WO2006105775A2

WO2006105775A2 - Verfahren und anordnung zur stabilisierung eines arbeitspunktes von reaktiven, plasmagestützten vakuumbeschichtungsprozessen

Info

Publication number: WO2006105775A2
Application number: PCT/DE2006/000604
Authority: WO
Inventors: Falk Milde; Stanley Rehn; Jens Meyer
Original assignee: Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh
Priority date: 2005-04-05
Filing date: 2006-04-04
Publication date: 2006-10-12
Also published as: WO2006105775A3; DE102005015587B4; DE102005015587A1

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Stabilisierung eines Arbeitspunktes von reaktiven, plasmagestützten Vakuumbeschichtungsprozessen bei dem in einem geschlossenen, schnellen Regelkreis der Reaktivgaszufluss in den Beschichtungsraum als Stellgröße in Abhängigkeit von der Messung einer den Arbeitspunkt eindeutig charakterisierende Kenngröße des Plasmas geregelt wird und betrifft ebenso eine Anordnung zur Realisierung dieser Regelung. Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabenstellung, ein Verfahren und eine Anordnung zur Stabilisierung eines Arbeitspunktes für reaktive, plasmagestützte Vakuumbeschichtungsprozesse darzustellen, mit deren Hilfe die bekannten Probleme bei der Stabilisierung des Arbeitspunktes des Beschichtungsprozesses für die verschiedensten Beschichtungsanordnungen vermieden werden sollen, wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Soll-Größe des schnellen Regelkreises in einem übergeordneten, langsameren Regelkreis derart einer Drift der Plasmakenngröße nachgeführt wird, so dass der Reaktivgaszufluss in den Beschichtungsraum im zeitlichen Mittel konstant gehalten wird.

Description

Verfahren und Anordnung zur Stabilisierung eines Arbeitspunktes von reaktiven, plasmagestützten Vakuumbeschichtungs- prozessen

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Stabilisierung eines Arbeitspunktes von reaktiven, plasmagestützten Vakuumbeschich- tungsprozessen bei dem in einem geschlossenen, schnellen Regelkreis eine den Arbeitspunkt eindeutig charakterisierende Kenngröße des Plasmas, insbesondere eine charakteristische optische Emissionslinie des Plasmas, die EntladungsSpannung oder der Reaktivgaspartialdruck, als Ist-Größe fortlaufend gemessen, mit einer Soll-Größe verglichen und der Reaktivgaszufluss in den Beschichtungsräum als Stellgröße in Abhängigkeit von einer ermittelten Soll-Ist-Abweichung stetig geregelt wird.

Die Erfindung betrifft ebenso eine Anordnung zur Stabilisierung eines Arbeitspunktes von reaktiven, plasmagestützten Vakuumbe- Schichtungsprozessen, bestehend aus einem geschlossenen, schnellen Regelkreis, der aus dem Beschichtungsräum als erste Regelstrecke, aus einem ersten, die charakteristische Kenngröße des Plasmas bestimmenden Messglied, aus einem ersten elektronischen Regler und aus einem, die Reaktivgaszufuhr einstellendem ersten Stellglied gebildet ist.

Zur Erzielung hoher Beschichtungsraten und in einem breiten Variationsbereich einstellbarer, stöchiometrischer Verhältnisse der auf ein Substrat mittels reaktiven, plasmagestützten Vaku- umbeschichtungsprozess aufgebrachten Schichten ist es notwen- dig, einen Arbeitspunkt in einem Übergangsbereich, einem so genannten „transition mode", dem Übergang zwischen den beiden Zweigen der Prozesskennlinie (metal mode und reactive mode) , stabil einzustellen. Es ist allgemein bekannt, dass eine stabile und gezielte Einstellung eines Arbeitspunktes im transition mode nicht direkt über die Reaktivgaszufuhr möglich ist. Vielmehr stellt sich bei einem bestimmten Reaktivgaszufluss entsprechend der z-förmigen Kennlinie der Beschichtungsrate in Abhängigkeit von dem Reaktivgaszufluss willkürlich einer der drei möglichen Arbeitspunkte entweder im metal mode oder im reactive mode oder im transition mode ein.

