WO2006084408A1 - Mikrowelleneinheit - Google Patents

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WO2006084408A1
WO2006084408A1 PCT/CH2006/000081 CH2006000081W WO2006084408A1 WO 2006084408 A1 WO2006084408 A1 WO 2006084408A1 CH 2006000081 W CH2006000081 W CH 2006000081W WO 2006084408 A1 WO2006084408 A1 WO 2006084408A1
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WO
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unit
microwave
radiation
reflector unit
housing
Prior art date
Application number
PCT/CH2006/000081
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English (en)
French (fr)
Inventor
Adrian Haldimann
Patrick Linder
Original Assignee
Technomedica Ag
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Filing date
Publication date
Priority claimed from PCT/CH2005/000071 external-priority patent/WO2005078411A1/de
Application filed by Technomedica Ag filed Critical Technomedica Ag
Priority to DE112006000336T priority Critical patent/DE112006000336A5/de
Priority to US11/815,773 priority patent/US20090021328A1/en
Publication of WO2006084408A1 publication Critical patent/WO2006084408A1/de

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B9/00Generation of oscillations using transit-time effects
    • H03B9/12Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
    • H03B9/14Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B9/145Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance the frequency being determined by a cavity resonator, e.g. a hollow waveguide cavity or a coaxial cavity
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S1/00Masers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the microwave range
    • H01S1/06Gaseous, i.e. beam masers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/102Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation

Definitions

  • the present invention relates to a device with a cavity resonator for generating or. Detecting microwaves.
  • Microwave units for generating microwave radiation have been known since the 1950's, with the generated microwave beams being denoted by the acronym MASER, which stands for Microwave Amplification by Stimmulated Emission of Radiation. C. H . Townes developed at this time the first MASER and filed for this patent applications, which belong to the U. S. Patent Nos. 2,229,922 and 2,879,439.
  • DE-I 566 036 which also describes a high-frequency MASER.
  • the known microwave units are all characterized by a relatively large size and a relatively low efficiency.
  • the present invention is therefore based on the object, a device for generating or. Detecting microwave to provide, which does not have the disadvantages mentioned above.
  • This object is achieved by the measures specified in the characterizing part of patent claim 1.
  • Advantageous embodiments of the invention are specified in further claims.
  • the housing has a radiation opening, the reflector unit, the microwave unit, the partially reflecting reflector unit and the radiation opening lie on a radiation axis, wherein the microwave unit between the
  • Reflector units is arranged, a distance between the reflector unit and the partially reflecting reflector unit of a to be generated or. corresponds to a wavelength to be detected or the multiple of this wavelength and a dimension transverse to the radiation axis is at least a quarter of the wavelength, is a device for generating or. Detecting microwave created, which in particular has the following advantages:
  • the efficiency which is calculated from the radiated microwave energy and the energy used, has been significantly improved over conventional devices based on a cavity resonator.
  • the cost of generating microwave radiation high energy density is low.
  • the microwave beam generated by the invention has, when used in a directional beam connection compared to conventional beam links significantly less loss of distance.
  • the frequency of the cavity resonator can be changed mechanically and electrically in a certain range, for example from 9 to 12 GHz, and tuned to fixed frequencies in this range.
  • Fig. 1 shows a variant of an inventive device in perspective and with the side wall removed
  • FIG. 2 shows a Gunn diode as used in the device according to the invention according to FIG. 1 is used
  • Fig. 3A and 3B show a known and a particular embodiment of the electronic component (chip) of the Gunn diode according to FIG. 2,
  • Fig. 5 in a schematic representation, a part of a microwave unit in a section parallel to a longitudinal axis
  • Fig. 6 shows a cavity resonator with a further embodiment for a part of a microwave unit
  • Fig. 7 shows a detailed view of the further embodiment for the part of the microwave unit according to FIG. 6
  • Fig. 8 shows a detailed view according to FIG. 7 of a third embodiment for a part of a microwave unit
  • Fig. 9 shows the microwave unit according to FIG. 5 with a device for aligning the microwave beam
  • Fig. 10 shows a variant embodiment with a separate receiver diode.
  • Fig. 1 shows an inventive device for producing or. Detection of microwaves in a perspective view, wherein a side wall of a Housing 3 is transparent, so that the view for the viewer is released into the interior of the housing 3.
  • the housing 3 forms a cuboid cavity resonator whose longitudinal axis coincides with a radiation axis 14.
  • a reflector unit 11, a microwave unit 9, a partially transparent reflector unit 5 and a radiation opening 13 leading through the housing 3 are arranged.
  • the cavity 3 forming the cavity consists of a microwave-reflecting material, preferably a metal such as tinplate, whose thickness is at least 0.3 mm, preferably greater than 0.5 mm.
  • the microwave unit 9 is arranged between the reflector unit 11 and the partially transmissive reflector unit 5, wherein a front panel 4 with the radiation opening 13 terminates the cavity resonator on the side of the partially transmissive reflector unit 5.
  • the distance between the reflector unit 11 and the partially transmissive reflector unit 5 must be set equal to the wavelength to be generated or detected or the multiple of this wavelength.
  • the dimension transverse to the radiation axis 14 also corresponds to at least a quarter of this wavelength.
  • Fig. 1 shows a cuboid cavity resonator.
  • a cylindrical cavity resonator is equally suitable.
  • a so-called Gunn diode is used as the microwave unit 9.
  • a standard Gunn diode with the designation MG1005-11 from MDT can be used.
  • This Gunn diode generates a microwave signal with a frequency of 9.35 GHz at a power of 50 mW and consists of a gold-plated anode, a gold-plated cathode, a ceramic hollow body, a bonding wire and a preferably GaAs-based chip with an area of approx. 0.36 mm 2 at a height of 0.04 mm.
  • the cathode 10 of the Gunn diode is guided through the housing 3 for contacting to the outside, the anode is guided via a feedthrough capacitor 2 to the outside, wherein the cathode 10 is connected to the housing 3, while the anode through the feedthrough capacitor 2 from the housing 3 is isolated.
  • the microwave unit 9 is located approximately in the middle of one of the halves (here the left half) of the cavity resonator.
  • a polarization unit consisting of two wires 7 is provided, which are arranged substantially parallel to the radiation axis 14 and which are provided with an outside of the cavity resonator Energy source is operatively connected.
  • the wires 7 are made of steel, for example, and have a diameter of 0.03 mm, for example.
  • a further feedthrough capacitor 8 is provided which allows energy transfer into the gas-tight cavity resonator.
  • two wire holder elements 6a, 6b are provided, wherein the one wire holding member 6a in the region of the partially transmitting reflector unit 5 and the other wire holding element ⁇ b is arranged in the central region of the cavity, where the further feedthrough capacitor 8 is located.
  • wires 7 is another form of electrical conductors for the realization of
  • Polarization unit conceivable.
  • laterally mounted and mutually insulated plates made of metal can be used. It is also conceivable to equip any sections parallel to the radiation axis 14 with electrical conductors.
  • the reflector unit 11 is - as shown in FIG. 1 is apparent - adjustable, d. H . the reflector unit 11 is displaceable along the radiation axis 14.
  • the reflector unit 11 in an experimental setup according to the invention shown here consists of a grub screw with a reflective layer, wherein the corresponding counter thread to the thread of the grub screw in a for Housing 3 belonging back plate 12 is recessed, so that a vote of the cavity resonator can be made from the outside.
