DE102005033515A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten Download PDF

Info

Publication number
DE102005033515A1
DE102005033515A1 DE200510033515 DE102005033515A DE102005033515A1 DE 102005033515 A1 DE102005033515 A1 DE 102005033515A1 DE 200510033515 DE200510033515 DE 200510033515 DE 102005033515 A DE102005033515 A DE 102005033515A DE 102005033515 A1 DE102005033515 A1 DE 102005033515A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
arc
layer thickness
electron beam
voltage
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE200510033515
Other languages
English (en)
Inventor
Bert Dr. Scheffel
Ekkehart Reinhold
Johannes Dr. Strümpfel
Lars Klose
Christoph Dr. Metzner
Torsten Werner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Original Assignee
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Von Ardenne Anlagentechnik GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV, Von Ardenne Anlagentechnik GmbH filed Critical Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority to DE200510033515 priority Critical patent/DE102005033515A1/de
Publication of DE102005033515A1 publication Critical patent/DE102005033515A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/28Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C23C14/30Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/543Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on the vapor source

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Beschichtung von Substraten durch plasmaaktivierte Elektronenstrahlverdampfung mit einem diffusen kathodischen Vakuumbogen, bei dem mindestens ein Elektronenstrahl abwechselnd auf mindestens zwei unterschiedliche Bereiche B¶N¶ (N = 1, 2, 3...M) mindestens eines Verdampfungsgutes gerichtet und in jedem Bereich B¶N¶ während einer vorgebbaren Verweilzeit t¶N¶ gehalten wird, ist dadurch gekennzeichnet, dass eine gewählte Schichtdicke oder/und Schichtdickenverteilung durch Regelung der Verdampfungsrate jedes Bereichs B¶N¶ in Abhängigkeit von der Bogenspannung U¶N¶(t) oder des Bogenstroms I¶N¶(t) des Vakuumbogens erreicht wird. DOLLAR A Überraschend wurde festgestellt, dass die Bogenspannung U¶N¶(t) des diffusen kathodischen Vakuumbogens ein Maß für die Verdampfungsrate des Verdampfers ist. Dies äußert sich darin, dass sich ein Wechsel des Auftrefforts des Elektronenstrahls auf dem Verdampfungsgut zwischen zwei Bereichen B¶1¶ und B¶2¶ bei unterschiedlichen Temperaturen in diesen Bereichen als Schwankung der Bogenspannung U¶N¶(t) abbildet. Es wurde beobachtet, dass die lokale Verdampfungsrate von der Bogenspannung U¶N¶(t) abhängig ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Beschichtung von Substraten gemäß Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens gemäß Oberbegriff des Anspruchs 12.
  • Die plasmaaktivierte Elektronenstrahlverdampfung mit einem diffusen kathodischen Vakuumbogen (Spotless Arc Deposition, SAD) dient zur Bedampfung von Substraten mit Dünnschichten aus chemischen Elementen oder zur reaktiven Abscheidung von chemischen Verbindungen. Dabei wird ein auf der Oberfläche eines Verdampfungsmaterials auftreffender hochenergetischer Elektronenstrahl derart schnell und hochfrequent periodisch abgelenkt, dass zumindest ein Teil der Oberfläche des zu verdampfenden Materials quasi gleichmäßig erhitzt und letztendlich verdampft wird. Gleichzeitig wird das zu verdampfende Material, welches sich beispielsweise in einem Tiegel