Die gezielte Einstellung eines Arbeitspunktes im transition mode ist hingegen durch die Stabilisierung der EntladungsSpannung, durch die Stabilisierung des Reaktivgaspartialdruckes oder durch die Stabilisierung charakteristischer optischer E- missionslinien des Beschichtungsplasmas ausführbar. Welche dieser Möglichkeiten zur Anwendung kommt, hängt zum einen von den Beschichtungsmaterialien und zum anderen von anlagentechnischen Überlegungen ab, beispielsweise den Anforderungen hinsichtlich der Langzeitstabilität oder dem messtechnischen Aufwand.

Für viele Materialien und Prozesse hat sich die Einstellung des Arbeitspunktes mittels der Stabilisierung einer oder mehrerer optischer Emissionslinien des Beschichtungsplasmas, das Plasma- Emissions-Monitoring (PEM) , bewährt, da dieses Verfahren sowohl das sehr schnelle Regeln des Prozesses als auch, durch mehrere, parallele Regelkreise, eine lokale Steuerung einzelner Kathodenbereiche erlaubt. Zu diesem Zweck werden eine oder mehrere Spektrallinien der Teilchenstrahlung insbesondere des Beschich- tungsmaterials und gegebenenfalls zusätzlich des Reaktivgases ausgefiltert und deren Intensität mit Hilfe der optischen Spektroskopie gemessen.

Die Intensitäten der Spektrallinien hängen u. a. von der Teilchenkonzentration der Materialien im Plasma ab und stellen somit ein Maß der Beschichtungsrate dar. Diese wiederum ist ab- hängig von dem Arbeitspunkt der Prozessparameter, der durch den Partialdruck des Reaktivgases in der Vakuumkammer wesentlich bestimmt wird. Die Intensität einer Spektrallinie des Beschich- tungsmaterials ist damit auch ein Ausdruck des Reaktivgasdruckes in der Vakuumkammer. Mit Hilfe des Plasma-Emissions- Monitoring (PEM) wird somit der aktive Reaktivgasfluss als Funktion der Intensität der Spektrallinie derart geregelt, dass ein definierter Arbeitspunkt im transition mode fixiert und stabilisiert wird.

Mit einer kurz ausgebildeten Regelstrecke in der Vakuumkammer und einem schnell reagierenden Reaktivgasventil als Stellglied können PEM-Regelkreise eine niedrige Zeitkonstante verwirklichen, um auch Arbeitspunkte für die reaktive Beschichtung besonders dünner Schichten stabilisieren zu können.

Es hat sich jedoch heraus gestellt, dass insbesondere bei Be- schichtungsprozessen, welche mittels der Stabilisierung der EntladungsSpannung oder der Stabilisierung der Intensität charakteristischer Plasmaemissionslinien oder einer Kombination beider Möglichkeiten geregelt werden, unerwünschte Drifter- scheinungen und Instabilitäten der Beschichtungsrate und damit verbunden der Schichteigenschaften auftreten. Die Ursache dieser Erscheinungen sind Drifterscheinungen und Instabilitäten in der gemessenen Intensität der Plasmaemissionslinien, die zwar zeitnah mit einem der genannten Regelkreise stabilisiert wer- den, aber nicht mit einer Veränderung der Beschichtungsrate verbunden sind. Die Kompensation dieser Abweichungen führt deshalb zu der zu beobachtenden Verschiebung des Arbeitspunktes des Prozesses, welche wiederum in einer Verschiebung der Beschichtungsrate und damit der Schichteigenschaften führt.