  • a precise adjustment to the dimensions already mentioned can hereby be mechanically controlled in a completely assembled device according to the invention in a simple manner - or, if the modification is suitable, also electrically.
  • the housing 3 has two spaced-apart, closable openings 1.
  • the one of the openings 1 - as shown in FIG. 1 - arranged in the region of the reflector unit 11 and the other in the region of the partially transparent reflector unit 5.
  • the openings 1 serve to introduce a noble gas (for example argon) or a gas mixture into the cavity, in which case one of the openings 1 is used as an inlet and the other as an outlet.
  • a noble gas for example argon
  • the openings 1 For flooding the interior of the housing 3 or. of the cavity resonator as long as the selected inert gas is left through the inlet until at the outlet only the selected noble gas is detected. Then the openings 1 are closed.
  • the openings 1 are preferably closed only when the adjustment, ie. H . the displacement of the reflector unit 11 or the reflective layer attached thereto is completed and the thread gap is closed, which can be done with a paint.
  • FIG. 2 shows a Gunn diode 9, as used in the device according to the invention according to FIG. 1 is used.
  • This Gunn diode 9 is based on a standard Gunn diode with the commercial designation MDT / MG1005-11 and has a cathode 21, a bonding wire 22 connecting the cathode 21 to a chip 24, the chip 24 also referred to as an electronic component, which is a GaAs effect semiconductor chip, and the anode 25 on.
  • Fig. 3A shows the chip 24 contained in the standard Gunn diode, which has a radiation direction according to FIG. 4A. Accordingly, the standard Gunn diode radiates the same in all directions.
  • Fig. 3B shows a chip used in a modified Gunn diode.
  • the parallelepiped chip 24 only two opposite sides, namely the sides D and B, are radiation-transmissive, so that an alignment of the microwaves already produced takes place in this Gunn diode. Accordingly, in FIG. 4B, the radiation directions can be seen, which, in contrast to the standard Gunn diode, now point only in the directions B and D.
  • the modified Gunn diode in a further embodiment of the inventive device is now the modified Gunn diode, as has been explained with reference to FIGS. 3B and 4B, in Cavity resonator used, namely, the modified Gunn diode is positioned so that the radiation directions coincide with the radiation axis 14.
  • a maximum efficiency is achieved, which is shown in the inventive device by a higher energy output with constant power consumption.
  • Fig. 5 shows a further embodiment of the device described in connection with FIG.
  • the microwave unit 9 (FIG. 1) has a carrier unit 200 made of a loadable material, for example brass or platinum. This can possibly be absorbed high forces.
  • Various control lines with corresponding contact points for controlling the individual layers from a control unit are shown in FIG. 5 not shown.
  • a Gunn diode 202 is used, which is based on the Gunn effects (John Gunn, 1963). based diode, which is used in a known manner for generating microwaves. Further information on the Gunn effect and on Gunn diodes is by way of reference to the standard work of Donald Christiansen entitled “Electronics Engineers'Handbook” (McGraw-Hill, fourth edition, 1997, pages 12.71 and 12.79 and 12.80). This publication also specifies other standard works on this subject.
  • the Gunn diode 202 is clamped between the first and second insulating layers 201 and 203, respectively.
  • the frequency of the microwaves generated by the Gunn diode 202 can now be adjusted. It has been found that this device can be used to set frequencies in the range of 8.7 to 12 GHz.
  • the frequency shift occurs on the one hand by the pressure on the Gunn diode 202 (i.e., the so-called "die") itself, which on the one hand causes a material change in the interior of the Gunn diode 202 as a result of the molecular oscillation change - similar to a strong temperature change -, on the other hand by a change of the capacity by one
  • the pressure generating element 204 is in a further embodiment of the microwave unit 9 with a known, so-called PLL (Phase Locked Loop) or FLL (Frequency-Locked-Loop). Provided.
  • PLL Phase Locked Loop
  • FLL Frequency-Locked-Loop
  • a window for the exit of the microwaves is designated laterally of the Gunn diode 202.
  • the window 206 is preferably obtained by a suitable impurity doping. This allows a controlled leakage of microwaves from the Gunn diode 202.
  • GaAs gallium arsenide
  • the diameter of the window 206 is, for example, approx. 10 ⁇ m and the depth of the doping, for example, 32 nm.
  • the +/- terminals in FIG. 5, wherein an electrical contact on the "+" - connection in the window 206 and an electrical contact on the "-" - connection outside the window 206 takes place.
  • Fig. 6 is an embodiment with a part of the microwave unit 9 according to FIG. 2 shown schematically.
  • this part of the microwave unit can also be the part of the microwave unit 9, as shown in FIG. 7 or 8 is shown, and as a further variant according to FIG. 5 correspond.
  • any known device with which microwaves can be generated can be used as part of the microwave unit in the above sense.
  • 250 of the cavity resonator is designated, in which also the reference to FIG. 5 explained parts of
  • FIG. 6 shows a to FIG. 1 alternative embodiment, which is described in detail with reference to FIG. 7 will be described.
  • the cavity resonator 250 is made of metal and has an outlet opening 206, through which the microwaves emerge in the propagation direction 205 from the cavity resonator 250.
  • a ceramic body 234 projecting from above into the interior of the cavity 250
  • a body 235 projecting from below into the interior of the cavity 250, wherein the upper ceramic body 234 and the body 235 are aligned ie have a common axis, but do not touch each other.
  • a further ceramic body 236 is further arranged, which with reference to the detail view according to FIG. 7 is explained.
  • the body 235 is made of a metal, such as brass or copper, and serves as a cathode, or anode, depending on the design of the Gunn diode used. At the same time, excess heat can be dissipated via the body 235. From Fig. 7, which shows a detailed view A according to FIG. 6, it can be seen that the lower body 235 is used as a carrier element for the following units resp. Layers is (order starting from the body 235):
  • a contact layer 203 of a metal for example of silver or copper
  • a control line 231 is provided, which is connected to a contact point 232 on the further body 236.
  • the contact point 232 is guided out of the cavity resonator 250 via an electrical conductor contained in the further body 236, whereby the possibility for controlling the pressure generating element 204 from outside the cavity resonator 250 is given.
  • the Gunn diode 202 arranged above the contact layer 203 is furthermore connected via a contact loop 230 to the ceramic body 234, which simultaneously serves as a feed-through capacitor and makes it possible to contact the Gunn diode 202 from outside the cavity resonator 250.
  • the Gunn diode 202 is mounted on the contact layer 203 and the pressure generating element 204.
  • the frequency of the microwaves generated by the Gunn diode 202 can now, for example, as shown in a test device according to the invention be set between 8.7 and 12 GHz.
  • the frequency shift takes place on the one hand by the capacitive change due to a change in distance between Gunn diode 202 and acting as a cathode body 235, on the other hand by the change in position relative to acting as a feedthrough ceramic body 234.
  • On the pressure generating element 204 is thus given the opportunity to reduce the frequency to precisely adjust and adjust microwaves generated by the Gunn diode 202.
  • This embodiment also differs from known microwave units in that the frequency of the microwaves generated can be adjusted electronically.
  • Another advantage of this embodiment is the very small size, for example, 2 x 1 x 1 mm for the outer dimensions of the cavity resonator 250, which identifies only three ports, namely V Gnd , V GU nn and Vpi ezo f where V Gnd the common Erd- or ground potential, V Gunn of the supply voltage or. the signal tap of the Gunn diode and Vpiez o the supply voltage of the pressure generating element and the associated tuning of the resonant circuit corresponds.
