WO2007022906A3 - Hf-abschlusswiderstand mit einer planaren schichtstruktur - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft einen HF-Abschlusswiderstand mit einer planaren Schichtstruktur, die auf einem Substrat (16) eine Widerstandsschicht (10) zum Umwandeln von HF-Energie in Wärme, eine Eingangsleiterbahn (12) zum Zuführen von HF-Energie und eine Masseanschussleiterbahn (14) zum elektrischen Verbinden mit einem Massekontakt (22) aufweist, wobei die Eingangsleiterbahn (12) mit einem ersten Ende (18) der Widerstandsschicht (10) elektrisch verbunden ist und die Masseanschussleiterbahn (14) mit einem dem ersten Ende (18) gegenüberliegenden zweiten Ende (20) der Widerstandsschicht (10) elektrisch verbunden ist und an einem massekontaktseitigen Ende der Schichtstruktur die Masseanschussleiterbahn (14) die oberste Schicht der Schichtstruktur ausbildet. Hierbei ist die Masseanschussleiterbahn (14) wenigstens teilweise auf der Widerstandsschicht (10) angeordnet.
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