EP1500191B1 - Dispositif a ondes acoustiques d' interface en tantalate de li thium - Google Patents

Dispositif a ondes acoustiques d' interface en tantalate de li thium Download PDF

Info

Publication number
EP1500191B1
EP1500191B1 EP03752668A EP03752668A EP1500191B1 EP 1500191 B1 EP1500191 B1 EP 1500191B1 EP 03752668 A EP03752668 A EP 03752668A EP 03752668 A EP03752668 A EP 03752668A EP 1500191 B1 EP1500191 B1 EP 1500191B1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
cut
interface
propagation
angles
acoustic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
EP03752668A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
EP1500191A2 (fr
Inventor
Marc Thales Intellectual Property SOLAL
Serge THALES Intellectual Property CALISTI
Vincent Thales Intellectual Property LAUDE
Sylvain Thales Intellectual Property BALLANDRAS
Serge THALES Intellectual Property CAMOU
Thomas THALES Intellectual Property PASTUREAUD
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thales SA
Original Assignee
Thales SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thales SA filed Critical Thales SA
Publication of EP1500191A2 publication Critical patent/EP1500191A2/fr
Application granted granted Critical
Publication of EP1500191B1 publication Critical patent/EP1500191B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/0222—Details of interface-acoustic, boundary, pseudo-acoustic or Stonely wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves

Definitions

  • the field of the invention is that of wave devices acoustic interface and especially that of filters, made at the interface two substrates made of Lithium Tantalate.
  • the pitch of the electrodes composing the combs interdigities is often weak, of the order of a few hundred nanometers.
  • conductive particles of very small dimensions present inside the housing can bypass a transducer and disrupt the normal operation of the device.
  • acoustic wave interface devices allows to solve the various problems related to encapsulation. We use, in this case, no longer the propagation of acoustic waves on the surface of the substrate but at the interface between two substrates. This device makes it possible to obtain naturally a passivated component that does not require any further realization of cavity. On the other hand, the housing can be completely removed.
  • patent FR 2 799 906 described filters using transducers at the interface between two piezoelectric materials identical.
  • an interface acoustic wave device consists of two substrates S 1 and S 2 , at least one of which is piezoelectric, and an interface zone I located between these two substrates as indicated.
  • the interface zone I is a structure that comprises at least electro-acoustic transduction devices E. Electrical interconnections coupled to said devices allow the transmission and transmission of signals.
  • Interface waves can be used to realize passive components.
  • any type of device obtained using of waves propagating on the surface of a crystal can be achieved using interface waves.
  • a resonator by placing an interdigital transducer between two networks reflectors and then a filter by coupling resonators to each other by means of electrical or acoustic means.
  • Phase-coded devices have specific transduction characterized by a distribution of electrodes such we know how to associate a particular code with a phase code component given.
  • the devices that can be remotely interrogated by radio waves use this principle.
  • the operation is as follows: a phase code is used to the emission of the wave, the wave is picked up by an antenna connected to the input of the phase code component; conventionally, the transducer converts the signal in mechanical wave. Said wave propagates to the tranducer of output where it is then reconverted into an electrical signal and re-emitted.
  • the signal received is analyzed and the component that received and transformed the signal is as well identified.
  • Interface wave devices can be used as remotely searchable devices, in particular for measure as the measurement of pressure, temperature or acceleration.
  • FIGS. 3a and 3b represent the various parameters, and in particular the coupling coefficient K 2, depend strongly on the cutting angle of the piezoelectric crystal and on the direction of propagation. It is thus possible to obtain, according to the cutting angle for lithium tantalate, K 2 values varying between 0 and 7 as indicated in FIGS. 3a and 3b.
  • FIG. 3a represents the variation of K 2 as a function of ( ⁇ , ⁇ ) at ⁇ zero
  • FIG. 3b represents the variation of K 2 as a function of ( ⁇ , ⁇ ) at ⁇ zero.
  • the discontinuities represent the areas within which there is no possible mode of propagation.
  • the choice of the cutting angle is therefore fundamental.
  • the variations of the acoustic characteristics as a function of this angle can not be determined simply, for example by considerations of the crystal structure. They are also very different from those obtained for free materials used for surface acoustic waves.
  • the invention proposes, for its part, a selection of ranges of optimized cutting angles. Indeed, it gives precisely the tolerances on the cutting angles; the set of optimal cutting angles which, in the case of lithium tantalate, give the best possible characteristics, in particular the highest values of the parameter K 2 ; and finally the values of the main characteristics, making it possible to reach the expected performances.
  • the thicknesses of the two substrates are large in front of the acoustic wavelength of use ( ⁇ ).
  • ⁇ acoustic wavelength of use
  • the acoustic waves remain confined within the two substrates, which prevents any possible disturbance from the outside.
  • the thickness of the interface zone is, conversely, chosen low in front of this same acoustic wavelength of use so that the disturbances introduced by the specific mechanical characteristics of that zone are negligible.
  • the interface zone is in the form a laminated structure comprising at least the transduction devices electro-acoustic and one or more layers of material dielectric.
  • the main advantages of these layers are to facilitate either the wave propagation, ie the adhesion of the second substrate to the zone interface.
  • the interface zone comprises only the electroacoustic transduction devices that are then etched on a the two surfaces of the substrates in contact, said interface zone being then reduced to an interface plane.
  • all two substrates and the interface area once assembled is equivalent to a single substrate within which the transduction devices are located.
  • the device can be used for all applications accessible to surface acoustic wave devices, especially as a passive component of resonator type or filter or line to delay or phase code device.
  • the realization of the electrode combs is done either by a method says buried electrodes, either by a process called electrodes filed.
  • the layer C it is possible to start by depositing the layer C, to realize in this layer openings at the locations electrodes, deposit the material of the electrodes on this layer and finally level out to obtain the previous result. If the thickness of the layer is small enough in front of the acoustic wavelength, the electro-acoustic characteristics of the set are only few changed.
  • Additional layers of dielectric material can then be reported for technological or acoustic reasons for complete the interface area. These layers can notably facilitate the bonding between the two substrates.
  • the final thickness of I must remain low in front of the acoustic wavelength of use if one wishes maintain the properties due to the cutting angles of the substrates.
  • the second substrate which has also been cut from Lithium tantalate at the same cutting angle as the first substrate is then attached to said substrate at the end of the manufacturing process of electrodes.
  • This assembly can be done either by molecular bonding or by anodic welding.
  • the second substrate has the same crystalline orientation as the first.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

