WO2005034114A1 - 光磁気記録媒体基板の製造方法および光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

　本発明の光磁気記録媒体基板製造方法は、プリグルーブ型面（３２ａ）を有する密着層（３２）を第１基板（３１）上に形成するための密着層形成工程と、プリグルーブ型面（３２ａ）上に軟磁性材料を成長させることにより、当該プリグルーブ型面（３２ａ）の凹凸形状が転写されたプリグルーブ面（１２ａ）を有する軟磁性部（１２）を密着層（３２）上に形成するための工程（図３Ａ）と、軟磁性部（１２）および第２基板（１１）を一体化するための工程（図３Ｂ）と、軟磁性部（１２）および密着層（３２）の間に作用する密着力を低下させ、軟磁性部（１２）から密着層（３２）および第１基板（３１）を分離するための分離工程（図３Ｃ）と、を含む。

Description

明細書 光磁気記録媒体基板の製造方法および光磁気記録媒体 技術分野

本発明は、 軟磁性部を有する光磁気記録媒体を製造するのに用いることのでき る基板の製造方法、 および、 軟磁性部を有する光磁気記録媒体に関する。 背景技術

近年、 光磁気記録媒体が注目を集めている。 光磁気記録媒体は、 磁性材料にお ける種々の磁気特性を利用して構成され、 熱磁気的な記録およ.ぴ磁気光学効果を 利用した再生という 2つの機能を担う書換え可能な記録媒体である。 光磁気記録 媒体は、 1または 2以上の垂直磁化膜からなる記録磁性部を有し、 当該記録磁性 部内に設けられる記録層に信号が記録される。 記録に際しては、 対物レンズ （媒 体に対面するレンズ） を介して集光されたレーザを照射することにより記録層の 所定箇所を昇温させつつ、当該箇所に所定の磁界が印加される。 このようにして、 記録層において、 磁ィ匕方向の変化として所定の信号が記録される。 再生に際して は、 この記録信号が、 所定の光学系で読み取られる。

光磁気記録媒体の記録密度を向上するための一手法として、 記録の際に媒体に 対してレーザを照射する領域のサイズを、 即ちスポット径を、 小さくすることが 知られている。 スポットの小径ィヒにより、 媒体のトラックピッチを短く設計した り、 記録マーク長を短くすることが可能となり、 その結果、 高い記録密度を得る ことが可能となる。 照射レーザの波長を短くしたり、 当該照射レーザを集光する ための対物レンズの開口数 NAを大きくすることにより、 スポット径を小さくす ることができる。

レンズの開口数 NAが大きくなるほど当該レンズの焦点距離が短くなるところ、 光磁気記録媒体の技術の分野にぉレヽては、 開口数 N Aの大きなレンズを適用すベ く、 従来のパックイルミネーション方式に代えてフロントイルミネーション方式 の実用化に対する要求が高い。 バックイルミネーション方式光磁気記録媒体では、 記録および再生に際し、 記 録磁性部に対して透明な基板の側からレーザが照射される。 当該透明基板は、 媒 体の岡 IJ性を確保するために相当程度の厚さを必要とするので、 バックイルミネー ション方式光磁気記録媒体に対しては、 焦点距離のより短いレンズほど、 即ち開 口数 NAのより大きなレンズほど、 採用するのが困難となる。

これに対し、 フロントイルミネーション方式光磁気記録媒体では、 記録および 再生に際し、 記録磁性部にっレ、て基板とは反対の側に設けられている透明保護膜 の側から、 記録磁性部に対してレーザが照射される。 当該透明保護膜は相当程度 に薄く形成することができるので、 フロントイルミネーション方式光磁気記録媒 体は、 焦点距離の短いレンズすなわち開口数 N Aの大きなレンズを採用するうえ で、 バックイルミネーション方式媒体よりも好適なのである。

フロントイルミネーション方式光磁気記録媒体では、 記録磁性部に含まれる記 録層について、 記録時における磁気記録へッド （電磁石または電磁コイル） 力、ら の磁界に対する感度を向上することを目的として、 軟磁性層が設けられる場合が ある。

図 1 5は、 従来の光磁気記録媒体の一例である光磁気記録媒体 X 3の積層構成 を表す。 光磁気記録媒体 X 3は、 基板 9 1と、 記録磁性部 9 2と、 軟磁性層 9 3 と、 プリグループ層 9 4と、 熱伝導層 9 5と、 誘電体層 9 6 , 9 7と、 保護膜 9 8とからなる積層構造を有し、 フロントイルミネーション方式の光磁気ディスク として構成されたものである。 これらは、 軟磁性層 9 3、 プリグループ層 9 4、 熱伝導層 9 5、 誘電体層 9 6、 記録磁性 9 2、 誘電体層 9 7、 および保護膜 9 8の順で、 基板 9 1の側から積層形成される。

記録磁性部 9 2は、 熱磁気的な記録およぴ磁気光学効果を利用した再生という 2つの機能を担うことが可能な磁性構造を有し、 再生方式に応じた 1または 2以 上の垂直磁ィ匕膜よりなる。 当該垂直磁ィ匕膜の一つは記録層である。 軟磁性層 9 3 は、 高透磁率の磁性膜により構成され、 当該磁性膜の膜面に平行な方向 （面内方 向）に磁化容易軸を有して磁化された面内磁化膜である。プリグループ層 9 4は、 樹脂材料よりなり、 熱伝導層 9 5との接触面においてプリグループ面 9 4 a (図 1 5にて太線で表す） を有する。 プリグループ面 9 4 aは、 所望の寸法で形成さ れたランドグループ形状およびその他の凹凸形状 （ピット形状など） を有する。 熱伝導層 9 5は、 記録磁性部 9 2にて発生する熱を基板 9 1側へと効率よく伝導 するための部位である。 誘電体層 9 6， 9 7は、 記録磁性部 9 2に対する外部か らの物理的およびィ匕学的な影響を回避するための部位である。 保護膜 9 8は、 記 録磁性部 9 2を特に塵埃から保護するための部位であり、 光透過性の樹脂材料よ りなる。

光磁気記録媒体 X 3では、 高透磁率の軟磁性層 9 3が存在するため、 記録時に おいて、 磁気記録へッドから記録磁性部 9 2に印カロされる記録磁界の磁束は記録 磁性部 9 2にて拡散せずに集中する傾向にある。 すなわち、 記録磁性部 9 2に含 まれる記録層の記録磁界感度は、軟磁性層 9 3が存在しなレ、場合よりも向上する。 軟磁性層を有するこのような光磁気記録媒体については、 例えば特開平 3— 1 0 5 7 4 1号公報ゃ特開平 3— 1 3 7 8 3 7号公報に開示されている。

軟磁性層の存在に起因して記録層にて磁界が集中するという効果は、 記録層と 軟磁性層とが近接するほど、 大きい。 しかしながら、 従来の光磁気記録媒体 X 3 では、 記録層を含む記録磁性部 9 2と軟磁性層 9 3との間にプリグループ層 9 4 が介在してレ、る。 プリグループ層 9 4は、 一般に紫外線硬化性樹脂により構成さ れており、 その表面にてランドグループ形状ゃピット形状を適切に形成するため には少なくとも 1 0 μ ιη以上の厚さが必要である。 記録層を含む記録磁性部 9 2 と軟磁性層 9 3とがこのように相当程度に離れて!/、るため、 光磁気記録媒体 X 3 では、 磁界集中の程度は低い場合が多い。

記録磁性部 9 2から軟磁性層 9 3までの間にプリグループ層 9 4を設ける構成 に代えて、 記録磁性部 9 2力 らプリグループ層 9 4までの間に軟磁性層 9 3を設 ける構成を採用すると、 記録磁性部 9 2と軟磁性層 9 3との距離は、 より短くな る。 しかしながら、 この場合、 記録磁性部 9 2にて適切なランドグループ形状お よびピット形状を形成することができず、 その結果、 実用的な光磁気記録媒体が 得られない。

磁界集中の効果を得るためには、 軟磁性層 9 3については 1 μ m程度以上の厚 さが必要である場合があり、 スパッタリング法により 1 m程度以上の厚さまで 軟磁性材料をプリグループ層 9 4ないしプリグループ面 9 4 a上に成膜すると、 当該軟磁性層 9 3にて形成されるランドグループ形状およびピット形状は、 プリ グループ面 9 4 aのランドグループ形状およぴピット形状から相当程度に変ィ匕し て丸みをおぴる。 そのため、 当該軟磁性層 9 3の上方に更に積層形成される記録 磁性部 9 2において形成されるランドグループ形状およびピット形状の、 プリグ ループ面 9 4 aのランドグループ形状およびピット形状からの逸脱は、 極めて大 きくなつてしまう。 加えて、 スパッタリング法により 1 μ πι程度以上の厚さまで 軟磁性材料をプリグループ層 9 4上に成膜すると、 当該軟磁性層 9 3の成長端面 の表面粗さは、 相当程度に大きい。 そのため、 当該軟磁性層 9 3の上方に更に積 層形成される記録磁性部 9 2の成長端面の表面粗さは不当に大きくなつてしまう。 このように、 記録磁性部 9 2からプリグループ層 9 4までの間に軟磁性層 9 3 を設ける構成を採用すると、 記録磁性部 9 2にて適切なランドグループ形状およ びピット形状を形成することができないのである。 記録磁性部 9 2にて適切にラ ンドグループ形状およぴピット形状を形成できない場合、 良好な記録再生特性が 得られない。 例えば、 充分に高い C NRが得られない。 発明の開示

本発明は、 このような事情の下で考え出されたものであって、 記録層とその記 録磁界感度を向上するための軟磁性部とが適切に近接して設けられた光磁気記録 媒体を製造するのに用いることのできる基板の製造方法、 および、 当該基板を用 いて製造することのできる光磁気記録媒体を、 提供することを目的とする。

本発明の第 1の側面によると光磁気記録媒体基板の製造方法が提供される。 こ の方法は、 プリグループ型面を有する密着層を第 1基板上に形成するための密着 層形成工程と、 プリグループ型面上に軟磁性材料を成長させることにより、 当該 プリグループ型面の凹凸形状が転写されたプリグループ面を有する軟磁性部を密 着層上に形成するための工程と、 軟磁性部おょぴ第 2基板を一体化するためのェ 程と、 軟磁性部および密着層の間に作用する密着力を低下させ、 軟磁性部から密 着層および第 1基板を分離するための分離工程と、 を含む。 本発明の第 1の側面 におけるプリグループ型面とは、 プリグループを形成する際に錶型として機能す る面であり、 高精度に所望の寸法で形成された、 少なくともランドグループ形状 を含む凹凸形状を、 有する。 プリグループ型面の凹凸形状には、 ピット形状など の他の凹凸情報が含まれていてもよい。 プリグループ面とは、 プリグルーブ型面 の凹凸形状が直接に転写されて形成された面であり、 プリグループ型面の凹凸形 状を直接に反映する凹凸形状を有する。 プリグループ面の凹凸形状には、 少なく ともランドグループ形状が含まれ、 また、 ピット形状などの他の凹凸情報が含ま れていてもよい。 密着層は、 軟磁性部に対して充分な密着性を示す材料により構 成される。

