bismuth, 30% lead and 20% tin with a melting temperature of about 100 ° C,
  • Metals with a low melting temperature for example indium with a melting temperature of about 156 ° C.
  • - low-melting glass solders for example DM2700 with a melting temperature of about 300 ° C.
  • Low melting point metal alloys are a class of materials that are particularly suitable for the proposed encapsulation, as there are various metal alloys that melt at very low temperatures.
  • it can be a matter of low-melting alloys, that is to say alloy systems of metals, the melting temperature of which is significantly below the melting temperature of the starting metals.
  • a mixture of bismuth 49%, lead 18%, tin 12% and indium 21% melts at a temperature of 58 ° C.
  • a mixture of bismuth 58% and tin 42% melts at a temperature of 58 ° C.
  • Both mixtures are eutectic, which means that they have a well-defined melting temperature.
  • metal alloys such as bismuth 60% and tin 40% melt in a temperature range, here in a range from 138 ° C to 170 ° C. Both classes of metal alloys are suitable for encapsulating air sensitive materials. The melting of glass solders typically starts somewhat higher, namely, for example, at 300 ° C. or higher. Since numerous materials that are used in optoelectronic components are also vapor-deposited in this temperature range, for example CuPc or ZnPc, this material class can also be used for the encapsulation of vapor-deposition materials.
  • the pure metals include gallium (melting temperature 30 ° C), tin (232 ° C), thallium (304 ° C), lead (327 ° C) and zinc (419 ° C) suitable as cover material.
  • the casing used for the encapsulation can be formed in the described embodiments and generally from one or more materials, for example exclusively from a melting material.
  • the material examples given can also be combined with other embodiments, regardless of the specific embodiment in which they are presented here.
  • FIG. 2 shows a schematic representation of a vapor deposition batch 10, in which a batch quantity of a vapor deposition material is arranged in a crucible 11, which is sealed airtight by means of an envelope section 12 made of a film and made of a low-melting material.
  • the batch quantity of the vapor deposition material is filled directly into the crucible 11 in a glove box (not shown), which is then closed by means of the foil, which is made of indium, for example, the foil being soldered or glued to the for example Crucible 11 is attached, as is basically known in a similar manner when closing a yogurt cup or a medication pack.
  • FIG. 3 shows a schematic illustration of a vapor deposition batch 20, in which a batch quantity of a vapor deposition material is arranged in a linear source designed as a box-shaped crucible 21. ten-shaped crucible 21 is sealed airtight by means of a cover section 22 formed as a cover. The sleeve section 22 is made of a low-melting material and is applied, for example, by means of soldering or gluing.
  • a vapor deposition batch with a desired length as a linear source, in which the vapor deposition material is surrounded in an airtight manner by a casing made of the low-melting material. It can be provided that only one material chamber is formed with the batch amount of the vapor deposition material, or that the air-sensitive material is divided into several chambers, as is shown schematically in FIG. 4, which improves the homogeneity of the distribution of the material to be vapor-deposited in the linear source.
  • the material for the casing and / or the crucible is heated for a certain period of time, for example Ih, at a certain temperature, which is as high as possible but lower than the melting temperature of the casing material, before the air-sensitive material is encapsulated, to drive out water that has adhered to it.
  • FIG. 5 shows a schematic illustration of the vapor deposition batch according to FIG. 2 in cross section in the closed state and in the open state.
  • the crucible 11 is sealed in the closed state with the cover section 12 made of the low-melting material as a cover. closed.
  • the collecting trough 13 is a possible embodiment for a collecting device for receiving remnants of the casing when it is broken open during the evaporation of the evaporation material.
  • a shell 60 in which the air-sensitive material is accommodated, has a cover 61 made of a bimetal. Due to the action of WaTmC 1 either when the cover 61 itself or the shell 60 is heated, during the heating phase in preparation for the deposition, a shear stress occurs due to the different coefficients of thermal expansion, which deforms the bimetal so that the material to be evaporated now emerges from an opening 62 can leak.
  • the lid 61 can be made of bimetal, for example a connecting strap which carries out the thermal deformation and thus lifts the lid 61 and opens the casing.
  • Layers of the bimetallic element are arranged so that the bending leads to opening. When it cools down, the bimetallic element returns to its original shape and closes the opening. This process can be made reversible by means of thermal action.
  • a similar in-situ, non-reversible, but repeatable mechanism can also be implemented by means of shape memory alloys, for example nickel-titanium alloy “nitinol”.
  • shape memory alloys for example nickel-titanium alloy “nitinol”.
  • the closure of the envelope or of components thereof is made from a shape memory alloy.
  • the "thermal memory effect" is used, which is based on an abrupt rearrangement of the metal lattice of the alloy at a certain temperature (about 50 ° C. for Nitinol).
  • the lid or parts thereof are designed at a temperature above the metal lattice forming point so that the Case into which the material to be evaporated is to be accommodated is open.
  • the metal grid realigns itself, but the external shape of the component is retained.
  • the air-sensitive material can be filled in under a protective gas atmosphere, and the opening closes by bending the closure made of a shape memory alloy.
  • a change in shape is triggered when the critical temperature for metal lattice forming is exceeded, which causes the closure to return to its original shape before bending, ie the casing is now open again and the evaporation of the air-sensitive material under vacuum can be done.
  • the casing can be evacuated after filling, so that the cover, which is made, for example, of spring steel or a bimetal or a shape memory alloy, seals particularly well due to the external overpressure.
  • the cover which is made, for example, of spring steel or a bimetal or a shape memory alloy.
  • Fig. 7 shows a further embodiment.
  • Two hollow bodies opened on one side, here two hemispherical shells 71, made of an airtight material, into which the air-sensitive material was filled under a protective gas atmosphere, are then connected to one another in an airtight manner at the circular edges by means of an alloy 72.
  • a connecting seam made of alloy 72 melts below the evaporation temperature of the air-sensitive material, so that the hemispherical shells 71 fold apart and the material located therein can be sublimed when the evaporation temperature is reached and deposited on a substrate. Sealing against air and moisture can also only be ensured by joining the two hemispherical shells 71 and then evacuating the cavity.
  • this arrangement then opens automatically during the pumping down of the vacuum evaporation chamber as soon as the pressure inside the evaporation chamber falls below the pressure prevailing within the spherical shells.
  • the invention in particular with regard to the features explained with reference to FIGS. 1 to 5, is explained in more detail on the basis of further exemplary embodiments.
  • two sheet-like sheets made of Indalloy 57 with the composition Bi 50%, Pb 30%, Sn 20% and a melting point of approximately 100 ° C. are used.
  • Half a gram of tris (l-phenylisoquinoline) iridium (III) is placed between the two sheets of the foil and the edges of the foil are soldered, for example using a conventional soldering iron.
  • This sealed “package” has been (not shown) in a ceramic vapor deposition crucible in a vapor deposition chamber of a vacuum vapor added.
  • the deposition chamber was pumped down to a pressure of 10 "6 mbar.
  • the ceramic evaporation crucible was then heated up.
  • an evaporation rate for the tris (l-phenylisoquinoline) iridium (III) was measured, which corresponds to that in a reference case in which the tris (l-phenylisoquinoline) iridium (III) in a conventional manner via a glovebox and was filled into the crucible without encapsulation.
  • an organic light-emitting diode was produced using the encapsulated emitter material, which, at a voltage of 2.9 V, showed a light emission of 100 cd / m 2 with CIE color coordinates of (0.68; 0.32). These values agree very well with reference values for organic light-emitting diodes which were produced using the emitter material tris (l-phenylisoquinoline) iridium (III) if the emitter material was not used with an airtight envelope, but in a conventional manner. After the production of the organic light-emitting diode, the ceramic evaporation crucible of the tris (l-phenylisoquinoline) iridium (III) was examined.