Le domaine de l'invention est celui des dispositifs à ondes acoustiques d'interface et notamment celui des filtres, réalisés à l'interface de deux substrats en Tantalate de Lithium.
Il est connu de réaliser des dispositifs à ondes acoustiques de surface qui utilisent la propagation d'ondes à la surface d'un substrat piézoélectrique. Dans le cas des ondes dites de Rayleigh, la génération et la réception des ondes sont assurées par des transducteurs à peignes interdigités composés d'électrodes entrelacées entre lesquelles on impose une différence de potentiel. Ces dispositifs présentent deux inconvénients principaux :
D'une part, pour que les ondes de surface se propagent correctement à la surface du substrat, cette surface doit rester libre. Cette condition est obtenue par des technologies d'encapsulation permettant d'obtenir une cavité.
D'autre part, le pas des électrodes composant les peignes interdigités est souvent faible, de l'ordre de quelques centaines de nanomètres. Aussi, des particules conductrices de très faibles dimensions présentes à l'intérieur du boítier peuvent court-circuiter un transducteur et perturber le fonctionnement normal du dispositif. Pour pallier cet inconvénient, il faut, soit rendre les boítiers des composants hermétiques, soit déposer sur les transducteurs une fine couche de matériau diélectrique isolant. Cette opération appelée passivation permet de supprimer la sensibilité aux particules conductrices. Elle ne permet néanmoins pas d'éliminer l'opération d'encapsulation qui est une opération coûteuse à réaliser.
L'utilisation de dispositifs à ondes acoustiques d'interface permet de résoudre les différents problèmes liés à l'encapsulation. On utilise, dans ce cas, non plus la propagation des ondes acoustiques à la surface du substrat mais à l'interface entre deux substrats. Ce dispositif permet d'obtenir naturellement un composant passivé ne nécessitant plus de réalisation de cavité. D'autre part, le boítier peut être complétement supprimé.
En 1924, Stoneley a montré la possibilité de guider une onde acoustique à l'interface entre deux matériaux [proc. Roy. Soc. London A 106, 416]. Ces ondes étaient considérées comme étant polarisées dans le plan sagittal.
En 1971, Maerfeld et Tournois ont démontré l'existence d'ondes de cisaillement horizontal se propageant à l'interface entre deux matériaux. Le cas piézoélectrique était considéré [C. Maerfeld, P. Tournois, Appl. Phys. Lett. 19, 117, 1971]. Une premiére utilisation de ce type d'onde pour des composants acoustiques est divulgué dans le brevet FR2145750. L'invention décrite utilise la propagation d'ondes de cisaillement pur à l'interface entre deux matériaux dont un au moins est piézoelectrique. Le cas où les deux matériaux sont identiques est considéré. Ce brevet ne fait cependant pas mention de transducteurs placés à l'interface entre les deux matériaux.
En 1983, la propagation d'ondes à l'interface entre un matériau piezoélectrique et un matériau isotrope dans le but de réaliser des dispositifs SAW sans boítier est décrite, ce qui suppose, de façon implicite, que les transducteurs sont placés à l'interface. D'autre part, le coefficient de couplage est étudié [Shimitzu et al. Stoneley waves propagating along an interface between piezoelectric materia! and isotropic material, 1983 IEEE US proc pp 373-375].
Plus récemment, en 1998, une combinaison différente de matériau en vue de faire du filtrage a été examinée [M. Yamaguchi, T. Yamashita, K. Hashimoto, T. Omori, Highly Piezoelectric Waves in Si/SiO2/LiNbO3 and Si/SiO2/LiNBO3 structures, unpublished].
Enfin, en 1999, le brevet FR 2 799 906 décrivait des filtres utilisant des transducteurs à l'interface entre deux matériaux piézoélectriques identiques.
De façon générale, un dispositif à ondes acoustiques d'interface est constitué de deux substrats notés S1 et S2, dont l'un au moins est piézoélectrique et d'une zone d'interface I située entre ces deux substrats comme il est indiqué sur la figure 1. Dans le cas général, La zone d'interface I est une structure qui comprend au moins les dispositifs de transduction électro-acoustiques E. Des interconnexions électriques couplées auxdits dispositifs permettent l'émission et la transmission des signaux.
Les ondes d'interface sont utilisables pour réaliser des composants passifs. De façon générale, tout type de dispositif obtenu à l'aide d'ondes se propageant à la surface d'un cristal peut être réalisé en utilisant des ondes d'interface. En particulier, il est possible de réfléchir les ondes d'interface à l'aide de réseaux d'électrodes métalliques de période égale à une demi-longueur d'onde placé à l'interface. On réalise ainsi, d'abord un résonateur en plaçant un transducteur interdigité entre deux réseaux réflecteurs et ensuite un filtre en couplant des résonateurs entre eux par des moyens électriques ou acoustiques. On améliore la directivité d'un transducteur en y intercalant des réflecteurs. Toutes les applications des composants à ondes de surface sont alors accessibles, notamment les lignes à retard, les filtres de bande, les résonateurs et les filtres dispersifs. Les applications de ces composants en tant que capteurs de mesure sont également possibles.
Les dispositifs à code de phase possèdent des dispositifs de transduction spécifiques caractérisés par une répartition des électrodes telle que l'on sait associer un code particulier à un composant à code de phase donné. Les dispositifs interrogeables à distance par onde radio utilisent ce principe. Le fonctionnement est le suivant : un code de phase est utilisé à l'émission de l'onde, l'onde est captée par une antenne reliée à l'entrée du composant à code de phase ; de façon classique, le transducteur convertit le signal en onde mécanique. Ladite onde se propage jusqu'au tranducteur de sortie où elle est alors reconvertie en signal électrique et réémise. Le signal reçu est analysé et le composant qui a reçu et transformé le signal est ainsi identifié.
Les dispositifs à ondes d'interface peuvent être utilisés en tant que dispositifs interrogeables à distance, notamment pour les applications de mesure comme la mesure de pression, de température ou d'accéleration.
Le choix des structures des composants à ondes d'interface peut être très varié. On citera notamment les associations suivantes :
  • Le substrat S1 est piézoélectrique et S2 ne l'est pas. Dans ce cas, on choisit S2 en fonction de ses propriétés mécaniques de façon à faciliter la réalisation des composants. Par exemple, si S1 est du Niobate de Lithium ou du Tantalate de Lithium, S2 sera préférentiellement de la silice fondue ou du silicium mono cristallin.
  • Les deux substrats sont tous deux piézoélectriques mais de nature différente. On citera, par exemple, les associations suivantes :
    • Quartz - Niobate de Lithium
    • Quartz - Tantalate de Lithium
    • Tantalate de Lithium - Niobate de Lithium