  • the self-contained resonant cavity has a low susceptibility to external influences, since all HF-containing components are contained in the cavity resonator. This fact makes it ideal for use in micro sensor technology. As already mentioned in connection with the comments on the embodiment according to FIG.
  • the set frequency of the microwaves to be transmitted can be kept constant by means of so-called PLL (phase-locked loop) or FLL (frequency-locked loop) circuits, which of course is also conceivable in this embodiment is.
  • PLL phase-locked loop
  • FLL frequency-locked loop
  • Fig. 8 shows a comparison with the embodiment according to FIG. 7 supplemented with an additional inductance and an additional capacity variant. This prevents that high - frequency signal components or. Microwaves can escape from the cavity at undesirable locations. At the same time an undesirable resonating the piezoelectric element or other moving bodies is prevented. Otherwise, the embodiment according to FIG. 8 with derj enigen according to FIG. 7 identical.
  • Fig. Figure 9 shows the carrier unit 200 in side view, again with 205 identifying the microwave beam generated in the Gunn diode 202 ( Figure 5).
  • the carrier unit 200 By embedding the carrier unit 200 with displacement elements 207 to 209, which can each be formed from a piezo element, the carrier unit 200 can be displaced or tilted as a whole. In other words, the direction of the microwave steel 205 can be adjusted. With it the largest possible area can be covered with the microwave beam, the displacement element 207 and its counterpart (not visible in Fig. 8 for covering by the displacement element 207) in the region of the outlet opening of the microwave beam are mounted. With these displacement elements 208, the carrier unit 200 can be moved perpendicular to the plane of the drawing according to the arrows marked 210, which are perpendicular to the plane of the drawing.
  • the two further displacement elements 208 and 209 are arranged at the opposite end of the carrier unit 200, in such a way that the carrier unit 200 in the drawing plane of FIG. 9 can be moved according to the arrows marked 211.
  • the displacement members 208 and 209 act on two of the parallel surfaces of the carrier unit 200, while the displacement member 207 and its counterpart act on the other two of the parallel surfaces of the parallelepiped carrier unit 200.
  • the displacement elements 207 to 209 are preferably provided on the outer sides with a silver layer. This allows easy contacting with control lines 220 to 222 by means of known bonding technology.
  • a reference terminal 223 is provided for establishing a reference potential.
  • the reference terminal 223 with the carrier unit 200 preferably in turn connected by means of the bonding technique.
  • the microwave beam can be tilted about two axes, so that a cone of approx. 2.5 ° can be traveled. If further displacement elements are used, which act on the third surface pair of the carrier unit 200, a translatory movement in a third axis can additionally be obtained.
  • MEMS Micro-Electro-Mechanical Systems
  • the MEMS technology enables the integration of mechanical elements, sensors, actuators and electronics on the same silicon substrate using microfabrication technologies. While electronic devices are fabricated using integrated circuit (IC) fabrication techniques, such as CMOS, bipolar, or BICMOS processes, micromechanical components are fabricated using compatible micromechanical processes that either etch or etch certain portions of a silicon wafer new structural layers may be added to form the mechanical and optionally micromechanical devices.
  • IC integrated circuit
  • FIG. 10 shows a variant embodiment with a separate receiver diode 237, which receives the reflecting microwaves 238 and, due to the mixing effect known per se, transfers them to a lower frequency range.
  • the receiver diode 237 is offset with respect to the radiation axis 14 (FIG. H . It must be ensured that the receiver diode 237 does not absorb or expose the radiation. undesirably reflected or. changed.
  • a receiver diode 237 is particularly suitable a so-called Schottky diode, a so-called pin diode or a tunnel diode. Other components that can receive microwaves can also be used.
  • the device according to the invention can be used both as a transmitting unit and as a receiving unit. This is both with an additional receiver diode - as shown in FIG. 10 - as well as without a receiver diode possible.
  • the device according to the invention can be used, for example, in the following fields:
  • - Medical application for example as a scalpel or for a targeted removal of damaged heart tissue.
  • Bacteria are contained in a solid, liquid or gaseous medium.
  • microcracks can be detected with high reliability.
  • a transmitter in the living organism and a receiver are positioned outside the organism. Between the transmitter and the receiver data from the living organism is obtained by means of HF (High Frequency) communication. So it is conceivable that instead of a Colonoscopy (endoscopy) an autonomous measuring and transmitting unit is administered in pill form, which sends from the inside of the intestine - for example by surface scanning - predefined data that sends the data to the external receiving station for recording and / or processing.
  • HF High Frequency

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Abstract

Es ist eine Vorrichtung mit einem Hohlraumresonator angegeben, der aus einem Gehäuse (3, 4, 12) aus elektrisch leitendem Material besteht. Im Gehäuse (3, 4, 12) sind eine Reflektoreinheit (11), eine Mikrowelleneinheit (9) und eine teildurchlässige Reflektoreinheit (5) vorgesehen, wobei das Gehäuse (4) eine Strahlungsöffnung (13) aufweist. Die Reflektoreinheit (11), die Mikrowelleneinheit (9), die teildurchlässige Reflektoreinheit (5) und die Strahlungsöffnung (13) liegen auf einer Strahlungsachse (14), wobei die Mikrowelleneinheit (9) zwischen den Reflektoreinheiten (5, 11) angeordnet ist. Ferner entspricht ein Abstand zwischen der Reflektoreinheit (11) und der teildurchlässigen Reflektoreinheit (5) einer zu erzeugenden bzw. zu detektierenden halben Wellenlänge oder dem Mehrfachen dieser halben Wellenlänge. Gleichzeitig ist eine Abmessung quer zur Strahlungsachse (14) mindestens ein Viertel der Wellenlänge.

Description

Mikrowelleneinheit
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung mit einem Hohlraumresonator zum Erzeugen bzw . Detektieren von Mikrowellen .
Mikrowelleneinheiten zur Erzeugung von Mikrowellenstrahlen sind seit den 50-er Jahren bekannt, wobei die erzeugten Mikrowellenstrahlen mit dem Akronym MASER bezeichnet wurden, das für Microwave Amplification by Stimmulated Emission of Radiation steht . C . H . Townes entwickelte zu dieser Zeit die ersten MASER und reichte hierfür Patentanmeldungen ein, die zu den U . S . -Patenten mit den Veröffentlichungsnummern US-2 929 922 und US-2 879 439 führten .
Des Weiteren wird auf DE-I 566 036 verwiesen, in der ebenfalls ein Hochfrequenz-MASER beschrieben wird.
Die bekannten Mikrowelleneinheiten zeichnen sich alle durch eine relativ grosse Bauform und einen relativ geringen Wirkungsgrad aus .
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zum Erzeugen bzw . Detektieren von Mikrowellen anzugeben, welche die vorstehend genannten Nachteile nicht aufweist . Diese Aufgabe wird durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Massnahmen gelöst . Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in weiteren Ansprüchen angegeben .