このような方法により得られる光磁気記録媒体基板では、 軟磁性材料よりなる 軟磁性部は、 第 2基板とは反対の側にぉレ、てプリグループ面を有する。 プリダル ーブ面は、 高い寸法精度で形成されたランドグループ形状を有する。 このような プリグループ面上に、 記録層を含む所定の材料^ =冓造部を直接積層形成すると、 軟磁性部およぴ記録層は、 プリグループ層を介さずに配置されることとなり、 充 分に近接し得る。 また、 記録層を含む所定の材料膜構造部はプリグループ面上に 直接積層形成されるので、 当該材料 冓造部は、 適切なランドグループ形状を有 し得る。 プリグループ面がランドグループ形状以外の凹凸形状 （例えばピット形 状）を有する場合、当該プリグループ面上に直接積層形成される材料膜構造部は、 ランドグループ形状以外の適切な凹凸形状も有し得る。 軟磁性部の厚さを調節す ることにより、 プリグループ面の上方に設けられる記録層の記録磁界感度を所望 の程度に向上することができる。 このように、 本発明の第 1の側面に係る方法に より製造される基板を用いると、 記録層とその記録磁界感度を向上するための軟 磁性部とが適切に近接して設けられた光磁気記録媒体を製造することが可能であ る。

また、 本発明の第 1の側面においては、 軟磁性部のプリグループ面を形成する ための錡型として機能するプリグループ型面は、 軟磁性部ないしこれを構成する 軟磁性材料に対して充分な密着性を示し得る材料よりなる密着層に設けられてい る。 密着層構成材料は、 使用される軟磁性材料に応じて選択される。 軟磁性部形 成工程において、 当該密着層とこの上に堆積する軟磁性材料との間に充分な密着 力が作用している状態では、 密着層ないしプリグループ型面上にて軟磁性材料を 充分な厚さにまで適切に成長させることができる。 したがって、 軟磁性部形成ェ 程では、プリグループ面を有する軟磁性部を充分な厚さで形成することができる。

—方、 分離工程では、 軟磁性部と密着層または第 1基板とを分離する前に、 軟磁 性部に対する密着層の密着力を低下せしめる。 そのため、 当該密着層および第 1 基板と軟磁性部とを適切に分離することができる。 このように、 本発明の第 1の 側面に係る方法よると、 プリグループ型面の凹凸形状が直接に転写されたプリグ ループ面を有する軟磁性部を備える光磁気記録媒体基板は、 当該軟磁性材料に対 する密着性が機能的に変化する材料により構成されてプリグループ型面を有する 密着層を利用して、 形成される。 このような方法は、 光磁気記録媒体を効率よく 製造するうえで好適である。

本発明の第 1の側面において、 好ましくは、 分離工程では、 密着層を劣化させ るための液体を当該密着層に作用させる。例えば、第 1基板、密着層、軟磁性部、 および第 2基板を含む構造体を所定の溶液に浸漬し、 密着層を分解または溶解せ しめる。 或は、 分離工程では、 密着層を劣化させるための電磁波を当該密着層に 照射してもよい。 電磁波には、 紫外線や X線が含まれる。

好ましくは、 第 1基板は平坦面を有し、 密着層形成工程では、 密着層を構成す るための材料を平坦面上に成長させて材料膜を形成した後、 当該材料膜における 第 1基板とは反対の側にてプリグループ型面を形成する。 或は、 好ましくは、 第 1基板は凹凸面を有し、 密着層形成工程では、 密着層を構成するための材料を凹 凸面上に成長させることにより、 成長端にてプリグループ型面を有する材料膜を 密着層として形成する。

本発明の第 2の側面によると光磁気記録媒体が提供される。 この光磁気記録媒 体は、光磁気記録媒体基板および材料 B幽造部を備える。光磁気記録媒体基板は、 プリグループ型面を有する密着層を第 1基板上に形成するための工程、 プリダル 一プ型面上に軟磁性材料を成長させることにより、 当該プリグループ型面の凹凸 形状が転写されたプリグループ面を有する軟磁性部を密着層上に形成するための 工程、 軟磁性部および第 2基板を一体化するための工程、 および、 軟磁性部およ び密着層の間に作用する密着力を低下させ、 軟磁性部から密着層および第 1基板 を分離するための工程、 を経て製造されたものである。 材料,造部は、 記録機 能および再生機能を担う記録磁性部を含み、 且つ、 光磁気記録媒体基板のプリグ ループ面上に設けられている。 本発明における材料 造部は、 複数の材料膜よ りなる多層構造を有して光磁気記録媒体基板上に積層形成される部位である。 このような構成の光磁気記録媒体にお！/、ては、 高 、寸法精度で形成されたラン ドグループ形状を有するプリグノレーブ面は、 光磁気記録媒体基板の軟磁性部に設 けられており、 当該プリグループ面に対して、 他の軟磁性部を介さずに、 記録磁 性部（記録層を含む） を含む材料 B嫌造部は直接積層形成されている。そのため、 記録磁性部において適切なランドグループ形状を実現することが可能であるとと もに、 当該記録磁性部に含まれる記録層と軟磁性部との距離を充分に短くするこ とが可能なのである。 また、 プリグループ面がランドグループ形状以外の凹凸形 状 （例えばピット形状） を有する場合、 当該プリグ ープ面上に直接積層形成さ れる材料膜構造部は、 ランドグループ形状以外の適切な凹凸形状も有し得る。 本発明の第 3の側面によると光磁気記録媒体の製造方法が提供される。 この方 法は、 高分子量樹脂部と、 プリグループ型面を有する低分子量榭脂部と、 を有す る第 1基板におけるプリグループ型面上に軟磁性材料を成長させることにより、 当該プリグループ型面の凹凸形状が転写されたプリグループ面を有する軟磁性部 を第 1基板上に形成するための工程と、 軟磁性部および第 2基板を一体化するた めの工程と、 軟磁性部および低分子量樹脂部の間に作用する密着力を低下させ、 軟磁性部から第 1基板を分離するための分離工程と、 を含む。

このような方法によると、 第 1の側面に係る方法によるのと同様の光磁気記録 媒体基板を製造することができる。 したがって、 本発明の第 3の側面によると、 製造される光磁気記録媒体基板について、 第 1の側面に関して上述したのと同様 の利益が得られる。

また、 本発明の第 3の側面においては、 軟磁性部のプリグループ面を形成する ための铸型として機能するプリグループ型面は、 軟磁性部ないしこれを構成する 軟磁性材料に対して充分な密着性を示し得る材料よりなる低分子量榭脂部に設け られている。 低分子量樹脂部構成材料は、 使用される軟磁性材料に応じて選択さ れる。 軟磁性部形成工程において、 当該低分子量樹脂部とこの上に堆積する軟磁 性材料との間に充分な密着力が作用している状態では、 低分子量樹脂部ないしプ リグループ型面上にて軟磁性材料を充分な厚さにまで適切に成長させることがで きる。 したがって、 軟磁性部形成工程では、 プリグループ面を有する軟磁性部を 充分な厚さで形成することができる。 一方、 分離工程では、 軟磁性部と第 1基板 を分離する前に、 軟磁性部に対する低分子量樹脂部の密着力を低下せしめる。 そ のため、 軟磁性部と第 1基板ないし低分子量樹脂部とを適切に分離することがで きる。 このように、 本発明の第 3の側面に係る方法よると、 プリグループ型面の 凹凸形状が直接に転写されたプリグループ面を有する軟磁性部を備える光磁気記 録媒体基板は、 当該軟磁性材料に対する密着性が機能的に変化する材料により構 成されてプリグループ型面を有する低分子量樹脂部を利用して、 形成される。 こ のような方法は、 光磁気記録媒体を効率よく製造するうえで好適である。

本発明の第 3の側面において、 好ましくは、 分離工程では、 低分子量樹脂部を 劣ィ匕させる液体を当該低分子量樹脂部に作用させる。 或は、 分離工程では、 低分 子量樹脂部を劣ィ匕させる電磁波を当該低分子量樹脂部に照射してもよい。

本発明の第 4の側面によると光磁気記録媒体が提供される。 この光磁気記録媒 体は、光磁気記録媒体基板および材料麵造部を有する。光磁気記録媒体基板は、 高分子量樹脂部と、 プリグループ型面を有する低分子量樹脂部と、 を有する第 1 基板におけるプリグループ型面上に軟磁性材料を成長させることにより、 当該プ リグループ型面の凹凸形状が転写されたプリグループ面を有する軟磁性部を第 1 基板上に形成するための工程、軟磁性部および第 2基板を一体化するための工程、 および、 軟磁性部および低分子量樹脂部の間に作用する密着力を低下させ、 軟磁 性部から第 1基板を分離するための工程、 を経て製造されたものである。 材料膜 構造部は、 記録機能および再生機能を担う記録磁性部を含み、 且つ、 光磁気記録 媒体基板のプリグループ面上に設けられている。 このような光磁気記録媒体によ ると、 本発明の第 2の側面に関して上述したのと同様の利益が得られる。

本発明の第 5の側面によると光磁気記録媒体基板の製造方法が提供される。 こ の方法は、 基板上に軟磁性材料を成長させることにより軟磁性膜を形成するため の第 1成長工程と、 開口部を有するレジストパターンを軟磁性膜上に形成するた めのレジストパターン形成工程と、 開口部内にて軟磁性材料を成長させることに より、 基板とは反対の側にプリグループ面を有する軟磁性部を形成するための第 2成長工程と、 を含む。 このような方法により得られる光磁気記録媒体基板では、 軟磁性材料よりなる 軟磁性部は、 基板とは反対の側においてプリグルーブ面を有する。 プリグループ、 面は、 高い寸法精度で形成されたランドグループ形状を有する。 プリグループ面 の凹凸形状には、 ピット形状などの他の凹凸情報が含まれていてもよい。 このよ うなプリグループ面上に、 記録層を含む所定の材料膜構造部を直接積層形成する' と、軟磁性部おょぴ記録層は、プリグループ層を介さずに配置されることとなり、 充分に近接し得る。 また、 記録層を含む所定の材料膜構造部はプリグループ面上 に直接積層形成されるので、 当該材料 冓造部は、 適切なランドグループ形状を 有し得る。 プリグループ面がランドグループ形状以外の凹凸形状 （例えばピット 形状） を有する場合、 当該プリグループ面上に直接積層形成される材料 II†冓造部 は、 ランドグループ形状以外の適切な凹凸形状も有し得る。 軟磁性部の厚さを調 節することにより、 プリグループ面の上方に設けられる記録層の記録磁界感度を 所望の程度に向上することができる。 このように、 本発明の第 5の側面に係る方 法により製造される基板を用いると、 記録層とその記録磁界感度を向上するため の軟磁十生部とが適切に近接して設けられた光磁気記録媒体を製造することが可能 である。