  • an indium foil was baked for one hour at 120 ° C. in a glove box to remove moisture that had accumulated on the surface could remove reliably.
  • An envelope was then folded out of the film and the air-sensitive dopant Cr (hpp) 4 (see FIG. 8) was filled into it.
  • the edges were cold welded airtight by using pliers to apply pressure to the edges.
  • Two of these envelopes were prepared. The first was placed in a glass cylinder, which was then pumped out. The envelope swelled, indicating that the encapsulation was airtight. The envelope was not destroyed. The cylinder was then heated, whereupon the indium melted and the encapsulated material was released, without being blown away due to the pressure drop in the envelope.
  • the second envelope was used to produce a doped charge carrier transport layer for an organic light emitting diode.
  • ZnPc was used as the matrix for the charge carrier transport layer.
  • the measured conductivity of the doped charge carrier transport layer was in the range of the conductivity of reference samples which were produced with the aid of a dopant which was loaded into the vapor deposition chamber in a conventional manner via a glovebox and without encapsulation.
  • low-melting materials for example metals or metal alloys
  • Such encapsulated materials can then be vaporized in a conventional manner without sacrificing performance.

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Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Abscheiden eines Aufdampfmaterials auf einem Basismaterial, insbesondere zum Dotieren eines Halbleitermaterials, bei dem in einem Aufdampfraum eine Aufdampfcharge (1), bei der eine Chargenmenge (2) des Aufdampfmaterials von einer Hülle (3) luftdicht eingeschlossen ist, eingebracht wird und mittels Erwärmen und /oder Druckverminderung in dem Aufdampfraum die Hülle (3) geöffnet wird, so dass anschließend das Aufdampfmaterial in dem Aufdampfraum verdampft und auf dem Basismaterial abgeschieden wird. Darüber hinaus betriff die Erfindung eine Aufdampfcharge (1) sowie ein Verfahren zum Herstellen der Aufdampfcharge (1).

Description

Verfahren zum Abscheiden eines Aufdampfmaterials
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden eines Aufdampfmaterials auf einem Basismaterial, insbesondere zum Dotieren eines Halbleitermaterials. Darüber hinaus bezieht sich die Erfindung auf eine Aufdampfcharge sowie ein Verfahren zum Herstellen der Aufdampfcharge.
Stand der Technik Eine Vielzahl neuartiger Materialien, die heute in Hochtechnologien Anwendungen finden, ist empfindlich gegenüber einer das Material umgebenden Atmosphäre, also beispielsweise gegen Luft und Feuchtigkeit. Ein Beispiel hierfür sind Materialien, die für organische elektronische Bauelemente wie zum Beispiel organische Leuchtdioden (OLED -„Organische Licht emittierende Diode") eingesetzt werden.
OLEDs sind seit der Demonstration niedriger Arbeitsspannungen von Tang et al. (vgl. C.W. Tang et al., Appl. Phys. Lett. 51 (12), 913 (1987)) aussichtsreiche Kandidaten für die Realisierung von neuartigen Beleuchtungs- oder von Anzeigeelementen. Sie umfassen eine Folge dünner Schichten aus organischen Materialien, welche bevorzugt im Vakuum aufgedampft oder in ihrer polymeren Form aufgeschleudert werden. Nach elektrischer Kontaktierung mittels Metallschichten bilden sie vielfältige elektronische oder optoelektronische Bauelemente, beispielsweise Dioden, Leuchtdioden oder Photodioden. Auch Transistoren lassen sich mit Hilfe der organischen Dünnschichten realisieren. Diese organischen Bauelemente konkurrieren mit den etablierten Bauelementen auf der Basis anorganischer Schichten.
Im Fall der organischen Leuchtdioden wird mittels Injektion von Ladungsträgern, nämlich Elektronen von der einen und Löchern von der anderen Seite, aus den Kontakten in anschließende organische Schichten infolge einer äußeren angelegten Spannung, der folgenden Bildung von Exzitonen (Elektron-Loch-Paare) in einer aktiven Zone und der strahlenden Re- kombination dieser Exzitonen, Licht erzeugt und von der Leuchtdiode emittiert.
Der Vorteil solcher Bauelemente auf organischer Basis gegenüber konventionellen Bauelementen auf anorganischer Basis, zum Beispiel Halbleiter wie Silizium, Galliumarsenid, be- steht darin, dass es möglich ist, sehr großflächige Elemente herzustellen, also große Anzeigeelemente wie Bildschirme oder Anzeigeflächen. Die organischen Ausgangsmaterialien sind gegenüber den anorganischen Materialien relativ billig. Darüber hinaus können diese Materialien aufgrund ihrer gegenüber anorganischen Materialien geringen Prozesstemperatur auf fle- xible Substrate aufgebracht werden, was eine ganze Reihe von neuartigen Anwendungen in der Display- und Beleuchtungstechnik eröffnet.
In dem Dokument US 5,093,698 wird eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ beschrieben, bei der es sich um eine organische Leuchtdiode mit dotierten Ladungsträgertransportschichten handelt. Insbesondere kommen drei organische Schichten zur Anwendung, die sich zwischen zwei als Elektroden gebildeten Kontakten befinden. N-artig und p-artig dotierte Schichten verbessern hierin die Ladungsträgerinjektion und den Transport sowohl von Löchern als auch Elektronen in der entsprechend dotierten Schicht. Die Energieniveaus HOMO („Highest Oc- cupied Molecular Orbital") und LUMO („Lowest Unoccupied Molecular Orbital") sind be- vorzugt so gewählt, dass beide Sorten von Ladungsträgern in der Emissionszone„gefangen" werden, um eine effiziente Rekombination von Elektronen und Löchern zu gewährleisten. Die Beschränkung der Ladungsträger auf die Emissionszone wird mittels geeigneter Wahl der Ionisationspotentiale / Elektronenaffinitäten für die Emissionsschicht und / oder die Ladungsträgertransportschicht realisiert. Auch die Emissionsschicht kann mit fluoreszenten oder phosphoreszenten Emitterdotanden dotiert werden.
Die aus dem Dokument US 5,093,698 bekannte Bauelementstruktur führt zu einer stark verbesserten Ladungsträgerinjektion aus den Kontakten in die organischen Schichten. Die hohe Leitfähigkeit der dotierten Schichten vermindert zudem den dort auftretenden Spannungsab- fall beim Betrieb der OLED. Dotierte Bauelemente können deshalb bei einer gewünschten Leuchtdichte deutlich geringere Betriebsspannungen als vergleichbare undotierte Strukturen benötigen.
Insbesondere die Dotanden für die Elektronentransportschicht sind sehr empfindlich gegen Sauerstoff und Feuchtigkeit. Da diese Moleküle im Fall einer n-Dotierung sehr starke Donatoren sind, reagieren sie zumindest teilweise schon bei Raumtemperatur mit der umgebenden Luft und können danach ihre Funktion in der OLED nicht oder zumindest nicht vollständig erfüllen. Dies gilt sowohl für anorganische n-Dotanden wie Cäsium als auch für organische n- Dotanden wie Decamethylcobaltocen.
Auch von Emitterdotanden ist bekannt, dass sie mit Luftsauerstoff und Feuchtigkeit bei Raumtemperatur reagieren und dadurch die Effizienz der OLED verringert und gegebenenfalls das Spektrum der Lichtemission verschoben ist. Ein Beispiel für ein solches reaktives Material ist der phosphoreszente Emitter Tris(l-phenylisoquinolin)iridium (III). Aber auch andere in organischen Bauelementen eingesetzte Materialien können bei Raumtemperatur mit der umgebenden Atmosphäre reagieren.
