WO2006043314A1 - 感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法 - Google Patents

感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法 Download PDF

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WO2006043314A1
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WO
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photosensitive element
resin composition
light
photosensitive
photosensitive resin
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PCT/JP2004/015433
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English (en)
French (fr)
Inventor
Masahiro Miyasaka
Takashi Kumaki
Yasuhisa Ichihashi
Makoto Kaji
Toshiki Ito
Original Assignee
Hitachi Chemical Co., Ltd.
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/031Organic compounds not covered by group G03F7/029

Definitions

  • the present invention relates to a photosensitive element, a method for forming a resist pattern, and a method for manufacturing a printed wiring board.
  • photosensitive resin compositions and photosensitive elements are known as resist materials used for etching, plating, and the like (see, for example, Patent Document 1).
  • a gallium nitride-based blue laser light source that emits light with a wavelength of 400-415nm, a light beam with a wavelength of 365nm or less cut by 99.5% or more of a mercury lamp light source, a general pattern exposure light source
  • DL P Digital Light Processing
  • the conventional photosensitive resin composition is designed to support full-wavelength exposure of a mercury lamp light source centered on light having a wavelength of 365 nm. For this reason, the conventional photosensitive resin composition has a small optical density (hereinafter referred to as “0. D. value”) with respect to light having a wavelength of 400 to 450 nm and cannot absorb light sufficiently. Because of this, there was a problem that the sensitivity was low. [0006] Therefore, in particular, exposure using a mercury lamp light source having a wavelength of 365 nm or less cut by 99.5% or more or a blue laser light source that oscillates light having a wavelength of 400 to 415 nm (hereinafter referred to as “400 to 450 nm”). In the case of “light”), the conventional photosensitive resin composition has a low resist sensitivity and insufficient resolution.
  • the line cross-sectional shape of the formed resist pattern is an inverted trapezoidal shape (cross-sectional shape). Is a trapezoid and the width of the resist pattern becomes smaller from the surface toward the substrate interface, the same applies to the following), thereby forming a wiring pattern formed by subsequent etching or plating. There is a problem that a deviation from the exposed pattern occurs.
  • the present invention has been made in view of the above, and in particular, a photosensitive element having excellent sensitivity and resolution with respect to exposure to light having a wavelength of 400 to 450 nm, and having a developed resist having a substantially rectangular cross-sectional shape.
  • Another object of the present invention is to provide a resist pattern forming method and a printed wiring board manufacturing method.
  • the present invention comprises a support, and (A) a binder polymer provided on the support, (B) a photopolymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond, and (C) a photopolymerization initiator.
  • a photosensitive resin composition layer comprising a photosensitive resin composition, wherein the photosensitive resin composition has the following general formula (I) as component (C):
  • the weight part of the above-mentioned coumarin-based compound with respect to 100 parts by weight of the total amount of the components (A) and (B) is P, and the film thickness of the photosensitive resin composition layer is Q [ / zm], the scale which is the product of P and Q satisfies the condition of the following formula (1).
  • R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R. And R 7 each independently represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group.
  • the photosensitive element of the present invention is excellent in sensitivity and resolution, and the line cross-sectional shape of the formed resist pattern is substantially rectangular. This is because a specific coumarin compound having a relatively large absorption with respect to light of a specific wavelength is blended in the photosensitive resin composition constituting the photosensitive resin composition layer in a range satisfying the above conditions. It is thought to be due to that.
  • the photosensitive resin composition further contains a 2,4,5-triarylimidazole dimer represented by the following general formula ( ⁇ ) as the component (C). I like it.
  • Ar 1 Ar 2 , Ar 3 and Ar 4 each independently have at least one substituent selected from the group consisting of an alkyl group, an alkenyl group and an alkoxy group.
  • X 1 and X 2 each independently represent a chlorine atom, an alkyl group, an alkenyl group or an alkoxy group, and a and b each independently represents an integer of 1 to 5. However, at least one of X 1 and X 2 is a chlorine atom.
  • the photosensitive resin composition constituting the photosensitive element of the present invention further contains the 2,4,5-triary limidazolnimer, the sensitivity and resolution of the photosensitive element are further improved.
  • the photosensitive element may be a photosensitive element (exposed to light having a wavelength of 0 to 400 to 450 nm, or a photosensitive element to be exposed to light having a wavelength of GO to 400 to 415 nm.
  • Gii a photosensitive element exposed by light emitted by blue laser power, or (iv) arranging multiple mirrors and changing the angle of each mirror as necessary so that the exposure light is image-like. It is even better if the photosensitive element is exposed by a direct drawing method (more preferably a digital light processing exposure method).
  • the light having a wavelength of 400 to 415 nm is laser light (preferably light emitted from a semiconductor laser diode, more preferably light emitted from a gallium nitride-based semiconductor laser power), and the blue laser power is emitted.
  • the light to be emitted is light having a wavelength of 400 to 415 nm emitted by a gallium nitride blue laser power, and the exposure by the direct drawing method is performed with light having a wavelength of 400 to 415 nm.
  • the photosensitive element may be (V) a photosensitive element that is exposed to actinic rays obtained by cutting 90% or more of light having a wavelength of 365 nm or less. In this case, it is particularly preferable that light having a wavelength of 365 ⁇ m or less is cut by 99.0%, more preferably 99.5% or more.
  • the photosensitive element is also exposed to light having (vi) an area integrated intensity a having a wavelength of 400 nm to 45 Onm in an oscillation spectrum of a light source that is 10 times or more of an area integrated intensity b having a wavelength of 300 nm to less than 400 nm. It may be a photosensitive element.
  • the sensitivity and resolution can be further improved, and the line cross-sectional shape of the resist pattern to be formed can be substantially reduced. It can be rectangular.
  • the present invention provides a laminating step of laminating the photosensitive resin composition layer of the photosensitive element on a circuit forming substrate, and irradiating a predetermined portion of the photosensitive resin composition layer with actinic rays.
  • a laminating step of laminating the photosensitive resin composition layer of the photosensitive element on a circuit forming substrate, and irradiating a predetermined portion of the photosensitive resin composition layer with actinic rays.
  • an exposure process for forming an exposed part and a developing process for removing a part other than the exposed part of the photosensitive resin composition layer.
  • the method for forming a resist pattern of the present invention uses the photosensitive element of the present invention, so that it is possible to perform good exposure and etching, and has excellent sensitivity and resolution, and a desired resist shape can be obtained. Can be formed.
  • the present invention also provides a method for manufacturing a printed wiring board, wherein the circuit forming substrate on which the resist pattern is formed by the resist pattern forming method is etched or stuck. Since the method for producing a printed wiring board of the present invention uses the resist pattern forming method of the present invention, a high-density printed wiring board can be obtained with high throughput.
  • the present invention it is possible to provide a photosensitive element that is excellent in sensitivity and resolution particularly with respect to exposure with light having a wavelength of 400 to 450 nm and has a substantially rectangular cross-sectional shape after development. .
  • the photosensitive element of the present invention it is possible to perform a good exposure and etching, and it is possible to provide a resist pattern forming method that is excellent in sensitivity and resolution and obtains a desired resist shape. It is possible to provide a printed wiring board manufacturing method capable of obtaining a wiring board with high throughput.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a preferred embodiment of the photosensitive element of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing another preferred embodiment of the photosensitive element of the present invention.
  • FIG. 3 is an oscillation spectrum diagram of a mercury lamp light source.
  • FIG. 4 is an oscillation spectrum diagram of a mercury lamp light source using a filter.
  • FIG. 5 is an absorption spectrum diagram of the photosensitive resin composition layer in the photosensitive elements of Example 4 and Comparative Example 3. 6 is a partially enlarged view of the absorption spectrum diagram shown in FIG.
  • FIG. 7 is a partially enlarged view of the absorption spectrum diagram shown in FIG. 5.
  • the (meth) acrylic acid in the present embodiment means acrylic acid and the corresponding metatalic acid, and the same applies to the (meth) acrylate and the (meth) allyloyl group.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a preferred embodiment of the photosensitive element of the present invention.
  • the photosensitive element 1 of the present embodiment includes a support 11 and a photosensitive resin composition layer 12 composed of a photosensitive resin composition provided on the support. As shown in FIG. 2, the photosensitive element 1 of the present invention is further in contact with the support 11 in the photosensitive resin composition layer 12 and further on the surface opposite to the surface on which the protective film 13 is formed. You may be prepared with
  • the support 11 it is preferable to use a polymer film of polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene, polyester or the like as the support. Further, the thickness of the support is appropriately selected within a range of 1 to 100 m.
  • the photosensitive resin composition forming the photosensitive resin composition layer 12 comprises (A) a binder polymer, (B) a photopolymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond, and (C) a photopolymerization initiator. contains.
  • the thickness Q [ ⁇ m] of the photosensitive resin composition layer is a force selected within a range satisfying the condition of the above formula (1), preferably 1 to 100 / zm, more preferably 5— 60 / zm, more preferably 10-50 ⁇ m.
  • the binder polymer as component (A) includes, for example, acrylic resin, styrene resin, epoxy resin, amide resin, amide epoxy resin, alkyd resin, phenolic resin. Etc. From the viewpoint of alkali developability, acrylic resin is preferred. These can be used alone or in combination of two or more.
  • the component (A) can be produced, for example, by radical polymerization of a polymerizable monomer.
  • a polymerizable monomer examples include polymerizable styrene derivatives such as styrene, butyltoluene, methylstyrene, p-methylstyrene, and p-ethylstyrene, and vinyl alcohols such as acrylamide, acrylonitrile, and vinyl-butyl ether.
  • esters (meth) acrylic acid alkyl esters, (meth) acrylic acid tetrahydrofurfuryl esters, (meth) acrylic acid dimethylaminoethyl esters, (meth) acrylic acid jetylaminoethyl esters, (meth) acrylic acid glycidyl esters 2, 2, 2—Trifluoroethyl (meth) acrylate, 2, 2, 3, 3-tetrafluoropropyl (meth) acrylate, (meth) acrylate, ⁇ -bromo (meth) acryl Acid, ⁇ -Chlor (meth) acrylic acid, j8-furyl (meth) atallylic acid j8-styryl (meth) acrylic acid, maleic acid, maleic anhydride, monomethyl maleate, monoethyl maleate, monoisopropyl maleate, etc., maleic acid monoester, fumaric acid, kain cinnamate, ⁇ Examples include acids, crotonic
  • Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic acid.
  • Examples include pentyl, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, and structural isomers thereof. These can be used alone or in combination of two or more.
  • the component (ii) contains a carboxyl group because alkali developability is improved.
  • a polymerizable monomer having a carboxyl group and another polymerizable monomer are radically polymerized. It can be manufactured from Kotoko.
  • the polymerizable monomer having a carboxyl group methacrylic acid is preferable.
  • component (i) contains styrene or a styrene derivative as a polymerizable monomer
  • both adhesion and release properties are preferably improved.
  • the content of styrene or a styrene derivative as a copolymerization component is preferably 3-30% by weight in component (ii), and 4-1-28% by weight is more preferable. Is particularly preferred. If this content is less than 3% by weight, the adhesion tends to be inferior. On the other hand, if it exceeds 30% by weight, the peel piece tends to be large and the peel time tends to be long.
  • (meth) acrylic acid (meth) acrylic acid alkyl ester
  • copolymerized bull polymers such as styrene and styrene derivatives.
  • the acid value of component (A) is preferably 30-200 mgKOHZg, more preferably 45-150 mgKOHZg. If the acid value is less than 30 mg KOHZg, the development time tends to be longer, whereas if it exceeds 200 mg KOHZg, the developing solution resistance of the photocured resist tends to decrease. In addition, when solvent development is performed as a development step, it is preferable to prepare a polymerizable monomer having a carboxyl group in a small amount.