本発明の第 5の側面において、 好ましくは、 第 2成長工程より前であってレジ ストパターン形成工程の前または後に、 P dよりもイオン化^!向の大きな元素を 含む材料薄膜を軟磁性膜上に形成する。 或は、 第 2成長工程より前であってレジ ストパターン形成工程の前または後に、 C o， F e , および N iよりもイオン化 傾向の大きな元素を含む材料薄膜を軟磁性膜上に形成してもよい。 これらの構成 は、 第 2成長工程にてレジストパターンの開口部内に軟磁性材料を堆積するに際 して所定の無電解めつき法を採用するうえで好適である。 また、 第 1成長工程の 後であってレジストパターン形成工程より前においては、 第 2成長工程にて無電 解めつき法を採用する場合に使用するめつき浴に対して軟磁性膜を防食すべく、 軟磁性膜上に保護膜を形成してもよい。

本発明の第 6の側面によると光磁気記録媒体の製造方法が提供される。 この方 法は、 第 1温度の下、 基板の有するプリグループ型面上に軟磁性材料を成長させ ることにより、 当該プリグループ型面の凹凸形状が転写されたプリグループ面を 有する軟磁性部を第 1基板上に形成するための軟磁性部形成工程と、 軟磁性部お よび第 2基板を一体ィ匕するための工程と、 第 2温度の下、 軟磁性部から第 1基板 を分離するための分離工程と、 を含み、 第 1温度および第 2温度の差は 1 0 °〇以 下である。 このような方法によると、 第 1基板の熱膨張率と軟磁性部の熱膨張率 との差に起因して分離工程が阻害されるのを回避することができる。

本発明の第 6の側面において、 好ましくは、 軟磁性部形成工程では、 軟磁性部 は溶液中にて第 1基板上に形成され、 分離工程は、 相対湿度 9 0 %以上の条件下 で行われる。 このような構成は、 軟磁性部形成工程にて例えば湿式めつき法を採 用する場合に、 軟磁性部形成工程および分離工程での第 1基板おょぴ軟磁性部の 膨張態様を近似させて良好な分離工程を行ううえで好適である。 図面の簡単な説明

図 1は、 本発明に基づいて製造するこのとできる光磁気記録媒体の部分断面図 である。

図 2 A〜図 2 Cは、 本発明の第 1の実施形態に係る基板製造方法の一部の工程 を表す。

図 3 A〜図 3 Cは、 図 2 Cの後に続く工程を表す。

図 4 Aおよぴ図 4 Bは、 図 1に示す光磁気記録媒体を製造するための、 図 3 C の後に続く工程を表す。

図 5 A〜図 5 Cは、 本発明の第 2の実施形態に係る基板製造方法の一部の工程 を表す。

囪 6 Aおよぴ図 6 Bは、 図 5 Cの後に続く工程を表す。

図 7 Aおよび図 7 Bは、 本発明の第 3の実施形態に係る基板製造方法の一部の 工程を表す。

図 8 Aおよぴ図 8 Bは、 図 7 Bの後に続く工程を表す。

図 9 A〜図 9 Cは、 本発明の第 5の実施形態に係る基板製造方法を表す。 図 1 0は、 本発明に基づいて製造するこのとできる他の光磁気記録媒体の部分 断面図である。

図 1 1 〜図1 1 Cは、 本発明の第 4の実施形態に係る基板製造方法の一部の 工程を表す。

図 12 A〜図 12 Cは、 図 11 Cの後に続く工程を表す。

図 13 〜図13Cは、 第 4の実施形態に係る基板製造方法の一部の代替工程 を表す。

図 14 Aおよぴ図 14 Bは、 図 12 Cまたは図 13 Cの後に続く工程を表す。 図 15は、 軟磁性部を有する従来の光磁気記録媒体の積層構成を表す。 発明を実施するための最良の形態

図 1は、 本発明に基づレヽて製造することのできる光磁気記録媒体 X 1を表す。 光磁気記録媒体 X 1は、 基板 S 1と、 記録磁性部 21と、 熱伝導層 22と、 誘電 体層 23， 24と、 保護 fl莫 25とを備え、 フロントイルミネーション方式の光磁 気ディスクとして構成されている。

基板 S 1は、 基材 11および軟磁性部 12を有し、 これらは接着材 30を介し て接合されている。 基材 11は、 例えば、 ポリカーボネート （PC) 樹脂、 ポリ メチルメタアタリレート （PMMA) 樹脂、 エポキシ樹脂、 またはポリオレフィ ン樹脂よりなる。 或は、 基材 11としては、 ガラス基板やアルミェゥム合金基板 を採用してもよい。

軟磁性部 12は、 渦巻き状または同心円状のプリグループ 12 bが所望の寸法 で形成されたプリグループ面 12 aを有する。 このプリグループ 12bを基に、 本光磁気ディスクにおけるランドグループ形状が形成されている。 軟磁性部 12 は、 大きな飽和磁化と小さな保磁力とを有する軟磁性材料よりなり、 記録磁気へ ッドから発せられる磁界の磁束を記録磁性部 21に含まれる記録層にて集中させ ることによって当該記録層の記録磁界感度を向上させる機能を有する。 このよう な軟磁性部 12は、例えば、 F e Cなどの F e系材料、 C o系材料、パーマロイ、 またはセンダストより構成することができる。 より具体的には、 軟磁性部 12は ί列えば CoF eN iよりなる。

軟磁性部 12を構成する軟磁性材料の飽和磁束密度を B s (kGa u s s) と し、 軟磁性部 12の厚さを t m) とすると、 軟磁性部 12は、 下記式 （1) を満たすのが好ましい。 軟磁性部 12については、 薄くても式 （1) を満たすほ どに飽和磁束密度が高い場合、 或は、 飽和磁束密度が小さくても式 （1) を満た すほどに厚い場合、 記録磁性部 21に含まれる後述の記録層における磁界集中の 機能を充分に発揮することができる。

B s X t≤ 5 (kGa u s s * ,um) (1) 記録磁性部 21は、 熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という 2つの機能を担うことが可能な、 1または 2以上の磁性膜よりなる磁性構造を有 し、 ランドグループ形状のランド部および/またはグループ部にて、 本媒体にお ける情報トラックを構成する。 例えば、 記録磁性部 21は、 記録機能および再生 機能を併有する単一の記録層よりなる。 或は、 記録磁性部 21は、 相対的に保磁 力が大きくて記録機能を担う記録層と、 再生用レーザにおけるカー回転角が相対 的に大きくて再生機能を担う再生層とからなる、 2層構造を有する。 或は、 記録 磁性部 21は、 MSR方式、 MAMMOS方式、 または DWDD方式での再生を 実現するための、 記録層、 再生層、 およびこれらの間の中間層を含む 3層以上の 多層 «造を有する。

記録磁性部 21のとり得る各構造における各層は、 希土類元素と遷移金属との ァモルファス合金よりなり、 垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直 磁化膜である。 垂直方向とは、 各層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向 をいう。 希土類元素としては、 Tb， G d, Dy, Nd, または Prなどを用い ることができる。 遷移金属としては、 F eや C oなどを用いることができる。 より具体的には、 記録層は、 例えば、 所定の組成を有する TbFe Co, Dy F eCo, または TbDyF eCoよりなる。 再生層を設ける場合、 当該再生層 は、 例えば、 所定の組成を有する GdF eCo, GdDy F e Co, GdTbD y F e C o, NdDyF eCo, N d G d F e C o , または P rDyFeCoよ りなる。 中間層を設ける場合、 当該中間層は、 例えば、 所定の組成を有する Gd F e, Tb F e, GdF eCo, GdDy F e C o, GdTbDyFeCo, N dDy F e C o, NdGdF e C o, または P r D y F e C oよりなる。 各層の 厚さは、 記録磁性部 21に所望される磁性構造に応じて決定される。 熱伝導層 2 2は、 レーザ照射時に記録磁性部 2 1などにて発生する熱を効率よ く基板 S 1へ伝えるための部位であり、 例えば、 A g , A g合金 (A g P d C u S i， A g P d C uなど） ， A 1合金 （A 1 T i , A 1 C rなど） ， A u， また は P tなどの高熱伝導材料よりなる。 熱伝導層 2 2の厚さは、 例えば 1 0〜 5 0 n mである。

誘電体層 2 3， 2 4は、 記録磁性部 2 1に対する外部からの化学的影響を回避 ないし抑制するための部位であり、 例えば、 S i N, S i 0₂, Y S i〇₂, Z n S i O ₂, A 1 O, または A I Nよりなる。 誘電体層 2 3の厚さは、 例えば 1 0 〜3 0 n mである。 誘電体層 2 4の厚さは、 例えば 3 5〜 5 0 n mである。

保護膜 2 5は、 光磁気記録媒体 X 1の記録用レーザおよび再生用レーザに対し て充分な透過性を有する樹脂よりなり、その厚さは例えば 1 0〜4 0 μ πιである。 保護膜 2 5を構成するための樹脂としては、 例えば、 ポリカーボネート （P C) 樹脂、 ポリメチルメタタリレート （PMMA) 樹脂、 エポキシ樹脂、 またはポリ ォレフィン樹脂が挙げられる。 '

光磁気記録媒体 X 1は、 軟磁性部 1 2から保護膜 2 5までの積層構造を基材 1 1の片面側のみに又は両面側に有する。 また、 記録磁性部 2 1、 熱伝導層 2 2、 誘電体層 2 3， 2 4、 および保護膜 2 5は、 光磁気記録媒体 X 1ぉレ、て、 基板 S 1のプリグループ面 1 2 a上に積層形成された材料^) =冓造部を構成する。 当該材 料 S難造部のうち熱伝導層 2 2がプリグループ面 1 2 a上に直接積層されている。 図 2 A〜図 3 Cは、 本発明の第 1の実施形態に係る基板製造方法を表す。 本実 施形態は、 光磁気記録媒体用の上述の基板 S 1を製造するための一手法である。 本実施形態においては、 まず、 図 2 Aに示すような仮基板 3 1を用意する。 仮基 板 3 1は、 平坦面 3 1 aを有し、 樹脂材料、 セラミック材料、 または金属材料よ りなる。 平坦面 3 l aは、 所定の平滑化処理おょぴ清浄処理が施されている。 榭 脂材料としては、 ポリカーボネート、 ァモルファスポリオレフイン、 およぴェポ キシなどを採用することができる。 セラミック材料としては、 ガラスなどを採用 することができる。 金属材料としては、 アルミニウム合金やマグネシウム合金な どを採用することができる。

次に、 図 2 Bに示すように、 仮基板 3 1の平坦面 3 1 a上に密着層 3 2を形成 する。 密着層 3 2を構材するための材料としては、 軟磁性部 1 2の構成材料に対 して良好な密着性を示すものを選択する。 そのような材料としては、 例えば、 フ ォトレジスト、 ソルダーレジスト、 またはポリビュルアルコールを採用すること ができる。 密着層 3 2の構成材料としては、 光分解性を示す樹脂材料を採用して もよい。 そのような樹脂材料としては、 例えば、 ポジ型フォトレジスト、 ポジ型 ソルダーレジスト、 および、 シリコンウェハダイシング用テープの接着層を構成 する光分解型樹脂が、 挙げられる。 密着層 3 2の形成手法としては、 スピンコー ト法、 ディップコート法、 または印刷法を採用することができる。 密着層 3 2の 厚さは伊!!えば 0 . 5〜： ί θ θ μ πιである。

