WO2006087496A1 - Dispositif a ondes acoustiques haute frequence - Google Patents

Dispositif a ondes acoustiques haute frequence Download PDF

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WO2006087496A1 PCT/FR2006/050142 FR2006050142W WO2006087496A1 WO 2006087496 A1 WO2006087496 A1 WO 2006087496A1 FR 2006050142 W FR2006050142 W FR 2006050142W WO 2006087496 A1 WO2006087496 A1 WO 2006087496A1
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acoustic wave
waves
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Abdelkrim Khelif
Abdelkrim Choujaa
Vincent Laude
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Centre National De La Recherche Scientifique
Universite De Franche Comte
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    • Y10T29/42—Piezoelectric device making

Definitions

  • the present invention relates to the field of dispo ⁇ sitifs acoustic wave propagation mainly used in the field of electronics to form resonant systems, filters, delay lines, etc.
  • Such devices are used in particular in the high frequency range, currently up to a few gigabytes and find applications in particular in the field of transmissions, television, mobile phones, sensors and product marking labels. Presentation of the prior art
  • FIG. 1 shows an exemplary device clas ⁇ sical wave acoustic surface constituting a delay line.
  • This device is formed on a piezoelectric substrate 1, optionally one or more piezoelectric thin layers formed on a thicker substrate.
  • the acoustic waves are emitted into the substrate from two interdigitated combs 2 and 3 comprising respective conductive fingers 4 and 5. If a time-varying or alternating signal is applied between the combs 2 and 3, this signal is transformed by piezoelectric effect into a surface acoustic wave propagating in the substrate 1.
  • the acoustic wave propagating in the substrate is collected by a set of two interdigitated receiving combs 7 and 8 comprising respective metal fingers 9 and 10 with a delay corresponding to the path traveled by the wave.
  • the signal is for example collected at the terminals of an electrical impedance 11.
  • acoustic wave device exploits the properties of volume acoustic waves.
  • the propagation medium is a thin layer
  • the volume waves are exploited in the thickness of the thin layer.
  • the electrodes are placed on either side of this thin layer.
  • FIG. 1 A piezoelectric layer 28 is formed above the acoustic mirror and is coated with an electrode 29, so that it can be excited in resonance between the electrodes 26 and 29.
  • the acoustic mirror 21 is intended to avoid that the vibrations produced in the piezoelectric layer 28 are refracted ⁇ cut in the substrate 20.
  • the waves formed in the piezoelectric layer 28 are conventional volume waves, and FIG. 4 of this patent indicates that the propagation speeds are of order of 6000 m / s for longitudinal waves and 2720 m / s for shear waves.
  • the acoustic mirror 21 is not intended to modify the characteristics of the volume waves appearing in the piezoelectric layer 28 but only to ensure isolation for the vibrations between the piezoelectric layer 28 and the substrate
  • An object of the present invention is to provide an acoustic wave device for many app ⁇ cations existing surface acoustic wave devices without their drawbacks.
  • a more particular object of the present invention is to provide an acoustic wave device capable of operating at a very high frequency.
  • Another object of the present invention is to provide an excitable acoustic wave device simply by surface structures combs of conductive fingers imbri ⁇ c, for example of the type conventionally used in filters with surface acoustic waves.
  • the present invention provides an acoustic wave device comprising a piezoelectric layer on an omnidirectional acoustic mirror and means for excitation and / or reception on a surface of said piezoelectric layer, suitable for exciting waves in a band. forbidden from the acoustic mirror.
  • the excitation / reception means are interdigitated conductive combs.
  • the omnidirectional acoustic mirror consists of a stack of alternating layers with high and low acoustic impedance.
  • the present invention provides for using the aforementioned device, in particular as a filter, as a resonator or as a delay line.
  • the present invention also provides a method for determining an acoustic wave device comprising a piezoelectric layer on an acoustic mirror, comprising the following steps: for a given pair of materials constituting the acoustic mirror on a given substrate, calculating the dispersion curves and selecting the value D of the sum of the thicknesses of a layer of each material of the material pair so that a stack of the material pair constitutes an omnidirectional mirror having a band gap in a desired frequency band; and choose the thickness of the piezoelectric layer so that the mirror remains omnidirectional and the layer piézoélec ⁇ stick has a mode of acoustic vibrations in the frequency range of the mirror prohibited.
