WO2006112406A1 - 金属積層体及びその製造方法と用途 - Google Patents

金属積層体及びその製造方法と用途 Download PDF

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Definitions

  • Patent Document 2 JP 2004-55126 A
  • the metal laminate of the present invention includes a stainless steel layer, a conductor layer disposed on the surface of the stainless steel layer, a polyimide-based resin layer disposed on the surface of the conductor layer, and a surface of the polyimide-based resin layer. And the surface of the conductor layer in contact with the polyimide-based resin is not smooth.
  • the stainless steel layer which is a component of the metal laminate of the present invention, is not particularly limited as long as it is a stainless steel layer.
  • the panel characteristics required for the suspension are as follows. From the viewpoint of dimensional stability, SUS304 stainless steel is preferable, and SUS304 stainless steel subjected to tension annealing at a temperature of 300 ° C or higher is more preferable.
  • the preferred thickness range of the stainless steel layer is 10 ⁇ m to 70 ⁇ m, more preferably 15 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the thickness of the conductor layer is not particularly limited as long as it can act as a ground, but it is preferably 0.5 m to 20.0 m from the viewpoint of electrical characteristics and mechanical characteristics. More preferably, it is 8 / ⁇ ⁇ to 5.0 m. Since the surface of the conductor layer is not smooth, if the thickness is excessively thin, the base layer (stainless steel layer) may be exposed. In consideration of the use as a suspension, it is preferably 20 ⁇ m or less from the viewpoint of stiffness.
  • a brittle portion in the outermost layer portion of the conductor layer is appropriately removed as well as the surface is not smooth.
  • the removal of the fragile portion is a force performed by appropriately etching the surface of the conductor layer. This etching process will also be described later.
  • the polyimide-based resin layer may have a plurality of layer structures, preferably a three-layer structure. More preferably, the polyimide resin layer includes a non-thermoplastic polyimide layer and a thermoplastic polyimide layer disposed on each side of the non-thermoplastic polyimide layer (thermoplastic polyimide layer).
  • the thickness of the non-thermoplastic polyimide layer is not particularly limited and is preferably 6 to 150 m, more preferably 12. to: LOO / zm force, and more preferably 12.5 to 75 m. preferable.
  • the non-thermoplastic polyimide layer may be a commercially available film.
  • the non-thermoplastic polyimide contained in the non-thermoplastic polyimide layer may be a polyimide formed by directly imidizing a carboxylic acid dianhydride and diamine.
  • a second example of a carboxylic dianhydride used as a raw material for a non-thermoplastic polyimide is a diphthalic dianhydride derivative such as methylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,1-ethylidene.
  • thermoplastic polyimide is a group consisting of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 4,4'-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, and 3,3'-diaminobenzophenone.
  • Method A A stainless steel layer and a conductor layer are laminated, and the surface of the conductor layer is smooth! A stainless steel layer Z conductor layer laminate is prepared; on the other hand, a metal layer and a polyimide resin layer are laminated Prepare a polyimide metal laminate; heat-press the conductor layer of the stainless steel layer Z conductor layer laminate and the polyimide-based resin layer of the polyimide metal laminate.
  • the circuit board obtained with the metal laminate strength of the present invention is also useful as a flexible wiring board because noise hardly occurs even when circuit patterning is performed at a high density and the adhesion of each layer is high.
  • a copper layer was laminated on the nickel layer by electroplating.
  • Electric plating was carried out in an aqueous solution containing 200 g / l copper sulfate and 50 g / l sulfuric acid at a current density of 5. OA / dm 2 and a liquid temperature of 30 ° C. for 15 minutes.
  • a contact thickness gauge manufactured by HEIDENHAIN Co., Ltd.
  • roller coater with a commercially available copper foil (trade name: NK120, manufactured by Nikko Materials Co., Ltd., thickness 12 m) and thermoplastic resin composition “Lar C -TPI (Mitsui Igaku Co., Ltd.)” Coated with Inoue Metal Industry Co., Ltd. and dried at 130 ° C (Layer thickness: 1.0 ⁇ ⁇ ) ⁇
  • a polyimide metal laminate was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that in the step of forming the conductor layer on the stainless steel foil by plating, the plating time was 10 minutes. Due to NeoBrown II treatment, the underlying stainless steel layer was not exposed, and it was judged that there was no overetching. The ten-point average roughness of the copper layer surface after the etching treatment was 1.4 m. The results are shown in Table 1.

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Abstract

　本発明は、ステンレス層とポリイミド系樹脂層間にグランドとして導体層が挿入された、ステンレス層／導体層／ポリイミド系樹脂層／金属層からなる金属積層体であって、かつ導体層とポリイミド樹脂層の間に強固な密着性を有し、ハードディスクサスペンションとしての加工及び使用に耐えうるポリイミド金属積層体に関する。具体的には、本発明の金属積層体は、導体層のポリイミド系樹脂層と接する面が平滑でない（好ましくは十点平均粗さが０．５μｍ以上である）ことを特徴する。

Description

明 細 書
金属積層体及びその製造方法と用途
技術分野
[0001] 本発明は、ポリイミド金属積層体、より詳しくはフレキシブル配線板ゃノヽードディスク ドライブのワイヤレスサスペンション等に用いられるポリイミド金属積層体に関する。 背景技術
[0002] 近年、ハードディスクドライブの小型化 ·高性能化が急速に進み、ハードディスクサ スペンションも軽量かつ小型化に有効なハードディスクサスペンションが用いられて いる。詳しくは、磁気ヘッドとプリアンプの間を接続する伝送線路を、ワイヤー状とした サスペンションから、サスペンション上に回路として形成された銅配線としたワイヤレス サスペンションが用いられている。ワイヤレスサスペンションの材料としては、銅合金 層 Zポリイミド系榭脂層 Zステンレス (例えば、 SUS304)層からなるポリイミド金属積層 体が用いられてきた。
[0003] さらに、ハードディスクドライブの記録容量が飛躍的に増大し、磁気ヘッドの読み書 きの際に、短時間で大量のデータを処理する必要があり、従来よりも高い記録再生周 波数が必要とされて 、る。しかし従来の銅合金層 Zポリイミド系榭脂層 Zステンレス 層といった構成においては、著しく記録再生周波数が高くなつた場合、記録再生線 路の伝送損失が生じたり、配線間にクロストークが発生したりする可能性がある。そこ で、ポリイミド系榭脂層とステンレス層の間に、グランドとして導体層が挿入された基材 の検討がなされている。
[0004] 上記のように、ステンレス層とポリイミド系榭脂層の間に導体層を挿入した高周波数 対応ワイヤレスサスペンションの検討として、ステンレス層とポリイミド系榭脂層間に導 体層を設けることで、伝送線路における伝送損失の低減による電気的特性を向上さ せ、伝送線路のインピーダンスフラットィ匕を試みている（例えば特許文献 1を参照)。
[0005] また、電磁干渉の防止対策として、ステンレス層とポリイミド系榭脂層間に導体層を 設け、読み取り及び書き込みの信号間の相互作用を減少させることで、クロストークを 最小化すると ヽぅ検討が行われて ヽる（例えば特許文献 2参照)。 [0006] 上記二つの文献で、ハードディスクサスペンション配線における電気的特性のシミ ユレーシヨンが実施され、グランドとなる導体層を挿入することで一定の効果が得られ ることが示されている。しかし、ステンレス層 Z導体層 Zポリイミド系榭脂層 Z金属 (銅 )層からなる金属積層体を実際に基材ィ匕して評価を実施しているわけでなぐその基 材の実用性にっ 、ての検討はなされて 、なかった。
特許文献 1：特開 2005-11387号公報
特許文献 2：特開 2004-55126号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] 本発明者は、ステンレス層 Z導体層 Zポリイミド系榭脂層 Z金属 (銅)層からなる金 属積層体について各層の密着性を検討したところ、十分な密着強度が得られない場 合があること、およびこれがポリイミド系榭脂層と導体層との密着性の低さによるもの であることを見出した。したがって本発明の目的は、伝送損失や電磁干渉といった電 気的特性を解決するために、ステンレス層とポリイミド系榭脂層間に、グランドとして導 体層が挿入された金属積層体であって、かつ導体層とポリイミド榭脂層の間に強固な 密着性を有し、ハードディスクサスペンションとしての加工及び使用に耐えうるポリイミ ド金属積層体を提供することにある。
課題を解決するための手段
[0008] 本発明者らは、鋭意検討の結果、伝送損失や電磁干渉と！/ヽつた電気的特性を改善 する導体層が挿入されたポリイミド金属積層体において、導体層のポリイミド系榭脂 層と接する面を平滑ではなくすることにより、導体層とポリイミド系榭脂層との密着性 が向上することを見出した。この知見に基づいて、導体層のポリイミド系榭脂層と接す る面を表面処理、好ましくは酸処理することにより、粗度を導体層の表面に付加する ことで、本発明を完成した。
[0009] すなわち、本発明の第一は、以下で特定される金属積層体である。
[1] ステンレス層、前記ステンレス層の少なくとも一方の面上に配置された導体層、 前記導体層の面上に配置されたポリイミド系榭脂層、および前記ポリイミド系榭脂層 の面上に配置された金属層を含む金属積層体において、前記導体層のポリイミド系 榭脂層と接する面が平滑でない金属積層体。
[2] 前記導体層のポリイミド系榭脂層と接する面の十点平均粗さ Rzが、 0.