次に、 図 2 Cに示すように、 密着層 3 2におレ、てプリグループ型面 3 2 aを形 成する。 具体的には、 紫外線照射または電子線照射により密着層 3 2の露出面の 所定箇所を露光処理した後、 当該露出面を現像処理することによって、 所定寸法 のランドグループ形状（凹凸形状）を有するプリグループ型面 3 2 aを形成する。 プリグループ型面 3 2 aのランドグループ形状は、 軟磁性部 1 2にて形成すべき プリグループ面 1 2 aのランドグループ形状に対応する。

このような手法に代えて、 プリグループ型面 3 2 aの形成においては、 ナノィ ンプリント法を採用してもよい。 ナノインプリント法においては、 表面に所定の ランドグループ形状を有する硬質スタンパを密着層 3 2に押圧することにより、 硬質スタンパの当該ランドグループ形状を、 密着層 3 2の露出面に転写する。 こ れにより、 密着層 3 2にてプリグループ型面 3 2 aが形成されることとなる。 硬 質スタンパは、 例えばニッケルや石英ガラスよりなる。

また、 本工程では、 ランドグループ形状とともにランドグループ形状以外の凹 凸形状 （例えばピット形状） を有するように、 プリグループ型面 3 2 aを形成し てもよい。

基板 S 1の製造においては、 次に、 図 3 Aに示すように、 プリグループ型面 3 2 a上に軟磁性部 1 2を形成する。 軟磁性部 1 2は、 例えばスパッタリング法や 無電解めつき法により上掲の軟磁性材料をプリグループ型面 3 2 a上に成長させ ることによって、 形成することができる。 軟磁性部 1 2には、 密着層 3 2のプリ グループ型面 3 2 aの凹凸形状が転写されたプリグループ面 1 2 aが形成される。 図 3 Aに示す軟磁性部 1 2の露出面上には、 防食のた'めの保護層を形成してもよ い。 保護層を構成する材料としては、 銅、 ニッケル、 窒化ケィ素、 および窒化ァ ノレミエゥムなどから選択することができる。

次に、 図 3 Bに示すように、 軟磁性部 1 2に対し、 または形成されている場合 には保護層に対し、 接着剤 3 0を介して基材 1 1を接合する。 接着剤 3 0として は、 紫外線硬化性樹脂を採用することができる。 接着剤 3 0として紫外線硬化性 樹脂を採用する場合、 基材 1 1としては、 紫外線透過性材料よりなるものが採用 される。

次に、 図 3 Cに示すように、 基材 1 1およぴ軟磁性部 1 2を含む構造体と、 仮 基板 3 1および密着層 3 2からなる構造体とを、 分離する。

本分離工程においては、密着層 3 2の構成材料に応じて選択される溶液に対し、 図 3 Bに示す構造体を浸漬する。 密着層 3 2がフォトレジストまたはソルダーレ ジストよりなる場合、 本工程で使用する溶液としては、 例えばァセトン、 メチル ェチルケトン、 およぴキシレンを採用することができる。 この場合、 浸漬時間は 例えば 5分とし、 溶液温度は例えば室温〜 5 0 °Cとする。 密着層 3 2がポリビニ ルアルコールよりなる場合、 本工程で使用する溶液としては水を採用することが できる。 この場合、 浸漬時間は例えば 5分とし、 溶液温度は例えば室温〜 7 0 °C とする。 浸漬時には、 当該溶液にて超音波を伝搬させてもよい。

密着層 3 2が光分解性樹脂材料よりなる場合には、 本分離工程では、 上述の浸 漬手法に代えて、 紫外線や X線などの所定の電磁波を密着層 3 2に照射する手法 を採用することができる。

浸漬または電磁波照射により密着層 3 2を充分に劣ィ匕ないし溶解させた後、 基 材 1 1およぴ軟磁性部 1 2を含む構造体と、 仮基板 3 1および密着層 3 2からな る構造体とを、 分離する。 この後、 軟磁性部 1 2のプリグループ面 1 2 aに密着 層 3 2の残さが存在する場合には、 酸素プラズマエッチングや酸素プラズマアツ シングを行うことにより、 当該残さを除去してもよい。

以上のようにして、 プリグループ型面 3 2 aのランドグループ形状が転写され たプリグループ面 1 2 aを軟磁十生部 1 2にて有する基板 S 1を、 製造することが できる。 プリグループ型面 3 2 aがランドグループ形状以外の凹凸形状 （例えば ピット形状） を有する場合、 プリグループ面 1 2 aには、 ランドグループ形状以 外の凹凸形状も転写されている。

上述の方法においては、 軟磁性部 1 2のプリグループ面 1 2 aを形成するため の錶型として機能するプリグループ型面 3 2 aは、 軟磁性部 1 2ないしこれを構 成する軟磁性材料に対して充分な密着性を示し得る材料よりなる密着層 3 2に設 けられている。 密着層構成材料は、 使用される軟磁性材料に応じて選択される。 図 3 Aを参照して上述した軟磁性部形成工程にぉレ、て、 密着層 3 2とこの上に堆 積する軟磁性材料との間に充分な密着力が作用している状態では、 密着層 3 2な いしプリグループ型面 3 2 a上にて軟磁性材料を充分な厚さにまで適切に成長さ せることができる。 したがって、 軟磁性部形成工程では、 プリグループ面 1 2 a を有する軟磁性部 1 2を充分な厚さで形成することができる。

一方、 図 3. Cを参照して上述した分離工程では、 軟磁性部 1 2と密着層 3 2ま たは仮基板 3 1とを分離する前に、 軟磁性部 1 2に対する密着層 3 2の密着力を 低下せしめる。 そのため、 密着層 3 2および仮基板 3 1と軟磁性部 1 2とを適切 に分離することができる。

このように、 本実施形態の基板製造方法によると、 プリグループ型面 3 2 aの 凹凸形状が直接に転写されたプリグループ面 1 2 aを有する軟磁性部 1 2を備え る光磁気記録媒体用の基板 S 1は、 軟磁性材料に対する密着性が機能的に変化す る材料により構成されてプリグループ型面 3 2 aを有する密着層 3 2を利用して、 形成される。 このような方法は、 例えば光磁気記録媒体 X Iを効率よく製造する うえで好適である。

図 4 Aおよび図 4 Bは、 基板 S 1を用いて光磁気記録媒体 X 1を製造する方法 を表す。 本方法においては、 まず、 図 4 Aに示すように、 基板 S 1におけるプリ グループ面 1 2 a上に、 熱伝導層 2 2、 誘電体層 2 3、 記録磁性部 2 1、 および 誘電体層 2 4を、 順次形成する。 各層は、 スパッタリング法により形成すること ができる。

次に、 図 4 Bに示すように、 誘電体層 2 4上に保護膜 2 5を形成する。 保護膜 2 5の形成においては、 まず、 誘電体層 2 4上に液状の樹脂組成物を成膜する。 成膜手法としてはスピンコート法を採用することができる。 当該樹脂組成物とし ては、 保護膜 2 5の構成材料として上掲した樹脂を主成分として含み、 且つ、 紫 外線硬化性、 熱硬化性、 または触難化性を有するものを使用する。 次に、 成膜 された樹脂組成物を硬化させる。 硬化手法としては、 樹脂組成物の硬化特性に応 じて、 樹脂組成物に対する紫外線照射、 樹脂の加熱、 或は、 樹脂に対して触媒を 作用させる方法が採用される。 触媒を利用する場合には、 成膜時の樹脂組成物に 対して予め当該触媒を添加しておく。 このようにして、 保護膜 2 5を形成するこ とができる。

以上のようにして、 光磁気記録媒体 X 1を製造することができる。 軟磁性部 1 2から保護膜 2 5までの積層構造を基材 1 1の両面側に設ける場合には、 更に、 図 3 A〜図 4 Bを参照して上述した一連の工程を、 基材 1 1のもう一方の面の側 について行う。

基板 S 1は、 所望の寸法で高精度にプリグループ 1 2 bが形成されたプリダル ーブ面 1 2 aを有し、 且つ、 当該プリグループ面 1 2 aは、 軟磁性部 1 2により 構成されている。 図 4 Aを参照して上述した工程では、 このようなプリグループ 面 1 2 aに対して、 軟磁性部を介さずに、 熱伝導層 2 2、 誘電体層 2 3、 および 記録磁性部 2 1が積層形成される。 そのため、 光磁気記録媒体 X 1の記録磁性部 2 1については、 寸法精度の高いランドグループ形状を有するように適切に形成 することができる。 すなわち、 記録磁性部 2 1については、 不当に丸みをおびず 且つ不当に大きな表面粗さを有さずに、 形成することができる。 加えて、 熱伝導 層 2 2、 誘電体層 2 3、 およぴ記録磁性部 2 1は、 プリグループ層を介さずに軟 磁性部 1 2に対して直接積層形成されているので、 記録磁性部 2 1に含まれる記 録層と軟磁性部 1 2とは、 充分に近接し得る。 このように、 基板 S 1を用いて製 造される光磁気記録媒体 X 1においては、 記録磁性部 2 1において適切なランド グループ形状を実現することが可能であるとともに、 記録磁性部 2 1に含まれる 記録層と軟磁性部 1 2との距離を充分に短くすることが可能なのである。

記録磁性部 2 1に含まれる記録層と軟磁性部 1 2との間の距離が短い光磁気記 録媒体 X Iでは、 軟磁性部 1 2の存在に起因する磁界集中の効果を充分に享受で きるので、 記録層の記録磁界感度を効率よく向上することが可能である。 記録層 の記録磁界感度の向上は、 記録時における磁気記録へッドによる印加磁界の低減 を可能にし、 その結果、 より高周波での記録すなわち高速記録を適切に実現する. ことが可能となる。 このような高速記録化は、 記録密度の高い光磁気記録媒体の 実用化を図るうえで重要である。

図 5 A〜図 6 Bは、 本発明の第 2の実施形態に係る基板製造方法を表す。 本実 施形態は、 光磁気記録媒体用の上述の基板 S 1を製造するための一手法である。 本実施形態においては、 まず、 図 5 Aに示すような仮基板 3 3を用意する。 仮基 板 3 3は、 軟磁性部 1 2にて形成すべきプリグループ面 1 2 aのランドグループ 形状に応じた所定の凹凸面 3 3 aを有し、 樹脂材料、 セラミック材料、 または金 属材料よりなる。 凹凸面 3 3 aは、 所定の清浄処理が施されている。 樹脂材料と しては、 ポリカーボネート、 アモルファスポリオレフイン、 およびエポキシなど を採用することができる。 セラミック材料としては、 ガラスなどを採用すること ができる。 金属材料としては、 アルミニゥ 合金やマグネシウム合金などを採用 することができる。