befindet, als Kathode einer stromstarken Bogenentladung geschaltet. Es bildet sich ein so genannter diffuser Bogen aus, der im Wesentlichen im Bereich der vom Elektronenstrahl erhitzten Oberfläche des Verdampfungsmaterials brennt. Gegenüber einer normalen Bogenentladung, bei welcher ein Fußpunkt mit extrem hoher Stromdichte ausgebildet wird, hat eine diffuse Bogenentladung eine diffuse und flächenmäßige Ausdehnung auf dem Verdampfungsgut, welche im Wesentlichen der quasi gleichmäßig erhitzten Oberfläche des Verdampfungsgutes entspricht. Dadurch wird ein wesentlicher Anteil des erzeugten Dampfes ionisiert und somit insgesamt ein hoher Ionisierungsgrad erreicht ( DE 43 36 680 A1 ).
  • Für Beschichtungen, bei denen es auf eine hohe Homogenität der Schichtdicke und der Schichteigenschaften ankommt, insbesondere bei der Bandbeschichtung, beispielsweise mit transparenten Funktionsschichten, deren optische Wirkung von der Homogenität der Schicht abhängt, muss die Schichtdicke mittels einer Regelung quer und längs zur Transportrichtung über lange Zeiträume konstant gehalten werden. Dies wird herkömmlich durch die Erfassung der aktuellen Schichtdicke und die Nachführung der Leistungszufuhr und der Leistungsdichteverteilung auf dem Verdampfungsmaterial realisiert.
  • Die plasmaaktivierte Bedampfung durch einen diffusen kathodischen Vakuumbogen, der auf den durch den Elektronenstrahl beheizten Bereichen im Metalldampf brennt, wird beispielsweise bei hochschmelzenden Metallen wie Ti, Mo, Zr, W, Nb, Ta oder Cr als Bedampfungsmaterial eingesetzt, um die Abscheidung chemischer Verbindungen, beispielsweise Oxide, Nitride oder Carbide des Bedampfungsmaterials durch Zugabe eines Reaktivgases zu erreichen und dabei das Schichtgefüge zu beeinflussen und die Dichte des Schichtmaterials zu verbessern.
  • Dabei erfolgt die Einstellung der Leistungsdichteverteilung auf dem Verdampfungsmaterial durch schnelle Ablenkung und Vorgabe der Ablenkgeschwindigkeiten bzw. Verweilzeiten des Elektronenstrahls auf verschiedenen Oberflächenbereichen des Verdampfungsmaterials.
  • Zur Bestimmung der Schichtdicke und der Schichtdickenverteilung sind verschiedene Methoden bekannt: Die Schichtdicke kann ex-situ an Referenzproben ermittelt werden, die auch Rückschlüsse auf die Schichtdickenverteilung ermöglichen. Alternativ kann eine Online-Schichtdickenmessung mittels Messverfahren erfolgen, die den Einsatz mehrerer Messköpfe oder eine Traversierung des Messkopfes erfordern. Jedoch ist bei diesen bekannten Methoden ein hoher apparativer Aufwand nötig. Bei der ex-situ-Messung kann die Schichtdickenermittlung immer erst nach der Beschichtung erfolgen, so dass die Auswertung nur mit zeitlichem Verzug möglich ist. Bei der Online-Messung hingegen besteht die Gefahr der Kontamination der Sensoren.
  • Auch bei geregelten Parametern des Elektronenstrahls (Beschleunigungsspannung, Strahlstrom, Ablenkparameter) ist die lokale Verdampfungsrate zeitlich und örtlich nicht stabil und muss aufwendig abgeglichen werden. Die Ursache hierfür liegt in Unterschieden, Schwankungen oder Driften der Oberflächentemperatur bzw. der Temperaturverteilung des Verdampfungsmaterials aufgrund verschiedener Ursachen, beispielsweise Änderungen des Auftreffwinkels des Elektronenstrahls, des Wärmestroms zur Tiegelwand oder Änderungen der Umgebungstemperatur durch allmähliches Aufheizen.