以上であって、かつ前記導体層の厚みから 0. 3 mを減じた値以下である、 [1]に 記載の金属積層体。
[3] 前記導体層のポリイミド系榭脂層と接する面は酸処理されている、 [1]に記載 の金属積層体。
[4] 前記酸処理は、蟻酸を含む溶液、あるいは硫酸および過酸化物を含む溶液に よる処理である、 [3]に記載の金属積層体。
[5] 前記導体層の厚みが 0. 5 /ζ πι〜20 /ζ πιである、 [1]に記載の金属積層体。
[6] 前記導体層は銅または銅合金からなる、 [1]に記載の金属積層体。
[7] 前記ポリイミド系榭脂層が、非熱可塑性ポリイミド層、および前記非熱可塑性ポ リイミド層の両面それぞれの面上に配置された熱可塑性ポリイミド層を含む、 [1]に記 載の金属積層体。
本発明の第二は、以下で特定される金属積層体の製造方法である。
[8] ステンレス層、前記ステンレス層の少なくとも一方の面上に配置された導体層、 前記導体層の面上に配置されたポリイミド系榭脂層、および前記ポリイミド系榭脂層 の面上に配置された金属層を含む金属積層体の製造方法であって、
ステンレス層および導体層を含むステンレス層 Ζ導体層積層板の導体層と、金属 層およびポリイミド系榭脂層を含むポリイミド金属積層板のポリイミド系榭脂層とを、加 熱圧着するステップを含み、前記ステンレス層 Ζ導体層積層板は、ステンレス箔上に めっき法により形成された導体層の表面を酸処理することにより得られる積層板であ る、製造方法。
[9] ステンレス層、前記ステンレス層の少なくとも一方の面上に配置された導体層、 前記導体層の面上に配置されたポリイミド系榭脂層、および前記ポリイミド系榭脂層 の面上に配置された金属層を含む金属積層体の製造方法であって、
ステンレス層および導体層を含むステンレス層 ζ導体層積層板の導体層に、ポリイ ミド系榭脂層を形成するステップ、および形成されたポリイミド系榭脂層に金属箔を加 熱圧着するステップを含み、前記ステンレス層 Ζ導体層積層板は、ステンレス箔上に めっき法により形成された導体層の表面を酸処理することにより得られる積層板であ る、製造方法。
[0011] 本発明の第三は、以下で特定されるハードディスク用サスペンションである。
[10] [1]〜 [7]の 、ずれかに記載の金属積層体の加工物を含むハードディスク用 サスペンション。
発明の効果
[0012] 本発明によれば、ステンレス層 Z導体層 Zポリイミド系榭脂層 Z金属層からなり、導 体層のポリイミド系榭脂層と接する面を平滑ではなくすることで、導体層とポリイミド系 榭脂層が強固に密着した金属積層体を得ることができる。該金属積層体には、グラン ド層として機能しうる導体層が挿入されているため、電気的特性に優れたノ、ードディ スクドライブサスペンション材料として好適に使用される。
さらに本発明の金属積層体は、ロール工程で生産可能であるため、安価で高密度 化が可能な回路付きサスペンションを提供することが可能となる。
発明を実施するための最良の形態
[0013] 以下において、本発明の金属積層体、その製造方法、およびその用途について詳 細に説明する。
[0014] 1.本発明の金属積層体
本発明の金属積層体は、ステンレス層と、ステンレス層の面上に配置された導体層 と、導体層の面上に配置されたポリイミド系榭脂層と、ポリイミド系榭脂層の面上に配 置された金属層とを含み、かつ導体層のポリイミド系榭脂と接する面が平滑でないこ とを特徴とする。
[0015] (1)ステンレス層
本発明の金属積層体の構成要素であるステンレス層は、ステンレス力 なる層であ れば特に制限されるものではないが、金属積層体をサスペンションとして用いることを 考慮すると、サスペンションに必要なパネ特性や寸法安定性の観点から、好ましくは SUS304ステンレスであり、より好ましくは 300°C以上の温度でテンションァニール処 理が施された SUS304ステンレスである。ステンレス層の好ましい厚さ範囲は 10 μ m 〜70 μ m、より好ましくは 15 μ m〜30 μ mである。 [0016] (2)導体層
本発明の金属積層体の構成要素である導体層は、ステンレス層の少なくとも一方の 面、好ましくはどちらか一方の面の上に配置されている。「面の上に配置されている」 とは、ステンレス層と導体層が接触して配置されていること、または中間層を介して配 置されて!ヽることを意味する。
[0017] 本発明の金属積層体を回路基板 (たとえば、ハードディスクドライブサスペンション） の基材として用いた場合に、導体層はグランド層としての機能を有しうる。グランド層 によって、伝送線路間の電磁的干渉が低減され、且つ伝送線路内の伝送損失を低 減させることが可能である。近年、ハードディスクサスペンションにおいて、伝送線路 の高密度化や記録密度向上による読み書き信号の高周波数化が進んでおり、上記 の電磁的干渉や伝送損失といった問題が顕在化している。こういった問題に対し、導 電層をグランド層として含む金属積層体は有用となる。
[0018] 本発明の金属積層体の構成要素である導体層の材質は、電気伝導率が大きい金 属であることが好ましぐ好適な例には金、銀、銅、ニッケル、ステンレスおよびアルミ ユウム等が含まれる。導体層の電気伝導性と、金属積層体の生産性を考慮すると、よ り好ま 、材質は銅または銅合金である。
[0019] 導体層の厚みは、グランドとして作用可能である厚みであれば特に限定されないが 、電気的特性および機械的特性の点から、 0. 5 m〜20.0 mであることが好ましく 、 0. 8 /ζ πι〜5. 0 mであることがより好ましい。導体層はその表面が平滑でないた め、その厚みが過剰に薄いと下地層（ステンレス層）が露出される場合がある。また、 サスペンションとしての用途を考慮すると、スティフネスの点から 20 μ m以下であるこ とが好ましい。
[0020] 本発明の金属積層体は、導体層のポリイミド系榭脂層と接する面が平滑でないこと を特徴とする。本発明において「平滑でない」とは、好ましくは十点平均粗さ Rzが 0. 5 m以上であることを意味する。ここで十点平均粗さ Rzとは、断面曲線から基準長 さを抜き取り、高い方から 3番目の山頂と、深い方から 3番目の谷底を通る行線の間 隔を測定した値である。
[0021] そもそも、十点平均粗さが 1. 0 m以下のステンレス層上に、めっき法により形成さ れた導体層は、非常に平滑な面状態となっている。一般的に、この平滑な面上にポリ イミド系榭脂層を積層しても導体層と樹脂との界面で接着がしにくいという問題が発 生する。
[0022] 特に、電気めつきにより形成された導体層（たとえば、銅層）は、その上に積層され た榭脂層との接着性が非常に悪いことがある。これは、その導体層の最表層部分は 、金属間結合が弱く非常に脆弱な層となっており、この導体層の上にポリイミド系榭 脂層を積層しても、導体層内部の脆性破壊のため、容易に剥離が生じるためである ことを、本発明者は見出した。
[0023] これらの知見力も本発明者は、導体層とポリイミド系榭脂層間に十分な接着性を持 たせるためには、導体層表面を平滑でなく凹凸がある状態にするとともに、さらに導 体層の最表層にある脆弱層を取り除くことが好ましいことを見出したのである。