  • FIG. schematic perspective view of a surface acoustic wave delay line
  • Figure 2 is a sectional view of an acoustic wave device of isolated volume relative to the substrate, as described in US Patent 5873154
  • Fig. 3 shows an acoustic wave device structure according to the present invention
  • Figure 4 shows characteristic dispersion curves of a structure according to the present invention.
  • Fig. 3 shows an embodiment of an acoustic wave device according to the present invention.
  • This device comprises a substrate 30 surmounted by a mirror acous ⁇ tick 31 consisting of a plurality of layers 32 to 40, the reference layers pair being a first material and the odd reference layers being of a second material, these mate rials ⁇ having substantially different acoustic impedances.
  • a substrate 30 of silicon and a mirror consisting of alternating layers of tungsten and aluminum may be used.
  • a piezoelectric layer 41 for example aluminum nitride, AlN, or zinc oxide, ZnO.
  • surface excitation means for example two tooth combs with intertwined excitation teeth 43 and two intertwined teeth tooth combs 44 to form a line with acoustic wave delay similar to that described with reference to FIG.
  • the waves propagating in the piezoelectric layer 41 are neither of surface acoustic wave (SAW) neither acoustic waves of volume (BAW) but waves of a particular nature which will be called guided waves.
  • SAW surface acoustic wave
  • BAW acoustic waves of volume
  • the speed of these guided waves, which propagate in the plane of the layer, can be chosen very high, for example five to ten times faster than surface acoustic waves.
  • these guided acoustic waves can be excited and received at the surface by the same interdigitated conductive comb systems as conventional surface acoustic waves. We can therefore achieve the same components in a structure according to the present invention as those commonly used in connection with wave acous ⁇ surface ticks.
  • n 6
  • An exciter or receiver device commonly used to operate at a given frequency can operate at a frequency 6 times higher.
  • An exciter system or receiver surface adapted to a frequency of the order of 2 gigahertz may be used for frequencies of 12 gigahertz without changing the pitch of interdigitated comb teeth.
  • the acoustic mirror it is possible to use any known mirror provided that the assembly that it forms with the substrate has an omnidirectional forbidden frequency band.
  • a method of determining an omnidirectional mirror will be described in relation to FIG. 4.
  • the dispersion curves illustrated in Figure 4 are calculated (see for example Phys Rev. E66, 056609, 2002, D. Bria and B. Djafari-Rouhani). These dispersion curves indicate, in hatching, all the regions in which vibration modes can exist in the structure (mirror plus substrate) as a function of the ratio between the pitch D of the multilayer and the wavelength ⁇ , the pitch being the sum of the thicknesses of a layer of each material constituting the mirror.
  • Two marked lines VL and VT indicate respec tively ⁇ the transverse and longitudinal velocities of acoustic waves in the substrate (silicon in this example).
  • the bright areas illustrate the areas in which any propagation is prohibited.
  • the structure reflects all waves of all incidences: it is an omnidirectional acoustic mirror.
  • the frequency limit of the dispersion curves are propor tional ⁇ pitch D of the multilayer structure.
  • the thickness of the piezoelectric layer 41 must then be chosen so that it can vibrate in the frequency band concerned.
  • additional ⁇ nal fault modes are introduced. If some are in the forbidden band, they are necessarily guided in the layer without the possibility of escaping into the substrate.
  • AlN aluminum nitride
  • the mode cutoff frequency is of the order of 4 GHz.
  • the speed of propa gation ⁇ acoustic waves parallel to the plane of the surface of the device is of the order of 30000 m / s. This speed is seven times greater than the speed of the usual surface waves in lithium tantalate substrates.
  • the propagation losses are substantially ⁇ ble compared to those obtained for surface wave devices.
  • the coupling coefficient obtained is of the order of 3%, which is substantially thirty times greater than that obtained in the case of a surface wave with a solid AlN material.
  • any other material commonly used piézoélec ⁇ stick may be used, for example ZnO, LiNbO 3, KNbO 3 ...
  • one or more thin layers may be added above the device for the purpose of passivation or encapsulation.
  • a second acoustic mirror may be disposed above the layer piézoélec ⁇ stick for the purpose of confining the acoustic energy in the piezoelectric layer.