Derartige Drifterscheinungen und Instabilitäten sind temporäre und im Vergleich zu den mit dem PEM auszugleichenden Vorgängen langsam verlaufende Erscheinungen, welche insbesondere nach Belüftungen der Beschichtungsanläge oder bei stark erodierten und ganz neuen Targets festgestellt werden. Ebenso führen Magnet- feldfluktuationen infolge von nicht exakt konzentrisch rotierenden Rohrmagnetrons oder infolge von bewegten, Restmagnetismus aufweisenden Bauteilen der Beschichtungsanlage zu einer Reaktion der schnellen Prozessregelung des PEM und somit zur unerwünschten Verschiebung des Arbeitspunktes. Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren und eine Anordnung zur Stabilisierung eines Arbeitspunktes für reaktive, plasmagestützte Vakuumbeschichtungsprozesse darzustellen, mit deren Hilfe die dargestellten Stabilitätsprobleme bei der Sta- bilisierung des Arbeitspunktes des Beschichtungsprozesses vermieden werden und die für die verschiedensten Formen von Be- schichtungsanordnungen und Leistungseinspeisung der Beschich- tungsquellen anwendbar sind.

Verfahrensseitig wird diese Aufgabe dadurch gelöst, dass die Soll-Größe des schnellen Regelkreises in einem übergeordneten, langsameren Regelkreis derart einer Drift des Ist-Wertes nachgeführt wird, so dass der Reaktivgaszufluss in den Beschich- tungsraum im zeitlichen Mittel konstant gehalten wird und dass der langsame Regelkreis derart mit einer Zeitverzögerung zu dem schnellen Regelkreis aktiviert wird, dass der schnelle Regelkreis vor der Aktivierung des langsamen Regelkreises einen Arbeitspunkt fixiert hat.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, diejenige Größe als Regelgröße zu nutzen, die den Beschichtungsprozess primär und direkt beeinflusst, aber selbst für die direkte Regelung ungeeignet ist: den Reaktivgaszufluss . Die benannten Probleme bei der Einstellung eines definierten Arbeitspunktes, welche bei der Nutzung des ReaktivgasZuflusses als Regelgröße auftreten, werden vermieden, indem der Regelkreis, welcher den Reaktivgasfluss als Regelgröße nutzt, mit den bekannten Verfahren der Fixierung eines Arbeitspunktes in einem schnellen geschlossenen Regelkreis kombiniert wird. Um jedoch zu verhindern, dass bei gleichzeitigem Einschalten der verknüpften Regelkreise ein anderer Arbeitspunkt als der im transition mode fixiert wird, ist es außerdem erforderlich, den übergeordneten, den Reaktivgasfluss als Regelgröße nutzenden, langsamen Regelkreises, im Vergleich zu dem schnellen Regelkreis, zeitlich verzögert zu aktivieren. Dadurch wird erst der gewünschten Arbeitspunkt sicher zu fixiert, dessen Reaktivgasfluss dann im zeitlichen Mittel konstant zu halten ist. Nach der anfänglichen Einstellung des Arbeitspunktes gestattet es das erfindungsgemäße Verfahren, die diesen Arbeitspunkt zu diesem Anfangszeitpunkt charakterisierende Kenngröße des Plasmas, Intensität einer oder mehrerer Emissionslinien oder Entla- dungsSpannung, jenen Änderungen anzupassen, die durch verschiedene temporäre und langsam ablaufende Prozesse bestimmt werden, ohne diese Prozesse selbst zu kennen. Dies wiederum gewährleistet die Konstanthaltung des nicht direkt regelbaren Reaktivgaszuflusses, kann jedoch nur eine Konstanthaltung im zeitlichen Mittel sein, da im schnellen Regelkreis ständig die bekannte, schnelle Stabilisierung des Arbeitspunktes erfolgen muss.