Indem im Gehäuse eine Reflektoreinheit , eine Mikrowelleneinheit und eine teilreflektierender Reflektoreinheit vorgesehen sind, das Gehäuse eine Strahlungsöffnung aufweist, die Reflektoreinheit , die Mikrowelleneinheit, die teilreflektierende Reflektoreinheit und die Strahlungsöffnung auf einer Strahlungsachse liegen, wobei die Mikrowelleneinheit zwischen den
Reflektoreinheiten angeordnet ist, ein Abstand zwischen der Reflektoreinheit und der teilreflektierenden Reflektoreinheit einer zu erzeugenden bzw . zu detektierenden Wellenlänge oder dem Mehrfachen dieser Wellenlänge entspricht und eine Abmessung quer zur Strahlungsachse mindestens ein Viertel der Wellenlänge ist, wird eine Vorrichtung zum Erzeugen bzw . Detektieren von Mikrowellen geschaffen, welche insbesondere die folgenden Vorteile aufweist :
- Der Wirkungsgrad, welcher sich aus der ausgestrahlten Mikrowellenenergie und der aufgewendeten Energie berechnet, ist gegenüber herkömmlichen Vorrichtungen, die auf einem Hohlraumresonator basieren, deutlich verbessert worden .
- Der Aufwand zur Erzeugung von Mikrowellenstrahlen hoher Energiedichte ist gering . - Der mit der Erfindung erzeugte Mikrowellenstrahl weist bei Verwendung in einer Richtstrahlverbindung einen gegenüber herkömmlichen Richtstrahlverbindungen deutlich geringeren Streckenverlust auf .
- Die Frequenz des Hohlraumresonators lässt sich mechanisch sowie elektrisch in einem gewissen Bereich, beispielsweise von 9 bis 12 GHz, verändern sowie auf fixe Frequenzen in diesem Bereich abstimmen .
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Zeichnungen, die verschiedene Ausführungsvarianten zur Illustration der Erfindung zeigen, näher erläutert . Dabei zeigen
Fig . 1 eine Ausführungsvarianten einer erfindungsgemässen Vorrichtung in perspektivischer Darstellung und mit entfernter Seitenwand,
Fig . 2 eine Gunn-Diode, wie sie in der erfindungsgemässen Vorrichtung gemäss Fig . 1 zur Anwendung kommt,
Fig . 3A und 3B eine bekannte und eine besondere Ausgestaltung des elektronischen Bauelementes (Chip) der Gunn- Diode gemäss Fig . 2 ,
Fig . 4A und 4B - A -
die Strahlungscharakteristik des bekannten und der besonderen Ausgestaltung des elektronischen Bauelementes gemäss Fig . 3A und 3B,
Fig . 5, in schematischer Darstellung, einen Teil einer Mikrowelleneinheit in einem Schnitt parallel zu einer Längsachse,
Fig . 6 einen Hohlraumresonator mit einer weiteren Ausführungsform für einen Teil einer Mikrowelleneinheit,
Fig . 7 eine Detailansicht der weiteren Ausführungsform für den Teil der Mikrowelleneinheit gemäss Fig . 6,
Fig . 8 eine Detailansicht gemäss Fg . 7 einer dritten Ausführungsform für einen Teil einer Mikrowelleneinheit,
Fig . 9 die Mikrowelleneinheit gemäss Fig . 5 mit einer Vorrichtung zum Ausrichten des Mikrowellenstrahles und
Fig . 10 eine Ausführungsvariante mit einer separaten Empfängerdiode .
Fig . 1 zeigt eine erfindungsgemässe Vorrichtung zur Erzeugung bzw . Detektierung von Mikrowellen in perspektivischer Darstellung, wobei eine Seitenwand eines Gehäuses 3 transparent ist, so dass die Sicht für den Betrachter in das Innere des Gehäuses 3 freigegeben ist . Das Gehäuse 3 bildet einen quaderförmigen Hohlraumresonator, dessen Längsachse mit einer Strahlungsachse 14 zusammenfällt . Auf dieser Strahlungsachse 14 sind eine Reflektoreinheit 11 , eine Mikrowelleneinheit 9, eine teildurchlässige Reflektoreinheit 5 und eine durch das Gehäuse 3 führende Strahlungsöffnung 13 angeordnet . Das den Hohlraumresonator bildende Gehäuse 3 besteht aus einem Mikrowellenreflektierenden Material , vorzugsweise einem Metall wie Weissblech, dessen Stärke mindestens 0.3 mm, vorzugsweise grösser als 0.5 mm ist . Die Mikrowelleneinheit 9 ist zwischen der Reflektoreinheit 11 und der teildurchlässigen Reflektoreinheit 5 angeordnet , wobei eine Frontplatte 4 mit der Strahlungsöffnung 13 den Hohlraumresonator auf der Seite der teildurchlässigen Reflektoreinheit 5 abschliesst .
Um eine maximale Leistung mit Hilfe der erfindungsgemässen Vorrichtung erhalten zu können, ist der Abstand zwischen der Reflektoreinheit 11 und der teildurchlässigen Reflektoreinheit 5 gleich der zu erzeugenden bzw. zu detektierenden Wellenlänge oder dem Mehrfachen dieser Wellenlänge einzustellen . Die Abmessung quer zur Strahlungsachse 14 entspricht ferner mindestens einem Viertel dieser Wellenlänge . So ist insbesondere auch der Betrieb der erfindungsgemässen Vorrichtung mit einer Abmessung, welche der halben Wellenlänge entspricht, denkbar . Fig. 1 zeigt einen quaderförmigen Hohlraumresonator . Selbstverständlich eignet sich ein zylinderförmiger Hohlraumresonator in gleicher Weise .
In einer ersten Ausführungsform der erfindungsgemässen Vorrichtung wird als Mikrowelleneinheit 9 eine so genannte Gunn-Diode verwendet . Beispielsweise kann eine Standard Gunn-Diode mit der Bezeichnung MG1005-11 der Firma MDT eingesetzt werden . Diese Gunn-Diode erzeugt ein Mikrowellensignal mit einer Frequenz von 9.35 GHz bei einer Leistung von 50 mW und besteht aus einer vergoldeten Anode, einer vergoldeten Kathode, einem Keramikhohlkörper, einem Bonddraht sowie aus einem vorzugsweise auf GaAs basierenden Chip mit einer Fläche von ca . 0.36 mm2 bei einer Höhe von 0.04 mm. Während die Kathode 10 der Gunn-Diode durch das Gehäuse 3 zur Kontaktierung nach Aussen geführt ist , ist die Anode über einen Durchführungskondensator 2 nach Aussen geführt, wobei die Kathode 10 mit dem Gehäuse 3 verbunden ist, währenddem die Anode durch den Durchführungskondensator 2 vom Gehäuse 3 isoliert ist .
Wie aus Fig . 1 ersichtlich ist, befindet sich die Mikrowelleneinheit 9 ungefähr in der Mitte einer der Hälften (hier die linke Hälfte ) des Hohlraumresonators . In der zweiten, d . h . rechten Hälfte des Hohlraumresonators ist bei einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine aus zwei Drähten 7 bestehende Polarisationseinheit vorgesehen, die im Wesentlichen parallel zur Strahlungsachse 14 angeordnet sind und die mit einer ausserhalb des Hohlraumresonators vorgesehenen Energiequelle wirkverbunden ist . Die Drähte 7 sind beispielsweise aus Stahl gefertigt und weisen einen Durchmesser von beispielsweise 0.03 mm auf . Zur Kontaktierung der Drähte 7 ist ein weiterer Durchführungskondensator 8 vorgesehen, der eine Energieübertragung in den gasdichten Hohlraumresonator ermöglicht . Zur Positionierung der Drähte 7 im Hohlraumresonator sind zwei Drahthalterelemente 6a, 6b vorgesehen, wobei das eine Drahthalteelement 6a im Bereich der teildurchlässigen Reflektoreinheit 5 und das andere Drahthalteelement βb im mittleren Bereich des Hohlraumresonators angeordnet ist, wo sich auch der weitere Durchführungskondensator 8 befindet .
