WO2005045367A1

WO2005045367A1 - ノイズフィルタ及びセンサ回路

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Publication number: WO2005045367A1
Application number: PCT/JP2004/014609
Authority: WO
Inventors: Makoto Matsubara; Toru Tominaga; Yukichi Sakurai; Takaaki Ooi
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2003-11-10
Filing date: 2004-10-04
Publication date: 2005-05-19
Anticipated expiration: 2006-05-10
Also published as: TW200516845A; JPWO2005045367A1

Abstract

　高周波域において所望とする周波数領域で電磁妨害波耐性を実現することを可能とするノイズフィルタを提供する。　センサ２の出力端子２ａ，２ｂと、センサ２の出力信号を検出する検出回路５とを電気的に接続する経路に挿入されるノイズフィルタであって、センサ２側に配置された少なくとも１つのインピーダンス素子としての第１，第２のインダクタンス素子７，８と、インピーダンス素子とを検出回路５との間に接続された少なくとも１つのキャパシタンス素子９とを備えるノイズフィルタ４、並びに該ノイズフィルタを用いたセンサ回路１。

Description

明細書技術分野

[0001] 本発明は、ジャイロセンサなどのセンサと検出回路との間に接続されたり、検出回路を構成している演算増幅器に接続されたりするノイズフィルタ及び該ノイズフィルタを含むセンサ回路に関し、所望とする周波数域におけるノイズを効果的に除去することを可能とするノイズフィルタ及び該ノイズフィルタを含むセンサ回路に関する。

背景技術

[0002] 従来、ジャイロセンサや温度検出用センサなどの様々なセンサを有するセンサ回路において、電磁妨害波による誤動作や測定精度の低下を防止することが強く求められている。このようなセンサ回路の一例が、下記の特許文献 1に開示されている。

[0003] 図 10は、特許文献 1に記載のセンサ回路を示す回路図である。ここでは、温度検出用センサ 101の出力端に、インダクタンス素子 102, 103とキャパシタンス素子 104 とカゝらなるノイズフィルタが接続されている。また、インダクタンス素子 102, 103の後段に、検出回路を構成して、る演算増幅器 105が接続されて、る。

[0004] より具体的には、温度検出用センサ 101のホット側出力端子力演算増幅器 105のホット側入力端子との間に第 1のインダクタンス素子 102が接続されている。また、温度検出用センサ 101基準電位側の出力端子と、演算増幅器 105の基準電位側の入力端子側との間に第 2のインダクタンス素子 103が接続されている。そして、温度検出用センサ 101と第 1のインダクタンス素子 102との間の接続点 106と、温度検出用センサ 102と第 2のインダクタンス素子 103との間の接続点 107との間にキャパシタンス素子 104が接続されて、る。

[0005] 図 10に示したセンサ回路では、上記第 1,第 2のインダクタンス素子 102, 103及びキャパシタンス素子 104からなるノイズフィルタの挿入により、電磁妨害波に対する耐性が高められるとされている。

特許文献 1：特開 2002-164509号公報

発明の開示 [0006] 図 10に示したセンサ回路では、上記インダクタンス素子 102, 103及びキャパシタンス素子 104からなる LCローパスフィルタが構成されており、それによつて電磁妨害波耐性が高められるとされている。しかしながら、実際には、温度検出用センサ 101 の誤動作を確実に防止することができず、また電磁妨害波耐性効果が小さ、周波数域が存在するという問題があった。特に、低周波領域においては、電磁妨害波耐性効果が十分ではな力つた。これは、ノイズフィルタの後段に接続される検出回路の入力インピーダンスが比較的高いことによる。また、高周波領域においては、検出回路の入力端に、図 11に略図的に示すように、静電容量 Caが存在するため、高周波領域で入力インピーダンスが低くなり、電磁妨害波耐性は高周波領域では高められると考えられるが、演算増幅器 105を構成している IC内の寄生インダクタンスゃ入力容量の違、などにより、高周波領域にぉヽても所定の周波数にお!、て電磁妨害波耐性が改善しな力つたり、その効果が生じなくなったりするおそれがあった。

