CN101253583B - 具有平面层结构的高频端接电阻 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种具有平面层结构的高频端接电阻，所述层结构在一个基片上(16)具有用于将高频能量转换成热量的电阻层(10)、用于馈送高频能量的输入导体线路(12)、以及用于和接地触点(22)电连接的接地导体线路(14)，其中所述输入导体线路(12)与所述电阻层(10)的第一端(18)电连接，所述接地导体线路(14)与所述电阻层(10)的和所述第一端(18)相对的第二端(20)电连接，并且所述接地导体线路(14)在所述层结构的接地触点一侧的端部形成所述层结构的最上面一层。这里所述接地导体线路(14)被至少部分地设置在所述电阻层(10)上。

Description

具有平面层结构的高频端接电阻
技术领域
本发明涉及一种具有平面层结构的高频端接电阻，所述层结构在一个基片上具有用于将高频能量转换成热量的电阻层、用于馈送高频能量的输入导体线路、以及用于和接地触点电连接的接地导体线路，其中所述输入导体线路与所述电阻层的第一端电连接，所述接地导体线路与所述电阻层的和所述第一端相对的第二端电连接，并且所述接地导体线路在所述层结构的接地触点一侧的端部形成了所述层结构的最上面的一层。本发明还涉及一种制造用于高频端接电阻的平面层结构的方法，其中在一个基片上形成用于将高频能量转换成热量的电阻层、用于馈送高频能量的输入导体线路、以及用于和接地触点电连接的接地导体线路，其中所述输入导体线路与所述电阻层的第一端电连接，所述接地导体线路与所述电阻层的和所述第一端相对的第二端电连接。
背景技术
高频端接电阻例如被应用于具有很高发射功率的移动无线电和定向无线电领域中高频组件的匹配，如用于合成器或天线输出端的端接。损耗功率较高的端接电阻具有很大的电阻结构，以便把耦入的高频功率分配到其表面上。然而这在宽带应用时会对反射系数造成不利的影响，或者说这种端接电阻在相同的反射系数下只能应用在较窄的频带内。
在上面所提到的高频端接电阻中，需要对基片结构采用特殊的构造，以便通过这种结构满足非常高的技术要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种上面所述类型的高频端接电阻和上面所述类型的方法，使得在接地触点、例如外壳壁处的所述基片的电阻结构的接地端子一方面非常短，从而得到尽可能精确的波阻抗匹配，而另一方面被构造为使得在接地导体线路与接地触点之间能够形成对于接地触点的良好的焊接点。
根据本发明，该任务通过上面所述类型的高频端接电阻以及通过上面所述类型的方法来解决。
为此，本发明提供了一种具有平面层结构的高频端接电阻，所述层结构在一个基片上具有用于将高频能量转换成热量的电阻层、用于馈送高频能量的输入导体线路、以及用于和接地触点电连接的接地导体线路，其中所述输入导体线路与所述电阻层的第一端电连接，所述接地导体线路与所述电阻层的和所述第一端相对的第二端电连接，并且所述接地导体线路在所述层结构的接地触点一侧的端部形成所述层结构的最上面一层，其中所述接地导体线路被至少部分地设置在所述电阻层上。
另外，本发明还提供了一种制造用于高频端接电阻的平面层结构的方法，其中在基片上形成用于将高频能量转换成热量的电阻层、用于馈送高频能量的输入导体线路、以及用于和接地触点电连接的接地导体线路，其中所述输入导体线路与所述电阻层的第一端电连接，而所述接地导体线路与所述电阻层的和所述第一端相对的第二端电连接，其中首先在所述基片上形成所述电阻层，之后使所述接地导体线路至少部分地形成在所述电阻层上。
这样做具有以下优点：即接地导体线路的上侧完全开放，从而可完全被提供用于与接地触点相接触。由此可以使接地导体线路被设计成与和接地触点充分电连接所需的那样短，从而使接地导体线路对高频端接电阻的波阻抗匹配产生的负面电作用减到最小，同时可以使为了实现电接触所要提供的表面积最大化。
在一个优选的实施方式中，所述接地导体线路在所述层结构的接地触点一侧的端部被设置在基片上，并具有在所述电阻层的第一端的方向上延伸的扩展部分，该扩展部分被设置在电阻层上。
通过以下方式在接地导体线路与接地触点之间实现了良好的、能够在功能上更为可靠地形成的电接触：即接地导体线路的背对基片的上侧不仅在所述层结构的接地触点一侧的端部上的、其中接地导体线路位于基片上的区域内延伸，而且还在一个平面中的所述扩展部分的、其中接地导体线路位于电阻层上的区域内延伸。
为了导出在电阻层内产生的热量，所述平面层结构被设置在一个由导电材料制成的外壳内，其中所述接地触点就是所述外壳。
符合目的的是，所述接地触点被设置在所述平面层结构的一个接地触点一侧的端面内。
附图说明
下面借助附图详细描述本发明。如图所示：
图1以俯视图显示的本发明所述高频端接电阻的一个优选实施方式，
图2以示意性的截面图显示的图1所示高频端接电阻，
图3在L＝0.6mm的接地导体线路长度上关于频率的波阻抗匹配示意图，以及
图4在L＝1.1mm的接地导体线路长度上关于频率的波阻抗匹配示意图。
具体实施方式
由图1所示的根据本发明的高频端接电阻的优选实施方式包括电阻层10、输入导体线路12和接地导体线路14。电阻层10、输入导体线路12和接地导体线路14分别作为相应的层在基片16上形成，并构成了一个平面状的层结构。所述输入导体线路12与所述电阻层10的第一端18电连接，而所述接地导体线路14与所述电阻层10的和所述第一端18相对的第二端20电连接。电阻层10用于将高频能量转换成热量，输入导体线路12用于馈送所述高频能量，而接地导体线路14用于和接地触点22(图2)电连接。
由输入导体线路12(在图2中未示出)、电阻层10和接地导体线路14所构成的平面层结构在图2中更详细地描述。接地触点22在端侧被设置在所述层结构的朝向该接地触点一侧的端面上，例如构成外壳的一部分。这个外壳由导电材料制成，并且由于在电阻层10内产生的热能通过所述外壳被导出到一个冷却体，从而具有良好的热传导特性。
接地导体线路14在电阻层10和外壳22之间形成了电接触。根据本发明，所述接地导体线路14被至少部分地设置在电阻层10上。所述接地导体线路14在所述层结构的接地触点一侧的端部被设置在基片16上。设置在电阻层10上的接地导体线路14的扩展部分24在电阻层10的第一端18的方向上延伸，也就是说，电阻层10被设置在基片16和接地导体线路14之间的扩展部分14的区域内。
接地导体线路14的背对基片16的上侧26不仅在所述层结构的接地触点一侧的端部上的、其中接地导体线路14位于基片16上的区域内延伸，而且还在一个平面中的所述扩展部分24的、其中接地导体线路14位于电阻层10上的区域内延伸。接地导体线路14的这个平面状的上侧26用于形成与外壳22的电接触，其中最好形成焊接连接。为此，接地导体线路14的长度28，即接地导体线路14在高频波的传播方向上的延伸，必须具有一定的最小长度，因为否则的话将不能形成足够的焊接切口。另一方面，长度28的值越大，则对阻抗匹配的负面影响就越大。由于接地导体线路14在所述层结构接地触点一侧的端部、以及在与电阻层10重叠的区域内表现为最上面的一层，这个长度28可以被选择为与和外壳形成接触所必需的那样小。接地导体线路14对高频端接电阻的阻抗匹配的负面作用从而被减少到最小。
在电阻层10的第二端20与外壳壁22之间需要有一个很短的几何距离。同时，对焊接连接的足够长度28以及对廉价的构造存在技术上的需要。通过本发明所述的层结构(在电阻层10上设置接地导体线路14)，考虑到了所有的需要。得到了简单而廉价的构造(很小的端接触)、以及用于均匀而干净的焊接连接的足够的焊接面(与外壳22的接地连接，其确保了切口形成)，并且尽管电阻结构很大，但得到了一个用于优化反射系数的插入点，因为接地导体线路14的长度28对电气参数起着决定性的影响。所示的用于平面结构的廉价制造工艺对高频特性而言是非常有利的。
在制造用于高频端接电阻的平面层结构的方法中，其中在基片上形成用于将高频能量转换成热量的电阻层、用于馈送高频能量的输入导体线路、以及用于和接地触点电连接的接地导体线路，其中所述输入导体线路与所述电阻层的第一端电连接，而所述接地导体线路与所述电阻层的和所述第一端相对的第二端电连接，该方法的特征在于，首先在所述基片上形成所述电阻层，之后使所述接地导体线路至少部分地形成在所述电阻层上。
接地导体线路14的长度28的影响在图3和图4中示出。在图3中，给出了针对L＝0.6mm的关于频率的波阻抗匹配，在图4中给出了针对L＝1.1mm的关于频率的波阻抗匹配。正如图中直观看到的，在0.50GHz至2.00GHz的范围内，对于L＝0.6mm的波长28(图3)，得到了大约4dB的更好的阻抗匹配。