  • the degree of dispersion (weight average molecular weight Z number average molecular weight) of component (A) is preferably 1.0 to 3.0, more preferably 1.0 to 2.0. If the degree of dispersion exceeds 3.0, the adhesion and resolution tend to decrease.
  • the weight average molecular weight and the number average molecular weight in the present embodiment are values measured by gel permeation chromatography and converted by a calibration curve using standard polystyrene.
  • the weight average molecular weight of the component (A) is preferably 5,000—300,000 S, preferably 40,00 0—150,000, more preferably S, 25,000—150,000 Power S is even better.
  • the weight average molecular weight is less than 5,000, the developer resistance tends to decrease, and when it exceeds 300,000, the development time tends to be long.
  • the component (A) may have a photosensitive group!
  • binder polymers are used alone or in combination of two or more.
  • binder polymers used in combination of two or more types include two or more binder polymers having different copolymer components, two or more binder polymers having different weight average molecular weights, and two or more binder polymers having different dispersion degrees. Can be mentioned. It is also possible to use a polymer having a multimode molecular weight distribution described in Japanese Patent Publication No. 11-327137.
  • the photopolymerizable unsaturated compound having an ethylenically unsaturated bond as component (B) includes, for example, a compound obtained by reacting a polyalcohol with a, j8-unsaturated carboxylic acid, bisphenol A Urethane monomers such as (meth) atalylate compounds, compounds obtained by reacting ⁇ , ⁇ -unsaturated carboxylic acids with glycidyl group-containing compounds, (meth) atalylate compounds, Noyulphenoxypolyethylene oxyatarire Salts, phthalic acid compounds, and (meth) acrylic acid alkyl esters. These may be used alone or in combination of two or more.
  • bisphenol A-based (meth) attareito toy compound or (meth) atalyte toy compound having a urethan bond in the molecule improves plating resistance and adhesion. Is possible and preferable.
  • a photopolymerizable unsaturated compound having one polymerizable ethylenically unsaturated bond in the molecule and a photopolymerizable unsaturated compound having two or more polymerizable ethylenically unsaturated bonds in the molecule, It is preferable to use in combination because it is possible to improve sensitivity and resolution.
  • Examples of the compound obtained by reacting the polyhydric alcohol with a, j8-unsaturated carboxylic acid include, for example, polyethylene glycol di (meth) acrylate and propylene having 2 to 14 ethylene groups. Polypropylene glycol di (meth) acrylate with 2-14 groups, polyethylene with 2-14 ethylene groups and 2-14 propylene groups.
  • EO represents ethylene oxide
  • the EO-modified compound has an ethylene oxide group block structure.
  • PO represents propylene oxide
  • the PO-modified compound has a block structure of propylene oxide group.
  • Examples of the bisphenol A-based (meth) attale toy compound include 2,2-bis (4-(((meth) acryloxypolyethoxy) phenol) propane, 2,2-bis ( 4 — (((Meth) Atalyloxypolypropoxy) phenol) propane, 2,2bis (4 — (((Meth) Atalyloxypolybutoxy) phenol) Propane, 2,2-bis (4 — ((Metal ) Atalyloxypolyethoxypolypropoxy) ferrule) puffed bread and the like.
  • Examples of the 2, 2 bis (4 ((meth) ataryloxypolyethoxy) phenol) propane include, for example, 2, 2-bis (4-(((meth) acrylate polydiethoxy) phenol) Mouth bread, 2, 2-bis (4-(((Meth) Atalyloxytriethoxy) phenol) propane, 2,2bis (4-((Meth) Atarioxytetraethoxy) fur) propane, 2 , 2-bis (4-(((Meth) acryloxypentaethoxy) phenol) propane, 2,2bis (4 ((meth) acryloxyhexaethoxy) phenol) propane, 2,2-bis (4-(((Meth) Ataryloxyheptaethoxy) phenol) propane, 2,2 bis (4 — (((Meth) Attalyxoxyethoxy) phenol) propane, 2,2bis (4— ( (Meth) Ataryloxynonethoxy) phenol) propane, 2,2bis (4 ((Meth) Atally-oxidized eth
  • the number of ethylene oxide groups in one molecule of the above 2,2-bis (4-((meth) atalyloxypolyethoxy) phenol) propane is 4 to 20, preferably 8 to 15. It is more preferable. These may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of the (meth) ataretoy compound having a urethane bond in the molecule include, for example, a (meth) acrylic monomer having an OH group at the ⁇ -position and a diisocyanate compound (isophorone disulfonate, 2, 6 Toluene diisocyanate, 2, 4 Toluene diisocyanate, 1, 6 Monohexamethylene diisocyanate, etc.) Addition reaction product, to tris ((meth) atarioxy-tetraethylene glycol isocyanate) Xamethylene isocyanurate, EO-modified urethane di (meth) acrylate, EO, PO-modified urethane di (meth) acrylate, and the like.
  • a (meth) acrylic monomer having an OH group at the ⁇ -position and a diisocyanate compound (isophorone disulfonate, 2, 6 Toluene diisocyanate, 2, 4 Toluene di
  • Examples of the EO-modified urethane di (meth) acrylate include UA-11 (manufactured by Shin-Nakamura Engineering Co., Ltd., product name). Examples of EO, PO-modified urethane di (meth) acrylate include UA-13 (product name, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.). These are alone, Or a combination of two or more.
  • Examples of the above-mentioned norphenoxypolyethyleneoxy tartrate include, for example, norphenoxytetraethyleneoxytalylate, nourphenoxypentaethyleneoxytalylate, noulphenoxyhexaethyleneoxyoxy.
  • Atalylate Noyulphenoxyheptaethylene Nyleneoxytalylate, Noyulphenoxyoctaethyleneoxytalylate, Noyulfe Nonoxynonaethyleneoxytalylate, Noyulphenoxydecaethyleneoxytalate, Noyulfenoxy Nde force ethylene oxide tartrate. These may be used alone or in combination of two or more.
  • phthalic acid compounds examples include ⁇ -chloro- ⁇ -hydroxypropyl ⁇ (meth) acryloyloxychetil o-phthalate, ⁇ -hydroxyalkyl ⁇ '-(meth) atalyloxyalkyl o-phthalate, and the like. . These may be used alone or in combination of two or more.
  • the photopolymerization initiator as component (C) includes, for example, benzophenone, 2-benzylamino-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenol) -butanone-1, 2-methyl-1- [4 — (Methylthio) phenol] — 2-Morpholinopropanone—Aromatic ketones such as 1; Quinones such as alkylanthraquinones; Benzoin ether compounds such as benzoin alkyl ethers; Benzoins such as benzoin and alkylbenzoins Compound, benzyl derivatives such as benzyl dimethyl ketal, 2— ( ⁇ —chlorophenol) 4, 5—diphenyl imidazole dimer, 2— ( ⁇ mouthfeel) 4, 5—di (methoxyphenol) ) Imidazole dimer, 2— ( ⁇ —fluorophenol) 4, 5—Diphenol-loumidazolnimer, 2— ( ⁇ —methoxy
  • 2,4,5-triarylimidazole dimers are preferred because they can improve adhesion and sensitivity. These can be used alone or in combination of two or more. Also, the substituents of the two 2,4,5-triarylimidazole aryl groups may be identical to give the target compound, or differently give asymmetric compounds.
  • the component (C) in the present embodiment P part by weight of the coumarin compound represented by the above general formula (I) is contained with respect to 100 parts by weight of the total amount of the component (A) and the component (B). .
  • R ⁇ R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 and R 7 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms.
  • the hydrocarbon group is more preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, which is preferably an alkenyl group.
  • the coumarin compound is preferably a coumarin compound represented by the above general formula (I) and having a maximum absorption wavelength of 350 nm or more and less than 380 nm. Further, as the coumarin compound, a compound in which is a methyl group and R 6 and R 7 are both ethyl groups is particularly preferred.
  • the blending amount P is appropriately selected so that the product R with the film thickness Qm of the photosensitive resin composition layer satisfies the condition of the above formula (1).
  • the product R is preferably 25.0 or less, more preferably 24.0 or less, more preferably 22.0 or less, and even more preferably 21.6 or less. Is more preferably 20.4 or less, and particularly preferably 19.2 or less. Further, the product R is preferably 12.0 or more, more preferably 13.2 or more, and further preferably 14.4 or more.
  • R is less than 10.0, the OD value for light with a wavelength of 400-450 nm is too small to absorb light, resulting in low sensitivity.
  • R exceeds 26.3, the OD value is high and the sensitivity is high, but the light hardly reaches the bottom, resulting in poor curability at the bottom, and the resist shape after development becomes an inverted trapezoid. Or the resolution is poor.
  • the 2,4,5-triarylimidazole dimer is preferably a compound represented by the above general formula ( ⁇ ).
  • Ar 1 Ar 2 , Ar 3 and Ar 4 are each independently an aryl group having 6 to 12 carbon atoms (preferably a phenol group), an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or an alkyl group.
  • X 1 and X 2 are each independently a chlorine atom.
  • a C 1 -C 3 alkyl group, a C 1 -C 3 alkenyl group or a C 1 -C 3 alkoxy group, and a and b are each independently an integer of 1-5. However, at least one of each of X 1 and X 2 is a chlorine atom.
  • Examples of the compound represented by the general formula ( ⁇ ) include Ar 1 —Ar 4 are all phenol groups, X 1 and X 2 are chlorine atoms, and a and b are 1, 2, 2 Bis (o-open mouth) 4,5-4 ′, 5′-tetraphenyl 1,2′-biimidazole is preferred.
  • the content of component (A) is preferably 40 to 80 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total amount of components (A) and (B). preferable. If this content is less than 40 parts by weight, the photocured resist tends to become brittle, and the coating property tends to be inferior. On the other hand, if it exceeds 80 parts by weight, the photosensitivity is insufficient. Tend to be.
  • the content of component (B) is preferably 30-55 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total amount of component (A) and component (B). It is more preferable. If the content is less than 20 parts by weight, the photosensitivity tends to be insufficient, whereas if it exceeds 60 parts by weight, the resist tends to be brittle.
  • the content of the component (C) is preferably 0.1-20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total amount of the components (A) and (B). 0.2-10 parts by weight More preferably, it is a part. If the content force is less than 0.1 part by weight, the photosensitivity tends to be insufficient. On the other hand, if it exceeds 20 parts by weight, absorption on the surface of the yarn and the composition increases during exposure, and the internal light is increased. There is a tendency for curing to be inadequate.
  • a photopolymerizable compound (oxetane compound or the like) having at least one cationically polymerizable cyclic ether group in the molecule, a cationic polymerization initiator, malachite, if necessary.
  • Dyes such as green, photochromic agents such as tribromophenol sulfone and leuco crystal violet, thermochromic inhibitors, plasticizers such as p-toluenesulfonamide, pigments, fillers, antifoaming agents, flame retardants, stabilizers, adhesion imparting Agent, leveling agent, peeling accelerator
  • an antioxidant, a fragrance, an imaging agent, a thermal crosslinking agent and the like can be contained in an amount of about 0.01-20 parts by weight per 100 parts by weight of the total amount of component (A) and component (B). These can be used alone or in combination of two or more.
  • the photosensitive resin composition may be methanol, ethanol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl cetyl sorb, ethyl cetyl sorb, toluene, N, N-dimethylformamide, propylene glycol monomethyl ether, etc., if necessary. It can be dissolved in a solvent or a mixed solvent of these and applied as a solution with a solid content of about 30-60% by weight.
  • the photosensitive resin composition is used in the form of a photosensitive element.
  • the photosensitive element can be obtained, for example, by applying a photosensitive resin composition on a support and drying it.