[0024] 平滑でない表面を有する導体層には、ポリイミド系榭脂層を強固に密着させること ができる。より強固な密着性を確保するためには、導体層表面の十点平均粗さ Rzが 0. 5 m以上であることが好ましい。一方、粗度 Rzが 0. 5 mよりも極端に大きくても 、ポリイミド系榭脂層との密着性に問題はないが、多くの場合、導体層はめつき法によ り形成され、薄い層である場合が多いので、導体層が完全にエッチングされて下地 層が露出されることがないように配慮する必要がある。例えば導体層の厚みが 2. Ο μ mの場合、十点平均粗さ Rzを 1. 以下として、導体層が完全にエッチングされ ないよう 0. 3 /z m程度のマージンを確保する必要がある。すなわち導体層の表面の 十点平均粗さ Rzは、 0. 5 m以上であって、かつ導体層の厚みから 0. 3 μ mを減じ た値以下となることが好まし 、。
導体層の表面を平滑でな 、ようにする、つまり粗化処理する手段にっ 、ては後述 する。
[0025] 前述の通り導体層は、その表面が平滑でないだけではなぐ最表層部分にある脆 弱な部分が適切に除去されていることが好ましい。この脆弱な部分の除去は、導体 層の表面を適切にエッチング処理することにより行われる力 このエッチング処理に ついても後述する。
[0026] 前述の通り、本発明の金属積層体のステンレス層と導体層の間には中間層が配置 されていてもよい。特に、ステンレス層上に、直に導体層となる金属をめつき（めっき 法については後述）した場合、ステンレス層と導体層の界面に密着性が発現しない 可能性がある。そこで、ステンレス層と導体層との間に、両者を接合する層 (接着層） を設けてもよい。接着層の好ましい例には、ストライクニッケルといった 0. 1 μ m以下 のニッケル層が含まれる。このようなニッケルまたはニッケル合金からなる下地めつき 層は、 0. 1 m以下の厚みで十分である。
[0027] (3)ポリイミド系榭脂層
本発明の金属積層体の構成要素であるポリイミド系榭脂層は、前記導体層上に直 接接触して設けられていることが好ましい。ポリイミド系榭脂層は、平滑でない導体層 表面に強く密着しうる。
[0028] ポリイミド系榭脂層は、導体層と金属層とを電気的に絶縁する絶縁層として機能しう る。ポリイミド系榭脂層はポリイミドを含む榭脂組成物力も形成され、その厚みは 7 m〜250 μ m程度であればよ!ヽ。
[0029] ポリイミド系榭脂層は、複数の層構造、好ましくは三層構造でありうる。さらに好まし くはポリイミド系榭脂層が、非熱可塑性ポリイミド層と、当該非熱可塑性ポリイミド層の 両面それぞれに配置された熱可塑性ポリイミド層を含む構成 (熱可塑性ポリイミド層
Z非熱可塑性ポリイミド層 Z熱可塑性ポリイミド層）を有する。ポリイミド系榭脂層をこ のような三層構造とすれば、導体層及び金属層と接する面は熱可塑性ポリイミド層と なり、それ以外の層（内部層）は非熱可塑性ポリイミド層とすることができる。
[0030] ポリイミド系榭脂層に含まれ得る非熱可塑性ポリイミド層を構成する榭脂組成物に は、本発明の金属積層体の使用環境においては耐熱性が要求項目の一つであるこ とが多いという観点から、非熱可塑性ポリイミドが含まれることが好ましぐさらに充填 材が含まれていてもよい。
[0031] 非熱可塑性ポリイミド層の厚みは特に限定されず、 6 m〜150 mが好ましぐさ らには 12. 〜： LOO /z m力 子ましく、より更に 12. 5 m〜75 mが好ましい。
[0032] 非熱可塑性ポリイミド層は、市販のフィルムであってもよぐ具体的商品名としては、 例えば「カプトン (登録商標)スーパー V」、「カプトン (登録商標) V」、「カプトン (登録 商標) E」、「カプトン (登録商標) EN」、「カプトン (登録商標) H」、（以上、東レデュポ ン株式会社製)、「ユーピレックス (登録商標） S」、「ユーピレックス (登録商標） SGA」 (以上、宇部興産株式会社製)、「アビカル (登録商標) AH」、「アビカル (登録商標） NPI」、「アビカル HP」（以上、カネ力株式会社製)等が挙げられ、巿場において容易 に入手可能であり本発明に好適に利用可能である。
[0033] さらに、非熱可塑性ポリイミド層に含まれる非熱可塑性ポリイミドは、カルボン酸二無 水物とジァミンとを直接イミドィ匕して形成されるポリイミドでもよい。
[0034] 非熱可塑性ポリイミドの原料となるカルボン酸二無水物の第一の例は、ピロメリット 酸二無水物誘導体であり、ピロメリット酸二無水物、 3-フルォロピロメリット酸二無水物 、 3, 6-ジフルォロピロメリット酸ニ無水物、 3, 6-ビス（トリフルォロメチル）ピロメリット酸 二無水物などが含まれる。
[0035] 非熱可塑性ポリイミドの原料となるカルボン酸二無水物の第二の例は、ジフタル酸 二無水物誘導体であり、メチレン- 4,4'-ジフタル酸二無水物、 1,1-ェチリデン- 4,4'- ジフタル酸二無水物、 2,2-プロピリデン- 4,4'-ジフタル酸二無水物、 1,2-エチレン- 4,4'-ジフタル酸二無水物、 1,3-トリメチレン- 4,4'-ジフタル酸二無水物、 1,4-テトラ メチレン- 4,4'-ジフタル酸二無水物、 1,5-ペンタメチレン- 4,4'-ジフタル酸二無水物 、ジフルォロメチレン- 4,4'-ジフタル酸二無水物、 1,1,2,2-テトラフルォ口- 1,2-ェチ レン- 4,4'-ジフタル酸二無水物、 1,1,2,2,3,3-へキサフルォロ -1,3-トリメチレン- 4, 4'-ジフタル酸二無水物、 1,1,2,2,3,3,4,4-ォクタフルォ口- 1,4-テトラメチレン- 4,4' -ジフタル酸二無水物、 1, 1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルォロ -1,5-ペンタメチレン- 4, 4'-ジフタル酸二無水物、ォキシ -4,4'-ジフタル酸二無水物、チォ- 4,4'-ジフタル酸 二無水物、スルホ -ル- 4,4'-ジフタル酸二無水物、 1,2,3,4-ベンゼンテトラカルボン 酸二無水物、 2,2', 3, 3'-ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物、 3,3',4,4'-ビフエ -ルテトラカルボン酸二無水物、 3,3",4,4"-テルフエ-ルテトラカルボン酸二無水物 、 3,3"',4,4"'-クァテルフエ-ルテトラカルボン酸二無水物、 3,3"",4,4""-キンクフ ェ -ルテトラカルボン酸二無水物、 2,2', 3, 3しビフエ-ルテトラカルボン酸二無水物、 3,3'-ジフルォロ- 4,4'-ジフタル酸二無水物、 5,5'-ジフルォロ- 4,4'-ジフタル酸二 無水物、 6,6'-ジフルォロ- 4,4'-ジフタル酸二無水物、 3, 3', 5, 5', 6, 6'-へキサフルォ 口- 4,4'-ジフタル酸二無水物、 3,3'-ビス（トリフルォロメチル）ォキシ -4,4'-ジフタル 酸二無水物、 5,5'-ビス（トリフルォロメチル）ォキシ -4,4'-ジフタル酸二無水物、 6,6' -ビス（トリフルォロメチル）ォキシ -4,4'-ジフタル酸二無水物、 3, 3', 5, 5しテトラキス（ト リフルォロメチル）ォキシ -4,4'-ジフタル酸二無水物、 3, 3', 6, 6'-テトラキス（トリフルォ ロメチル）ォキシ -4,4'-ジフタル酸二無水物、 5, 5', 6, 6'-テトラキス（トリフルォロメチ ル）ォキシ -4,4'-ジフタル酸二無水物、 3, 3', 5, 5', 6, 6'-へキサキス（トリフルォロメチ ル）ォキシ -4,4'-ジフタル酸二無水物、 3,3'-ビス（フルォロスルホ -ル） -4,4'-ジフタ ル酸ニ無水物、 5,5'-ビス（フルォロスルホ-ル）- 4,4'-ジフタル酸二無水物、 6,6'- ビス（フルォロスルホ-ル）- 4,4'-ジフタル酸二無水物、 3, 3', 5, 5', 6, 