Das bedeutet, derartige Materialien müssen während der Herstellung der organischen Bauelemente und auch nach ihrer Fertigstellung vor Umgebungsluft geschützt werden. Da derartige Bauelemente nach ihrer Herstellung gekapselt werden, beispielsweise mittels einer so genannten Dünnschichtverkapselung oder mittels Verkleben mit einer Glas- oder Metallkap- pe, ist besonders die Herstellung des Bauelementes kritisch. Während dieser wird das luftempfindliche Material in einer Vakuumanlage thermisch verdampft und auf einem Substrat des Bauelementes abgeschieden. Dieser Verfahrensschritt ist für das luftempfindliche Material unkritisch, da er üblicherweise im Vakuum erfolgt und das luftempfindliche Material demzufolge nicht mit Umgebungsluft reagieren kann. Kritisch sind hingegen der Transport des luftempfindlichen Materials zur Vakuumbeschichtungskammer und die Beladung dieser mit dem luftempfindlichen Material. Zumeist ist eine Beladung über eine Inertgas-Glovebox nicht möglich, und daher ist eine Beladung über Umgebungsluft notwendig.
Die Beladung einer herkömmlichen Beschichtungsanlage mit einem Aufdampfmaterial, wel- ches insbesondere gegenüber Luft empfindlich ist, zum Beschichten mittels Verdampfen soll möglichst erfolgen, ohne dass das zu verarbeitende Aufdampfmaterial der Umgebungsluft ausgesetzt ist und ohne dass es einer Modifikation der Beschichtungsanlage bedarf. Herkömmlich wird zu diesem Zweck die Vakuumkammer an eine Glovebox, die mit Inertgas wie zum Beispiel Stickstoff oder Argon befüllt ist, angeschlossen. Dann wird das empfindliche Aufdampfmaterial über die Glovebox in die Kammer geladen. Dieses Vorgehen ist nicht besonders praktikabel, da ein Großteil von Beschichtungsanlagen nicht an eine Glovebox schlössen ist und sowohl Anschaffung als auch Wartung einer solchen Glovebox sehr teuer und aufwendig sind.
Alternativ wurde versucht, das Aufdampfmaterial zunächst in Behältnisse zu füllen, die mit einem Inertgas geflutet sind, und dann das Material möglichst schnell in die Vakuumkammer zu bringen und rasch abzupumpen. Bei dieser Vorgehensweise wird zwar der Kontakt zur Umgebungsluft verringert, aber für viele der hochreaktiven Aufdampfmaterialien reicht diese Beladungsprozedur nicht aus. Der kurze Kontakt des empfindlichen Materials mit der Umgebungsluft reicht bereits, dass das Material zumindest teilweise mit dem Sauerstoff oder dem Wasser reagiert.
Eine weitere Alternative besteht darin, eine Quelle für das Aufdampfmaterial zu benutzen, die von der Verdampfungsanlage abzutrennen ist, wobei die Quelle nach Abnahme gasdicht verschlossen sein muss. Dann lässt sich die Quelle in einer Glovebox unter Inertgas mit dem luftempfindlichen Aufdampfmaterial befüllen, luftdicht verschließen, aus der Glovebox ausschleusen und wieder an die Beschichtungsanlage anschließen. Sobald kein Sauerstoff oder Wasser mehr in der Vakuumanlage ist, wird die Trennung zwischen Quelle und Beschichtungsanlage aufgehoben, und der Aufdampfprozess kann beginnen, ohne dass das luftempfindliche Material hätte reagieren können. Nachteil dieser Variante ist, das derartige Quellen kaum verbreitet sind. Sie sind teuer, und die Ladeprozedur ist aufwendig.
Zum Abscheiden eines Aufdampfmaterials ist ein Verfahren bekannt (vgl. Patentzusammenfassung von JP 59031865), bei dem eine Aufdampfcharge eines Aufdampfmaterials in einem Behälter angeordnet wird, welcher dann mit einem Deckel dicht verschlossen wird. Der De- ekel ist aus einem Material, welches mittels Erwärmen oder innerem Druck aufgebrochen werden kann. Beispielsweise kann ein dünner Film aus Quarz genutzt werden. Zum Verdampfen der Aufdampfcharge des Aufdampfmaterials beim Abscheiden wird die Aufdampfcharge mit Laserlicht bestrahlt. Die Erfindung
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Abscheiden eines Aufdampfmaterials auf einem Basismaterial, insbesondere zum Dotieren eines Halbleiters, bei dem die prozeßgerech- te Handhabbarkeit des Aufdampfmaterials erleichtert ist. Weiterhin sollen eine Aufdampfcharge mit verbesserter Handhabbarkeit sowie ein Verfahren zum Herstellen der Aufdampfcharge geschaffen werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren zum Abscheiden eines Auf- dampfmaterials auf einem Basismaterial nach dem unabhängigen Anspruch 1, eine Aufdampfcharge nach dem unabhängigen Anspruch 5 sowie ein Verfahren zum Herstellen einer Aufdampfcharge nach dem unabhängigen Anspruch 10 gelöst.
Das Aufdampfmaterial ist reaktiv, insbesondere luftempfindlich. Es besteht eine Empfind- lichkeit gegenüber einem oder mehreren von Luft umfaßten Gasen und / oder Gasgemischen. Alternativ oder in Ergänzung hierzu kann eine Empfindlichkeit gegenüber Feuchtigkeit vorliegen.
Die Erfindung hat gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil, dass die Handhabung eines Aufdampfmaterials vereinfacht ist und trotzdem ein sachgerechter Umgang mit dem Aufdampfmaterial vor dem Verdampfen gewährleistet ist, indem das Aufdampfmaterial gegenüber der Umgebung abgeschirmt ist. Auf diese Weise wird die Qualität des Aufdampfmaterials aufrechterhalten, und der Transport und die Lagerung werden erleichtert. Ein luftdichter Einschluß im Sinne der Erfindung liegt insbesondere auch dann vor, wenn durch die Hülle hindurch in geringem Umfang eine Permeation von Wasserdampf möglich ist.
Es ist einerseits ein zuverlässiges, luftdichtes Einschließen des Aufdampfmaterials gewährleistet, und andererseits wird ein leichtes Öffnen der Hülle zum Zweck des Verdampfens des Aufdampfmaterials ermöglicht. Es ist eine klare Trennung der Prozeßschritte zum Öffnen der Hülle und nachfolgenden Verdampfen des Aufdampfmaterials gewährleistet. Als schmelzbares Hüllenmaterial wird beispielsweise eine Legierung oder ein Metall verwendet. Derartige Materialien mit niedriger Schmelztemperatur sind als solche in verschiedenen Ausfuhrungsformen bekannt, sodass eine zweckmäßige Auswahl für bestimmte Anwendungsfälle getroffen werden kann. Grundsätzlich kann die Hülle zum Einschließen des Aufdampf- materials vollständig oder nur teilweise aus dem schmelzbaren Hüllenmaterial gebildet sein.
Es kann vorgesehen sein, daß die Hülle über einen Abschnitt aus einem Bimetall oder einem Federstahl verfügt, welcher als eine Art Deckel oder offenbare / verschließbare Öffnung dient. In ähnlicher Weise kann eine alternative Ausgestaltung der Erfindung die Verwendung eines Materials, insbesondere eines Metalls oder einer Legierung, mit einem Formgedächtnis vorsehen. Hierbei wird ein„thermischer Gedächtniseffekt" zum Öffnen / Schließen der Hülle genutzt.
Bei einer Weiterbildung der Erfindung kann vorgesehen sein, dass die Hülle im Bereich eines als Folie gebildeten Hüllenabschnittes geöffnet wird. Folien lassen sich mit Hilfe verschiedenster Verarbeitungsverfahren verarbeiten und werden in verschiedenen Anwendungen zum luftdichten Verpacken oder Verkapseln von Materialien verwendet. Darüber hinaus erlaubt die Verwendung einer Folie ein mit wenig Aufwand ausführbares Öffnen der Hülle zum Zweck des Verdampfens des Aufdampfmaterials.
