WO2007010684A1 - 複合多孔質樹脂基材及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

　本発明は、電極（４）もしくは回路または電極（４）及び回路が形成された機能部（３）を有する多孔質樹脂膜（２）の該機能部（３）を取り巻く周辺部に、該機能部（３）の高さと異なる高さの段差部（５）が形成され、かつ、該段差部（５）の面上にフレーム板（６）が配置されている複合多孔質樹脂基材（１）である。本発明により、電極及び／または回路が形成された多孔質樹脂基材に、該多孔質樹脂基材の弾性や導通などの性能を損なうことなく、剛性のあるフレーム板を取り付けた構造の複合多孔質樹脂基材が提供される。

Description

複合多孔質樹脂基材及びその製造方法

技術分野

[oooi] 本発明は、電極及び Zまたは回路が形成された多孔質榭脂基材とフレーム板とを 複合化した複合多孔質榭脂基材に関する。本発明の複合多孔質榭脂基材は、例え ば、 2つの回路装置間の電気的接続を行うために用いられる異方性導電膜、あるい は半導体集積回路装置 (例えば、半導体チップ)やプリント回路基板などの回路装置 の電気的検査を行うために用いられる異方性導電膜など、各種コネクタまたはインタ 一ポーザの用途に好適に用いることができる。本発明において、「電極及び zまたは 回路」とは、電極もしくは回路または電極及び回路を意味するものとする。

背景技術

[0002] 特開 2004— 265844号公報 (特許文献 1)には、電気絶縁性の多孔質榭脂膜を基 膜とし、該基膜の複数箇所に、第一表面から第二表面にかけて厚み方向に貫通する 複数の貫通孔を設け、次いで、各貫通孔内壁面の榭脂部に導電性金属を付着させ て導通部を形成する方法が開示されている。

[0003] 特許文献 1に記載の方法によれば、多孔質榭脂膜の厚み方向に複数の導通部が 形成された異方性導電膜を得ることができる。すなわち、各導通部は、電気絶縁性の 多孔質榭脂膜のマトリックス中にそれぞれ独立して設けられており、膜厚方向に導通 可能である力 各導通部間は導通または短絡することがない。

[0004] 該導通部は、貫通孔内壁面の多孔質構造を構成する榭脂部に、無電解めつきなど により導電性金属を付着させたものであり、その形状から「筒状電極」と呼ぶことがで きる。導電性金属の付着量を調節することにより、筒状電極の膜厚方向における導電 性を制御することができる。通常は、多孔質榭脂基材に膜厚方向の荷重を加えること により、筒状電極を含む多孔質榭脂基材全体を圧縮させることにより導通させている

[0005] この異方性導電膜は、膜厚方向に弾力性があり、低圧縮荷重で膜厚方向の導通が 可能である。また、該異方性導電膜は、各導通部の大きさやピッチなどをファインィ匕 することができる。該異方性導電膜は、例えば、半導体集積回路装置などの検査用 異方性導電膜として、低圧縮荷重で膜厚方向の電気的導通が得られ、しかも繰り返 し荷重負荷を加えても、弾性により膜厚が復帰し、検査に繰り返し使用することが可 能である。

[0006] 半導体集積回路装置 (例えば、半導体チップ)やプリント回路基板などの回路装置 の電気的検査を行うには、回路装置の各電極と検査装置 (チヱッカーまたはテスター )の各電極とをそれぞれ対応させて正確に接続する必要がある。ところが、検査装置 の各電極がリジッドな基板上に配置されているため、回路装置の各電極と検査装置 の各電極とをそれぞれ対応させて正確に接続することが困難であったり、それぞれの 電極が電極同士の接触による損傷を受け易くなつたりするという問題があった。

[0007] そこで、回路装置の電極領域と検査装置の電極領域との間に弾性のある異方性導 電膜を介在させて、各電極間を異方性導電膜を介して電気的に接続させる方法が 採用されている。異方性導電膜は、厚み方向にのみ導通可能な複数の導通部を設 けたものである。該導通部は、導電部または電極とも呼ばれている。回路装置の電極 ピッチがファインィ匕するにつれて、異方性導電膜の導通部をファインピッチ化したり、 異方性導電膜を介在させるとともに、ピッチ変換ボードを回路装置側に付加的に配 置したりして対応している。

[0008] 前述の導通部を形成した多孔質榭脂基材を、回路装置の電気的検査を行うための 異方性導電膜として使用するには、回路装置の各電極と検査装置の各電極に対し て正確に電気的接続がなされるように、該多孔質榭脂基材の位置関係を設定しかつ 固定する必要がある。該多孔質榭脂基材を固定する方法としては、ピン留めが簡易 である。そのために、該多孔質榭脂基材の周辺部に複数のピン穴を設け、該ピン穴 を通して、ピンにより多孔質榭脂基材を検査装置の所定箇所に固定している。

[0009] 前記多孔質榭脂基材は、半導体集積回路装置 (例えば、半導体チップ)とプリント 回路基板等の回路基板との間に配置すると、応力緩和機能と導通機能とを有する一 種のコネクタまたはインターポーザとしての役割を果たすことができる。この場合にも、 ピン留めにより多孔質榭脂基材を所定の位置に固定することが好ましい。

[0010] ところが、多孔質榭脂基材は、柔軟性に富む多孔質榭脂膜を基膜としているため、 ピン留めしただけでは、使用中に多孔質榭脂基材が変形したり、ピン穴周辺力 破 損したりして、最初に固定した位置を保持することができなくなることがある。このよう な問題を解決するには、多孔質榭脂基材の周辺部に剛性のあるフレーム板を取り付 ける方法が考えられる。フレーム板は、開口を有する金属板などであり、その開口部 に多孔質榭脂基材の導通部を配置する。フレーム板が存在する箇所にピン留め用 の穴を開けて、その穴にピンを通して多孔質榭脂基材を回路装置に固定すれば、多 孔質榭脂基材の変形や破損を防ぐことができる。

[0011] しかし、剛性のあるフレーム板を多孔質榭脂基材の片面または両面に取り付けると

、多孔質榭脂基材の厚み方向の圧縮を阻害し、低圧縮荷重で導通部を導通させるこ とが困難になる。また、剛性のあるフレーム板によって、多孔質榭脂基材全体の弾性 が損なわれる。さらに、フレーム板の存在によって、多孔質榭脂基材の電極及び/ま たは回路と、回路装置や検査装置の電極または回路との接触が阻害される。

[0012] 従来、ゴム状弾性体を基膜とする異方導電性シート (異方性導電膜)の技術分野に おいて、フレーム板を配置することにより、該異方導電性シートを電気回路部品に対 して特定の位置関係を持って保持固定する方法が提案されている。