Mit der Nutzung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es nicht erforderlich, die viele Betriebsstunden andauernde Stabilisierung des Beschichtungsprozesses nach der Belüftung der Vakuum- beschichtungsanlage oder insbesondere nach dem Einsatz neuer Targets abzuwarten, sondern es ist möglich den nach derartigen Ereignissen stets auftretenden Drifterscheinungen aktiv gegen zu wirken, so dass bereits kurze Zeit nach der Aktivierung der verknüpften Regelkreise eine stabile Beschichtung mit definier- ten Schichteigenschaften gewährleistet werden kann. Gleiches trifft auch auf Vorgänge während des laufenden Beschichtungsprozesses zu, wie beispielsweise auf die im targetfernen Bereich langsam rotierenden Kühlwalzen, die bei der Kunststofffo- lienbeschichtung eingesetzt werden und unvermeidbar einen lokal schwankenden Restmagnetismus in ihrer Mantelfläche aufweisen. Die langsame Rotation dieser Walzen führt zu rhythmischen Magnetfeldfluktuationen, welche die charakteristische Plasmakenngröße verschieben und deren Folgen im schnellen Regelkreis ebenfalls mit dem erfindungsgemäßen Konstanthalten des Reaktiv- gasflusses entgegengewirkt wird.

Überraschenderweise hat sich auch gezeigt, dass bereits die Konstanthaltung des mittleren Reaktivgasflusses mit dem erfindungsgemäßen Verfahren zu einer drastischen Verbesserung der zeitlichen Stabilität sowohl der Beschichtungsrate als auch der optischen Eigenschaften der abgeschiednen Schichten führt. Of- fenbar kann mit dieser Methode der Regelung des Reaktivgaspar- tialdruckes eine um ein Vielfaches höhere Gasverzehrrate der Magnetron-Beschichtungsanordnung gewährleistet werden.

Die Nachführung des Sollwertes des schnellen Regelkreises er- folgt entsprechend einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung, indem die Soll-Größe des schnellen Regelkreises in einem, dem schnellen Regelkreis übergeordneten, langsamen Regelkreis der Reaktivgaszufluss als Ist-Größe fortlaufend bestimmt, mit einer Soll-Größe verglichen und die Sollgröße des schnellen Regelkreises mit der im langsamen Regelkreis ermittelten SoIl- Ist-Abweichung beaufschlagt wird.

Wie oben dargestellt, wird die Soll-Größe des Reaktivgasflusses im langsamen Regelkreis vorzugsweise jener Reaktivgasfluss in den Beschichtungsräum sein, der sich nach der anfänglichen Sta- bilisierung des definierten Arbeitspunktes mittels des schnellen Regelkreises eingestellt hat. Es ist grundsätzlich aber auch ein davon abweichender Reaktivgasfluss denkbar, der beispielsweise durch bekannte Kennlinien oder andere geeignete Verfahren ermittelt wurde.

Anordnungsseitig wird die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabenstellung dadurch gelöst, dass dem schnellen Regelkreis ein langsamer Regelkreis übergeordnet ist, gebildet aus dem schnellen Regelkreis als zweite Regelstrecke, aus einem zweiten, die Reaktivgaszufuhr bestimmenden Messglied und aus einem zweiten elektronischen Regler.

In der erfindungsgemäßen Anordnung weist der übergeordnete, langsame Regelkreis kein eigenes Stellglied auf. Vielmehr wird in dem übergeordneten, zweiten Regler ein Vergleich des aktuellen Reaktivgasflusses mit dem den langfristig zu stabilisieren- den Arbeitspunkt kennzeichnenden Reaktivgasfluss vorgenommen und bei vorliegender Abweichung das daraus ermittelte Resultat anhand bekannter Kennlinien derart umgeformt, dass es auf den Soll-Wert der charakteristischen Plasmakenngröße aufschlagbar ist. Je nach Vorzeichen der Abweichung ist damit die Basis für den Vergleich im ersten Regler des schnellen Regelkreises größer oder kleiner als der bisherige Sollwert und stellt die erfindungsgemäße Anpassung des Sollwertes an die Drifterscheinun- gen oder Instabilitäten dar.

Für eine stabile Arbeit der verknüpften Regelkreise, so dass der Reaktivgasfluss tatsächlich im Mittel konstant und gleichzeitig eine zügige Stabilisierung des Arbeitspunktes durch den schnellen Regelkreis gewährleistet bleibt, sieht eine besonders günstige Ausgestaltung der Erfindung vor, dass die Zeitkonstante, welche die Dynamik des langsamen Regelkreises definiert, ein Vielfaches der Zeitkonstante beträgt, welche die Dynamik des schnellen Regelkreises definiert.