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Abstract

L'invention concerne un dispositif à ondes acoustiques comprenant une couche piézoélectrique (41) sur un miroir acoustique omnidirectionnel (32) et des moyens d'excitation et /ou de réception (43, 44) sur une surface de ladite couche piézoélectrique, propres à exciter des ondes dans une bande interdite du miroir acoustique.

Description

DISPOSITIF A ONDES ACOUSTIQtJES HAUTE FREQtJENCE
Domaine de l' invention
La présente invention concerne le domaine des dispo¬ sitifs à propagation d'ondes acoustiques principalement utilisés dans le domaine de l'électronique pour constituer des systèmes résonants, des filtres, des lignes à retard, etc.
De tels dispositifs sont notamment utilisés dans le domaine des hautes fréquences, couramment jusqu'à quelques giga- hertz et trouvent des applications notamment dans le domaine des transmissions, de la télévision, des téléphones portables, des capteurs et des étiquettes de marquage de produits. Exposé de l'art antérieur
On distingue deux types principaux de dispositifs à ondes acoustiques : les dispositifs à ondes acoustiques de surface (SAW) et les dispositifs à ondes acoustiques de volume (BAW) .
La figure 1 représente un exemple de dispositif clas¬ sique à ondes acoustiques de surface constituant une ligne à retard. Ce dispositif est formé sur un substrat piézoélectrique 1, éventuellement une ou plusieurs couches minces piézoélectri- ques formées sur un substrat plus épais. Les ondes acoustiques sont émises dans le substrat à partir de deux peignes inter- digités 2 et 3 comprenant des doigts conducteurs respectifs 4 et 5. Si on applique un signal variable en fonction du temps ou alternatif entre les peignes 2 et 3, ce signal est transformé par effet piézoélectrique en une onde acoustique de surface qui se propage dans le substrat 1. L'onde acoustique se propageant dans le substrat est recueillie par un ensemble de deux peignes récepteurs interdigités 7 et 8 comprenant des doigts métalliques respectifs 9 et 10 avec un retard correspondant au trajet parcouru par l ' onde . Le signal est par exemple recueilli aux bornes d'une impédance électrique 11. Ces dispositifs à ondes acoustiques de surface sont bien adaptés à la réalisation de composants à haute fréquence tels que mentionnés ci-dessus (lignes à retard, filtres, résonateurs, etc.). Ils permettent même de réaliser des filtres relativement complexes. Toutefois, ces dispositifs posent des problèmes de réalisation pratique quand leur fréquence de fonctionnement augmente. En effet, le pas P des dents des peignes 2-3 et 7-8 détermine la longueur d'onde λ de l'onde acoustique par la relation P = λ/N, avec N > 2, généralement égal à 2. Dans les matériaux couramment utilisés, la vitesse de propagation V des ondes de surface est de l'ordre de 5000 m/s. Pour une fréquence f de 2,5 GHz, par exemple, la longueur d'onde est de 2 μm (λ=V/f) , c'est-à-dire que le pas des dents des peignes doit être de l'ordre de 1 μm. Ceci conduit à avoir des doigts métalliques d'une largeur de l'ordre de 0,5 μm espacés d'une distance de
0,5 μm. Il est en pratique difficile de miniaturiser davantage les peignes conducteurs d'une part pour des raisons de litho¬ graphie et d'autre part pour des raisons de pertes électriques. Les dispositifs à ondes acoustiques de surface sont donc en pratique limités à des fréquences de fonctionnement de l'ordre de 1 à 3 GHz.