次に、 図 5 Bに示すように、 仮基板 3 3の凹凸面 3 3 a上に、 所定寸法のラン ドグループ形状を成すプリグループ型面 3 4 aを有する密着 B莫 3 4を形成する。 このプリグループ型面 3 4 aのランドグループ形状は、 軟磁性部 1 2にて形成す べきプリグループ面 1 2 aのランドグルーブ形状に対応する。 また、 プリグルー ブ型面 3 4 aは、 ランドグループ形状とともにランドグループ形状以外の凹凸形 状 （例えばピット形状） を有していてもよい。 密着膜 3 4は、 スパッタリング法 や無電解めつき法により所定の材料を凹凸面 3 3 a上に成長させることによって、 形成することができる。 密着膜 3 4を構成する材料としては 酸ィ匕亜鉛または亜 鉛である。 酸化亜鉛および亜鉛は、 軟磁性部 1 2を構成する軟磁性材料に対して 良好な密着性を示す傾向にある。 密着膜 3 4の厚さは例えば 0 . 1〜◦ . 5 m である。

次に、 図 5 Cに示すように、 プリグループ型面 3 4 a上に軟磁性部 1 2を形成 する。 軟磁性部 1 2は、 例えばスパッタリング法や無電解めつき法により上掲の 軟磁性材料をプリグループ型面 3 4 a上に成長させることによって、 形成するこ とができる。 軟磁性部 1 2には、 密着膜 3 4のプリグループ型面 3 4 aの凹凸形 状が転写されたプリグループ面 1 2 aが形成される。 軟磁性部 1 2の露出面上に

8 は、 防食のための保護層を形成してもよい。

次に、 図 6 Aに示すように、 軟磁性部 1 2に対し、 または形成されている場合 には保護層に対し、 例えば紫外線硬化性樹脂よりなる接着剤 3 0を介して、 基材 1 1を接合する。

次に、 図 6 Bに示すように、 基材 1 1および軟磁性部 1 2を含む構造体と、 仮 基板 3 3および密着膜 3 4からなる構造体とを、 分離する。 具体的には、 図 6 A に示す構造体を酸性水溶液に浸漬することにより、 酸ィ匕亜鋭または亜鈴よりなる 密着膜 3 4を当該酸性水溶液に溶解した後、 基材 1 1および軟磁性部 1 2を含む 構造体と、 仮基板 3 3とを分離する。 酸性水溶液としては、 所定濃度の例えば塩 酸や硝酸水溶液を使用することができる。この場合、浸漬時間は例えば 5分とし、 溶液温度は例えば室温〜 5 0 °Cとする。

分離の後、 軟磁性部 1 2のプリグループ面 1 2 aに密着膜 3 4の残さが存在す る場合には、 酸素プラズマエッチングや酸素プラズマアツシングを行うことによ り、 当該残さを除去してもよレ、。

以上のようにして、 プリグループ型面 3 4 aのランドグループ形状が転写され たプリグループ面 1 2 aを軟磁性部 1 2にて有する基板 S 1を、 製造することが できる。 プリグループ型面 3 4 aがランドグループ形状以外の凹凸形状 （例えば ピット形状） を有する場合、 プリグループ面 1 2 aには、 ランドグループ形状以 外の凹凸形状も転写されている。

本実施形態は、 軟磁性部 1 2のプリグループ面 1 2 aを形成するための鎵型と して機能するプリグループ型面 3 4 aは、 軟磁性部 1 2ないしこれを構成する軟 磁性材料に対して充分な密着性を示し得る材料よりなる密着膜 3 4に設けられて いる。 密着 S成材料は、 使用される軟磁性材料に応じて選択される。 図 5 Cを 参照して上述した軟磁性部形成工程において、 密着膜 3 4とこの上に堆積する軟 磁性材料との間に充分な密着力が作用している状態では、 密着膜 3 4ないしプリ グループ型面 3 4 a上にて軟磁性材料を充分な厚さにまで適切に成長させること ができる。 したがって、 軟磁性部形成工程では、 プリグループ面 1 2 aを有する 軟磁性部 1 2を充分な厚さで形成することができる。

一方、 図 6 Bを参照して上述した分離工程では、 軟磁性部 1 2と密着膜 3 4ま たは仮基板 3 3とを分離する前に、 軟磁性部 1 2に対する密着膜 3 4の密着力を 低下せしめる。 そのため、 密着膜 3 4および仮基板 3 3と軟磁性部 1 2とを適切 に分離することができる。

このように、 本実施形態の基板製造方法によると、 プリグループ型面 3 4 aの 凹凸形状が直接に転写されたプリグループ面 1 2 aを有する軟磁性部 1 2を備え る光磁気記録媒体用の基板 S 1は、 軟磁性材料に対する密着性が機能的に変化す る材料により構成されてプリグループ型面 3 4 aを有する密着膜 3 4を利用して、 形成される。 このような方法は、 例えば光磁気記録媒体 X 1を効率よく製造する うえで好適である。 .

図 7 A〜図 8 Bは、 本発明の第 3の実施形態に係る基板製造方法を表す。 本実 施形態は、 光磁気記録媒体用の上述の基板 S 1を製造するための一手法である。 本実施形態においては、 まず、 図 7 Aに示すような仮基板 3 5を用意する。 仮基 板 3 5は、 コア部 3 5 aおよび外皮部 3 5 bよりなり、 外皮部 3 5 bにて、 プリ グループ型面 3 5 cを有する。 コア部 3 5 aは、 相対的に高分子量の樹脂材料よ りなり、 外皮部 3 5 bは、 相対的に低分子量の樹脂材料よりなる。 外皮部 3 5 b を構成する樹脂材料の平均分子量は、 コア部 3 5 aを構成するそれの 2分の 1以 下が好ましい。 プリグループ型面 3 5 cは、 所定寸法のランドグループ形状を有 +し、 当該ランドグループ形状は、 軟磁性部 1 2にて形成すべきプリグループ面 1

2 aのランドグルーブ形状に対応する。 プリグループ型面 3 5 cは、 ランドグル ーブ形状とともにランドグループ形状以外の凹凸形状 （例えばピット形状） を有 していてもよい。 また、 プリグループ型面 3 5 cは、 所定の清浄処理が施されて いる。 このような仮基板 3 5を構成する樹脂材料としては、 例えばポリビニノレア ルコールを採用することができる。 構成樹脂の分子量の異なるコア部 3 5 aおよ ぴ外皮部 3 5 bを有するこのような仮基板 3 5は、 例えば、 樹脂射出成形技術に おける 2色成形法により作製することができる。

本実施形態では、 次に、 図 7 Bに示すように、 仮基板 3 5のプリグループ型面

3 5 c上に軟磁性部 1 2を形成する。 軟磁性部 1 2は、 例えばスパッタリング法 や無電解めつき法により上掲の軟磁性材料をプリグループ型面 3 5 c上に成長さ せることによって、 形成することができる。 軟磁性部 1 2には、 仮基板 3 5のプ リグループ型面 3 5 cの凹凸形状が転写されたプリグループ面 1 2 aが形成され る。 軟磁性部 1 2の露出面上には、 防食のための保護層を形成してもよい。

次に、 図 8 Aに示すように、 軟磁†生部 1 2に対し、 または形成されている場合 には保護層に対し、 例えば紫外線硬化性樹脂よりなる接着剤 3 0を介して、 基材 1 1を接合する。

次に、 図 8 Bに示すように、 基材 1 1およぴ軟磁性部 1 2を含む構造体と仮基 板 3 5とを分離する。 具体的には、 外皮部 3 5 bの構成樹脂材料に応じて選択さ れる溶液に対し、 図 8 Aに示す構造体を浸漬することにより、 仮基板 3 5の外皮 部 3 5 bを当該溶液に溶解した後、 基材 1 1およぴ軟磁性部 1 2を含む構造体と 仮基板 3 5とを分離する。 本工程で使用する溶液としては、 例えば水、 ェチルァ ルコール、 およぴィソプロピルアルコールを採用することができる。 浸漬時間は 例えば 5分とし、 溶液温度は例えば室温〜 5 0 °Cとする。 浸漬時には、 当該溶液 にて超音波を伝搬させてもよい。

外皮部 3 5 bを光分解性樹脂材料により構成する場合には、 本分離工程では、 上述の浸漬手法に代えて、 紫外線や X線などの所定の電磁波を外皮部 3 5 bに照 射する手法を採用することができる。

浸漬または電磁波照射により外皮部 3 5 bを充分に劣ィ匕ないし溶解させた後、 基材 1 1および軟磁性部 1 2を含む構造体と仮基板 3 5とを、分離する。この後、 軟磁性部 1 2のプリグループ面 1 2 aに外皮部 3 5 bの残さが存在する場合には、 酸素プラズマエッチングや酸素プラズマアツシングを行うことにより、 当該残さ , を除去してもよい。

以上のようにして、 プリグループ型面 3 5 cのランドグループ形状が転写され たプリグループ面 1 2 aを軟磁性部 1 2にて有する基板 S 1を、 製造することが できる。 プリグループ型面 3 5 cがランドグループ形状以外の凹凸形状 （例えば ピット形状） を有する場合、 プリグループ面 1 2 aには、 ランドグループ形状以 外の凹凸形状も転写されている。

本実施形態では、 プリグループ型面 3 5 cは、 仮基板 3 5において、 分離工程 にて劣化されて例えば除去される外皮部 3 5 bに形成されている。分離工程では、 仮基板 3 5と軟磁†生部 1 2とを分離する前に、外皮部 3 5 bを劣ィ匕せしめるため、 仮基板 3 5と軟磁性部 1 2とを適切に分離することができる。

このように、 本実施形態の基板製造方法によると、 プリグループ型面 3 5 cの 凹凸形状が直接に転写されたプリグループ面 1 2 aを有する軟磁性部 1 2を備え る光磁気記録媒体用の基板 S 1は、 軟磁性材料に対する密着性が機能的に変化し 得る材料により構成されてプリグループ型面 3 5 cを有する外皮部 3 5 bを利用 して、 形成される。 このような方法は、 例えば光磁気記録媒体 X Iを効率よく製 造するうえで好適である。

図 9 A〜図 9 Cは、 本発明の第 4の実施形態に係る基板製造方法を表す。 本実 施形態は、 光磁気記録媒体用の上述の基板 S 1を製造するための一手法である。 本実施形態においては、 まず、 図 9 Aに示すように、 仮基板 3 8上に軟磁性部 1 2を形成する。 仮基板 3 8はプリグループ型面 3 8 aを有し、 このプリグループ 型面 3 8 aのランドグループ形状は、 軟磁性部 1 2にて形成すべきプリグループ 面 1 2 aのランドグループ形状に対応する。 プリグループ型面 3 8 aは、 ランド グループ形状とともにランドグループ形状以外の凹凸形状 （例えばピット形状） を有してレ、てもよい。 仮基板 3 8は、 樹脂材料、 セラミック材料、 または金属材 料により一様に構成されていてもよいし、 図 2 C、 図 5 B、 または図 7 Aに示す 構造体のような複合的な内部構造を有していてもよい。