6'-へキサキス（ フルォロスルホ-ル）- 4,4'-ジフタル酸二無水物、 3,3'-ビス（トリフルォロメチル）スル ホ-ル -4,4'-ジフタル酸二無水物、 5,5'-ビス（トリフルォロメチル）スルホ -ル- 4,4し ジフタル酸二無水物、 6,6'-ビス（トリフルォロメチル）スルホ -ル- 4,4'-ジフタル酸二 無水物、 3, 3', 5, 5'-テトラキス（トリフルォロメチル）スルホ -ル- 4,4'-ジフタル酸二無 水物、 3, 3', 6, 6'-テトラキス（トリフルォロメチル）スルホ -ル- 4,4'-ジフタル酸二無水 物、 5, 5', 6, 6'-テトラキス（トリフルォロメチル）スルホ -ル- 4,4'-ジフタル酸二無水物 、 3, 3', 5, 5', 6, 6'-へキサキス（トリフルォロメチル)スルホ -ル- 4,4'-ジフタル酸二無 水物、 3,3'-ジフルォロ- 2,2-パーフルォロプロピリデン- 4,4'-ジフタル酸二無水物、 5,5'-ジフルォロ- 2,2-パーフルォロプロピリデン- 4,4'-ジフタル酸二無水物、 6,6'- ジフルォロ- 2,2-パーフルォロプロピリデン- 4,4'-ジフタル酸二無水物、 3, 3', 5, 5', 6, 6'-へキサフルォロ- 2,2-パーフルォロプロピリデン- 4,4'-ジフタル酸二無水物、 3,3' -ビス（トリフルォロメチル） -2,2-パーフルォロプロピリデン- 4,4'-ジフタル酸二無水 物、 5,5'-ビス（トリフルォロメチル） -2,2-パーフルォロプロピリデン- 4,4'-ジフタル酸 二無水物、 6,6'-ジフルォロ- 2,2-パーフルォロプロピリデン- 4,4'-ジフタル酸二無水 物、 3, 3', 5, 5'-テトラキス（トリフルォロメチル） -2,2-パーフルォロプロピリデン- 4,4し ジフタル酸二無水物、 3, 3', 6, 6'-テトラキス（トリフルォロメチル） -2,2-パーフルォロ プロピリデン- 4,4'-ジフタル酸二無水物、 5, 5', 6, 6'-テトラキス（トリフルォロメチル） - 2,2-パーフルォロプロピリデン- 4,4'-ジフタル酸二無水物、 3, 3', 5, 5', 6, 6'-へキサ キス（トリフルォロメチル） -2, 2-パーフルォロプロピリデン- 4,4'-ジフタル酸二無水物 などが含まれる。 [0036] 非熱可塑性ポリイミドの原料となるカルボン酸二無水物の第三の例は、ビフヱ-ル テトラカルボン酸二無水物誘導体であり、 2,2'-ジフルォロ- 3,3',4,4'-ビフエ-ルテト ラカルボン酸二無水物、 5,5'-ジフルォロ- 3,3',4,4'-ビフエ-ルテトラカルボン酸二 無水物、 6,6'-ジフルォロ- 3, 3',4,4'-ビフエ-ルテトラカルボン酸二無水物、 2,2', 5, 5', 6, 6'-へキサフルォロ- 3, 3',4,4'-ビフエ-ルテトラカルボン酸二無水物、 2,2'-ビス (トリフルォロメチル） -3, 3',4,4'-ビフエ-ルテトラカルボン酸二無水物、 5,5'-ビス（ト リフルォロメチル） -3, 3',4,4'-ビフエ-ルテトラカルボン酸二無水物、 6,6'-ビス（トリフ ルォロメチル） -3, 3',4,4'-ビフエ-ルテトラカルボン酸二無水物、 2,2', 5, 5'-テトラキ ス（トリフルォロメチル） -3, 3',4,4'-ビフエ-ルテトラカルボン酸二無水物、 2,2', 6,6'- テトラキス（トリフルォロメチル） -3, 3',4,4'-ビフエ-ルテトラカルボン酸二無水物、 5,5 ',6,6'-テトラキス（トリフルォロメチル） -3, 3',4,4'-ビフヱ-ルテトラカルボン酸二無水 物、 2,2', 5, 5', 6, 6'-へキサキス（トリフルォロメチル） -3, 3',4,4'-ビフエ-ルテトラカル ボン酸二無水物などが含まれる。
[0037] 非熱可塑性ポリイミドの原料となるカルボン酸二無水物の第四の例は、ビス（シクロ へキサン- 1,2-ジカルボン酸）二無水物誘導体であり、カルボ-ル -4,4'-ビス（シクロ へキサン- 1,2-ジカルボン酸）二無水物、メチレン- 4,4'-ビス（シクロへキサン- 1,2-ジ カルボン酸）二無水物、 1,2-エチレン- 4,4'-ビス（シクロへキサン- 1,2-ジカルボン酸 )二無水物、 1,1-ェチリデン- 4,4'-ビス（シクロへキサン- 1,2-ジカルボン酸）二無水 物、 2,2-プロピリデン- 4,4'-ビス（シクロへキサン- 1,2-ジカルボン酸）二無水物、 1, 1 , 1,3,3,3-へキサフルォロ- 2,2-プロピリデン- 4,4'-ビス（シクロへキサン- 1,2-ジカル ボン酸）二無水物、ォキシ -4,4'-ビス（シクロへキサン- 1,2-ジカルボン酸）二無水物 、チォ- 4,4'-ビス（シクロへキサン- 1,2-ジカルボン酸）二無水物、スルホ -ル- 4,4'- ビス（シクロへキサン- 1,2-ジカルボン酸）二無水物などが含まれる。
[0038] 非熱可塑性ポリイミドの原料となるカルボン酸二無水物の第五の例には、 1,3-ビス
(3,4-ジカルボキシフエ-ル） -1, 1, 3, 3-テトラメチルジシロキサン二無水物、 1,3-ビ ス（3,4-ジカルボキシフエ-ル）ベンゼン二無水物、 1,4-ビス（3,4-ジカルボキシフエ -ル）ベンゼン二無水物、 1,3-ビス（3,4-ジカルボキシフエノキシ）ベンゼン二無水物 、 1,4-ビス（3,4-ジカルボキシフエノキシ）ベンゼン二無水物、 1,3-ビス〔2- (3,4-ジ カルボキシフエ-ル） -2-プロピル〕ベンゼン二無水物、 1,4-ビス〔2- (3, 4-ジカルボ キシフエ-ル） -2-プロピル〕ベンゼン二無水物、ビス〔3- (3,4-ジカルボキシフエノキ シ）フエ-ル〕メタン二無水物、ビス〔4- (3,4-ジカルボキシフエノキシ）フエ-ル〕メタン 二無水物、 2,2-ビス〔3- (3,4-ジカルボキシフエノキシ）フエ-ル〕プロパン二無水物、 2,2-ビス〔4- (3,4-ジカルボキシフエノキシ）フエ-ル〕プロパン二無水物、 2,2-ビス〔 3- (3,4-ジカルボキシフエノキシ）フエ-ル〕 -1 , 1 , 1 ,3,3, 3-へキサフルォロプロパン 二無水物、 2,2-ビス〔4- (3,4-ジカルボキシフエノキシ）フエ-ル〕プロパン二無水物、 2,2-ビス（3,4-ジカルボキシフエ-ル） -1, 1, 1,3, 3, 3-へキサフルォロプロパン二無 水物、ビス（3,4-ジカルボキシフエノキシ）ジメチルシラン二無水物、 1,3-ビス（3,4-ジ カルボキシフエノキシ） -1,1, 3, 3-テトラメチルジシロキサン二無水物、 2,3, 6, 7-ナフタ レンテトラカルボン酸二無水物、 1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、 3,4, 9, 10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物、 2,3, 6, 7-アントラセンテトラカルボン酸二 無水物、 1,2,7,8-フエナントレンテトラカルボン酸二無水物、 1,2,3,4-ブタンテトラ力 ルボン酸二無水物、 1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン テトラカルボン酸二無水物、シクロへキサン- 1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、シ クロへキサン- 1,2,4,5-テトラカルボン酸二無水物、 3,3',4,4'-ビシクロへキシルテト ラカルボン酸二無水物、 9-フエ-ル -9- (トリフルォロメチル）キサンテン- 2,3, 6, 7-テ トラカルボン酸二無水物、 9,9-ビス（トリフルォロメチル）キサンテン- 2,3,6,7-テトラ力 ルボン酸二無水物、ビシクロ〔2,2,2〕ォクト -7-ェン- 2,3, 5, 6-テトラカルボン酸二無 水物、 9, 9-ビス〔4- (3,4-ジカルボキシ）フエ-ル〕フルオレン二無水物、 9, 9-ビス〔4 - (2,3-ジカルボキシ）フエ-ル〕フルオレン二無水物などが挙げられる。