  • the coating can be performed by a known method such as a roll coater, comma coater, gravure coater, air-niff coater, die coater, or bar coater. Drying can be performed at 70-150 ° C for 5-30 minutes. Further, the amount of the remaining organic solvent in the photosensitive resin composition layer is preferably 2% by weight or less from the viewpoint of preventing diffusion of the organic solvent in the subsequent step.
  • the photosensitive resin composition layer formed by the above method preferably has an OD value of 20 to 0.55 with respect to an exposure wavelength of 405 nm, and preferably has a force of 0.25 to 0.53. I prefer more! / ⁇ .
  • the O.D. value of the photosensitive 14 resin composition layer is within the above range, the photosensitive resin composition layer has excellent sensitivity and resolution, and the resist shape after development becomes a substantially rectangular shape. If the above O.D. value is less than 0.20, the sensitivity tends to be low because sufficient light cannot be absorbed for the polymerization reaction.
  • the photosensitive element 1 includes intermediate layers and protective layers such as a cushion layer, an adhesive layer, a light absorption layer, and a gas barrier layer.
  • the protective film 13 include polymer films such as polyethylene and polypropylene.
  • the protective film 13 is preferably one having a lower adhesive strength between the photosensitive resin composition layer and the protective film than the adhesive strength between the photosensitive resin composition layer and the support. A film is preferred.
  • the photosensitive element is stored, for example, as it is or by further laminating a protective film on the other surface of the photosensitive resin composition layer and winding it around a cylindrical core. In this case, it is preferable that the support is wound so that the outermost side is the outermost side. It is preferable that an end face separator is installed on the end face of the roll-shaped photosensitive element roll in order to protect the end face.
  • Examples of the core include polyethylene resin, polypropylene resin, polystyrene resin, polychlorinated bur resin, and ABS resin (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer).
  • the photosensitive resin composition layer is formed at 70 ° C to 1300 ° C.
  • the surface to be laminated is usually a metal surface.
  • the photosensitive resin composition layer thus laminated is usually subjected to a mask exposure method performed through a mask pattern, a laser direct drawing exposure method, a plurality of mirrors arranged, By changing the angle as necessary, the actinic ray is irradiated in an image form by a direct drawing method such as a direct drawing method in which the exposure light becomes an image form.
  • a direct drawing method in which the exposure light becomes an image by arranging a plurality of mirrors and changing the angle of each mirror as necessary, for example, a mirror of about 13-17 m square is used.
  • a direct drawing method in which exposure light becomes an image by arranging about 480,000 800,000 and changing the angle of each mirror as necessary. More specifically, for example, Texas Instruments '“Digital Light Processing” exposure method (DLP (Digital Light Processing)), Pentax's “Data' Direct 'Imaging' System”, and BALL Conductor's “Mask” There is a method called “Less Lithography System”.
  • An array that performs the core function of the direct drawing method Such mirrors are called “micromirror array”, “two-dimensional display element”, “DMD (Digital Mirror Device)”, etc., for example.
  • the active light source a known light source such as a carbon arc lamp, a mercury vapor arc lamp, a high-pressure mercury lamp, a xenon lamp, an Ar ion laser, a semiconductor laser, or the like, effectively emits ultraviolet light, visible light, or the like. Things are used.
  • the light having a wavelength of 365 nm or less of the mercury lamp light source is cut by 90% (more preferably 99.0%, more preferably 99.5%) or more using a filter. It is desirable to use light (active light) having a wavelength of 400 to 450 nm (more preferably 400 to 415 nm), or light having a wavelength of 405 nm (active light) of a semiconductor laser.
  • a filter for cutting light having a wavelength of 365 nm or less for example, a sharp cut filter SCF-100S-39L manufactured by Sigma Kogyo Co., Ltd. can be used.
  • a laser more preferably a semiconductor laser diode, more preferably a gallium nitride semiconductor laser
  • a blue laser more preferably a gallium nitride blue laser
  • irradiate light active light having a wavelength of 400 to 450 nm (more preferably 400 to 415 nm).
  • the light from the light source is more preferably light having a wavelength of 400 to 415 nm, which is preferably irradiated with light having a wavelength of 400 to 450 nm.
  • a light source that emits a lot of light with a wavelength of 365 nm or less such as a mercury lamp
  • a filter for cutting light having a wavelength of 365 nm or less for example, a sharp cut filter SCF-100S-39L manufactured by Sigma Kogyo Co., Ltd. can be used.
  • the light source it is particularly preferable to use a gallium nitride semiconductor laser and a blue laser, which are more preferably semiconductor laser diodes.
  • the blue laser a gallium nitride blue laser is preferable.
  • the laser light source is used as the exposure light, light with a wavelength of 405 nm is preferable, and light with a wavelength of 400 to 415 nm is more preferable, and light with a wavelength of 400 to 450 nm is more preferable.
  • the exposure is performed with light having a wavelength of 400 to 450 nm, and light with a wavelength of 400 to 410 nm is more preferable, and light with a wavelength of 400 to 410 nm is particularly preferable.
  • light having an area integrated intensity a of 400 nm to 450 nm in the oscillation spectrum of the light source is 10 times or more of the area integrated intensity b of wavelength 300 nm or more and less than 400 nm. It is also preferable.
  • Figure 3 shows the oscillation spectrum of the mercury lamp light source. When exposed as it is using a mercury lamp as the light source, the wavelength range of the light emitted as shown in Fig. 3 is light with a wavelength of less than 400 nm, which is ultraviolet light harmful to the human body, centering on a broad wavelength of 365 nm light (i-line). Will be irradiated. Therefore, by using a cut filter as shown in Fig.
  • Fig. 4 is an oscillation spectrum diagram of a mercury lamp light source using a filter.
  • the support is removed, and then wet with a developer such as an alkaline aqueous solution, an aqueous developer, or an organic solvent.
  • a developer such as an alkaline aqueous solution, an aqueous developer, or an organic solvent.
  • the resist pattern can be formed by removing the unexposed portion and developing the substrate by dry development or dry development.
  • the alkaline aqueous solution include a dilute solution of 0.1 to 5% by weight of sodium carbonate, a dilute solution of 0.1 to 5% by weight of potassium carbonate, and a dilute solution of 0.1 to 5% by weight of sodium hydroxide. It is done.
  • the pH of the alkaline aqueous solution is preferably in the range of 9-11.
  • the temperature is adjusted in accordance with the developability of the photosensitive resin composition layer.
  • a surfactant, an antifoaming agent, an organic solvent, etc. may be mixed in the alkaline aqueous solution.
  • Examples of the development method include a dip method, a spray method, brushing, and srubbing.
  • the resist pattern may be further cured by heating at about 60 to 250 ° C or exposure at about 0.2 to 10 j / cm 2 as necessary.
  • the surface of the circuit forming substrate is treated by a known method such as etching or plating using the resist pattern as a mask.
  • etching metal surfaces For example, a cupric chloride solution, a ferric chloride solution, or an alkaline etching solution can be used.
  • the plating method include copper plating, solder plating, nickel plating, and gold plating.
  • the resist pattern can be peeled off with a stronger alkaline aqueous solution than the alkaline aqueous solution used for development, for example.
  • the strong alkaline aqueous solution for example, 1-10% by weight sodium hydroxide aqueous solution, 1-10% by weight potassium hydroxide aqueous solution or the like is used.
  • the peeling method include an immersion method and a spray one-side method.
  • the printed wiring board on which the resist pattern is formed has a small-diameter through hole that can be a multilayer printed wiring board.
  • Table 1 shows the components shown in Table 1 in the blending amounts shown in the same table to obtain a solution of the photosensitive resin composition of Examples 1 and 3 and Comparative Examples 1 and 12.
  • Table 2 shows the amount of 7-jetylamino-4-methylcoumarin as component (C).
  • Component (B) Bisphenol A skeleton EO-modified dimethacrylate 44
  • the obtained photosensitive resin composition solution was uniformly applied onto a 16 ⁇ m-thick polyethylene terephthalate film (product name: G2-16, manufactured by Teijin Ltd.) at 100 ° C.
  • the photosensitive elements of Examples 1 and 3 and Comparative Examples 1 and 2 were obtained by drying with a hot air convection dryer for 10 minutes.
  • the film thickness of the photosensitive resin composition layer was 24 m.
  • the OD value with respect to the exposure wavelength of the photosensitive resin composition layer of the obtained photosensitive element was measured using a UV spectrophotometer (Spectrophotometer U-3310 manufactured by Hitachi, Ltd.). For measurement, place a photosensitive element on the measurement side, place a support film on the reference side, Measurement was performed by continuously measuring from 550 to 300 nm in the absorbance mode and reading the values at 365 nm and 405 nm. The results obtained are shown in Table 3.
  • the copper surface of a copper-clad laminate (product name: MCL-E-67, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), which is a glass epoxy material laminated with copper foil (thickness 35 ⁇ m) on both sides, is used. Polishing was performed using a polishing machine (manufactured by Sankei Co., Ltd.) having a brush equivalent to # 600, washed with water, and then dried with an air stream. Next, after heating the copper-clad laminate to 80 ° C, the photosensitive resin composition layer was brought into close contact with the copper surface, and the resulting photosensitive element was 0.4 MPa (4 kgfZcm at 120 ° C). Lamination was performed under the pressure of 2 ).
  • the polyethylene terephthalate surface had a density region of 0.00-2.00, a density step of 0.05, A photo tool with a 41-step tablet with a size of 20mmX 187mm and a step force of 3mm X 12mm, and a wiring pattern with a line width / space width of 6 Z6-35Z35 (unit: / zm) as a negative for resolution evaluation
  • a sigma cut filter SCF-100S-39L made by Sigma Koki Co., Ltd. is placed on top of it to cut light with a wavelength of 365 nm or less over 99.5%.
  • the remaining number of steps after development of the 41-step tablet is 14 steps, 17 steps, and 20 steps. Exposure was performed. Sensitivity was defined as the exposure amount at which the remaining number of steps after development of a 41-step tablet was 17 steps. The illuminance was measured using the UVT illuminance meter UIT-101 manufactured by Usio Electric Co., Ltd. to which a 405 nm probe was applied, and the illuminance X exposure time was used as the exposure amount.
  • the resolution was evaluated based on the smallest value of the space width between the line widths in which the unexposed portions could be removed cleanly by the development process and the lines were generated without meandering or chipping. Both sensitivity and resolution are evaluated better as the value is smaller.
  • the resist shape after development was observed using a Hitachi scanning electron microscope S-500A. Les It is desirable that the dies shape be close to a rectangle.
  • Table 3 shows the OD value, sensitivity, resolution, and resist shape data of the photosensitive elements of Examples 1 and 3 and Comparative Example 1 and 2.
  • the blending amount of 7-jetylamino-4-methylcoumarin in the photosensitive resin composition P [g] the film thickness Q [m] of the photosensitive resin composition layer of the photosensitive element, those The product R is also shown.
  • Component (A) (Mit 25/47/28, weight average molecular weight 25,000,
  • Component (C) Component 7—Cetylamino-4 Monomethylcoumarin 5 Reference Coloring agent Leuco Crystal /, “Yailetetto 0.3 Dye Malachite's Lean 0.03 Solvent Gasen 5 Solvent Toluene 9 Solvent Methanol 6.5
  • the obtained solution of the photosensitive resin composition was uniformly applied onto a 16 ⁇ m-thick polyethylene terephthalate film (product name: G2-16, manufactured by Teijin Limited), and 100 ° C
  • the photosensitive element of Examples 4 and 6 was obtained by drying with a hot air convection dryer for 10 minutes.
  • the film thickness of the photosensitive resin composition layer was 25 m.
  • a photosensitive element of Comparative Example 3 corresponding to ultraviolet ray (light having a wavelength of 400 ⁇ m or less) exposure using a conventional mercury lamp was manufactured.
  • the photosensitive element of Comparative Example 3 was the same as that of Example 4 except that 0, lg of 4,4 ′ bis (diethylamino) benzophenone was used as the component (C) without using a coumarin compound. Manufactured in the same way as the element.