軟磁性部 1 2は、 例えばスパッタリング法や無電解めつき法により当該プリグ ループ型面 3 8 a上に軟磁性材料を成長させることによって、 形成することがで きる。 軟磁性部 1 2には、 仮基板 3 8のプリグループ型面 3 8 aの凹凸形状が転 写されたプリグループ面 1 2 aが形成される。スパックリング法を採用する場合、 成膜時における仮基板 3 8の温度は例えば 2 0〜4 0 °Cとする。 一方、 無電解め つき法を採用する場合、 成膜時におけるめっき浴の温度は例えば 4 5〜9 0 °Cと する。 本工程の後、 図 9 Aに示す軟磁性部 1 2の露出面上には、 防食のための保 護層を形成してもよい。

本実施形態では、 次に、 図 9 Bに示すように、 軟磁性部 1 2に対し、 または形 成されている場合には保護層に対し、 例えば紫外線硬化性樹脂よりなる接着剤 3 0を介して基材 1 1を接合する。

次に、 図 9 Cに示すように、 基材 1 1および軟磁性部 1 2を含む構造体と、 仮 基板 3 8とを、 分離する。 本工程では、 図 9 Aを参照して上述した軟磁性部形成 工程に近似した温度条件おょひブまたは湿度条件の下に、 図⁹ Bに示す構造体を 充分に放置した後に、 基板 S 1と仮基板 3 ⁸とを分離する。

例えば、 軟磁性部形成工程にてスパッタリング法を採用する場合、 当該スパッ タリング時の仮基板 3 8の温度と、 分離工程における少なくとも仮基板 3 8およ び軟磁性部 1 2の温度との差を、 1 0 °C以下とする。 例えば、 軟磁性部形成工程 にて無電角早めつき法を採用する場合、 当該無電角早めつき時のめっき浴の温度と、 分離工程における環境温度との差を、 1 0 °C以下とする。 また、 軟磁性部形成ェ 程にて無電解めつき法を採用する場合、 分離工程は、 相対湿度 9 0 %以上の環境 下で行うのが好ましい。

両工程の温度や湿度を近似させることにより、 両ェ程間での仮基板 3 8の膨張 または収縮を低減できるとともに、 両工程間での軟磁性部 1 2の膨張または収縮 を低減でき、 従って、 本分離工程において、 例えば軟磁性部 1 2が仮基板 3 8に 対して相対的に不当に膨張または収縮することを回避することができる。 それゆ え、 分離工程において、 軟磁性部 1 2と仮基板 3 8と適切に分離することが可能 となるのである。

このように、 本実施形態の基板製造方法によると、 プリグループ型面 3 8 aの 凹凸形状が直接に転写されたプリグループ面 1 2 aを有する軟磁性部 1 2を備え る光磁気記録媒体用の基板 S 1を、 適切に製造することができる。 プリグループ 型面 3 8 aがランドグループ形状以外の凹凸形状 （例えばピット形状） を有する 場合、 プリグループ面 1 2 aには、 ランドグループ形状以外の凹凸形状も転写さ れている。

図 1 0は、本発明に基づ 、て製造することのできる光磁気記録媒体 X 2を表す。 光磁気記録媒体 X 2は、 基板 S 2と、 記録磁性部 2 1と、 熱伝導層 2 2と、 誘電 体層 2 3， 2 4と、 保護膜 2 5とを備え、 フロントイルミネーション方式の光磁 気ディスクとして構成されている。

基板 S 2は、 基材 1 3、 軟磁性部 1 4、 およびこれらの間の密着層 1 5を有す る。 基材 1 3は、 例えば、 ポリカーボネート （P C) 樹脂、 ポリメチルメタァク リレート （PMMA)樹脂、エポキシ樹脂、 またはポリオレフイン樹脂よりなる。 或は、基材 13としては、ガラス基板やアルミニウム合金基板を採用してもよい。 軟磁性部 14は、 渦巻き状または同心円状のプリグループ 14bが所望の寸法 で形成されたプリグループ面 14 aを有する。 このプリグループ 14 bを基に、 本光磁気ディスクにおけるランドグループ形状が形成されている。 軟磁性部 14 を構成する材料としては、 軟磁性部 12の構成材料として上述しものを探用する ことができる。 軟磁性部 14を構成する軟磁性材料の飽和磁束密度を B s ( k G a u s s) とし、 軟磁性部 14の厚さを t (μ m) とすると、 軟磁性部 14は、 上記式 (1) を満たすのが好ましい。

密着層 15は、 基材 13に対する軟磁性部 14の密着力を確保するための部位 であり、 例えば、 T i， C r , Wよりなる。 密着層 15の厚さは例えば 10〜1 O Onmであり、 好ましくは 20〜50 nmである。 厚さが 1 Onmより小さレヽ と、 密着力向上の効果を充分には得られない。 厚さが 100 nmより大きいと、 基材 13から密着層 15が剥離しやすくなる。

記録磁性部 21、 熱伝導層 22、 誘電体層 23, 24、 および保護層 25につ いては、 光磁気記録媒体 X 1に関して上述したのと同様である。

光磁気記録媒体 X 2は、 密着層 15力 ^保護膜 25までの積層構造を基材 13 の片面側のみに又は両面側に有する。 また、 記録磁性部 21、 熱伝導層 22、 誘 電体層 23， 24、 および保護膜 25は、 光磁気記録媒体 X 2ぉレ、て、 プリダル ーブ面 14 a上に積層形成された材料 ΒΙ«造部を構成する。 当該材料,造部の うち熱伝導層 22がプリグループ面 14 a上に直接積層されている。

図 11 A〜図 12 Bは、 本発明の第 5の実施形態に係る基板製造方法を表す。 本実施形態は、 光磁気記録媒体用の上述の基板 S 2を製造するための一手法であ る。 本実施形態においては、 まず、 図 11 Aに示すように、 平坦面 13 aを有す る基材 13を用意する。 基材 13の平坦面 13 aは、 所定の平滑化処理おょぴ清 浄処理が施されている。

次に、 図 11 Bに示すように、 基材 13の平坦面 13 a上に密着層 15を形成 する。 具体的には、 密着層 15の上掲の構成材料を例えばスパッタリング法によ り平坦面 13 a上に成膜する。

次に、 図 1 1 Cに示すように、 密着層 15上に軟磁性膜 14 cを形成する。 具 体的には、 軟磁性部 1 4を構成するための軟磁性材料を所定の厚さに成膜する。 成膜手法としては、 スパッタリング法、 電気めつき法、 または無電解めつき法を 採用することができる。

次に、 図 1 2 Aに示すように、 軟磁性膜 1 4 c上にレジストパターン 3 7を形 成する。 レジストパターン 3 7は、 フォトレジストまたはソルダーレジストより なり、 軟磁性部 1 4にて形成すべきプリグループ面 1 4 aのランドグループ形状 におけるランド部に対応する開口部 3 7 aを有する。 また、 レジストパターン 3 7は、 例えばピット形状を形成するための、 ランド部以外に対応する開口部を有 していてもよい。 レジストパターン 3 7の厚さは、 形成すべき軟磁性部 1 4の厚 さの 1 . 5倍以上が好ましい。

次に、 図 1 2 Bに示すように、 スパッタリング法、 電気めつき法、 または無電 解めつき法により、 レジストパターン 3 7の開口部 3 7 a内に軟磁性材料 1 4 d を堆積させることによって、 プリグループ面 1 4 aを有する軟磁†生部 1 4を形成 する。

軟磁性部 1 4の形成においては、 レジストパターン 3 7を形成する前に図 1 3 Aに示すように、 保護膜としての薄膜 1 4 eを軟磁性膜 1 4 c上に形成し、 図 1

3 Bに示すようにレジストパターン 3 7を形成し、 図 1 3 Cに示すように薄膜 1

4 e上に軟磁性材料 1 4 dを堆積してもよい。

薄 S莫 1 4 eの構成材料としては、 軟磁性部 1 4を構成する軟磁性材料よりィォ ン化傾向の大きい金属材料 （例えば亜鉛） 、 不働態酸化皮膜を形成しやすい金属 材料 （例えば、 アルミニウム、 マグネシウム、 チタン、 銅） 、 または、 セラミツ タス （ホウ化物、 炭化物、 窒化物、酸化物、 フッ化物） を採用することができる。 この場合、 薄膜 1 4 eは、 無電解めつき法により軟磁性材料 1 4 dを堆積させる 際に、 めっき浴に対して軟磁性膜 1 4 cを防食する機能を呈することができる。 軟磁性材料 1 4 dの堆積手法として無電解めつき法を採用する場合には、 薄膜 1 4 eの構成材料としては、 銅や亜鉛を採用してもよい。

薄膜 1 4 eの構成材料として銅を採用する場合、 軟磁性材料 1 4 dの堆積に際 して、 まず、 図 1 3 Bに示す構造体を塩化パラジウム水溶液 ( 0 . 0 1〜0 . 1 w t %、 室温） に浸漬する。 このとき、 当該水溶液中のパラジウムと、 薄膜 1 4 eを構成する銅との置換めつき反応により、 薄膜 1 4 e表面にてパラジウムが強 固力 均一に析出する。 当該パラジウムは、 後出のめっき成長における触媒核と して機能する。 次に、 図 1 3 Bに示す構造体を充分に水洗いした後、 所定の組成 を有するめっき浴に当該構造体を浸漬し、軟磁性材料 1 4 dをめつき成長させる。 めっき浴は、 形成目的の軟磁性部 1 4の組成に応じて、 所定濃度のコバルト、 二 ッケル、 鉄、 還元剤などを含む。

薄膜 1 4 eを形成せずに、 軟磁性膜 1 4 c上に直接に塩化パラジウム水溶液を 作用させると、 軟磁性膜 1 4 c表面に対する吸着力の弱いパラジウムは当該表面 に均一には吸着しにくい傾向がある。 軟磁性膜 1 4 c表面におけるパラジウムの P及着態様が疎らであると、 その後の軟磁†生めつき膜成長工程において、 膜成長箇 所にわたって成長速度すなわち膜厚に差が生じてしまう。 これに対し、 銅よりな る薄膜 1 4 eを上述のように形成する場合には、 パラジウムよりイオン化傾向の 大きな銅とパラジウムとの置換反応を利用して、 当該薄膜 1 4 e表面にパラジゥ ム触媒核を均一に形成することができるので、 当該薄膜 1 4 e上にて良好な軟磁 性めつき膜を形成することが可能となるのである。 鲖以外であっても、 パラジゥ ムよりもイオン化傾向が大きい元素により薄膜 1 4 eを形成する場合には、 同様 の効果が奏される。

