JP4835830B2 - Expanding method, apparatus and dicing apparatus - Google Patents
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Description
本発明はエキスパンド方法、装置及びダイシング装置に係り、特に、半導体や電子部品材料等のワークに切断加工を行う際に使用されるエキスパンド方法、装置及びダイシング装置に関する。 The present invention relates to an expanding method, an apparatus, and a dicing apparatus, and more particularly, to an expanding method, an apparatus, and a dicing apparatus that are used when cutting a workpiece such as a semiconductor or an electronic component material.
半導体製造工程において、表面に半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハは、プロービング工程で電気試験が行われた後、ダイシング工程で個々のチップ(ダイ、又はペレットとも言われる)に分割され、次に個々のチップは、ダイボンディング工程で部品基台にダイボンディングされる。ダイボンディングされた後、チップは樹脂モールドされ、半導体装置や電子部品等の完成品となる。 In a semiconductor manufacturing process, a wafer having a semiconductor device or electronic component formed on the surface is subjected to an electrical test in a probing process, and then divided into individual chips (also referred to as dies or pellets) in a dicing process. Next, individual chips are die-bonded to a component base in a die bonding process. After die bonding, the chip is resin-molded to be a finished product such as a semiconductor device or an electronic component.
プロービング工程の後ウェーハは、図9に示されるように、片面に粘着層が形成された厚さ100μm程度の粘着シート(ダイシングシート又はダイシングテープとも呼ばれる)Sが裏面に貼り付けられ、粘着シートSは剛性のあるリング状のフレームFにマウントされている。ウェーハWはこの状態でダイシング工程内、ダイシング工程とダイボンディング工程との間、及びダイボンディング工程内を搬送される。 After the probing process, as shown in FIG. 9, the adhesive sheet S (also referred to as a dicing sheet or dicing tape) S having an adhesive layer formed on one side and having a thickness of about 100 μm is attached to the back side. Is mounted on a rigid ring-shaped frame F. In this state, the wafer W is transferred in the dicing process, between the dicing process and the die bonding process, and in the die bonding process.
ダイシング工程では、ダイシングブレードと呼ばれる薄型砥石でウェーハWに研削溝を入れてウェーハをカットするダイシング装置が用いられている。ダイシングブレードは、微細なダイヤモンド砥粒をNiで電着したもので、厚さ10μm〜30μm程度の極薄のものが用いられる。 In the dicing process, a dicing apparatus that cuts the wafer by inserting grinding grooves into the wafer W with a thin grindstone called a dicing blade is used. The dicing blade is obtained by electrodepositing fine diamond abrasive grains with Ni, and an extremely thin one having a thickness of about 10 μm to 30 μm is used.
このダイシングブレードを30,000〜60,000rpmで高速回転させてウェーハWに切込み、ウェーハWを完全切断(フルカット)、又は部分切断(ハーフカット)する。フルカットの場合、ウェーハWの裏面に貼られた粘着シートSは、表面から10μm程度しか切り込まれていないので、ウェーハWは個々のチップTに切断されてはいるものの、個々のチップTがバラバラにはならず、チップT同士の配列が崩れていないので全体としてウェーハ状態が保たれている。 The dicing blade is rotated at a high speed of 30,000 to 60,000 rpm to cut into the wafer W, and the wafer W is completely cut (full cut) or partially cut (half cut). In the case of full cut, since the adhesive sheet S stuck on the back surface of the wafer W is cut only about 10 μm from the front surface, the wafer W is cut into individual chips T, but the individual chips T are not cut. Since the arrangement of the chips T is not broken, the wafer state is maintained as a whole.
また、ダイシングブレードを用いずに、ウェーハWの内部に集光点を合わせたレーザー光を照射し、ウェーハ内部に多光子吸収現象による改質領域を形成させ、この改質領域を起点としてウェーハWを割断するレーザーダイシング加工が提案されている。このレーザーダイシング加工の場合も、ウェーハWは図9に示されるような状態でダイシングされるので、チップT同士の配列が崩れず、全体としてウェーハ状態が保たれている。 Further, without using a dicing blade, a laser beam having a focused point is irradiated inside the wafer W to form a modified region due to a multiphoton absorption phenomenon inside the wafer, and the wafer W is started from this modified region. Laser dicing has been proposed to cleave. Also in this laser dicing process, the wafer W is diced in a state as shown in FIG. 9, so that the arrangement of the chips T is not broken and the wafer state is maintained as a whole.