Claims (6)

1.一种具有平面层结构的高频端接电阻，所述层结构在一个基片(16)上具有用于将高频能量转换成热量的电阻层(10)、用于馈送高频能量的输入导体线路(12)、以及用于和接地触点(22)电连接的接地导体线路(14)，其中所述输入导体线路(12)与所述电阻层(10)的第一端(18)电连接，所述接地导体线路(14)与所述电阻层(10)的和所述第一端(18)相对的第二端(20)电连接，并且所述接地导体线路(14)在所述层结构的接地触点一侧的端部形成所述层结构的最上面一层，
其特征在于，所述接地导体线路(14)被至少部分地设置在所述电阻层(10)上。
2.根据权利要求1所述的高频端接电阻，其特征在于，所述接地导体线路(14)在所述层结构的接地触点一侧的端部被设置在基片(16)上，并具有在所述电阻层的第一端(18)的方向上延伸的扩展部分(24)，该扩展部分被设置在电阻层(10)上。
3.根据权利要求2所述的高频端接电阻，其特征在于，接地导体线路(14)的背对基片(16)的上侧(26)不仅在所述层结构的接地触点一侧的端部上的、其中接地导体线路(14)位于基片(16)上的区域内延伸，而且还在一个平面中的所述扩展部分(24)的、其中接地导体线路(14)位于电阻层(10)上的区域内延伸。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的高频端接电阻，其特征在于，所述平面层结构被设置在一个由导电材料制成的外壳中，其中所述接地触点(22)就是该外壳。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的高频端接电阻，其特征在于，所述接地触点(22)被设置在所述平面层结构的朝向该接地触点一侧的端面上。
6.一种制造用于高频端接电阻的平面层结构的方法，其中在基片上形成用于将高频能量转换成热量的电阻层、用于馈送高频能量的输入导体线路、以及用于和接地触点电连接的接地导体线路，其中所述输入导体线路与所述电阻层的第一端电连接，而所述接地导体线路与所述电阻层的和所述第一端相对的第二端电连接，
其特征在于，首先在所述基片上形成所述电阻层，之后使所述接地导体线路至少部分地形成在所述电阻层上。
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