Anstelle von Drähten 7 ist eine andere Form von elektrischen Leitern zur Realisierung der
Polarisationseinheit denkbar . So sind beispielsweise auch seitlich angebrachte und gegeneinander isolierte Platten aus Metall einsetzbar . Ebenso ist es denkbar, beliebige Abschnitte parallel zur Strahlungsachse 14 mit elektrischen Leitern auszustatten .
In einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Reflektoreinheit 11 - wie aus Fig . 1 ersichtlich ist - justierbar, d. h . die Reflektoreinheit 11 ist entlang der Strahlungsachse 14 verschiebbar . Hierzu besteht die Reflektoreinheit 11 in einem hier dargestellten erfindungsgemässen Versuchsaufbau aus einer Madenschraube mit einer reflektierenden Schicht, wobei das entsprechende Gegengewinde zum Gewinde der Madenschraube in einer zum Gehäuse 3 gehörenden Rückplatte 12 eingelassen ist, so dass eine Abstimmung des Hohlraumresonators von aussen vorgenommen werden kann . Eine genaue Abstimmung auf die bereits erwähnten Abmessungen kann hiermit bei einer fertig montierten erfindungsgemässen Vorrichtung auf einfache Weise mechanisch - oder bei geeigneter Modifikation auch elektrisch - geregelt werden .
Bei einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist das Gehäuse 3 zwei beabstandete, verschliessbare Öffnungen 1 auf . Vorzugsweise ist die eine der Öffnungen 1 - wie in Fig . 1 dargestellt - im Bereich der Reflektoreinheit 11 und die andere im Bereich der teildurchlässigen Reflektoreinheit 5 angeordnet . Die Öffnungen 1 dienen zum Einbringen eines Edelgases (beispielsweise Argon) oder eines Gasgemisches in den Hohlraumresonator, wobei dann die eine der Öffnungen 1 als Einlass und die andere als Auslass verwendet wird . Zum Fluten des Innenraumes des Gehäuses 3 bzw . des Hohlraumresonators wird so lange das gewählte Edelgas durch den Einlass gelassen, bis am Auslass nur noch das gewählte Edelgas detektiert wird. Daraufhin werden die Öffnungen 1 verschlossen .
Bei der Ausführungsform mit der beispielsweise über eine Schraube justierbaren Reflektoreinheit 11 werden die Öffnungen 1 vorzugsweise erst dann verschlossen, wenn die Justierung, d. h . die Verschiebung der Reflektoreinheit 11 bzw. der auf dieser angebrachten reflektierenden Schicht abgeschlossen ist und der Gewindespalt verschlossen ist, was mit einem Lack erfolgen kann .
Fig . 2 zeigt eine Gunn-Diode 9 , wie sie bei der erfindungsgemässen Vorrichtung gemäss Fig . 1 eingesetzt wird. Diese Gunn-Diode 9 basiert auf einer Standard-Gunn- Diode mit der handelsüblichen Bezeichnung MDT/MG1005-11 und weist eine Kathode 21, einen die Kathode 21 mit einem Chip 24 verbindenden Bonddraht 22, den auch etwa als elektronisches Bauelement bezeichneten Chip 24 , der ein GaAs-Effekt Halbleiterchip ist , und die Anode 25 auf .
In Fig . 3A ist der in der Standard-Gunn-Diode enthaltene Chip 24 dargestellt, der eine Abstrahlungsrichtung gemäss Fig . 4A aufweist . Demgemäss strahlt die Standard-Gunn-Diode in alle Richtungen gleich ab .
In Fig . 3B ist ein Chip dargestellt, wie er bei einer modifizierten Gunn-Diode zum Einsatz kommt . Von den sechs Seiten des quaderförmigen Chips 24 sind lediglich zwei gegenüberliegende Seiten, nämlich die Seiten D und B, Strahlungs-durchlässig, so dass bereits bei dieser Gunn- Diode eine Ausrichtung der erzeugten Mikrowellen erfolgt . Entsprechend sind in Fig . 4B die Abstrahlungsrichtungen erkennbar, die im Unterschied zur Standard-Gunn-Diode nunmehr lediglich in die Richtungen B und D weisen .
In einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemässen Vorrichtung wird nun die modifizierte Gunn-Diode, wie sie anhand der Fig. 3B und 4B erläutert worden ist, im Hohlraumresonator eingesetzt, und zwar wird die modifizierte Gunn-Diode derart positioniert, dass die Abstrahlungsrichtungen mit der Strahlungsachse 14 übereinstimmen . Mit dieser Ausführungsvariante wird ein maximaler Wirkungsgrad erreicht, der sich bei der erfindungsgemässen Vorrichtung durch eine höhere Energieabgabe bei gleich bleibender Leistungsaufnahme zeigt .
Fig . 5 zeigt eine weitere Ausführungsform der im Zusammenhang mit Fig . 1 erwähnten Mikrowelleneinheit 9. Es handelt sich hierbei um einen möglichen schematischen Aufbau eines Teils der Mikrowelleneinheit 9 anhand eines Schnittes parallel zu einer Ausbreitungsrichtung 205 der Mikrowellen . Die Mikrowelleneinheit 9 ( Fig . 1 ) weist eine Trägereinheit 200 aus einem belastbaren Material, beispielsweise Messing oder Platin, aus . Damit können gegebenenfalls hohe Kräfte aufgenommen werden . Im Innern der Trägereinheit 200 sind in kompakter Bauweise die folgenden Schichten, ausgehend von einer oberen Trägerwand, enthalten : eine erste Isolationsschicht 201 , ein Mikrowellenbauteil 202 , eine zweite Isolationsschicht 203 und ein Druckerzeugungselement 204 , das beispielsweise ein Piezoelement ist . Diverse Steuerleitungen mit entsprechenden Kontaktstellen zur Steuerung der einzelnen Schichten von einer Kontrolleinheit aus sind in Fig . 5 nicht dargestellt .
Als Mikrowellenbauteil 202 kommt eine Gunn-Diode 202 zum Einsatz , die auf dem Gunn-Effekte (John Gunn, 1963 ) beruhende Diode ist, welche in bekannter Weise zur Erzeugung von Mikrowellen eingesetzt wird. Für weitere Angaben zum Gunn-Effekt bzw. zu Gunn-Dioden wird stellvertretend auf das Standardwerk von Donald Christiansen mit dem Titel "Electronics Engineers ' Handbook" (McGraw-Hill, vierte Auflage, 1997 , Seiten 12.71 sowie 12.79 und 12.80 ) verwiesen . In dieser Druckschrift sind auch weitere Standardwerke zu diesem Thema angegeben .