[0007] 本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、センサと検出回路との間や検出回路内において検出回路に接続されるノイズフィルタであって、特定の周波数領域における電磁妨害波耐性の低下を抑制でき、より広い周波数範囲に渡り電磁妨害波に対する耐性が高められたノイズフィルタ及び該ノイズフィルタを含むセンサ回路を提供することにある。

[0008] 本発明に係るノイズフィルタは、センサの出力端子と、センサの出力信号を検出する検出回路を電気的に接続する経路に挿入されるノイズフィルタであって、前記センサ側に配置された少なくとも 1つのインピーダンス素子と、前記インピーダンス素子と前記検出回路との間に接続された少なくとも 1つのキャパシタンス素子とを備えることを特徴とする。

本発明に係るノイズフィルタのある特定の局面では、前記センサの出力端子が、ホット側出力端子と、基準電位側出力端子とを有し、前記検出回路の入力端が、ホット側入力端子と、基準電位側入力端子とを有し、前記少なくとも 1つのインピーダンス素子として、前記センサのホット側出力端子と検出回路のホット側入力端子との間に挿入された第 1のインダクタンス素子と、前記センサの基準電位側出力端子と、前記検出回路の基準電位側入力端子との間に接続された第 2のインダクタンス素子とを有し、前記キャパシタンス素子が、前記第 1のインダクタンス素子と前記検出回路のホット側入力端子との間の接続点と、前記第 2のインダクタンス素子と前記検出回路の基準電位側入力端子との間の接続点とを結ぶように挿入されている。

本発明に係るノイズフィルタの他の特定の局面では、前記少なくとも 1つのインピーダンス素子及び少なくとも 1つのキャパシタンス素子の回路定数力 800MHz以上の周波数における挿入損失が 20dB以上となるように選ばれて、る。

[0009] 本発明に係るノイズフィルタのさらに特定の局面では、前記センサがジャイロセンサであって、ジャイロセンサ用ノイズフィルタが構成される。

[0010] 本発明に係るセンサ回路は、センサと、前記センサの出力信号を検出する検出回路と、前記センサの出力端子と前記検出回路との間に接続されたノイズフィルタとを備え、該ノイズフィルタ力本発明に従って構成されたノイズフィルタであることを特徴とする。

[0011] 本発明に係るセンサ回路のある特定の局面では、上記センサが圧電ジャイロセンサにより構成されている。

本発明の他の広い局面によれば、一対の入力端子を有する演算増幅器を含む検出回路において、前記演算増幅器の各入力端子に接続されるノイズフィルタであつて、前記ノイズフィルタは、第 1及び第 2のインダクタンス素子と、キャパシタンス素子とを有し、前記キャパシタンス素子は、前記第 1及び第 2のインダクタンス素子よりも演算増幅器の各入力端子側に接続されるものであることを特徴とするノイズフィルタが提供される。

[0012] 本発明に係るノイズフィルタでは、センサのホット側出力端子と検出回路との間においてセンサ側に少なくとも 1つのインピーダンス素子が配置されおり、該インピーダンス素子と検出回路との間に少なくとも 1つのキャパシタンス素子が接続されているため、ホット側出力端子と検出回路とを接続している経路に高周波ノイズが重畳したとしても、検出回路の入力インピーダンスの影響を大きく受けることなく確実にノイズを減衰させることができる。従って、広い周波数範囲に渡り、電磁妨害波耐性を高めることが可能となる。

[0013] 本発明において、少なくとも一つのインピーダンス素子として、センサのホット側出力端子と検出回路のホット側入力端子との間に挿入された第 1のインダクタンス素子と、センサの基準電位側出力端子と、検出回路の基準電位側入力端子との間に接続された第 2のインダクタンス素子とを有し、キャパシタンス素子が第 1のインダクタンス素子と検出回路のホット側入力端子との間の接続点と、第 2のインダクタンス素子と検出回路の基準電位側入力端子との間の接続点を結ぶように接続されている場合には、キャパシタンス素子が第 1,第 2のインダクタンス素子よりも検出回路側に接続されているため、検出回路の入力インピーダンスの影響をさほど受けることがない。従つて、電磁妨害波耐性を高めることができる。