  • Example 1 The OD value with respect to the exposure wavelength of the photosensitive resin composition layer in the obtained photosensitive element was measured in the same manner as in Example 1.
  • the sensitivity, resolution, and resist shape were evaluated in the same manner as in Example 1 except that the obtained photosensitive element was used. It should be noted that the illuminance measurement in Examples 4 and 6 and Comparative Example 3 was carried out in place of Ushio's UV illuminance meter UIT-101 and Ushio's UV integrated light meter UIT-150 and Ushio's receiver. Measurement was performed using UVD—S405 in combination.
  • Table 5 shows the OD value, sensitivity, resolution, and cross-sectional shape of the resist for the photosensitive elements of Examples 4 and 6 and Comparative Example 3.
  • the blending amount P [g] of 7-jetylamino-4-methylcoumarin in the photosensitive resin composition, the film thickness Q of the photosensitive resin composition layer of the photosensitive element, and the blending amount P The product R with the film thickness Q is also shown.
  • Example 4 the absorption spectrum (horizontal axis: wavelength, vertical axis: absorbance) of the photosensitive resin composition layer was measured using UV spectroscopy. Measurement was performed using a photometer (U 3310 spectrophotometer manufactured by Hitachi, Ltd.). The obtained results are shown in Figure 5-7. 6 and 7 are partially enlarged views of FIG. In FIG. 5-7, Example 4 is shown as A, and Comparative Example 3 is shown as B.
  • the photosensitive element of Example 4 has higher absorbance and superior sensitivity to light of 390 to 440 nm as compared with the photosensitive element of Comparative Example 3. Is a thing it is conceivable that. Further, as can be seen from FIG. 7, the photosensitive element of Example 4 has a low absorbance with respect to light of 500 nm or more, and thus is considered to be excellent in stability under yellow light.
  • the photosensitive element of the present invention is particularly excellent in sensitivity and resolution with respect to exposure with light having a wavelength of 400 to 450 nm, and the cross-sectional shape of the resist after development is substantially rectangular. Therefore, by using the photosensitive element of the present invention, it is possible to perform good exposure and etching, and it is possible to form a resist pattern that is excellent in sensitivity and resolution, and that can obtain a desired resist shape. It is possible to provide a printed wiring board manufacturing method capable of obtaining a printed wiring board with high throughput.

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Abstract

 特に波長400~450nm光による露光に対して感度、解像度に優れ、現像後のレジストの断面形状が略矩形である感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法を提供すること。  支持体と、該支持体上に設けられた(A)バインダポリマ、(B)エチレン性不飽和結合を有する光重合性化合物及び(C)光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物から構成される感光性樹脂組成物層と、を備える感光性エレメントであって、上記感光性樹脂組成物は、上記(C)成分としてクマリン系化合物を含有しており、上記(A)及び(B)成分の総量100重量部に対する上記クマリン系化合物の重量部をP、上記感光性樹脂組成物層の膜厚をQ[μm]、としたときの、PとQとの積であるRが、10.0≦R≦26.3を満たすことを特徴とする感光性エレメント。

Description

明 細 書
感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造 方法
技術分野
[0001] 本発明は、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製 造方法に関する。
背景技術
[0002] プリント配線板の製造において、エッチング、めっき等に用いられるレジスト材料とし ては、感光性榭脂組成物、感光性エレメントが知られている(例えば、特許文献 1参 照)。
[0003] プリント配線板を製造する場合、例えば、銅基板上に積層されたレジストに対してパ ターン露光を行う。露光には、主として水銀灯が光源として用いられてきた力 可視 光レーザを用いる方法もある。しかし、可視光レーザを用いる方法は可視光に感度を 有するレジストが必要とされ、このレジストは暗室又は赤色灯下で取り扱う必要がある など露光を行う環境に制限がある。
[0004] 近年、水銀灯光源の波長 365nm以下の光を 99. 5%以上カットした活性光線、波 長 400— 415nmの光を発振する窒化ガリウム系青色レーザ光源力 一般的なパタ ーン露光の光源として使用されるようになり、更に、デジタルライトプロセッシング (DL P (Digital Light Processing) )露光法の露光機にも使用されるようになっている。 特許文献 1:特開 2000-310855号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] し力しながら、従来の感光性榭脂組成物は、波長 365nmの光を中心とした水銀灯 光源の全波長露光に対応するように設計されている。このため、従来の感光性榭脂 組成物は、波長 400— 450nmの光に対して光学密度(以下「0. D.値」という)が小 さく充分に光を吸収できな 、ことから光重合を開始できな 、ため、感度が低 、と 、う 問題があった。 [0006] 従って、特に、水銀灯光源の波長 365nm以下の光を 99. 5%以上カットした活性 光線や波長 400— 415nmの光を発振する青色レーザ光源を用いた露光(以下、「4 00— 450nm光」と称す)の場合、従来の感光性榭脂組成物では、レジストの感度が 低ぐ解像度も不充分であった。
[0007] また、高感度化を達成するためには光重合開始剤の配合量を増加させる必要があ るが、この場合、形成されたレジストパターンのライン断面形状が逆台形状 (断面形 状が台形であり、レジストパターンの幅がその表面から基板界面に向かって小さくな る状態をいう。以下同様。 )になってしまい、これにより、その後のエッチング又はめつ きにより形成された配線パターンと露光を行ったパターンとのずれが生じてしまうとい う問題があった。
[0008] 本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、特に波長 400— 450nm光による露 光に対して感度、解像度に優れ、現像後のレジストの断面形状が略矩形である感光 性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法を提供する ことを目的とする。
課題を解決するための手段
[0009] 本発明者らが詳細に検討した結果、特定の波長の光に対して比較的大きな吸収を もつ特定のクマリン系化合物を光重合開始剤として用いること、更に、上記クマリン系 化合物の配合量と感光性榭脂組成物層の膜厚とを調整することが上記目的を達成 するために有効であることを見出した。更に検討を行った結果、上記配合量と上記膜 厚の積が所定の範囲を満たす場合に、上記目的を達成可能であることを見出し、本 発明を完成させた。
[0010] すなわち、本発明は、支持体と、該支持体上に設けられた (A)バインダボリマ、 (B) エチレン性不飽和結合を有する光重合性化合物及び (C)光重合開始剤を含有する 感光性榭脂組成物から構成される感光性榭脂組成物層と、を備える感光性エレメン トであって、上記感光性榭脂組成物が、(C)成分として下記一般式 (I)で示されるク マリン系化合物を含有しており、 (A)及び (B)成分の総量 100重量部に対する上記 クマリン系化合物の重量部を P、感光性榭脂組成物層の膜厚を Q[ /z m]、としたとき の、 Pと Qとの積である尺が、下記式(1)の条件を満たすことを特徴とする感光性エレ メントを提供する。
10. 0≤R≤26. 3 (1)
[化 1]
(り
Figure imgf000005_0001
[式中、
Figure imgf000005_0002
R2、 R3、 R4、 R5、 R。及び R7は、それぞれ独立に水素原子又は炭化水素 基を示す。 ]
[0011] 本発明の感光性エレメントは、感度、解像度に優れ、形成されたレジストパターンの ライン断面形状が略矩形となる。これは、感光性榭脂組成物層を構成する感光性榭 脂組成物中に、特定の波長の光に対して比較的大きな吸収をもつ特定のクマリン系 化合物が上記条件を満たす範囲で配合されていることによると考えられる。
[0012] さらに、波長 400— 450nmの光に対して大きな吸収をもつ化合物を光重合開始剤 として添加した場合には、感度は向上するもののイェロー光下安定性が低下する問 題があつたが、上記クマリン系化合物はイェロー光下安定性に優れており上記問題 が生じない。
[0013] 上記本発明の感光性エレメントは、感光性榭脂組成物が、(C)成分として下記一般 式 (Π)で示される 2, 4, 5—トリアリールイミダゾールニ量体を更に含有することが好ま しい。
[化 2]
(Π)
Figure imgf000005_0003