ここでは、このようにダイシング加工されて個々のチップTに分割された後であっても、チップT同士の配列が崩れていないこのチップTの集合体をも便宜上ウェーハWと呼ぶこととする。 Here, even after dicing and dividing into individual chips T in this way, an assembly of the chips T in which the arrangement of the chips T is not broken is also referred to as a wafer W for convenience.
この後、ウェーハWはダイボンディング工程に送られる。ダイボンディング工程ではダイボンダが用いられる。ダイボンダではウェーハWは先ずチャックステージに載置され、次に粘着シートSがエキスパンドされて、チップT同士の間隔が広げられチップTをピックアップし易くする。 Thereafter, the wafer W is sent to a die bonding process. A die bonder is used in the die bonding process. In the die bonder, the wafer W is first placed on the chuck stage, and then the adhesive sheet S is expanded to widen the interval between the chips T so that the chips T can be easily picked up.
次に、下方からチップTをプッシャで突上げるとともに上方からコレットでチップTをピックアップし、基台の所定位置にチップTをボンディングする。 Next, the chip T is pushed up with a pusher from below, and the chip T is picked up with a collet from above, and the chip T is bonded to a predetermined position of the base.
このような、粘着シートSのエキスパンドを行い、チップT間の間隔を広げるエキスパンド方法及びエキスパンド装置は従来から用いられていた。また、このエキスパンド装置における様々な改良開発も行われている(たとえば、特許文献1、及び特許文献2。)。
しかしながら、従来のウェーハのエキスパンドにおいては、フレームFの周辺部材が大掛かりのものとなり、取り扱いが不便であるのみならず、ウェーハのカセットにも収納できず、簡易化、コンパクト化が求められていた。 However, in the conventional wafer expansion, the peripheral members of the frame F are large-sized, which is not only inconvenient to handle but also cannot be stored in the wafer cassette, so that simplification and compactness have been demanded.
すなわち、従来のエキスパンドにおいては、粘着シートSのエキスパンドを行い、チップT間の間隔を広げた状態で、圧手のリング部材を粘着シートSに接着させ、このリング部材により粘着シートSのエキスパンド状態を維持させるいわゆるダブルリング方式を採用していたが、リング部材の厚さが大きく。フレームF等の収納が困難であった。 That is, in the conventional expand, the pressure-sensitive adhesive sheet S is expanded, the pressure member ring member is bonded to the pressure-sensitive adhesive sheet S in a state where the interval between the chips T is widened, and the expanded state of the pressure-sensitive adhesive sheet S is caused by this ring member. The so-called double ring system was used to maintain this, but the thickness of the ring member was large. It was difficult to store the frame F or the like.
本発明は、このような状況に鑑みてなされたもので、分割予定線に沿った線状の改質領域が形成されているウェーハの裏面に貼着した粘着シートのエキスパンドを行い、チップ間の間隔を広げた状態で粘着シートのエキスパンド状態を維持させることができ、この状態でウェーハのカセットに収納できるような、簡易化、コンパクト化が可能なエキスパンド方法、エキスパンド装置及びこのエキスパンド方法、装置が適用されるダイシング装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such a situation, and expands the adhesive sheet adhered to the back surface of the wafer on which the linear modified region along the planned dividing line is formed, and between the chips. The expanded state of the pressure-sensitive adhesive sheet can be maintained in a state where the interval is widened, and the expanded method, the expanded device, and the expanded method and device can be simplified and made compact so that the expanded state can be stored in the cassette of the wafer. An object is to provide an applied dicing apparatus.