[0014] 少なくとも 1つのインピーダンス素子及び少なくとも 1つのキャパシタンス素子の回路定数が 800MHz以上の周波数における挿入損失が 20dB以上となるように選ばれている場合には、近年の携帯電話機器のように、高周波機器で使用される機器カも電磁妨害波に対する耐性向上効果を得ることができる。

[0015] 本発明において、センサがジャイロセンサである場合には、本発明に従って、検出回路の入力インピーダンスの影響をさほど受けることなぐ所望とする周波数域において十分な電磁妨害波耐性を実現し得るジャイロセンサ用ノイズフィルタを提供することができる。

[0016] 本発明に係るセンサ回路は、センサと、検出回路と、本発明に従って構成されたノィズフィルタとを備える。従って、検出回路の入力インピーダンスの大きさにさほど影響を受けることなぐ所望とする周波数域において電磁妨害波耐性を効果的に高められているセンサ回路を提供するとこができる。

[0017] 本発明に係るセンサ回路において、センサがジャイロセンサである場合には、本発明に従って、所望とする周波数域において、検出回路の入力インピーダンスの影響をさほど受けることなく十分な電磁妨害波耐性を有するジャイロセンサ用センサ回路を提供することができる。

本発明に係るノイズフィルタが、演算増幅器を有する検出回路において、該演算増幅器の入力端子に接続されるノイズフィルタであって、第 1及び第 2のインダクタンス素子とキャパシタンス素子とを有し、キャパシタンス素子が第 1及び第 2のインダクタンス素子よりも演算増幅器の入力端子側に接続されるノイズフィルタである場合には、キャパシタンス素子が第 1,第 2のインダクタンス素子よりも演算増幅器の入力端子側に接続されているので、低周波領域では演算増幅器の内部において一対の入力端子間で生じる静電容量 Caの影響を受け難、。

図面の簡単な説明

[図 1]図 1は、本発明の一実施形態におけるノイズフィルタを含むセンサ回路の回路図である。

[図 2]図 2は、デジタルビデオカメラの手ぶれ補正用センサ回路にぉ、てノイズフィルタを接続する前及びノイズフィルタを挿入した後の水平偏波についての印加電磁波の周波数と誤動作電界強度との関係を示す図である。

[図 3]図 3は、デジタルビデオカメラの手ぶれ補正用センサ回路にぉ、てノイズフィルタを接続する前及びノイズフィルタを挿入した後の垂直偏波についての印加電磁波周波数と誤動作電界強度との関係を示す図である。

[図 4]図 4は、デジタルビデオカメラの手ぶれ補正用センサ回路において、ノイズフィルタを接続する前、及びノイズフィルタを接続した後であって、ノイズフィルタのキャパシタンス素子の静電容量を種々変更させた場合の水平偏波についての印加周波数と誤動作電界強度との関係を示す図である。

[図 5]図 5は、デジタルビデオカメラの手ぶれ補正用センサ回路において、ノイズフィルタを接続する前、及びノイズフィルタを接続した後であって、ノイズフィルタのキャパシタンス素子の静電容量を種々変更させた場合の水直偏波についての印加周波数と誤動作電界強度との関係を示す図である。

[図 6]図 6は、ノイズフィルタに用いられるキャパシタンス素子の挿入損失損失 Z周波数特性を示す図である。

[図 7]図 7は、デジタルビデオカメラの手ぶれ補正用センサ回路において、ノイズフィルタを接続する前及びノイズフィルタを接続し、ノイズフィルタ中のインダクタンス素子のインダクタンスを変更した場合の水平偏波についての印加電磁波の周波数と誤動作電界強度との関係を示す図である。

[図 8]図 8は、デジタルビデオカメラの手ぶれ補正用センサ回路において、ノイズフィルタを接続する前及びノイズフィルタを接続し、ノイズフィルタ中のインダクタンス素子のインダクタンスを変更した場合の垂直偏波についての印加電磁波の周波数と誤動作電界強度との関係を示す図である。