[式中、 Ar1 Ar2、 Ar3及び Ar4は、それぞれ独立に、アルキル基、ァルケ-ル基及び アルコキシ基力もなる群より選ばれる少なくとも 1つの置換基を有していてもよいァリ 一ル基を示し、 X1及び X2はそれぞれ独立に塩素原子、アルキル基、アルケニル基又 はアルコキシ基を示し、 a及び bはそれぞれ独立に 1一 5の整数を示す。但し、 X1及び X2はそれぞれ少なくとも 1つは塩素原子である。 ]
[0014] 本発明の感光性エレメントを構成する感光性榭脂組成物が上記 2, 4, 5—トリアリー ルイミダゾ一ルニ量体を更に含有する場合、感光性エレメントの感度及び解像度が 一層向上する。
[0015] 上記感光性エレメントは、(0波長 400— 450nmの光により露光される感光性エレメ ント又は GO波長 400— 415nmの光により露光される感光性エレメントであるとよい。 また、感光性エレメントは、 Gii)青色レーザ力 発される光により露光される感光性ェ レメント又は (iv)複数のミラーを配列し、各々のミラーの角度を必要に応じて変更する ことにより、露光光が画像状になる直接描画法 (より好ましくはデジタルライトプロセッ シング露光法)により露光される感光性エレメントであると更によい。より好ましい態様 においては、上記波長 400— 415nmの光はレーザ光 (好ましくは半導体レーザダイ オードから発される光、より好ましくは窒化ガリウム系半導体レーザ力 発される光)で あり、上記青色レーザ力 発される光は窒化ガリウム系青色レーザ力 発される波長 400— 415nmの光であり、上記直接描画法による露光は波長 400— 415nmの光に より行われる。
[0016] 上記感光性エレメントはまた、(V)波長 365nm以下の光を 90%以上カットした活性 光線により露光される感光性エレメントであるとよい。この場合において、波長 365η m以下の光は 99. 0%カットされていることが更によぐ 99. 5%以上カットされている ことが特に好ましい。
[0017] 上記感光性エレメントはまた、(vi)光源の発振スペクトルにおける波長 400nm— 45 Onmの面積積分強度 aが、波長 300nm以上 400nm未満の面積積分強度 bの 10倍 以上である光により露光される感光性エレメントであるとよい。
[0018] 感光性エレメントにおける上記好適な態様を採用することにより、感度及び解像度 を更に向上させ得、また、形成されるレジストパターンのライン断面形状を確実に略 矩形とすることができる。
[0019] また、本発明は、回路形成用基板上に、上記感光性エレメントの感光性榭脂組成 物層を積層する積層工程と、感光性榭脂組成物層の所定部分に活性光線を照射し て露光部を形成させる露光工程と、感光性榭脂組成物層の露光部以外の部分を除 去する現像工程と、を備えることを特徴とするレジストパターンの形成方法を提供する
[0020] 本発明のレジストパターンの形成方法は、上記本発明の感光性エレメントを用いる ことから良好な露光及びエッチングが可能となり、感度、解像度に優れ、目的とするレ ジスト形状が得られるレジストパターンの形成方法が可能となる。
[0021] また、本発明は、上記レジストパターンの形成方法によりレジストパターンの形成さ れた回路形成用基板を、エッチング又はめつきすることを特徴とするプリント配線板の 製造方法を提供する。本発明のプリント配線板の製造方法は、上記本発明のレジスト パターンの形成方法を用いることから高密度なプリント配線板を高 、スループットで 得ることが可能となる。
発明の効果
[0022] 本発明によれば、特に波長 400— 450nmの光による露光に対して感度、解像度に 優れ、現像後のレジストの断面形状が略矩形である感光性エレメントを提供すること が可能となる。また、本発明の感光性エレメントを用いることにより、良好な露光及び エッチングが可能となり、感度、解像度に優れ、目的とするレジスト形状が得られるレ ジストパターンの形成方法が可能となり、高密度なプリント配線板を高 、スループット で得ることが可能なプリント配線板の製造方法を提供することが可能となる。
図面の簡単な説明
[0023] [図 1]本発明の感光性エレメントの好適な一実施形態を示す模式断面図である。
[図 2]本発明の感光性エレメントの好適な他の実施形態を示す模式断面図である。
[図 3]水銀灯光源の発振スペクトル図である。
[図 4]フィルタを使用した水銀灯光源の発振スペクトル図である。
[図 5]実施例 4及び比較例 3の感光性エレメントにおける感光性榭脂組成物層の吸光 スペクトル図である。 [図 6]図 5に示す吸光スペクトル図の部分拡大図である。
[図 7]図 5に示す吸光スペクトル図の部分拡大図である。
符号の説明
[0024] 1…感光性エレメント、 11· ··支持体、 12· ··感光性榭脂組成物層、 13…保護フィル ム。
発明を実施するための最良の形態
[0025] 以下、場合により図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。な お、本実施形態における (メタ)アクリル酸とはアクリル酸及びそれに対応するメタタリ ル酸を意味し、(メタ)アタリレート及び (メタ)アタリロイル基にぉ 、ても同様である。
[0026] 図 1は本発明の感光性エレメントの好適な一実施形態を示す模式断面図である。
本実施形態の感光性エレメント 1は、支持体 11と、該支持体上に設けられた感光性 榭脂組成物から構成される感光性榭脂組成物層 12と、を備えるものである。なお、本 発明の感光性エレメント 1は、図 2に示すように、感光性榭脂組成物層 12における支 持体 11に接触して 、る面と反対側の面上に、さらに保護フィルム 13を備えて ヽても よい。
[0027] 支持体 11としては、支持体として、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリ エチレン、ポリエステル等の重合体フィルムを用いることが好ましい。また、支持体の 厚みは、 1一 100 mの範囲で適宜選択される。
[0028] 感光性榭脂組成物層 12を形成する感光性榭脂組成物は、(A)バインダボリマ、(B )エチレン性不飽和結合を有する光重合性化合物及び (C)光重合開始剤を含有す る。ここで、感光性榭脂組成物層の厚さ Q [ μ m]は、上記式(1)の条件を満たす範囲 で選択される力 好ましくは 1一 100 /z mであり、より好ましくは 5— 60 /z mであり、さら に好ましくは 10— 50 μ mである。
[0029] (A)成分であるバインダボリマとしては、例えば、アクリル系榭脂、スチレン系榭脂、 エポキシ系榭脂、アミド系榭脂、アミドエポキシ系榭脂、アルキド系榭脂、フエノール 系榭脂等が挙げられる。アルカリ現像性の見地からは、アクリル系榭脂が好ましい。こ れらは単独で又は 2種以上を組み合わせて用いることができる。
[0030] (A)成分は、例えば、重合性単量体をラジカル重合させることにより製造することが できる。上記重合性単量体としては、例えば、スチレン、ビュルトルエン、 ひ メチルス チレン、 p—メチルスチレン、 p—ェチルスチレン等の重合可能なスチレン誘導体、ァク リルアミド、アクリロニトリル、ビニルー n ブチルエーテル等のビニルアルコールのエス テル類、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸テトラヒドロフルフリルェ ステル、(メタ)アクリル酸ジメチルアミノエチルエステル、(メタ)アクリル酸ジェチルアミ ノエチルエステル、(メタ)アクリル酸グリシジルエステル、 2, 2, 2—トリフルォロェチル (メタ)アタリレート、 2, 2, 3, 3-テトラフルォロプロピル (メタ)アタリレート、(メタ)アタリ ル酸、 α -ブロモ(メタ)アクリル酸、 α—クロル (メタ)アクリル酸、 j8 -フリル (メタ)アタリ ル酸、 j8—スチリル (メタ)アクリル酸、マレイン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸モノメ チル、マレイン酸モノエチル、マレイン酸モノイソプロピル等のマレイン酸モノエステル 、フマール酸、ケィ皮酸、 α シァノケィ皮酸、ィタコン酸、クロトン酸、プロピオール酸 が挙げられる。これらは単独で又は 2種類以上を組み合わせて使用される。
[0031] 上記 (メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、 ( メタ)アクリル酸ェチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)ァ クリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸へキシル、(メタ)アクリル酸へプチル、(メタ)アタリ ル酸ォクチル、(メタ)アクリル酸 2—ェチルへキシル、これらの構造異性体が挙げられ る。これらは単独で又は 2種以上を組み合わせて用いることができる。
[0032] (Α)成分には、カルボキシル基を含有させるとアルカリ現像性が向上するので好ま しぐ例えば、カルボキシル基を有する重合性単量体とその他の重合性単量体をラジ カル重合させること〖こより製造することができる。上記カルボキシル基を有する重合性 単量体としては、メタクリル酸が好ましい。
[0033] (Α)成分には、スチレン又はスチレン誘導体を重合性単量体として含有させると、 密着性及び剥離特性が共に良好となり好まし 、。スチレン又はスチレン誘導体の共 重合成分としての含有量は、(Α)成分中に 3— 30重量%含むことが好ましぐ 4一 28 重量%含むことがより好ましぐ 5— 27重量%含むことが特に好ましい。この含有量が 3重量%未満では密着性が劣る傾向があり、他方、 30重量%を超えると剥離片が大 きくなり、剥離時間が長くなる傾向がある。
[0034] 上記重合性単量体の中では、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸アルキルエステル 及び、スチレン、スチレン誘導体等の共重合ビュルポリマーを組合わせて用いること が好ましい。
[0035] (A)成分の酸価は、 30— 200mgKOHZgであることが好ましぐ 45— 150mgKO HZgであることがより好まし 、。この酸価が 30mgKOHZg未満では現像時間が長 くなる傾向があり、他方、 200mgKOHZgを超えると光硬化したレジストの耐現像液 性が低下する傾向がある。また、現像工程として溶剤現像を行う場合は、カルボキシ ル基を有する重合性単量体を少量に調製することが好ましい。
[0036] (A)成分の分散度 (重量平均分子量 Z数平均分子量)は、 1. 0— 3. 0であることが 好ましぐ 1. 0-2. 0であることがより好ましい。分散度が 3. 0を超えると接着性及び 解像度が低下する傾向がある。但し、本実施形態における重量平均分子量及び数 平均分子量はゲルパーミエーシヨンクロマトグラフィーにより測定し、標準ポリスチレン を用いた検量線により換算した値を使用したものである。
[0037] (A)成分の重量平均分子量は、 5, 000— 300, 000であること力 S好ましく、 40, 00 0— 150, 000であること力 Sより好ましく、 25, 000— 150, 000であること力 S更に好ま しい。重量平均分子量が、 5, 000未満では耐現像液性が低下する傾向があり、他方 、 300, 000を超えると現像時間が長くなる傾向がある。
[0038] また、必要に応じて (A)成分は感光性基を有して 、てもよ!/、。
[0039] これらのバインダボリマは、単独で又は 2種類以上を組み合わせて使用される。 2種 類以上を組み合わせて使用する場合のバインダボリマとしては、例えば、異なる共重 合成分からなる 2種類以上のバインダボリマ、異なる重量平均分子量の 2種類以上の バインダボリマ、異なる分散度の 2種類以上のバインダボリマが挙げられる。また、特 開平 11— 327137号公報記載のマルチモード分子量分布を有するポリマを使用する ことちでさる。
[0040] (B)成分であるエチレン性不飽和結合を有する光重合性不飽和化合物としては、 例えば、多価アルコールに a , j8—不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物、 ビスフエノール A系(メタ)アタリレートイ匕合物、グリシジル基含有化合物に α , β—不 飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物、分子内にウレタン結合を有する (メタ) アタリレート化合物等のウレタンモノマー、ノユルフェノキシポリエチレンォキシアタリレ ート、フタル酸系化合物、(メタ)アクリル酸アルキルエステルが挙げられる。これらは 単独で、または 2種類以上を組み合わせて使用される。