本発明は、前記目的を達成するために、表面又は内部に分割予定線に沿った線状の改質領域が形成されているウェーハの裏面に粘着シートを貼着するとともに、前記ウェーハの外径より大きい内径を有する第1の環状部材に前記粘着シートの周縁を係止する貼着工程と、前記粘着シートに張力を加えて引き伸ばすエキスパンド工程と、前記ウェーハの外径より大きい内径を有する第2の環状部材の内周部分に引き伸ばされた前記粘着シートを貼着するとともに、該第2の環状部材を前記第1の環状部材に係止することにより、前記粘着シートの引き伸ばされた状態を維持する拡張保持工程と、を備えることを特徴とするエキスパンド方法を提供する。 In order to achieve the above object, the present invention attaches an adhesive sheet to the back surface of a wafer in which a linear modified region is formed along the predetermined dividing line on the surface or inside, and the outer diameter of the wafer A sticking step for locking the peripheral edge of the pressure-sensitive adhesive sheet to a first annular member having a larger inner diameter, an expanding step for applying tension to the pressure-sensitive adhesive sheet, and a second step having a larger inner diameter than the outer diameter of the wafer The pressure-sensitive adhesive sheet stretched on the inner peripheral portion of the annular member is adhered, and the stretched state of the pressure-sensitive adhesive sheet is maintained by engaging the second annular member with the first annular member. An expanding and holding step, and an expanding method.
また、このために、本発明は、ウェーハの裏面に粘着シートを貼着するとともに、前記ウェーハの外径より大きい内径を有する第1の環状部材に前記粘着シートの周縁を係止する貼着手段と、前記粘着シートを前記ウェーハが貼着された側に凹状に又は凸状に撓ませ、該粘着シートに張力を加えて引き伸ばすエキスパンド手段と、前記ウェーハの外径より大きい内径を有する第2の環状部材を供給し、該第2の環状部材の内周部分に引き伸ばされた前記粘着シートを貼着するとともに、該第2の環状部材の外周部分を前記第1の環状部材に係止する拡張保持手段と、を備えることを特徴とするエキスパンド装置を提供する。 In addition, for this purpose, the present invention attaches a pressure-sensitive adhesive sheet to the back surface of the wafer, and also adheres the peripheral edge of the pressure-sensitive adhesive sheet to the first annular member having an inner diameter larger than the outer diameter of the wafer. Expanding means for bending the adhesive sheet in a concave or convex manner on the side to which the wafer is attached, and applying tension to the adhesive sheet to stretch the second adhesive sheet, and a second inner diameter that is larger than the outer diameter of the wafer. An extension for supplying an annular member, sticking the stretched adhesive sheet to the inner peripheral portion of the second annular member, and locking the outer peripheral portion of the second annular member to the first annular member An expanding device comprising a holding means.
本発明によれば、分割予定線に沿った改質領域が形成されているウェーハの裏面に粘着シートを貼着するとともに、第1の環状部材にこの粘着シートの周縁を係止し、この粘着シートに張力を加えて引き伸ばし、第2の環状部材に引き伸ばされた粘着シートを貼着するとともに、この第2の環状部材を第1の環状部材に係止し、粘着シートの引き伸ばされた状態を維持する。 According to the present invention, the pressure-sensitive adhesive sheet is adhered to the back surface of the wafer on which the modified region along the planned dividing line is formed, and the periphery of the pressure-sensitive adhesive sheet is locked to the first annular member. The sheet is stretched by applying tension, and the adhesive sheet stretched on the second annular member is attached, and the second annular member is locked to the first annular member, and the adhesive sheet is stretched. maintain.
したがって、チップ間の間隔を広げた状態で粘着シートのエキスパンド状態を容易に維持させることができる。これにより、歩留まりを向上させたウェーハのエキスパンドが可能になる。 Therefore, the expanded state of the pressure-sensitive adhesive sheet can be easily maintained with the space between the chips widened. Thereby, it is possible to expand the wafer with improved yield.