[図 9]図 9は、本発明の一実施形態のノイズフィルタにおいて用いられるインピーダンス素子としてのインダクタンス素子の挿入損失の周波数依存性を示す図である。

[図 10]図 10は、従来のノイズフィルタが接続されているセンサ回路を示す回路図である。

[図 11]図 11は、図 10に示したセンサ回路における問題点を説明するための図である

[図 12]図 12 (a)及び (b)は、図 7に示したインダクタンス素子 L1,及び L2及び L3の各インピーダンス周波数特性を示す図である。

[図 13]図 13は、デジタルビデオカメラの手ぶれ補正用センサ回路においてノイズフィルタを接続する前の初期状態、図 10に示した従来例に従ってノイズフィルタが接続されて、る場合、及び図 1に示した実施形態に従ってノイズフィルタが構成されて、る場合の水平偏波についての印加電磁波の周波数と誤動作電界強度との関係を示す図である。

[図 14]図 14は、デジタルビデオカメラの手ぶれ補正用センサ回路においてノイズフィルタを接続する前の初期状態、図 10に示した従来例に従ってノイズフィルタが接続されて、る場合、及び図 1に示した実施形態に従ってノイズフィルタが構成されて、る場合の垂直偏波についての印加電磁波の周波数と誤動作電界強度との関係を示す図である。

[図 15]図 15 (a)及び (b)は、それぞれ、図 10に示した従来例、及び図 1に示した実施形態に従ってノイズフィルタが構成されている場合のノイズフィルタ近傍の実装構造の模式的平面図である。

符号の説明

1…センサ回路

2· ··ジャイロセンサ

2a…ホット側出力端子

2b…基準電位側出力端子 3…検出回路

4· · ·ノイズフィルタ

5…演算増幅器

5a…ホット側入力端子

5b…グランド側入力端子

7…第 1のインダクタンス素子

8…第 2のインダクタンス素子

9…キャパシタンス素子

10a, 10b…接続点

発明を実施するための最良の形態

[0020] 以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

[0021] 図 1は、本発明の一実施形態に係るノイズフィルタを含むセンサ回路の回路図である。

[0022] センサ回路 1では、ジャイロセンサ 2と検出回路 3との間に本実施形態のノイズフィルタ 4が接続されている。ジャイロセンサ 2は、圧電ジャイロセンサであり、ホット側出力端子 2aと、基準電位側出力端子 2bとを有する。

[0023] 検出回路 3は、ジャイロセンサ 2から出力された出力信号を増幅する演算増幅器 5 を有し、該演算増幅器 5は、ホット側入力端子 5aと、基準電位側入力端子 5bとを有する。

[0024] ところで、ノイズフィルタ 4は、インピーダンス素子としての第 1,第 2のインダクタンス素子 7, 8と、キャパシタンス素子 9とを有する。第 1のインダクタンス素子 7は、ジャイロセンサ 2のホット側出力端子 2aと、検出回路 5を構成している演算増幅器 5のホット側入力端子 5aとの間に接続されている。他方、第 2のインダクタンス素子 8は、ジャイロセンサ 2の基準電位側出力端子 2bと、演算増幅器 5の他方入力端である基準電位側入力端子 5bに電気的に接続されて!ヽる。

[0025] そして、キャパシタンス素子 9は、上記第 1,第 2のインダクタンス素子 7, 8よりも検出回路 5側において接続されている。すなわち、キャパシタンス素子 5の一端は、第 1のインダクタンス素子 7と、演算増幅器 5のホット側入力端子 5aとの間の接続点 10a〖こ接続されており、キャパシタンス素子 9の他端は第 2のインダクタンス素子 8と、演算増幅器 5の基準電位側入力端子 5bとの間の接続点 10bに接続されている。

[0026] 従って、検出回路 3の入力インピーダンスが高い低周波領域において、また図 11 に示した検出回路の入力容量 Caの影響が表れ始める高周波領域において、キャパシタンス素子 9が第 1,第 2のインダクタンス素子 7, 8よりも検出回路 3側に接続されていることによって低周波領域ではノイズフィルタとして、高周波領域では容量 Caによる影響を受けにく、ノイズフィルタとして作用する。