Die erfindungsgemäße Anordnung ist unabhängig -von der Art der Magnetron-Beschichtungsanordnung einsetzbar, sowohl für planare als auch für Rohr-Magnetrons und ebenso für einzelne als auch für Doppelmagnetrons. Gleiches trifft auf die mögliche Leistungseinspeisung der Beschichtungsquelle zu, mittels Gleichstrom, gepulstem Gleichstrom, mittels Wechselstrom oder auch gepulster WechselSpannung. Ebenso ist es bei einem entlang der Beschichtungsanordnung vorhandenen Gaseinlasssystem mit mehreren Gaseinlassorten möglich, jeweils einem Gaseinlassort ein eigenes verknüpftes Regelkreissystem zuzuordnen, um auch die entlang der Beschichtungsanordnung voneinander abweichend auf- tretenden Drifterscheinungen und Instabilitäten unabhängig voneinander kompensieren zu können.

Ergänzend dazu ist es auch günstig, wenn in einer weiteren Ausgestaltung das erste Messglied und der erste Regler zumindest zwei separate Messkanäle aufweist und zumindest zwei separate schnelle Regelkreise ausführbar sind, denen ein gemeinsamer langsamer Regelkreis übergeordnet ist. Mit dieser Anordnung ist eine Kontrolle und Regelung des Reaktivgaspartialdruckes in einer Beschichtungsanlage an mehreren Orten gleichzeitig möglich, beispielsweise für Extremwert- oder Mittelwertbildung der Ka- nalmesswerte .

Die Erfindung soll nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert werden. Die zugehörige Zeichnung zeigt in

Fig. 1 eine schematische Darstellung des erfindungsgemäßen Regelungsverfahrens und

Fig. 2 das Blockschaltbild der erfindungsgemäß verknüpften Regelkreise.

In Fig. 1 ist eine Beschichtungskammer 1 einer Vakuumbeschich- tungsanlage als erste Regelstrecke 2 dargestellt, die eine mit Targets bestückte Doppelmagnetronanordnung als Beschichtungs- quelle 3 mit den seinen Blenden 4, die Energieversorgung 5, vorliegend als Mittelfrequenz-Stromversorgung mit konstanter Pulsung, und ein Gaseinlasssystem 6 aufweist. Der Beschich- tungsquelle 3 gegenüberliegend wird ein Substrat 7 durch die Beschichtungskammer 1 bewegt. Zwischen der Beschichtungsquelle 3 und dem Substrat 7 wird unter Zufuhr eines Inertgases 8, z. B. Argon, und eines Reaktivgases 9, z. B. Sauerstoff, ein Plasma 10 erzeugt. Dem Inertgas wird außerhalb der Beschichtungskammer 1 das Reaktivgas zugemischt, wobei die Reaktivgas- zufuhr 9 mit einem ersten Stellglied 11, einem Piezo- Regelventil, eingestellt wird.

Mittels eines ersten Messgliedes 12, bestehend aus einem Faser- Optik-Messsystem 13, mit dessen Hilfe kollimierte und damit vor der Beschichtung geschützte Systeme nutzbar sind, aus einem ü- bertragenden Lichtwellenleiter 14 und einem optischen Spektro- meter 15 wird die Intensität der Plasmaemissionslinien des Sauerstoffs fortlaufend gemessen. Sofern es für eine stabile und reproduzierbare Prozessregelung erforderlich ist, kann zusätzlich auch die Intensitätsmessung der Plasmaemissionslinie des Argons gemessen und eine geeignete Verknüpfung der Messwerte vorgenommen werden, was im beschriebenen Ausführungsbeispiel jedoch nicht erfolgen soll. Die Messwerte der Intensitätsmessung werden in einem ersten elektronischen Regler 16 erfasst und mit der aus einer vorgegebenen Stöchiometrie rechnerisch gebildeten ersten Führungsgröße 17 (Soll-Größe) verglichen. Aus der Regelabweichung wird eine Stellgröße erzeugt und an das erste Stellglied 11, das Regelventil der Reaktivgaszufuhr übermittelt, welches die Einstellung des Reaktivgasflusses bewirkt. Der Gaseinlass des Mischgases ist für das reaktive Sputtern durch eine enge räumliche Kopplung zwischen Gaseinlasssystem 6 und der Entladezone auf der Beschichtungsguelle 3 gekennzeichnet, so dass der schnelle Regelkreis 18 mit einer minimalen Zeitkonstante von einigen zehn Millisekunden arbeiten kann.