[0039] これらの酸二無水物を、単独であるいは 2種以上混合して使用することができる。
[0040] 一方、非熱可塑性ポリイミドの原料となるジァミンとしては、例えば、メトキシジァミノ ベンゼン、 4,4し才キシジァニリン、 3,4'-ォキシジァニリン、 3, 3し才キシジァニリン、 ジァニリノメタン、 3, 3しジァミノべンゾフエノン、ビス（p-ァミノフエノキシベンジル)スル ホン、ビス（m-ァミノフエノキシベンジル)スルホン、ビス（p-ァミノフエノキシベンジル） ケトン、ビス（m-ァミノフエノキシベンジル）ケトン、ビス（p-ァミノフエノキシベンジル）へ キサフルォロプロパン、ビス（m-ァミノフエノキシベンジル）へキサフルォロプロパン、 ビス（m-ァミノフエノキシベンジル）へキサフルォロプロパン、ビス（p-ァミノフエノキシ ベンジル）プロパン、ビス（o-ァミノフエノキシベンジル）プロパン、ビス（m-アミノフエノ キシベンジル）プロパン、ビス（p-ァミノフエノキシベンジル）チォエーテル、ビス（m-ァ ミノフエノキシベンジル）チォエーテル、インダンジァミン等が挙げられる。これらのジ アミンを、単独でまたは 2種以上を混合して使用することができる。
[0041] 上記非熱可塑性ポリイミド系榭脂は、一般的には N-メチルピロリドン (NMP)、ジメチ ルホルムアミド（DMF)、ジメチルァセトアミド（DMAc)、ジメチルスルホキシド（DMSO) 、硫酸ジメチル、スルホラン、ブチロラタトン、クレゾール、フエノール、ハロゲン化フエ ノーノレ、シクロへキサン、ジォキサン、テトラヒドロフラン (THF)、ジグライム、トリグライ ム等の溶媒中にぉ 、て、上記カルボン酸二無水物と上記ジァミンを所定の割合で混 合し、反応温度 0〜100°Cの範囲内で反応させることにより、ポリイミド系榭脂の前駆 体であるポリアミド酸の溶液を得て、さらに、この溶液を 200〜500°Cで熱処理するこ とにより製造される。
[0042] ポリイミド系榭脂層に含まれ得る熱可塑性ポリイミド層を構成する榭脂組成物には、 熱可塑性ポリイミドが含まれることが好ましい。熱可塑性ポリイミドとは、主鎖にイミド構 造を有するポリマーであって、ガラス転移温度が 150°C〜350°Cの範囲内にあり、こ の温度領域で弾性率が急激に低下するポリマーをいう。
[0043] 前記熱可塑性ポリイミドは、 1,3-ビス（3-アミノフエノキシ）ベンゼン、 4,4'-ビス（3-ァ ミノフエノキシ）ビフエ-ル、および、 3,3'-ジァミノべンゾフエノンからなる群から選ばれ た少なくとも一種のジァミンと、 3,3',4,4'-ベンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物、 3,3',4,4'-ジフエ-ルエーテルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、 および、 3,3',4,4'-ビフエ-ルテトラカルボン酸二無水物力 なる群から選ばれた少 なくとも一種のテトラカルボン酸二無水物とを重縮合して得られる熱可塑性ポリイミド であることが好ましい。
[0044] 導体層側および金属層側のいずれの熱可塑性ポリイミド層の厚みも、金属層と同 様に薄くすることが好ましぐ 0. 5 m〜50 μ mが好ましぐさらに好ましくは 1 μ m〜 mである。金属積層体を使用する電気機器の小型化'軽量化を実現するためで ある。 [0045] (4)金属層
本発明の金属積層体の構成要素である金属層は、ポリイミド系榭脂層の上に、好ま しくはポリイミド系榭脂層に含まれる熱可塑性ポリイミド層の上に配置される。金属層 を構成する金属の種類は特に制限されないが、銅、銅合金、アルミニウム、ニッケル、 ステンレス、チタン、鉄などが挙げられる。金属層は回路パターンィ匕されて電子回路 となりうるので、金属層を構成する金属は導電率の高い金属であることが好ましい。か 力る観点より、金属層は銅力もなる層であることが好ましい。
[0046] 金属層の厚みは、 1 μ m〜50 μ mであることが好ましぐ 3 μ m〜20 μ mであること 力 り好ましい。
[0047] 2.本発明の金属積層体の製造方法について
本発明の金属積層体は任意の方法で製造されうるが、例えば以下の 2通りの方法（ A法および B法）が例示される。
A法：ステンレス層および導体層が積層されており、導体層の表面が平滑でな!、ス テンレス層 Z導体層積層板を用意し;一方、金属層とポリイミド系榭脂層が積層され たポリイミド金属積層板を用意し;ステンレス層 Z導体層積層板の導体層と、ポリイミド 金属積層板のポリイミド系榭脂層とを加熱圧着する。
B法：ステンレス層および導体層が積層されており、導体層の表面が平滑でな 、ス テンレス層 Z導体層積層板を用意し;導体層にポリイミド系榭脂層を形成し;さらにポ リイミド系榭脂層に金属箔を加熱圧着する。
[0048] 前記 、ずれの製造方法にお!、ても、ステンレス層および導体層を積層したステンレ ス層 Z導体層積層板が用意される力 ステンレス層 Z導体層積層板は、例えばステ ンレス箔上に導体層を積層して作製される。ステンレス箔上に導体層を積層する方 法としては、導体層の材質である金属をスパッタリングする方法やめつきする方法が 挙げられる。導体層とステンレス層との密着性や成膜の容易性を考慮すると、めっき 法により導体層を形成することがより好ましい。さらに生産性を考慮すると、電気めつ き法により導体層を形成することが好ましい。電気めつき法は公知の技術であり、特 に製造方法に限定はなぐ例えば「多層プリント配線版ステップ 365 工業調査会」に その方法が記載されており、それに従 、めっきを行えばよ!、。 [0049] また、導体層を積層されるステンレス箔には、あら力じめ導体層との密着性を高めう る接着層を積層しておいてもよい。接着層の例にはニッケル層が含まれ、ニッケル層 はストライクめっきにより形成することができる。
[0050] 次に、ステンレス箔上に積層された (好ましくは、めっき法により積層された)導体層 の表面を平滑でないようにする、つまり表面粗化処理する。特に、めっき法により形成 された導体層の表面は一般的に平滑性が高いため、粗化処理される必要がある。粗 化処理する手段としては、電気化学的な表面粗化、クロメート処理、キレート材処理、 エッチングによる表面粗ィヒ処理等がある力 処理の生産性や処理後の加工性を考慮 すると、エッチングによる表面粗ィ匕処理が好ましい。
[0051] エッチングによる表面粗ィ匕処理の方法は、導体層に目的とする粗化処理がされれ ば特に限定されない。エッチングによる表面粗ィ匕処理は、例えばエッチング液に積 層板を浸漬するか、またはエッチング液を積層板の導体層表面に噴霧もしくは塗布 すること〖こより行われる。