[0027] よって、本実施形態のノイズフィルタ 4を用いた場合、検出回路の入力側のインピーダンスにさほど影響を受けることなぐノイズフィルタとして動作させることができる。従つて、例えば、電磁妨害波としての高周波が、センサ 2と検出回路 3との間の経路に重畳したとしても、該高周波ノイズがノイズフィルタ 4において確実に減衰されるとともに、この減衰動作は検出回路 3の入力インピーダンスの大きさにさほど影響を受けることがない。

[0028] よって、上記ノイズフィルタ 4のインダクタンス素子 7, 8及びキャパシタンス素子 9のインダクタンスゃ静電容量などの回路定数を適宜設定することにより、所望とする周波数域において、電磁妨害波耐性を確実かつ効果的に高めることが可能となる。

[0029] これを、図 2—図 8を参照して説明する。

[0030] 図 2は、図 1のジャイロセンサ 2として、デジタルビデオカメラの手ぶれ補正用ジャィ口センサを用い、図 1に示す回路構成でノイズフィルタ 4及び検出回路 3を接続した場合の水平偏波に対する電磁妨害波耐性の変化を示す図である。

[0031] 図 2において、横軸は、電磁妨害波としての印加電磁波の周波数を示し，縦軸は誤動作電界強度を示す。なお、誤動作電界強度とは、横軸の周波数の電磁波が印加された際に、誤動作が生じる最低電界強度をいうものとする。

[0032] 図 2の〇印で示す点を結んだ線力ノイズフィルタ 4を接続してヽな、ことを除、ては、上記実施形態と同様に構成された比較例のセンサ回路における結果を示し、□ 印の点を結ぶ線がノイズフィルタ 4が接続された上記実施形態のセンサ回路の結果を示す。 [0033] また、図 2は、水平偏波についての結果である力図 3は、垂直偏波についての結果を示す。図 3においても、口印が実施形態の結果を、〇印がノイズフィルタ 4が接続されて、な、比較例の結果を示す。

[0034] 図 2及び図 3から明らかなように、ノイズフィルタ 4が接続されていないセンサ回路に比べて、ノイズフィルタ 4を接続することにより高周波領域、特に 800MHzの電磁波が重畳したとしても、誤動作電界強度が効果的に高められ得ることが分かる。すなわち、ノイズフィルタ 4の挿入により電磁妨害波耐性が飛躍的に高められることが分かる

[0035] 実際に、携帯電話をデジタルビデオカメラに近づけると、上記ノイズフィルタ 4が接続されてヽなヽ場合には、携帯電話とデジタルビデオカメラとの距離を lm以上離したとしても、画像ぶれの検出に際して誤動作が生じた。これに対して上記ノイズフィルタ 4を挿入することにより、両者の距離を 30cmとしたとしても誤動作は生じな力つた。

[0036] なお、上記実施形態のノイズフィルタ 4では、第 1,第 2のインダクタンス素子 7, 8及びキャパシタンス素子 9の回路定数を種々変更することにより、様々な周波数領域における電磁妨害波耐性を高めることができる。これを図 4一図 8を参照して説明する。

[0037] 図 4及び図 5は、キャパシタンス素子 9の容量を 330pF、 180pF、 33pF、 10pF及び 2pFと変化させた場合の水平偏波及び垂直偏波についての印加電磁波の周波数と、誤動作電界強度との関係を示す図である。なお、図 4及び図 5では、キャパシタンス素子 9の静電容量が変化されている力第 1,第 2のインダクタンス素子 7, 8のインダクタンス L1は図 12に示すようなインピーダンス特性をもつフェライトビーズである。

[0038] 図 4及び図 5から明らかなように、キャパシタンス素子 9の静電容量を種々変更することにより、デジタルビデオカメラの電磁妨害波耐性が変化することが分かる。従って、所望とする周波数域において十分な電磁妨害波耐性を実現するのにキャパシタンス素子 9の静電容量を適宜選択すればょ、ことが分力る。