[0041] これらの中でも、ビスフエノール A系(メタ)アタリレートイ匕合物または分子内にウレタ ン結合を有する (メタ)アタリレートイ匕合物が、耐めっき性、密着性を向上させることが 可能となり好ましい。また、分子内に一つの重合可能なエチレン性不飽和結合を有 する光重合性不飽和化合物と、分子内に二つ以上の重合可能なエチレン性不飽和 結合を有する光重合性不飽和化合物とを組み合わせて用いることが、感度、解像度 を向上させることが可能となり好ましい。
[0042] 上記多価アルコールに a , j8—不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物とし ては、例えば、エチレン基の数が 2— 14であるポリエチレングリコールジ (メタ)アタリレ ート、プロピレン基の数が 2— 14であるポリプロピレングリコールジ (メタ)アタリレート、 エチレン基の数が 2— 14でありプロピレン基の数が 2— 14であるポリエチレン.ポリプ ロピレングリコールジ (メタ)アタリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アタリレート、ト リメチロールプロパントリ(メタ)アタリレート、 EO変性トリメチロールプロパントリ(メタ)ァ タリレート、 PO変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アタリレート、 EO, PO変性トリメチ ロールプロパントリ(メタ)アタリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アタリレート、テト ラメチロールメタンテトラ (メタ)アタリレート、ジペンタエリスリトールペンタ (メタ)アタリレ ート、ジペンタエリスリトールへキサ (メタ)アタリレートが挙げられる。これらは単独で、 または 2種類以上を組み合わせて使用される。なお、 EOはエチレンオキサイドを示し 、EO変性されたィ匕合物はエチレンオキサイド基のブロック構造を有するものである。 また、 POはプロピレンオキサイドを示し、 PO変性された化合物はプロピレンォキサイ ド基のブロック構造を有するものである。
[0043] 上記ビスフエノール A系(メタ)アタリレートイ匕合物としては、 2, 2—ビス(4— ( (メタ)ァ クリロキシポリエトキシ)フエ-ル)プロパン、 2, 2—ビス(4— ( (メタ)アタリロキシポリプロ ポキシ)フエ-ル)プロパン、 2, 2 ビス(4— ( (メタ)アタリロキシポリブトキシ)フエ-ル) プロパン、 2, 2—ビス(4— ( (メタ)アタリロキシポリエトキシポリプロポキシ)フエ-ル)プ 口パン等が挙げられる。上記 2, 2 ビス (4 ((メタ)アタリロキシポリエトキシ)フエ-ル) プロパンとしては、例えば、 2, 2—ビス(4— ( (メタ)アタリ口キシジエトキシ)フエ-ル)プ 口パン、 2, 2—ビス(4— ( (メタ)アタリロキシトリエトキシ)フエ-ル)プロパン、 2, 2 ビス (4- ( (メタ)アタリ口キシテトラエトキシ)フ -ル)プロパン、 2, 2—ビス (4- ( (メタ)ァク リロキシペンタエトキシ)フエ-ル)プロパン、 2, 2 ビス(4 ((メタ)アタリロキシへキサ エトキシ)フエ-ル)プロパン、 2, 2—ビス(4— ( (メタ)アタリロキシヘプタエトキシ)フエ -ル)プロパン、 2, 2 ビス(4— ( (メタ)アタリ口キシォクタエトキシ)フエ-ル)プロパン 、 2, 2 ビス(4— ( (メタ)アタリロキシノナエトキシ)フエ-ル)プロパン、 2, 2 ビス(4一( (メタ)アタリ口キシデ力エトキシ)フエ-ル)プロパン、 2, 2—ビス(4— ( (メタ)アタリロキ シゥンデカエトキシ)フエ-ル)プロパン、 2, 2 ビス(4— ( (メタ)アタリロキシドデカエト キシ)フエ-ル)プロパン、 2, 2 ビス(4— ( (メタ)アタリロキシトリデカエトキシ)フエ-ル )プロパン、 2, 2—ビス(4— ( (メタ)アタリ口キシテトラデカエトキシ)フエ-ル)プロパン、 2, 2 ビス(4— ( (メタ)アタリロキシペンタデカエトキシ)フエ-ル)プロパン、 2, 2 ビス (4 ( (メタ)アタリ口キシへキサデ力エトキシ)フエ-ル)プロパン等が挙げられ、 2, 2— ビス(4— (メタクリロキシペンタエトキシ)フエ-ル)プロパンは、 BPE— 500 (新中村ィ匕 学工業 (株)製、製品名)として商業的に入手可能であり、 2, 2 ビス (4 (メタクリロキ シペンタデカエトキシ)フエ-ル)プロパンは、 BPE— 1300 (新中村化学工業 (株)製、 製品名)として商業的に入手可能である。上記 2, 2—ビス (4ー((メタ)アタリロキシポリ エトキシ)フエ-ル)プロパンの 1分子内のエチレンオキサイド基の数は 4一 20であるこ と力 子ましく、 8— 15であることがより好ましい。これらは単独で、または 2種類以上を 組み合わせて使用される。
上記分子内にウレタン結合を有する (メタ)アタリレートイ匕合物としては、例えば、 β 位に OH基を有する(メタ)アクリルモノマーとジイソシァネートイ匕合物(イソホロンジィ ソシァネート、 2, 6 トルエンジイソシァネート、 2, 4 トルエンジイソシァネート、 1, 6 一へキサメチレンジイソシァネート等)との付加反応物、トリス( (メタ)アタリ口キシテトラ エチレングリコールイソシァネート)へキサメチレンイソシァヌレート、 EO変性ウレタン ジ (メタ)アタリレート、 EO, PO変性ウレタンジ (メタ)アタリレート等が挙げられる。 EO 変性ウレタンジ (メタ)アタリレートとしては、例えば、 UA— 11 (新中村ィ匕学工業 (株)製 、製品名)が挙げられる。また、 EO, PO変性ウレタンジ (メタ)アタリレートとしては、例 えば、 UA— 13 (新中村化学工業 (株)製、製品名)が挙げられる。これらは単独で、ま たは 2種類以上を組み合わせて使用される。
[0045] 上記ノ-ルフエノキシポリエチレンォキシアタリレートとしては、例えば、ノ-ルフエノ キシテトラエチレンォキシアタリレート、ノユルフェノキシペンタエチレンォキシアタリレ ート、ノユルフェノキシへキサエチレンォキシアタリレート、ノユルフェノキシヘプタエチ レンォキシアタリレート、ノユルフェノキシォクタエチレンォキシアタリレート、ノユルフェ ノキシノナエチレンォキシアタリレート、ノユルフェノキシデカエチレンォキシアタリレー ト、ノユルフェノキシゥンデ力エチレンォキシアタリレートが挙げられる。これらは単独 で、または 2種類以上を組み合わせて使用される。
[0046] 上記フタル酸系化合物としては、 γ クロロー βーヒドロキシプロピル β (メタ)ァ クリロイルォキシェチルー ο—フタレート、 β—ヒドロキシアルキル β '—(メタ)アタリロル ォキシアルキル ο フタレート等が挙げられる。これらは単独で、または 2種類以上を 組み合わせて使用される。
[0047] (C)成分である光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフヱノン、 2—べンジルー 2— ジメチルァミノ— 1— (4—モルホリノフエ-ル)—ブタノン— 1 , 2—メチルー 1— [4— (メチル チォ)フエ-ル]— 2—モルフオリノープロパノン— 1等の芳香族ケトン、アルキルアントラ キノン等のキノン類、ベンゾインアルキルエーテル等のベンゾインエーテル化合物、 ベンゾイン、アルキルべンゾイン等のベンゾイン化合物、ベンジルジメチルケタール 等のベンジル誘導体、 2—(ο—クロロフヱ-ル) 4, 5—ジフエ-ルイミダゾ一ルニ量体 、 2— (ο クロ口フエ-ル) 4, 5—ジ(メトキシフエ-ル)イミダゾールニ量体、 2—(ο—フ ルォロフエ-ル) 4, 5—ジフエ-ルイミダゾ一ルニ量体、 2— (ο—メトキシフエ-ル) 4 , 5—ジフエ-ルイミダゾ一ルニ量体、 2— (ρ—メトキシフエ-ル) 4, 5—ジフエ-ルイミ ダゾールニ量体等の 2, 4, 5—トリアリールイミダゾールニ量体、 9 フエ-ルァクリジン 、 1, 7 ビス(9, 9'—アタリジ-ル)ヘプタン等のアタリジン誘導体、 Ν フエ-ルグリシ ン、 Ν フエ-ルグリシン誘導体が挙げられる。また、 2, 4, 5—トリアリールイミダゾー ルニ量体は、密着性及び感度を向上させることが可能となり好ましい。これらは、単 独で又は 2種類以上を組み合わせて使用される。また、 2つの 2, 4, 5—トリアリールイ ミダゾ一ルのァリール基の置換基は同一で対象な化合物を与えてもょ 、し、相違して 非対称な化合物を与えてもょ 、。 [0048] 本実施形態における(C)成分としては、上記一般式 (I)で示されるクマリン系化合 物を (A)成分及び (B)成分の総量 100重量部に対して P重量部含有する。上記式 (I )中、 R\ R2、 R3、 R4、 R5、 R6及び R7は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数 1一 3 の炭化水素基を示す。また、炭化水素基としては、炭素数 1一 3のアルキル基、アル ケニル基が好ましぐ炭素数 1一 3のアルキル基がより好ましい。また、上記クマリン系 化合物としては、上記一般式 (I)で示され且つ最大吸収波長が 350nm以上 380nm 未満であるクマリン系化合物が好ましい。また、上記クマリン系化合物としては、 が メチル基であり、 R6及び R7が共にェチル基である化合物が特に好まし 、。
[0049] 上記配合量 Pは、感光性榭脂組成物層の膜厚 Q m]との積 Rが上記式(1)の条 件を満たすように適宜選択される。なお、上記積 Rとしては、 25. 0以下であることが 好ましぐ 24. 0以下であることがより好ましぐ 22. 0以下であることがさらに好ましぐ 21. 6以下であることがよりさらに好ましぐ 20. 4以下であることが特に好ましぐ 19. 2以下であることが極めて好ましい。また、上記積 Rとしては、 12. 0以上であることが 好ましぐ 13. 2以上であることがより好ましぐ 14. 4以上であることがさらに好ましい 。なお、上記 Rとしては、下記式(2)の条件:
12. 0≤R≤25. 0 - -- (2)
を満たすことが好ましぐ下記式 (3)の条件:
13. 2≤R≤24. 0 - -- (3)
を満たすことがより好ましぐ下記式 (4)の条件:
14. 4≤R≤22. 0 - -- (4)
を満たすことが特に好ましい。上記 Rが 10. 0未満であると波長 400— 450nm光に 対する O. D.値が小さぐ十分に光を吸収できないため、感度が低くなる。他方、上 記 Rが 26. 3を超えると O. D.値が高ぐ感度は高いものの、底部まで光が到達しに くくなるため底部の硬化性が悪くなり、現像後のレジスト形状が逆台形状になったり、 解像度が悪くなつたりする。
[0050] また、 2, 4, 5—トリアリールイミダゾールニ量体としては、上記一般式 (Π)で示される 化合物が好ましい。式 (Π)中、 Ar1 Ar2、 Ar3及び Ar4はそれぞれ独立に炭素数 6— 12のァリール基 (好ましくはフエ-ル基)又は、炭素数 1一 3のアルキル基、ァルケ- ル基及びアルコキシ基力 なる群より選ばれる何れかの置換基を備えた炭素数 6— 1 2のァリール基 (好ましくはフエ-ル基)を示し、 X1及び X2はそれぞれ独立に塩素原 子、炭素数 1一 3のアルキル基、炭素数 1一 3のアルケニル基又は炭素数 1一 3のァ ルコキシ基を示し、 a及び bはそれぞれ独立に 1一 5の整数を示す。但し、 X1及び X2 はそれぞれ少なくとも 1つが塩素原子である。
[0051] 上記一般式 (Π)で示される化合物としては、 Ar1— Ar4が全てフエ-ル基であり、 X1 及び X2が塩素原子であり、 a及び bが 1である 2, 2 ビス(o クロ口フエ-ル) 4, 5— 4', 5'—テトラフエ-ルー 1, 2'—ビイミダゾールが好ましい。
[0052] 次に、感光性榭脂組成物における各成分の含有量について説明する。(A)成分の 含有量は、(A)成分及び (B)成分の総量 100重量部に対して、 40— 80重量部とす ることが好ましぐ 45— 70重量部とすることがより好ましい。この含有量が、 40重量部 未満では光硬化したレジストが脆くなり易ぐ感光性エレメントを形成する場合に、塗 膜性が劣る傾向があり、他方、 80重量部を超えると光感度が不充分となる傾向があ る。
[0053] (B)成分の含有量は、(A)成分及び (B)成分の総量 100重量部に対して、 20— 6 0重量部とすることが好ましぐ 30— 55重量部とすることがより好ましい。この含有量 力 20重量部未満では光感度が不充分となる傾向があり、他方、 60重量部を超える とレジストが脆くなる傾向がある。