[0013] 例えば、特開平 11— 40224号公報 (特許文献 2)には、ゴム状弾性体を基材とする 異方導電性シートの周辺部に、フレーム板として金属板を配置した異方導電性シー ト (異方導電性エラストマ一シート）が提案されて 、る。この異方導電性シートを作製 するには、先ず、成形用金型内に、開口を有するフレーム板を配置するとともに、磁 性を示す導電性粒子を含有する高分子物質形成材料を供給して成形材料層を形成 する。該成形材料層の周縁部は、フレーム板の開口縁部の上下を含む領域にまで 供給される。金型における上型及び下型には、それぞれ複数の強磁性体層と被磁性 体層が交互に形成されている。電磁石を用いて磁場を作用させると、上型と下型の 対向する強磁性体層の間に、磁性を示す導電性粒子が集まり、厚み方向に並ぶよう に配向する。この状態で、高分子物質形成材料を硬化処理すると、厚み方向に配向 した導電性粒子からなる複数の導電部が形成された弾性高分子物質シート (異方導 電性シート)が得られる。

[0014] 特許文献 2に開示されている方法を採用すると、弾性高分子物質シートの周縁部 に、フレーム板の開口縁部が埋設した構造の異方導電性シートを得ることができる。 この方法によれば、弾性高分子物質シートの膜厚よりも薄 、フレーム板を取り付ける ことができるため、フレーム板が弾性高分子物質シートの弾性や導電部の導通を阻 害することがない。

[0015] しかし、特許文献 2に記載の方法では、電磁石を用いて磁場を発生させる工程で、 フレーム板の上方及び下方にあった導電性粒子も、フレーム板近傍の導電部形成 部分に集まるため、該導電部形成部分に導電性粒子が過剰に集まり、該導電部形 成部分により形成された導電部は、隣接する他の導電部との絶縁性を得ることができ なくなる。

[0016] 特開 2002— 324600号公報 (特許文献 3)には、特許文献 2に記載された方法の 上記問題を解決するために、磁性体により構成されたフレーム板を使用し、フレーム 板の上方及び下方に存在する導電性粒子をフレーム板の開口縁部に固定して、フ レーム板近傍の導電部形成部分に集まるのを防ぐ方法が提案されている。

[0017] しかし、特許文献 2及び 3に開示されている異方導電性エラストマ一シートにおける フレーム板の取り付け技術は、多孔質榭脂膜を基膜とする異方性導電膜に適用する ことができない。特許文献 2及び 3に開示されている高分子物質形成材料は、未硬化 の状態では流動性を示すが、硬化処理を施すと弾性のある膜 (弾性高分子物質シー ト）となる。このような弾性高分子物質シートにフレーム板を取り付けるには、高分子物 質形成材料に流動性がある状態でフレームと一体成形する必要がある。硬化処理後 に、フレーム板の開口縁部を該弾性高分子物質シートの周縁部に埋設して一体ィ匕し ようとすると、応力によって弾性高分子シートが変形する。つまり、フレーム板の開口 縁部を弾性高分子物質シートの周縁部に押し込むと、押された部分の弾性高分子 物質が他の部分に逃げて、該シートが変形する。また、特許文献 3に開示されている 方法では、フレーム板の形成材料に制限がある。

[0018] 多孔質榭脂膜を基膜とする異方性導電膜は、通常、多孔質榭脂膜を形成してから 電極及び Zまたは回路が形成される。多孔質榭脂膜は、一般に、榭脂材料の延伸 処理によって多孔質化されているため、多孔質榭脂膜の形成時に、フレーム板の開 口縁部が多孔質榭脂膜の周縁部に埋設した構造の複合体を作製することは困難で ある。他方、既に形成した多孔質榭脂膜の周縁部にフレーム板の開口縁部を埋設さ せようとすると、多孔質榭脂膜が変形したり、破損したりする。

特許文献 1：特開 2004— 265844号公報

特許文献 2：特開平 11—40224号公報

特許文献 3：特開 2002— 324600号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0019] 本発明の課題は、電極及び Zまたは回路が形成された多孔質榭脂基材に、該多 孔質榭脂基材の弾性や導通などの性能を損なうことなぐ剛性のあるフレーム板を取 り付けた構造の複合多孔質榭脂基材を提供することにある。

[0020] 本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意研究した結果、電極及び Zまたは 回路が形成された機能部を有する多孔質榭脂基材の該機能部を取り巻く周辺部に、 該機能部の高さと異なる高さを有する段差部を形成し、該段差部の面上にフレーム 板を配置する方法に想到した。好ましくは、該機能部の高さより低い高さを有する段 差部を形成し、該段差部の面上に、段差の高さより小さい厚みを有するフレーム板を 配置する。

[0021] 多孔質榭脂基材に段差部を形成するには、例えば、熱プレスする方法を採用する ことができる。多孔質榭脂基材は、エラストマ一シートを基膜とする異方導電性エラス トマ一シートとは異なり、熱プレスにより容易に段差を形成することができる。異方導 電性エラストマ一シートは、その周辺部を熱プレスすると、該周辺部に存在するエラス トマ一が中央部に異動するため、機能部の厚みが変動したり、変形が生じやすくなる 。これに対して、多孔質榭脂基材は、熱プレスした箇所の多孔質構造が密になるもの の、熱プレスによる段差の形成によって、電極及び Zまたは回路が形成された機能 部の厚みを変化させたり、形状を変形させたりすることがない。また、熱プレス条件を 制御することによって、所望の段差と形状を有する段差部を設けることができる。

[0022] 多孔質榭脂基材の上記段差部上にフレーム板を配置するが、フレーム板の厚みを 段差の高さより小さくすることが好まし 、。フレーム板の厚みを段差の高さより小さくす ることにより、機能部の上面がフレーム板の上面より上方に位置することになるため、 機能部における弾性や導通が損なわれることがない。電極及び Zまたは回路を形成 した機能部が上方に突き出しているため、該機能部の電極及び Zまたは回路と、回 路装置や検査装置の電極または回路との接触が阻害されることがない。

[0023] 本発明では、多孔質榭脂基材の基膜となる多孔質榭脂膜に比べて剛性が高！ヽ金 属材料ゃ榭脂材料を用いて形成した任意のフレーム板を用いることができる。フレー ム板を配置した後、フレーム板が存在する所望の箇所にピン留め用の穴を、フレーム 板と多孔質榭脂基材とを貫通して設け、該穴を通して回路装置や検査装置の電極 領域にピン留めすれば、多孔質榭脂基材を所定の位置関係で固定し保持すること ができる。