Um nicht gewollte Reaktionen des Aufdampfmaterials vor dem Abscheiden mit anderen chemischen Stoffen oder Verbindungen zu vermeiden, ist bei einer zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung vorgesehen, dass in dem Aufdampfraum beim Verdampfen und beim Abscheiden des Aufdampfmaterials eine Vakuumumgebung oder eine Inertgasatmosphäre auf- rechterhalten wird.
Für abhängige Unteransprüche betreffend eine Aufdampfcharge sowie ein Verfahren zum Herstellen der Aufdampfcharge gelten die in Verbindung mit abhängigen Unteransprüchen des Verfahrens zum Abscheiden eines Aufdampfmaterials mit zugehörigen Merkmalen erläu- terten Vorteile entsprechend. Bei der Aufdampfcharge ist in einer zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung die Hülle mittels Kleben, Kaltformen, Schweißen oder Löten geschlossen. Die Prozesse des Kaltformens umfassen insbesondere auch das Quetschen zum Schließen der Hülle. Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung kann vorsehen, dass bei der Aufdampfcharge die Hülle wenigstens teilweise von einem Tiegel gebildet ist, aus dem heraus das Aufdampfmaterial zum Abscheiden verdampft werden kann. Hierdurch kann ein an das Aufdampfmaterial angepaßter Tiegel beim Abscheiden verwendet werden, ohne dass es einer Anpassung der Beschichtungsanlage bedarf, da der Tiegel zusammen mit dem Aufdampfmaterial in der Be- Schichtungsanlage eingebracht werden kann.
Bei einer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass an dem Tiegel eine Aufhahmeein- richtung zum Aufnehmen wenigstens eines Hüllenabschnittes gebildet ist, welcher beim Öffnen der Hülle aufgebrochen wird. Auf diese Weise ist es ermöglicht, dass beim Herausneh- men des Tiegels aus der Beschichtungsanlage nach dem Abscheiden gleichzeitig die Reste der aufgebrochenen Hülle entsorgt werden. Beispielsweise kann vorgesehen sein, dass die Aufnahmeeinrichtung einen sich beim Aufschmelzen der Hülle zusammenziehenden Hüllenabschnitt aufnimmt. Im Zusammenhang mit dem Herstellen der Aufdampfcharge, bei der das Aufdampftnaterial von der Hülle luftdicht umgeben wird, sieht eine Fortbildung der Erfindung vor, dass beim Einschließen der Chargenmenge des Aufdampfmaterials ein die Chargenmenge aufnehmender Raum evakuiert und / oder mit einem Inertgas gefüllt wird, so dass zuverlässig gewährleistet ist, dass in dem von der Hülle umgebenen Raum keine Luft verbleibt.
Bevorzugte Ausfiihrungsbeispiele der Erfindung
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausfuhrungsbeispielen unter Bezugnahme auf Figuren einer Zeichnung näher erläutert. Hierbei zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Aufdampfcharge im Querschnitt, bei der eine
Chargenmenge des Aufdampfmaterials von einer Hülle luftdicht eingeschlossen ist; Fig. 2 eine schematische Darstellung einer Aufdampfcharge, bei der eine Chargenmenge des Aufdampfmaterials in einem Tiegel angeordnet ist, welcher luftdicht abgeschlossen ist;
Fig. 3 eine schematische Darstellung einer Aufdampfcharge, bei der eine Chargenmenge des Aufdampfmaterials in einem kastenförmigen Tiegel luftdicht eingeschlossen ist; Fig. 4 eine schematische Darstellung einer Anordnung von mehreren zusammenhängend gebildeten Aufdampfchargen, bei denen für mehrere Chargenmengen eine einteilige
Hülle gebildet ist;
Fig. 5 eine schematische Darstellung der Aufdampfcharge nach Fig. 2 im Querschnitt im geschlossenen Zustand und geöffneten Zustand;
Fig. 6 eine schematische Darstellung einer Aufdampfcharge im Querschnitt, bei der eine
Hülle zur Aufnahme einer Chargenmenge des Aufdampfmaterials mit einem Deckel versehen ist;
Fig. 7 eine schematische Darstellung einer Aufdampfcharge im Querschnitt, bei der eine
Hülle aus zwei Halbkugelschalen gebildet ist; und
Fig. 8 die chemische Strukturformel von Cr(hpp)4.
Ein empfindliches Material zum Aufdampfen, welches im folgenden auch als Aufdampfmate- rial bezeichnet wird, wird nach seiner Herstellung und vor der Verwendung zum Abscheiden mittels einer Beschichtungs- oder Aufdampfanlage in einer Hülle luftdicht eingeschlossen, wodurch eine Aufdampfcharge gebildet ist, welche eine luftdichte abgeschlossene Chargenmenge des aufzudampfenden Materials in einer auch als Verkapselung bezeichenbaren Hülle enthält. Ein luftdichter Einschluß im Sinne der Erfindung liegt insbesondere auch dann vor, wenn durch die Hülle hindurch in geringem Umfang eine Permeation von Wasserdampf möglich ist. Bevorzugt ist die Permeation von Wasserdampf auf maximal etwa 100 bis 1000 g pro m2 und Tag begrenzt Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung einer Aufdampfcharge 1 im Querschnitt, bei der eine Chargemenge 2 des Aufdampfmaterials in einer Hülle 3 luftdicht eingeschlossen ist. Die Herstellung der Aufdampfcharge 1 wird zum Beispiel in einer Glovebox unter Inertgasat- mosphäre oder im Vakuum ausgeführt, beispielsweise mittels Einschweißen in ein inertes Hüllenmaterial, das bei einer Temperatur schmilzt, die niedriger als eine Aufdampftemperatur des aufzudampfenden Materials ist.
Die so gebildete Aufdampfcharge 1 wird dann beim Abscheiden des Aufdampfmaterials in einen Aufdampftiegel in einer Beschichtungs- oder Aufdampfkammer einer Abscheidungs- oder Beschichrungsanlage (nicht dargestellt) gegeben. Danach wird die Beschichtungskam- mer abgepumpt. Beim Herstellen der Aufdampfcharge 1 sollte darauf geachtet werden, dass möglichst wenig Inertgas mit verkapselt wird, da sonst während des Abpumpens aufgrund des Überdrucks im von einer Hülle 3, die als eine Art Verkapselung ausgeführt ist, umgebenen Inneren der Aufdampfcharge 1 eine Kraft auf das Hüllenmaterial wirkt, welche die Hülle 3 zerstören könnte. Sind nur geringe Mengen Inertgas innerhalb der Hülle 3, wird ein Aufbrechen der Verkapselung während des Abpumpens vermieden.
In einem weiteren Schritt wird bei dem Ausführungsbeispiel zum Abscheiden des Auf- dampfmaterials dann der Aufdampftiegel beheizt, um das Aufdampfmaterial zu verdampfen. Hierbei schmilzt bei der Schmelztemperatur, die kleiner als eine Aufdampftemperatur des Aufdampfmaterials ist, das Hüllenmaterial und gibt so das Aufdampfmaterial frei. Das so freigesetzte Aufdampfmaterial, da nun bereits im Vakuum befindlich, reagiert chemisch nicht, sondern wird beim Erreichen seiner Aufdampftemperatur verdampfen und anschließend auf einem zu beschichtenden Substrat abgeschieden. Auf diese kann beispielsweise ein Halbleitersubstrat dotiert werden.