  • Ausgehend von diesem Stand der Technik besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Erzeugung dünner Schichten bei der Hochvakuumbeschichtung von Substraten anzugeben, wobei Schwankungen der mittleren Schichtdicke, der Schichtdickenverteilung und der Schichteigenschaften, die von der Plasmaeinwirkung am Substrat abhängen, möglichst gering sind.
  • Erfindungsgemäß wird die Aufgabe gelöst durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 12. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren zur Beschichtung von Substraten durch plasmaaktivierte Elektronenstrahlverdampfung mit einem diffusen kathodischen Vakuumbogen, bei dem mindestens ein Elektronenstrahl abwechselnd auf mindestens zwei unterschiedliche Bereiche BN(N = 1, 2, 3 ... M) mindestens eines Verdampfungsgutes gerichtet und in jedem Bereich BN während einer vorgebbaren Verweilzeit tN gehalten wird, ist dadurch gekennzeichnet, dass eine gewählte Schichtdicke oder/und Schichtdickenverteilung durch Regelung der Verdampfungsrate jedes Bereichs BN in Abhängigkeit von der Bogenspannung UN(t) oder des Bogenstroms IN(t), die während der Verweilzeit des Elektronenstrahls im Bereich BN auftritt, erreicht wird.
  • Überraschend wurde festgestellt, dass die Bogenspannung UN(t) des diffusen kathodischen Vakuumbogens ein Maß für die Verdampfungsrate des Verdampfers aus dem Bereich N ist. Dies äußert sich darin, dass sich ein Wechsel des Auftrefforts des Elektronenstrahls auf dem Target zwischen zwei Bereichen B1 und B2 bei unterschiedlichen Temperaturen in diesen Bereichen als Schwankung der Bogenspannung U(t) abbildet.
  • Dieser bisher unbekannte und überraschende Effekt ist in den 1 bis 4 dargestellt. 1 zeigt das periodisch abwechselnde Verweilen des Elektronenstrahls in zwei Bereichen B1 und B2 mit Verweilzeiten t1 = 12 ms und t2 = 8 ms. In 2 ist der zugehörige Verlauf der Bogenspannung U(t) dargestellt. Die 3 und 4 zeigen die den Bereichen 1 und 2 zugeordneten Bogenspannungen U1(t) und U2(t) mit einer gespreizten Zeitskala.
  • Es ist zu erkennen, dass die Bogenspannung im Bereich B1 über die Verweilzeit t1 abnimmt, während sie im Bereich B2 während der Verweilzeit t2 zunimmt. Durch eigene Versuche wurde festgestellt, dass die lokale Verdampfungsrate aus dem Bereich B2, d.h. einem Bereich, in dem die Bogenspannung ansteigt, geringer ist als aus dem Bereich B1, d.h. einem Bereich, in dem die Bogenspannung über die Zeit abfällt.
  • Der Grundgedanke der Erfindung besteht daher darin, die Verdampfungsraten verschiedener Bereiche BN in Abhängigkeit von der Bogenspannung UN(t) oder des Bogenstroms IN(t) des Vakuumbogens so zu regeln, dass eine gewählte Schichtdicke oder/und Schichtdickenverteilung erreicht und über lange Beschichtungszeiten konstant gehalten wird.
  • Vorteilhaft wird dies erreicht durch eine erste Regelung der Schwankungsbreite VN der Bogenspannung UN(t) oder des Bogenstroms IN(t) als Regelgröße mit einem Sollwert SVN als Führungsgröße und mindestens einem Leistungsparameter des Elektronenstrahls als Stellgröße.
  • Die Schwankungsbreite VN kann berechnet werden, indem beispielsweise der Maximalwert und der Minimalwert der Bogenspannung UN(t) bzw. des Bogenstroms IN(t) innerhalb einer Zeitspanne (beispielsweise die gesamte Zeitspanne innerhalb der der Elektronenstrahl zwischen zwei Bereichswechseln in einem Bereich N verweilt – nachfolgend Ablenkperiode genannt) ermittelt werden und daraus die Differenz gebildet wird.