[0024] 電極及び Zまたは回路が形成された機能部は、フレーム板を配置した後に形成し てもよい。すなわち、多孔質榭脂膜の周辺部に段差部を形成し、該段差部にフレー ム板を配置した後、該フレーム板の開口部内に位置する多孔質榭脂膜の箇所（中央 部）に電極及び Zまたは回路を形成してもよい。また、多孔質榭脂膜の周辺部に段 差部を形成し、フレーム板の開口部内に位置する多孔質榭脂膜の箇所（中央部）に 電極及び Zまたは回路を形成した後、該段差部にフレーム板を配置してもよい。本 発明は、これらの知見に基づ!/ヽて完成するに至ったものである。

課題を解決するための手段

[0025] 本発明によれば、電極及び Zまたは回路が形成された機能部を有する多孔質榭 脂膜の該機能部を取り巻く周辺部に、該機能部の高さと異なる高さの段差部が形成 され、かつ、該段差部の面上にフレーム板が配置されている複合多孔質榭脂基材が 提供される。

[0026] また、本発明によれば、下記工程 1及び 2：

(1)電極もしくは回路または電極及び回路が形成された機能部を有する多孔質榭脂 基材の該機能部を取り巻く周辺部に、該機能部の高さより低い高さの段差部を形成 する工程 1 ;及び

(2)該段差部の面上に、段差の高さより小さい厚みを有するフレーム板を配置するェ 程 2 ;

を含む複合多孔質樹脂基材の製造方法が提供される。 [0027] さらに、本発明によれば、下記工程 Aないし C :

(A)多孔質榭脂膜の中央部を取り巻く周辺部に、該中央部の高さより低い高さの段 差部を形成する工程 A:

(B)該段差部の面上に、段差の高さより小さい厚みを有するフレーム板を配置するェ 程 B ;及び

(C)多孔質榭脂膜の前記中央部に、電極もしくは回路または電極及び回路を形成 する工程 C ;

を含む複合多孔質樹脂基材の製造方法が提供される。

[0028] さらにまた、本発明によれば、下記工程 Iな 、し III：

(I)多孔質榭脂膜の中央部を取り巻く周辺部に、該中央部の高さより低い高さの段差 部を形成する工程 I；

(Π)多孔質榭脂膜の前記中央部に、電極及び Zまたは回路を形成する工程 Π ;及び

(III)該段差部の面上に、段差の高さより小さ 、厚みを有するフレーム板を配置する 工程 III；

を含む複合多孔質樹脂基材の製造方法が提供される。

発明の効果

[0029] 本発明によれば、電極及び Zまたは回路が形成された多孔質榭脂基材に、該多孔 質榭脂基材の弾性や導通などの性能を損なうことなぐ剛性のあるフレーム板を取り 付けた構造の複合多孔質榭脂基材が提供される。フレーム板を配置することによつ て、多孔質榭脂基材の位置ずれや破損を防ぐことができる。

[0030] 本発明の複合多孔質榭脂基材は、多孔質榭脂膜の周辺部に設けた段差部に、膜 厚が小さなフレーム板を配置したものであって、電極及び Zまたは回路が形成された 機能部における弾性や導通を損なうことがない。電極及び Zまたは回路を形成した 機能部を突出させると、該機能部の電極及び Zまたは回路と、回路装置や検査装置 の電極または回路との接触が阻害されることがない。

図面の簡単な説明

[0031] [図 1]本発明の複合多孔質榭脂基材の一例を示す略図である。

[図 2]本発明の複合多孔質榭脂基材の製造工程の一例を示すフロー図である。 [図 3]本発明の複合多孔質榭脂基材における機能部の高さと段差部の高さとフレー ム板の厚みとの関係を示す説明図である。

[図 4]熱プレスによる段差部の形成法を示す説明図である。

符号の説明

[0032] 1 複合多孔質榭脂基材、 2 多孔質榭脂膜、 3 機能部、 4 電極 (導通部)、 5 段 差部、 6 フレーム板、 7 ピン留め用穴、 21 多孔質榭脂基材、 202 多孔質榭脂膜 、 203 機能部、 204 電極、 205 段差部、 206 フレーム板、 401 下金型、 402 上金型、 403 多孔質榭脂基材、 404 段差部を設けた多孔質榭脂基材。

発明を実施するための最良の形態

[0033] 1.多孔質樹脂膜 (基膜）：

半導体集積回路装置などのバーンイン試験用異方性導電膜は、基膜の耐熱性に 優れていることが好ましい。異方性導電膜は、横方向 (膜厚方向とは垂直方向）に電 気絶縁性であることが必要である。したがって、多孔質榭脂基材の基膜を形成する合 成榭脂は、電気絶縁性であることが必要である。

[0034] 基膜として使用する多孔質榭脂膜を形成する合成樹脂材料としては、例えば、ポリ テトラフルォロエチレン（PTFE)、テトラフルォロエチレン Zへキサフルォロプロピレン 共重合体（FEP)、テトラフルォロエチレン Zパーフルォロアルキルビュルエーテル 共重合体 (PFA)、ポリふつ化ビニリデン (PVDF)、ポリふつ化ビニリデン共重合体、 エチレン Zテトラフルォロエチレン共重合体 (ETFE榭脂）などのフッ素榭脂；ポリイミ ド（PI)、ポリアミドイミド（PAI)、ポリアミド（PA)、変性ポリフエ-レンエーテル (mPPE )、ポリフエ-レンスルフイド（PPS)、ポリエーテルエーテルケトン（PEEK)、ポリスル ホン（PSU)、ポリエーテルスルホン（PES)、液晶ポリマー（LCP)などのエンジニアリ ングプラスチック；などが挙げられる。

[0035] これらの合成樹脂材料の中でも、耐熱性、加工性、機械的特性、誘電特性などの 観点から、フッ素榭脂が好ましぐポリテトラフルォロエチレン (PTFE)が特に好まし い。

[0036] 合成樹脂からなる多孔質榭脂膜を作製する方法としては、造孔法、相分離法、溶 媒抽出法、延伸法、レーザ照射法などが挙げられる。これらの中でも、平均孔径ゃ気 孔率の制御が容易である点で、延伸法が好ましい。合成樹脂を用いて多孔質榭脂 膜を形成することにより、膜厚方向に弾性を持たせることができるとともに、誘電率を 更に下げることができる。

[0037] 異方性導電膜の基膜として使用する多孔質榭脂膜は、気孔率が 20〜80%程度で あることが好ましい。多孔質榭脂膜は、平均孔径が 10 m以下あるいはバブルボイ ントが 2kPa以上であることが好ましぐ導通部のファインピッチ化の観点からは、平均 孔径が 5 μ m以下、さらには 1 μ m以下であることが好ましい。平均孔径の下限値は、 0. 05 m程度である。多孔質榭脂膜のバブルポイントは、好ましくは 5kPa以上、よ り好ましくは lOkPa以上である。バブルポイントの上限値は、 300kPa程度であるが、 これに限定されない。