Als Materialien für die Hülle zum luftdichten Einschluß des Aufdampftnaterials kommen in den verschiedenen Ausführungsformen der Erfindung Materialien in Frage, die über eine oder mehrere der folgenden Eigenschaften verfügen:
- niedriger Dampfdruck in der festen Phase,
- niedriger Dampfdruck in der flüssigen Phase, - keine chemische Reaktion mit dem Aufdampfinaterial, auch nicht bei hohen Temperaturen,
- eine Schmelztemperatur des Materials zum Einhüllen ist niedriger als eine Aufdampftemperatur des Aufdampfmaterials,
- geringe Benetzung des Aufdampftiegels und des Aufdampfmaterials,
- mechanische Eigenschaften des Materials für die Hülle, insbesondere ein Material, was nicht zu spröde oder zu brüchig ist, erlauben das luftdichte Einschließen des Aufdampfmaterials,
- keine oder geringe Durchlässigkeit für oder Permeation von Sauerstoff, Luft und Wasserdampf
- preiswertes oder wieder verwendbares Material,
- ökologisch unbedenkliches Material.
Beispielsweise können Materialien aus den folgende Materialklassen verwendet werden:
- Metalllegierungen, zum Beispiel Indalloy 57 aus 50 % Wismut, 30% Blei und 20 % Zinn mit einer Schmelztemperatur etwa 100°C,
- Metalle mit niedriger Schmelztemperatur, zum Beispiel Indium mit einer Schmelztemperatur von etwa 156 °C,
- niedrig-schmelzende Glaslote, zum Beispiel DM2700 mit einer Schmelztemperatur von etwa 300°C.
Metalllegierungen mit niedrigem Schmelzpunkt sind eine Materialklasse, die besonders geeignet ist für die vorgeschlagene Einhüllung, da verschiedene bei sehr niedrigen Temperaturen schmelzende Metalllegierungen existieren. Insbesondere kann es sich um niedrigschmelzende Legierungen handeln, also um Legierungssysteme von Metallen, deren Schmelztemperatur deutlich unterhalb der Schmelztemperatur der Ausgangsmetalle liegt. Beispielsweise schmilzt ein Gemisch von Wismut 49%, Blei 18%, Zinn 12% und Indium 21% bei einer Temperatur von 58°C. Ein Gemisch von Wismut 58% und Zinn 42% dagegen bei 138°C. Beide Gemische sind eutektisch, das bedeutet sie haben eine wohl definierte Schmelztemperatur. Andere Metalllegierungen, wie zum Beispiel Wismut 60% und Zinn 40%, schmelzen in einem Temperaturbereich, hier in einem Bereich von 138°C bis 170°C. Beide Klassen von Metalllegierungen sind für die Verkapselung der luftempfindlichen Materialien geeignet. Das Schmelzen von Glasloten setzt typischerweise etwas höher ein, nämlich beispielsweise bei 300°C oder höher. Da auch in diesem Temperaturbereich zahlreiche Materialien, die in optoelektronischen Bauteilen angewendet werden, aufgedampft werden, zum Beispiel CuPc oder ZnPc, kann auch diese Materialklasse für die Verkapselung von Aufdampfmaterialien verwendet werden.
Von den reinen Metallen sind neben dem bereits genannten Indium, unter anderem auch noch Gallium (Schmelztemperatur 30°C), Zinn (232°C), Thallium (304°C), Blei (327°C) und Zink (419°C) als Hüllenmaterial geeignet.
Die zur Verkapselung genutzte Hülle kann in den beschriebenen Ausführungsformen und allgemein aus einem oder mehreren Materialien gebildet sein, also beispielsweise ausschließlich aus einem schmelzenden Material. Auch die angeführten Materialbeispiele können unab- hängig von der konkreten Ausführungsform, in welcher sie hier vorgestellt werden, mit anderen Ausführungsformen kombiniert werden.
Fig. 2 zeigt eine schematische Darstellung einer Aufdampfcharge 10, bei der eine Chargenmenge eines Aufdampfmaterials in einem Tiegel 11 angeordnet ist, welcher mittels eines als Folie gebildeten Hüllenabschnittes 12 aus einem niedrig-schmelzenden Material luftdicht verschlossen ist. Zum Herstellen der Aufdampfcharge 10 wird die Chargenmenge des Aufdampfmaterials in einer Glovebox (nicht dargestellt) direkt in den Tiegel 11 gefüllt, der dann mittels der Folie, die beispielsweise aus Indium ist, verschlossen wird, wobei die Folie zum Beispiel mittels Löten oder Kleben an dem Tiegel 11 befestigt wird, wie es in ähnlicher Weise beim Verschließen eines Joghurtbechers oder einer Medikamentenpackung grundsätzlich bekannt ist.
Häufig werden heutzutage Aufdampfmaterialien nicht mehr aus so genannten Punktquellen, sondern aus Linearquellen aufgedampft. Auch in diesem Fall ist eine Verkapselung oder Ein- hüllung in der vorgeschlagenen Art und Weise nutzbar. Fig. 3 zeigt eine schematische Darstellung einer Aufdampfcharge 20, bei der eine Chargenmenge eines Aufdampfmaterials in einer als kastenförmiger Tiegel 21 ausgebildeten Linearquelle angeordnet ist, wobei der kas- tenfbrmige Tiegel 21 mittels eines als Deckel gebildeten Hüllenabschnittes 22 luftdicht verschlossen ist. Der Hüllenabschnitt 22 ist aus einem niedrig-schmelzenden Material und beispielsweise mittels Löten oder Kleben aufgebracht. Es kann auch vorgesehen sein, eine Aufdampfcharge mit einer gewünschten Länge als Linearquelle zu bilden, bei das Aufdampfma- terial von einer Hülle aus dem niedrig-schmelzenden Material luftdicht umgeben ist. Hierbei kann vorgesehen sein, nur eine einzige Materialkammer mit der Chargenmenge des Aufdampfmaterials auszubilden, oder das luftempfindliche Material auf mehrere Kammern aufzuteilen, wie dies in Fig. 4 schematisch dargestellt ist, wodurch die Homogenität der Verteilung des aufzudampfenden Materials in der Linearquelle verbessert wird.
Es kann vorgesehen sein, das Material für die Hülle und / oder den Tiegel vor dem Verkapseln des luftempfϊndlichen Materials für eine gewisse Zeitdauer, zum Beispiel Ih, bei einer gewissen Temperatur, die möglichst hoch, aber kleiner als die Schmelztemperatur des Hüllenmaterials ist, auszuheizen, um Wasser, das sich daran festgesetzt hat, auszutreiben.
Um die Verkapselung oder Einhüllung des luftempfindlichen Materials gasdicht zu bilden, kommen neben den bisher erwähnten Verfahren des Klebens und des Lötens noch weitere Verfahren in Frage, die mit erhöhter Temperatur arbeiten und vom Erweichen des Materials unter erhöhter Temperatur Gebrauch machen. Ferner kommen auch Verfahren in Frage, die auf der Kaltformung des Hüllenmaterials beruhen, wie zum Beispiel Kaltwalzen, Kaltschweißen oder Nieten.