  • Les deux substrats sont de même nature mais de coupe cristalline différente. La figure 2 représente, suivant les conventions IEEE 1949 dans le repère orthonormé initial (X, Y, Z) avec Z parallèle à l'axe optique du cristal, X défini par la piézoélectricité du cristal et Y perpendiculaire à (X,Z) la représentation géométrique du plan de coupe définie par deux angles de rotation successifs ϕ et . ϕ correspond à une première rotation autour de l'axe Z, le repère obtenu ainsi est noté (X', Y', Z') avec Z' confondu avec Z,  correspond à une seconde rotation autour de l'axe X', le repère obtenu ainsi est noté (X", Y", Z"), avec X" confondu avec X'. Dans ce repère final, la direction de propagation des ondes acoustiques est alors définie par un troisième angle ψ représentant une rotation autour de l'axe Y". A titre d'exemple, avec ces conventions, les valeurs des angles pour les coupes habituellement utilisées en ondes de surface pour le quartz ST sont les suivantes :
    • ϕ = 0°,  = 42.75°, ψ = 0°.
  • Enfin, les deux substrats peuvent être de même nature et de même coupe. On peut utiliser, par exemple, du quartz, du Niobate de Lithium ou du Tantalate de Lithium. Dans ce cas, en règle générale, l'assemblage se fera suivant la même orientation cristalline des deux substrats.
Ce dernier cas est particulièrement intéressant dans la mesure où les problèmes de compatibilité entre les substrats S1 et S2, en particulier les problèmes de dilatation thermique ou d'assemblage sont résolus implicitement. Dans ce cas, les orientations des faces des cristaux sont choisies afin d'obtenir des polarisations de même direction.
Quatre caractéristiques majeures définissent les propriétés de propagation des ondes acoustiques des matériaux piézoélectriques. Ce sont:
  • La vitesse V de propagation de l'onde acoustique d'interface. Ce paramètre est important dans la mesure où pour une fréquence d'utilisation donnée F, il conditionne le pas P du réseau des dents des peignes d'électrodes proportionnel à V/F. Lorsque l'on travaille à haute fréquence, typiquement de l'ordre de quelques GHz, l'obtention de vitesses élevées permet de garder des pas suffisamment larges compatibles des technologies actuelles de gravure ;
  • L'atténuation A ou perte d'insertion exprimée en dB par longueur d'onde acoustique, paramètre que l'on cherche, en général, à diminuer de façon à réduire les pertes d'insertion du dispositif ;
  • Le coefficient CFT du premier ordre de la variation de fréquence en fonction de la température au voisinage de la température ambiante exprimé en ppm.C-1. La configuration du dispositif sera d'autant plus insensible aux variations thermiques que ce coefficient sera faible ;
  • Le coefficient de couplage électromécanique K2 représentatif de la bande de fréquence relative maximale que l'on peut obtenir avec un dispositif et calculé comme le demi-écart relatif des vitesses des ondes de surface sur le substrat libre et le substrat métallisé. Ce coefficient est, de façon générale, le paramètre que l'on cherche à maximiser. K2 est un paramètre sans dimensions exprimé en pour cent.
Ces différents paramètres, et en particulier le coefficient de couplage K2 dépendent fortement de l'angle de coupe du cristal piézoélectrique et de la direction de propagation. On peut ainsi obtenir suivant l'angle de coupe pour le Tantalate de Lithium des valeurs de K2 variant entre 0 et 7 comme il est indiqué sur les figures 3a et 3b. La figure 3a représente la variation de K2 en fonction de (ϕ, ψ) à  nul et la figure 3b représente la variation de K2 en fonction de (, ψ) à ϕ nul. Sur ces figures, les discontinuités représentent les zones à l'intérieur desquelles il n'existe pas de mode de propagation possible. Le choix de l'angle de coupe est donc fondamental. Or, les variations des caractéristiques acoustiques en fonction de cet angle ne peuvent se déterminer simplement, par exemple par des considérations sur la structure cristalline. Elles sont également très différentes de celles que l'on obtient pour des matériaux libres utilisés pour les ondes acoustiques de surface.
Le brevet 2 799 906 de Pierre Tournois concernant la réalisation de filtres à ondes acoustiques d'interface donne quelques recommandations générales citées à titre d'exemple permettant de choisir des angles de coupe optimaux. Il est notamment cité dans le cas de l'utilisation du Tantalate de Lithium que les coupes peuvent être prises suivant l'axe cristallographique Y (où Y est tourné d'un certain angle par exemple 175 °).
L'invention propose, quant à elle, une sélection de plages d'angles de coupe optimisés. En effet, elle donne précisément les tolérances sur les angles de coupe ; l'ensemble des angles de coupe optimaux permettant d'obtenir, dans le cas du Tantalate de Lithium, les meilleures caractéristiques possibles, en particulier les valeurs les plus élevées du paramètre K2 ; et enfin les valeurs des caractéristiques principales, permettant d'atteindre les performances attendues.
Les différentes étapes de réalisation des composants sont également décrites.
Dans ce contexte, l'invention a pour objet un dispositif à ondes acoustiques d'interface comprenant :
  • un premier substrat cristallin en Tantalate de Lithium (LiTaO3) ;
  • un second substrat cristallin également en Tantalate de Lithium ;
  • assemblés par une zone d'interface plane servant à la propagation des ondes acoustiques et comprenant au moins les dispositifs de transduction électroacoustiques ;
  • des moyens d'interconnexion permettant de raccorder électriquement lesdits dispositifs de transduction ;
les substrats, référencés dans un repère orthonormé initial (X, Y, Z) avec Z parallèle à l'axe optique, X défini par la piézoélectricité du cristal et Y perpendiculaire à (X, Z), ayant leur plan de coupe identique et une orientation cristalline commune, ledit plan de coupe étant identifié par deux angles de rotation successifs ϕ et , ϕ correspondant à une première rotation autour de l'axe Z, le repère obtenu ainsi étant noté (X', Y', Z') avec Z' confondu avec Z,  représentant une seconde rotation autour de l'axe X', le repère obtenu ainsi étant noté (X", Y", Z"), avec X" confondu avec X' ; la direction de propagation des ondes acoustiques étant définie par un troisième angle ψ pris dans ledit repère (X", Y", Z") représentant une rotation autour de l'axe Y", caractérisé en ce que, pour toute direction de propagation ψ :
  • les angles (ϕ, ) sont compris dans l'une des deux plages angulaires suivantes appelées coupe (0, 0, 0)a et coupe (60, 0, 0)a :
    • coupe (0, 0, 0)a   - 5° ≤ ϕ ≤ + 5°
            - 20° ≤  ≤ + 30°
    • coupe (60, 0, 0)a   + 55° ≤ ϕ ≤ + 65°
            - 30° ≤  ≤ + 20°
Avantageusement, de façon à obtenir les valeurs maximales du coefficient de couplage et à diminuer les pertes d'insertion, il est préférable de travailler dans des plages angulaires restreintes. Dans ce cas, les angles (ϕ, , ψ), pris dans le repère (X", Y", Z"), sont compris dans l'une des deux plages angulaires suivantes appelées coupe (0, 0, 0)b et coupe (60, 0, 0)b :
  • coupe (0, 0, 0)b   - 5° ≤ ϕ ≤ + 5°
          - 10° ≤  ≤ +10°
          -5° ≤ ψ ≤ +5°
  • coupe (60, 0, 0)b   + 55° ≤ ϕ ≤ + 65°
          - 10° ≤  ≤ +10°
          -5° ≤ ψ ≤ +5°
Avantageusement, les épaisseurs des deux substrats sont grandes devant la longueur d'onde acoustique d'utilisation (λ). Dans ces conditions, les ondes acoustiques restent confinées à l'intérieur des deux substrats, ce qui empêche toute perturbation possible de l'extérieur. L'épaisseur de la zone d'interface est, à l'inverse, choisie faible devant cette même longueur d'onde acoustique d'utilisation afin que les perturbations introduites par les caractéristiques mécaniques propres de ladite zone soient négligeables.