なお、表面又は内部の線状の改質領域とは、ウェーハの個々のチップへの分割予定線に沿った線状の領域であり、ウェーハの表面に形成される場合は、ダイシングブレードによるウェーハの完全切断(フルカット)又は部分切断(ハーフカット)が代表的であり、ウェーハの内部に形成される場合は、ウェーハの内部に集光点を合わせたレーザー光の照射による内部亀裂(マイクロクラック)が代表的である。 Note that the surface or internal linear modified region is a linear region along the planned dividing line into individual chips of the wafer, and when formed on the surface of the wafer, the wafer is formed by a dicing blade. Full cut (full cut) or partial cut (half cut) is typical, and when it is formed inside the wafer, internal cracks (micro cracks) due to laser light irradiation with the focused point inside the wafer Is representative.
本発明において、前記エキスパンド工程において、前記ウェーハと略同一の平面サイズを有する型押し板を、前記粘着シートの前記ウェーハが貼着された側の反対側に配し、前記型押し板を前記粘着シートに押しつけて該粘着シートを引き伸ばすことが好ましい。このような構成のエキスパンド手段であれば、粘着シートを均一に引き伸ばすことが容易に行える。 In the present invention, in the expanding step, an embossing plate having a plane size substantially the same as that of the wafer is disposed on the opposite side of the adhesive sheet to the side on which the wafer is adhered, and the embossing plate is disposed on the adhesive sheet. It is preferable to stretch the pressure-sensitive adhesive sheet by pressing it against the sheet. With such an expanding means, the pressure-sensitive adhesive sheet can be easily stretched uniformly.
また、本発明において、前記第1の環状部材の内径と前記第2の環状部材の外径とを略等しく形成し、前記拡張保持工程において、前記第1の環状部材の内径部分に前記第2の環状部材を嵌合させることが好ましい。このように、拡張保持工程において、第1の環状部材の内径部分に第2の環状部材を嵌合させる構成であれば、両者の結合状態が良好となるうえ、コンパクト化(特に、薄型化)が図れる。 Further, in the present invention, the inner diameter of the first annular member and the outer diameter of the second annular member are formed to be substantially equal, and in the expansion holding step, the second annular member is formed on the inner diameter portion of the first annular member. It is preferable to fit the annular member. As described above, in the extended holding step, if the second annular member is fitted to the inner diameter portion of the first annular member, the coupling state between the two becomes good and the size is reduced (particularly, the thickness is reduced). Can be planned.
また、本発明において、前記第1の環状部材の内径より前記第2の環状部材の外径を大きく形成し、前記拡張保持工程において、前記第1の環状部材の内周部分の表面又は裏面に前記第2の環状部材を接着させることが好ましい。このように、拡張保持工程において、第1の環状部材の内周部分の表面又は裏面に第2の環状部材を接着させる構成であれば、簡易な構成で両者の結合状態が良好となる。 Further, in the present invention, the outer diameter of the second annular member is formed larger than the inner diameter of the first annular member, and in the expansion holding step, on the front surface or the back surface of the inner peripheral portion of the first annular member. The second annular member is preferably adhered. Thus, if it is the structure which adhere | attaches the 2nd annular member on the surface or back surface of the inner peripheral part of a 1st annular member in an extended holding process, both will become favorable by simple structure.
以上説明したように、本発明によれば、歩留まりを向上させたウェーハのエキスパンドが行える。 As described above, according to the present invention, it is possible to expand a wafer with improved yield.
以下、添付図面に従って、本発明に係るエキスパンド方法、エキスパンド装置及びこのエキスパンド方法、装置が適用されるダイシング装置の好ましい実施の形態(第1実施形態)について詳説する。なお、各図において同一部材には同一の番号又は符号を付してある。最初に、ダイシング装置の構成について説明する。図1は、本発明に係るダイシング装置の概略構成を示す平面図である。 DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments (first embodiment) of an expanding method, an expanding apparatus, and a dicing apparatus to which the expanding method and apparatus according to the present invention are applied will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, the same number is attached | subjected to the same member in each figure. First, the configuration of the dicing apparatus will be described. FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a dicing apparatus according to the present invention.