Da einige der für die Hülle in Frage kommenden niedrig-schmelzenden Materialien nicht sehr preisgünstig sind, kann wahlweise deren Wiederverwertung vorgesehen sein. Das heißt, nach Beendigung des Abscheidens sind die dann im Aufdampftiegel verbliebenen Hüllenmaterialien zu entnehmen, wahlweise aufzureinigen, beispielsweise mittels Einschmelzen, und dann für weitere Verkapselungen wieder zu verwenden. Hierfür kann eine besondere Ausgestaltung des Tiegels vorgesehen sein. Fig. 5 zeigt eine schematische Darstellung der Aufdampfcharge nach Fig. 2 im Querschnitt im geschlossenen Zustand und geöffneten Zustand. Der Tiegel 11 ist im geschlossen Zustand mit dem als Deckel ausgeführten Hüllenabschnitt 12 aus dem niedrig-schmelzenden Material ver- schlössen. Wenn beim Erwärmen in der Beschichtungsanlage das Material des Hüllenabschnittes 12 schmilzt, zieht dieses sich aufgrund der Oberflächenspannung zusammen und fallt in Form von Kügelchen in den Tiegel 11 hinein. Dort wird es von einer Auffangrinne 13 aufgefangen und kommt daher gar nicht erst in Kontakt mit einer Chargenmenge 14 des Auf- dampfmaterials. Hierdurch kann zuverlässig ausgeschlossen werden, dass das Material des Hüllenabschnittes 12 und das Aufdampfmaterial miteinander reagieren, selbst wenn das Hüllenmaterial nicht völlig inert ist. Die Auffangrinne 13 ist eine mögliche Ausführungsform für eine Auffangeinrichtung zum Aufnehmen von Resten der Hülle, wenn diese beim Aufdampfen des Aufdampfmaterials aufgebrochen wird.
Es kann auch vorgesehen sein, dass sich die Hülle für das luftempfindliche Material beim Abkühlen selber wieder verschließt. Gemäß Fig. 6 weist eine Hülle 60, in der das luftempfindliche Material aufgenommen ist, einen Deckel 61 aus einem Bimetall auf. Aufgrund der Einwirkung von WaTmC1 entweder beim Erhitzen des Deckels 61 selbst oder der Hülle 60, während der Aufheizphase in Vorbereitung der Abscheidung tritt wegen der unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten eine Scherspannung auf, die das Bimetall so verformt, dass aus einer Öffnung 62 nun das zu verdampfende Material austreten kann. Wahlweise kann auch nur ein Teil des Deckels 61 aus Bimetall bestehen, beispielsweise eine Verbindungslasche, der die thermische Verformung vollzieht und so den Deckel 61 anhebt und die Hülle öffnet. Schichten des Bimetallelementes sind so angeordnet, dass die Verbiegung zum Öffnen führt. Beim Abkühlen geht das Bimetallelement in seine ursprüngliche Form zurück und verschließt die Öffnung. Dieser Vorgang kann mittels thermischer Einwirkung reversibel gestaltet sein. Ein ähnlicher in-situ nicht reversibler, aber wiederholbarer Mechanismus kann auch mittels Formgedächtnislegierungen („memory alloys", zum Beispiel Nickel-Titan-Legierung„Niti- nol") realisiert werden. Hierbei ist der Verschluss der Hülle oder von Bestandteilen hiervon (vgl. Fig. 6) aus einer Formgedächtnislegierung hergestellt. Es wird der„thermische Gedächtniseffekt" genutzt, dem eine abrupte Umordnung des Metallgitters der Legierung bei einer bestimmten Temperatur (bei Nitinol etwa 50°C) zu Grunde liegt. Der Deckel oder Teile hiervon werden bei einer Temperatur oberhalb des Metallgitterumformpunktes so gestaltet, dass die Hülle, in die das zu verdampfende Material aufgenommen werden soll, geöffnet ist. Wäh- rend der anschließenden Abkühlphase vollzieht zwar das Metallgitter eine Umorientierung, die äußere Gestalt des Bauteils bleibt aber erhalten. Nun kann das luftempfindliche Material unter Schutzgasatmosphäre eingefüllt werden, und die Öffnung schließt mittels Verbiegen des Verschlusses aus einer Formgedächtnislegierung. Während der Hochheizphase der Verdamp- fungsquelle wird beim Überschreiten der kritischen Temperatur zur Metallgitterumformung eine Formveränderung ausgelöst, was bewirkt, dass der Verschluss in seine ursprüngliche Ausgangsform vor dem Verbiegen zurückgeht, d. h. dass die Hülle nun wieder geöffnet ist und die Verdampfung des luftempfindlichen Materials unter Vakuum erfolgen kann. Die Hülle kann nach dem Befüllen evakuiert werden, so dass der Deckel, der beispielsweise aus Federstahl oder aus einem Bimetall oder einer Formgedächtnislegierung ist, aufgrund des äußeren Überdrucks besonders gut abdichtet. Während des Abpumpens der Vakuumverdampfungskammer nimmt die Druckdifferenz stetig ab, so dass entweder der elastisch verformbare Deckel sich sofort öffnet, oder wie oben beschrieben, die anschließende Erwärmung während der Heizphase zur Umformung / Öffnung führt.
Fig. 7 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel. Zwei einseitig geöffnete Hohlkörper, hier zwei Halbkugelschalen 71, aus einem luftdichten Material, in die unter Schutzgasatmosphäre das luftempfindliche Material eingefüllt wurde, werden danach mittels einer Legierung 72 an den Kreisrändern luftdicht miteinander verbunden. Mittels thermischem Wärmeeintrag schmilzt eine Verbindungsnaht aus der Legierung 72 unterhalb der Verdampfungstemperatur des luftempfindlichen Materials, so dass die Halbkugelschalen 71 auseinanderklappen und das hierin befindliche Material beim Erreichen der Verdampfungstemperatur sublimiert und auf einem Substrat abgeschieden werden kann. Die Abdichtung gegenüber Luft und Feuchtigkeit kann auch nur mittels Zusammenfügen der beiden Halbkugelschalen 71 und hierauf folgendem Evakuieren des Hohlraumes gewährleistet sein. Wie bereits oben beschrieben, öffnet sich dann diese Anordnung während des Abpumpens der Vakuumverdampfungskammer selbstständig, sobald der Druck innerhalb der Verdampfungskammer unter den innerhalb der Kugelschalen herrschenden Druck fällt. Im folgenden wird die Erfindung, insbesondere hinsichtlich der unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 5 erläuterten Merkmale, anhand von weiteren Ausführungsbeispielen detaillierter erläutert. In einer Ausführungsform zum Herstellen einer Aufdampfcharge werden zwei folienartige Blätter aus der Indalloy 57 mit der Zusammensetzung Bi 50%, Pb 30%, Sn 20% und einem Schmelzpunkt von etwa 1000C verwendet. Ein halbes Gramm Tris(l-phenylisoquino- lin)iridium (III) wird zwischen die zwei Blätter der Folie angeordnet, und die Ränder der Folie werden verlötet, beispielsweise mit Hilfe eines herkömmlichen Lötkolbens.