Un autre type de dispositif à ondes acoustiques exploite les propriétés des ondes acoustiques de volume. De façon générale, quand le milieu de propagation est une couche mince, on exploite les ondes de volume dans l'épaisseur de la couche mince. Dans ce but, les électrodes sont placées de part et d'autre de cette couche mince. Ces dispositifs peuvent fonc¬ tionner à des fréquences supérieures à 3 GHz mais sont souvent délicats à élaborer, notamment en cas d'utilisation de membranes .
On notera en particulier le brevet des Etats-Unis d'Amérique N0 5873154 de la société Nokia Mobile Phones Limited, qui décrit une structure particulière de dispositifs à ondes acoustiques de volume. La figure 2 ci-jointe, reprend la figure 3 de ce brevet. On y trouve sur un substrat 20, par exemple en verre, un multicouche 21 constituant un miroir acoustique fondé sur le principe de Bragg et comportant des couches alternées 22 à 26, la couche supérieure 26 étant une couche conductrice. Une couche piézoélectrique 28 est formée au-dessus du miroir acous- tique et est revêtue d'une électrode 29, de façon à pouvoir être excitée en résonance entre les électrodes 26 et 29. Dans cette structure, le miroir acoustique 21 est destiné à éviter que les vibrations produites dans la couche piézoélectrique 28 se réper¬ cutent dans le substrat 20. Les ondes formées dans la couche piézoélectrique 28 sont des ondes de volume classiques, et la figure 4 de ce brevet indique que les vitesses de propagation sont de l'ordre de 6000 m/s pour les ondes longitudinales et de 2720 m/s pour les ondes de cisaillement. Ainsi, dans ce disposi¬ tif, le miroir acoustique 21 n'est pas destiné à modifier les caractéristiques des ondes de volume apparaissant dans la couche piézoélectrique 28 mais seulement à assurer un isolement pour les vibrations entre la couche piézoélectrique 28 et le substrat
20.
Résumé de l' invention Un objet de la présente invention est de prévoir un dispositif à ondes acoustiques permettant les nombreuses appli¬ cations des dispositifs à ondes acoustiques de surface existants sans leurs inconvénients. Un objet plus particulier de la présente invention est de prévoir un dispositif à ondes acoustiques susceptible de fonctionner à très haute fréquence.
Un autre objet de la présente invention est de prévoir un dispositif à ondes acoustiques excitable simplement par des structures superficielles à peignes de doigts conducteurs imbri¬ qués, par exemple du type de ceux utilisés classiquement dans les filtres à ondes acoustiques de surface.
Pour atteindre ces objets, la présente invention prévoit un dispositif à ondes acoustiques comprenant une couche piézoélectrique sur un miroir acoustique omnidirectionnel et des moyens d'excitation et/ou de réception sur une surface de ladite couche piézoélectrique, propres à exciter des ondes dans une bande interdite du miroir acoustique. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les moyens d'excitation/réception sont des peignes conducteurs interdigités.
Selon un mode de réalisation de la présente invention, le miroir acoustique omnidirectionnel est constitué d'un empile- ment de couches alternées à haute et basse impédance acoustique. La présente invention prévoit d'utiliser le dispositif susmentionné, notamment comme filtre, comme résonateur ou comme ligne à retard.
La présente invention prévoit aussi un procédé de détermination d'un dispositif à ondes acoustiques comprenant une couche piézoélectrique sur un miroir acoustique, comprenant les étapes suivantes : pour un couple donné de matériaux constituant le miroir acoustique sur un substrat donné, calculer les courbes de dispersion et choisir la valeur D de la somme des épaisseurs d'une couche de chaque matériau du couple de matériaux de sorte qu'un empilement du couple de matériaux constitue un miroir omnidirectionnel ayant une bande interdite dans une bande de fréquence souhaitée ; et choisir l'épaisseur de la couche piézoélectrique pour que le miroir reste omnidirectionnel et que la couche piézoélec¬ trique ait un mode de vibrations acoustiques dans la plage de fréquences interdites du miroir. Brève description des dessins
Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d' autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 est une vue en perspective schématique d'une ligne à retard à ondes acoustiques de surface ; la figure 2 est une vue en coupe d'un dispositif à ondes acoustiques de volume isolé par rapport au substrat, tel que décrit dans le brevet américain 5873154 ; la figure 3 représente une structure de dispositif à ondes acoustiques selon la présente invention ; et la figure 4 représente des courbes de dispersion caractéristiques d'une structure selon la présente invention. Description détaillée
La figure 3 représente un mode de réalisation d'un dispositif à ondes acoustiques selon la présente invention. Ce dispositif comprend un substrat 30 surmonté d'un miroir acous¬ tique 31 constitué d'un ensemble de couches 32 à 40, les couches de référence paire étant d'un premier matériau et les couches de référence impaire étant d'un deuxième matériau, ces deux maté¬ riaux ayant des impédances acoustiques nettement différentes. On pourra par exemple utiliser un substrat 30 en silicium et un miroir constitué d'une alternance de couches de tungstène et d'aluminium. Au-dessus du miroir acoustique est disposée une couche piézoélectrique 41, par exemple en nitrure d'aluminium, AlN, ou en oxyde de zinc, ZnO. Sur la couche piézoélectrique 41 sont disposés des moyens d'excitation en surface, par exemple deux peignes à dents entrelacées d'excitation 43 et deux peignes à dents entrelacées de réception 44 pour constituer une ligne à retard à ondes acoustiques similaire à celle décrite en relation avec la figure 1.
Les inventeurs ont montré que, avec une telle struc¬ ture, si certaines conditions dimensionnelles et fréquentielles qui seront exposées ci-après sont respectées, les ondes qui se propagent dans la couche piézoélectrique 41 ne sont plus ni des ondes acoustiques de surface (SAW) ni des ondes acoustiques de volume (BAW) mais des ondes d'une nature particulière qui seront appelées ondes guidées. La vitesse de ces ondes guidées, qui se propagent dans le plan de la couche, peut être choisie très élevée, par exemple cinq à dix fois plus rapide que les ondes acoustiques de surface. De plus, ces ondes acoustiques guidées peuvent être excitées et reçues en surface par les mêmes systèmes de peignes conducteurs interdigités que des ondes acoustiques de surface classiques. On pourra donc réaliser les mêmes composants dans une structure selon la présente invention que ceux couramment utilisés en relation avec des ondes acous¬ tiques de surface.
On voit immédiatement l'avantage d'un tel dispositif. Les ondes acoustiques se propageant n fois plus rapidement que les ondes acoustiques de surface classique, on pourra, pour un réseau d'excitation de pas donné, faire se propager des ondes à une fréquence n fois plus élevée. Ainsi, dans le cas où n=6, un dispositif excitateur ou récepteur couramment utilisé pour fonctionner à une fréquence donnée pourra fonctionner à une fréquence 6 fois plus élevée. Un système excitateur ou récepteur en surface adapté à une fréquence de l'ordre de 2 gigahertz pourra être utilisé pour des fréquences de 12 gigahertz sans modification du pas des dents de peignes interdigités . Comme miroir acoustique, on pourra utiliser tout miroir connu à condition que l'ensemble qu'il forme avec le substrat présente une bande de fréquence interdite omnidirec- tionnelle .