Der von dem ersten Stellglied 11 eingestellte Reaktivgasfluss wird erfasst, einem zweiten elektronischen Regler 19 übermit- telt und von diesem mit einer zweiten Führungsgröße 20, dem für den zu stabilisierenden Arbeitspunkt charakteristischen Reak- tivgasfluss, verglichen. Aus einer dabei ermittelten Regelabweichung wird wiederum eine Stellgröße erzeugt, welche an den ersten elektronischen Regler 16 übermittelt und mit welcher die erste Führungsgröße 17 beaufschlagt wird. Diese Beaufschlagung führt wiederum zu einer Regelabweichung im ersten elektronischen Regler 16 und somit zu einer Änderung der Einstellung des Reaktivgasflusses .

Das erste Stellglied 11, das erste Messglied 12, der erste elektronische Regler 16 und der Beschichtungsraum als erste Regelstrecke 2 bilden den schnellen Regelkreis 18 des Plasma- Emissions-Monitorings .

Die Erfassung des aktiven Reaktivgasflusses in einem zweiten Messglied 21, der zweite elektronische Regler 19 und der schnelle Regelkreis 18 als zweite Regelstrecke bilden den übergeordneten, langsamen Regelkreis 1, dessen Zeitkonstante ein Vielfaches der Zeitkonstante des schnellen Regelkreises 18 beträgt . Das Blockschaltbild in Fig. 2 zeigt den Wirkungsablauf der erfindungsgemäß verknüpften Regelkreise. Mit Beginn der Regelung des Reaktivgaspartialdruckes im Beschichtungsraum als der eigentlichen, ersten Regelstrecke 2 der gesamten Anordnung wird als erstes der schnelle Regelkreis 18 aktiviert. Damit ist ein entsprechend den zu erzielenden Schichteigenschaften und optimalen Beschichtungsrate definierter Arbeitspunkt im transition mode einstellbar, indem kurzfristige Schwankungen der charakteristischen Kenngröße des Plasmas 10, im Ausführungsbeispiel der Emissionslinie des Sauerstoffs, zur Regelung des Reaktivgasflusses führen. Der Reaktivgasfluss selbst wird in dem schnellen Regelkreis 18 nicht gemessen. Nach stabiler Einstellung des Arbeitspunktes wird in einem zweiten Schritt der übergeordnete, langsame Regelkreis 1 aktiviert.

In dem oben dargestellten Regelablauf des langsamen Regelkreises 1 wird eine Änderung des Reaktivgasflusses, welche im Verlauf der zeitlich verzögerten Aktivierung oder um ein vielfaches größeren Zeitkonstante des langsamen Regelkreises 1 infolge einer driftenden oder instabilen Plasmaemissionslinie des Sauerstoffs durch den schnellen Regelkreis 18 bewirkt wurde, wieder ausgeglichen und so der Reaktivgasfluss im zeitlichen Mittel bei dem Wert konstant gehalten, welcher als zweite Führungsgröße 20 dem langsamen Regelkreis 1 eingespeist ist und den gewünschten Arbeitspunkt charakterisiert.