[0054] (C)成分の含有量は、(A)成分及び (B)成分の総量 100重量部に対して、 0. 1— 20重量部であることが好ましぐ 0. 2— 10重量部であることがより好ましい。この含有 量力 0. 1重量部未満では光感度が不充分となる傾向があり、他方、 20重量部を超 えると露光の際に糸且成物の表面での吸収が増大して内部の光硬化が不充分となる 傾向がある。
[0055] 感光性榭脂組成物には、必要に応じて、分子内に少なくとも 1つのカチオン重合可 能な環状エーテル基を有する光重合性化合物 (ォキセタン化合物等)、カチオン重 合開始剤、マラカイトグリーン等の染料、トリブロモフエ-ルスルホン、ロイコクリスタル バイオレット等の光発色剤、熱発色防止剤、 p トルエンスルホンアミド等の可塑剤、 顔料、充填剤、消泡剤、難燃剤、安定剤、密着性付与剤、レべリング剤、剥離促進剤 、酸化防止剤、香料、イメージング剤、熱架橋剤などを (A)成分及び (B)成分の総量 100重量部に対して各々 0. 01— 20重量部程度含有することができる。これらは単 独で又は 2種類以上を組み合わせて使用される。
[0056] 感光性榭脂組成物は、必要に応じて、メタノール、エタノール、アセトン、メチルェチ ルケトン、メチルセ口ソルブ、ェチルセ口ソルブ、トルエン、 N, N—ジメチルホルムアミ ド、プロピレングリコールモノメチルエーテル等の溶剤又はこれらの混合溶剤に溶解 して固形分 30— 60重量%程度の溶液として塗布することができる。
[0057] 上記感光性榭脂組成物は、感光性エレメントの形態で用いられる。感光性エレメン トは、例えば、支持体上に感光性榭脂組成物を塗布、乾燥すること〖こより得ることが できる。上記塗布は、例えば、ロールコータ、コンマコータ、グラビアコータ、エアーナ ィフコータ、ダイコータ、バーコータの公知の方法で行うことができる。また、乾燥は、 70— 150°C、 5— 30分間程度で行うことができる。また、感光性榭脂組成物層中の 残存有機溶剤量は、後の工程での有機溶剤の拡散を防止する点から、 2重量%以 下とすることが好ましい。
[0058] 上記方法により形成した感光性榭脂組成物層は、露光波長 405nmに対する O. D .値力^). 20-0. 55のちの力好ましく、 0. 25— 0. 53のちの力 ^より好まし!/ヽ。感光' 14 榭脂組成物層の O. D.値が上記範囲内の場合には、感光性榭脂組成物層は感度 、解像度に優れ、現像後のレジスト形状が略矩形状となる。上記 O. D.値が 0. 20未 満であると、重合反応をするために十分な光を吸収できないため、感度が低くなる傾 向がある。他方、上記 O. D.値が 0. 55を超えると、感度は高いものの、底部まで光 が到達しにくくなるため底部の硬化性が悪くなり、現像後のレジスト形状が逆台形状 になったり、解像度が悪くなつたりする傾向がある。
[0059] また、感光性エレメント 1は、感光性榭脂組成物層 12、支持体 11及び保護フィルム 13の他に、クッション層、接着層、光吸収層、ガスバリア層等の中間層や保護層を有 していてもよい。保護フィルム 13として、ポリエチレン、ポリプロピレン等の重合体フィ ルムなどが挙げられる。保護フィルム 13としては、感光性榭脂組成物層及び支持体 の接着力よりも、感光性榭脂組成物層及び保護フィルムの接着力の方が小さいもの が好ましぐまた、低フィッシュアイのフィルムが好ましい。 [0060] 感光性エレメントは、例えば、そのまま又は感光性榭脂組成物層の他の面に保護フ イルムをさらに積層して円筒状の卷芯に巻きとつて貯蔵される。なお、この際支持体 が 1番外側になるように巻き取られることが好ま 、。上記ロール状の感光性エレメン トロールの端面には、端面保護の見地力も端面セパレータを設置することが好ましく
、耐ェッジフュージョンの見地から防湿端面セパレータを設置することが好ましい。ま た、梱包方法として、透湿性の小さいブラックシートに包んで包装することが好ましい
[0061] 上記卷芯としては、例えば、ポリエチレン榭脂、ポリプロピレン榭脂、ポリスチレン榭 脂、ポリ塩化ビュル榭脂、 ABS榭脂(アクリロニトリル-ブタジエン-スチレン共重合体 )のプラスチックが挙げられる。
[0062] 次に、本発明のレジストパターンの形成方法の実施形態について説明する。
[0063] 上記感光性エレメントを用いてレジストパターンを形成するに際しては、保護フィル ムが存在している場合には、保護フィルムを除去後、感光性榭脂組成物層を 70— 1 30°C程度に加熱しながら回路形成用基板に 0. 1— IMPa程度(1一 lOkgfZcm2程 度)の圧力で圧着することにより積層する方法が挙げられ、減圧下で積層することも 可能である。なお、積層される表面は、通常金属面である。
[0064] このようにして積層が完了した感光性榭脂組成物層は通常、マスクパターンを介し て行うマスク露光法や、レーザ直接描画露光法、複数のミラーを配列し、各々のミラ 一の角度を必要に応じて変更することにより、露光光が画像状になる直接描画法な どの直接描画法により活性光線が画像状に照射される。
[0065] 複数のミラーを配列し、各々のミラーの角度を必要に応じて変更することにより、露 光光が画像状になる直接描画法としては、例えば、 13— 17 m角程度のミラーを 48 万一 80万個程度配列し、各々のミラーの角度を必要に応じて変更することにより、露 光光が画像状になる直接描画法がある。より具体的には、例えば、テキサス インス ツルメンッ社の「デジタルライトプロセッシング」露光法(DLP (Digital Light Proc essing) )、ペンタックス社の「データ'ダイレクト 'イメージング 'システム」、 BALL Co nductor社の「マスクレス リソグラフィ システム(Maskless Lithography Syste m)」等と呼ばれる方法が挙げられる。上記直接描画法の核となる機能を果たす配列 されたミラーは、例えば、「マイクロミラー'アレイ」、 「2次元表示素子」、「DMD (Digit al Mirror Device)」等と呼ばれる。
[0066] 上記活性光線の光源としては、公知の光源、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気 アーク灯、高圧水銀灯、キセノンランプ、 Arイオンレーザ、半導体レーザ等の紫外線 、可視光などを有効に放射するものが用いられる。
[0067] なお、本実施形態においては、水銀灯光源の波長 365nm以下の光をフィルタを使 用して 90% (より好ましくは 99. 0%、さらに好ましくは 99. 5%)以上カットした活性光 線、波長 400— 450nm (より好ましくは 400— 415nm)の光(活性光線)、あるいは半 導体レーザの波長 405nmの光 (活性光線)を用いることが望ま 、。波長 365nm以 下の光をカットするフィルタとしては、例えば、シグマ光機社製シャープカットフィルタ SCF-100S— 39Lを用いることが出来る。また、光源として、レーザ (より好ましくは半 導体レーザダイオード、さらに好ましくは窒化ガリウム系半導体レーザ)、青色レーザ( より好ましくは窒化ガリウム系青色レーザ)を用いることが好ましぐさらに、この場合に は波長 400— 450nm (より好ましくは 400— 415nm)の光 (活性光線)を照射するこ とが好ましい。
[0068] また、本実施形態にぉ 、て、上記光源の光としては、波長 400— 450nmの光を照 射することが好ましぐ波長 400— 415nmの光がより好ましい。水銀灯のように波長 3 65nm以下の光を多く発する光源を露光光とする場合、波長 365nm以下の光をフィ ルタを使用して 90%以上カットして光を照射することが好ましぐ 99. 0%以上カット することがより好ましぐ 99. 5%以上カットすることが特に好ましい。波長 365nm以 下の光をカットするフィルタとしては、例えば、シグマ光機社製シャープカットフィルタ SCF-100S— 39L等を用いることができる。また、光源としては、レーザを用いること が好ましぐ半導体レーザダイオードを用いることがより好ましぐ窒化ガリウム系半導 体レーザ及び青色レーザを用いることが特に好ましい。青色レーザとしては、窒化ガ リウム系青色レーザが好ましい。更に、レーザ光源を露光光とする場合、波長 400— 450nmの光を照射することが好ましぐ波長 400— 415nmの光がより好ましぐ波長 405nmの光が特に好ましい。また、 13— m角程度のミラーを 48万一 80万個程 度配列し、各々のミラーの角度を必要に応じて変更することにより、露光光が画像状 になる直接描画法で露光する方法は波長 400— 450nmの光により行われることが 好ましぐ波長 400— 415nmの光がより好ましぐ波長 400— 410nmの光が特に好 ましい。
[0069] また、上記に例示した光源の光として、光源の発振スペクトルにおける波長 400nm 一 450nmの面積積分強度 aが、波長 300nm以上 400nm未満の面積積分強度 bの 10倍以上である光を照射することも好ましい。図 3は、水銀灯光源の発振スペクトル 図である。水銀灯を光源としてそのままで露光した場合、図 3のように発される光の波 長領域は広ぐ波長 365nmの光 (i線)を中心とした人体に有害な紫外線である波長 400nm未満の光が照射されてしまう。そこで、図 4のようにカットフィルタを用いて、人 体に有害な紫外線である波長 300nm以上 400nm未満の発振スペクトルの面積積 分強度を bとし、照射される波長 400— 450nmの光の面積積分強度を aとしたときに 、 aが bの 10倍以上となるようカットすることが好ましい。ここで、図 4は、フィルタを使用 した水銀灯光源の発振スペクトル図である。
[0070] 次いで、露光後、感光性榭脂組成物層上に支持体が存在している場合には、支持 体を除去した後、アルカリ性水溶液、水系現像液、有機溶剤等の現像液によるゥエツ ト現像、ドライ現像等で未露光部を除去して現像し、レジストパターンを形成すること ができる。上記アルカリ性水溶液としては、例えば、 0. 1一 5重量%炭酸ナトリウムの 希薄溶液、 0. 1一 5重量%炭酸カリウムの希薄溶液、 0. 1一 5重量%水酸化ナトリウ ムの希薄溶液が挙げられる。上記アルカリ性水溶液の pHは 9一 11の範囲とすること が好ましぐその温度は、感光性榭脂組成物層の現像性に合わせて調節される。ま た、アルカリ性水溶液中には、表面活性剤、消泡剤、有機溶剤等を混入させてもよい 。上記現像の方式としては、例えば、ディップ方式、スプレー方式、ブラッシング、スラ ッビングが挙げられる。
[0071] 現像後の処理として、必要に応じて 60— 250°C程度の加熱又は 0. 2-10j/cm2 程度の露光を行うことによりレジストパターンをさらに硬化して用いてもよい。
[0072] 次に、本発明のプリント配線板の製造方法の実施形態について説明する。
[0073] プリント配線板を製造する場合、上記レジストパターンをマスクとして、回路形成用 基板の表面を、エッチング、めっき等の公知方法で処理する。金属面のエッチングに は、例えば、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液、アルカリエッチング溶液を用いるこ とができる。上記めつき法としては、例えば、銅めつき、はんだめつき、ニッケルめっき 、金めつきがある。次いで、レジストパターンは、例えば、現像に用いたアルカリ性水 溶液よりさらに強アルカリ性の水溶液で剥離することができる。上記強アルカリ性の水 溶液としては、例えば、 1一 10重量%水酸ィ匕ナトリウム水溶液、 1一 10重量%水酸化 カリウム水溶液等が用いられる。上記剥離方式としては、例えば、浸漬方式、スプレ 一方式が挙げられる。また、レジストパターンが形成されたプリント配線板は、多層プ リント配線板でもよぐ小径スルーホールを有して!/、てもよ!/ヽ。
実施例
[0074] 以下、本発明の好適な実施例について更に詳細に説明する力 本発明はこれらの 実施例に限定されるものではな 、。
[0075] (実施例 1一 3及び比較例 1一 2)
まず、表 1に示す各成分を同表に示す配合量で混合し、実施例 1一 3及び比較例 1 一 2の感光性榭脂組成物の溶液を得た。なお、(C)成分である 7—ジェチルアミノー 4 メチルクマリンの配合量は表 2に示す。
[0076] [表 1]
材料 配合量(g)
メタクリル酸/メタクリル酸メチル /スチレンの共重合体
(重量!:匕 25/50/ 25、重量平均分子量 55, 000) 固形分
(A)成分
の 2-メトキシェタノ一ル及ぴトルエン溶液、 56 固形分酸価 163.1 mgKOH/g
(B)成分 ビスフエノ一ル A骨格 EO変性ジメタクリレート 44
2,2' -ビス( クロ口フエニル) -4, 5- 4' ,5' -
(C)成分 3.2
亍トラフェニル -1 ,2' -ビイミダゾ一ル
(C)成分 7_ジェチ Jレアミノ一 4—メチ レクマリン 表 2参照 発色剤 ロイコクリスタルバイオレット 0.4 染料 マラカイトグリーン 0.05 溶剤 ァセ卜ン 10 溶剤 トルエン 7 溶剤 N , N -ジメチルホルムアミド 3 溶剤 メタノール 3