Avantageusement, la zone d'interface se présente sous la forme d'une structure stratifiée comprenant au moins les dispositifs de transduction électro-acoustiques ainsi qu'une ou plusieurs couches de matériau diélectrique. Les principaux avantages de ces couches sont de faciliter soit la propagation des ondes, soit l'adhérence du second substrat sur la zone d'interface.
Avantageusement, la zone d'interface comprend uniquement les dispositifs de transduction électro-acoustiques qui sont alors gravés sur une des deux surfaces des substrats en contact, ladite zone d'interface étant alors réduite à un plan d'interface. Dans ces conditions, l'ensemble des deux substrats et de la zone d'interface une fois assemblés est équivalent à un substrat unique à l'intérieur duquel se trouvent les dispositifs de transduction.
Avantageusement, le dispositif peut être utilisé pour toutes les applications accessibles aux dispositifs à ondes acoustiques de surface, notamment comme composant passif de type résonateur ou filtre ou ligne à retard ou dispositif à code de phase.
Enfin, il est possible de l'utiliser, soit dans une chaíne de mesure, soit dans un ensemble de dispositifs fonctionnant suivant le principe des dispositifs codés comme dispositif interrogeable à distance.
L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaítront à la lecture de la description qui va suivre donnée à titre non limitatif et grâce aux figures annexées parmi lesquelles :
  • la figure 1 donne la configuration générale exposée de façon schématique d'un dispositif à ondes d'interface ;
  • la figure 2 donne la représentation géométrique de l'angle de coupe définie par les angles ϕ et  et la représentation de la direction de propagation dans le repère de l'angle de coupe ;
  • les figures 3a et 3b donnent les variations de K2 en fonction de l'angle de coupe et de la direction de propagation pour le Tantalate de Lithium dans les deux configurations suivantes :  nul et ϕ nul ;
  • les figures 4a et 4b donnent la cartographie des variations du coefficient de couplage K2 et de pertes d'insertion en fonction des variations de  et ϕ pour la coupe (0, 0, 0)a à ψ nul ;
  • les figures 5a et 5b donnent la cartographie des variations du coefficient de couplage K2 et de pertes d'insertion en fonction des variations de  et ϕ pour la coupe (60, 0, 0)a à ψ nul ;
  • les figures 6a, 6b et 6c donnent les variations du coefficient de couplage K2 et des pertes d'insertion au voisinage de la coupe (0, 0, 0)a en fonction des variations d'un des trois angles , ϕ et ψ, les deux autres angles étant choisis constants ;
  • les figures 7a, 7b et 7c donnent les variations du coefficient de couplage K2 et des pertes d'insertion au voisinage de la coupe (60, 0, 0)a en fonction des variations d'un des trois angles , ϕ et ψ, les deux autres angles étant choisis constants.
Pour obtenir de bons coefficients de couplage K2, typiquement supérieurs à 3% et des atténuations réduites, pour toutes directions de propagation des ondes dans le plan de l'interface, les angles de coupe (ϕ, ) appartiennent aux plages angulaires suivantes appelées coupe (0, 0, 0)a et coupe (60, 0, 0)a (figures 4a, 4b,5a et 5c) :
  • coupe (0, 0, 0)a   - 5° ≤ ϕ ≤ + 5°
          - 20° ≤  ≤ + 30°
  • coupe (60, 0, 0)a   + 55° ≤ ϕ ≤ + 65°
          - 30° ≤  ≤ + 20°
Pour obtenir des coefficients de couplage K2 optimisés typiquement supérieurs à 6% et des atténuations réduites, typiquement inférieures à 2.10-3, les angles de coupe (ϕ, ) et la direction de propagation ψ appartiennent aux plages suivantes appelées coupe (0, 0, 0)b et coupe (60, 0, 0)b (figures 4a, 4b,5a et 5c) :
  • coupe (0, 0, 0)b   - 5° ≤ ϕ ≤ + 5°
          - 10° ≤  ≤ + 10°
          - 5° ≤ ψ ≤ +5°
  • coupe (60, 0, 0)b   + 55° ≤ ϕ ≤ + 65°
          - 10° ≤  ≤ + 10°
          -5° ≤ ψ ≤ +5°
Le tableau ci-dessous donne pour chaque plage l'angle de coupe en coordonnées (ϕ, , ψ) permettant d'obtenir la valeur maximale du coefficient de couplage K2. Il donne pour cet angle les valeurs des quatre principaux paramètres.
Orientation (ϕ, , ψ) K2 max.en % Vitesse en ms-1 Atténuation en dBλ-1 CFT en ppmC-1
Plage 1 (0, 0, 0) 6.8 4073 -3. 10-6 -22
Plage 2 (60, 0, 0) 6.7 4073 -3. 10-6 -41
Les variations de K2 autour de ces valeurs maximales sont décrites par les figures 6a à 7c.
La réalisation d'un composant à ondes d'interface en Tantalate de Lithium passe par les étapes suivantes :
  • Réalisation de la zone d'interface sur un des deux substrats. Cette réalisation comportant nécessairement la sous-étape de réalisation des peignes d'électrodes,
  • Assemblage et découpage des deux substrats
  • Réalisation des interconnexions électroniques.
La réalisation des peignes d'électrodes se fait soit par un procédé dit des électrodes enterrées, soit par un procédé dit des électrodes déposées.
Dans le premier cas, les principales étapes du procédé sont :
  • Réalisation d'une coupe plane du premier substrat en Tantalate de lithium suivant l'angle de coupe retenu,
  • Gravure des emplacements des électrodes,
  • Dépôt du matériau destiné à réaliser les électrodes, qui peut être de l'aluminium pur ou un alliage d'aluminium permettant de limiter la thermo-migration comme le cuivre titane.
  • Planarisation enfin de façon à ne laisser le matériau qu'aux emplacements de gravure.
Dans le second cas, les principales étapes du procédé sont :
  • Dépôt sur le substrat plan du matériau destiné à réaliser les électrodes.
  • Découpe ensuite de ce matériau pour ne laisser subsister que les électrodes.
  • Dépôt d'une couche C intercalaire entre les électrodes,
  • Surfaçage de la couche C de façon à obtenir une couche plane de l'épaisseur des électrodes.
Dans une variante de réalisation, on peut commencer par déposer la couche C, réaliser dans cette couche des ouvertures aux emplacements des électrodes, déposer le matériau des électrodes sur cette couche et enfin araser de façon à obtenir le résultat précédent. Si l'épaisseur de la couche est suffisamment faible devant la longueur d'onde acoustique, les caractéristiques électro-acoustiques de l'ensemble ne sont que peu modifiées.
Des couches supplémentaires de matériau diélectrique peuvent ensuite être rapportées pour des raisons technologiques ou acoustiques pour compléter la zone d'interface. Ces couches peuvent notamment faciliter le collage entre les deux substrats. L'épaisseur finale de I doit cependant rester faible devant la longueur d'onde acoustique d'utilisation si l'on souhaite conserver les propriétés dues aux angles de coupe des substrats.
Le second substrat qui a été découpé également dans du Tantalate de lithium suivant le même angle de coupe que le premier substrat est ensuite rapporté sur ledit substrat en fin de procédé de fabrication des électrodes. Cet assemblage peut être fait soit par collage moléculaire soit par soudure anodique. Géométriquement, le second substrat a la même orientation cristalline que le premier.
On réalise ensuite les interconnexions électriques. Il existe plusieurs implantations possibles. On citera, à titre d'exemples non limitatifs :
  • Réalisation de l'interconnexion dans le plan de la zone d'interface.
  • Réalisation de l'interconnexion à travers un des deux substrats.