Gemäss den vorstehenden Erläuterungen ist die Gunn-Diode 202 zwischen der ersten und der zweiten Isolationsschicht 201 bzw. 203 eingeklemmt . Mit Hilfe des
Druckerzeugungselementes 204 kann nun die Frequenz der von der Gunn-Diode 202 erzeugten Mikrowellen eingestellt werden . Es hat sich gezeigt, dass mit dieser Vorrichtung Frequenzen im Bereich von 8.7 bis 12 GHz eingestellt werden können . Dabei erfolgt die Frequenzverschiebung einerseits durch den Druck auf die Gunn-Diode 202 (d . h . den so genannten "Die" ) selbst, wodurch einerseits eine Materialveränderung im Innern der Gunn-Diode 202 infolge der molekularen Schwingungsänderung - ähnlich wie bei einer starken Temperaturänderung -, entsteht, anderseits durch eine Veränderung der Kapazität durch eine
Distanzveränderung der Gunn-Diode 202 zur Trägereinheit 200 - ähnlich einer Kapazitätsveränderung bei einem Kondensator, bei dem die Kondensatorplatten gegeneinander verschoben werden . Über das Druckerzeugungselement 204 ist somit die Möglichkeit gegeben, die Frequenz der mittels der Gunn-Dioden 202 erzeugten Mikrowellen exakt einzustellen . Damit unterscheidet sich die beschriebene Mikrowelleneinheit 9 von bekannten Vorrichtungen insbesondere dadurch, dass die Frequenz der erzeugten Mikrowellen auf elektronischem Weg, ohne mechanische Einstelleinrichtungen, exakt eingestellt werden kann .
Damit die einmal eingestellte Frequenz der auszusendenden Mikrowellen konstant bleibt, ist das Druckerzeugungselement 204 in einer weiteren Ausgestaltung der Mikrowelleneinheit 9 mit einer an sich bekannten, so genannten PLL- ( Phase- Locked-Loop) - oder FLL- ( Frequency-Locked-Loop) -Schaltung versehen . Eine dieser Schaltungen regelt die am Druckerzeugungselement 204 angelegte Spannung derart, dass die gewünschte Frequenz der Mikrowellen konstant bleibt .
Mit 206 ist seitlich der Gunn-Diode 202 ein Fenster für den Austritt der Mikrowellen bezeichnet . Das Fenster 206 wird vorzugsweise durch eine geeignete Dotierung mit Fremdatomen erhalten . Damit wird ein kontrolliertes Austreten von Mikrowellen aus der Gunn-Diode 202 ermöglicht . Für die Dotierung eignet sich dabei insbesondere GaAs (Galliumarsenid) . Der Durchmesser des Fensters 206 beträgt beispielsweise ca . 10 μm und die Tiefe der Dotierung beispielsweise 32 nm. Im Übrigen sind die +/- Anschlüsse in Fig . 5 eingezeichnet, wobei eine elektrische Kontaktierung am "+"-Anschluss im Fenster 206 und eine elektrische Kontaktierung am "-"-Anschluss ausserhalb des Fensters 206 erfolgt .
In Fig . 6 ist eine Ausführungsform mit einem Teil der Mikrowelleneinheit 9 gemäss Fig. 2 schematisch dargestellt . Dieser Teil der Mikrowelleneinheit kann aber auch dem Teil der Mikrowelleneinheit 9 , wie er in Fig . 7 oder 8 dargestellt ist , sowie als weitere Variante gemäss Fig . 5 entsprechen . Im Allgemeinen kann j edes bekannte Bauelement, mit dem Mikrowellen erzeugt werden kann, kann als Teil der Mikrowelleneinheit im vorstehenden Sinne eingesetzt werden . Mit 250 ist der Hohlraumresonator bezeichnet, in dem auch die anhand von Fig . 5 erläuterten Teile der
Mikrowelleneinheiten 9 enthalten sind. Fig . 6 zeigt eine zu Fig . 1 alternative Ausführungsform, die im Detail anhand von Fig . 7 beschrieben wird.
Der Hohlraumresonator 250 ist aus Metall und weist eine Austrittsöffnung 206 auf, durch den die Mikrowellen in Ausbreitungsrichtung 205 aus dem Hohlraumresonator 250 austreten . Im Hohlraumresonator 250 ist einerseits ein Keramikkörper 234 , der von oben in das Innere des Hohlraumresonators 250 ragt, anderseits ein Körper 235 , der von unten in das Innere des Hohlraumresonators 250 ragt, enthalten, wobei der obere Keramikkörper 234 und der Körper 235 aneinander ausgerichtet sind, d. h. eine gemeinsame Achse aufweisen, sich j edoch nicht berühren. Neben dem Körper 235 ist ferner ein weiterer Keramikkörper 236 angeordnet, der mit Bezug auf die Detailansicht gemäss Fig . 7 erläutert wird. Der Körper 235 besteht aus einem Metall, beispielsweise aus Messing oder Kupfer, und dient als Kathode, oder Anode, j e nach Bauform der verwendeten Gunn- Diode . Gleichzeitig kann über den Körper 235 überschüssige Wärme abgeleitet werden . Aus Fig . 7 , welche eine Detailansicht A gemäss Fig . 6 ist , ist ersichtlicht, dass der untere Körper 235 als Trägerelement für die folgenden Einheiten bzw . Schichten ist (Reihenfolge ausgehend vom Körper 235) :
- ein Druckerzeugungselement 204 ;
- eine Kontaktschicht 203 aus einem Metall, beispielsweise aus Silber oder Kupfer;
- eine Gunn-Diode 202.
Zur Steuerung des Druckerzeugungselementes 204 ist eine Steuerleitung 231 vorgesehen, die mit einer Kontaktstelle 232 auf dem weiteren Körper 236 verbunden ist . Die Kontaktstelle 232 ist über einen im weiteren Körper 236 enthaltenen elektrischen Leiter aus dem Hohlraumresonator 250 geführt, womit die Möglichkeit zur Ansteuerung des Druckerzeugungselementes 204 von ausserhalb des Hohlraumresonators 250 gegeben ist . Die oberhalb der Kontaktschicht 203 angeordnete Gunn-Diode 202 ist ferner über eine Kontaktschlaufe 230 mit dem Keramikkörper 234 verbunden, der gleichzeitig als Durchführungskondensator dient und die Kontaktierung der Gunn-Diode 202 von ausserhalb des Hohlraumresonators 250 ermöglicht .
Gemäss den vorstehenden Erläuterungen ist die Gunn-Diode 202 auf der Kontaktschicht 203 und dem Druckerzeugungselement 204 aufgebracht . Mit Hilfe des Druckerzeugungselementes 204 kann nun die Frequenz der von der Gunn-Diode 202 erzeugten Mikrowellen, wie sich in einer erfindergemässen Testvorrichtung zeigte, beispielsweise zwischen 8.7 und 12 GHz eingestellt werden . Dabei erfolgt die Frequenzverschiebung einerseits durch die kapazitive Veränderung infolge einer Abstandsänderung zwischen Gunn- Diode 202 und dem als Kathode wirkenden Körper 235 , anderseits durch die Positionsänderung gegenüber dem als Durchführungskondensator wirkenden Keramikkörper 234. Über das Druckerzeugungselement 204 ist somit die Möglichkeit gegeben, die Frequenz der mittels der Gunn-Diode 202 erzeugten Mikrowellen exakt einzustellen und zu verändern . Auch diese Ausführungsform unterscheidet sich somit von bekannten Mikrowelleneinheiten dadurch, dass die Frequenz der erzeugten Mikrowellen auf elektronischem Weg eingestellt werden kann .