[0039] 図 6は、キャパシタンス素子の挿入損失周波数特性を示す。図 6では、図 4及び図 5で用いられた 5種類の静電容量のキャパシタンス素子についての挿入損失一周波数特性が示されている。

[0040] 図 6を、図 4及び図 5と比較すれば明らかなように、図 4及び図 5における電磁妨害波耐性が高められる周波数領域と、図 6における挿入損失が最大である周波数位置との間に相関があることが分かる。すなわち、キャパシタンス素子の挿入損失が最大である周波数域において、ノイズフィルタ 4における誤動作電界強度を効果的に高め得ることが分かる。従って、改善したい周波数領域において挿入損失が大きいキャパシタンス素子を選択すればょ、。

[0041] なお、図 4及び図 5の結果と、図 6の結果とは、必ずしも一致していない。すなわち、誤動作電界強度が最も大きくなる周波数と、挿入損失が最大である周波数とが完全には一致しておらず若干のずれが存在する。これはセンサ回路の配線パターンや、検出回路の入力インピーダンスなどにより若干の影響を受けているものと考えられる。し力しながら、このような影響を考慮し、キャパシタンス素子の静電容量をわずかに変更すれば、上記実施形態に従って、改善したい周波数領域における誤動作電界強度を効果的に高めることができる。

[0042] 図 7及び図 8は、第 1,第 2インダクタンス素子 7, 8の回路定数を変化させた場合の、デジタルカメラの電磁妨害波耐性の変化を示す図である。図 7及び図 8においては、図 4及び図 5の場合と同様に、水平偏波及び垂直偏波における印加電磁波の周波数と誤動作電界強度との関係が示されている。なお、図 7及び図 8のインダクタンス素子 LI, L2, L3は図 12のインピーダンス周波数特性をそれぞれ有しており、キャパシタンス素子の静電容量は 10pFとした。

[0043] 図 7及び図 8から明らかなように、水平偏波及び垂直偏波のいずれにおいても第 1 ,第 2のインダクタンス素子 7, 8のインダクタンスを変化させることにより誤動作電界強度が変化することが分かる。そして、図 7及び図 8の破線 Xに比べて、実施例に相当する一点鎖線、破線 Y及び二点鎖線で示す特性では誤動作電界強度が高周波域において効果的に高められていることが分かる。

[0044] また、図 9は、上記インダクタンス素子 L1一 L3の挿入損失 Z周波数特性を示す図である。図 9から明らかなように、インダクタンスの値により、インダクタンス素子の挿入損失の最大となる周波数位置が変化することが分かる。また、図 9の結果は、図 7及び図 8に示した結果と相関していることが分かる。従って、改善したい周波数域にお V、て挿入損失の大き、インダクタンス素子を設定すればょ、ことが分かる。 [0045] 上記図 4一図 9の結果から明らかなようにノイズフィルタ 4において、インダクタンス素子 7, 8及びキャパシタンス素子 9の回路定数を適宜選定することにより、所望とする周波数域において電磁妨害波耐性を効果的に高め得ることが分力る。

[0046] 図 10に示す従来例のセンサ回路と図 1に示す本実施形態のセンサ回路とを比較する。図 13及び図 14は、それぞれ、デジタルビデオカメラの手ぶれ補正用センサ回路において、ノイズフィルタを接続する前の初期状態、図 10に示した従来のセンサ回路に従ってノイズフィルタを接続した場合、及び図 1に示す実施形態に従ってノイズフィルタを接続した場合の水平偏波についての印加電磁波の周波数と誤動作電界強度との関係を示す図であり、図 14は、デジタルビデオカメラの手ぶれ補正用センサ回路において、ノイズフィルタを接続する前の初期状態、図 10に示した従来のセンサ回路に従ってノイズフィルタを接続した場合、及び図 1に示す実施形態に従つてノィズフィルタを接続した場合の垂直偏波についての印加電磁波の周波数と誤動作電界強度との関係を示す図である。図 13及び図 14から明らかなように、本実施形態によれば図 10に示した従来例の場合に比べて誤動作電界強度が約 3倍になることがゎカゝる。