[0052] さらに、電気めつき法により形成された導体層、特に導体層の成分が銅である場合 は、その最表層面が非常に脆弱な層となっていることがあるので、この脆弱な層を適 切に除去することが好ましい。そのような脆弱な部位を除くためには、酸性のエツチン グ液による処理が好ましい。酸性のエッチング液の好ましい例には、硫酸および過酸 化物（例えば、過酸ィ匕水素）を含むエッチング液、蟻酸を含むエッチング液などが挙 げられる。硫酸'過酸ィ匕物系エッチング液に含まれる硫酸および過酸ィ匕物の濃度は 、導体層が適切に処理されるように調整されればよいが、例えば硫酸の濃度が 10〜 30重量％程度 (例えば、 23重量％)、過酸化水素の濃度が 5〜20重量％程度 (例え ば 13重量％)であればよい。同様に、エッチング液に含まれるギ酸の濃度も適宜調 整され、例えば 10重量％以上であればよい。また酸性のエッチング液には、導体層 を適切に処理することができる限り、その他の任意成分が含まれて 、てもよ 、。
[0053] このような酸性のエッチング液は、多くの会社から販売されている。例えば硫酸'過 酸ィ匕物系エッチング液として「ネオブラウン NBDII (荏原電産株式会社製)」、「V-Bo nd BO7770V (メック株式会社製)」、「CPE- 900 (三菱瓦斯ィ匕学株式会社製)」な どを、ギ酸を含むエッチング液として「CZ-8100 (メック株式会社製)」などを容易に 入手できる。
これらの酸性のエッチング液に表面処理を行う積層板を浸漬することが好ましい。 浸漬する条件は、特に限定はなぐ通常、温度が 20°C〜50°C程度、時間としては 10 〜120秒程度であり、目的とする粗ィ匕の程度によって条件を制御することができる。
[0054] 前述の A法における、ポリイミド金属積層板は、金属層となる金属箔 (例えば銅箔） 上に、ポリイミド系榭脂層を形成することにより作製されうる。ポリイミド系榭脂層を、非 熱可塑性榭脂層と、その両面に配置された熱可塑性榭脂層力 なる三層構造とする 場合は、金属箔に熱可塑性ポリイミド系榭脂の前駆体であるポリアミック酸を塗布 '乾 燥して層を形成した後に、さら〖こ同様〖こ、非熱可塑性ポリイミド、熱可塑性ポリイミドの 前駆体であるポリアミック酸を順次塗工 '乾燥して、各層を形成する。三層を積層して 乾燥した後に、 200°C以上の高温で熱処理を行い、各層をポリイミド層とする。
[0055] 得られたポリイミド金属積層板のポリイミド系榭脂層と、上述のステンレス層 Z導体 層積層板の導体層を重ね合わせて、真空プレス機を用い、およそ 250°Cで 1時間程 度、加熱圧着することより、ステンレス層 Z導体層 Zポリイミド系榭脂層 Z金属層の金 属積層体を製造することができる。
[0056] また前述の B法のように、前述のステンレス層 Z導体層の積層板上に、ポリイミド系 榭脂層を形成して、ステンレス層/導体層/ポリイミド系榭脂層の積層板を作製しても よい。ポリイミド系榭脂層の形成は、それらの前駆体であるポリアミック酸ワニスを塗工 •乾燥した後に、 200°C以上で熱処理を行う。得られたステンレス層/導体層/ポリイミ ド系榭脂層の積層板のポリイミド系榭脂層に、金属箔を重ね合わせて加熱圧着する ことにより、本発明の金属積層体を得ることが可能である。
A法と同様に、ポリイミド系榭脂層を三層構造としてもよい。その場合は、導体層上 に、熱可塑性ポリイミド層、非熱可塑性ポリイミド層、熱可塑性ポリイミド層の順となるよ う、それぞれの前駆体を順じ塗布、乾燥してポリイミド系榭脂層を形成することができ る。
[0057] また、非熱可塑性の特性を有するポリイミドフィルム（巿販物を用いることができる） の両面に、熱可塑性榭脂の前駆体であるポリアミック酸ワニスを塗工 ·乾燥して三層 構造のポリイミド榭脂板を作製する。作製された榭脂板の一方の熱可塑性榭脂層に 、ステンレス層/導体層積層板の導体層を貼り合わせるようにして積層し、作製された 榭脂板のもう一方の熱可塑性榭脂層に金属箔を重ねて積層し、加熱圧着することで も、本発明の金属積層体が得られる。
[0058] 3.本発明の金属積層体の用途について
本発明の金属積層体は任意の用途で用いられ得るが、金属層を回路パターユング すれば回路基板として用いることができる。好ましくはハードディスク用サスペンション や、フレキシブル配線板の基材として用いることができる。
ハードディスク用サスペンションとは、磁気読み取り機能を有するヘッド部を搭載す るパネ性を持つ部品であるが、ヘッドが搭載されていなくても、または一部他の部品 と一体ィ匕したようなものでも良い。またロードビーム等の他の部品として用いられること を目的としたハードディスクサスペンション用フレクシヤー等の部品も含まれる。これら の製造方法は、特に限定されず、公知の方法により製造することが可能であり、例え ば特開平 11-284294号公報等の公知の方法を参照して製造できる。
さらに、本発明の金属積層体力 得られる回路基板は、高密度に回路パターニン グされてもノイズが発生しにくぐかつ各層の密着性が高いので、フレキシブル配線 板としても有用である。
実施例
[0059] 以下において、実施例により本発明をさらに具体的に説明する力 本発明はこれら によって何ら限定されることな 、。
[0060] 実施例で用いた、酸無水物、ジァミン、および溶剤の略称を示す。
く酸無水物 >PMDA:ピロメリット酸二無水物 BPDA: 3,3',4,4，-ビフエ-ルテトラ力 ルボン酸二無水物
<ジァミン > PPD：パラフエ-レンジァミン m- BP： 4,4'-ビス（3-アミノフエノキシ）ビフ ェ-ル ODA： 4,4'-ジアミノジフエ-ルエーテル
<溶媒 > DMAc： Ν,Ν'-ジメチルァセトアミド NMP： Ν—メチルピロリドン
[0061] <合成例：非熱可塑性ポリイミド前駆体の合成 >
ジァミン成分として PPD 5. 36gを秤量し、テトラカルボン酸二無水物成分として B PDA 10. 05g、および PMDA 3. 19gを秤量し、これらを NMP (74. 4ml)に溶 解した。得られた溶液を、反応温度 23°C、反応時間 6時間で攪拌 '混合した。得られ た反応溶液の固形分濃度は、 20重量％であった。また、得られた反応溶液の粘度は 25°Cにおいて 30000cpsであり、塗工に適したものであった。これをポリアミック酸ヮ ニス Aとした。
ジァミン成分として m- BP 4. 73g、 ODA 6. OOgを秤量し、テトカルボン酸二無 水物成分として PMDA 9. 20gを秤量し、これらを DMAc (79. 7ml)に溶解した。 得られた溶液を、反応温度 23°C、反応時間 6時間で混合した。得られた反応溶液の 固形分濃度は、 20重量％であった。また、得られた反応溶液の粘度は 25°Cにおい て 20000cpsであり、塗工に適したものであった。これをポリアミック酸ワニス Bとした。 ポリアミック酸ワニス Aとポリアミック酸ワニス Bを、 77： 23 (重量比）で混合して非熱 可塑性ポリイミド前駆体を得た。この非熱可塑性ポリイミド前駆体を後述の実施例で 用いた。
[0062] [実施例 1]
<ステンレス箔上への導体層の形成 >
「SUS304H」箔 25 m (新日鐡株式会社製)の片面にニッケルストライク処理がさ れないようマスキングフィルムを積層し、もう一方の面上にニッケルストライク処理を行 い、約 0. 10 μ mの下地ニッケル層を形成した。ニッケルストライク処理は、塩化-ッ ケル濃度 100g/l、塩酸 125g/lを含む水溶液中において、電流密度 4. OA/dm2で 3 0秒、間行った。
次いでニッケル層上に、電気めつき法により銅層を積層した。電気めつきは、硫酸 銅 200g/l、硫酸 50g/lを含む水溶液中において、電流密度 5. OA/dm2,液温 30°C で 15分間行った。銅層の厚みを接触式厚み計 (ハイデンハイン株式会社製)で測定 すると約 3. O /z mであった。