  • Durch eine derartige Regelung kann erreicht werden, dass sich in allen von den verschiedenen Bereichen BN bedampften Teiloberflächen des Substrats im Wesentlichen gleich viel Verdampfungsmaterial niederschlägt. Da die Bereiche BN im Regelfall quer zur Transportrichtung der Substrate angeordnet sind, wird so in Breitenrichtung der Substrate eine gleichmäßige Schichtdicke erzielt.
  • Bei Verwendung der Bogenspannung U(t) in der ersten Regelung kann die Stromstärke oder die Leistung des diffusen kathodischen Vakuumbogens konstant gehalten werden.
  • Bei Verwendung des Bogenstroms I(t) in der ersten Regelung kann die Spannung des diffusen kathodischen Vakuumbogens konstant gehalten werden.
  • Weiter wurde gefunden, dass es einen Zusammenhang zwischen der mittleren Bogenspannung UA und der von allen verdampfenden Bereichen BN abgegebenen mittleren Verdampfungsrate gibt. So wird die mittlere Bogenspannung UA höher, wenn die insgesamt abgegebene mittlere Verdampfungsrate sinkt.
  • Die mittlere Bogenspannung UA bzw. die mittlere Bogenstromstärke IA ergeben sich als Mittelwert der Bogenspannung U(t) bzw. als Mittelwert der Bogenstromstärke I(t) über einen bestimmten Zeitraum (beispielsweise über den Zeitraum einer Ablenkperiode).
  • Daher ist es vorteilhaft, eine zweite Regelung der mittleren Bogenspannung UA oder des mittleren Bogenstroms IA als Regelgröße mit einem Sollwert SUA bzw. SIA als Führungsgröße und mindestens einem Leistungsparameter des Elektronenstrahls als Stellgröße vorzusehen. Dadurch kann sichergestellt werden, dass die Schichtdicke in der Transportrichtung der Substrate auch über längere Zeiträume konstant bleibt.
  • Vorteilhafter Weise stellen die Verweilzeiten tN oder/und die Größe der bestrahlten Bereiche BN oder/und die Beschleunigungsspannung oder/und der Strahlstrom oder/und der Fokussierungszustand des Elektronenstrahles die im Rahmen der Regelungen beeinflussten Leistungsparameter des Elektronenstrahls dar. Dabei ist unter Fokussierungszustand die momentane Leistungsdichte im Auftreffpunkt des Elektronenstrahles zu verstehen.
  • Weiter vorteilhaft erfolgen die Änderungen der Verweilzeiten tN so, dass die Summe aller tN stets gleich bleibt.
  • In einer Ausgestaltung des Verfahrens wird der Sollwert SVN für jeden Bereich N auf einen konstanten Wert, vorzugsweise Null, gesetzt.
  • In einer weiteren Ausgestaltung des Verfahrens wird der Sollwert SUA bzw. SIA auf einen konstanten Wert gesetzt.
  • Vorteilhaft werden SVN oder/und SUA bzw. SIA ermittelt durch Einstellung einer beabsichtigten Schichtdicke und Schichtdickenverteilung und anschließende Messung der Bogenspannung UN(t) bzw. des Bogenstroms IN(t) des Vakuumbogens in jedem Bereich BN und der Bestimmung der Schwankungsbreite VN. Wie in den 3 und 4 dargestellt, wird VN vorteilhaft durch Differenzbildung der Bogenspannungen bzw. der Bogenströme zu Beginn und am Ende der Bestrahlung eines Bereichs N ermittelt, das heißt, VN = UN(t0 + tN) – UN(t0). Die ermittelten Werte von VN sowie die mittleren Werte der Bogenspannung UA bzw. der Bogenstromstärke IA werden für die Regelung als Sollwerte SVN, SUA bzw. SIA gespeichert.
  • Weiter vorteilhaft erfolgt die Einstellung der beabsichtigten Schichtdicke und Schichtdickenverteilung durch Wahl der geometrischen Parameter der Verdampfungseinrichtung, insbesondere des Abstandes zwischen den Bereichen BN oder/und des Abstandes zwischen Verdampfer und Substrat, oder/und durch Wahl der Leistungsparameter der Bedampfungseinrichtung, insbesondere der Verweilzeiten tN oder/und des Leistungsdichteeintrags in jedem Bereich BN.