薄膜 1 4 eの構成材料として亜鉛を採用する場合、 軟磁性材料 1 4 dの堆積に 際して、.図 1 3 Bに示す構造体を、 所定の組成を有するめっき浴に浸漬し、 軟磁 性めつき膜を成長させる。めっき浴は、形成目的の軟磁性部 1 4の組成に応じて、 所定濃度のコバルト、 -ッケル、 鉄、 還元剤などを含む。 本方法では、 まず、 め つき液中のコバルト、 ニッケル、 鉄と、 薄膜 1 4 eを構成する亜鉛との置換めつ き反応により、 薄膜 1 4 e表面にコバルト、 ニッケル、 および鉄が強固力、つ均一 に析出する。 その後、 めっき液中の還元剤の作用により、 コノ レト、 ニッケル、 および鉄が析出し続ける。 本方法によると、 パラジウム触媒核の吸着形成を行わ なくとも、 軟磁性材料 1 4 dを堆積することができる。 亜鉛以外であっても、 コ バルト、 ニッケル、 および鉄よりもイオン化傾向の大きな元素により薄膜 1 4 e を形成する場合には、 同様の効果が奏される。

本実施形態では、 軟磁性部 1 4の形成の後、 図 1 2 Cに示すように、 レジスト パターン 3 7を除去する。 例えば、 図 1 2 Bに示す構造体を所定の溶液に浸漬す ることにより、 レジストパターン 3 7を除去する。除去するための溶液としては、 例えばアセトン、メチルェチルケトン、およびキシレンを使用することができる。 以上のようにして、 高レヽ寸法精度のランドグループ形状を有するプリグループ 面 1 4 aを軟磁性部 1 4にて有する基板 S 2を、 製造することができる。 レジス トパターン 3 7がランドグループ形状以外の凹凸形状 （例えばピット形状） に対 応する開口部を有する場合には、 プリグループ面 1 4 aは、 ランドグループ形状 以外の凹凸形状も有する。

基板 S 2を用いて光磁気記録媒体 X 2を製造する場合には、 まず、 図 1 4 Aに 示すように、 基板 S 2におけるプリグループ面 1 4 a上に、 熱伝導層 2 2、 誘電 体層 2 3、 記録磁性部 2 1、 および誘電体層 2 4を、 順次形成する。 各層は、 ス パッタリング法により形成することができる。

次に、 図 1 4 Bに示すように、 図 4 Bを参照して上述したのと同様の手法によ り、 誘電体層 2 4上に保護膜 2 5を形成する。 密着層 1 5から保護膜 2 5までの 積層構造を基材 1 3の両面側に設ける場合には、 更に、 図 1 1 B〜図 1 4 Bを参 照して上述した一連の工程を、 基材 1 3のもう一方の面の側について行う。 以上 のようにして、 光磁気記録媒体 X 2を製造することができる。

基板 S 2は、 所望の寸法で高精度にプリグループ 1 4 bが形成されたプリダル ーブ面 1 4 aを有し、 且つ、 当該プリグループ面 1 4 aは、 軟磁性部 1 4により 構成されている。 図 1 4 Aを参照して上述した工程では、 このようなプリグルー ブ面 1 4 aに対して、 軟磁性部を介さずに、 熱伝導層 2 2、 誘電体層 2 3、 およ び記録磁性部 2 1が積層形成される。 そのため、 記録磁性部 2 1については、 寸 法精度の高いランドグループ形状を有するように適切に形成することができる。 すなわち、 記録磁性部 2 1については、 不当に丸みをおぴず且つ不当に大きな表 面粗さを有さずに、 形成することができる。 カロえて、 熱伝導層 2 2、 誘電体層 2 3、 およぴ記録磁性部 2 1〖ま、 プリグループ層を介さずに軟磁性部 1 4に対して 直接積層形成されているので、 記録磁性部 2 1に含まれる記録層と軟磁性部 1 4 とは、 充分に近接し得る。 このように、 基板 S 2を用いて製造される光磁気記録 媒体 X 2においては、 記録磁性部 2 1において適切なランドグループ形状を実現 することが可能であるとともに、 記録磁性部 21に含まれる記録層と軟磁性部 1 4との距離を充分に短くすることが可能なのである。

記録磁性部 21に含まれる記録層と軟磁性部 14との間の距離が短い光磁気記 録媒体 X 2では、 軟磁性部 14の存在に起因する磁界集中の効果を充分に享受で きるので、 記録層の記録磁界感度を効率よく向上することが可能である。 記録層 の記録磁界感度の向上は、 記録時における磁気記録へッドによる印加磁界の低減 を可能にし、 その結果、 より高周波での記録すなわち高速記録を適切に実現する ことが可能となる。 このような高速記録化は、 記録密度の高い光磁気記録媒体の 実用化を図るうえで重要である。

〔実施例 1〕

上述の第 1の実施形態に準じて光磁気記録媒体用の基板を作製した。 本実施例 においては、 まず、 仮基板 （ポリカーボネート製） の上に、 密着層としてのフォ トレジスト層 （厚さ： Ι μπι) を形成した （図 2Β) 。 具体的には、 スピンコー ト法により基板表面にフォトレジストを成膜した後、 当該フォトレジスト膜を加 熱乾燥した。 スピンコート法における回転数は 5 O O O r pmとし、 回転時間は 60秒とした。 また、 加熱乾燥はオープンにて行い、 加熱温度は 120°Cとし、 加熱時間は 30分とした。

次に、 フォトレジスト層に対して露光処理おょぴ現像処理を施すことにより、 ' フォトレジスト層において、 ランドグループ形状 (渦巻き状、 ランド幅： 0. 3 μπι、 グループ幅： 0. 3 ^m, トラックピッチ： 0. 3 m、 グループ、深さ： 50 nm) を有するプリグループ型面を形成した （図 2C) 。

次に、 スパッタリング法により、 フォトレジスト層のプリグルーブ型面上に所 定組成の C o F e N iを成膜することによって、 厚さ 30n mの軟磁性薄膜を形 成した。 本スパッタリングでは、 C o F e N iターゲットを用い、 スパッタガス として A rガスを使用し、 スパッタガス圧力を 0. 5 Paとし、 放電電力を l k Wとした。

次に、 無電解めつき法により、 所定組成の C oFeN iを軟磁性薄膜上に成膜 することによって、 最大厚さ 50 Onmの軟磁性部を完成した （図 3A) 。 本ェ 程では、 所定組成のめっき浴を使用し、 当該めつき浴の温度は 6 0でとした。 本 実施例の軟磁性部は、 上掲の式 （1 ) を満たす構成を有していた。

次に、 軟磁性部に対し、 紫外線硬化性樹脂を介して平坦な基材 （ポリカーボネ ート製） を貼り合せた後、 紫外線照射により当該紫外線硬化性樹脂を硬化させた ' (図 3 B ) 。

次に、 仮基板および基材が一体となった構造体をアセトン （3 5 °C) に 5分間 浸漬することによりフォトレジスト層を溶解ないし劣ィ匕させた後、 軟磁性部およ ぴ基材を含む構造体から、仮基板およびフォトレジスト層を分離した （図 3 C) 。 次に、 アツシング装置を使用して、 軟磁性部の露出面に対して酸素プラズマに よるアツシングを施した。

以上のようにして、 プリグループ面を軟磁性部にて有する本実施例の光磁気記 録媒体基板を作製した。

〔実施例 2〕

上述の第 1の実施形態に準じて光磁気記録媒体用の基板を作製した。 本実施例 においては、 まず、 仮基板 （ポリカーボネート製） の上に、 密着層としてのフォ トレジスト層 （厚さ： Ι μ πι) を形成した （図 2 Β ) 。 具体的には、 スピンコー ト法により、 光分解性を示すポジ型フォトレジストを基板表面に成膜した後、 当 該フォトレジスト膜を加熱乾燥した。 スピンコートにおける回転数は 5 0 0 0 r p mとし、 回転時間は 6 0秒とした。 また、 加熱乾燥はオーブン上にて行い、 加 熱温度は 1 2 0 °Cとし、 加熱時間は 3 0分とした。

次に、 フォトレジスト層に対して露光処理および現像処理を施すことにより、 フォトレジスト層において、 ランドグループ形状 （渦巻き状、 ランド幅： 0 . 3 μ m、 グループ幅： 0 . 3 μ m、 トラックピッチ： 0 . 3 m、 グループ深さ： 5 0 n m) を有するプリグループ型面を形成した （図 2 C ) 。

次に、実施例 1と同様にして、プリグループ型面上に C o F e N i軟磁性部（最 大厚さ： 5 0 0 n m) を形成した （図 3 A) 。 この後、 軟磁性部に対し、 紫外線 硬化性樹脂を介して平坦な基材 （ポリカーボネート製） を貼り合せた後、 紫外線 照射により当該紫外線硬化性樹脂を硬ィ匕させた （図 3 B ) 。 次に、 仮基板の側からフォトレジスト層に紫外線 （波長 : 2 5 5 n m) を照射 することにより当該フォトレジスト層を劣ィ匕させた後、 軟磁性部およぴ基材を含 む構造体から、 仮基板およびフォトレジスト層を分離した （図 3 C) 。

次に、 アツシング装置を使用して、 軟磁性部の露出面に対して酸素プラズマに よるアツシングを施した。

以上のようにして、 プリグループ面を軟磁性部にて有する本実施例の光磁気記 録媒体基板を作製した。

〔実施例 3〕

上述の第 2の実施形態に準じて光磁気記録媒体用の基板を作製した。 本実施例 においては、 まず、所定表面にてランドグループ形状 （渦卷き状、 ランド幅： 0 . 3 μ m、 グループ幅： 0 . 3 ^ m、 トラックピッチ： 0 . 3 ^ m、 グループ深さ ： 5 0 n m) を有する仮基板 （ポリカーボネート製） の上に、 スパッタリング法に よ.り、 密着層としての酸化亜鉛膜 （厚さ： 5 n m) を形成した （図 5 B ) 。 この 酸化亜鉛膜の露出面はプリグループ型面を構成する。 本スパッタリングでは、 Z η θターゲットを用い、 スパッタガスとして、 アルゴンと酸素との混合ガスを使 用し、 スパッタガス圧力を 0 . 5 P aとし、 放電電力を l kWとした。

次に、実施例 1と同様にして、プリグループ型面上に C o F e N i軟磁性部（最 大厚さ： 5 0 0 n m) を形成した （図 5 C) 。

次に、 軟磁性部に対し、 紫外線硬化性樹脂を介して平坦な基材 （ポリカーボネ ート製） を貼り合せた後、 紫外線照射により当該紫外線硬化性樹脂を硬化させた (図 6 A) 。

次に、 仮基板およびポリカーボネート基板が一体となった構造体を 5 %希釈塩 酸 （4 5 °C) に 3分間浸漬することにより当該酸化亜鉛膜を溶解ないし劣ィ匕させ た後、 軟磁性部およぴ基材を含む構造体から、 仮基板およびフォトレジスト層を 分離した （図 6 B) 。

次に、 アツシング装置を使用して、 軟磁性部の露出面に対して酸素プラズマに よるアツシングを施した。

以上のようにして、 プリグループ面を軟磁性部にて有する本実施例の光磁気記 録媒体基板を作製した。

〔実施例 4〕

上述の第 3の実施形態に準じて光磁気記録媒体用の基板を作製した。 本実施例 においては、 まず、所定表面にてランドグループ、形状 （渦巻き状、 ランド幅： 0 . 3 μ m、 グループ幅： 0 . 3 ^ m、 トラックピッチ： 0 . 3 m、 グループ、深さ： 5 0 n m) を有する仮基板 （ポリカーボネート製） を、 いわゆる 2色成形法によ り、 作製した。 仮基板構成材料としてはポリビュルアルコールを採用した。 この 仮基板は、 相対的に高分子量の樹脂により構成されるコア部と、 相対的に低分子 量の樹脂により構成される外皮部と力らなり、 当該外皮部にてプリグループ型面 を有する （図 7 A) 。

次に、実施例 1と同様にして、プリグループ型面上に C o F e N i軟磁性部（最 大厚さ： 5 0 0 n m) を形成した （図 7 B ) 。

次に、 軟磁性部に対し、 紫外線硬化性樹脂を介して平坦な基材 （ポリカーボネ ート製） を貼り合せた後、 紫外線照射により当該紫外線硬化性樹脂を硬ィ匕させた (図 8 A) 。

次に、 仮基板および基材が一体となった構造体をアセトン （3 5 °C) に 5分間 浸漬することにより、 仮基板の外皮部を溶解ないし劣ィ匕させた後、 軟磁性部およ び基材を含む構造体から、 仮基板を分離した （図 8 B ) 。

次に、 アツシング装置を使用して、 軟磁性部の露出面に対して酸素プラズマに よるアツシングを施した。

以上のようにして、 プリグループ面を軟磁性部にて有する本実施例の光磁気記 録媒体基板を作製した。 〔実施例 5〕

上述の第 4の実施形態に準じて光磁気記録媒体用の基板を作製した。 具体的に は、 まず、 実施例 1と同様にして、 仮基板上へのフォトレジスト層の形成、 フォ トレジスト層へのプリグループ型面の形成、 プリグループ型面上への軟磁性部の 形成 （めっき浴温度： 6 0 °C) 、 および、 軟磁性部への基材の接合を行い、 図 3 Bに示すような構造体を作製した。 次に、 当該構造体を、 60°Cおよび相対湿度 95%の環境下に 1時間放置した後、 軟磁性部および基材を含む構造体から、 密 着層および仮基板を分離した。 このとき、 剥離不良の発生率は 0%であった。 以上のようにして、 プリグループ面を軟磁性部にて有する本実施例の光磁気記 鋒媒体基板を作製した。

なお、 分離する前の放置時における環境条件を 30°Cおよび相対湿度⁵0%と した以外は本実施例と同様にして基板を作製したところ、 当該分離工程における 剥離不良の発生率は 30%程度であった。

—方、 実施例 3と同様にして作製した図 6Aに示すような構造体、 および、 実 施例 4と同様にして作製した図 8Aに示すような構造体についても、 60°Cおよ び相対湿度 95 %の環境下に 1時間放置した後、 軟磁性部および基材を含む構造 体から、 密着層および仮基板を分離したところ、 剥離不良の発生率は 0%であつ た。 〔実施例 6〕

上述の第 5の実施形態に準じて光磁気記録媒体用の基板を作製した。 本実施例 においては、 まず、 基板 （ポリカーボネート製） の上に、 スパッタリング法によ り、 密着層としてのチタン層 （厚さ： 10nm) を形成した （図 11 B) 。 本ス パッタリングでは、 チタンターゲットを用い、 スパッタガスとして A rガスを使 用し、 スパッタガス圧力を 0. 5 P aとし、 放電電力を 1 kWとした。

次に、 スパッタリング法により、 チタン層上に所定組成の C o F eN iを成膜 することによって、 厚さ 30 nmの軟磁性薄膜を形成した。 本スパッタリングで は、 C o F eN iターゲットを用い、 スパッタガスとして A rガスを使用し、 ス パッタガス圧力を 0. 5Paとし、 放電電力を l kWとした。

次に、 無電解めつき法により、 所定組成の C o F e N iを軟磁性薄膜上に成膜 させることによって、 厚さ 50 Onmに至るまで軟磁性膜を成長させた （図 11 C) 。

次に、 当該軟磁性膜上に、 所定の開口部を有するレジストパターンを形成した (図 12A) 。 具体的には、 まず、 スピンコート法により、 フォトレジストを 5 0 0 n mの厚さに塗布した。次に、 当該フォトレジスト膜を、プリベータした後、 露光処理および現像処理を施すことにより、 レジストパターンを形成した。

次に、 無電解めつき法により、 レジストパターンの開口部内に軟磁性材料を堆 積することによって、 表面にプリグループ面を有する軟磁性部を完成した （図 1 2 B) 。 本工程では、 所定組成の C o F e N iめっき浴を使用し、 当該めつき浴 の温度は 6 0°Cとした。

次に、 レジストパターンに対して剥離液としてアセトンを作用させることによ り、 軟磁性部からレジストパターンを除去した （図 1 2 C) 。

以上のようにして、 プリグループ面を軟磁性部にて有する本実施例の光磁気記 録媒体基板を作製した。

Claims

請求の範囲

1 . プリグループ型面を有する密着層を第 1基板上に形成するための密着層形成 工程と、

前記プリグループ型面上に軟磁性材料を成長させることにより、 当該プリグ ループ型面の凹凸形状が転写されたプリグループ面を有する軟磁性部を前記密着 層上に形成するための工程と、

前記軟磁性部および第 2基板を一体化するための工程と、

前記軟磁性部および前記密着層の間に作用する密着力を低下させ、 前記軟磁 性部から前記密着層および前記第 1基板を分離するための分離工程と、 を含む、 光磁気記録媒体基板の製造方法。

2. 前記分離工程では、 前記密着層を劣化させるための液体を当該密着層に作用 させる、 請求項 1に記載の光磁気記録媒体基板の製造方法。

3 . 前記分離工程では、 前記密着層を劣ィ匕させるための電磁波を当該密着層に照 射する、 請求項 1に記載の光磁気記録媒体基板の製造方法。

4. 前記第 1基板は平坦面を有し、 前記密着層形成工程では、 前記密着層を構成 するための材料を前記平坦面上に成長させて材料膜を形成した後、 当該材料膜に おける前記第 1基板とは反対の側にて前記プリグループ型面を形成する、 請求項 1に記載の光磁気記録媒体基板の製造方法。

5 . 前記第 1基板は凹凸面を有し、 前記密着層形成工程では、 前記密着層を構成 するための材料を前記凹凸面上に成長させることにより、 成長端にて前記プリグ ループ型面を有する材料膜を前記密着層として形成する、 請求項 1に記載の光磁 気記録媒体基板の製造方法。

6 . プリグループ型面を有する密着層を第 1基板上に形成するための工程、 前記 プリグループ型面上に軟磁性材料を成長させることにより、 当該プリグループ型 面の凹凸形状が転写されたプリグループ面を有する軟磁性部を前記密着層上に形 成するための工程、 前記軟磁性部おょぴ第 2基板を一体化するための工程、 およ ぴ、 前記軟磁性部および前記密着層の間に作用する密着力を低下させ、 前記軟磁 性部から前記密着層および前記第 1基板を分離するための工程、 を経て製造され た光磁気記録媒体基板と、

記録機能および再生機能を担う記録磁性部を含み、 且つ、 前記光磁気記録媒 体基板の前記プリグループ面上に設けられている、 材料 S對冓造部と、 を備える光 磁気記録媒体。

7 . 高分子量樹脂部と、 プリグループ型面を有する低分子量樹脂部と、 を有する 第 1基板における前記プリグループ型面上に軟磁性材料を成長させることにより、 当該プリグループ型面の凹凸形状が転写されたプリグループ面を有する軟磁性部 を前記第 1基板上に形成するための工程と、

，前記軟磁性部およぴ第 2基板を一体化するための工程と、

前記軟磁性部および前記低分子量樹脂部の間に作用する密着力を低下させ、 前記軟磁性部から前記第 1基板を分離するための分離工程と、 を含む、 光磁気記 録媒体基板の製造方法。

8 . 前記分離工程では、 前記低分子量樹脂部を劣ィ匕させる液体を当該低分子量樹 脂部に作用させる、 請求項 7に記載の光磁気記録媒体基板の製造方法。

9. 前記分離工程では、 前記低分子量樹脂部を劣ィ匕させる電磁波を当該低分子量 樹脂部に照射する、 請求項 7に記載の光磁気記録媒体基板の製造方法。

1 0 . 高分子量樹脂部と、 プリグループ型面を有する低分子量樹脂部と、 を有す る第 1基板における前記プリグループ型面上に軟磁性材料を成長させることによ り、 当該プリグループ型面の凹凸形状が転写されたプリグループ面を有する軟磁 性部を前記第 1基板上に形成するための工程、 前記軟磁性部および第 2基板を一 体化するための工程、 および、 前記軟磁性部おょぴ前記低分子量樹脂部の間に作 用する密着力を低下させ、前記軟磁性部から前記第 1基板を分離するための工程、 を経て製造された光磁気記録媒体基板と、

記録機能および再生機能を担う記録磁性部を含み、 且つ、 前記光磁気記録媒 体基板の前記プリグループ面上に設けられている、 材料 冓造部と、 を備える光 磁気記録媒体。

1 1 . 基板上に軟磁性材料を成長させることにより軟磁性膜を形成するための第 1成長工程と、

開口部を有するレジストパターンを前記軟磁性膜上に形成するためのレジス トパターン形成工程と、

前記開口部内にて軟磁性材料を成長させることにより、 前記基板とは反対の 側にプリグループ面を有する軟磁性部を形成するための第 2成長工程と、を含む、 光磁気記録媒体基板の製造方法。

1 2 . 前記第 2成長工程より前に、 P dよりもイオン化傾向の大きな元素を含む 材料薄膜を前記軟磁性膜上に形成する、 請求項 1 1に記載の光磁気記録媒体基板 の製造方法。

1 3 . 前記第 2成長工程より前に、 C o , F e , および N iよりもイオン化傾向 の大きな元素を含む材料薄膜を前記軟磁性膜上に形成する、 請求項 1 1に記載の 光磁気記録媒体基板の製造方法。

1 4 . 前記レジストパターン形成工程より前に、 前記軟磁性膜上に保護膜を形成 する、 請求項 1 1に記載の光磁気記録媒体基板の製造方法。

1 5 . 第 1温度の下、 基板の有するプリグループ型面上に軟磁性材料を成長させ ることにより、 当該プリグループ型面の凹凸形状が転写されたプリグループ面を 有する軟磁性部を前記第 1基板上に形成するための軟磁性部形成工程と、

前記軟磁性部および第 2基板を一体化するための工程と、

第 2温度の下、前記軟磁性部から前記第 1基板を分離するための分離工程と、 を含み、

前記第 1温度およぴ前記第 2温度の差は 1 0 °C以下である、 光磁気記録媒体 基板の製造方法。

1 6 . 前記軟磁性部形成工程では、 前記軟磁性部は溶液中にて前記第 1基板上に 形成され、 前記分離工程は、 相対湿度 9 0 %以上の条件下で行われる、 請求項 1 5に記載の光磁気記録媒体基板の製造方法。