[0038] 多孔質榭脂膜の膜厚は、使用目的や使用箇所に応じて適宜選択することができる 1S 通常、 20〜3000 μ m、好まし <は 25〜2000 μ m、より好まし <は 30〜： LOOO μ mである。したがって、多孔質榭脂膜の厚みは、フィルム（250 m未満)及びシート（ 250 /z m以上)の領域を含んでいる。多孔質榭脂膜の膜厚が薄すぎると、岡 lj性のある フレーム板を配置できるだけの段差を有する段差部を形成することが困難になる。

[0039] 多孔質榭脂膜の中でも、延伸法により得られた多孔質ポリテトラフルォロエチレン膜

(延伸多孔質 PTFE膜)は、耐熱性、加工性、機械的特性、誘電特性などに優れ、し カゝも均一な孔径分布を有する多孔質榭脂膜が得られ易いため、異方性導電膜の基 膜として最も優れた材料である。また、延伸多孔質 PTFE膜は、多数のフィブリルとノ ードからなる微細組織を有しており、該フイブリルにめっき粒子などの導電性金属を 付着させることができる。

[0040] 本発明で使用する延伸多孔質 PTFE膜は、例えば、特公昭 42— 13560号公報に 記載の方法により製造することができる。先ず、 PTFEの未焼結粉末に液体潤滑剤を 混合し、ラム押し出しによって、チューブ状または板状に押し出す。厚みの薄いシート が所望な場合には、圧延ロールによって板状体の圧延を行う。押出圧延工程の後、 必要に応じて、押出品または圧延品から液体潤滑剤を除去する。こうして得られた押 出品または圧延品を少なくとも一軸方向に延伸すると、未焼結の延伸多孔質 PTFE が膜状で得られる。未焼結の延伸多孔質 PTFE膜は、収縮が起こらないように固定し ながら、 PTFEの融点である 327°C以上の温度に加熱して、延伸した構造を焼結'固 定すると、強度の高い延伸多孔質 PTFE膜が得られる。延伸多孔質 PTFE膜がチュ ーブ状である場合には、チューブを切り開くことにより、平らな膜〖こすることができる。

[0041] 延伸多孔質 PTFE膜は、それぞれ PTFEにより形成された非常に細いフィブリルと 該フイブリルによって互いに連結されたノードとからなる微細組織を有して 、る。延伸 多孔質 PTFE膜は、この微細組織が多孔質構造を形成して!/ヽる。

[0042] 2.電極及び Zまたは回路を形成した多孔質榭脂基材：

電極を形成した多孔質榭脂基材を異方性導電膜として使用する場合は、合成樹脂 力 形成された電気絶縁性の多孔質榭脂膜からなる基膜の複数箇所に、第一表面 力も第二表面にかけて厚み方向に貫通する貫通孔を形成し、次いで、各貫通孔内 壁面における多孔質構造の榭脂部 (例えば、フィブリル）に導電性金属を付着させて 、膜厚方向に導電性を付与することが可能な複数の導通部 (筒状電極)をそれぞれ 独立して形成することが好ましい。導電性金属の付着は、一般に、無電解めつきまた は無電解めつきと電気めつきとの組み合わせにより、各貫通孔内壁面の多孔質構造 の榭脂部にめっき粒子を付着させる方法により行うことができる。

[0043] 多孔質榭脂膜の厚み方向に複数の貫通孔を設ける方法、及び該貫通孔の内壁面 に導電性金属の付着による導通部 (筒状電極)を形成する方法は、特に限定されな いが、例えば、以下に述べる方法を例示することができる。

[0044] 例えば、下記の工程 aないし e :

(a)多孔質榭脂膜の両面に、マスク層として榭脂層を積層して、 3層構成の積層体を 形成する工程 a ;

(b)積層体に、その厚み方向に貫通する複数の貫通孔を形成する工程 b；

(c)貫通孔の内壁面を含む積層体の表面に、金属イオンの還元反応を促進する触 媒を付着させる工程 c ;

(d)多孔質榭脂膜からマスク層を剥離する工程 d ;及び

(e)前記触媒を利用して、貫通孔の内壁面の榭脂部に導電性金属を付着させるェ 程 e ;

を含む多孔質榭脂基材の製造方法を挙げることができる。 [0045] マスク層の材料としては、榭脂材料が好ましく用いられる。多孔質榭脂膜として多孔 質フッ素榭脂膜を用いる場合には、マスク層として、同種の多孔質フッ素榭脂膜を用 いることが好ましいが、フッ素榭脂無孔質膜や、フッ素榭脂以外の榭脂材料カゝらなる 無孔質榭脂膜または多孔質榭脂膜を使用することもできる。各層間の融着性と剥離 性とのバランスの観点から、マスク層の材料としては、多孔質榭脂膜と同質の多孔質 榭脂膜を用いることが好まし 、。

[0046] 多孔質榭脂膜の両面にマスク層を配置して、一般に、融着により 3層を一体化させ る。多孔質榭脂膜として延伸多孔質 PTFE膜を用いる場合は、マスク層としても同質 の延伸多孔質 PTFE膜を用いることが好ましい。これら 3層は、加熱圧着することによ り、各層間が融着した積層体とすることができる。この積層体は、後の工程で容易に 剥離することができる。

[0047] この積層体に、その厚み方向に複数の貫通孔を形成する。貫通孔を形成する方法 としては、 i)機械的に穿孔する方法、 ii)光アブレーシヨン法によりエッチングする方法 、 iii)先端部に少なくとも 1本の振動子を備えた超音波ヘッドを用い、該振動子の先 端を押し付けて超音波エネルギーを加えて穿孔する方法などが挙げられる。

[0048] 機械的に穿孔するには、例えば、プレス力卩ェ、パンチング法、ドリル法などの機械 加工法を採用することができる。機械加工法によれば、例えば、 50 m以上、多くの 場合 75 μ m以上、さらには 100 μ m以上の比較的大きな直径を有する貫通孔を安 価に形成することができる。機械加工により、これより小さな直径の貫通孔を形成する ことちでさる。

[0049] 光アブレーシヨン法により貫通孔を形成する場合は、所定のパターン状にそれぞれ 独立した複数の光透過部（開口部）を有する光遮蔽シート (マスク)を介して、積層体 の表面に光を照射することにより、パターン状の貫通孔を形成する方法を採用するこ とが好ましい。光遮蔽シートの複数の開口部より光が透過して、積層体の被照射箇所 は、エッチングされて貫通孔が形成される。この方法によれば、例えば、 10〜200 m、多くの場合 15〜150 μ m、さら〖こは 20〜： LOO μ mの比較的小さな直径を有する 貫通孔を形成することができる。光アブレーシヨン法の照射光としては、シンクロトロン 放射光、レーザー光などが挙げられる。 [0050] 超音波法では、先端部に少なくとも 1本の振動子を有する超音波ヘッドを用いて、 積層体に超音波エネルギーを加えることにより、パターン状の貫通孔を形成する。振 動子の先端が接触した近傍のみに超音波エネルギーが加えられ、超音波による振 動エネルギーによって局所的に温度が上昇し、容易に榭脂が切断され除去されて、 貫通孔が形成される。