  • Die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten durch plasmaaktivierte Elektronenstrahlverdampfung mit einem diffusen kathodischen Vakuumbogen umfasst eine Verdampfungseinrichtung mit mindestens einem elektrisch kontaktierbaren Verdampfertiegel, mindestens eine Anode mit einer Stromversorgung und mindestens eine Elektronenkanone mit einer Stromversorgung sowie mindestens eine Regeleinrichtung, wobei durch Speisung der Anode mit einem Strom ein Vakuumbogen zwischen der Anode und der Kathode herstellbar ist und mittels der Elektronenkanone bzw. Elektronenkanonen mindestens ein Elektronenstrahl auf mindestens zwei Bereiche BN des Verdampfertiegels bzw. der Verdampfertiegel lenkbar ist, und ist dadurch gekennzeichnet, dass die Regeleinrichtung einen Analysator zur Erfassung von Kennwerten jedes Vakuumbogens und von Leistungsparametern jeder Elektronenquelle und zur Berechnung abgeleiteter Kenngrößen sowie einen Regler zur Ansteuerung jeder Elektronenkanone umfasst.
  • Wenn mehrere Elektronenkanonen verwendet werden, jede Elektronenkanone genau einen Verdampfertiegel beheizt und jedem Verdampfertiegel genau eine Anode zugeordnet ist, kann das Regelprinzip auf einfache Weise vervielfältigt werden. Die einzelnen Verdampfungseinrichtungen können entsprechend der Erfindung einzeln geregelt werden.
  • Bei Verwendung mehrerer Verdampfertiegel mit einer Elektronenkanone sind die Verdampfertiegel vorteilhaft elektrisch miteinander verbunden. Die Verwendung mehrerer Anoden mit separaten Stromversorgungen ist möglich. Vorteilhafter ist jedoch die Verwendung einer gemeinsamen Anode oder mehrerer elektrisch miteinander verbundener Anoden.
  • Wenn mehrere Elektronenkanonen zur Beheizung eines einzelnen Verdampfertiegels verwendet werden, ist die Verwendung mehrerer nicht miteinander verbundener Anoden vorteilhaft, um eine separate Regelbarkeit jeder Elektronenkanone zu erreichen. Jede der Anoden ist dann vorzugsweise geometrisch dem Bereich oder den Bereichen zugeordnet, die von einer Elektronenkanone beheizt werden und weist eine separate Stromversorgung auf.
  • Nachfolgend wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels und einer dazugehörigen Zeichnung näher erläutert. Dabei zeigen
  • 1 das periodisch abwechselnde Verweilen eines Elektronenstrahls in den Bereichen 1 und 2,
  • 2 den zeitlichen Verlauf der Bogenspannung U(t),
  • 3 und 4 den zeitlichen Verlauf der Bogenspannungen U1(t) bzw. U2(t) beim periodischen Wechsel des Elektronenstrahls zwischen zwei Bereichen B1 und B2 und
  • 5 das Ausführungsbeispiel der Erfindung.
  • Auf die 1 bis 4 wurde oben bereits ausführlich eingegangen.
  • Wie in 5 dargestellt, umfasst eine Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten durch plasmaaktivierte Elektronenstrahlverdampfung mit einem diffusen kathodischen Vakuumbogen, eine Verdampfungseinrichtung mit einem kathodisch kontaktierbaren Verdampfertiegel 3, der Verdampfungsmaterial 4 enthält, eine (nicht dargestellte) Anode mit einer Stromversorgung 7, eine Elektronenkanone 1 mit einer Stromversorgung 5 und einen Ablenkgenerator 6 sowie eine Regeleinrichtung.
  • Durch Speisung der Anode mit einem Strom ist ein Vakuumbogen zwischen der Anode und dem kathodisch kontaktierbaren Verdampfertiegel 3 herstellbar und mittels der Elektronenkanone 1 ist ein Elektronenstrahl 2 auf zwei beheizbare Bereiche 8, 9 des Verdampfungsmaterials 4 lenkbar.