図1において、ダイシング装置10では、ウェーハWは図7に示されるように、一方の面に粘着材を有するダイシングシートTに貼付され、このダイシングシートTを介してフレームFと一体化された状態で搬入され、ダイシング装置10内を搬送される。
In FIG. 1, in the
ダイシング装置10は、図1に示されるように、カセット格納部90、エレベータ91、ダイシング部としてのレーザーダイシング部40、エキスパンド部60、ウェーハWの搬送手段61、エキスパンドリング格納部92、エキスパンドリングの搬送手段93、後述する制御部50、及び後述するテレビモニタ36等から構成されている。
As shown in FIG. 1, the
カセット格納部90には、ダイシングシートTを介してフレームFと一体化された状態のウェーハWを多数枚収納したカセットが格納されるようになっている。
The
レーザーダイシング部40は、ウェーハWの表面からレーザー光を入射させ、ウェーハWの内部に改質領域を形成することによってウェーハWを個々のチップにダイシングするようになっている。
The
エキスパンド部60では、ダイシングされたウェーハWが貼付されているダイシングシートTを伸張して、個々のチップ同士の間隔を拡張し、その後、エキスパンドリング64によりチップ同士の間隔が拡張された状態を維持するようになっている。
In the expanding
エキスパンドリング格納部92は、エキスパンドリング64を多数枚収納したカセットが格納されるようになっている。
The expanding
エレベータ91は、エキスパンド部60より搬送手段61で搬送された、フレームFと一体化されエキスパンドされた状態のウェーハWをカセットに収納するようになっている。
The
搬送手段61はフレームFと一体化された状態のウェーハWをダイシング装置10の各部に搬送する手段であり、図の太矢印で示されるように、ウェーハWをカセット格納部90からレーザーダイシング部40へ搬送する第1の搬送、ウェーハWをレーザーダイシング部40からエキスパンド部60へ搬送する第2の搬送、ウェーハWをエキスパンド部60からエレベータ91へ搬送する第3の搬送がそれぞれできるようになっている。
The transfer means 61 is means for transferring the wafer W integrated with the frame F to each part of the
エキスパンドリング搬送手段93は、エキスパンドリング格納部92からエキスパンド部60へエキスパンドリング64を搬送する搬送アームである。
The expand ring transport means 93 is a transport arm that transports the expand
制御部50(図2参照)にはCPU、メモリ、入出力回路部、各種駆動回路部等が備えられるとともに、夫々がバスラインで接続されており、ダイシング装置10の各部の動作を制御するようになっている。テレビモニタ36にはプログラム設定画面や、各種観察画面が映し出されるようになっている。
The control unit 50 (see FIG. 2) includes a CPU, a memory, an input / output circuit unit, various drive circuit units, and the like, and each is connected by a bus line so as to control the operation of each unit of the
本体ベース16上には、図のX方向に配置された2本のXガイドレール17、17が取り付けられている。また、Xガイドレール17、17の上方でXガイドレールを跨いで図のY方向に延びる門型のYガイドレール18が取り付けられている。
On the
Xガイドレール17、17はレーザーダイシング部40のXZθテーブル11(図2参照)をガイドし、XZθテーブル11は図示しない駆動手段によってX方向に移動されるようになっている。この駆動手段にはリニアモータ等、既知の駆動手段が用いられる。
The X guide rails 17 and 17 guide the XZθ table 11 (see FIG. 2) of the
図2は、レーザーダイシング部40の詳細を表わす概念構成図である。レーザーダイシング部40はXZθテーブル11、レーザー光学部20、観察光学部30等で構成されている。
FIG. 2 is a conceptual configuration diagram showing details of the
XZθテーブル11は、Xガイドレール17、17に案内されてX方向に移動するXテーブル12、Xテーブル12上に取り付けられ図のZ方向及びθ方向に駆動されるZθテーブル15とからなり、Zθテーブル15にはダイシングシートTを介してウェーハWを保持する吸着ステージ13と、フレームFを保持する受け台14が取り付けられている。このXZθテーブル11によって、ウェーハWは図のXZθ方向に精密に移動されるようになっている。
The XZθ table 11 includes an X table 12 that is guided by X guide rails 17 and 17 and moves in the X direction, and a Zθ table 15 that is mounted on the X table 12 and is driven in the Z direction and θ direction in the figure. A
レーザー光学部20は、Yテーブル19(図1参照)に取り付けられてY方向に精密にインデックス送りされるようになっており、レーザー発振器21、コリメートレンズ22、ハーフミラー23、コンデンスレンズ24等で構成されている。
The laser
また、観察光学部30は、観察用光源31、コリメートレンズ32、ハーフミラー33、コンデンスレンズ34、観察手段としてのCCDカメラ35、テレビモニタ36等で構成されている。
The observation