[0051] 貫通孔の形成に際し、多孔質フッ素榭脂シートの多孔質構造内に、ポリメチルメタ タリレートなどの可溶性ポリマーまたはパラフィンを溶液または溶融状態で含浸させ、 固化させてから穿孔する方法を採用することもできる。この方法によれば、貫通孔内 壁の多孔質構造を保持し易いので好ましい。穿孔後、可溶性ポリマーまたはパラフィ ンは、溶解もしくは溶融させて除去することができる。

[0052] 貫通孔の形状は、円形、楕円形、星型、八角形、六角形、四角形、三角形など任 意である。貫通孔の直径は、小径の貫通孔が適した用途分野では、通常 5〜： LOO /z m、さらには 5〜30 mにまで小さくすることができる。他方、比較的大径の貫通孔が 適した分野で ίま、貫通: fLの直径を通常 50〜3000 μ m、多 <の場合 75〜2000 μ m 、さらには 100〜1500 /ζ πιにまで大きくすることができる。貫通孔は、例えば、半導 体集積回路装置やプリント回路基板などの回路装置の電極の分布に合わせて、所 定のパターン状に複数個形成することが好まし 、。

[0053] 貫通孔の内壁面を含む積層体の表面に、金属イオンの還元反応を促進する触媒（ 「めっき触媒」ともいう）を付着させるには、積層体を、例えばパラジウム—スズコロイド 触媒付与液に十分に撹拌しながら浸漬すればよい。貫通孔の内壁面に付着して残 留する触媒を利用して、該内壁面に選択的に導電性金属を付着させる。導電性金属 を付着させる方法としては、無電解めつき法、スパッタ法、導電性金属ペースド塗布 法などが挙げられる力 これらの中でも、無電解めつき法が好ましい。

[0054] 無電解めつきを行う前に貫通孔の内壁面に残留した触媒 (例えば、パラジウムース ズ)を活性ィ匕する。具体的には、めっき触媒活性ィ匕用として市販されている有機酸塩 等に浸漬することで、スズを溶解し、触媒を活性化する。貫通孔の内壁面に触媒を付 与した多孔質榭脂膜を無電解めつき液に浸漬することにより、触媒が付着した貫通 孔の内壁面のみに導電性金属（めっき粒子）を析出させることができる。この方法によ つて、筒状電極が形成される。導電性金属としては、銅、ニッケル、銀、金、ニッケル 合金などが挙げられるが、高導電性が必要な場合には、銅を使用することが好ましい

[0055] 延伸多孔質 PTFE膜を使用する場合、めっき粒子は、初め延伸多孔質 PTFE膜の 貫通孔の内壁面に露出した榭脂部（主としてフィブリル）に絡むように析出するので、 めっき時間をコントロールすることにより、導電性金属の付着状態をコントロールする ことができる。適度なめっき量とすることにより、多孔質構造を維持した状態で導電性 金属層が形成され、弾力性と同時に膜厚方向への導電性も与えることが可能となる。

[0056] 微細多孔質構造の榭脂部の太さ（例えば、延伸多孔質 PTFE膜のフィブリルの太さ )は、好ましくは 10 μ m以下、より好ましくは 5 μ m以下、さらに好ましくは 1 μ m以下 である。導電性金属の粒子径は、 0. 001〜5 /ζ πι程度であることが好ましい。導電性 金属の付着量は、多孔質構造と弾力性を維持するために、 0. 01〜4. OgZml程度 とすることが好ましい。

[0057] 上記で作製された導通部 (筒状電極)は、酸化防止及び電気的接触性を高めるた め、酸化防止剤を使用するか、貴金属または貴金属の合金で被覆しておくことが好 ましい。貴金属としては、電気抵抗の小さい点で、ノラジウム、ロジウム、金が好まし い。被覆層の厚さは、好ましくは 0. 005〜0. 5 m、より好ましくは 0. 01〜0. 1 m である。例えば、導通部を金で被覆する場合、 8nm程度のニッケルで導電性金属層 を被覆した後、置換金めつきを行う方法が効果的である。

[0058] 多孔質榭脂膜として延伸多孔質 PTFE膜を使用すると、貫通孔の内壁面で、フイブ リルに導電性金属粒子が付着した構造の筒状電極が形成される。この多孔質フッ素 榭脂基材に厚み方向の応力が加わると、フィブリル間の距離が縮むことにより、応力 が緩和され、筒状電極の構造も破壊されることなく維持される。したがって、延伸多孔 質 PTFE基材に繰り返し圧縮力が加えられても、筒状電極の劣化が起こり難い。

[0059] 筒状電極は、通常、多孔質フッ素榭脂膜の厚み方向に設けられた貫通孔の内壁面 のみに導電性金属が付着した構造を有するものであるが、無電解めつき量を調節す るか、無電解めつきに加えて電気めつきを行うことにより、該筒状電極の 2つの開口端 部の一方または両方を閉塞させて、導電性金属からなる蓋体を形成させてもよい。め つき量を増やすと、開口端部の縁からめっき粒子が成長し、配向端部を閉塞させる。 また、貫通孔の内壁面に付着させる導電性金属の量を増やすことなぐ開口端部を 閉塞させる方法として、導電性金属粒子を含有する高粘度のペーストを開口端部に 塗布する方法がある。このような方法により、筒状電極の開口端部を導電性材料によ り閉塞して蓋体を形成すると、多孔質フッ素榭脂基材の筒状電極と、回路電極及び

Zまたは半導体チップの電極との接触面積を増やすことができる。

[0060] 本発明で使用する多孔質榭脂基材には、上記の如き筒状電極以外に、各種構造 の電極や回路を形成することができる。例えば、多孔質榭脂膜の表面に銅箔を貼り 合わせた基板を作製し、銅箔層に、フォトリソグラフィ技術を用いて、電極及び Zまた は回路を形成する方法が挙げられる。また、多孔質榭脂膜に電極または回路の形状 と同じパターンでめっき触媒を付与し、該めっき触媒を利用して、無電解めつきまた は無電解めつきと電解めつきとの組み合わせにより電極または回路を形成する方法 がある。

[0061] 多孔質榭脂基材は、電極及び Zまたは回路を有する機能部が設けられたものであ る力 フレーム板を取り付けるために、該機能部の周辺部に電極及び zまたは回路 が形成されて 、な 、箇所を有して 、る。