Un mode de détermination d'un miroir omnidirectionnel va être décrit en relation avec la figure 4. Pour un multicouche donné, par exemple une alternance de couches d'aluminium et de couches de tungstène de mêmes épaisseurs, on calcule les courbes de dispersion illustrées en figure 4 (voir par exemple Phys. Rev. E66, 056609, 2002, D. Bria et B. Djafari-Rouhani) . Ces courbes de dispersion indiquent, en hachures, toutes les régions dans lesquelles des modes de vibration peuvent exister dans la structure (miroir plus substrat) en fonction du rapport entre le pas D du multicouche et la longueur d'onde λ, le pas étant la somme des épaisseurs d'une couche de chaque matériau constituant le miroir. Les deux droites marquées VL et VT indiquent respec¬ tivement les vitesses transverse et longitudinale des ondes acoustiques dans le substrat (du silicium dans cet exemple) . Les zones claires illustrent les régions dans lesquelles toute propagation est interdite. Dans le cas de la structure illustrée, on constate que, dans la plage de produit (fréquence) x (épaisseur) comprise entre 1,2 et 2,4 GHz.μm (par exemple, pour un pas D = 0,4 μm, la bande de fréquence interdite s'étend entre 3 et 6 GHz), aucun mode de propagation n'est possible quelle que soit la longueur d'onde. Dans cette plage, la structure réfléchit toutes les ondes de toutes les incidences : il s'agit d'un miroir acoustique omnidirectionnel . Il est important de noter que les fréquences limite des courbes de dispersion sont propor¬ tionnelles au pas D de la structure multicouche. Ainsi, une fois le réseau de courbes déterminé pour un certain pas de couches du miroir, on pourra choisir une bande interdite différente en augmentant de façon proportionnelle le pas des couches.
On devra ensuite choisir l'épaisseur de la couche piézoélectrique 41 pour qu'elle puisse vibrer dans la bande de fréquence concernée. En effet, quand on ajoute une couche au- dessus d'un miroir, on introduit des modes de défaut addition¬ nels. Si certains se trouvent dans la bande interdite, ils sont nécessairement guidés dans la couche sans possibilité de fuir dans le substrat. Par exemple, pour une couche piézoélectrique de nitrure d'aluminium (AlN) d'une épaisseur de l'ordre de 800 nm, on obtient un mode de défaut dans la bande interdite. La fréquence de coupure de mode est de l ' ordre de 4 GHz .
Pour un pas de peigne de 3,57 μm, la vitesse de propa¬ gation des ondes acoustiques parallèlement au plan de la surface du dispositif est de l'ordre de 30000 m/s. Cette vitesse est sept fois plus grande que la vitesse des ondes de surface usuelles dans des substrats de tantalate de lithium.
Les pertes de propagation sont sensiblement compara¬ bles à celles que l'on obtient pour les dispositifs à ondes de surface. En outre, le coefficient de couplage obtenu est de l'ordre de 3 %, soit sensiblement trente fois plus grand que celui que l'on obtient dans le cas d'une onde de surface avec un matériau d'AlN massif.
Bien que l'on ait indiqué l 'AlN comme matériau préféré pour la couche piézoélectrique, tout autre matériau piézoélec¬ trique couramment utilisé pourra être utilisé, par exemple le ZnO, le LiNbO3, le KNbO3...
Bien entendu, la présente invention est susceptible de diverses variantes et modifications qui apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, une ou plusieurs couches minces peuvent être ajoutées au-dessus du dispositif dans un but de passivation ou d' encapsulâtion. En outre, un deuxième miroir acoustique pourra être disposé au-dessus de la couche piézoélec¬ trique dans un but de confinement de l'énergie acoustique dans cette couche piézoélectrique.