Dieses versiegelte„Paket" wurde in einen Keramik-Aufdampftiegel in eine Aufdampfkammer einer Vakuumaufdampfanlage (nicht dargestellt) gelegt. Die Aufdampfkammer wurde abgepumpt bis auf einen Druck von 10"6mbar. Danach wurde der Keramik- Aufdampftiegel hochgeheizt. Bei einer Temperatur von 280°C wurde eine Aufdampfrate für das Tris(l- phenylisoquinolin)iridium (III) gemessen, welche der in einem Referenzfall entspricht, bei dem das Tris(l-phenylisoquinolin)iridium (III) auf herkömmliche Weise über eine Glovebox und ohne Verkapselung in den Tiegel gefüllt wurde. Mittels dieses Abscheideprozesses wurde eine organische Leuchtdiode mit Hilfe des verkapselten Emitter-Materials hergestellt, die bei einer Spannung von 2.9V eine Lichtemission von lOOcd/m2 mit CIE-Farbkoordinaten von (0,68; 0,32) zeigte. Diese Werte stimmen sehr gut mit Referenzwerten für organische Leuchtdioden überein, die mit Hilfe des Emittermaterials Tris(l-phenylisoquinolin)iridium (III) hergestellt wurden, wenn das Emittermaterial nicht mit einer luftdichten Hülle verwendet wurde, sondern in herkömmlicher Weise. Nach der Herstellung der organischen Leuchtdiode wurde der Keramik-Aufdampftiegel des Tris(l-phenylisoquinolin)iridium (III) untersucht. Es zeigte sich, dass die Indalloy 57 als ein Klümpchen im Tiegel verbleibt, während das verbliebene Tris(l-phenylisoquinoline)iridium (IΙI)-Puder separiert im Tiegel lag. Das zeigt auch, dass eine Wiederverwendung des Hüllenmaterials problemlos möglich ist.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel wurde eine Indiumfolie für eine Stunde bei 120°C in einer Glovebox ausgeheizt, um Feuchtigkeit, die sich an der Oberfläche angelagert haben könnte, zuverlässig zu entfernen. Dann wurde aus der Folie ein Umschlag gefaltet, in den der luftempfindliche Dotand Cr(hpp)4 (vgl. Fig. 8) gefüllt wurde. Die Ränder wurden luftdicht kaltverschweißt, indem mit Hilfe einer Zange Druck auf die Ränder ausgeübt wurde. Zwei dieser Umschläge wurden präpariert. Der erste wurde in einen Glaszylinder platziert, der dar- aufhin abgepumpt wurde. Der Umschlag blähte sich auf, was anzeigt, dass die Verkapselung luftdicht erfolgte. Der Umschlag wurde nicht zerstört. Danach wurde der Zylinder erhitzt, worauf das Indium schmolz und das verkapselte Material freigesetzt wurde, und zwar ohne aufgrund des Druckabfalls im Umschlag weggeblasen zu werden. Mit Hilfe des zweiten Umschlages wurde eine dotierte Ladungsträger-Transportschicht für eine organische Leuchtdiode hergestellt. Als Matrix für die Ladungsträger-Transportschicht wurde ZnPc verwendet. Die gemessene Leitfähigkeit der dotierten Ladungsträger- Transportschicht lag im Bereich der Leitfähigkeit von Referenzproben, die mit Hilfe eines Dotanden hergestellt wurden, der auf herkömmliche Weise über eine Glovebox und ohne Verkapselung in die Aufdampfkammer geladen wurde.
Die beiden zuletzt beschriebenen Ausführungsbeispiel zeigen, dass insbesondere niedrig- schmelzende Materialien, zum Beispiel Metalle oder Metalllegierungen, geeignet sind, luftempfindliche Materialien, die in einer thermischen Vakuumaufdampf- oder Beschichtungsan- läge prozessiert werden sollen, hermetisch gegen die Umgebungsluft abzugrenzen. Derart verkapselte Materialien können anschließend auf herkömmliche Weise verdampft werden, ohne dass Leistungseinbußen auftreten.
Die in der vorstehenden Beschreibung, den Ansprüchen und den Zeichnungen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination für die Verwirklichung der Erfindung in ihren verschiedenen Ausführungsformen von Bedeutung sein.

Claims

Ansprüche
1. Verfahren zum Abscheiden eines Aufdampfmaterials auf einem Basismaterial, insbesondere zum Dotieren eines Halbleitermaterials, bei dem in einem Aufdampfraum eine Aufdampfcharge (1; 10; 20), bei der das Aufdampfmaterial von einer Hülle (3) luftdicht eingeschlossen ist, eingebracht wird und in dem Aufdampfraum die Hülle (3) geöffnet wird, so dass anschließend das Aufdampfmaterial in dem Aufdampfraum verdampft und auf dem Basismaterial abgeschieden wird, wobei die Hülle (3) geöffnet wird, indem ein die Hülle (3) wenigstens teilweise bildendes und schmelzbares Hüllenmaterial bei einer Schmelztemperatur mittels Erwärmen zumindest teilweise geschmolzen wird, welche geringer ist als eine Verdampfungstemperatur des Aufdampfmaterials.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als das schmelzbare Hüllenmaterial eine Legierung oder ein Metall verwendet wird.
3. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Hülle (3) im Bereich eines als Folie gebildeten Hüllenabschnittes geöffnet wird.
4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Aufdampfraum beim Verdampfen und beim Abscheiden des Aufdampfmaterials eine Vakuumumgebung oder eine Inertgasatmosphäre aufrechterhalten wird.
5. Aufdampfcharge (1; 10, 20) mit einem Aufdampfmaterial zum Abscheiden auf einem Basismaterial, insbesondere zum Dotieren eines Halbleitermaterials, wobei eine Char- genmenge (2; 14) des Aufdampfmaterial von einer Hülle (3) luftdicht eingeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Hülle (3) wenigstens teilweise aus einem zum Öffnen in einem Aufdampfraum mittels Erwärmen schmelzbaren Hüllenmaterial gebildet ist, wobei das schmelzbare Hüllenmaterial eine Schmelztemperatur aufweist, welche geringer ist als eine Verdampfungstemperatur des Aufdampfmaterials.
6. Aufdampfcharge (1 ; 10, 20) nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das schmelzbare Hüllenmaterial eine Legierung oder ein Metall ist.
7. Aufdampfcharge (1; 10, 20) nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Hülle (3) mittels Kleben, Kaltformen, Schweißen oder Löten geschlossen ist.
8. Aufdampfcharge (1; 10, 20) nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Hülle (3) wenigstens teilweise von einem Tiegel (11; 21) gebildet ist, aus dem heraus die Chargenmenge (2; 14) des Aufdampfmaterials zum Abscheiden verdampft werden kann.
9. Aufdampfcharge (1 ; 10, 20) nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass an dem Tiegel (11; 21) eine Aufnahmeeinrichtung (13) zum Aufnehmen wenigstens eines Hüllenabschnittes gebildet ist, welcher beim Öffnen der Hülle (3) aufgebrochen wird.