[0062] 3.フレーム板

本発明では、多孔質榭脂基材の基膜を構成する多孔質榭脂膜よりも高!、剛性を有 する材料力も形成されたフレーム板を使用することが好まし 、。フレーム板を形成す る材料としては、金属材料、セラミックス材料、榭脂材料などが代表的なものである。

[0063] フレーム板を構成する金属材料としては、例えば、銅、ニッケル、クロム、コバルト、 鉄、マグネシウム、マンガン、モリブデン、インジウム、鉛、パラジウム、チタン、タンダ ステン、アルミニウム、金、白金、銀などの金属;ステンレス鋼など、これらの金属を 2 種以上含有する合金；が挙げられる。

[0064] フレーム板を構成する榭脂材料としては、ポリエステル、ポリアミド、フッ素榭脂、各 種エンジニアリングプラスチック、エラストマ一などが挙げられる力 これらの中でも、 融点またはガラス転移温度が 150°C以上の耐熱性榭脂材料が好ましい。融点及び ガラス転移温度は、示差走査熱量計 (DSC)によって測定される値である。 [0065] フレーム板を構成する耐熱性榭脂材料としては、例えば、ポリブチレンテレフタレー ト、ポリエチレンテレフタレート、ナイロン 6、ナイロン 66、ナイロン 46、ポリフエ二レンス ルフイド、ポリエーテルエーテルケトン、全芳香族ポリエステル、ポリメチルペンテン、 ポリテトラフルォロエチレン、テトラフルォロエチレン Zへキサフルォロプロピレン Zパ 一フルォロアルコキシビュルエーテル共重合体、テトラフルォロエチレン Zへキサフ ルォロプロピレン共重合体、テトラフルォロエチレン Zパーフルォロアルキルビュル エーテル共重合体、ポリフエ-レンエーテル、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエー テルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、液晶ポリマー、熱硬化型ポリイミド 、熱可塑性ポリイミド、環状ォレフィン榭脂などを挙げることができる。

[0066] これらの榭脂材料は、耐熱性と強度を向上させるために、ガラス繊維などの繊維状 充填剤、粒状もしくは粉末状の無機充填剤などを配合することができる。また、榭脂 材料をフレーム板の形状に成形する方法としては、特に限定されず、射出成形、圧 縮成形、押出成形など任意である。フレーム板は、榭脂材料を延伸加工したものであ つてもよい。フレーム板は、榭脂材料を成形後、架橋もしくは硬化したものでもよい。

[0067] フレーム板の厚みは、通常 5〜 1500 μ m、好ましくは 10〜： LOOO μ m、より好ましく は 20〜700 μ mである。フレーム板の厚みが薄すぎると、材質によっては十分な剛 性と強度を得ることが困難になる。フレーム板の厚みが厚すぎると、複合多孔質榭脂 基材の取り扱い性が困難になる。

[0068] フレーム板は、通常、開口部を有する枠型の形状を有するものであるが、多孔質榭 脂基材の形状や機能部の形状に合わせて、その形状及び開口部の形状を任意に 設計することができる。フレーム板の枠の大きさは、補強効果を達成できる限り、多孔 質榭脂基材の形状に合わせて任意に設計することができる。ただし、ピン留め用の 穴を開けることができるだけの太さを持つ部分を有することが必要である。

[0069] 4.複合多孔質榭脂基材：

本発明の複合多孔質榭脂基材の一例について、図 1に略図を示す。複合多孔質 榭脂基材 1は、多孔質榭脂膜 2に導通部 (筒状電極) 4が形成された機能部 3を有す るものであり、該機能部を取り巻く周辺部 (多孔質榭脂膜のみの部分)に、該機能部 の高さより低い高さの段差部 5が形成されている。該段差部 5の面上には、段差の高 さより小さ 、厚みを有するフレーム板 6が配置されて 、る。

[0070] ピン留め用の穴 7が、フレーム板 6と多孔質榭脂基材の段差部 5を貫通して形成さ れている。ピン留め用の穴 7は、機械的穿孔法、光アブレーシヨン法、超音波ェネル ギ一による穿孔法など、任意の方法により形成することができる。予めピン留め用の 穴を形成したフレーム板を用いてもよいが、この場合には、フレーム板のピン留め用 穴を利用して、その下層にある多孔質榭脂基材の段差部を穿孔する。

[0071] 図 2に、複合多孔質榭脂基材の製造方法の一例を表す工程図を示す。多孔質榭 脂基材 21は、多孔質榭脂膜 202の中央部に導通部 (筒状電極) 204が形成された 機能部 203を有している。加熱プレスにより、該多孔質榭脂基材 21の該機能部 203 を取り巻く周辺部に、該機能部 203の高さより低い高さの段差部 205を形成する。次 いで、該段差部 205の面上に、段差の高さより小さい厚みを有するフレーム板 206を 配置して、複合多孔質榭脂基材 23を作製する。

[0072] 図 3に、複合多孔質榭脂基材の断面図を示す。多孔質榭脂基材の機能部 3の高さ を aとし、段差部 5の高さを bとすると、 a>bであり、 c (a— b = c)が段差の高さを表す。 フレーム板 6の厚みを dとすると、 c >dであり、 e (c— d = e)がフレーム板 6の上面と機 能部 3の上面との高さの差を示す。

[0073] 段差部の高さ bは、多孔質榭脂基材の厚み aの通常 20〜90%、好ましくは 30〜80 %、より好ましくは 40〜70%である。段差部の高さ bが高すぎると、フレーム板の厚み dを十分に厚くすることができない。段差部の高さ bが低すぎると、多孔質榭脂基材全 体の弾性が損なわれたり、加熱プレス時に変形が生じるおそれがある。

[0074] 機能部 3の上面とフレーム板 6の上面との高さの差 eは、多孔質榭脂基材の厚みに もよる力 通常 2〜500 μ m以上、好ましくは 3〜400 μ m、より好ましくは 5〜300 μ mである。この差 eが短すぎると、機能部の弾性が損なわれたり、回路装置の電極な どとの接続が困難になったりする。この差 eが長すぎると、機能部に過重な圧縮力が カロえられることがある。機能部 3が適度に突出していることにより、低荷重で回路装置 などとの導通を達成することができる。

[0075] 段差部を形成する方法は、特に限定されな!、が、熱プレス法が好ま 、。熱プレス 法は、例えば、図 4に示すように、 2つの金型 401及び 402を使用し、下金型 401内 に多孔質榭脂基材 403を載置する。上金型 402を熱プレスして下金型 401に嵌合さ せる。上金型 402の形状を調節することにより、段差部の形状と段差の高さを制御す ることができる。熱プレス後、脱型すれば、段差を有する多孔質榭脂基材 404が得ら れる。