Claims (8)

  1. Dispositif à ondes acoustiques d'interface comprenant :
    un premier substrat cristallin (S1) en Tantalate de Lithium (LiTaO3);
    un second substrat cristallin (S2) également en Tantalate de Lithium ;
    assemblés par une zone d'interface plane (I) servant à la propagation des ondes acoustiques et comprenant au moins les dispositifs de transduction électroacoustiques ;
    des moyens d'interconnexion permettant de raccorder électriquement lesdits dispositifs de transduction ;
    les substrats, référencés dans un repère orthonormé initial (X, Y, Z) avec Z parallèle à l'axe optique, X défini par la piézoélectricité du cristal et Y perpendiculaire à (X, Z), ayant leur plan de coupe identique et une orientation cristalline commune, ledit plan de coupe étant identifié par deux angles de rotation successifs ϕ et , ϕ correspondant à une première rotation autour de l'axe Z, le repère obtenu ainsi étant noté (X', Y', Z') avec Z' confondu avec Z,  représentant une seconde rotation autour de l'axe X', le repère obtenu ainsi étant noté (X", Y", Z"), avec X" confondu avec X' ; la direction de propagation des ondes acoustiques étant définie par un troisième angle ψ pris dans ledit repère (X", Y", Z") représentant une rotation autour de l'axe Y", caractérisé en ce que, pour toute direction de propagation ψ :
    les angles de coupe (ϕ, ) sont compris dans l'une des deux plages angulaires suivantes appelées coupe (0, 0, 0)a et coupe (60, 0, 0)a :
    coupe (0, 0, 0)a   - 5° ≤ ϕ ≤ + 5°
          - 20° ≤  ≤ + 30°
    coupe (60, 0, 0)a   + 55° ≤ ϕ ≤ + 65°
          - 30° ≤  ≤ + 20°
  2. Dispositif à ondes acoustiques selon la revendication 1, caractérisé en ce que les angles (ϕ, , ψ) pris dans le repère (X", Y", Z") sont compris dans l'une des deux plages angulaires suivantes appelées coupe (0, 0, 0)b et coupe (60, 0, 0)b :
    coupe (0, 0, 0)b   - 5° ≤ ϕ ≤ + 5°
          - 10° ≤  ≤ +10°
          - 5° ≤ ψ ≤ +5°
    coupe (60, 0, 0)b   + 55° ≤ ϕ ≤ + 65°
          - 10° ≤  ≤ + 10°
          - 5° ≤ ψ ≤ +5°
  3. Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que les épaisseurs des deux substrats sont grandes devant la longueur d'onde acoustique d'utilisation (λ) et l'épaisseur de la zone d'interface est faible devant la longueur d'onde acoustique d'utilisation (λ).
  4. Dispositif selon l'une des revendications 1, 2 ou 3, caractérisé en ce que la zone d'interface se présente sous la forme d'une structure stratifiée comprenant au moins les dispositifs de transduction électro-acoustiques ainsi qu'une ou plusieurs couches de matériau diélectrique.
  5. Dispositif selon l'une des revendications 1, 2 ou 3, caractérisé en ce que la zone d'interface comprend uniquement les dispositifs de transduction électro-acoustiques qui sont alors gravés sur une des deux surfaces des substrats en contact, ladite zone d'interface étant alors réduite à un plan d' interface.
  6. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit dispositif est un composant passif de type résonateur ou filtre ou ligne à retard ou dispositif à code de phase.
  7. Capteur de mesure composé d'une chaíne de dispositifs caractérisé en ce que ladite chaíne comprend au moins un dispositif selon l'une des revendications précédentes.
  8. Dispositif fonctionnant suivant le principe des codes de phase et composé d'une chaíne de dispositifs caractérisé en ce que ladite chaíne comprend au moins un dispositif selon l'une des revendications précédentes.
EP03752668A 2002-03-19 2003-03-11 Dispositif a ondes acoustiques d' interface en tantalate de li thium Expired - Lifetime EP1500191B1 (fr)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0203385A FR2837636B1 (fr) 2002-03-19 2002-03-19 Dispositif a ondes acoustiques d'interface en tantalate de lithium
FR0203385 2002-03-19
PCT/FR2003/000779 WO2003098800A2 (fr) 2002-03-19 2003-03-11 Dispositif a ondes acoustique d'interface en tantalate de lithium

