WO2005013411A1 - 帯域阻止フィルタ - Google Patents

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WO2005013411A1
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resonator
wavelength
band rejection
main line
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Inventor
Tetsu Ohwada
Hiroshi Osakada
Hideyuki Oh-Hashi
Original Assignee
Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203Strip line filters
    • H01P1/2039Galvanic coupling between Input/Output

Definitions

  • the present invention relates to a high frequency filter used in a microwave band and a millimeter wave band.
  • the frequency at which the resonator resonates becomes the center frequency of the stop band. Furthermore, the gap between the portions where the inner conductor of the resonator and the inner conductor of the main line are arranged in parallel to form a coupled line corresponds to the stop bandwidth of the filter. That is, by reducing the gap in the coupling line portion, the coupling between the resonator and the main line increases, and as a result, there is a property that a large stop band width can be obtained.
  • the coupling between the above-described resonator and the main line is maximized when the electric length at the coupled line portion at the center frequency of the stop band is 90 degrees.
  • the coupling is also required. It is necessary to reduce the gap between the line portions.
  • the size of the gap in the above-described coupled line portion depends on the type of line constituting the filter. Further, the size of the gap is not always a desired size due to a minimum dimension that can be manufactured or a manufacturing error. For this reason, the stop band that can be realized with the manufactured filter There is a limit to the width.
  • the conventional band rejection filter is configured by a planar circuit such as a microstrip line or a strip line
  • a planar circuit such as a microstrip line or a strip line
  • the strip conductor corresponding to the above-mentioned inner conductor has a very small thickness, a large coupling is more difficult to obtain. If the gap required to achieve the desired stopband becomes smaller and the manufacturing limit is approached, the problem of gap variation due to manufacturing errors, or width variation due to manufacturing errors of the two strip conductors, will increase. It becomes remarkable. As a result, characteristic fluctuations due to these fluctuations lead to frequency fluctuations in the stop band. However, since the interval between the strip conductors is formed by etching or the like, it is difficult to adjust later. Therefore, characteristic fluctuations due to manufacturing errors directly lead to a decrease in filter yield.
  • the conventional band rejection filter has a problem that a manufacturing error in the short circuit means of the resonator is directly connected to a change in the characteristic of the filter.
  • the filter is configured by a planar circuit such as a microstrip line
  • the short-circuit means is formed using a through-hole / via-hole.
  • a resonance frequency shift occurs, and characteristic deterioration such as fluctuation of a stop band occurs.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a band rejection filter capable of suppressing a characteristic fluctuation to be small and realizing an improved manufacturing yield. Disclosure of the invention
  • a band rejection filter includes a main line connecting an input terminal and an output terminal, and a quarter-wave resonator arranged near the main line and substantially in parallel with the main line at an interval of about a quarter wavelength.
  • the band-stop filter provided with the 1/4 wavelength resonator includes a first impedance discontinuous structure, and divides a line section substantially parallel to the main line into portions having different characteristic impedances.
  • FIG. 1 is an internal configuration diagram of a band rejection filter according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is an enlarged view of a second-stage resonator of the band rejection filter according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit of the band rejection filter according to Embodiment 1 of the present invention
  • FIG. 4 is a circuit diagram for explaining the design of the resonator portion of the band rejection filter according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram showing reflection characteristics and pass characteristics of the band-stop filter according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 6 is an internal configuration diagram of a band rejection filter according to Embodiment 2 of the present invention
  • FIG. 7 is an equivalent circuit of the band rejection filter according to Embodiment 2 of the present invention
  • FIG. FIG. 9 is an internal configuration diagram of a band rejection filter according to Embodiment 3
  • FIG. 9 is an equivalent circuit of the band rejection filter according to Embodiment 3 of the present invention
  • FIG. 10 is a diagram of a band rejection filter according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 11 is an enlarged view of a second-stage resonator of the band-stop filter according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 12 is an internal configuration diagram of a band rejection filter according to Embodiment 5 of the present invention
  • FIG. 13 is an enlarged view of a second stage resonator of the band rejection filter according to Embodiment 5 of the present invention. is there.
  • FIG. 1 is an internal configuration diagram of a band rejection filter according to Embodiment 1 of the present invention, showing a diagram viewed from above and a cross-sectional view.
  • a bandstop filter having three resonators is shown.
  • Components relating to the first resonator are denoted by a suffix “a”, and similarly, the second and third resonators are denoted by a suffix “b” and “c”.
  • the band rejection filter according to the first embodiment is a filter configured using one dielectric substrate 9. This is a three-stage filter with cross strip line structure.
  • the input signal for which band rejection is desired is taken into the band rejection filter from the input terminal 5 ⁇ ⁇ , passes through the strip conductor 1 of the main line, and is finally output to the output terminal 5 as a band rejected signal.
  • Ru is output from ⁇ ⁇ .
  • the band rejection filter according to the first embodiment is composed of the ground conductor 6 on one main surface of the dielectric substrate 9 and the strip conductor 1 of the main line and the strip conductors 2 a to 2 c of the resonator on the other main surface. It has a microstrip line structure with a strip conductor. The strip conductors 2a to 2c of the resonator are short-circuited to the ground conductor 6 by short-circuiting means 3a to 3c via through holes 8a to 8c, respectively.
  • FIG. 2 is an enlarged view of a second-stage resonator of the band rejection filter according to FIG.
  • Shorting means 3 b for short-circuiting between the strip conductor 2 b of the resonator and the ground conductor 6 Force is disposed at one end of the strip conductor 2 b of the resonator.
  • the other end of the strip conductor 2b of the resonator is an open end 4b.
  • the strip conductor 1 of the main line and the strip conductor 2b of the resonator are separated from each other by a gap of the coupling slit 7b, which is a gap therebetween, and have a substantially parallel positional relationship.
  • the gap of the coupling slit 7b is represented as S1.
  • the strip conductor 2b of the resonator has a discontinuous impedance structure 10b.
  • the impedance of this portion is increased.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit of the band rejection filter according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the even mode impedance of the coupled line in each resonator is expressed as Ze, the odd mode impedance as Zo, and the electrical length as zero.
  • FIG. 4 is a circuit diagram for describing the design of the resonator portion of the band rejection filter according to Embodiment 1 of the present invention, and shows a circuit diagram corresponding to one resonator.
  • FIG. 5 shows a band rejection filter according to Embodiment 1 of the present invention. It is a figure which shows a reflection characteristic and a transmission characteristic.
  • the frequency at which the electrical length of the strip conductor 2a of the resonator is sufficiently smaller than 90 degrees that is, the resonator
  • the signal of the frequency at which the electrical length of the strip conductor 2a of the first stage is sufficiently smaller than 1/4 wavelength is transmitted to the next stage resonator (or the output terminal 5 on the ⁇ side) almost as it is. .
  • the presence of the resonator adds a shunt capacitance to the main line.
  • the portion of the strip conductor 1 of the main line facing the strip conductor 2a of the resonator via the coupling slit 7a is adjusted to have a slightly higher impedance with respect to the design impedance (termination condition) of the filter. Have been. As a result, since a small series inductance is exhibited, an impedance matching similar to the frequency band of the pass band of the low-pass filter is performed by the combination of the shunt capacitance and the series inductance.
  • the signal is trapped in the resonator because the resonator resonates. Most of the energy of the signal is reflected back to the input terminal 5] N except that part of the energy of the signal is dissipated by the loss in the resonator.
  • the presence of the resonator greatly increases the shunt capacitance added to the main line, and the coupling slit 7a in which the strip conductor 1 of the main line and the strip conductor 2a of the resonator face each other in parallel.
  • Shorting means 3 The main line is short-circuited at the portion near a, or is in a state close to a short-circuit. Therefore, almost all energy is reflected (see Fig. 5).
  • the frequency at which the electrical length of the strip conductor 2 a of the resonator is sufficiently larger than 90 degrees that is, the electrical length of the strip conductor 2 a of the resonator.
  • the next stage resonator (or output terminal 5. ⁇ ⁇ side) almost as it is for a signal whose frequency is sufficiently larger than 1/4 wavelength. Is done. In the equivalent circuit of Fig. 3, this corresponds to the frequency band where the electrical length (91 is sufficiently larger than 90 degrees. This phenomenon is due to the following reasons:
  • the resonator is arranged parallel to the main line.
  • a shunt inductance is added to the main line, and in addition, the strip conductor 2a of the resonator is connected to the resonator via the coupling slit 7a.
  • the electrical length of the portion of the strip conductor 1 of the main line that is opposed is also adjusted to be greater than 90 degrees, and to be slightly higher than the design impedance (termination condition) of the filter.
  • the electrical conditions are similar to those where a capacitor is placed in the impedance band.
  • the feature of the rejection filter is that the resonator is provided with an impedance discontinuous structure 10.
  • the characteristic of the resonator is smaller than that in the case where the resonator does not include the impedance discontinuous structure 10.
  • the physical length can be increased, and the coupling slit 7 can be increased.
  • the diagram on the left side of Fig. 4 shows an equivalent circuit when the resonator includes the discontinuous impedance structure 10, and the diagram on the right side of Fig. 4 shows that the resonator has a discontinuous impedance.
  • This is an equivalent circuit when the structure part 10 is not included.
  • an equivalent circuit using a resonator having an impedance discontinuous structure 10 and an impedance discontinuous structure 10 are used.
  • the dimensional parameters are selected so that the equivalent circuit when using no resonator is electrically equivalent at the center frequency of the stop band.
  • the strip conductor width is W
  • the coupling slit width is S
  • the physical length is L
  • the even mode impedance of the coupling line is Z e
  • the odd mode impedance is represented by Z o and the electrical length is represented by 0.
  • the suffix s at the end indicates the impedance discontinuity structure in FIG.
  • the circuit corresponding to the short-circuit means 3b side is shown with the part 10b as the boundary, and the suffix o at the end is equivalent to the open end 4b side with the impedance discontinuous structure part 10b as the boundary in Fig. 2.
  • FIG. 4 Furthermore, the circuit shown on the right side of FIG. 4 is unique by designating the filter bandwidth and the number of stages, the reflection loss in the passband, etc., based on a certain procedure described in the above-mentioned literature and the like. Is given to
  • a resonator including the discontinuous impedance structure 10 is called a stepped impedance resonator (Stepped Impedance Resonator), and is often used as a means for reducing the size of the resonator.
  • the impedance discontinuity structure 10 reduces the impedance of the line on the open end 4 side to the short-circuit means 3 side. The value is chosen higher than the track impedance. For this reason, the physical length of the resonator when the resonance frequency is the same can be made longer than when the impedance discontinuous structure 10 is not included.
  • the discontinuous impedance structure 10 in the strip conductor 2 of the resonator, the physical length of the coupling line portion between the main line and the resonator can be increased.
  • the width (corresponding to S1 in FIG. 2) of the coupling slit 7 for obtaining the same coupling amount can be made larger than when the impedance discontinuous structure 10 is not provided. Therefore, with the band rejection filter of the first embodiment, it is possible to realize a filter having a large stop band width that requires a larger amount of coupling while the width of the coupling slit 7 is larger than before. effective.
  • Embodiment 2 by increasing the coupling slit width 7, fluctuations in filter characteristics due to pattern accuracy can be reduced, and as a result, the production yield of the filter can be improved. This means that the pattern accuracy required for manufacturing is eased, and the degree of freedom in selecting a dielectric substrate is increased, making it possible to manufacture a filter using an inexpensive dielectric substrate with a pattern accuracy that is not very high. There is also a merit of becoming.
  • Embodiment 2
  • FIG. 6 is an internal configuration diagram of a band rejection filter according to Embodiment 2 of the present invention, and shows a diagram viewed from above and a cross-sectional view.
  • FIG. 7 is an equivalent circuit of the band rejection filter according to Embodiment 2 of the present invention.
  • the basic structure is the same as that of the band elimination filter of the first embodiment.
  • Embodiment 2 has two points in Embodiment 2 in that the number of filter stages is one, and that an open-ended transmission line 11 of approximately 1 Z 4 wavelengths is used as an alternative to short-circuit means. Is different from the band rejection filter.
  • the band rejection filter according to the second embodiment operates basically in the same manner as the first embodiment.
  • an open transmission line 11 of approximately 1/4 wavelength is used, and is open by the open end 14.
  • the resonator in this state has a wavelength at the center frequency of the stop band from 1/4 wavelength to 1/4 wavelength.
  • through-holes 8 for forming the short-circuit means are not required, and the manufacturing is easy.
  • manufacturing errors related to the short-circuit means 3 such as an error in the diameter of the through-hole 8 and a strip between the through-hole 8 and the resonator. In principle, there is no characteristic fluctuation due to an error in the positional relationship with the conductor 2.
  • the amount of coupling required between the main line and the resonator becomes larger than when a 1Z4 wavelength resonator is used. This is because the frequency characteristic of the reactance of the resonator becomes sharp. Therefore, the width of the coupling slit 7 needs to be narrowed according to the coupling amount, and the production may be difficult due to the production limit of the minimum conductor spacing. In other words, it was difficult to realize a filter having a wide stop band achieved by reducing the width of the coupling slit 7.
  • the band rejection filter of the second embodiment by providing the impedance discontinuous structure 10 in the coupling line portion, the physical length of the coupling line portion is increased, and the shortage of the coupling amount can be compensated. As a result, it is possible to increase the width of the coupling slit 7.
  • the structure of the band elimination filter according to the second embodiment does not require a short-circuit means using a through-hole or the like, so that there is no characteristic variation due to a manufacturing error of the short-circuit means, and the manufacture becomes easy. Further, a 1/2 wavelength resonator requires a larger coupling amount between the main line and the resonator than a 1Z 4 wavelength resonator.
  • the coupling amount can be increased without narrowing the coupling slit.
  • This has the effect of easily realizing a band rejection filter using a half-wavelength resonator.
  • it is not necessary to narrow the coupling slit more than necessary, and the production yield can be improved.
  • FIG. 8 is an internal configuration diagram of a band rejection filter according to Embodiment 3 of the present invention, and shows a diagram viewed from above and a cross-sectional view.
  • FIG. 9 is an equivalent circuit of a band rejection filter according to Embodiment 3 of the present invention.
  • the basic structure is the same as the bandstop finoleta of the second embodiment.
  • the third embodiment is different from the band elimination filter of the second embodiment in that the open-end transmission line 11 of the second embodiment also has an impedance discontinuous structure 13.
  • the band rejection filter according to the third embodiment has basically the same operation and effect as the second embodiment.
  • the band rejection filter according to the third embodiment includes the second impedance discontinuous structure portion 13 in the open-ended transmission line 11 that is a part of the half-wavelength resonator.
  • the impedance Z s 2 at the tip of the open-ended transmission line 11 is smaller than the impedance Z s 1 of the portion of the open-ended transmission line 11 on the main line side. Therefore, due to the effect of the second impedance discontinuous structure 13, the entire electrical length of the open-ended transmission line 11 is shortened, and an effect is obtained that a small-sized filter can be obtained.
  • FIG. 10 is an internal configuration diagram of a band rejection filter according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 11 is an enlarged view of the second-stage resonator of the band rejection filter according to Embodiment 4 of the present invention.
  • Basic structure Is similar to the band rejection filter of the first embodiment, but differs in the following two points. That is, the fourth embodiment does not include the discontinuous impedance structure 10 and the structure of the short-circuit means 3 is different.
  • two short stubs 1 2b-1 and 1 2 having a short electrical length are formed by using two through holes 8bl and 8b-2. 2 b— 2 are connected facing each other. Further, two short stubs 1 2b-1 and 1 2b-2 are connected to the coupling line between the main line and the resonator via a short line and a transmission line.
  • the filter By adopting such a structure, as described below, even if the positional relationship between the two through holes with respect to the conductor pattern fluctuates due to a manufacturing error, the fluctuation of the resonance frequency of the resonator is suppressed small, and the filter This has the effect of reducing the characteristic fluctuations of the device.
  • the reason why the fluctuation of the resonance frequency is small even if the position of the through hole with respect to the conductor pattern is changed is that the characteristics of the short-circuit means are determined by the sum of the characteristics of the two short stubs 1 2 b-1 and 1 2 b-2 . For example, when the position of the through hole is shifted in the horizontal direction in Fig.
  • FIG. 12 is an internal configuration diagram of a band rejection filter according to Embodiment 5 of the present invention, and shows a diagram viewed from above and a cross-sectional view.
  • FIG. 13 is an enlarged view of a second-stage resonator of the band-stop filter according to Embodiment 5 of the present invention.
  • the basic structure is such that the impedance discontinuous structure 10 is applied to the band elimination filter of the fourth embodiment, similarly to the band elimination finoletor of the first embodiment.
  • the band elimination filter of the fifth embodiment is the same as the band elimination filter of the first embodiment. It produces various effects.
  • the band rejection filter of the fourth embodiment also has an effect that the characteristic fluctuation due to the positional deviation of the through hole with respect to the conductor pattern is small.
  • the structure of the short-circuit means 3 becomes large. Inevitably, short-circuit means 3 must be placed away from 1. As a result, the inductance of the short-circuit means 3 increases, so that the physical length of the coupling line portion for coupling between the main line and the resonator must be shortened.
  • the impedance discontinuous structure 10 Has a large effect of compensating for the amount of binding. Assuming that the same stop bandwidth is realized, the dimensions S4 and S5 of the slit coupling portion 7 shown in FIGS. 11 and 13 are significantly different. That is, S5 can be made larger than S4, and a band rejection filter with small characteristic fluctuation can be easily manufactured. Thereby, the production yield can be improved.

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Abstract

特性変動が小さく抑えられ、製造歩留りの向上を実現した帯域阻止フィルタを提供することを目的とする。インピーダンス不連続構造部を共振器のストリップ導体に設けることで、主線路と共振器との間の結合線路部分の物理長を大きくできる。その結果、インピーダンス不連続構造部を設けない場合と比較して、同等の結合量を得るための結合スリットの幅を大きく取ることができる。結合スリット幅の拡大により、パターン精度に起因するフィルタ特性の変動を低減でき、結果的にフィルタの歩留り向上が図れる。このことは、製造上必要となるパターン精度が緩和されることに相当し、誘電体基板の選択の自由度が増し、パターン精度のあまり高くない安価な誘電体基板を用いてフィルタを製作することが可能になるというメリットもある。

Description

明 細 書 帯域阻止 技術分野
本発明は、 マイクロ波帯およびミリ波帯で用いられる高周波フィルタに関する
背景技術
例えは、 B. M. Schif fman and G. L. Matthaei, Exact Design of Band-stop Mi crowave Fi lters", IEEE Trans, on MTT, vol. MTT-12, pp6-15 ( 1 9 6 4年) 、 に示された帯域阻止フィルタでは、 共振器の内導体の電気長がおおよそ 9 0度 となる周波数帯の信号を反射することにより、 その周波数帯の信号の通過を抑止 している。
この帯域阻止フィルタにおいては、 共振器が共振する周波数が阻止帯域の中心 周波数となる。 さらに、 共振器の内導体と主線路の内導体とが平行に並んで結合 線路を構成している部分の間隙が、 フィルタの阻止帯域幅と対応する。 すなわち 、 結合線路部分の間隙を小さくすることにより、 共振器と主線路との間の結合が 大きくなり、 結果として阻止帯域幅を大きく取ることができるといった性質があ る。
さらに、 上述の共振器と主線路との間の結合は、 阻止帯域の中心周波数におけ る結合線路部分での電気長が 9 0度となるときに最大となる。 つまり、 阻止帯域 の中心周波数における結合線路部分での電気長が 9 0度よりも小さくなる場合に おいて、 主線路と共振器との間の所定の結合量を確保するためには、 やはり結合 線路部分の間隙を小さくすることが必要となる。
しかしながら、 従来技術には次のような問題点がある。 上述の結合線路部分の 間隙の大きさは、 フィルタを構成する線路の種類に依存する。 さらに、 この間隙 の大きさは、 製造可能な最小寸法あるいは製造誤差等により、 必ずしも所望のサ ィズになるとは限らない。 このため、 製造されたフィルタで実現できる阻止帯域 幅には限界があることとなる。
特に、 従来の帯域阻止フィルタをマイクロストリップ線路、 あるいは、 ストリ ップ線路などの平面回路で構成した場合には、 次のような問題点がある。 すなわ ち、 上述の内導体に対応するストリップ導体はその厚さが非常に薄い物になるた め、 大きな結合はさらに得にくいものになる。 所望の阻止帯域幅を実現するため の間隙が小さくなって製造上の限界に近づいた場合、 製造誤差による間隙のばら つき、 あるいは 2つのス トリップ導体の製造誤差による幅のばらつきの問題が、 より顕著となる。 結果として、 これらのばらつきによる特性変動が、 阻止帯域の 周波数変動につながる。 ところがストリップ導体の導体同士の間隔はエッチング 等で形成されるため、 後から調整することは困難である。 したがって製造誤差に よる特性変動が、 フィルタの歩留まり低下に直接つながってしまう。
さらに、 従来の帯域阻止フィルタは、 共振器の短絡手段における製造誤差がフ ィルタの特性変動に直結するという問題がある。 特にフィルタをマイクロストリ ップ線路等の平面回路で構成した場合、 短絡手段はスルーホールゃヴィァホール を用いて形成される。 このような場合、 ストリップ導体とスルーホール (ヴィァ ホール) との相互の位置関係が製造上の問題により変化すると、 共振周波数ズレ が発生し、 阻止帯域の変動を始めとする特性劣化が生じるという問題がある。 本発明は上述のような課題を解決するためになされたもので、 特性変動が小さ く抑えられ、 製造歩留りの向上を実現した帯域阻止フィルタを提供することを目 白勺とする。 発明の開示
本発明に係る帯域阻止フィルタは、 入力端子と出力端子とをつなぐ主線路と、 主線路の近傍に主線路と略平行に略 1 / 4波長間隔で配置された 1 / 4波長共振 器とを備えた帯域阻止フィルタであって、 1 / 4波長共振器は、 第 1のインピー ダンス不連続構造部を備え、 主線路に略平行な線路区間を特性インピーダンスの 異なる部分に分割するものである。 図面の簡単な説明 図 1は、 本発明の実施の形態 1に係る帯域阻止フィルタの内部構成図、 図 2は、 本発明の実施の形態 1に係る帯域阻止フィルタの 2段目の共振器の拡 大図、
図 3は、 本発明の実施の形態 1に係る帯域阻止フィルタの等価回路、 図 4は、 本発明の実施の形態 1に係る帯域阻止フィルタの共振器部分の設計に ついて説明するための回路図、
図 5は、 本発明の実施の形態 1に係る帯域阻止フィルタの反射特性および通過 特性を示す図、
図 6は、 本発明の実施の形態 2に係る帯域阻止フィルタの内部構成図、 図 7は、 本発明の実施の形態 2に係る帯域阻止フィルタの等価回路、 図 8は、 本発明の実施の形態 3に係る帯域阻止フィルタの内部構成図、 図 9は、 本発明の実施の形態 3に係る帯域阻止フィルタの等価回路、 図 1 0は、 本発明の実施の形態 4に係る帯域阻止フィルタの内部構成図、 図 1 1は、 本発明の実施の形態 4に係る帯域阻止フィルタの 2段目の共振器の 拡大図、
図 1 2は、 本発明の実施の形態 5に係る帯域阻止フィルタの内部構成図、 図 1 3は、 本発明の実施の形態 5に係る帯域阻止フィルタの 2段目の共振器の 拡大図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
実施の形態 1
図 1は、 本発明の実施の形態 1に係る帯域阻止フィルタの内部構成図であり、 上方から見た図及び断面図が示されている。 図 1では、 3つの共振器を備えた帯 域阻止フィルタが示されている。 1台目の共振器に関する構成要素には符号の添 字として aが付されており、 同様に 2、 3台目の共振器には添字 b、 cが付され ている。 なお、 以下において、 3台の共振器に共通する内容を説明する場合には
、 添字を除いた符号だけを用いている。
本実施の形態 1の帯域阻止フィルタは 1枚の誘電体基板 9を用いて構成したマ イクロストリップ線路構造の 3段フィルタである。 帯域阻止を行いたい入力信号 は入力端子 5 Ϊ Νから帯域阻止フィルタに取り込まれ、 主線路のストリップ導体 1を経由して、 最終的に帯域阻止された信号として出力端子 5。υ τから出力され る。 主線路のストリップ導体 1に対してほぼ平行に配置された 3段の共振器のス トリップ導体 2 a〜2 cがあり、 この両者の働きにより、 後に詳述するような帯 域阻止が施されることとなる。
本実施の形態 1における帯域阻止フィルタは、 誘電体基板 9の一方の主面に地 導体 6、 もう一方の主面に主線路のストリップ導体 1及び共振器のストリップ導 体 2 a〜2 cからなるストリップ導体を備えた、 マイクロストリップ線路構造で 構成されている。 そして、 共振器のストリップ導体 2 a〜 2 cはそれぞれスルー ホール 8 a〜8 cを介して短絡手段 3 a〜3 cにより地導体 6と短絡されている 図 2は、 本発明の実施の形態 1に係る帯域阻止フィルタの 2段目の共振器の拡 大図である。 共振器のストリップ導体 2 bと地導体 6との間を短絡させる短絡手 段 3 b力 共振器のストリップ導体 2 bの一端に配置されている。 一方、 共振器 のストリップ導体 2 bの他端は、 開放端 4 bとなっている。 さらに、 主線路のス トリップ導体 1と共振器のストリップ導体 2 bは、 両者の間隙である結合スリッ ト 7 bのギヤップ分だげ隔たって、 ほぼ平行な位置関係となっている。 図 2にお いては、 結合スリット 7 bの間隙が S 1として表されている。
さらに、 共振器のストリップ導体 2 bはインピーダンス不連続構造部 1 0 bを 有している。 このインピーダンス不連続構造部 1 0 bから開放端 4 bにかけて、 共振器のス トリップ導体 2 bの幅を狭くすることにより、 この部分のインピーダ ンスを高く している。
図 3は、 本発明の実施の形態 1に係る帯域阻止フィルタの等価回路である。 各 共振器における結合線路の偶モードインピーダンスを Z e、 奇モードインピーダ ンスを Z o、 電気長を 0として表している。
また、 図 4は、 本発明の実施の形態 1に係る帯域阻止フィルタの共振器部分の 設計について説明するための回路図であり、 1台の共振器に対応した回路図が示 されている。 さらに、 図 5は、 本発明の実施の形態 1に係る帯域阻止フィルタの 反射特性および通過特性を示す図である。
次に、 これらの図に基づいて帯域阻止フィルタの動作について簡単に説明する
。 図 1の 1台目の共振器において、 入力端子 5 I Nから入力された高周波信号の うち、 共振器のストリップ導体 2 aの電気長が 9 0度よりも十分小さくなる周波 数、 すなわち、 共振器のス トリ ップ導体 2 aの電気長が 1ノ 4波長よりも十分小 さくなる周波数の信号については、 ほぼそのまま次の段の共振器 (あるいは出力 端子 5。^側) へと伝達される。 図 3の等価回路で言えば、 電気長 0 1が 9 0度 よりも十分小さくなる周波数帯がこれに相当する。 この現象は次の理由による。 共振器が存在することにより主線路にシャント容量が付加される。 また、 結合ス リット 7 aを介して共振器のストリップ導体 2 aと対峙する主線路のストリップ 導体 1の部分は、 フィルタの設計インピーダンス (終端条件) に対してわずかに 高インピーダンスとなるように調整されている。 これにより、 わずかな直列イン ダクタンスを呈するため、 上記のシャント容量と直列インダクタンスの組み合わ せで、 低域通過フィルタの通過帯域の周波数帯に類似したインピーダンス整合が なされることとなる。
また、 入力端子 5 ] Nから入力された高周波信号のうち、 共振器のストリップ 導体 2 aの電気長が略 9 0度となる周波数、 すなわち、 共振器のストリップ導体 2 aの電気長が略 1 / 4波長となる周波数の信号については、 共振器が共振する ことから信号が共振器にトラップされる。 そして、 信号の一部のエネルギーが共 振器内の損失で消散するほかは殆どのエネルギーが入力端子 5】Nの方へと反射 される。 回路的には、 共振器の存在により主線路に付加されるシャント容量が非 常に大きくなり、 主線路のストリップ導体 1と共振器のス トリップ導体 2 aとが 平行に対峙した結合スリット 7 aの短絡手段 3 a寄りの部分で主線路が短絡され た状態、 あるいは短絡に近い状態になる。 したがって、 ほぼ全てのエネルギーが 反射されることになる (図 5参照) 。
さらに、 入力端子 5 ί Νから入力された高周波信号のうち、 共振器のストリツ プ導体 2 aの電気長が 9 0度よりも十分大きくなる周波数、 すなわち、 共振器の ストリップ導体 2 aの電気長が 1 / 4波長よりも十分大きくなる周波数の信号に ついては、 ほぼそのまま次の段の共振器 (あるいは出力端子 5。υ τ側) へと伝達 される。 図 3の等価回路で言えば、 電気長 (9 1が 9 0度よりも十分大きくなる周 波数帯がこれに相当する。 この現象は次の理由による。 共振器が主線路に平行に 配置され、 かつ、 共振器の電気長が 9 0度より大きいことから、 主線路にシャン トインダクタンスが付加された状態となる。 それに加えて、 結合スリット 7 aを 介して共振器のストリップ導体 2 aと対峙する主線路のストリップ導体 1の部分 の電気長も 9 0度より大きく、 かつ、 フィルタの設計インピーダンス (終端条件 ) に対してわずかに高インピーダンスとなるように調整されている。 これにより 、 直列に容量を配置したのと類似した電気的条件となり、 上記のシャントインダ クタンスと直列容量の組み合わせで、 高域通過フィルタの通過帯域の周波数帯に 類似したインピーダンス整合がなされる。 したがって、 入力された信号のほとん どのエネルギーが次の段の共振器 (あるいは出力端子 5。υ τ側) へと伝達される さらに、 本発明の実施の形態 1に係る帯域阻止フィルタは、 共振器にインピー ダンス不連続構造部 1 0を備えている点が特徴である。 この特徴により、 共振器 がインピーダンス不連続構造部 1 0を含まない場合に比べて、 共振器の物理長を 大きく、 そして結合スリット 7も大きくできる。
そこで、 本発明の実施の形態 1の帯域阻止フィルタについて、 共振器の物理寸 法、 および主線路と共振器との間の結合部構造の物理寸法をどのようにして設計 するかについて説明する。
1台の共振器において、 図 4の左側の図は、 共振器がインピーダンス不連続構 造部 1 0を含む場合の等価回路であり、 図 4の右側の図は、 共振器がインピーダ ンス不連続構造部 1 0を含まない場合の等価回路である。 主線路部分を含めた帯 域阻止フィルタ内の共振器の設計では、 インピーダンス不連続構造部 1 0を有す る共振器を用いた場合の等価回路と、 インピーダンス不連続構造部 1 0を有さな い共振器を用いた場合の等価回路とが、 阻止帯域の中心周波数で電気的に等価と なるように寸法パラメータを選択する。 図 4においては、 ストリ ップ導体幅を W
、 結合スリ ッ ト幅を S、 物理長を L、 結合線路の偶モードインピーダンスを Z e
、 奇モ一ドインピーダンスを Z o、 電気長を 0として表している。 また、 図 4の 左側の回路図において、 末尾の添字 sは図 2におけるインピーダンス不連続構造 部 1 0 bを境にして短絡手段 3 b側に相当する回路を示しており、 末尾の添字 o は図 2におけるインピーダンス不連続構造部 1 0 bを境にして開放端 4 b側に相 当する回路を示している。 さらに、 図 4の右側に示した回路は、 先に示した文献 等に記載されている一定の手順に基づいて、 フィルタの帯域幅と段数、 通過帯域 における反射損等を指定することで一義的に与えられるものである。
インピーダンス不連続構造部 1 0を含む共振器は、 ステップトインビーダンス 共振器 (Stepped Impedance Resonator)と呼ばれており、 共振器の小形化等のた めの手段としてよく用いられている。 本実施の形態 1では、 一端を短絡、 他端を 開放とした 1 Z 4波長共振器において、 インピーダンス不連続構造部 1 0により 、 開放端 4側の線路のィンピ一ダンスを短絡手段 3側の線路のィンピーダンスよ りも高い値に選んでいる。 このため、 共振周波数を同一にしたときの共振器の物 理長は、 インピーダンス不連続構造部 1 0を含まない場合に比べて大きくできる 。 すなわち、 インピーダンス不連続構造部 1 0を設けることで、 主線路と共振器 との間で構成される結合線路部分の物理長を大きくすることが可能になる。 主線路と共振器との間に構成される結合線路の持つ結合量は、 基本的に結合線 路部分の物理長に比例し、 かつ、 結合スリ ッ ト 7の幅に反比例する関係を有して いる。 従って、 主線路と共振器との間の所要の結合量を確保するためには、 イン ピーダンス不連続構造部 1 0を設けて結合路線部の物理長を長くすることにより 、 結合スリ ッ ト 7の幅を大きくできることになる。 すなわち、 図 4における物理 寸法のパラメータは、 (L s + L o) > L、 S s = S o > Sとなる。
以上のように、 インピーダンス不連続構造部 1 0を共振器のストリップ導体 2 に設けることで、 主線路と共振器との間の結合線路部分の物理長を大きくできる 。 その結果、 インピーダンス不連続構造部 1 0を設けない場合と比較して、 同等 の結合量を得るための結合スリット 7の幅 (図 2の S 1に相当) を大きく取るこ とができる。 したがって、 本実施の形態 1の帯域阻止フィルタでは、 従来よりも 結合スリ ット 7の幅を大きく した状態で、 より大きな結合量が必要になる阻止帯 域幅の大きなフィルタが実現可能になるという効果がある。 さらに、 結合スリツ ト幅 7の拡大により、 パターン精度に起因するフィルタ特性の変動を低減でき、 結果的にフィルタの製造歩留りの向上が図れるという効果もある。 このことは、 製造上必要となるパターン精度が緩和されることに相当し、 誘電体基板の選択の 自由度が増し、 パターン精度のあまり高くない安価な誘電体基板を用いてフィル タを製作することが可能になるというメリットもある。 実施の形態 2
図 6は、 本発明の実施の形態 2に係る帯域阻止フィルタの内部構成図であり、 上方から見た図及び断面図が示されている。 また、 図 7は、 本発明の実施の形態 2に係る帯域阻止フィルタの等価回路である。 基本的な構造は実施の形態 1の帯 域阻止フィルタと同様である。 本実施の形態 2ではフィルタの段数が 1段となつ ている点と、 短絡手段の代替として、 略 1 Z 4波長の先端開放伝送線路 1 1を用 いている点の 2点が実施の形態 1の帯域阻止フィルタと異なっている。
本実施の形態 2の帯域阻止フィルタは、 実施の形態 1と基本的に同様な動作を する。 短絡手段の代替として略 1 / 4波長の先端開放伝送線路 1 1を用いており 、 開放端 1 4により開放されている状態となっている。 この状態での共振器は、 阻止帯域の中心周波数に於ける波長が 1 / 4波長のものから、 1ノ 2波長のもの になっている。 さらに、 短絡手段を構成するためのスルーホール 8が不要で、 製 造が容易であるとともに、 短絡手段 3に関わる製造誤差、 例えばスルーホール 8 の直径の誤差やスルーホール 8と共振器のス トリップ導体 2との位置関係の誤差 による特性変動が原理的に無い。
共振器が 1 / 4波長から 1 / 2波長となった場合、 主線路と共振器との間に必 要な結合量は 1 Z 4波長共振器を用いた場合に比べて大きくなる。 これは、 共振 器のリアクタンスの周波数特性が急峻になるためである。 そのため、 結合スリツ ト 7の幅は結合量に応じて狭める必要があり、 最小導体間隔の製造限界により製 造が困難となる場合がある。 言い換えると、 結合スリ ッ ト 7の幅を狭くすること により達成される阻止帯域幅の広いフィルタは実現が難しかった。 本実施の形態 2の帯域阻止フィルタでは、 インピーダンス不連続構造部 1 0を結合線路部分に 設けることにより、 結合線路部分の物理長が大きくなつており、 結合量の不足を 補うことができる。 その結果、 結合スリット 7の幅を大きく取ることが可能とな る。 本実施の形態 2の帯域阻止フィルタの構造は、 スルーホール等を用いた短絡手 段が不要であることにより、 短絡手段の製造誤差に伴う特性変動がなく、 製造が 容易となる。 さらに、 1 / 2波長共振器は 1 Z 4波長共振器に比べ、 主線路と共 振器との間により大きな結合量を必要とする。 しカゝし、 本発明はインピーダンス 不連続構造を結合線路部分に有することにより、 結合スリットを狭くすることな く結合量を大きくすることができる。 これにより、 1 / 2波長共振器を用いた帯 域阻止フィルタを容易に実現できる効果を奏する。 さらに、 必要以上に結合スリ ットを狭める必要がなくなり、 製造歩留りの向上が図れる。 実施の形態 3
図 8は、 本発明の実施の形態 3に係る帯域阻止フィルタの内部構成図であり、 上方から見た図及び断面図が示されている。 また、 図 9は、 本発明の実施の形態 3に係る帯域阻止フィルタの等価回路である。 基本的な構造は実施の形態 2の帯 域阻止フイノレタと同様である。 本実施の形態 3では実施の形態 2における先端開 放伝送線路 1 1にもインピーダンス不連続構造部 1 3を有する点が実施の形態 2 の帯域阻止フィルタと異なっている。
本実施の形態 3の帯域阻止フィルタは、 実施の形態 2と基本的に同様な動作、 効果を奏する。 本実施の形態 3の帯域阻止フィルタでは、 1 / 2波長共振器の一 部となる先端開放伝送線路 1 1において第 2のインピーダンス不連続構造部 1 3 を有している。 先端開放伝送線路 1 1の先端部分のインピーダンス Z s 2が先端 開放伝送線路 1 1の主線路側の部分のインピーダンス Z s 1よりも小さくなって いる。 このため、 上記第 2のインピ一ダンス不連続構造部 1 3の効果により、 先 端開放伝送線路 1 1の全体の電気長が短くなつており、 小型なフィルタが得られ るという効果を奏する。 実施の形態 4
図 1 0は、 本発明の実施の形態 4に係る帯域阻止フィルタの内部構成図であり
、 上方から見た図及び断面図が示されている。 また、 図 1 1は、 本発明の実施の 形態 4に係る帯域阻止フィルタの 2段目の共振器の拡大図である。 基本的な構造 は実施の形態 1の帯域阻止フィルタと類似しているが、 次の 2点が異なっている 。 すなわち、 本実施の形態 4にはインピーダンス不連続構造部 1 0は無く、 また 短絡手段 3の構造が異なっている。 図 1 1における本実施の形態 4の帯域阻止フ ィルタでは、 2つのスルーホール 8 b— lと 8 b— 2を用いて構成した電気長の 短い 2本のショートスタブ 1 2 b— 1と 1 2 b— 2が対向配置して接続されてい る。 さらに 2本のショートスタブ 1 2 b— 1と 1 2 b— 2は、 主線路と共振器と の間の結合線路部分へ、 短レ、伝送線路を介してつながれている。
このような構造を取ることにより、 以下に説明するように、 導体パターンに対 する 2つのスルーホールの位置関係が製造誤差により変動しても、 共振器の共振 周波数の変動が小さく抑えられ、 フィルタの特性変動が小さくなるという効果が ある。 導体パターンに対するスルーホールの位置が変わっても共振周波数の変動 が小さい理由は、 2つのショートスタブ 1 2 b— 1と 1 2 b— 2の特性の和で短 絡手段の特性が定まるためである。 例えばスルーホールの位置が図 1 1の横方向 にずれたときには、 一方のショートスタブ 1 2 b— 1 (または 1 2 b— 2 ) は長 くなるが、 他方のショートスタブ 1 2 b— 2 (または 1 2 b— l ) は短くなり、 お互いの特性の変動をうち消し合う結果となる。 また、 スルーホールの位置が図 1 1の縦の方向にずれた場合には、 ショートスタブ 1 2 b— 1と 1 2 b— 2の長 さ方向と直交する方向へのズレであるため、 ショートスタブ 1 2 b— 1と 1 2 b — 2の電気長には大きな変化を生じることがない。 したがって、 スルーホール 8 の位置がずれた場合にも特性変動が抑えられ、 この結果、 製造歩留りの向上が図 れる。 実施の形態 5
図 1 2は、 本発明の実施の形態 5に係る帯域阻止フィルタの内部構成図であり 、 上方から見た図及び断面図が示されている。 また、 図 1 3は、 本発明の実施の 形態 5に係る帯域阻止フィルタの 2段目の共振器の拡大図である。 基本的な構造 は実施の形態 4の帯域阻止フィルタに対して、 実施の形態 1の帯域阻止フイノレタ と同様にインピーダンス不連続構造部 1 0を適用したものである。
本実施の形態 5の帯域阻止フィルタは、 実施の形態 1の帯域阻止フィルタと同 様な効果を奏する。 さらに、 実施の形態 4の帯域阻止フィルタの呈する、 導体パ ターンに対するスルーホールの位置ズレに起因する特性変動が小さいという効果 をも有する。 実施の形態 4のように、 短絡手段 3としてショートスタブ 1 2 b— 1と 1 2 b— 2を用いた場合、 短絡手段 3の構造が大きくなるため、 製造ルール の関係で主線路のストリップ導体 1から短絡手段 3を離れた位置に配置せざるを 得ない。 これにより、 短絡手段 3の持つインダクタンスが大きくなるため、 主線 路と共振器との間の結合を図る結合線路部分の物理長は短くしなければならない 。 結合線路部分の物理長が短くなると、 結合スリット 7は小さくなり、 フィルタ の阻止帯域幅は制限される。 このため、 本実施の形態 5および実施の形態 4で示 したようなショートスタブ 1 2 b— 1と 1 2 b— 2を短絡手段 3として用いた場 合には、 インピーダンス不連続構造部 1 0により結合量を補う効果が大きい。 同 じ阻止帯域幅を実現することを想定すると、 図 1 1と図 1 3に示されたスリット 結合部 7の寸法 S 4と S 5は大きく異なる。 すなわち S 5は S 4よりも大きくす ることができ、 特性変動が小さい帯域阻止フィルタを容易に製造できることとな る。 これにより製造歩留りの向上が図れる。
なお、 本実施の形態ではマイクロストリップ線路構造のフィルタについて説明 したが、 ス トリ ップ線路、 コプレーナ線路等、 他の線路構造でフィルタを構成し ても同様な効果を得ることができるのは言うまでもない。 産業上の利用の可能性
以上のように、 本発明によれば、 特性変動が小さく抑えられ、 製造歩留りの向 上を実現した帯域阻止フィルタを得ることができる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 入力端子と出力端子とをつなぐ主線路と、
前記主線路の近傍に前記主線路と略平行に略 1 / 4波長間隔で配置された 1 Z 4波長共振器と
を備えた帯域阻止フィルタにおいて、
前記 1 Z 4波長共振器は、 第 1のインピーダンス不連続構造部を備え、 前記主 線路に略平行な線路区間を特性ィンピーダンスの異なる部分に分割すること を特徴とする帯域阻止:
2 . 請求項 1に記載の帯域阻止フィルタにおいて、
前記 1 / 4波長共振器は、 一端に地導体と短絡する短絡手段を備えるとともに 他端に開放端を備えた構成を有し、 前記主線路と略平行な線路区間において、 前 記短絡手段側の線路区間の特性インピーダンスよりも前記開放端側の線路区間の 特性インピーダンスを高く したこと
を特徴とする帯域阻止フィルタ。
3 . 請求項 1に記載の帯域阻止フィルタにおいて、
前記 1 Z 4波長共振器は、 一端に先端開放略 1 / 4波長線路を備えるとともに 他端に開放端を備えた構成を有し、 前記主線路と略平行な線路区間において、 前 記先端開放略 1 Z 4波長線路側の線路区間の特性インピーダンスよりも前記開放 端側の線路区間の特性インピーダンスを高く したこと
を特徴とする帯域阻止:
4 . 請求項 3に記載の帯域阻止フィルタにおいて、
前記先端開放略 1 Z 4波長線路は、 第 2のインピーダンス不連続構造部を備え 、 前記先端開放略 1 Z 4波長線路の線路区間において、 主線路側の線路区間の特 性インピーダンスよりも前記先端開放略 1 / 4波長線路の開放端側の線路区間の 特性インピーダンスを低くしたこと を特徴とする帯域阻止フィルタ。
5 . 誘電体基板と、 ストリップ導体と、 1つあるいは複数の地導体とから 成る平面回路形線路を用いて構成され、
入力端子と出力端子とをつなぐ主線路のス トリップ導体と、
前記主線路の近傍に前記主線路と略平行に略 1 / 4波長間隔で配置された 1 /
4波長共振器のストリップ導体と
を備えた帯域阻止フィルタにおいて、
前記 1 / 4波長共振器のストリップ導体は、 一端に前記地導体と短絡する短絡 手段を備えるとともに他端に開放端を備えた構成を有し、
前記短絡手段は、 前記 1 Z 4波長共振器のストリップ導体と前記地導体との間 を電気的に接続するスルーホールをそれぞれ備えた 2つのショートスタブから構 成さ ること
を特徴とする帯域阻止:
6 . 請求項 5に記載の帯域阻止フィルタにおいて、
前記 1ノ4波長共振器のストリップ導体は、 第 1のインピーダンス不連続構造 部を備え、 前記主線路のス トリップ導体に略平行な線路区間を特性インピーダン スの異なる部分に分割すること
を特徴とする帯域阻止:
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