Ein weiterer Vorteil dieser Ausführungsvariante ist die sehr kleine Bauform von beispielsweise 2 x 1 x 1 mm für die äusseren Abmessungen des Hohlraumresonators 250 , der lediglich drei Anschlüsse ausweist , nämlich VGnd, VGUnn und Vpiezo f wobei VGnd dem gemeinsamen Erd- bzw. Massenpotential, VGunn der Speisespannung bzw . dem Signalabgriff der Gunn- Diode und Vpiezo der Speisespannung des Druckerzeugungselementes und der damit verbundenen Abstimmung des Schwingkreises entspricht . Der in sich geschlossene Hohlraumresonator weist eine geringe Anfälligkeit gegenüber äusseren Einflüssen auf, da alle HF- aufweisenden Bauteile im Hohlraumresonator enthalten sind. Dieser Umstand macht ihn geradezu ideal für die Anwendung in der Mikrosensortechnik. Wie schon im Zusammenhang mit den Ausführungen zu der Ausführungsvariante gemäss Fig . 5 erwähnt worden ist, kann die eingestellte Frequenz der auszusendenden Mikrowellen mit Hilfe von so genannten PLL- ( Phase-Locked-Loop) - oder FLL- ( Frequency-Locked-Loop) - Schaltungen konstant gehalten werden, was selbstverständlich auch bei dieser Ausführungsform denkbar ist . Diesbezüglich wird auf das Standardwerk von Donald Christiansen mit dem Titel "Electronics Engineers ' s Handbook" ( Fourth Edition, McGraw- HiIl , 1996, Seite 3.40 ) verwiesen .
Fig . 8 zeigt eine gegenüber der Ausführungsform gemäss Fig . 7 mit einer zusätzlichen Induktivität und einer zusätzlichen Kapazität ergänzte Variante . Damit wird verhindert, dass hochfrequente Signalanteile bzw . Mikrowellen aus dem Hohlraumresonator an nicht erwünschten Stellen austreten können . Gleichzeitig wird ein unerwünschtes Mitschwingen des Piezoelementes oder von anderen Bewegungskörpern verhindert . Ansonsten ist die Ausführungsvariante gemäss Fig . 8 mit derj enigen gemäss Fig . 7 identisch .
Fig . 9 zeigt die Trägereinheit 200 in Seitenansicht, wobei wiederum mit 205 der Mikrowellenstrahl , der in der Gunn- Diode 202 ( Fig . 5 ) erzeugt wird, identifiziert ist . Durch Einbetten der Trägereinheit 200 mit Verschiebungselementen 207 bis 209, welche j e aus einem Piezoelement gebildet sein können, lässt sich die Trägereinheit 200 als ganzes verschieben bzw. kippen . Mit anderen Worten lässt sich die Richtung des Mikrowellenstahles 205 einstellen . Damit ein grösstmöglicher Bereich mit dem Mikrowellenstrahl abgedeckt werden kann, sind das Verschiebungselement 207 und dessen Gegenstück (in Fig . 8 wegen Abdeckung durch das Verschiebungselement 207 nicht ersichtlich) im Bereich der Austrittsöffnung des Mikrowellenstrahls angebracht . Mit diesen Verschiebungselementen 208 kann die Trägereinheit 200 entsprechend den mit 210 gekennzeichneten Pfeilen, welche senkrecht auf die Zeichnungsebene stehen, senkrecht zur Zeichnungsebene bewegt werden .
Die beiden weiteren Verschiebungselemente 208 und 209 sind am gegenüberliegenden Ende der Trägereinheit 200 angeordnet, und zwar derart, dass die Trägereinheit 200 in der Zeichnungsebene von Fig . 9 entsprechend den mit 211 gekennzeichneten Pfeilen bewegt werden kann . Mithin wirken die Verschiebungselemente 208 und 209 auf zwei der parallel verlaufenden Oberflächen der Trägereinheit 200 , während das Verschiebungselement 207 und sein Gegenstück auf die anderen zwei der parallel verlaufenden Oberflächen der quaderförmigen Trägereinheit 200 wirken.
Für eine einwandfreie Kontaktierung der Verschiebungselemente 207 bis 209 sind diese auf deren Aussenseiten vorzugsweise mit einer Silberschicht versehen . Dies ermöglicht eine einfache Kontaktierung mit Steuerleitungen 220 bis 222 mittels bekannter Bonding- Technik. Dazugehörend ist ein Referenzanschluss 223 zur Festlegung eines Referenzpotentials vorgesehen . Hierzu ist der Referenzanschluss 223 mit der Trägereinheit 200 , vorzugsweise wiederum mittels der Bonding-Technik, verbunden .
Mit der beschriebenen Positionseinstellungsvorrichtung lässt sich der Mikrowellenstrahl um zwei Achsen kippen, so dass ein Kegel von ca . 2.5 ° abgefahren werden kann . Werden weitere Verschiebungselemente eingesetzt, die auf das dritte Oberflächenpaar der Trägereinheit 200 einwirken, so kann zusätzlich eine translatorische Bewegung in einer dritten Achse erwirkt werden .
Es ist auch denkbar, die Mikrowelleneinheit mit Hilfe der MEMS- (Micro-Electro-Mechanical Systems ) -Technologie zu realisieren, womit erfindungsgemässe Vorrichtungen hergestellt werden können, die eine sehr schnelle und präzise Positionsänderung ermöglichen . Die MEMS-Technologie ermöglicht die Integration von mechanischen Elementen, Sensoren, Aktuatoren und von Elektronik auf dem gleichen Silikonsubstrat mit Hilfe von Mikrofabrikations- Technologien . Während elektronische Bausteine mit Hilfe von IC- ( Integrated Circuit ) -Herstellungsverfahren - wie beispielsweise CMOS , Bipolar oder BICMOS Prozessen - hergestellt werden, werden mikromechanische Komponenten unter Verwendung von kompatiblen mikromechanischen Verfahren hergestellt, bei denen bestimmte Teile auf einem Silikonwafer entweder weggeätzt oder bei denen neue strukturelle Schichten hinzugefügt werden, um die mechanischen und gegebenenfalls die mikromechanischen Vorrichtungen zu bilden . Fig . 10 zeigt eine Ausführungsvariante mit einer separaten Empfängerdiode 237 , welche die reflektierenden Mikrowellen 238 empfängt und aufgrund des an sich bekannten Mischeffektes in einen tieferen Frequenzbereich transferiert . Die Empfängerdiode 237 ist hierzu gegenüber der Strahlungsachse 14 ( Fig . 1 ) versetzt angeordnet, d . h . es ist darauf zu achten, dass die Empfängerdiode 237 die Strahlung nicht absorbiert bzw . in ungewünschter Weise reflektiert bzw . verändert .
Als Empfängerdiode 237 eignet sich insbesondere eine so genannte Schottky-Diode, eine so genannte Pin-Diode oder eine Tunel-Diode . Andere Bauteile, mit denen Mikrowellen empfangen werden können, können gleichfalls eingesetzt werden .
Wie bereits darauf hingewiesen worden ist, lässt sich die erfindungsgemässe Vorrichtung sowohl als Sende- als auch als Empfangseinheit verwenden. Dies ist sowohl mit einer zusätzlichen Empfängerdiode - wie anhand Fig . 10 veranschaulicht worden ist - als auch ohne Empfängerdiode möglich .