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP1500191A2 EP1500191A2 (fr) 2005-01-26
EP1500191B1 true EP1500191B1 (fr) 2005-10-05

Family

ID=27799062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP03752668A Expired - Lifetime EP1500191B1 (fr) 2002-03-19 2003-03-11 Dispositif a ondes acoustiques d' interface en tantalate de li thium

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7126251B2 (fr)
EP (1) EP1500191B1 (fr)
JP (1) JP2005528031A (fr)
KR (1) KR100902802B1 (fr)
CN (1) CN100490317C (fr)
AU (1) AU2003246759A1 (fr)
DE (1) DE60301794T2 (fr)
FR (1) FR2837636B1 (fr)
WO (1) WO2003098800A2 (fr)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3894917B2 (ja) * 2003-11-12 2007-03-22 富士通メディアデバイス株式会社 弾性境界波デバイス及びその製造方法
FR2864618B1 (fr) * 2003-12-24 2006-03-03 Temex Sa Capteur de temperature ou de temperature et de pression interrogeable a distance
JP4001157B2 (ja) * 2005-07-22 2007-10-31 株式会社村田製作所 弾性境界波装置
DE102005055871A1 (de) * 2005-11-23 2007-05-24 Epcos Ag Elektroakustisches Bauelement
DE102006019961B4 (de) * 2006-04-28 2008-01-10 Epcos Ag Elektroakustisches Bauelement
FR2907284B1 (fr) * 2006-10-17 2008-12-19 Senseor Soc Par Actions Simpli Procede de fabrication collective de capteurs sans calibrage a base de dispositif a ondes acoustiques
FR2917918B1 (fr) * 2007-06-19 2010-03-12 Senseor Resonateur a ondes de surface a resonance parasite reduite
FR2925696B1 (fr) * 2007-12-21 2011-05-06 Senseor Capteur passif a ondes de surface comportant une antenne integree et applications medicales utilisant ce type de capteur passif
JP4600692B2 (ja) * 2007-12-28 2010-12-15 エプソントヨコム株式会社 水晶振動片、水晶デバイス、および水晶振動片の製造方法
US8085117B1 (en) 2009-07-29 2011-12-27 Triquint Semiconductor, Inc. Slotted boundary acoustic wave device
FR2951335A1 (fr) 2009-10-09 2011-04-15 Senseor Transpondeur a modes resonants couples integrant une charge variable
FR2958417B1 (fr) 2010-04-06 2012-03-23 Senseor Procede d'interrogation rapide de capteurs d'ondes elastiques
CN103117722A (zh) * 2013-02-28 2013-05-22 铜陵嘉禾电子科技有限公司 一种晶体谐振器自动上片装置
FR3079053B1 (fr) * 2018-03-16 2020-03-27 Frec'n'sys Substrats composites pour les dispositifs d'etiquette a ondes acoustiques de surface pour applications de rfid et de capteurs
CN110672715A (zh) * 2019-09-24 2020-01-10 南京邮电大学 一种新型声表面波传感器