Claims

REVENDICATIONS
1. Dispositif à ondes acoustiques comprenant une couche piézoélectrique (41) sur un miroir acoustique omnidirectionnel
(32) et des moyens d'excitation et/ou de réception (43, 44) sur une surface de ladite couche piézoélectrique, propres à exciter des ondes dans une bande interdite du miroir acoustique.
2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les moyens d'excitation/réception (43, 44) sont des peignes conduc¬ teurs interdigités .
3. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le miroir acoustique omnidirectionnel (32) est constitué d'un empilement de couches alternées à haute et basse impédance acoustique.
4. Utilisation du dispositif selon la revendication 1, comme filtre.
5. Utilisation du dispositif selon la revendication 1, comme résonateur.
6. Utilisation du dispositif selon la revendication 1, comme ligne à retard.
7. Procédé de détermination d'un dispositif à ondes acoustiques comprenant une couche piézoélectrique sur un miroir acoustique, comprenant les étapes suivantes : pour un couple donné de matériaux constituant le miroir acoustique sur un substrat donné, calculer les courbes de dispersion et choisir la valeur de la somme des épaisseurs d'une couche de chaque matériau du couple de matériaux de sorte qu'un empilement du couple de matériaux constitue un miroir omni¬ directionnel ayant une bande interdite dans une bande de fréquence souhaitée ; et choisir l'épaisseur de la couche piézoélectrique pour que le miroir reste omnidirectionnel et que la couche piézoélec¬ trique ait un mode de vibrations acoustiques dans la plage de fréquences interdites du miroir.
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JP (1) JP5046961B2 (fr)
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WO (1) WO2006087496A1 (fr)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2278708A1 (fr) 2009-06-30 2011-01-26 Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives Dispositif résonant à ondes acoustiques guidées et procédé de réalisation du dispositif
US9375690B2 (en) 2009-08-24 2016-06-28 The University Court Of The University Of Glasgow Fluidics apparatus and fluidics substrate
US9410873B2 (en) 2011-02-24 2016-08-09 The University Court Of The University Of Glasgow Fluidics apparatus for surface acoustic wave manipulation of fluid samples, use of fluidics apparatus and process for the manufacture of fluidics apparatus
US11311686B2 (en) 2014-11-11 2022-04-26 The University Court Of The University Of Glasgow Surface acoustic wave device for the nebulisation of therapeutic liquids

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2882205B1 (fr) * 2005-02-16 2007-06-22 Centre Nat Rech Scient Dispositif a ondes acoustiques haute frequence
US7939987B1 (en) * 2008-10-23 2011-05-10 Triquint Semiconductor, Inc. Acoustic wave device employing reflective elements for confining elastic energy
FR2940450B1 (fr) * 2008-12-22 2011-02-18 Centre Nat Rech Scient Dispositif et procede pour etudier une zone d'etude par onde acoustique
EP2658123B1 (fr) * 2010-12-24 2019-02-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Dispositif à ondes élastiques et son procédé de fabrication
WO2012086441A1 (fr) * 2010-12-24 2012-06-28 株式会社村田製作所 Dispositif à ondes élastiques et procédé de fabrication correspondant
US9405036B2 (en) 2011-11-04 2016-08-02 Schlumberger Technology Corporation Multiphysics NMR logging techniques for the determination of in situ total gas in gas reservoirs
FR2997027B1 (fr) 2012-10-19 2015-01-02 Centre Nat Rech Scient Transducteur a ondes de volume guidees en suface par des structures d'excitation synchrone
US9379686B2 (en) * 2014-03-04 2016-06-28 Qualcomm Incorporated Resonator with a staggered electrode configuration
KR101923573B1 (ko) 2015-03-16 2018-11-29 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치 및 그 제조 방법
JP6779216B2 (ja) * 2015-09-07 2020-11-04 株式会社村田製作所 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP2017224890A (ja) * 2016-06-13 2017-12-21 株式会社村田製作所 弾性波装置
WO2018235731A1 (fr) 2017-06-23 2018-12-27 株式会社村田製作所 Dispositif à ondes élastiques, circuit frontal à haute fréquence, et dispositif de communications
JP2019145895A (ja) * 2018-02-16 2019-08-29 株式会社村田製作所 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4427913A (en) * 1981-06-01 1984-01-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Acoustic diffractometer