Die erfindungsgemässe Vorrichtung lässt sich beispielsweise in den folgenden Fachgebieten verwenden:
- Bestimmen von Substanzen in unterschiedlichen Aggregatzuständen anhand von charakteristischen Strukturen . - Detektieren von Molekülbewegungen unter Anwendung des Dopplereffektes .
- Medizinische Anwendung, beispielsweise als Skalpell oder für eine gezielte Entfernung von geschädigtem Herzgewebe .
- Analyseautomaten zur Bestimmung von klinischen Parametern bis hin zur DNA-Bestimmung .
- Berührungsloses Bestimmen von Verunreinigungen in Flüssigkeiten, insbesondere in Wasser .
- Echtzeit Überwachung und/oder Qualitätssicherung von Trinkwasser, Lebensmitteln, Prozessabläufen bei schwer oder nicht zugänglichen Stellen. Damit können auch hochgiftige Substanzen gefahrlos untersucht werden .
- Für j edwede mikrobiologischen Anwendung zur Ermittlung von Viren, Bakterien, etc . eignet sich die Erfindung vorzüglich, dabei ist es unerheblich, ob die zu bestimmenden Viren bzw . Bakterien in einem festen, flüssigen oder gasförmigen Medium enthalten sind.
- Überprüfung von Schweissnähten : mit dem erfindungsgemässen Verfahren können Mikrorisse mit hoher Zuverlässigkeit detektiert werden.
- Spektroskopie, Umwelt-Analytik und -Überwachung der Atmosphäre und industrieller Umgebungen .
- Nahbereichskommunikation in der Medizinaltechnik, bei der beispielsweise ein Sender im lebenden Organismus und ein Empfänger ausserhalb des Organismus positioniert werden . Zwischen dem Sender und dem Empfänger wird mittels HF- (High Frequency) Kommunikation Daten aus dem lebenden Organismus gewonnen. So ist es denkbar, dass anstelle einer Darmspiegelung (Endoskopie) eine autonome Mess- und Sendeeinheit in Pillenform verabreicht wird, die aus dem Inneren des Darms - beispielsweise durch Oberflächenabtastung - vordefinierte Daten sendet, welche die Daten an die externe Empfangsstation zur Aufzeichnung und/oder Verarbeitung sendet .
- Detektoren im Nahbereich zur Detektion von Drogen, Sprengstoffen oder anderer Gefahrengüter . Als Einsatzgebiete sind beispielsweise das Zollamt, Flugplätze, Bahnhöfe, Post, etc . denkbar, bei denen eine Personenkontrolle vorzunehmen ist .
- Intersatellitenkommunikation .
- Kommunikation, insbesondere drahtlose Datenübertragung über grossen Distanzen, via Satellit oder ATV.

Claims

Patentansprüche :
1. Vorrichtung mit einem Hohlraumresonator, bestehend aus einem Gehäuse ( 3 , 4 , 12 ) aus elektrisch leitendem Material , vorzugsweise Weissblech, dadurch gekennzeichnet , dass im Gehäuse ( 3, 4 , 12 ) eine Reflektoreinheit ( 11 ) , eine Mikrowelleneinheit ( 9 ) und eine teildurchlässige Reflektoreinheit ( 5 ) vorgesehen sind, dass das Gehäuse ( 4 ) eine Strahlungsöffnung ( 13) aufweist, dass die Reflektoreinheit ( 11) , die Mikrowelleneinheit ( 9 ) , die teildurchlässige Reflektoreinheit ( 5 ) und die Strahlungsöffnung (13 ) auf einer Strahlungsachse (14 ) liegen, wobei die Mikrowelleneinheit ( 9 ) zwischen den Reflektoreinheiten ( 5 , 11 ) angeordnet ist, dass ein Abstand zwischen der Reflektoreinheit (11) und der teildurchlässigen Reflektoreinheit (5 ) einer zu erzeugenden bzw . zu detektierenden halben Wellenlänge oder dem Mehrfachen dieser halben Wellenlänge entspricht und dass eine Abmessung quer zur Strahlungsachse ( 14 ) mindestens ein Viertel der Wellenlänge ist .
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , dass zumindest abschnittsweise elektrische Leiter ( 7 ) im Wesentlichen parallel zur Strahlungsachse (14 ) angeordnet sind, wobei die Leiter mit einer Energiequelle wirkverbunden sind .
3. Vorrichtung nach Anspruch 2 , dadurch gekennzeichnet, dass die elektrischen Leiter aus Drähten (7 ) gebildet sind.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Reflektoreinheit ( 11) bzw . eine auf dieser vorhandene reflektierende Schicht entlang der Strahlungsachse ( 14 ) verschiebbar ist .
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass Seiten des Gehäuses ( 3 ) , die nach Innen gerichtet sind und im Wesentlichen parallel zur Strahlungsachse ( 14 ) verlaufen, reflektierend ausgebildet sind.
6. Vorrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Energiequelle über einen Durchführungskondensator mit der Mikrowelleneinheit ( 9) wirkverbunden ist .
7. Vorrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Mikrowelleneinheit ( 9) vom Typ Gunn-Diode ist .
8. Vorrichtung nach Anspruch 7 , dadurch gekennzeichnet, dass die Gunn-Diode vorgegebene Hauptabstrahlungsrichtungen aufweist, die im Wesentlichen mit der Strahlungsachse ( 14 ) übereinstimmen .
9. Vorrichtung nach einem der vorangegangnen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein durch das Gehäuse (3) umschlossener Hohlraum mit einem Edelgas , vorzugsweise mit Argon, oder mit einem Mischgas gefüllt ist .
10. Vorrichtung gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , dass das mikrowellenerzeugende Bauteil zwischen zwei Druckerzeugungselementen befestigt ist .
11. Vorrichtung gemäss Anspruch 5 , dadurch gekennzeichnet , dass die Reflektoreinheit ( 11) mittels mindestens einem Servomotor entlang der Strahlungsachse ( 14 ) bewegbar ist .
12. Vorrichtung gemäss Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Reflektoreinheit ( 11 ) mittels Piezomotoren entlang der Strahlungsachse ( 14 ) bewegbar ist .
13. Vorrichtung nach einem der vorangegangnen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Hohlraumresonator mittels seitlich angebrachter Bewegungselemente in mindestens einer Achse bewegbar ist .
14. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Empfängerdiode (237 ) im Hohlraumresonator enthalten ist, wobei die Empfängerdiode (237 ) vorzugsweise vom Typ Schottky ist .
15. Verwendung der Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche in einem der folgenden Gebiete :
- Bestimmen von Substanzen in unterschiedlichen Aggregatzuständen anhand von charakteristischen Strukturen;
- Detektieren von Molekülbewegungen unter Anwendung des Dopplereffektes; - Medizinische Anwendung;
- Analyseautomaten zur Bestimmung von klinischen Parametern;
- Berührungsloses Bestimmen von Verunreinigungen in Flüssigkeiten;
- Echtzeitüberwachung und/oder Qualitätssicherung von Substanzen;
- Ermittlung von Viren und Bakterien;
- Überprüfung von Schweissnähten;
- Spektroskopie;
- Nahbereichskommunikation in der Medizinaltechnik;
- InterSatellitenkommunikation; oder
- Kommunikation, insbesondere drahtlose Datenübertragung über grossen Distanzen .
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