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2145750A5 (fr) * 1971-07-09 1973-02-23 Thomson Csf
JPS57181220A (en) * 1981-05-01 1982-11-08 Fujitsu Ltd Piezoelectric oscillator
JPS59182617A (ja) * 1983-03-31 1984-10-17 Fujitsu Ltd リチウムタンタレ−ト振動子
FR2628265B1 (fr) 1987-03-06 1990-12-21 Thomson Csf Antenne directive a transducteurs multiples notamment pour sonar
US5081389A (en) * 1990-11-30 1992-01-14 Ascom Zelcom Ag. Crystal cut angles for lithium tantalate crystal for novel surface acoustic wave devices
FR2682833B1 (fr) 1991-10-18 1993-12-03 Thomson Csf Filtre a ondes de surface et a trajet acoustique replie.
JP3244094B2 (ja) * 1992-03-13 2002-01-07 キンセキ株式会社 弾性表面波装置
AT401837B (de) * 1993-03-04 1996-12-27 Avl Verbrennungskraft Messtech Piezoelektrisches kristallelement
US5703427A (en) 1993-03-19 1997-12-30 Thomson-Csf Surface-wave distributed acoustic reflection transducer and filter including such a transducer
JPH08250972A (ja) * 1995-03-07 1996-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表面弾性波マッチドフィルタ
FR2739232B1 (fr) 1995-09-26 1997-10-24 Thomson Csf Filtre a ondes acoustiques de surface utilisant le couplage de trois voies acoustiques
FR2740933B1 (fr) 1995-11-03 1997-11-28 Thomson Csf Sonde acoustique et procede de realisation
FR2740908B1 (fr) 1995-11-07 1997-11-28 Thomson Csf Transducteur a ondes acoustiques de surface attaque en differentiel
FR2762458B1 (fr) 1997-04-18 1999-07-09 Thomson Csf Dispositif a ondes acoustiques de surface a couplage par proximite a entrees/sorties differentielles
JPH10335974A (ja) * 1997-05-29 1998-12-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性境界波素子
US5905325A (en) * 1998-01-06 1999-05-18 Sawtek Inc. Optimal cut for saw devices on langanite
FR2774826B1 (fr) 1998-02-06 2000-05-05 Thomson Csf Filtre a resonateurs a ondes acoustiques de surface
JP2000114873A (ja) * 1998-09-29 2000-04-21 Seiko Epson Corp Ｓａｗ発振器の温度補償方法、温度補償型ｓａｗ発振器、並びにその発振器を用いた送信機および受信機
FR2785473B1 (fr) 1998-10-30 2001-01-26 Thomson Csf Filtre faibles pertes a ondes acoustiques de surface sur substrat de quartz de coupe optimisee
DE10006241A1 (de) * 1999-02-23 2001-02-08 Siemens Ag Substratplättchen aus Langasit/Langatat mit einem Kristallschnitt mit hohem Kopplungsfaktor und niedriger Ausbreitungsgeschwindigkeit für Oberflächenwellen
JP3485833B2 (ja) * 1999-03-25 2004-01-13 三洋電機株式会社 弾性表面波デバイス
FR2799906B1 (fr) * 1999-10-15 2002-01-25 Pierre Tournois Filtre a ondes acoustiques d'interface notamment pour les liaisons sans fil
CN1221074C (zh) * 1999-11-16 2005-09-28 三菱电机株式会社 弹性波装置
JP3780947B2 (ja) * 2002-01-18 2006-05-31 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP2004165879A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 Alps Electric Co Ltd 弾性表面波素子

