WO2006041989A3 - Cible de pulverisation assurant la formation d'un film d'electrode pour dispositifs a semi-conducteurs et son procede de fabrication - Google Patents

Cible de pulverisation assurant la formation d'un film d'electrode pour dispositifs a semi-conducteurs et son procede de fabrication Download PDF

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Abstract

Cible de pulvérisation utilisée pour équiper des dispositifs FPD d'une électrode. L'électrode cible ainsi obtenue inhibe la génération de monticules et fait preuve d'une résistivité réduite. De par ces propriétés, l'électrode se prête à une utilisation comme transistor à film mince dans un écran à cristaux liquides à matrice active et analogues. L'électrode pour dispositifs à semi-conducteurs est en alliage d'aluminium contenant un ou plusieurs éléments d'alliage sélectionnés dans les éléments d'alliage de terres rares présents dans une quantité totale comprise entre 0,01 et 3 % . Le procédé de fabrication d'une cible qui, après pulvérisation, permet d'obtenir une électrode comprend les étapes de coulée en continu avec agitation électromagnétique, les éléments mentionnés sont dissous dans une matrice Al, et de précipitation d'une partie ou de tous les éléments dissous dans la matrice Al comme composés intermétalliques pendant la solidification. La cible est en alliage d'aluminium contenant les éléments précités et s'obtient par un procédé thermomécanique, de laminage ou d'extrusion.
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