レーザー光学部20では、レーザー発振器21から発振されたレーザー光がコリメートレンズ22、ハーフミラー23、コンデンスレンズ24等の光学系を経てウェーハWの内部に集光される。ここでは、集光点におけるピークパワー密度が1×108(W/c m2 )以上でかつパルス幅が1μs以下の条件で、ダイシングテープに対して透過性を有するレーザー光が用いられる。集光点のZ方向位置は、XZθテーブル11のZ方向微動によって調整されるようになっている。
In the laser
観察光学部30では、観察用光源31から出射された照明光がコリメートレンズ32、ハーフミラー33、コンデンスレンズ24等の光学系を経てウェーハWの表面を照射する。ウェーハWの表面からの反射光はコンデンスレンズ24、ハーフミラー23及び33、コンデンスレンズ34を経由して観察手段としてのCCDカメラ35に入射し、ウェーハWの表面画像が撮像されるようになっている。
In the observation
この撮像データは画像処理部38に入力され、ウェーハWのアライメントに用いられるとともに、制御部50を経てテレビモニタ36に写し出されるようになっている。
This imaged data is input to the
図3は、エキスパンド部60の詳細を表わす概念構成図である。エキスパンド部60は、ダイシングシートTに貼付されたままダイシングされたウェーハWの個々のチップCの隣同士の間隔を拡張するためのもので、ダイシングシートTを中心部から外方向に向けて伸張させることによって行うようになっている。
FIG. 3 is a conceptual configuration diagram showing details of the expanding
このエキスパンド部60は、本体ベース16に固定されたベース61、ベース61に取り付けられた受けリング62、受けリング62の外周と滑合して上下動可能に支持され、ダイシングシートTが貼付されたフレームFを下方に押圧するプレスリング63、プレスリング63を上下移動させる図示しないエアーシリンダ等の駆動手段、外径サイズがウェーハWより若干大きい円柱部材である型押し板65、及び型押し板65を上下移動させる図示しないエアーシリンダ等の駆動手段とで構成されている。
The expanded
なお、型押し板65は、必ずしも中実の円柱部材である必要はなく、中空の円筒部材であってもよい。
The
また、図3では図示が省略されているが、図1等に示されるエキスパンドリング64が、エキスパンドリング格納部92からエキスパンドリング搬送手段93により供給されるようになっている。このエキスパンドリング64の詳細については後述する。
Although not shown in FIG. 3, the expand
また、エキスパンド部60には、ウェーハWの状態を確認する検査手段70が設けられている。検査手段70では、光源71から出射された照明光がコリメートレンズ72、ハーフミラー73、コンデンスレンズ74等の光学系を経てウェーハWを照射するようになっている。
The expanding
次に、このように構成されたダイシング装置10の作用について説明する。ダイシングシートTを介してリング状のフレームFにマウントされたウェーハWは、エレベータ91に設けられたクランパによってカセット格納部90に格納されているカセットから引き出され、搬送手段61によってレーザーダイシング部40のXZθテーブル11上に搬送されて吸着ステージ13に吸着保持される。
Next, the operation of the
吸着ステージ13に吸着保持されたウェーハWは最初にCCDカメラ35で表面に形成された回路パターンが撮像され、画像処理部38と制御部50内に設けられたアライメント手段によってθ方向のアライメントとXY方向の位置決めがなされる。
A circuit pattern formed on the surface of the wafer W sucked and held on the
アライメントが終了すると、XZθテーブル11がX方向に移動してウェーハWのダイシングストリートに沿ってレーザー光が入射される。ウェーハWの表面から入射したレーザー光の集光点がウェーハWの厚さ方向の内部に設定されているので、ウェーハの表面を透過したレーザー光は、ウェーハ内部の集光点でエネルギーが集中し、ウェーハWの内部の集光点近傍に多光子吸収によるクラック領域、溶融領域、屈折率変化領域等の改質領域が形成される。これによりウェーハは分子間力のバランスが崩れ、自然に割断するか又は僅かな外力を加えることにより割断されるようになる。 When the alignment is completed, the XZθ table 11 moves in the X direction, and laser light is incident along the dicing street of the wafer W. Since the condensing point of the laser light incident from the surface of the wafer W is set inside the thickness direction of the wafer W, the energy of the laser light transmitted through the surface of the wafer is concentrated at the condensing point inside the wafer. In the vicinity of the condensing point inside the wafer W, modified regions such as a crack region due to multiphoton absorption, a melting region, and a refractive index changing region are formed. As a result, the balance of intermolecular force is lost, and the wafer is cleaved naturally or by applying a slight external force.