Also Published As

Publication number Publication date
EP1500191A2 (fr) 2005-01-26
DE60301794D1 (de) 2005-11-10
CN1757160A (zh) 2006-04-05
WO2003098800A2 (fr) 2003-11-27
CN100490317C (zh) 2009-05-20
AU2003246759A1 (en) 2003-12-02
FR2837636B1 (fr) 2004-09-24
US20050162048A1 (en) 2005-07-28
AU2003246759A8 (en) 2003-12-02
US7126251B2 (en) 2006-10-24
DE60301794T2 (de) 2006-07-06
JP2005528031A (ja) 2005-09-15
WO2003098800A3 (fr) 2004-05-27
FR2837636A1 (fr) 2003-09-26
KR20040111423A (ko) 2004-12-31
KR100902802B1 (ko) 2009-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1500191B1 (fr) Dispositif a ondes acoustiques d' interface en tantalate de li thium
EP3859800B1 (fr) Structure hybride pour dispositif a ondes acoustiques de surface
EP2628242B1 (fr) Filtre passe bande à ondes acoustiques comprenant un guidage acoustique intégré avec conversion d'impédance et/ou de mode
FR3033462A1 (fr) Dispositif a ondes elastiques de surface comprenant un film piezoelectrique monocristallin et un substrat cristallin, a faibles coefficients viscoelastiques
EP2909932B1 (fr) Transducteur a ondes de volume guidees en surface par des structures d'excitation synchrone
EP1222735B1 (fr) Filtre a ondes acoustiques d'interface notamment pour les liaisons sans fil
EP2301150B1 (fr) Resonateur hbar a stabilite en temperature elevee
FR2484735A1 (fr) Resonateur a ondes acoustiques de surface
FR3079053A1 (fr) Substrats composites pour les dispositifs d'etiquette a ondes acoustiques de surface pour applications de rfid et de capteurs
EP1854210A1 (fr) Dispositif a ondes acoustiques haute frequence
EP0998037B1 (fr) Filtre faibles pertes à ondes acoustiques de surface sur substrat de quartz de coupe optimisée
EP2351214B1 (fr) Elements de filtres par couplage transverse sur structures resonantes a ondes de volume a resonances harmoniques multiples
EP2665999B1 (fr) Capteur de température comportant un résonateur à ondes de volumes à modes harmoniques élevés
EP2156554B1 (fr) Resonateur a ondes de surface a resonance parasite reduite
EP2764617A1 (fr) Résonateurs à ondes de volume sur structures verticales micro-usinées
FR3079667A1 (fr) Dispositif d'onde acoustique de surface sur substrat composite
EP2291911B1 (fr) Résonateur hbar à intégration élevée
WO2003088482A1 (fr) Module comprenant des composants a ondes acoustiques d'interface
US11588463B2 (en) Surface acoustic wave devices with ultra-thin transducers
FR2479608A1 (fr) Dispositif a onde acoustique de surface et procede de production
CN114584097A (zh) 声表面波谐振器及其制造方法、以及声表面波滤波器

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20041129

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LI LU MC NL PT RO SE SI SK TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: AL LT LV MK

GRAP Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1

GRAS Grant fee paid

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR3

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): DE FR

RIN1 Information on inventor provided before grant (corrected)

Inventor name: BALLANDRAS, SYLVAINTHALES INTELLECTUAL PROPERTY

Inventor name: LAUDE, VINCENTTHALES INTELLECTUAL PROPERTY

Inventor name: PASTUREAUD, THOMASTHALES INTELLECTUAL PROPERTY

Inventor name: SOLAL, MARCTHALES INTELLECTUAL PROPERTY

Inventor name: CAMOU, SERGETHALES INTELLECTUAL PROPERTY

Inventor name: CALISTI, SERGETHALES INTELLECTUAL PROPERTY

REF Corresponds to:

Ref document number: 60301794

Country of ref document: DE

Date of ref document: 20051110

Kind code of ref document: P

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

26N No opposition filed

Effective date: 20060706

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Payment date: 20090317

Year of fee payment: 7

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: ST

Effective date: 20101130

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20100331

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R082

Ref document number: 60301794

Country of ref document: DE

Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER, PATENTANWALTSGESELLSCH, DE

Ref country code: DE

Ref legal event code: R081

Ref document number: 60301794

Country of ref document: DE

Owner name: EPCOS AG, DE

Free format text: FORMER OWNER: THALES, PARIS, FR

Ref country code: DE

Ref legal event code: R081

Ref document number: 60301794

Country of ref document: DE

Owner name: SNAPTRACK, INC., SAN DIEGO, US

Free format text: FORMER OWNER: THALES, PARIS, FR

Ref country code: DE

Ref legal event code: R082

Ref document number: 60301794

Country of ref document: DE

Representative=s name: BARDEHLE PAGENBERG PARTNERSCHAFT MBB PATENTANW, DE

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R082

Ref document number: 60301794

Country of ref document: DE

Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER, PATENTANWALTSGESELLSCH, DE

Ref country code: DE

Ref legal event code: R081

Ref document number: 60301794

Country of ref document: DE

Owner name: EPCOS AG, DE

Free format text: FORMER OWNER: TEMEX SA, VALBONNE, SOPHIA ANTIPOLIS, FR

Ref country code: DE

Ref legal event code: R081

Ref document number: 60301794

Country of ref document: DE

Owner name: SNAPTRACK, INC., SAN DIEGO, US

Free format text: FORMER OWNER: TEMEX SA, VALBONNE, SOPHIA ANTIPOLIS, FR

Ref country code: DE

Ref legal event code: R082

Ref document number: 60301794

Country of ref document: DE

Representative=s name: BARDEHLE PAGENBERG PARTNERSCHAFT MBB PATENTANW, DE

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R082

Ref document number: 60301794

Country of ref document: DE

Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER, PATENTANWALTSGESELLSCH, DE

Ref country code: DE

Ref legal event code: R081

Ref document number: 60301794

Country of ref document: DE

Owner name: EPCOS AG, DE

Free format text: FORMER OWNER: TEMEX SAS, VALBONNE, FR

Ref country code: DE

Ref legal event code: R081

Ref document number: 60301794

Country of ref document: DE

Owner name: SNAPTRACK, INC., SAN DIEGO, US

Free format text: FORMER OWNER: TEMEX SAS, VALBONNE, FR

Ref country code: DE

Ref legal event code: R082

Ref document number: 60301794

Country of ref document: DE

Representative=s name: BARDEHLE PAGENBERG PARTNERSCHAFT MBB PATENTANW, DE

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R082

Ref document number: 60301794

Country of ref document: DE

Representative=s name: BARDEHLE PAGENBERG PARTNERSCHAFT MBB PATENTANW, DE

Ref country code: DE

Ref legal event code: R081

Ref document number: 60301794

Country of ref document: DE

Owner name: SNAPTRACK, INC., SAN DIEGO, US

Free format text: FORMER OWNER: EPCOS AG, 81669 MUENCHEN, DE

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 20190215

Year of fee payment: 17

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R119

Ref document number: 60301794

Country of ref document: DE

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20201001