  • Die Regeleinrichtung umfasst einen Analysator 10 zur Erfassung von Kennwerten des Vakuumbogens und von Leistungsparametern der Elektronenquelle 1 und zur Berechnung abgeleiteter Größen sowie einen Regler 11 zur Ansteuerung der Stromversorgung 5 oder/und des Ablenkgenerators 6 der Elektronenkanone 1.
  • Die in 5 schematisch dargestellte Vorrichtung ist Teil einer Einrichtung zum Beschichten von bandförmigen Substraten. Die Bereiche 1 und 2 auf dem Verdampfungsmaterial 4 sind dabei quer zur Beschichtungsrichtung angeordnet.
  • Erfindungsgemäß wird die Brennspannung U(t) der diffusen kathodischen Vakuumbogenentladung mit einer hohen zeitlichen Auflösung erfasst und ebenso wie die Ströme IV(t) und IW(t) zum Ablenken des Elektronenstrahls 2 an den Analysator 10 übermittelt. Mittels des zeitlichen Verlaufs der Ablenkströme IV und IW kann der Analysator 10 periodische Zeitabschnitte t1 und t2 ermitteln, in denen der Elektronenstrahl 2 auf der Oberfläche des Verdampfungsmaterials 4 entweder im Bereich 1 oder im Bereich 2 verweilt und dadurch jeweils den Zeitspannen t1 und t2 die Teilfunktionen U1(t) bzw. U2(t) der Brennspannung U(t) zuordnen. Daraufhin berechnet der Analysator 10 zum einen die mittlere Brennspannung UA von einander folgenden Zeitabschnitten t1 und t2 und zum anderen die Schwankungsbreiten V1 und V2 der Brennspannungen u1(t) bzw. U2(t), in dem beispielsweise der erste und letzte Brennspannungswert der Zeitspannen t1 bzw. t2 voneinander subtrahiert werden. Alternativ können auch jeweils der Maximalwert und der Minimalwert voneinander subtrahiert werden.
  • Die Größen V1 und V2 werden einem ersten Regelkreis zugeführt und dort auf Sollwerte SV1 und SV2 hin ausgeregelt. Dies wird erreicht, in dem entweder mittels Stromversorgung 5 Einfluss auf die Leistung der Elektronenkanone 1 ausgeübt wird und/oder mittels Ablenkgenerator 6 die Verweildauer des Elektronenstrahls 2 und/oder die Größe des von ihm bestrahlten Bereiches in den Bereichen 1 und/oder 2 verändert wird. Mittels dieses Regelkreises ist es möglich, Ungleichmäßigkeiten in der Schichtdicke bzw. Schichtdickenverteilung quer zur Beschichtungsrichtung gezielt herbeizuführen oder aber auszugleichen. Das Regeln der Schwankungsbreiten V1 und V2 auf einen Wert von 0 führt zu einer gleichmäßigen Schichtdicke bzw. Schichtdickenverteilung quer zur Beschichtungsrichtung. Wird der Wert 0 für die Schwankungsbreiten V1 und V2 während eines gesamten Beschichtungsprozesses aufrechterhalten, resultiert daraus eine gleichmäßige Schichtdickenverteilung quer zur Transportrichtung auf dem gesamten zu beschichtenden Substrat.
  • In einem zweiten Regelkreis wird die mittlere UA auf einen Sollwert SUA hin ausgeregelt. Beeinflussbare Größen sind hierbei ebenfalls die Leistung der Elektronenkanone 1 und/oder der Fokussierungszustand des Elektronenstahls 2 in den Bereichen 1 und 2. Durch das Verändern des Sollwertes SUA ist es möglich, die Schichtdicke quer zur Beschichtungsrichtung gleichmäßig über die gesamte Beschichtungsbreite zu vergrößern oder zu verringern.
  • 1
    Elektronenkanone
    2
    Elektronenstrahl
    3
    Verdampfertiegel
    4
    Verdampfungsmaterial
    5
    Stromversorgung
    6
    Ablenkgenerator
    7
    Stromversorgung
    8
    Bereich 1
    9
    Bereich 2
    10
    Analysator
    11
    Regler