Verfahren und Anordnung zur Stabilisierung eines Arbeitspunktes von reaktiven, plasmagestützten Vakuumbeschichtungs-

Prozessen

Bezugszeichenliste

1 Beschichtungskammer

2 erste Regelstrecke

3 Beschichtungsquelle

4 Blende

5 Energieversorgung

6 Gaseinlasssystem

7 Substrat

8 Inertgaszufuhr

9 Reaktivgaszufuhr

10 Plasma

11 erstes Stellglied

12 erstes Messglied

13 Faser-Optik-Messsystem

14 Lichtwellenleiter

15 optisches Spektrometer

16 erster elektronischer Regler

17 erste Führungsgröße

18 schneller Regelkreis

19 zweiter elektronischer Regler

20 zweite Führungsgröße

21 zweites Messglied

22 langsamer Regelkreis

Claims

Verfahren und Anordnung zur Stabilisierung eines Arbeitspunktes von reaktiven, plasmagestützten Vakuumbeschichtungs- prozessenPatentansprüche

1. Verfahren zur Stabilisierung eines Arbeitspunktes von reaktiven, plasmagestützten Vakuumbeschichtungsprozessen bei dem in einem geschlossenen, schnellen Regelkreis eine' den Arbeitspunkt eindeutig charakterisierende Kenngröße des Plasmas, insbesondere eine charakteristische optische Emissionslinie des Plasmas, die EntladungsSpannung oder der Reaktivgaspartialdruck, als Ist-Größe fortlaufend gemessen, mit einer Soll-Größe verglichen und der Reaktivgaszufluss in den Beschichtungsraum als Stellgröße in Abhängigkeit von einer ermittelten Soll-Ist-Abweichung stetig geregelt wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Soll-Größe des schnellen Regelkreises (18) in einem übergeordneten, langsameren Regelkreis (1) derart einer Drift des Ist-Wertes nachgeführt wird, dass der Reaktivgaszufluss in den Be- Schichtungsraum im zeitlichen Mittel konstant gehalten wird und dass der langsame Regelkreis (1) derart mit einer Zeitverzögerung zu dem schnellen Regelkreis (18) aktiviert wird, dass der schnelle Regelkreis (18) vor der Aktivierung des langsamen Regelkreises (1) einen Arbeitspunkt fixiert hat .

2. Verfahren zur Stabilisierung eines Arbeitspunktes nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Soll- Größe des schnellen Regelkreises (18) in der Weise einer Drift nachgeführt wird, dass in einem, dem schnellen Regel- kreis (18) übergeordneten, langsamen Regelkreis (1) der Re- aktivgaszufluss als Ist-Größe fortlaufend bestimmt, mit einer Soll-Größe verglichen und die Sollgröße des schnellen Regelkreises (18) mit der im langsamen Regelkreis (1) ermittelten Soll-Ist-Abweichung beaufschlagt wird.

3. Anordnung zur Stabilisierung eines Arbeitspunktes von reaktiven, plasmagestützten Vakuumbeschichtungsprozessen nach einem der Ansprüche 1 oder 2, bestehend aus einem geschlossenen, schnellen Regelkreis, der aus dem Beschichtungsraum als erste Regelstrecke, aus einem ersten, die charakteris- tische Kenngröße des Plasmas bestimmenden Messglied, aus einem ersten elektronischen Regler und aus einem, die Reaktivgaszufuhr einstellendem ersten Stellglied gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass dem schnellen Regelkreis (18) ein langsamer Regelkreis (1), gebildet aus dem schnellen Regelkreis (18) als zweite Regelstrecke, aus einem zweiten, die Reaktivgaszufuhr bestimmenden Messglied (21) und aus einem zweiten elektronischen Regler (19), ü- bergeordnet ist.

4. Anordnung zur Stabilisierung eines Arbeitspunktes nach An- spruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Zeitkonstante, welche die Dynamik des langsamen Regelkreises (1) definiert, ein Vielfaches der Zeitkonstante beträgt, welche die Dynamik des schnellen Regelkreises (18) definiert.

5. Anordnung zur Stabilisierung eines Arbeitspunktes nach einem der Ansprüche 3 oder 4 , dadurch gekennzeichnet, dass das erste Messglied (12) und der erste elektronische Regler (16) zumindest zwei separate Messkanäle aufweist und zumindest zwei separate schnelle Regelkreise (18) ausführbar sind, denen ein gemeinsamer langsamer Regelkreis (1) übergeordnet ist.