[0077] [表 2]
Figure imgf000021_0001
[0078] 次 、で、得られた感光性榭脂組成物の溶液を、 16μ m厚のポリエチレンテレフタレ 一トフイルム (帝人社製、製品名 G2— 16)上に均一に塗布し、 100°Cの熱風対流式 乾燥器で 10分間乾燥して、実施例 1一 3及び比較例 1一 2の感光性エレメントを得た 。感光性榭脂組成物層の膜厚は、 24 mであった。
[0079] 得られた感光性エレメントの感光性榭脂組成物層の露光波長に対する O. D.値は 、 UV分光光度計((株)日立製作所製、分光光度計 U - 3310)を用いて測定した。 測定は、測定側に感光性エレメントを置き、リファレンス側に支持体フィルムを置き、 吸光度モードにより 550— 300nmまでを連続測定し、 365nm、 405nmにおける値 を読みとることにより測定した。得られた結果を表 3に示す。
[0080] 一方、銅箔 (厚さ 35 μ m)を両面に積層したガラスエポキシ材である銅張積層板(日 立化成工業 (株)製、製品名 MCL— E— 67)の銅表面を # 600相当のブラシを持つ 研磨機 (三啓 (株)製)を用いて研磨し、水洗後、空気流で乾燥させた。次いで、銅張 積層板を 80°Cに加温した後、感光性榭脂組成物層が銅表面上に密着するようにし て、得られた感光性エレメントを 120°Cで 0. 4MPa (4kgfZcm2)の圧力下で積層し た。
[0081] 感光性エレメントが積層された銅張積層板を冷却し 23°Cになった時点で、ポリェチ レンテレフタレート面に、濃度領域 0. 00-2. 00、濃度ステップ 0. 05、タブレットの 大きさ 20mmX 187mm,各ステップの大きさ力 3mm X 12mmである 41段ステップ タブレットを有するフォトツールと、解像度評価用ネガとしてライン幅/スペース幅が 6 Z6— 35Z35 (単位:/ z m)の配線パターンを有するフォトツールを密着させ、さらに その上に、波長 365nm以下の光を 99. 5%以上カットするためにシグマ光機社製シ ヤープカットフィルタ SCF— 100S— 39Lを置き、 5kWショートアークランプを光源とす る平行光露光機 (オーク製作所製、製品名 EXM— 1201)を用いて、前記 41段ステツ プタブレットの現像後の残存ステップ段数が 14段、 17段、 20段となる露光量で露光 を行った。 41段ステップタブレットの現像後の残存ステップ段数が 17段となる露光量 を感度とした。なお、照度の測定はシャープカットフィルタを透過した光について、 40 5nm対応プローブを適用したゥシォ電機社製紫外線照度計 UIT— 101を用いて行 い、照度 X露光時間を露光量とした。
[0082] 次いで、ポリエチレンテレフタレートフィルムを除去し、 30°Cで 1. 0重量0 /0炭酸ナト リウム水溶液を 24秒間スプレーすることにより、未露光部分を除去した。
[0083] 解像度は、現像処理によって未露光部をきれいに除去することができ、なおかつラ インが蛇行、カケを生じることなく生成されたライン幅間のスペース幅の最も小さい値 により評価した。感度および解像度の評価は、共に、数値が小さいほど良好な値であ る。
[0084] 現像後のレジスト形状は、日立走査型電子顕微鏡 S—500Aを用いて観察した。レ ジスト形状は矩形に近 、ことが望ま 、。
[0085] 実施例 1一 3および比較例 1一 2の感光性エレメントの O. D.値、感度、解像度およ びレジスト形状の各データを表 3に示す。なお、参考のためにそれぞれ感光性榭脂 組成物中の 7—ジェチルアミノー 4 メチルクマリンの配合量 P[g]、感光性エレメントの 感光性榭脂組成物層の膜厚 Q [ m]、それらの積 Rも示す。
[0086] [表 3]
Figure imgf000023_0001
[0087] 次に、表 4に示す各成分を同表に示す配合量で混合し、実施例 4一 6の感光性榭 脂組成物の溶液を得た。
[0088] [表 4]
材料 配合量(g) メタクリル酸/メタクリル酸メチル /スチレンの共重合体
固形分
(A)成分 (M it 25/47/28、重量平均分子量 25,000,
54 分散度 2.2)の 2 -メトキシェタノ一ル及びトルエン溶液
(B)成分 ヒ"スフエノ一ル A 骨格 EO 変性シ"メタクリレ一ト 46
2,2'ーヒ ス( クロロフェニル)ー4,5— 4' ,5'—亍トラフエ二ル—
(C)成分 3.7
1 ,2' -ビイミタ'ソ —ル
(C)成分 7—シ ェチルアミノー 4一メチルクマリン 5 参照 発色剤 ロイコクリスタル/、"ィ才レット 0.3 染料 マラカイトク'リーン 0.03 溶剤 ァセ卜ン 5 溶剤 トルエン 9 溶剤 メタノール 6.5
[0089] 次 、で、得られた感光性榭脂組成物の溶液を、 16μ m厚のポリエチレンテレフタレ 一トフイルム (帝人社製、製品名 G2— 16)上に均一に塗布し、 100°Cの熱風対流式 乾燥器で 10分間乾燥して、実施例 4一 6の感光性エレメントを得た。感光性榭脂組 成物層の膜厚は、 25 mであった。また、従来の水銀灯を用いる紫外線 (波長 400η m以下の光)露光に対応した比較例 3の感光性エレメントを製造した。なお、比較例 3 の感光性エレメントは、(C)成分としてクマリン系化合物を用いずに、 4, 4' ビス (ジ ェチルァミノ)ベンゾフエノンを 0. lg用いたこと以外は、実施例 4の感光性エレメントと 同様にして製造した。
[0090] 得られた感光性エレメントにおける感光性榭脂組成物層の露光波長に対する O. D .値を実施例 1と同様にして測定した。また、得られた感光性エレメントを用いたこと以 外は、実施例 1と同様にして感度、解像度及びレジスト形状について評価した。なお 、実施例 4一 6及び比較例 3の照度の測定は、ゥシォ電機社製紫外線照度計 UIT - 1 01に代えて、ゥシォ電機社製紫外線積算光量計 UIT-150とゥシォ電機社製受光 器 UVD— S405とを組合わせて用いて測定した。 [0091] 実施例 4一 6及び比較例 3の感光性エレメントの O. D.値、感度、解像度及びレジ ストの断面形状の各データを表 5に示す。なお、参考のために感光性榭脂組成物中 の 7—ジェチルアミノー 4 メチルクマリンの配合量 P[g]、感光性エレメントの感光性榭 脂組成物層の膜厚 Q、及び、配合量 Pと膜厚 Qとの積 Rも示す。
[0092] [表 5]
Figure imgf000025_0001
[0093] 上記の表に示した結果力 わ力るように、実施例 1一 3に対して感光性榭脂組成物 の組成及び膜厚を変更した実施例 4一 6でも感度及び解像度に優れること、及び略 矩形のレジスト形状となることが確認された。なお、実施例 4一 6及び比較例 3では実 施例 1一 3と比較すると感度が小さい値となっているが、これは照度の測定の際の測 定機器が変わり、感光性榭脂組成物の組成を変えたためであると考えられる。
[0094] 次に、実施例 4及び比較例 3の感光性エレメントにつ 、て、感光性榭脂組成物層の 吸光スぺ外ル (横軸:波長、縦軸:吸光度)を、 UV分光光度計( (株)日立製作所製 、 U 3310分光光度計)を用いて測定した。得られた結果を図 5— 7に示す。なお、 図 6及び 7は、図 5の部分拡大図である。また、図 5— 7中、実施例 4は Aとして、比較 例 3は Bとして記載した。
[0095] 図 5及び 6からわ力るように、実施例 4の感光性エレメントは、比較例 3の感光性エレ メントと比較して、 390— 440nmの光に対して吸光度が高く感度に優れるものである と考えられる。また、図 7からわ力るように、実施例 4の感光性エレメントは、 500nm以 上の光に対して吸光度が小さ 、ことから、イェロー光下での安定性にも優れるものと 考えられる。
産業上の利用可能性
本発明の感光性エレメントは、特に波長 400— 450nmの光による露光に対して感 度、解像度に優れ、現像後のレジストの断面形状が略矩形である。したがって、本発 明の感光性エレメントを用いることにより、良好な露光及びエッチングが可能となり、 感度、解像度に優れ、 目的とするレジスト形状が得られるレジストパターンの形成方 法が可能となり、高密度なプリント配線板を高 、スループットで得ることが可能なプリ ント配線板の製造方法を提供することが可能となる。

Claims

請求の範囲 [1] 支持体と、該支持体上に設けられた (A)バインダボリマ、 (B)エチレン性不飽和結 合を有する光重合性化合物及び (C)光重合開始剤を含有する感光性榭脂組成物 から構成される感光性榭脂組成物層と、を備える感光性エレメントであって、 前記感光性榭脂組成物は、前記 (C)成分として下記一般式 (I)で示されるクマリン 系化合物を含有しており、 前記 (A)及び (B)成分の総量 100重量部に対する前記クマリン系化合物の重量部 を P、前記感光性榭脂組成物層の膜厚を Q [ m]、としたときの、 Pと Qとの積である Rが、下記式(1)の条件を満たすことを特徴とする感光性エレメント。 10. 0≤R≤26. 3
[化 1]
Figure imgf000027_0001
[式中、
Figure imgf000027_0002
R2、 R3、 R4、 R5、 R。及び R7は、それぞれ独立に水素原子又は炭化水素 基を示す。 ]
[2] 前記 Rが、下記式 (3)の条件を満たすことを特徴とする請求項 1記載の感光性エレ メント。
13. 2≤R≤24. 0 --- (3)
[3] 前記 Rが、下記式 (4)の条件を満たすことを特徴とする請求項 1記載の感光性エレ メント。
14. 4≤R≤22. 0 --- (4)
[4] 前記感光性榭脂組成物が、前記 (C)成分として下記一般式 (II)で示される 2, 4, 5 トリァリ一ルイミダゾ一ルニ量体を更に含有することを特徴とする請求項 1一 3のい ずれか一項に記載の感光性エレメント。
[化 2]
Figure imgf000028_0001
[式中、 Ar1 Ar2、 Ar3及び Ar4は、それぞれ独立に、アルキル基、ァルケ-ル基及び アルコキシ基力もなる群より選ばれる少なくとも 1つの置換基を有していてもよいァリ 一ル基を示し、 X1及び X2はそれぞれ独立に塩素原子、アルキル基、アルケニル基又 はアルコキシ基を示し、 a及び bはそれぞれ独立に 1一 5の整数を示す。但し、 X1及び
X2はそれぞれ少なくとも 1つは塩素原子である。 ]
[5] 請求項 1一 4のいずれか一項に記載の感光性エレメントであって、波長 400— 450 nmの光により露光される感光性エレメント。
[6] 請求項 1一 4のいずれか一項に記載の感光性エレメントであって、波長 400— 415 nmの光により露光される感光性エレメント。
[7] 請求項 1一 6のいずれか一項に記載の感光性エレメントであって、青色レーザから 発される光により露光される感光性エレメント。
[8] 請求項 1一 6のいずれか一項に記載の感光性エレメントであって、窒化ガリウム系 半導体レーザ力 発される光により露光される感光性エレメント。
[9] 請求項 1一 8のいずれか一項に記載の感光性エレメントであって、複数のミラーを配 列し、各々のミラーの角度を必要に応じて変更することにより、露光光が画像状にな る直接描画法により露光される感光性エレメント。
[10] 請求項 1一 8のいずれか一項に記載の感光性エレメントであって、デジタルライトプ ロセッシング露光法により露光される感光性エレメント。
[11] 請求項 1一 4のいずれか一項に記載の感光性エレメントであって、波長 365nm以 下の光を 90%以上カットした活性光線により露光される感光性エレメント。
[12] 請求項 1一 4のいずれか一項に記載の感光性エレメントであって、光源の発振スぺ タトルにおける波長 400nm— 450nmの面積積分強度 aが、波長 300nm以上 400η m未満の面積積分強度 bの 10倍以上である光により露光される感光性エレメント。
[13] 回路形成用基板上に、請求項 1一 12のいずれか一項に記載の感光性エレメントの 感光性榭脂組成物層を積層する積層工程と、
前記感光性榭脂組成物層の所定部分に活性光線を照射して露光部を形成させる 露光工程と、
前記感光性榭脂組成物層の前記露光部以外の部分を除去する現像工程と、 を備えることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
[14] 請求項 13記載のレジストパターンの形成方法によりレジストパターンの形成された 回路形成用基板を、エッチング又はめつきすることを特徴とするプリント配線板の製 造方法。
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