Claims (12)

  1. Verfahren zur Beschichtung von Substraten durch plasmaaktivierte Elektronenstrahlverdampfung mit einem diffusen kathodischen Vakuumbogen, bei dem mindestens ein Elektronenstrahl abwechselnd auf mindestens zwei unterschiedliche Bereiche BN(N = 1, 2, 3 ... M) mindestens eines Verdampfungsgutes gerichtet und in jedem Bereich BN während einer vorgebbaren Verweilzeit tN gehalten wird, dadurch gekennzeichnet, dass eine gewählte Schichtdicke oder/und Schichtdickenverteilung durch Regelung der Verdampfungsrate jedes Bereichs BN in Abhängigkeit von der Bogenspannung UN(t) oder des Bogenstroms IN(t) des Vakuumbogens erreicht wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine erste Regelung der Schwankungsbreite VN der Bogenspannung UN(t) oder des Bogenstroms IN(t) als Regelgröße mit einem Sollwert SVN als Führungsgröße und mindestens einem Leistungsparameter des Elektronenstrahls als Stellgröße.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass bei Verwendung der Bogenspannung UN(t) in der ersten Regelung die Stromstärke oder die Leistung des diffusen kathodischen Vakuumbogens konstant gehalten werden.
  4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass bei Verwendung des Bogenstroms IN(t) in der ersten Regelung die Spannung des diffusen kathodischen Vakuumbogens konstant gehalten wird.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch eine zweite Regelung der mittleren Bogenspannung UA oder des mittleren Bogenstroms IA als Regelgröße mit einem Sollwert SUA bzw. SIA als Führungsgröße und mindestens einem Leistungsparameter des Elektronenstrahls als Stellgröße.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungsparameter des Elektronenstrahls die Verweilzeiten tN oder/und die Größe der bestrahlten Bereiche BN oder/und die Beschleunigungsspannung oder/und der Strahlstrom oder/und der Fokussierungszustand des Elektronenstrahles sind.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass Änderungen der Verweilzeiten tN so erfolgen, dass die Summe aller tN stets gleich bleibt.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass SVN auf einen konstanten Wert, vorzugsweise Null, gesetzt wird.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass SUA bzw. SIA auf einen konstanten Wert gesetzt wird.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass SVN oder/und SUA bzw. SIA ermittelt werden durch • Einstellung einer beabsichtigten Schichtdicke und Schichtdickenverteilung, • Messung der Bogenspannung UN(t) bzw. des Bogenstroms IN(t) des Vakuumbogens in jedem Bereich BN zumindest zu den Zeitpunkten t = t0 und t = t0 + tN, Ermittlung der Schwankungsbreite VN = UN(t0 + tN) – UN(t0) bzw. VN = IN(t0 + tN) – IN(t0) und Speicherung als Sollwert SVN oder/und Ermittlung der mittleren Bogenspannung UA bzw. des mittleren Bogenstroms IA und Speicherung als Sollwert SUA bzw. SIA.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Einstellung der beabsichtigten Schichtdicke und Schichtdickenverteilung durch Wahl der geometrischen Parameter der Verdampfungseinrichtung, insbesondere des Abstandes zwischen den Bereichen BN oder/und des Abstandes zwischen Verdampfer und Substrat, oder/und durch Wahl der Leistungsparameter der Bedampfungseinrichtung, insbesondere der Verweilzeiten tN oder/und des Leistungsdichteeintrags in jedem Bereich BN, erfolgt.
  12. Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten durch plasmaaktivierte Elektronenstrahlverdampfung mit einem diffusen kathodischen Vakuumbogen, umfassend eine Verdampfungseinrichtung mit einem kathodisch kontaktierbaren Verdampfertiegel (3) zur Aufnahme von Verdampfungsmaterial (4), mindestens einer Anode mit einer Stromversorgung (7), mindestens einer Elektronenkanone (1) mit einer Stromversorgung (5) und einem Ablenkgenerator (6) sowie eine Regeleinrichtung, wobei durch Speisung der Anode mit einem Strom ein Vakuumbogen zwischen der Anode und dem kathodisch kontaktierbaren Verdampfertiegel (3) herstellbar ist und mittels der Elektronenkanone (1) ein Elektronenstrahl (2) auf zwei beheizbare Bereiche (8, 9) des Verdampfungsmaterials (4) lenkbar ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Regeleinrichtung einen Analysator (10) zur Erfassung von Kennwerten des Vakuumbogens und von Leistungsparametern der Elektronenquelle (1) und zur Berechnung abgeleiteter Größen sowie einen Regler (11) zur Ansteuerung der Stromversorgung (5) oder/und des Ablenkgenerators (6) der Elektronenkanone (1) umfasst.
DE200510033515 2005-07-14 2005-07-14 Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten Withdrawn DE102005033515A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200510033515 DE102005033515A1 (de) 2005-07-14 2005-07-14 Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200510033515 DE102005033515A1 (de) 2005-07-14 2005-07-14 Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102005033515A1 true DE102005033515A1 (de) 2007-01-18