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4037176A (en) * 1975-03-18 1977-07-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multi-layered substrate for a surface-acoustic-wave device
JPS54108551A (en) * 1978-02-14 1979-08-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elastic surface wave device
US4494091A (en) * 1983-05-09 1985-01-15 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Damping package for surface acoustic wave devices
DE3731309A1 (de) * 1987-09-17 1989-03-30 Siemens Ag Oberflaechenwellenanordnung mit konversionsstruktur zur vermeidung unerwuenschter reflektierter wellen
US5873154A (en) 1996-10-17 1999-02-23 Nokia Mobile Phones Limited Method for fabricating a resonator having an acoustic mirror
US6720844B1 (en) * 2001-11-16 2004-04-13 Tfr Technologies, Inc. Coupled resonator bulk acoustic wave filter
DE10251876B4 (de) * 2002-11-07 2008-08-21 Infineon Technologies Ag BAW-Resonator mit akustischem Reflektor und Filterschaltung
US6963257B2 (en) * 2004-03-19 2005-11-08 Nokia Corporation Coupled BAW resonator based duplexers
FR2882205B1 (fr) * 2005-02-16 2007-06-22 Centre Nat Rech Scient Dispositif a ondes acoustiques haute frequence
DE102005057762A1 (de) * 2005-12-02 2007-06-06 Epcos Ag Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator
DE102005061344A1 (de) * 2005-12-21 2007-06-28 Epcos Ag Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator
JP2007312164A (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Hitachi Ltd 圧電薄膜共振器並びにそれを用いた高周波フィルタ及び高周波モジュール

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4427913A (en) * 1981-06-01 1984-01-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Acoustic diffractometer

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BROWNING T I ET AL: "NEW FAMILY OF BULK-ACOUSTIC-WAVE DEVICES EMPLOYING INTERDIGITAL TRANSDUCERS", ELECTRONICS LETTERS, IEE STEVENAGE, GB, vol. 25, no. SPECIAL, 22 November 1989 (1989-11-22), pages S21 - 23, XP000105247, ISSN: 0013-5194 *
IRBY J H ET AL: "CALCULATION OF DELTAN2 AND KAPPA FOR AN ACOUSTICALLY INDUCED DISTRIBUTION BRAGG REFLECTOR (ADBR)", IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, IEEE INC. NEW YORK, US, vol. 34, no. 2, February 1998 (1998-02-01), pages 213 - 224, XP000737230, ISSN: 0018-9197 *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2278708A1 (fr) 2009-06-30 2011-01-26 Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives Dispositif résonant à ondes acoustiques guidées et procédé de réalisation du dispositif
US8692630B2 (en) 2009-06-30 2014-04-08 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Guided acoustic wave resonant device and method for producing the device
US9375690B2 (en) 2009-08-24 2016-06-28 The University Court Of The University Of Glasgow Fluidics apparatus and fluidics substrate
US9751057B2 (en) 2009-08-24 2017-09-05 The University Court Of The University Of Glasgow Fluidics apparatus and fluidics substrate
US9410873B2 (en) 2011-02-24 2016-08-09 The University Court Of The University Of Glasgow Fluidics apparatus for surface acoustic wave manipulation of fluid samples, use of fluidics apparatus and process for the manufacture of fluidics apparatus
US11311686B2 (en) 2014-11-11 2022-04-26 The University Court Of The University Of Glasgow Surface acoustic wave device for the nebulisation of therapeutic liquids
US11771846B2 (en) 2014-11-11 2023-10-03 The University Court Of The University Of Glasgow Nebulisation of liquids

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Publication number Publication date
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FR2882205B1 (fr) 2007-06-22
US7880563B2 (en) 2011-02-01

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