[0076] 熱プレス時の加熱温度は、多孔質榭脂基材を構成する榭脂材料の熱分解温度未 満の温度であり、榭脂材料の種類によって適宜設定することができる。基膜が延伸 P TFE膜などの延伸多孔質フッ素榭脂膜の場合には、通常、 200〜320°C、好ましく は 250〜310°Cである。圧力は、上下金型が嚙み合う圧力とする。加圧時間は、段 差部の形状が固定される条件で、榭脂材料の種類に応じて適宜設定することができ る。基膜が延伸 PTFE膜などの延伸多孔質フッ素榭脂膜の場合には、通常、 100〜 1000秒、好ましくは 200〜800秒で充分である力 これに限定されない。

[0077] 段差部を形成するには、加熱プレス法以外の他の方法を採用してもよい。他の方 法としては、例えば、切削加工などの機械力卩ェを挙げることができる力 一般に、薄 い多孔質榭脂基材を正確な膜厚で切削することは困難であり、効率的ではない。ま た、光アブレーシヨン法により、段差部を形成することもできるが、広い領域を効率よく エッチングすることは困難である。

[0078] フレーム板は、段差部に載置するだけでもよ!、が、接着剤または粘着剤を用いて、 段差部に接着もしくは粘着させることができる。フレーム板を段差部に接着もしくは粘 着させると、ピン穴の形成やピン留めの際の位置決めが容易となる。粘着剤を使用す ると、フレーム板を再利用することが容易となる。

[0079] 接着剤または粘着剤としては、フレーム板を構成する金属材料やセラミックス材料、 榭脂材料などと、多孔質榭脂基材を構成する榭脂材料との間を接着もしくは粘着し て固定できるものを選択することが望ましい。

[0080] 接着剤としては、例えば、ポリ酢酸ビュル系、ポリビュルアルコール系、ポリビュル ブチラール系、ポリビニルァセタール系、ポリオレフイン系、ポリ塩化ビニル系、ポリメ チルメタタリレート系、ポリスチレン系、ポリアミド系、ポリイソブチレン系、熱溶融性フッ 素榭脂系、変性ポリフエ-レンエーテル榭脂系などの熱可塑性榭脂系接着剤;尿素 榭脂系、メラミン榭脂系、フエノール榭脂系、レゾルシノール榭脂系、エポキシ榭脂系 、ポリウレタン系、不飽和ポリエステル系などの熱硬化性榭脂系接着剤；クロ口プレン ゴム系、二トリルゴム系、 SBR系、 SBS系、 SIS系、ブチルゴム系、ポリサルファイド系 、シリコーンゴム系などのエラストマ一系接着剤；などを挙げることができる力 これら に限定されない。

[0081] これらの接着剤は、溶液、ェマルジヨン、無溶剤などの各種形態で接着面に塗布す ることができる。また、接着剤は、フィルムやシートの形態 (ドライフィルム）として、接着 面に適用することができる。ホットメルト型接着剤は、加熱溶融させて接着面に塗布 することができる。接着面は、段差部の上面またはフレーム板の下面などである。

[0082] 粘着剤としては、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤などが挙げ られる。ゴム系粘着剤としては、天然ゴム系、スチレン ブタジエン系、ポリイソブチレ ン系、イソプレン系などの溶剤型粘着剤;スチレン イソプレンブロック共重合体、ス チレン ブタジエンブロック共重合体、スチレン エチレンーブチレンブロック共重合 体、エチレン 酢酸ビュル熱可塑性エラストマ一などのホットメルト型粘着剤；などが 挙げられる。アクリル系粘着剤には、溶液型とェマルジヨン型とがある。これらの粘着 剤も、接着剤と同様、粘着面に塗布する方法などにより適用することができる。両面 粘着テープを粘着面に載置して、段差部とフレーム板とを粘着により固定してもよい

[0083] 本発明の複合多孔質榭脂基材は、予め電極及び Zまたは回路を形成した多孔質 榭脂基材を用いて作製することができる。高温での熱プレスにより、電極及び Zまた は回路が損傷を受けるおそれがある場合には、多孔質榭脂膜 (基膜)に段差部を設 けて、該段差部にフレーム板を配置した後、フレーム板の開口部に相当する多孔質 榭脂膜の部分（中央部）に、電極及び Zまたは回路を形成することにより、複合多孔 質樹脂基材を作製することができる。多孔質樹脂膜 (基膜)に段差部を設けて、フレ ーム板の開口部に相当する多孔質榭脂膜の部分（中央部）に、電極及び Zまたは回 路を形成した後、フレーム板を配置することにより、複合多孔質榭脂基材を作製して ちょい。

[0084] 電極及び Zまたは回路の形成方法は、前述したとおりである。電極及び Zまたは回 路を形成する際に、多孔質榭脂膜の両面に、マスク層として多孔質榭脂層を積層し て、 ³層構成の積層体を形成する前記工程 aを採用する場合、該積層体を熱プレスし て、多孔質榭脂膜に予め段差を設け、その後、電極及び Zまたは回路を形成するェ 程を配置することが、高温での熱プレスによる電極及び Zまたは回路の導通不良の 発生を避ける上で好ましい。

[0085] 以下に実施例を挙げて、本発明についてより具体的に説明するが、本発明は、こ れらの実施例のみに限定されるものではない。

実施例 1

[0086] 気孔率 (ASTM— D— 792) 60%、平均孔径 0. 1 m、バブルポイント（イソプロピ ルアルコールを使用し、 ASTM— F— 316— 76に従って測定）が 150kPa、厚み 60 0 mの延伸多孔質 PTFE膜からなる基膜の両面に、気孔率 60%、平均孔径 0. 1 μ m、厚み 30 μ mの延伸多孔質 PTFEシートを重ね合わせて、厚さ 3mmのステンレ ス板 2枚の間に挟み、荷重を負荷するとともに、 350°Cで 30分間加熱処理した。加熱 後、ステンレス板の上力 水にて急冷し、 3層に融着された多孔質 PTFE膜の積層体 を得た。

[0087] 上記のようにして得られた積層体を 40mm角に切り取った。この試料を、図 4に示す 金型を用いて、熱プレス (加熱温度 300°C、プレス時間 600秒）して、基膜の周辺部 に段差が 300 μ mで幅が 10mmの段差部が形成されるようにした。

[0088] 該積層体の突出部 (機能部に相当する箇所）に、回転速度が 100, OOOZ分、送り 速度が 0. Olmm/rev.の条件でドリルを作動させて、ピッチ lmmで、複数個所に 直径 250 μ ΐη φの貫通孔を穿孔した。貫通孔を形成した積層体をエタノールに 1分 間浸漬して親水化した後、 lOOmlZLに希釈したメルテックス (株)製メルプレート PC — 321に、 60°Cの温度で 4分間浸漬し脱脂処理を行った。さらに、積層体を 10%硫 酸に 1分間浸漬した後、プレディップとして、 0. 8%塩酸にメルテックス (株)製ェンプ レート PC— 236を 180gZLの割合で溶解した液に 2分間浸漬した。