Family

ID=37563549

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE200510033515 Withdrawn DE102005033515A1 (de) 2005-07-14 2005-07-14 Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102005033515A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010035315A1 (de) 2010-08-25 2012-03-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum langzeitstabilen plasmaaktivierten Vakuumbedampfen
CN105714252A (zh) * 2016-04-28 2016-06-29 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种光学薄膜沉积扫描控制方法及系统
DE102015116351A1 (de) 2015-09-28 2017-03-30 Von Ardenne Gmbh Verfahren zur Substratbeschichtung mit Partikeln und Vorrichtung zur Ausführung des Verfahrens

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010035315A1 (de) 2010-08-25 2012-03-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum langzeitstabilen plasmaaktivierten Vakuumbedampfen
DE102015116351A1 (de) 2015-09-28 2017-03-30 Von Ardenne Gmbh Verfahren zur Substratbeschichtung mit Partikeln und Vorrichtung zur Ausführung des Verfahrens
US10476084B2 (en) 2015-09-28 2019-11-12 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Method for substrate coating with particles and device for carrying out the method
CN105714252A (zh) * 2016-04-28 2016-06-29 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种光学薄膜沉积扫描控制方法及系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0282835B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der reaktiven Schichtabscheidung auf Substraten mittels Magnetronkatoden
DE4217450C3 (de) Ionenbedampfungsverfahren und Vorrichtung
EP0666934B1 (de) Verfahren zum plasmagestützten reaktiven elektronenstrahlbedampfen
EP3289113A1 (de) Verfahren zur herstellung von beschichteten substraten
DE102016122671A1 (de) Verfahren und Elektronenstrahlkanone
DE102005033515A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten
DE4203371C1 (de)
DE102015107430A1 (de) Elektronenstrahlprozessanordnung und Verfahren zum Kalibrieren einer Elektronenstrahlprozessanordnung
DE4343042C1 (de) Verfahren und Einrichtung zum plasmaaktivierten Bedampfen
DE102011008047B4 (de) Verfahren zur Regelung eines Abscheideprozesses
EP0620868B1 (de) Verfahren zur ionisation thermisch erzeugter materialdämpfe und vorrichtung zur durchführung des verfahrens
DE4328586A1 (de) Verfahren zur Regelung des Reaktionsgrades sowie Beschichtungsanlage
DE3426145A1 (de) Verfahren zur regelung der plasmaparameter in vakuumbeschichtungseinrichtungen mit bogenentladungen
DE102013113110A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Bedampfung von Substraten von mehr als einer Dampfquelle
DE19605335C1 (de) Verfahren und Einrichtung zur Regelung eines Vakuumbedampfungsprozesses
DE2820183C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Überziehen der Oberfläche eines elektrisch leitenden Werkstücks
DE10129507C2 (de) Einrichtung zur plasmaaktivierten Bedampfung großer Flächen
DE19724996C1 (de) Verfahren zum plasmaaktivierten Elektronenstrahlverdampfen und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE4336682C1 (de) Verfahren zum Elektronenstrahlbedampfen mit mehrkomponentigem Verdampfungsmaterial
DE102009005297B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels Vakuumbedampfung
DE102005015587B4 (de) Verfahren und Anordnung zur Stabilisierung eines Arbeitspunktes von reaktiven, plasmagestützten Vakuumbeschichtungsprozessen
DE102009013310B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Vakuumbedampfung unter Kontrolle der Beschichtungsrate und Messeinrichtung dafür
WO1997030185A1 (de) Verfahren und einrichtung zur regelung eines vakuumbeschichtungsprozesses
DE4304612C2 (de) Verfahren zur kontinuierlichen Messung der stofflichen Zusammensetzung des Dampfes einer Schmelze oder eines zu verdampfenden Materials im Vakuum
WO1997030186A1 (de) Verfahren und einrichtung zur regelung von plasmagestützten vakuumbeschichtungsprozessen

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8181 Inventor (new situation)

Inventor name: REINHOLD, EKKEHART, 01465 LANGEBRUECK, DE

Inventor name: METZNER, CHRISTOPH, DR., 01328 DRESDEN, DE

Inventor name: STEUER, CHRISTOPH, 04720 DOEBELN, DE

Inventor name: WERNER, TORSTEN, 01219 DRESDEN, DE

Inventor name: SCHEFFEL, BERT, DR., 01796 PIRNA, DE

Inventor name: STRUEMPFEL, JOHANNES, DR., 01277 DRESDEN, DE

Inventor name: KLOSE, LARS, 01129 DRESDEN, DE

Inventor name: HECHT, HANS-CHRISTIAN, 01689 WEINBOEHLA, DE

8181 Inventor (new situation)

Inventor name: STEUER, CHRISTOPH, 04720 DOEBELN, DE

Inventor name: WERNER, TORSTEN, 01219 DRESDEN, DE

Inventor name: METZNER, CHRISTOPH, DR., 01328 DRESDEN, DE

Inventor name: STRUEMPFEL, JOHANNES, DR., 01324 DRESDEN, DE

Inventor name: REINHOLD, EKKEHART, 01465 LANGEBRUECK, DE

Inventor name: KLOSE, LARS, 01129 DRESDEN, DE

Inventor name: SCHEFFEL, BERT, DR., 01796 PIRNA, DE

Inventor name: HECHT, HANS-CHRISTIAN, 01689 WEINBOEHLA, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: PATENTANWAELTE LIPPERT, STACHOW & PARTNER, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANG, DE

Free format text: FORMER OWNER: VON ARDENNE ANLAGENTECHNIK GMBH, FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOER, , DE

Effective date: 20140624

Owner name: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANG, DE

Free format text: FORMER OWNERS: VON ARDENNE ANLAGENTECHNIK GMBH, 01324 DRESDEN, DE; FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V., 80686 MUENCHEN, DE

Effective date: 20140624

R082 Change of representative

Representative=s name: PATENTANWAELTE LIPPERT, STACHOW & PARTNER, DE

Effective date: 20140624

Representative=s name: LIPPERT STACHOW PATENTANWAELTE RECHTSANWAELTE , DE

Effective date: 20140624

R016 Response to examination communication
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee