WO2004105109A1 - Dicing device - Google Patents

Dicing device Download PDF

Info

Publication number
WO2004105109A1
WO2004105109A1 PCT/JP2004/006977 JP2004006977W WO2004105109A1 WO 2004105109 A1 WO2004105109 A1 WO 2004105109A1 JP 2004006977 W JP2004006977 W JP 2004006977W WO 2004105109 A1 WO2004105109 A1 WO 2004105109A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
dicing
wafer
laser
unit
state
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/006977
Other languages
French (fr)
Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Azuma
Yasuyuki Sakaya
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co., Ltd. filed Critical Tokyo Seimitsu Co., Ltd.
Priority to DE112004000766T priority Critical patent/DE112004000766T5/en
Priority to JP2005506368A priority patent/JP4640173B2/en
Priority to US10/555,452 priority patent/US20060243710A1/en
Publication of WO2004105109A1 publication Critical patent/WO2004105109A1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape

Definitions

  • the present invention relates to a dicing apparatus for dividing a wafer such as a semiconductor device or an electronic component into individual chips, and more particularly to a dicing apparatus for dividing a wafer attached to a dicing sheet into individual chips. is there. Background art
  • a dicing device that cuts the wafer by putting a grinding groove in the wafer with a grinding stone called a dicing blade.
  • the dicing blade is an electrode made of fine diamond abrasive grains electrodeposited with Ni, and an extremely thin one having a thickness of about 30 m is used.
  • the dicing blade was rotated at a high speed of 30, 00 to 60, 0 0 0 r p m to cut into a piece, and the piece was cut completely (full cut) or incompletely cut (half cut or semi full cut).
  • Full cut is a method of cutting the wafer pasted on the dicing sheet until it has a cut of about 10 / xm in the dicing sheet, and half cut by cutting it to about half the thickness.
  • Semi-flutter is a method of forming a grinding groove leaving a thickness of about 10 m in Wauha.
  • the wafer is transferred to a die bonding apparatus, and an expanding process is performed to extend the dicing sheet to expand the distance between the individual chips, and then the individual chips are picked up and die-bonded onto the substrate.
  • a conventional dicing apparatus using a dicing blade is one in which a dividing groove is formed on a wafer with a very thin dicing blade having a thickness of about 3 O m, and is proposed in the above-mentioned patent publication
  • the laser processing equipment it is divided into chips by cleaving by cleavage action along the crystal plane of WAE, based on the modified region formed inside the WAE, and in both cases, the distance between chips is extremely narrow. It is a thing.
  • the WAE attached to the dicing sheet gathers, and the edges of the chips come in contact with each other, and the edge portion There is a problem that the chibbing occurs.
  • the wafer was transferred to the die bonding apparatus and the expanding process was performed, so the process from dicing to expanding took a long time.
  • the dicing sheet is expanded to expand the distance between the chips, and when picking up individual chips using the modified area as a base point, chip pick-up problems occur. In order to avoid such problems, chip pick-up is performed without checking whether the chip spacing has been adequately extended or not, and whether there is a defective chip with chipping at the chip edge.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and provides a dicing apparatus capable of performing processing from the start of dicing to the end of expansion in a short time and preventing the generation of defective chips. To aim. Disclosure of the invention
  • the present invention is a dicing apparatus for dicing a wafer attached to a dicing sheet, the dicing unit for dicing the wafer and dividing it into individual chips, and the die sintering sheet
  • a dicing apparatus comprising: an expanding section which expands to expand a distance between the individual chips; and an inspection means for confirming the state of the wafer 8.
  • the inspection means may be provided in the expander. Further, the inspection means may confirm the expansion state of the interval between the chips.
  • the inspection means may confirm the formation state of the modified region formed in the interior of the wafer 8 by the laser dicing part. Further, in the present invention, the inspection means confirms the formation state of the modified region formed in the interior of the wafer by the laser dicing part, and confirms the expansion state of the distance between the chips. May be
  • the expanding part since the expanding part is provided, the transport distance of the diced fab eight is small, and it is possible to prevent chipping at the edge of the chip during transport. .
  • the expanding section enables expansion immediately after dicing, and processing from the start of dicing to the end of expansion Can be done in a short time.
  • the inspection means for confirming the state of the wafer since the inspection means for confirming the state of the wafer is provided, the expanded state can be confirmed after the expansion, and furthermore, the laser is formed inside the wafer 8 by the laser. The formation state of the modified region can be confirmed before expansion. As a result, defective chips are die-bonded, and chip pick-up defects do not damage the chips.
  • FIG. 1 is a schematic view of a dicing apparatus according to the present invention
  • FIG. 2 is a conceptual diagram for explaining a laser dicing unit
  • FIG. 3 is a conceptual diagram for explaining an expanding part
  • Figure 4 is a perspective view showing a frame mounted on a frame
  • Fig. 5 (a) and Fig. 5 (b) are conceptual diagrams for explaining the reformed region formed in the interior of the WA. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a dicing apparatus according to the present invention.
  • a state in which the adhesive is attached to a die sintering sheet T having an adhesive material on one side and the frame is integrated with the frame F through the die sintering sheet T. It is carried in and transported in the dicing machine 10.
  • Dicing device 10 as shown in FIG.
  • the laser dicing unit 40 injects laser light from the surface of the wafer W, and dices the wafer W into individual chips by forming a modified region inside the wafer W.
  • the expanding section 60 the dicing sheet T to which the diced wafer W is attached is expanded to expand the distance between the individual chips.
  • the Y guide rail 18 guides the Y table 19 to which the laser 1 optical unit 20 of the laser dicing unit 40 and the observation optical unit 30 described later are attached, and also the expansion unit 60 Guide Y movement table 81, Y table 1 9 and Y movement table 8 1 are accurately indexed in Y direction by drive means such as linear motor not shown respectively Will be sent.
  • An X moving table 81 moving in the X direction is incorporated in the Y moving table 81 in the expanding section 60, an inspection means 70 is attached to the X moving table 81, and the inspection means 70 is in the X direction It is moved and indexed accurately in the Y direction.
  • FIG. 2 is a conceptual block diagram showing the details of the laser dicing unit 40.
  • the laser dicing unit 40 comprises an XZ 0 table 11, a laser optical unit 20, an observation optical unit 30, and the like.
  • XZ 0 table 1 1 is guided by X guide rail 1 7 and moved in the X direction X table 1 2 mounted on X table 1 2 and driven in the Z direction and 0 direction in FIG. 2 Table 1
  • the suction stage 13 for holding the wafer W through the dicing sheet T and the pedestal 14 for holding the frame F are attached to the table 15.
  • the wafer W is precisely moved in the XZ 0 direction in FIG.
  • the laser optical unit 20 is attached to a Y-table 19 so that it is precisely index-fed in the Y direction.
  • the laser oscillator 21, the collimating lens 22, the half mirror 2 3, the condensing lens 2 It is composed of 4 mag.
  • the observation optical unit 30 is composed of an observation light source 31, a collimator lens 32, a half mirror 33, a condenser lens 34, a CCD camera 35 as an observation means, a television monitor 36 and the like.
  • the illumination light emitted from the observation light source 31 passes through the optical system such as the collimating lens 32, the half mirror 33 and the condensing lens 24 and so on. Irradiate.
  • the reflected light from the surface of the W W is incident on the CCD camera 35 as an observation means via the condensing lens 24, half mirrors 23 and 33, and the condensing lens 34, and the surface image of the W W is captured Be done.
  • This imaging data is input to the image processing unit 38, used as an alignment of the W-ha W, and taken out on the television monitor 36 via the control unit 50.
  • Expanding part 60 is supported vertically movably by sliding on base 61 fixed to body base 16, receiving ring 62 attached to base 61 and outer periphery of receiving ring 62.
  • the press ring 63 is configured to press the frame F to which the dicing sheet T is attached downward, and a driving unit such as an air cylinder (not shown) that vertically moves the press ring 63.
  • the expanding section 60 is provided with an inspection means 70 for confirming the state of the light W.
  • the inspection means 70 the illumination light emitted from the light source 71 passes through the optical system such as the collimator lens 72, the half mirror 73, the condensing lens 74 and the like to illuminate the wafer W.
  • the reflected light of the irradiated light passes through the condensing lens 74, the half mirror 73, and the condensing lens 75, and enters the CCD camera 76 as an observation means, and an observation image is captured.
  • the imaging data is input to the image processing unit 38, and the state of the camera is confirmed, and is output to the television monitor 36 via the control unit 50.
  • the wafer W mounted on the ring-shaped frame F through the dicing sheet T is pulled out of the cassette stored in the cassette storage unit by the clamper provided on the elevator 91, and the laser dicing is performed by the transfer means.
  • Part 40 is transported onto the XZ 0 table 1 1 and held by suction on the suction stage 13.
  • FIG. 5 is a conceptual diagram for explaining a reforming region formed in the vicinity of a light condensing point in the interior of the wafer. Fig.
  • FIG. 5 (a) shows a state in which the laser light L incident on the inside of the wah W forms a modified region P at the focusing point
  • Fig. 5 (b) shows the lower part of the pulsed laser light L.
  • W ⁇ 8 W is moved in the horizontal direction, and discontinuous reforming areas P are formed side by side.
  • Wahha W is cleaved from the reforming region P as a starting point by applying a force that cleaves naturally from the reforming region P as a starting point or a slight external force.
  • the wafer W is easily divided into chips without chipping on the front and back surfaces.
  • the wafer W in which the laser dicing that forms the reformed area P inside is performed for all the dicing streets is conveyed by the conveying means to the expanding section 60 and the receiving ring provided in the expanding section 60 6 Set on 2nd.
  • the inspection means 70 confirms the state of formation of the reformed region inside.
  • the confirmation is performed by scanning the infrared light from the light source 71 with the X moving table 82 and the Y moving table 81 and capturing an image inside the window.
  • the reformed area formation state can be confirmed by the screen displayed on the television monitor 36, and the quality of the reformed area formation state judgment unit (not shown) provided in the control unit 50 is automatically judged as good or bad. Also, the judgment result is fed back to the irradiation condition of laser light L.
  • the press ring 63 is lowered to push down the frame F and expand the dicing sheet T.
  • the outer peripheral edge portion 6 2 A of the upper surface of the receiving ring 62 is chamfered in an arc shape, the cylinder D is smoothly expanded and the distance between the individual chips C is expanded.
  • the control unit 50 displays the expanded state on the television monitor 36, and automatically determines whether or not the chip interval is expanded by a predetermined amount. This judgment result is also fed back to control the amount of descent of the press ring 63. In addition, the size of the chipbing on the periphery of chip C is also checked.
  • the slack portion of the expanded dicing sheet T is processed, and the individual chips C attached to the dicing sheet T are carried out together with the frame F from the spanned portion 60 by the transport means. Then by Elebe 9 1 1 the original position of the cassette It is put back into place.
  • the wafer W stored in the cassette is sequentially diced by the laser dicing section 40, and then the formation state of the modified region formed inside is confirmed by the expand section 60, and the expanded Further, the expanded state is confirmed. For this reason, the distance between the chips C on the dicing sheet T is stably expanded by a predetermined amount.
  • the next wafer W is carried into the laser dicing part 40 again. Therefore, the confirmation of the formation of the modified region and the confirmation of the expand state are performed when the next wafer is being laser-diced.
  • the laser dicing unit 40 is used as the dicing unit, in which the modified region is formed inside the wafer W by using a laser beam, but the present invention is not limited to this. It may be a dicing section using a dicing blade.
  • the inspection means 70 does not need to confirm the state of formation of the modified region, and hence the light source 71 does not need to be infrared light, and may be a white light source.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

A dicing device is provided with a dicing section, an expand section for enlarging the spacing between individual chips obtained by stretching and dicing a dicing sheet, and an inspection means for confirming the dicing state and expand state of a wafer. This makes it possible to perform the processing ranging from the dicing start to the end of expand in a short time, and to dice the next wafer while confirming the state of the wafer already diced.

Description

明 細 書 ダイシング装置 技術分野  Specification Document Dicing Equipment
本発明は、 半導体装置や電子部品等のゥェ一ハを個々のチップに分割するダイシン グ装置に関するもので、 特にダイシングシートに貼付されたゥエー八を個々のチップ に分割するダイシング装置に関するものである。 背景技術  The present invention relates to a dicing apparatus for dividing a wafer such as a semiconductor device or an electronic component into individual chips, and more particularly to a dicing apparatus for dividing a wafer attached to a dicing sheet into individual chips. is there. Background art
従来、 表面に半導体装置や電子部品等が形成されたゥェ一八を個々のチップに分割 するには、 ダイシングブレードと呼ばれる砥石でゥェ一ハに研削溝を入れてゥエーハ をカットするダイシング装置が用いられていた。 ダイシングブレードは、 細かなダイ ャモンド砥粒を N iで電着したもので、厚さ 3 0 m程度の極薄のものが用いられる。 このダイシングブレードを 3 0, 0 0 0〜6 0 , 0 0 0 r p mで高速回転させてゥ エーハに切込み、 ゥエーハを完全切断 (フルカツト) 又は不完全切断 (ハーフカット 或いはセミフルカット) していた。 フルカツトは、 ダイシングシートに貼付されたゥ エーハをダイシングシートに 1 0 /x m程度の切り込みが入るまで切り込んで切断する 方法であり、 ハーフカットはゥェ一八に厚さの半分程度まで切り込む方法で、 セミフ ルカツトはゥエーハに 1 0 m程度の肉厚を残して研削溝を形成する方法のことであ る。  Conventionally, to divide a wafer with semiconductor devices, electronic parts, etc. formed on the surface into individual chips, a dicing device that cuts the wafer by putting a grinding groove in the wafer with a grinding stone called a dicing blade. Was used. The dicing blade is an electrode made of fine diamond abrasive grains electrodeposited with Ni, and an extremely thin one having a thickness of about 30 m is used. The dicing blade was rotated at a high speed of 30, 00 to 60, 0 0 0 r p m to cut into a piece, and the piece was cut completely (full cut) or incompletely cut (half cut or semi full cut). Full cut is a method of cutting the wafer pasted on the dicing sheet until it has a cut of about 10 / xm in the dicing sheet, and half cut by cutting it to about half the thickness. Semi-flutter is a method of forming a grinding groove leaving a thickness of about 10 m in Wauha.
しかし、 ダイシングブレ一ドによる研削加工の場合、 ゥエー八が高脆性材料である ため脆性モード加工となり、 ゥェ一ハの表面や裏面にチッビングが生じ、 このチッピ ングが分割されたチップの性能を低下させる要因になっていた。 特に裏面に生じたチ ッピングは、 クラックが徐々に内部に進行するためやつかいな問題であった。  However, in the case of grinding with a dicing blade, because the 8A-8 is a highly brittle material, it becomes brittle mode processing, chipping occurs on the front and back surfaces of the chip, and the chip performance of the divided chips is It was a factor to reduce it. In particular, chipping on the back side was a troublesome problem as cracks gradually progressed to the inside.
ダイシング工程におけるこのチッピングの問題を解決する手段として、 従来のダイ シンダブレードによる切断に替えて、 ゥェ一ハの内部に集光点を合わせたレーザ一光 を入射し、 ゥエーハ内部に多光子吸収による改質領域を形成して、 この改質領域を基 点としてゥエーハを個々のチップに分割するレーザ一加工装置が提案されている (例 えば、 特開 2002— 192367号公報、 特開 2002— 192368号公報、 特 開 2002— 192369号公報、 特開 2002— 192370号公報、 特開 200 2- 192371号公報、 特開 2002— 205180号公報を参照) 。 As a means to solve this chipping problem in the dicing process, instead of cutting with a conventional die-sinter blade, a laser beam whose focusing point is aligned inside a wafer is used. A laser processing apparatus has been proposed that forms a modified region by multiphoton absorption inside the waha, and divides the waha into individual chips with the modified region as a base (for example, 2002-192367, JP-A-2002-192368, JP-A-2002-192369, JP-A-2002-192370, JP-A 2002-192371, JP-A 2002-205180).
このダイシング工程の後、 ゥエー八はダイボンディング装置に搬送され、 ダイシン グシートを伸張して個々のチップ同士の間隔を拡張するエキスパンドエ程が行われ、 次いで個々のチップがピックァップされて基材にダイポンディングされる。  After this dicing process, the wafer is transferred to a die bonding apparatus, and an expanding process is performed to extend the dicing sheet to expand the distance between the individual chips, and then the individual chips are picked up and die-bonded onto the substrate. Will be
ところが、 従来のダイシングブレードを用いたダイシング装置は厚さ 3 O m程度 の極薄のダイシングブレードでゥェ一八に分割溝を形成するものであり、 また、 上記 の特許公開公報で提案されているレーザー加工装置では、 ゥエーハ内部に形成された 改質領域を基点とし、 ゥエー八の結晶面に沿つた碧開作用による割断でチップに分割 するもので、 どちらもチップ同士の間隔が極度に狭いものである。  However, a conventional dicing apparatus using a dicing blade is one in which a dividing groove is formed on a wafer with a very thin dicing blade having a thickness of about 3 O m, and is proposed in the above-mentioned patent publication In the laser processing equipment, it is divided into chips by cleaving by cleavage action along the crystal plane of WAE, based on the modified region formed inside the WAE, and in both cases, the distance between chips is extremely narrow. It is a thing.
このため、 ダイシングされたゥェ一ハをダイシング装置或いはレーザー加工装置か らダイボンディング装置に搬送する際に、 ダイシングシートに貼付されたゥエー八が 橈み、チップの縁同士が接触して縁部にチッビングが生ずるという問題がある。また、 ゥエーハは、 ダイシング工程の後、 ダイボンディング装置に搬送されてエキスパンド 工程が行われるため、ダイシングからエキスパンドまでの処理に時間がかかっていた。 さらに、 ダイボンディング装置では、 ダイシングシートをエキスパンドしてチップ 間の間隔を拡張し、 改質領域を基点としてゥェ一ハを分割して個々のチップを得る際 に、 チップのピックァップに支障をきたさないようにチップ間隔が適切に十分拡張さ れたか否か、 また、 チップの縁部に欠けが生じた不良チップがないか等をチェックす ることなくチップのピックァップが行われている。  Therefore, when the diced wafer is transported from the dicing machine or the laser processing machine to the die bonding machine, the WAE attached to the dicing sheet gathers, and the edges of the chips come in contact with each other, and the edge portion There is a problem that the chibbing occurs. In addition, after the dicing process, the wafer was transferred to the die bonding apparatus and the expanding process was performed, so the process from dicing to expanding took a long time. Furthermore, in the die bonding machine, the dicing sheet is expanded to expand the distance between the chips, and when picking up individual chips using the modified area as a base point, chip pick-up problems occur. In order to avoid such problems, chip pick-up is performed without checking whether the chip spacing has been adequately extended or not, and whether there is a defective chip with chipping at the chip edge.
このため、 ダイシングシートのエキスパンドゃゥエーハの分割が適切に行われてい ない場合は、 不良チップまで基材にダイボンディングしてしまったり、 チップのピッ クアップ不良によりチップが損傷したりするという問題があつた。  For this reason, if the dicing sheet is not properly divided or expanded, there is a problem that the chip may be damaged due to die bonding to the base material up to the defective chip or chip pick-up failure. The
また、 従来の技術では、 ダイシング及びエキスパンドを行った後にゥエー八の状態 を確認し、 これを個々のゥエーハについて繰り返すため、 多数のゥエーハを処理する 場合に多大な時間を要するという問題があった。 Also, in the prior art, after dicing and expanding, the state of the eight is There is a problem that it takes a lot of time when processing a large number of waehs because it is confirmed and repeated for each waeh.
本発明は、 このような事情に鑑みてなされたもので、 ダイシング開始からエキスパ ンド終了までの処理を短時間で行うとともに、 不良チップの発生を防止することがで きるダイシング装置を提供することを目的とする。 発明の開示  The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a dicing apparatus capable of performing processing from the start of dicing to the end of expansion in a short time and preventing the generation of defective chips. To aim. Disclosure of the invention
前記目的を達成するために、 本発明は、 ダイシングシートに貼付されたゥエーハを ダイシングするダイシング装置であって、 前記ゥエーハをダイシングして個々のチッ プに分割するダイシング部と、 前記ダイシンダシートを伸張して前記個々のチップ同 士の間隔を拡張するエキスパンド部と、 前記ゥエー八の状態を確認する検査手段と、 を備えるダイシング装置を提供する。  In order to achieve the above object, the present invention is a dicing apparatus for dicing a wafer attached to a dicing sheet, the dicing unit for dicing the wafer and dividing it into individual chips, and the die sintering sheet There is provided a dicing apparatus comprising: an expanding section which expands to expand a distance between the individual chips; and an inspection means for confirming the state of the wafer 8.
本発明において、 前記検査手段は、 前記エキスパンド部に備えられるようにしても よい。 また、 前記検査手段は、 前記チップ同士の間隔の拡張状態を確認するようにし てもよい。  In the present invention, the inspection means may be provided in the expander. Further, the inspection means may confirm the expansion state of the interval between the chips.
また、 本発明において、 前記ダイシング部は、 前記ゥエーハの表面からレーザー光 を入射させ、 前記ゥエー八の内部に改質領域を形成することによって前記ゥエーハを ダイシングするレーザーダイシング部であるようにしてもよい。  In the present invention, the dicing section may be a laser dicing section that dices the wafer by causing a laser beam to be incident from the surface of the wafer and forming a modified region in the inside of the wafer. Good.
さらに、 本発明において、 前記検査手段は、 前記レーザ一ダイシング部によって前 記ゥエー八の内部に形成された改質領域の形成状態を確認するようにしてもよい。 また、 本発明において、 前記検査手段は、 前記レーザ一ダイシング部によって前記 ゥエーハの内部に形成された改質領域の形成状態を確認するとともに、 前記チップ同 士の間隔の拡張状態を確認するようにしてもよい。  Furthermore, in the present invention, the inspection means may confirm the formation state of the modified region formed in the interior of the wafer 8 by the laser dicing part. Further, in the present invention, the inspection means confirms the formation state of the modified region formed in the interior of the wafer by the laser dicing part, and confirms the expansion state of the distance between the chips. May be
本発明に係るダイシング装置では、 エキスパンド部が設けられているので、 ダイシ ングされたゥエー八の搬送距離はわずかであり、 搬送の際にチップの縁部にチッピン グが生じるのを防ぐことができる。 また、 エキスパンド部により、 ダイシング後直ち にエキスパンドを行うことができ、 ダイシング開始からエキスパンド終了までの処理 を短時間で行うことができる。 In the dicing apparatus according to the present invention, since the expanding part is provided, the transport distance of the diced fab eight is small, and it is possible to prevent chipping at the edge of the chip during transport. . In addition, the expanding section enables expansion immediately after dicing, and processing from the start of dicing to the end of expansion Can be done in a short time.
また、 本発明に係るダイシング装置では、 ゥエーハの状態を確認する検査手段が設 けられているので、 エキスパンド後にエキスパンド状態を確認することができ、 さら に、 レーザーによってゥエー八の内部に形成された改質領域の形成状態をエキスパン ド前に確認することができる。 このため、 不良チップをダイボンディングしてしまつ たり、 チップのピックァップ不良によりチップが損傷したりすることがない。  Further, in the dicing apparatus according to the present invention, since the inspection means for confirming the state of the wafer is provided, the expanded state can be confirmed after the expansion, and furthermore, the laser is formed inside the wafer 8 by the laser. The formation state of the modified region can be confirmed before expansion. As a result, defective chips are die-bonded, and chip pick-up defects do not damage the chips.
また、本発明によれば、ゥエーハの状態を確認する検査手段が設けられているので、 既にダイシングされたゥエー八のダイシング状態、 或いはエキスパンド状態を確認し ながら、 次のゥエー八のダイシングを行うことができる。 すなわち、 ゥエーハのダイ シング作業と、 ダイシング状態あるいはエキスパンド状態の確認作業とを並行して行 うことができ、 多数のゥエーハを短時間で処理することができる。 図面の簡単な説明  Further, according to the present invention, since the inspection means for confirming the state of the wafer is provided, the next dicing of the wafer 8 should be performed while confirming the dicing state or expanding state of the already diced eight. Can. That is, the dicing operation of the wafer can be performed in parallel with the confirmation operation of the dicing state or the expanding state, and a large number of wafers can be processed in a short time. Brief description of the drawings
図 1は、 本発明に係るダイシング装置の概略構成図であり ;  FIG. 1 is a schematic view of a dicing apparatus according to the present invention;
図 2は、 レーザーダイシング部を説明する概念図であり ;  FIG. 2 is a conceptual diagram for explaining a laser dicing unit;
図 3は、 エキスパンド部を説明する概念図であり ;  FIG. 3 is a conceptual diagram for explaining an expanding part;
図 4は、 フレームにマウントされたゥエーハを示す斜視図であり ;  Figure 4 is a perspective view showing a frame mounted on a frame;
図 5 ( a ) 及び図 5 ( b ) は、 ゥエーハ内部に形成された改質領域を説明する概念 図である。 発明を実施するための最良の形態  Fig. 5 (a) and Fig. 5 (b) are conceptual diagrams for explaining the reformed region formed in the interior of the WA. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
以下添付図面に従って本発明に係るダイシング装置の好ましい実施の形態について 詳説する。 尚、 各図において同一部材には同一の番号または記号を付している。 図 1は、 本発明に係るダイシング装置の概略構成を表わす平面図である。 ダイシン グ装置 1 0では、 ゥェ一ハは図 4に示すように、 一方の面に粘着材を有するダイシン ダシート Tに貼付され、 このダイシンダシート Tを介してフレーム Fと一体化された 状態で搬入され、 ダイシング装置 1 0内を搬送される。 ダイシング装置 1 0は、図 1に示すように、カセット格納部 9 0、エレべ一夕 9 1、 ダイシング部としてのレーザーダイシング部 4 0、 エキスパンド部 6 0、 図示しない ゥェ一ハ Wの搬送手段、 後出の制御部 5 0、 及び後出のテレビモニタ 3 6等から構成 されている。 Hereinafter, preferred embodiments of the dicing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. In the drawings, the same members are denoted by the same numbers or symbols. FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a dicing apparatus according to the present invention. In the dicing apparatus 10, as shown in FIG. 4, a state in which the adhesive is attached to a die sintering sheet T having an adhesive material on one side and the frame is integrated with the frame F through the die sintering sheet T. It is carried in and transported in the dicing machine 10. Dicing device 10, as shown in FIG. 1, is a cassette storage unit 90, an elevation plate 91, a laser dicing unit 40 as a dicing unit, an expanding unit 60, a wafer W not shown. It comprises means, a control unit 50 described later, and a television monitor 36 etc. described later.
カセット格納部 9 0には、 ダイシングシ一ト Tを介してフレーム Fと一体化された 状態のゥエー八 Wを多数枚収納したカセットが格納される。 エレべ一夕 9 1は上下移 動及び前後移動される図示しないフレームクランパを有し、 フレームクランパでフレ ーム Fをクランプしてカセットからゥェ一ハ Wを取り出し、 或いはダイシングされた ゥエーハ Wをカセッ卜に収納する。  The cassette storage unit 90 stores a cassette in which a large number of cassettes W integrated with the frame F via the dicing sheet T are stored. Elevation plate 91 has a frame clamper (not shown) which is moved up and down and moved back and forth, and clamps frame F with the frame clamper to take out the wafer W from the cassette or diced wafer W Put the container in the basket.
レーザーダイシング部 4 0は、 ゥエーハ Wの表面からレーザー光を入射させ、 ゥェ —ハ Wの内部に改質領域を形成することによってゥエーハ Wを個々のチップにダイシ ングする。 エキスパンド部 6 0では、 ダイシングされたゥェ一ハ Wが貼付されている ダイシングシート Tを伸張して、 個々のチップ同士の間隔を拡張する。  The laser dicing unit 40 injects laser light from the surface of the wafer W, and dices the wafer W into individual chips by forming a modified region inside the wafer W. In the expanding section 60, the dicing sheet T to which the diced wafer W is attached is expanded to expand the distance between the individual chips.
搬送手段はゥエーハ Wをダイシング装置 1 0の各部に搬送する。 制御部 5 0には C P U、 メモリ、 入出力回路部、 各種駆動回路部等が備えられるとともに、 夫々がバス ラインで接続されており、 ダイシング装置 1 0の各部の動作を制御する。 テレビモニ 夕 3 6にはプログラム設定画面や、 各種観察画面が映し出される。  The transport means transports the wafer W to each part of the dicing apparatus 10. The control unit 50 is provided with a CPU, a memory, an input / output circuit unit, various drive circuit units and the like, and each is connected by a bus line to control the operation of each unit of the dicing apparatus 10. A program setting screen and various observation screens are displayed on the TV monitor 36.
本体ベース 1 6上には、 図 1の X方向に配置された Xガイドレール 1 7が取り付け られている。 また、 Xガイドレール 1 7の上方で Xガイドレール 1 7を跨いで図 1の Y方向に延びる、 門型の Yガイドレール 1 8が取り付けられている。  An X guide rail 17 disposed in the X direction in FIG. 1 is mounted on the main body base 16. Also, a gate-shaped Y guide rail 18 is attached, which extends in the Y direction in FIG. 1 across the X guide rail 17 above the X guide rail 17.
Xガイドレール 1 Ίはレーザーダイシング部 4 0の X Z 0テーブル 1 1をガイドし、 Χ Ζ Θテーブル 1 1は図示しない駆動手段によって X方向に移動される。 この駆動手 段にはリニアモー夕等、 既知の駆動手段が用いられる。  The X guide rail 1 guides the XZ 0 table 1 1 of the laser dicing section 40, and the Θ Θ table 1 1 is moved in the X direction by drive means (not shown). As this driving means, known driving means such as a linear motor are used.
Yガイドレール 1 8は、 レーザーダイシング部 4 0のレ一ザ一光学部 2 0や後出の 観察光学部 3 0が取り付けられた Yテーブル 1 9をガイドするとともに、 エキスパン ド部 6 0の Y移動テーブル 8 1をガイドし、 Yテーブル 1 9及び Y移動テ一プル 8 1 は、 夫々図示しないリニアモー夕等の駆動手段によって Y方向に正確にインデックス 送りされる。 The Y guide rail 18 guides the Y table 19 to which the laser 1 optical unit 20 of the laser dicing unit 40 and the observation optical unit 30 described later are attached, and also the expansion unit 60 Guide Y movement table 81, Y table 1 9 and Y movement table 8 1 are accurately indexed in Y direction by drive means such as linear motor not shown respectively Will be sent.
エキスパンド部 6 0の Y移動テーブル 8 1には、 X方向に移動する X移動テーブル 8 1が組込まれ、 X移動テーブル 8 1には検査手段 7 0が取り付けられ、 検査手段 7 0は X方向に移動されるとともに Y方向に正確にインデックス送りされる。  An X moving table 81 moving in the X direction is incorporated in the Y moving table 81 in the expanding section 60, an inspection means 70 is attached to the X moving table 81, and the inspection means 70 is in the X direction It is moved and indexed accurately in the Y direction.
図 2は、 レーザーダイシング部 4 0の詳細を表わす概念構成図である。 レーザーダ ィシング部 4 0は X Z 0テーブル 1 1、 レーザー光学部 2 0、 観察光学部 3 0等で構 成されている。  FIG. 2 is a conceptual block diagram showing the details of the laser dicing unit 40. As shown in FIG. The laser dicing unit 40 comprises an XZ 0 table 11, a laser optical unit 20, an observation optical unit 30, and the like.
X Z 0テーブル 1 1は、 Xガイドレール 1 7に案内されて X方向に移動する Xテー ブル 1 2と、 Xテーブル 1 2上に取り付けられ図 2の Z方向及び 0方向に駆動される テーブル 1 5とからなり、 テーブル 1 5にはダイシングシート Tを介してゥ エーハ Wを保持する吸着ステージ 1 3と、 フレーム Fを保持する受け台 1 4が取り付 けられている。 この X Z 0テーブル 1 1によって、 ゥエーハ Wは図 2の X Z 0方向に 精密に移動される。  XZ 0 table 1 1 is guided by X guide rail 1 7 and moved in the X direction X table 1 2 mounted on X table 1 2 and driven in the Z direction and 0 direction in FIG. 2 Table 1 The suction stage 13 for holding the wafer W through the dicing sheet T and the pedestal 14 for holding the frame F are attached to the table 15. By this XZ 0 table 1 1, the wafer W is precisely moved in the XZ 0 direction in FIG.
レーザー光学部 2 0は、 Yテーブル 1 9に取り付けられて Y方向に精密にインデッ クス送りされるようになっており、 レーザー発振器 2 1、 コリメートレンズ 2 2、 ハ 一フミラー 2 3、 コンデンスレンズ 2 4等で構成されている。  The laser optical unit 20 is attached to a Y-table 19 so that it is precisely index-fed in the Y direction. The laser oscillator 21, the collimating lens 22, the half mirror 2 3, the condensing lens 2 It is composed of 4 mag.
また、 観察光学部 3 0は、 観察用光源 3 1、 コリメートレンズ 3 2、 ハーフミラー 3 3、 コンデンスレンズ 3 4、 観察手段としての C C Dカメラ 3 5、 テレビモニタ 3 6等で構成されている。  The observation optical unit 30 is composed of an observation light source 31, a collimator lens 32, a half mirror 33, a condenser lens 34, a CCD camera 35 as an observation means, a television monitor 36 and the like.
レーザ一光学部 2 0では、 レーザー発振器 2 1から発振されたレーザ一光はコリメ 一トレンズ 2 2、 ハーフミラー 2 3、 コンデンスレンズ 2 4等の光学系を経てゥエー ハ Wの内部に集光される。ここでは、集光点におけるピークパワー密度が 1 X 1 08 (W /c m2 ) 以上でかつパルス幅が 1 s以下の条件で、 ダイシングテープに対して透 過性を有するレーザー光が用いられる。 集光点の Z方向位置は、 X Z 0テーブル 1 1 の Z方向微動によって調整される。 In the laser 1 optical unit 20, the laser 1 light oscillated from the laser oscillator 21 is condensed inside the wafer W through an optical system such as a collimating lens 22, a half mirror 23 and a condensing lens 24. Ru. Here, a laser beam having permeability to the dicing tape is used under the condition that the peak power density at the focal point is 1 × 10 8 (W / cm 2 ) or more and the pulse width is 1 s or less. . The Z direction position of the focusing point is adjusted by the Z direction fine movement of the XZ 0 table 1 1.
観察光学部 3 0では、 観察用光源 3 1から出射された照明光がコリメ一トレンズ 3 2、 ハーフミラー 3 3、 コンデンスレンズ 2 4等の光学系を経てゥエーハ Wの表面を 照射する。 ゥエーハ Wの表面からの反射光はコンデンスレンズ 2 4、 ハーフミラー 2 3及び 3 3、 コンデンスレンズ 3 4を経由して観察手段としての C C Dカメラ 3 5に 入射し、 ゥエー八 Wの表面画像が撮像される。 In the observation optical unit 30, the illumination light emitted from the observation light source 31 passes through the optical system such as the collimating lens 32, the half mirror 33 and the condensing lens 24 and so on. Irradiate. The reflected light from the surface of the W W is incident on the CCD camera 35 as an observation means via the condensing lens 24, half mirrors 23 and 33, and the condensing lens 34, and the surface image of the W W is captured Be done.
この撮像デ一夕は画像処理部 3 8に入力され、 ゥエーハ Wのァライメン卜に用いら れるとともに、 制御部 5 0を経てテレビモニタ 3 6に写し出される。  This imaging data is input to the image processing unit 38, used as an alignment of the W-ha W, and taken out on the television monitor 36 via the control unit 50.
図 3は、 エキスパンド部 6 0の詳細を表わす概念構成図である。 エキスパンド部 6 0は、 ダイシングシート Tに貼付されたままダイシングされたゥエーハ Wの個々のチ ップ Cの隣同士の間隔を拡張するためのもので、 ダイシングシート Tを中心部から外 方向に向けて伸張させることによってエキスパンドを行う。  FIG. 3 is a conceptual block diagram showing details of the expanding unit 60. As shown in FIG. The expanding section 60 is for expanding the distance between the individual chips C of the wafer W diced while being affixed to the dicing sheet T, and the dicing sheet T is directed outward from the central portion. Expand by stretching.
エキスパンド部 6 0は、 本体ベース 1 6に固定されたベース 6 1と、 ベース 6 1に 取り付けられた受けリング 6 2と、 受けリング 6 2の外周と滑合して上下動可能に支 持され、 ダイシングシート Tが貼付されたフレーム Fを下方に押込むプレスリング 6 3と、 プレスリング 6 3を上下移動させる図示しないエアーシリンダ等の駆動手段と から構成されている。  Expanding part 60 is supported vertically movably by sliding on base 61 fixed to body base 16, receiving ring 62 attached to base 61 and outer periphery of receiving ring 62. The press ring 63 is configured to press the frame F to which the dicing sheet T is attached downward, and a driving unit such as an air cylinder (not shown) that vertically moves the press ring 63.
エキスパンド部 6 0には、 ゥェ一ハ Wの状態を確認する検査手段 7 0が設けられて いる。 検査手段 7 0では、 光源 7 1から出射された照明光がコリメートレンズ 7 2、 ハーフミラー 7 3、 コンデンスレンズ 7 4等の光学系を経てゥエーハ Wを照射する。 照射された光の反射光はコンデンスレンズ 7 4、 ハーフミラー 7 3、 コンデンスレ ンズ 7 5を経由して観察手段としての C C Dカメラ 7 6に入射し、 観察画像が撮像さ れる。 この撮像データは画像処理部 3 8に入力され、 ゥェ一ハ Wの状態が確認される とともに、 制御部 5 0を経てテレビモニタ 3 6に写し出される。  The expanding section 60 is provided with an inspection means 70 for confirming the state of the light W. In the inspection means 70, the illumination light emitted from the light source 71 passes through the optical system such as the collimator lens 72, the half mirror 73, the condensing lens 74 and the like to illuminate the wafer W. The reflected light of the irradiated light passes through the condensing lens 74, the half mirror 73, and the condensing lens 75, and enters the CCD camera 76 as an observation means, and an observation image is captured. The imaging data is input to the image processing unit 38, and the state of the camera is confirmed, and is output to the television monitor 36 via the control unit 50.
この検査手段 7 0は、 エキスパンド部 6 0の上方に配置された X移動テーブル 8 2 及び Y移動テーブル 8 1によってゥエーハ Wの上方で X方向及び Y方向に移動される。 光源 7 1には赤外光が用いられ、 レーザー光によってゥエーハ Wの内部に形成され た改質領域の形成状態をエキスパンド前に確認する場合は、 高倍率でゥエーハ内部に 焦点を合わせて画像を取り込む。 また、 エキスパンド後のエキスパンド状態を確認す る場合は、 低倍率にしてゥエーハ表面に焦点を合わせて画像を取り込む。 これらの画 像データは画像処理部 3 8でデータ処理された後、 制御部 5 0に送られてゥェ一ハ の状態が解析されるようになつている。 The inspection means 70 is moved in the X direction and the Y direction above the wafer W by an X moving table 8 2 and a Y moving table 81 disposed above the expanding unit 60. Infrared light is used for the light source 71. If the formation state of the modified area formed inside the Wah W by laser light is confirmed before expansion, the inside of the Wah W is focused at high magnification to focus the image. take in. Also, when checking the expanded state after expansion, focus on the surface of the wafer at low magnification and capture an image. These pictures The image data is processed by the image processing unit 38 and sent to the control unit 50 so that the state of the image can be analyzed.
次に、 このように構成されたダイシング装置 1 0の作用について説明する。 ダイシ ングシート Tを介してリング状のフレーム Fにマウントされたゥエーハ Wは、 エレべ —夕 9 1に設けられたクランパによってカセット格納部に格納されているカセットか ら引き出され、 搬送手段によってレーザーダイシング部 4 0の X Z 0テーブル 1 1上 に搬送されて吸着ステージ 1 3に吸着保持される。  Next, the operation of the dicing apparatus 10 configured as described above will be described. The wafer W mounted on the ring-shaped frame F through the dicing sheet T is pulled out of the cassette stored in the cassette storage unit by the clamper provided on the elevator 91, and the laser dicing is performed by the transfer means. Part 40 is transported onto the XZ 0 table 1 1 and held by suction on the suction stage 13.
吸着ステージ 1 3に吸着保持されたゥエーハ Wは最初に C C Dカメラ 3 5で表面に 形成された回路パターンが撮像され、 画像処理部 3 8と制御部 5 0内に設けられたァ ライメント手段によって Θ方向のァライメン卜と X Y方向の位置決めがなされる。 ァライメントが終了すると、 X Z 0テーブル 1 1が X方向に移動してゥェ一ハ Wの ダイシンダストリートに沿ってレーザー光が入射される。 ゥエーハ Wの表面から入射 したレーザー光の集光点がゥエーハ Wの厚さ方向の内部に設定されているので、 ゥェ ーハの表面を透過したレ一ザ一光は、 ゥエーハ内部の集光点でエネルギーが集中し、 ゥェ一ハ Wの内部の集光点近傍に多光子吸収によるクラック領域、 溶融領域、 屈折率 変化領域等の改質領域が形成される。 これによりゥエーハは分子間力のバランスが崩 れ、自然に割断するかあるいは僅かな外力を加えることにより割断されるようになる。 図 5は、ゥエーハ内部の集光点近傍に形成される改質領域を説明する概念図である。 図 5 ( a ) は、 ゥエーハ Wの内部に入射されたレーザ一光 Lが集光点に改質領域 Pを 形成した状態を示し、 図 5 ( b ) はパルス状のレーザ一光 Lの下でゥエー八 Wが水平 方向に移動され、 不連続な改質領域 Pが並んで形成された状態を表わしている。 この 状態でゥエーハ Wは改質領域 Pを起点として自然に割断する力、、 或いは僅かな外力を 加えることによって改質領域 Pを起点として割断される。 この場合、 ゥエーハ Wは表 面や裏面にはチッビングが発生せずに容易にチップに分割される。  The wafer W held by suction on the suction stage 13 is first imaged with a circuit pattern formed on the surface by the CCD camera 35, and is aligned by the image processing unit 38 and the alignment means provided in the control unit 50. Alignment of the direction and positioning in the XY direction are done. When alignment is completed, X Z 0 table 1 1 moves in the X direction and laser light is incident along Dai Shinda Street of W W W. Since the focusing point of the laser light incident from the surface of the W W is set at the inside in the thickness direction of the W W, the laser light transmitted through the W W surface is the light collected inside the W A The energy is concentrated at the point, and reformed regions such as a crack region, a melting region, a refractive index change region, etc. are formed in the vicinity of the light condensing point inside the light W by multiphoton absorption. As a result, the balance of the intermolecular force is broken, and it becomes broken by cutting naturally or by applying a slight external force. FIG. 5 is a conceptual diagram for explaining a reforming region formed in the vicinity of a light condensing point in the interior of the wafer. Fig. 5 (a) shows a state in which the laser light L incident on the inside of the wah W forms a modified region P at the focusing point, and Fig. 5 (b) shows the lower part of the pulsed laser light L. At this time, W 八 8 W is moved in the horizontal direction, and discontinuous reforming areas P are formed side by side. In this state, Wahha W is cleaved from the reforming region P as a starting point by applying a force that cleaves naturally from the reforming region P as a starting point or a slight external force. In this case, the wafer W is easily divided into chips without chipping on the front and back surfaces.
1ラインの改質領域 Pの形成が終了すると、 レーザー光学部 2 0が取り付けられた Yテーブルが 1ィンデックス Y方向に送られて、 次のダイシンダストリ一卜に沿って レーザー光が入射され、 ゥェ一八内部に改質領域 Pが形成される ό 一方向の全てのダイシングストリートについて改質領域形成が行われると、 Z 0テ 一ブル 1 5が 9 0 ° 回転し、 先程のダイシンダストリートと直交するダイシンダスト リー卜についても全て改質領域形成が行われる。 When the formation of the modified region P of one line is completed, the Y table to which the laser optical unit 20 is attached is sent in the 1-index Y direction, and the laser light is incident along the next diameter. Modified area P is formed inside ゥ 18 When reformed area formation is performed for all dicing streets in one direction, Z 0 table 15 rotates 90 °, and all reformed area formation is also performed for the dicing dust which intersects with the previous Dai Shinda street. Is done.
全てのダイシングストリートに対して、 内部に改質領域 Pを形成するレーザーダイ シングが行われたゥエーハ Wは、 搬送手段によってエキスパンド部 6 0に搬送され、 エキスパンド部 6 0に設けられている受けリング 6 2上にセットされる。  The wafer W in which the laser dicing that forms the reformed area P inside is performed for all the dicing streets is conveyed by the conveying means to the expanding section 60 and the receiving ring provided in the expanding section 60 6 Set on 2nd.
ここで、ゥエーハ Wは検査手段 7 0によって内部の改質領域形成状態が確認される。 確認は光源 7 1からの赤外光を X移動テーブル 8 2及び Y移動テーブル 8 1によって 走査させながらゥェ一ハ内部の画像を取り込んで行われる。 改質領域形成状態はテレ ビモニタ 3 6に表示された画面によって確認できるとともに、 制御部 5 0に設けられ た図示しない改質領域形成状態判定部で良否が自動判定される。 また、 判定結果はレ 一ザ一光 Lの照射条件にフィードバックされる。  Here, the inspection means 70 confirms the state of formation of the reformed region inside. The confirmation is performed by scanning the infrared light from the light source 71 with the X moving table 82 and the Y moving table 81 and capturing an image inside the window. The reformed area formation state can be confirmed by the screen displayed on the television monitor 36, and the quality of the reformed area formation state judgment unit (not shown) provided in the control unit 50 is automatically judged as good or bad. Also, the judgment result is fed back to the irradiation condition of laser light L.
改質領域形成状態が確認されると次に、 プレスリング 6 3が下降してフレーム Fを 押し下げ、 ダイシングシート Tをエキスパンドする。 この時、 受けリング 6 2の上面 の外周縁部 6 2 Aは円弧状に面取りされているので、 ダイシンダシー卜 Tはスムース にエキスパンドされ、 個々のチップ Cの間隔が拡張される。  Next, when the formation of the reformed area is confirmed, the press ring 63 is lowered to push down the frame F and expand the dicing sheet T. At this time, since the outer peripheral edge portion 6 2 A of the upper surface of the receiving ring 62 is chamfered in an arc shape, the cylinder D is smoothly expanded and the distance between the individual chips C is expanded.
次いで、 検查手段 7 0によって複数のチップ Cの表面が撮像され、 エキスパンド状 態が検査される。 この検査は、 X移動テーブル 8 2及び Y移動テーブル 8 1によって 検査手段 7 0をゥエーハ Wの前面にわたって走査して行われ、 撮像された画像は画像 処理部 3 8で処理された後画像データは制御部 5 0に送られる。  Next, the surface of the plurality of chips C is imaged by the inspection means 70, and the expanded state is inspected. This inspection is performed by scanning the inspection means 70 across the front surface of the scanning unit 70 by the X movement table 82 and the Y movement table 81, and the imaged image is processed by the image processing unit 38 and the image data is Sent to control unit 50.
制御部 5 0ではエキスパンド状態をテレビモニタ 3 6に表示するとともに、 チップ 間隔が所定量拡張されたか否かを自動判定する。 この判定結果もフイードバックされ てプレスリング 6 3の下降量が制御される。 また、 チップ Cの周縁部のチッビングの 大きさ等もチェックされる。  The control unit 50 displays the expanded state on the television monitor 36, and automatically determines whether or not the chip interval is expanded by a predetermined amount. This judgment result is also fed back to control the amount of descent of the press ring 63. In addition, the size of the chipbing on the periphery of chip C is also checked.
次に、 エキスパンドされたダイシングシート Tの弛み部の処理が行われ、 ダイシン グシート Tに貼付されたままの個々のチップ Cはフレーム Fごと搬送手段によってェ キスパンド部 6 0から搬出される。 次いでエレべ一夕 9 1によってカセットの元の位 置に戻される。 Next, the slack portion of the expanded dicing sheet T is processed, and the individual chips C attached to the dicing sheet T are carried out together with the frame F from the spanned portion 60 by the transport means. Then by Elebe 9 1 1 the original position of the cassette It is put back into place.
このようにして、 カセット内に収納されたゥエーハ Wは順次レ一ザ一ダイシング部 4 0でダイシングされ、 次いでエキスパンド部 6 0で内部に形成された改質領域の形 成状態が確認され、 エキスパンドされ、 更にエキスパンド状態が確認される。 このた め、 ダイシングシート T上のチップ C同士の間隔が所定量安定して拡張される。 また、 1枚のゥエーハ Wのレーザ一ダイシングが終了し、 レーザーダイシング部 4 0.からエキスパンド部 6 0に搬送されると、 次のゥエーハ Wがまたレーザーダイシン グ部 4 0に搬入される。 従って、 改質領域形成状態の確認及びエキスパンド状態確認 は次のゥエーハ Wがレーザーダイシングされている時に行う.ので、 ダイシング装置 1 0の処理速度を低下させることなくゥェ一ハ Wの状態を確認することができる。 なお、 前述した実施の形態では、 ダイシング部にはレーザー光を用いてゥェ一ハ W の内部に改質領域を形成させるレーザーダイシング部 4 0を用いたが、 本発明はこれ に限らず、 ダイシングブレードを用いたダイシング部であってもよい。 この場合は、 検査手段 7 0は改質領域形成状態の確認を行う必要はなく、 従って光源 7 1は赤外光 の必要がなく、 白色光光源で構わない。 産業上の利用可能性  Thus, the wafer W stored in the cassette is sequentially diced by the laser dicing section 40, and then the formation state of the modified region formed inside is confirmed by the expand section 60, and the expanded Further, the expanded state is confirmed. For this reason, the distance between the chips C on the dicing sheet T is stably expanded by a predetermined amount. In addition, when one piece of wafer W is completed for laser dicing and transferred from the laser dicing part 40. to the expanding part 60, the next wafer W is carried into the laser dicing part 40 again. Therefore, the confirmation of the formation of the modified region and the confirmation of the expand state are performed when the next wafer is being laser-diced. Therefore, the condition of the wafer W is confirmed without reducing the processing speed of the dicing apparatus 10 can do. In the above-described embodiment, the laser dicing unit 40 is used as the dicing unit, in which the modified region is formed inside the wafer W by using a laser beam, but the present invention is not limited to this. It may be a dicing section using a dicing blade. In this case, the inspection means 70 does not need to confirm the state of formation of the modified region, and hence the light source 71 does not need to be infrared light, and may be a white light source. Industrial applicability
以上説明したように、 本発明に係るダイシング装置では、 エキスパンド部により、 ダイシング後直ちにエキスパンドを行うことができる。 このため、 ダイシング開始か らエキスパンド終了までの処理を短時間で行うことができる。 また、 ダイシングされ たゥエー八の搬送の際にダイシングされた個々のチップの縁同士が接触し縁部にチッ ビングが生ずる、 という問題が解消される。  As described above, in the dicing apparatus according to the present invention, the expanding section can perform expansion immediately after dicing. Therefore, processing from the start of dicing to the end of expansion can be performed in a short time. Also, the problem that the edges of the individual diced chips come into contact with each other during the transportation of the diced wafer 8 and the chipping occurs at the edges is solved.
また、 本発明によれば、 エキスパンド後にエキスパンド状態を確認することができ る。 そのため、 チップ間隔が適切に拡張されたか否か、 また、 チップの縁部に欠けが 生じた不良チップがないか等をチェックすることができる。 さらに、 エキスパンドを 行う前に、 レーザ一によってゥエー八の内部に形成された改質領域の形成状態を確認 することができる。 そのため、 改質領域の形成状態をレーザー照射条件にフィードバ ックさせることができ、 適切な状態の改質領域を形成してゥェ一八の分割を良好に行 うことができる。 このため、 不良チップをダイボンディングしてしまったり、 チップ のピックアツプ不良によりチップが損傷したりすることがなく、 不良チップの発生を 防止することができる。 Further, according to the present invention, the expanded state can be confirmed after the expansion. Therefore, it is possible to check whether or not the chip interval is appropriately expanded, and whether there is a defective chip with a chip at the chip edge. Furthermore, before the expansion is performed, the formation state of the modified region formed in the interior of the wye by the laser can be confirmed. Therefore, the formation condition of the modified region is a feed bar under the laser irradiation condition It is possible to improve the resolution by forming a reformed region in an appropriate state. As a result, there is no possibility of die bonding of a defective chip or damage to the chip due to chip pickup failure, and generation of a defective chip can be prevented.
また、 本発明によれば、 ゥエー八の状態を確認する検査手段がエキスパンド部に設 けられているので、 既にダイシングされたゥエー八のダイシング状態、 或いはエキス パンド状態を確認しながら、 次のゥエーハのダイシングを行うことができる。 すなわ ち、 ゥエー八のダイシング作業と、 ダイシング状態あるいはエキスパンド状態の確認 作業を並行して行うことができ、 ダイシング装置の処理速度を向上させることができ る。  Further, according to the present invention, since the inspection means for confirming the state of the wye 8 is provided in the expanding section, while checking the dicing state or the expand state of the already diced wye 8 next Dicing can be performed. In other words, it is possible to concurrently perform the dicing operation of WAE 8 and the confirmation operation of dicing status or expanding status, and the processing speed of the dicing apparatus can be improved.

Claims

請 求 の 範 囲 The scope of the claims
1 . ダイシングシートに貼付されたゥエーハをダイシングするダイシング装置であつ て、 - 前記ゥェ一ハをダイシングして個々のチップに分割するダイシング部と、 前記ダイシングシートを伸張して前記個々のチップ同士の間隔を拡張するエキスパ ンド部と、 1. A dicing apparatus for dicing a wafer attached to a dicing sheet, comprising:-a dicing unit for dicing the wafer and dividing it into individual chips; and extending the dicing sheet to separate the individual chips. An expanse that extends the interval between
前記ゥェ一八の状態を確認する検查手段と、  A verification means for confirming the condition of the w18;
を備えるダイシング装置。 A dicing apparatus comprising
2 . 前記検査手段は前記エキスパンド部に設けられ、 前記個々のチップ同士の間隔の 拡張状態を確認することを特徴とする、 請求項 1に記載のダイシング装置。 2. The dicing apparatus according to claim 1, wherein the inspection unit is provided in the expanding unit, and confirms an expanded state of a space between the individual chips.
3 . 前記ダイシング部は、 前記ゥエー八の表面からレーザー光を入射させ、 前記ゥェ 一八の内部に改質領域を形成することによって前記ゥエーハをダイシングするレーザ 一ダイシング部であることを特徴とする、 請求項 1に記載のダイ、ンング装置。 3. The dicing section is a laser single dicing section for dicing the wafer by entering a laser beam from the surface of the wafer and forming a modified region in the inside of the wafer. The dicing apparatus according to claim 1.
4. 前記ダイシング部は、 前記ゥエーハの表面からレーザ一光を入射させ、 前記ゥェ 一八の内部に改質領域を形成することによって前記ゥエーハをダイシングするレーザ 一ダイシング部であって、 前記検査手段は前記エキスパンド部に設けられ、 前記個々 のチップ同士の間隔の拡張状態を確認する?:とを特徴とする、 請求項 1に記載のダイ シング装置。 4. The dicing unit is a laser dicing unit for dicing the wafer by irradiating a laser beam from the surface of the wafer and forming a modified region in the inside of the wafer, and the inspection A means is provided in the said expansion part and confirms the expansion state of the space | interval of each said chip | tip? The dicing apparatus according to claim 1, wherein:
5 . 前記ダイシング部は、 前記ゥエー八の表面からレーザ一光を入射させ、 前記ゥェ 一八の内部に改質領域を形成することによって前記ゥエーハをダイシングするレーザ 一ダイシング部であって、 前記検査手段は、 前記レーザーダイシング部によって前記 ゥエー八の内部に形成された改質領域の形成状態を確認することを特徴とする、 請求 項 1に記載のダイシング装置。  5. The dicing unit is a laser dicing unit for dicing the wafer by irradiating a laser beam from the surface of the wafer and forming a modified region in the inside of the wafer, The dicing apparatus according to claim 1, wherein the inspection unit confirms the formation state of the modified region formed in the inside of the wafer 8 by the laser dicing unit.
6 . 前記ダイシング部は、 前記ゥェ一八の表面からレーザ一光を入射させ、 前記ゥェ 一八の内部に改質領域を形成することによって前記ゥエーハをダイシングするレーザ 一ダイシング部であって、 前記検查手段は前記エキスパンド部に設けられ、 前記個々 のチップ同士の間隔の拡張状態を確認すると共に、 前記レーザーダイシング部によつ て前記ゥエー八の内部に形成された改質領域の形成状態を確認することを特徴とする、 請求項 1に記載のダイシング装置。 6. The dicing section is a laser dicing section for dicing the wafer by irradiating a laser beam from the surface of the wafer and forming a modified region inside the wafer. The detection means is provided in the expanding section; The method according to claim 1, characterized in that the expansion state of the spacing between the chips is confirmed, and the formation state of the modified region formed in the interior of the wafer 8 is confirmed by the laser dicing section. Dicing equipment.
PCT/JP2004/006977 2003-05-22 2004-05-17 Dicing device WO2004105109A1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE112004000766T DE112004000766T5 (en) 2003-05-22 2004-05-17 Chip cutter
JP2005506368A JP4640173B2 (en) 2003-05-22 2004-05-17 Dicing machine
US10/555,452 US20060243710A1 (en) 2003-05-22 2004-05-17 Dicing device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003-144596 2003-05-22
JP2003144596 2003-05-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004105109A1 true WO2004105109A1 (en) 2004-12-02

Family

ID=33475210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/006977 WO2004105109A1 (en) 2003-05-22 2004-05-17 Dicing device

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20060243710A1 (en)
JP (1) JP4640173B2 (en)
KR (1) KR20060055457A (en)
DE (1) DE112004000766T5 (en)
TW (1) TW200501252A (en)
WO (1) WO2004105109A1 (en)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100699246B1 (en) 2006-04-03 2007-03-28 주식회사 고려반도체시스템 An aperture change device for wafer laser sawing apparatus and control method therefore
WO2007040032A1 (en) * 2005-10-04 2007-04-12 Lintec Corporation Transfer device and transfer method
WO2007040181A1 (en) * 2005-10-04 2007-04-12 Lintec Corporation Method and apparatus for controlling expanding apparatus
JP2007134510A (en) * 2005-11-10 2007-05-31 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer mounter
JP2007142199A (en) * 2005-11-18 2007-06-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd Expand ring and method for splitting substrate using it
JP2007242988A (en) * 2006-03-10 2007-09-20 Nireco Corp Image acquisition method of semiconductor chip
KR100833282B1 (en) 2006-08-24 2008-05-28 세크론 주식회사 Sawing sorter device, and process for Manufacturing Semiconductor using the same
JP2008145345A (en) * 2006-12-12 2008-06-26 Lintec Corp Device and method for measuring chip interval
JP2009064905A (en) * 2007-09-05 2009-03-26 Disco Abrasive Syst Ltd Extension method and extension apparatus
JP2011061140A (en) * 2009-09-14 2011-03-24 Hitachi High-Technologies Corp Film removal inspection device and film removal inspection method, and solar cell panel production line, and solar cell panel production method
WO2019188518A1 (en) * 2018-03-30 2019-10-03 東京エレクトロン株式会社 Laser processing device and laser processing method
TWI755505B (en) * 2017-03-24 2022-02-21 日商迪思科股份有限公司 sheet expansion device

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100045458A1 (en) * 2008-08-19 2010-02-25 Silverbrook Research Pty Ltd Safety system for an integrated circuit alignment testing apparatus
US20100045729A1 (en) * 2008-08-19 2010-02-25 Silverbrook Research Pty Ltd Method for testing alignment of a test bed with a plurality of integrated circuits thereon
US7880900B2 (en) 2008-08-19 2011-02-01 Silverbrook Research Pty Ltd Measuring apparatus for performing positional analysis on an integrated circuit carrier
EP2326916A4 (en) * 2008-08-19 2014-07-02 Measuring apparatus for performing positional analysis on an integrated circuit carrier
US7924440B2 (en) * 2008-08-19 2011-04-12 Silverbrook Research Pty Ltd Imaging apparatus for imaging integrated circuits on an integrated circuit carrier
US20120074109A1 (en) * 2010-09-29 2012-03-29 General Electric Company Method and system for scribing a multilayer panel
KR101454666B1 (en) * 2013-05-31 2014-10-27 주식회사 태미세미콘 Semiconductor vision inspection apparatus and semiconductor inspection system having the same
JP6280459B2 (en) * 2014-06-27 2018-02-14 株式会社ディスコ Tape expansion unit
JP2017088782A (en) * 2015-11-13 2017-05-25 日東電工株式会社 Laminate and joined body, recovery method for combination and manufacturing method of semiconductor device
CN108044355B (en) * 2017-12-22 2024-01-23 沈阳芯嘉科技有限公司 Laser grinding wheel scribing machine and composite material cutting method
JP7286464B2 (en) * 2019-08-02 2023-06-05 株式会社ディスコ Laser processing equipment

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62256451A (en) * 1986-04-24 1987-11-09 アドヴアンスド セミコンダクタ− マテイリアルズ アメリカ インコ−ポレ−テツド Method and apparatus for expanding vacuum wafer
JPH1126403A (en) * 1997-07-03 1999-01-29 Nec Corp Manufacture of semiconductor wafer
JP2002192367A (en) * 2000-09-13 2002-07-10 Hamamatsu Photonics Kk Laser beam machining method
JP2002334853A (en) * 2001-05-10 2002-11-22 Disco Abrasive Syst Ltd Method of dividing object to be worked, and apparatus for expanding space between chips used for the same
JP2002336981A (en) * 2001-05-10 2002-11-26 Japan Science & Technology Corp Method and device for measuring internal machining process for transparent sample by laser

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6344402B1 (en) * 1999-07-28 2002-02-05 Disco Corporation Method of dicing workpiece
TWI228780B (en) * 2000-05-11 2005-03-01 Disco Corp Semiconductor wafer dividing method
JP2004111601A (en) * 2002-09-18 2004-04-08 Tokyo Seimitsu Co Ltd Die bonder

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62256451A (en) * 1986-04-24 1987-11-09 アドヴアンスド セミコンダクタ− マテイリアルズ アメリカ インコ−ポレ−テツド Method and apparatus for expanding vacuum wafer
JPH1126403A (en) * 1997-07-03 1999-01-29 Nec Corp Manufacture of semiconductor wafer
JP2002192367A (en) * 2000-09-13 2002-07-10 Hamamatsu Photonics Kk Laser beam machining method
JP2002334853A (en) * 2001-05-10 2002-11-22 Disco Abrasive Syst Ltd Method of dividing object to be worked, and apparatus for expanding space between chips used for the same
JP2002336981A (en) * 2001-05-10 2002-11-26 Japan Science & Technology Corp Method and device for measuring internal machining process for transparent sample by laser

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007040032A1 (en) * 2005-10-04 2007-04-12 Lintec Corporation Transfer device and transfer method
WO2007040181A1 (en) * 2005-10-04 2007-04-12 Lintec Corporation Method and apparatus for controlling expanding apparatus
JP2007103644A (en) * 2005-10-04 2007-04-19 Lintec Corp Rolling deposition apparatus and method
JP2007103649A (en) * 2005-10-04 2007-04-19 Lintec Corp Method and device for controlling expand device
JP2007134510A (en) * 2005-11-10 2007-05-31 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer mounter
JP4714950B2 (en) * 2005-11-18 2011-07-06 株式会社東京精密 Expanding ring and substrate dividing method using the expanding ring
JP2007142199A (en) * 2005-11-18 2007-06-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd Expand ring and method for splitting substrate using it
JP2007242988A (en) * 2006-03-10 2007-09-20 Nireco Corp Image acquisition method of semiconductor chip
KR100699246B1 (en) 2006-04-03 2007-03-28 주식회사 고려반도체시스템 An aperture change device for wafer laser sawing apparatus and control method therefore
KR100833282B1 (en) 2006-08-24 2008-05-28 세크론 주식회사 Sawing sorter device, and process for Manufacturing Semiconductor using the same
JP2008145345A (en) * 2006-12-12 2008-06-26 Lintec Corp Device and method for measuring chip interval
JP2009064905A (en) * 2007-09-05 2009-03-26 Disco Abrasive Syst Ltd Extension method and extension apparatus
JP2011061140A (en) * 2009-09-14 2011-03-24 Hitachi High-Technologies Corp Film removal inspection device and film removal inspection method, and solar cell panel production line, and solar cell panel production method
TWI755505B (en) * 2017-03-24 2022-02-21 日商迪思科股份有限公司 sheet expansion device
WO2019188518A1 (en) * 2018-03-30 2019-10-03 東京エレクトロン株式会社 Laser processing device and laser processing method
JPWO2019188518A1 (en) * 2018-03-30 2021-03-11 東京エレクトロン株式会社 Laser processing equipment and laser processing method

Also Published As

Publication number Publication date
TW200501252A (en) 2005-01-01
KR20060055457A (en) 2006-05-23
US20060243710A1 (en) 2006-11-02
DE112004000766T5 (en) 2007-01-25
JP4640173B2 (en) 2011-03-02
JPWO2004105109A1 (en) 2006-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4640173B2 (en) Dicing machine
TWI762571B (en) Inspection method, inspection device, and laser processing device for semiconductor ingot
JP5904720B2 (en) Wafer division method
JP4767711B2 (en) Wafer division method
US7605058B2 (en) Wafer dividing method
TWI708285B (en) Inspection method, inspection device, laser processing device, and expansion device for workpiece
KR101999411B1 (en) Wafer machining method
JP4835830B2 (en) Expanding method, apparatus and dicing apparatus
JP6281328B2 (en) Laser dicing apparatus and laser dicing method
JP2007095952A (en) Laser dicing equipment and laser dicing method
JP5721377B2 (en) Split method
JP2004111428A (en) Chip manufacturing method
KR20140118757A (en) Wafer machining method
TW201808511A (en) Method of inspecting laser beam
TWI273660B (en) Die bonder
JP2020068316A (en) Processing method of wafer
KR101876578B1 (en) Sapphire substrate processing method
JP2019021743A (en) Wafer processing method
JP5441111B2 (en) Processing method of plate
JP2014096526A (en) Wafer processing method
JP2005251986A (en) Wafer separation detecting method and apparatus thereof
JP4161298B2 (en) Laser dicing equipment
JP2005109324A (en) Laser beam dicing device
JP2010040727A (en) Method of dividing plate-like body
CN117583724A (en) Laser processing apparatus and method for manufacturing wafer

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

DPEN Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005506368

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006243710

Country of ref document: US

Ref document number: 10555452

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020057021700

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020057021700

Country of ref document: KR

122 Ep: pct application non-entry in european phase
WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10555452

Country of ref document: US