[0089] さらに、積層体を、メルテックス（株）製ェンプレートァクチベータ 444を 3%、ェンプ レートァクチベータアディティブを 1 %、塩酸を 3%溶解した水溶液にメルテックス (株 )製ェンプレート PC— 236を 150gZLの割合で溶解した液に 5分間浸漬して、触媒 粒子を積層体の表面及び貫通孔の壁面に付着させた。次に、積層体をメルテックス（ 株)製ェンプレート PA— 360の 5%溶液に 5分間浸漬し、ノ《ラジウム触媒核の活性ィ匕 を行った。その後、第 1層と第 3層のマスク層を剥離して、貫通孔の内壁面のみに触 媒パラジウム粒子が付着した多孔質 PTFE膜を得た。

[0090] メルテックス（株）製メルプレート Cu— 3000A、メルプレート Cu— 3000B、メルプレ ート Cu— 3000C、メルプレート Cu— 3000Dをそれぞれ 5%、メルプレート Cu— 300 0スタビライザーを 0. 1%で建浴した無電解銅めつき液に、十分エアー撹拌を行いな がら、上記多孔質 PTFE膜を 20分間浸漬して、 250 πι φの貫通孔の壁面のみを 銅粒子にて導電化した。

[0091] 次 、で、防鲭及び回路基板電極との接触性向上のために、金めつきを行った。金 めっきは、以下の方法により、ニッケルからの置換金めつき法を採用した。貫通孔の 内壁面に銅粒子を付着させた多孔質 PTFE膜を、プレディップとしてアトテック製ァク チベータォ一口テック SITアディティブ (80mlZL)に 3分間浸漬した後、触媒付与と してアトテック製ォ一口テック SITァクチベータコンク（125ml/L)、アトテック製ァク チベータォ一口テック SITアディティブ（80ml/L)の建浴液に 1分間浸漬し、さらに アトテック製ォ一口テック SITポストディップ（25mlZL)に 1分間浸漬して、触媒を銅 粒子上に付着させた。

[0092] 次に、次亜燐酸ナトリウム（20gZL)、クェン酸三ナトリウム (40gZL)、ホウ酸アン モ -ゥム（13gZL)、硫酸ニッケル（22gZL)で建浴した無電解ニッケルめっき液に 基膜を 5分間浸漬し、銅粒子をニッケルコートした。その後、メルテックス製置換金め つき液 [メルプレート AU— 6630A(200mlZL)、メルプレート AU— 6630B (100mI ZL)、メルプレート AU— 6630C (20mlZL)、亜硫酸金ナトリウム水溶液（金として 1 . OgZL) ]中に基膜を 5分間浸潰し、導電性粒子の金コートを行った。

[0093] ステンレス鋼製のフレーム板（縦横の長さ =40mm、開口部の大きさ =縦 25mmX 横 25mm、厚み = 100 μ m)の片面にアクリル系粘着剤を塗布し、延伸多孔質 PTF E基材の段差部に貼り付けた。その後、ドリルにより、フレーム板の四隅に直径 1000 /z mの穴を、下層を貫通して設けた。

[0094] このようにして得られた複合延伸多孔質 PTFE基材は、機能部に荷重を加えると導 通し、荷重を除去すると元の形状に弾性回復することが確認された。この複合延伸多 孔質 PTFE基材を検査装置の電極領域に、該検査装置の各電極と各導通部 (筒状 電極)とが接続するように位置関係を調整して、ピン留めにより固定した。半導体チッ プの電気的検査を 100回繰り返した力 延伸多孔質 PTFE基材の変形がなぐピン 留め部力もの破損も認められな力つた。

産業上の利用可能性

本発明の複合多孔質榭脂基材は、例えば、 2つの回路装置間の電気的接続を行う ために用いられる異方性導電膜、ある！ヽは半導体集積回路装置やプリント回路基板 などの回路装置の電気的検査を行うために用いられる異方性導電膜などとして好適 に使用することができる。

Claims

請求の範囲

[1] 電極 (4)及び Zまたは回路が形成された機能部 (3)を有する多孔質榭脂膜 (2)の 該機能部 (3)を取り巻く周辺部に、該機能部の高さと異なる高さの段差部 (5)が形成 され、かつ、該段差部の面上にフレーム板 (6)が配置されている複合多孔質榭脂基 材 (1)。

[2] 該段差部（5)の高さが、該機能部（3)の高さより低 、高さである請求項 1記載の複 合多孔質樹脂基材 (1)。

[3] 該フレーム板 (6)の厚みは、段差の高さより小さ!/、請求項 2記載の複合多孔質榭脂 基材 (1)。

[4] 該多孔質榭脂膜 (2)が、多孔質フッ素榭脂膜に電極及び Zまたは回路が形成され た機能部を設けた多孔質フッ素榭脂膜である請求項 1記載の複合多孔質榭脂基材（

[5] 該多孔質フッ素榭脂膜が、多孔質フッ素榭脂膜の厚み方向に複数の貫通孔が設 けられ、該貫通孔の内壁面に導電性金属の付着による筒状電極が形成された異方 性導電膜である請求項 4記載の複合多孔質榭脂基材 (1) ₀

[6] 下記工程 1及び 2 :

(1)電極 (204)及び Zまたは回路が形成された機能部 (203)を有する多孔質榭脂 基材 (21)の該機能部（203)を取り巻く周辺部に、該機能部（203)の高さより低!、高 さの段差部（205)を形成する工程 1；及び

(2)該段差部（205)の面上に、段差の高さより小さ!/、厚みを有するフレーム板（206) を配置する工程 2 ;

を含む複合多孔質樹脂基材 (23)の製造方法。

[7] 下記工程 Aないし C :

(A)多孔質榭脂膜の中央部を取り巻く周辺部に、該中央部の高さより低い高さの段 差部を形成する工程 A;

(B)該段差部の面上に、段差の高さより小さい厚みを有するフレーム板を配置するェ 程 B ;及び

(C)多孔質榭脂膜の前記中央部に、電極及び Zまたは回路を形成する工程 C ; を含む複合多孔質樹脂基材の製造方法。

下記工程 Iないし III：

(I)多孔質榭脂膜の中央部を取り巻く周辺部に、該中央部の高さより低い高さの段差 部を形成する工程 I；

(Π)多孔質榭脂膜の前記中央部に、電極及び Zまたは回路を形成する工程 Π ;及び

(III)該段差部の面上に、段差の高さより小さ 、厚みを有するフレーム板を配置する 工程 III；

を含む複合多孔質樹脂基材の製造方法。