10. Verfahren zum Herstellen einer Aufdampfcharge (1; 10; 20) mit einem Aufdampfmate- rial zum Abscheiden auf einem Basismaterial, insbesondere zum Dotieren eines Halbleitermaterials, wobei eine Chargenmenge (2; 14) des Aufdampfmaterials bereitgestellt wird und die Chargenmenge (2; 14) des Aufdampfmaterials mit einer Hülle (3)-luftdicht eingeschlossen wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Hülle (3) wenigstens teilweise aus einem mittels Erwärmen schmelzbaren Hüllenmaterial gebildet wird, wobei das schmelzbare Hüllenmaterial eine Schmelztemperatur aufweist, welche geringer ist als eine Verdampfungstemperatur des Aufdampfmaterials.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass als das schmelzbare Hüllenmaterial eine Legierung oder ein Metall verwendet wird.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11 , dadurch gekennzeichnet, dass die Hülle (3) mittels Kleben, Kaltformen, Schweißen oder Löten geschlossen wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Hülle (3) wenigstens teilweise von einem Tiegel (11; 21) gebildet wird, aus dem heraus das Aufdampfmaterial verdampft werden kann.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass an dem Tiegel (11; 21) eine Aufnahmeeinrichtung (13) zum Aufnehmen wenigstens eines Hüllenabschnittes gebildet ist, welcher beim Öffnen der Hülle (3) aufgebrochen wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass beim Einschließen der Chargenmenge (2; 14) des Aufdampfmaterials ein die Chargenmenge (2; 14) aufnehmender Raum evakuiert und / oder mit einem Inertgas gefüllt wird.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2887416A1 (de) 2013-12-23 2015-06-24 Novaled GmbH N-dotiertes Halbleitermaterial mit Phosphinoxidmatrix und Metalldotiermittel
EP2963697A1 (de) 2014-06-30 2016-01-06 Novaled GmbH Elektrisch dotiertes organisches Halbleitermaterial und organische lichtemittierende Vorrichtung damit
EP3109916A1 (de) 2015-06-23 2016-12-28 Novaled GmbH Organische lichtemittierende vorrichtung mit polarer matrix, metalldotierstoff und silber-kathode
EP3109915A1 (de) 2015-06-23 2016-12-28 Novaled GmbH Organische lichtemittierende vorrichtung mit polarer matrix und metalldotiermittel
EP3109919A1 (de) 2015-06-23 2016-12-28 Novaled GmbH N-dotiertes halbleitermaterial mit polarer matrix und einem metalldotiermittel
WO2016207228A1 (en) 2015-06-23 2016-12-29 Novaled Gmbh N-doped semiconducting material comprising polar matrix and metal dopant

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1780816B1 (de) 2005-11-01 2020-07-01 Novaled GmbH Methode zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit einer Schichtstruktur und elektronisches Bauelement
EP1798306B1 (de) * 2005-12-07 2008-06-11 Novaled AG Verfahren zum Abscheiden eines Aufdampfmaterials
TWI353677B (en) 2006-03-21 2011-12-01 Novaled Ag Method for preparing doped organic semiconductor m
US8490495B2 (en) * 2010-05-05 2013-07-23 Consensic, Inc. Capacitive pressure sensor with vertical electrical feedthroughs and method to make the same
KR102002316B1 (ko) * 2013-09-09 2019-07-22 주식회사 원익아이피에스 박막증착장치의 증발원 및 그를 가지는 박막증착장치
US10603891B2 (en) * 2016-04-29 2020-03-31 Hexcel Corporation Additively manufactured high temperature objects
CN108456855B (zh) * 2017-02-17 2024-09-03 京东方科技集团股份有限公司 坩埚、蒸镀准备装置、蒸镀设备及蒸镀方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3913999A (en) * 1972-08-11 1975-10-21 Thorn Electrical Ind Ltd Manufacturing electric devices having sealed envelopes
JPS5931865A (ja) * 1982-08-13 1984-02-21 Ulvac Corp カプセル型蒸発源
US20050016461A1 (en) * 2003-07-22 2005-01-27 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making oled displays

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3644770A (en) 1968-01-18 1972-02-22 Varian Associates Photoemitter having a p-type semiconductive substrate overlaid with cesium and n-type cesium oxide layers
US3673011A (en) 1970-11-02 1972-06-27 Westinghouse Electric Corp Process for producing a cesium coated gallium arsenide photocathode
US5315129A (en) 1990-08-20 1994-05-24 University Of Southern California Organic optoelectronic devices and methods
US5093698A (en) 1991-02-12 1992-03-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic electroluminescent device
US5811833A (en) 1996-12-23 1998-09-22 University Of So. Ca Electron transporting and light emitting layers based on organic free radicals
US6312836B1 (en) 1998-04-10 2001-11-06 The Trustees Of Princeton University Color-tunable organic light emitting devices
US6287712B1 (en) 1998-04-10 2001-09-11 The Trustees Of Princeton University Color-tunable organic light emitting devices
JP3370011B2 (ja) 1998-05-19 2003-01-27 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6451415B1 (en) 1998-08-19 2002-09-17 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic device with an exciton blocking layer
GB9826405D0 (en) 1998-12-02 1999-01-27 South Bank Univ Entpr Ltd Method for forming films or layers
TW465119B (en) 1999-07-23 2001-11-21 Semiconductor Energy Lab EL display device and a method of manufacturing the same
US7525165B2 (en) 2000-04-17 2009-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
TW593622B (en) 2000-05-19 2004-06-21 Eastman Kodak Co Method of using predoped materials for making an organic light-emitting device
DE60143776D1 (de) 2000-12-25 2011-02-10 Samsung Mobile Display Co Ltd Organische elektrolumineszente Vorrichtung
DE10116876B4 (de) 2001-04-04 2004-09-23 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Dotierung elektrisch leitfähiger organischer Verbindungen, organischer Feldeffekttransistor sowie Verfahren zu dessen Herstellung
ITMI20010995A1 (it) 2001-05-15 2002-11-15 Getters Spa Dispensatori di cesio e processo per il loro uso
TWI262034B (en) 2002-02-05 2006-09-11 Semiconductor Energy Lab Manufacturing system, manufacturing method, method of operating a manufacturing apparatus, and light emitting device
DE10207859A1 (de) 2002-02-20 2003-09-04 Univ Dresden Tech Dotiertes organisches Halbleitermaterial sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US6806491B2 (en) 2002-04-03 2004-10-19 Tsinghua University Organic light-emitting devices
US8932730B2 (en) 2002-04-08 2015-01-13 The University of Northern California Doped organic carrier transport materials
US6719936B2 (en) 2002-08-23 2004-04-13 Eastman Kodak Company Method of making a solid compacted pellet of organic material for vacuum deposition of OLED displays
ITMI20021904A1 (it) 2002-09-06 2004-03-07 Getters Spa Elemento accessorio per dispensatori di metalli alcalini
DE10262143B4 (de) 2002-12-20 2011-01-20 Ksg Leiterplatten Gmbh Lichtemittierende Anordnung
US20060134317A1 (en) 2003-02-03 2006-06-22 Yang Yang Method for making multifunctional organic thin films
US7238383B2 (en) 2003-03-07 2007-07-03 Eastman Kodak Company Making and using compacted pellets for OLED displays
JPWO2004082338A1 (ja) 2003-03-13 2006-06-15 富士写真フイルム株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ
DE10338406A1 (de) 2003-08-18 2005-03-24 Novaled Gmbh Dotierte organische Halbleitermaterialien sowie Verfahren zu deren Herstellung
US7655961B2 (en) 2003-10-02 2010-02-02 Maxdem Incorporated Organic diodes and materials
US6818329B1 (en) 2003-10-03 2004-11-16 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having a metal sub-layer within a hole-transporting region
DE10347856B8 (de) 2003-10-10 2006-10-19 Colorado State University Research Foundation, Fort Collins Halbleiterdotierung
EP1643568A1 (de) 2004-10-04 2006-04-05 Novaled GmbH Verfahren zum Herstellen einer Schicht aus einem dotierten Halbleitermaterial und Vorrichtung
EP1648042B1 (de) 2004-10-07 2007-05-02 Novaled AG Verfahren zur Dotierung von einem Halbleitermaterial mit Cäsium
EP1780816B1 (de) 2005-11-01 2020-07-01 Novaled GmbH Methode zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit einer Schichtstruktur und elektronisches Bauelement
EP1798306B1 (de) * 2005-12-07 2008-06-11 Novaled AG Verfahren zum Abscheiden eines Aufdampfmaterials

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3913999A (en) * 1972-08-11 1975-10-21 Thorn Electrical Ind Ltd Manufacturing electric devices having sealed envelopes
JPS5931865A (ja) * 1982-08-13 1984-02-21 Ulvac Corp カプセル型蒸発源
US20050016461A1 (en) * 2003-07-22 2005-01-27 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making oled displays

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 008, no. 118 (C - 226) 31 May 1984 (1984-05-31) *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2887416A1 (de) 2013-12-23 2015-06-24 Novaled GmbH N-dotiertes Halbleitermaterial mit Phosphinoxidmatrix und Metalldotiermittel
EP2963697A1 (de) 2014-06-30 2016-01-06 Novaled GmbH Elektrisch dotiertes organisches Halbleitermaterial und organische lichtemittierende Vorrichtung damit
EP3109916A1 (de) 2015-06-23 2016-12-28 Novaled GmbH Organische lichtemittierende vorrichtung mit polarer matrix, metalldotierstoff und silber-kathode
EP3109915A1 (de) 2015-06-23 2016-12-28 Novaled GmbH Organische lichtemittierende vorrichtung mit polarer matrix und metalldotiermittel
EP3109919A1 (de) 2015-06-23 2016-12-28 Novaled GmbH N-dotiertes halbleitermaterial mit polarer matrix und einem metalldotiermittel
WO2016207228A1 (en) 2015-06-23 2016-12-29 Novaled Gmbh N-doped semiconducting material comprising polar matrix and metal dopant

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