[0063] <導体層表面のエッチング処理 >
市販の硫酸'過酸ィ匕物系エッチング液「ネオブラウン NBDII」（荏原電産株式会社 製)の濃度を 1Z2に薄めた水溶液（35°C)中に、ステンレス層 Z導体層の積層板を、 15秒間浸漬した。粗化処理面を目視で観察した結果、下地のステンレスは露出せず 、銅層のみエッチングされており、オーバーエッチング無しと判断した。浸漬後の銅 層表面を、「ナノビクス」（セイコーインスツルメント株式会社製）にて観察し、表面粗さ の解析を行うと、十点平均粗さ Rzは 1. 5 mであった。
[0064] <銅箔上へのポリイミド系榭脂層の形成 >
市販の銅箔（商品名： NK120、日鉱マテリアルズ株式会社製、厚み 12 m)の上 に、熱可塑性榭脂組成物「LarC- TPI (三井ィ匕学株式会社製)」を、ロールコーター（ 井上金属工業株式会社製)で塗工し、 130°Cで乾燥させた (層の厚さ：1. 0 ^ πι) ο 前述の合成例で合成した非熱可塑性ポリイミド前駆体を、同様の手法で塗工および 乾燥させた (層の厚さ： 8. 0 ^ πι) οさらに熱可塑性榭脂組成物「ΡΙ— Α (三井ィ匕学株 式会社製)」を塗工および乾燥させた (層の厚さ： 2. 0 m)。その後、 300°Cまで 10 °C/minで昇温してイミドィ匕させて、ポリイミド金属積層体を得た。
[0065] <ステンレス層/導体層 (銅層）とポリイミド系榭脂層/金属層 (銅層）の加熱圧着 > 上記により得られたステンレス層/導体層の導体層と、ポリイミド系榭脂層/金属層の ポリイミド系榭脂層とを重ね合わせ、プレス機 (北川精機株式会社製)で、 300°C、 80 kgf/cm2, 1時間の条件で加熱圧着を行った。
[0066] <ピール強度測定方法 >
ステンレス層に 3. 2mm幅 X 40mmのエッチングマスクを行った。次いで、塩化鉄 第二水溶液により、不要な部位のステンレス層、およびその下層の導体層をエツチン グ除去し、ステンレス層 3. 2mm幅の測定サンプルを作製した。残留したステンレス 層の箔の先端を引き剥がし、引張試験機 (康井精機株式会社製)を用いて、引き剥 力 Sし強さを測定した (金属箔を 90° 方向に引き剥がした)。結果を表 1に示す。
[0067] [実施例 2]
導体層として形成した銅層表面にネオブラウン II処理を 20秒間行った以外は、実 施例 1と同様の方法でポリイミド金属積層体を作製し、評価した。ネオブラウン II処理 により、下地のステンレス層は露出せず、オーバーエッチング無しと判断した。エッチ ング処理後の銅層表面の十点平均粗さ Rzは 1. 8 mであった。結果を表 1に示す。
[0068] [実施例 3]
導体層として形成した銅層表面にネオブラウン II処理を 30秒間行った以外は、実 施例 1と同様の方法でポリイミド金属積層体を作製し、評価した。ネオブラウン II処理 により、下地のステンレス層は露出せず、オーバーエッチング無しと判断した。エッチ ング処理後の銅層表面の十点平均粗さ Rzは 2. 6 mであった。結果を表 1に示す。
[0069] [実施例 4]
ステンレス箔上に導体層をめつきにより形成する工程で、めっき時間を 10分とした 以外は、実施例 1と同様の方法でポリイミド金属積層体を作製し、評価した。ネオブラ ゥン II処理により、下地のステンレス層は露出せず、オーバーエッチング無しと判断し た。エッチング処理後の銅層表面の十点平均粗さは 1. 4 mであった。結果を表 1 に示す。
[0070] [実施例 5]
ステンレス箔上に導体層をめつきにより形成する工程で、めっき時間を 80分とした 以外は、実施例 1と同様の方法でポリイミド金属積層体を作製し、評価した。エツチン グ処理により、下地のステンレス層は露出せず、オーバーエッチング無しと判断した。 エッチング処理後の銅層表面の十点平均粗さは 1. 5 mであった。結果を表 1に示 す。
[0071] [実施例 6]
硫酸 ·過酸ィ匕物系エッチング液「ネオブラウン NBDII」による処理に代えて、市販の 蟻酸系エッチング液「CZ-8100」（メック株式会社製）中に、ステンレス層 Z導体層の 積層板を 35°Cで 15秒間浸漬し、さらに後処理として、室温下「CL-8301」（メック株 式会社製）に上記積層板を 30秒浸漬したこと以外は、実施例 1と同様の方法でポリイ ミド金属積層体を作製し、評価した。粗化処理面を目視で観察した結果、下地のステ ンレスは露出せず、銅層のみエッチングされており、オーバーエッチング無しと判断 した。処理後の銅層表面の十点平均粗さ Rzは 1. 5 mであった。結果を表 1に示す
[0072] [比較例 1]
導体層として形成した銅層表面にエッチング処理を行わな！/ヽこと以外は、実施例 1 と同様の方法でポリイミド金属積層体を作製し、評価した。エッチング処理されない銅 層表面の十点平均粗さは 0. 3 mであった。結果を表 1に示す。
[0073] [比較例 2] 導体層として形成した銅層表面にエッチング処理を 40秒間行った以外は、実施例 1と同様の方法でポリイミド金属積層体を作製し、評価した。エッチング処理後の導体 層表面の十点平均粗さは 2.8 mであった。 目視で導体層表面を確認すると、下地 のステンレス箔が見えており、導体層はオーバーエッチングされていた。結果を表 1 に示す。
[0074] [比較例 3]
硫酸 ·過酸ィ匕物系エッチング液「ネオブラウン NBDII」によるエッチング処理に代え て、 1重量％の過硫酸アンモ-ゥム水溶液（35°C)中に、ステンレス層 Z導体層の積 層板を 20秒間浸漬したこと以外は、実施例 1と同様の方法でポリイミド金属積層体を 作製し、評価した。エッチング処理により、下地のステンレス層は露出せず、オーバー エッチング無しと判断した。また、エッチング処理後の導体層表面の十点平均粗さは 0.3 mであった。結果を表 1に示す。
[0075] [表 1] 実施例 実施例 実施例 実施例 実施例 実施例 比較例 比較例 比較例
1 2 3 4 5 6 1 2 3 導体層厚み
3 3 3 2 16 3 3 3 3 メツキ時間
15 15 15 10 80 15 15 15 15
(mm)
オーバ一
無 無 無 有 無 エッチング
+点平均粗さ
1. 5 1. 8 2. 6 1. 4 1. 5 1. 5 0. 3 2. 8 0. 3 m)
密着力
160 170 140 160 150 290 20 160 90 / mm)
[0076] 表 1に示されたように、導体層をエッチング処理された金属積層体 (実施例 1〜6お よび比較例 2〜3)は、エッチング処理されない金属積層体 (比較例 1)と比較して、密 着力が高いことがわかる。これは、導体層とポリイミド榭脂層との密着性が高いことに よる。
また比較例 3の金属積層体は、実施例 1〜6と比較すると密着力が低いことがわか る。したがって、過硫酸アンモ-ゥム水溶液で処理するよりも、酸性のエッチング液で 処理する方が効果的であることがわかる。また比較例 3の金属積層体では、導体層の 表面粗度 (十点平均粗さ）が、エッチング処理前と変化していない (比較例 1)にもか かわらず、密着力の若干の向上が見られる。これは、導体層の最表層部分の脆弱な 層が除去されたためであると推測される。
さらに比較例 2の金属積層体は、実施例 1〜5と比較して密着力は同等であるが、 導電層がオーバーエッチングされているため、導電層がグランドとして十分に機能す ることができず、回路基板の基材として用いたときに、ノイズの低減などが十分に達成 されないと考えられる。