[0047] 図 10に示した従来例と図 1に示した実施形態のセンサ回路の実装構造を比較する。図 15 (a)及び (b)は、それぞれ、図 10に示した従来例に従って構成されたノイズフィルタを有するセンサ回路及び図 1に示した実施形態に従ってノイズフィルタが構成されたセンサ回路の実装構造の要部をそれぞれ模式的に示す平面図である。ノイズフィルタは検出回路側に近接させることで、ノイズ除去効果をさらに向上させることができる力図 15 (b)に示すように、実施形態では、 ICである検出回路 3側にキャパシタンス素子 9が配置されるため、ノイズフィルタを検出回路 3に近接して設けることができる。例えば、図に示すようにキャパシタンス素子 9は、検出回路 3の一対のリード端子間に跨がるように直接接続され得る。従って、キャパシタンス素子 9がリード端子間に跨がるため、安定に実装され得る。よって、ノイズフィルタの実装面積が小さくなるとともに、ノイズ除去効果をさらに向上させるというメリットがある。

[0048] 一方、図 15 (a)に示すように、従来例では、検出回路側にインダクタンス素子 102, 103が配置される。インダクタンス素子 102, 103がリード端子上に搭載されると、基板の配線パターンとリード端子との間でがたついたり、インダクタンス素子を経由しないでノイズ電流が流れてしまう可能性がある。従って、インダクタンス素子は、 ICに近接させることが困難である。

Claims

請求の範囲

[1] センサの出力端子と、センサの出力信号を検出する検出回路とを電気的に接続する経路に挿入されるノイズフィルタであって、前記センサ側に配置された少なくとも 1 つのインピーダンス素子と、前記インピーダンス素子と前記検出回路との間に接続された少なくとも 1つのキャパシタンス素子とを備えることを特徴とする、ノイズフィルタ。

[2] 前記センサの出力端子が、ホット側出力端子と、基準電位側出力端子とを有し、前記検出回路の入力端が、ホット側入力端子と、基準電位側入力端子とを有し、前記少なくとも 1つのインピーダンス素子として、前記センサのホット側出力端子と検出回路のホット側入力端子との間に挿入された第 1のインダクタンス素子と、前記センサの基準電位側出力端子と、前記検出回路の基準電位側入力端子との間に接続された第 2のインダクタンス素子とを有し、

前記キャパシタンス素子が、前記第 1のインダクタンス素子と前記検出回路のホット側入力端子との間の接続点と、前記第 2のインダクタンス素子と前記検出回路の基準電位側入力端子との間の接続点とを結ぶように挿入されてヽる、請求項 1に記載のノィズフイノレタ。

[3] 前記少なくとも 1つのインピーダンス素子及び少なくとも 1つのキャパシタンス素子の回路定数が、 800MHz以上の周波数における挿入損失が 20dB以上となるように選ばれてヽることを特徴とする、請求項 1または 2に記載のノイズフィルタ。

[4] 前記センサがジャイロセンサであって、ジャイロセンサ用ノイズフィルタであることを特徴とする、請求項 1または 2に記載のノイズフィルタ。

[5] センサと、前記センサの出力信号を検出する検出回路と、前記センサの出力端子と前記検出回路との間に接続されたノイズフィルタとを備え、該ノイズフィルタ力請求項 1または 2に記載のノイズフィルタであることを特徴とする、センサ回路。

[6] 前記センサが、ジャイロセンサである、請求項 5に記載のセンサ回路。

[7] 一対の入力端子を有する演算増幅器を含む検出回路において、前記演算増幅器の各入力端子に接続されるノイズフィルタであって、前記ノイズフィルタは、第 1及び第 2のインダクタンス素子と、キャパシタンス素子とを有し、前記キャパシタンス素子は、前記第 1及び第 2のインダクタンス素子よりも演算増幅器の入力端子側に接続されるものであることを特徴とする、ノイズフィルタ。