産業上の利用可能性
[0077] 本発明によれば、導体層とポリイミド系榭脂層が強固に密着しているステンレス層 Z 導体層 Zポリイミド系榭脂層 Z金属層の金属積層体が製造され、電気的特性に優れ たハードディスクサスペンションとして利用されうる。
[0078] 本出願は、 2005年 4月 18日出願の出願番号 JP2005Z119315に基づく優先権 を主張する。当該出願明細書に記載された内容は、すべて本願明細書に援用される

Claims

請求の範囲
[1] ステンレス層、前記ステンレス層の少なくとも一方の面上に配置された導体層、前 記導体層の面上に配置されたポリイミド系榭脂層、および前記ポリイミド系榭脂層の 面上に配置された金属層を含む金属積層体において、
前記導体層のポリイミド系榭脂層と接する面が平滑でない金属積層体。
[2] 前記導体層のポリイミド系榭脂層と接する面の十点平均粗さ Rzが、 0. 5 μ m以上 であって、かつ前記導体層の厚みから 0. 3 mを減じた値以下である、請求項 1に 記載の金属積層体。
[3] 前記導体層のポリイミド系榭脂層と接する面は、酸処理されている、請求項 1に記 載の金属積層体。
[4] 前記酸処理は、蟻酸を含む溶液、あるいは硫酸および過酸ィ匕物を含む溶液による 処理である、請求項 3に記載の金属積層体。
[5] 前記導体層の厚みが 0. 5 μ m〜20 μ mである、請求項 1に記載の金属積層体。
[6] 前記導体層は銅または銅合金からなる、請求項 1に記載の金属積層体。
[7] 前記ポリイミド系榭脂層が、非熱可塑性ポリイミド層、および前記非熱可塑性ポリイミ ド層の両面それぞれの面上に配置された熱可塑性ポリイミド層を含む、請求項 1に記 載の金属積層体。
[8] ステンレス層、前記ステンレス層の少なくとも一方の面上に配置された導体層、前 記導体層の面上に配置されたポリイミド系榭脂層、および前記ポリイミド系榭脂層の 面上に配置された金属層を含む金属積層体の製造方法であって、
ステンレス層および導体層を含むステンレス層 Z導体層積層板の導体層と、金属 層およびポリイミド系榭脂層を含むポリイミド金属積層板のポリイミド系榭脂層とを、加 熱圧着するステップを含み、
前記ステンレス層 Z導体層積層板は、ステンレス箔上にめっき法により形成された 導体層の表面を酸処理することにより得られる積層板である、製造方法。
[9] ステンレス層、前記ステンレス層の少なくとも一方の面上に配置された導体層、前 記導体層の面上に配置されたポリイミド系榭脂層、および前記ポリイミド系榭脂層の 面上に配置された金属層を含む金属積層体の製造方法であって、 ステンレス層および導体層を含むステンレス層 z導体層積層板の導体層に、ポリイ ミド系榭脂層を形成するステップ、および形成されたポリイミド系榭脂層に金属箔を加 熱圧着するステップを含み、
前記ステンレス層 Z導体層積層板は、ステンレス箔上にめっき法により形成された 導体層の表面を酸処理することにより得られる積層板である、金属積層体の製造方 法。
[10] 請求項 1に記載の金属積層体の加工物を含むハードディスク用サスペンション。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007094177A1 (en) * 2006-02-15 2007-08-23 Nippon Steel Materials Co., Ltd. Stainless steel substrate with conductive metal layer, hard disk suspension material and hard disk suspension manufactured by using the material

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8132321B2 (en) * 2008-08-13 2012-03-13 Unimicron Technology Corp. Method for making embedded circuit structure
US9332642B2 (en) 2009-10-30 2016-05-03 Panasonic Corporation Circuit board
US8929092B2 (en) * 2009-10-30 2015-01-06 Panasonic Corporation Circuit board, and semiconductor device having component mounted on circuit board
CN102234485B (zh) * 2010-04-30 2014-02-12 深圳富泰宏精密工业有限公司 不同材质工件的粘接方法
KR101945073B1 (ko) 2011-08-12 2019-02-01 우베 고산 가부시키가이샤 폴리이미드 전구체, 폴리이미드, 폴리이미드 필름, 및 이들의 제조에 사용되는 트리아진 화합물의 제조 방법
JP2020146268A (ja) * 2019-03-14 2020-09-17 グローブライド株式会社 ゴルフクラブ、及び、ゴルフクラブのシャフトの製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000187823A (ja) * 1998-12-21 2000-07-04 Toppan Printing Co Ltd 磁気ディスク装置用サスペンション部材
JP2004501511A (ja) * 2000-05-09 2004-01-15 スリーエム　イノベイティブ　プロパティズ　カンパニー 一体のフレキシブル回路を有するハードディスクドライブサスペンション

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4362917B2 (ja) * 2000-01-31 2009-11-11 宇部興産株式会社 金属箔積層体およびその製法
JP4562110B2 (ja) * 2001-02-16 2010-10-13 大日本印刷株式会社 ウエットエッチングが適用される用途に限定される積層体、それを用いた電子回路部品、及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000187823A (ja) * 1998-12-21 2000-07-04 Toppan Printing Co Ltd 磁気ディスク装置用サスペンション部材
JP2004501511A (ja) * 2000-05-09 2004-01-15 スリーエム　イノベイティブ　プロパティズ　カンパニー 一体のフレキシブル回路を有するハードディスクドライブサスペンション

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007094177A1 (en) * 2006-02-15 2007-08-23 Nippon Steel Materials Co., Ltd. Stainless steel substrate with conductive metal layer, hard disk suspension material and hard disk suspension manufactured by using the material

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