1ラインの改質領域の形成が終了すると、レーザー光学部20が取り付けられたYテーブルが1インデックスY方向に送られて、次のダイシングストリートに沿ってレーザー光が入射され、ウェーハ内部に改質領域が形成される。
When the formation of the modified region of one line is completed, the Y table to which the laser
一方向の全てのダイシングストリートについて改質領域形成が行われると、Zθテーブル15が90°回転し、先程のダイシングストリートと直交するダイシングストリートについても全て改質領域形成が行われる。 When the modified region formation is performed for all dicing streets in one direction, the Zθ table 15 is rotated by 90 °, and the modified region formation is also performed for all dicing streets orthogonal to the previous dicing street.
全てのダイシングストリートに対して、内部に改質領域を形成するレーザーダイシングが行われたウェーハWは、搬送手段61によってエキスパンド部60に搬送され、エキスパンド部60に設けられている受けリング62上にセットされる。この際、図3に示される状態とは異なり、型押し板65は下降端に位置しており、プレスリング63は上昇端に位置している。したがって、ダイシングシートTには張力がかけられていない。
The wafer W on which all the dicing streets have been subjected to laser dicing for forming a modified region therein is transported to the expanding
この状態で、プレスリング63が下降してフレームFを押圧し、受けリング62上に固定する。
In this state, the
エキスパンド部60において、ウェーハWは検査手段70によって内部の改質領域形成状態が確認される。確認は光源71からの赤外光をX移動テーブル82及びY移動テーブル81によって走査させながらウェーハ内部の画像を取り込んで行われる。改質領域形成状態はテレビモニタ36に表示された画面によって確認できるとともに、制御部50に設けられた図示しない改質領域形成状態判定部で良否が自動判定される。また、判定結果はレーザー光Lの照射条件にフィードバックされる。
In the expanded
改質領域形成状態が確認されると、次に、型押し板65が図3の太矢印の方向に上昇してダイシングシートTを押し上げ、ダイシングシートTをエキスパンドする。この時、型押し板65の上面の外周縁部65Aは円弧状に面取りされているので、ダイシングシートTはスムースにエキスパンドされ、個々のチップCの間隔が拡張される。
When the reformed region formation state is confirmed, the
次いで、検査手段70によって複数のチップC、C、…の表面が撮像され、エキスパンド状態が検査される。この検査は、図示しないX移動テーブル及びY移動テーブルによって検査手段70をウェーハWの全面にわたって走査して行われ、撮像された画像は画像処理部38で処理された後、この画像データは制御部50に送られる。
Next, the
制御部50ではエキスパンド状態をテレビモニタ36に表示するとともに、チップ間隔が所定量拡張されたか否かを自動判定する。この判定結果もフィードバックされて、型押し板65の上昇量が制御される。また、チップCの周縁部のチッピングの大きさ等もチェックされる。
The
次に、図4(a)に断面図で示されるように、エキスパンドされた状態のダイシングシートTの上方よりエキスパンドリング64が供給される。このエキスパンドリング64の内周部分がダイシングシートTに接着される。これにより、エキスパンドリング64とダイシングシートTとが一体化し、ダイシングシートTのエキスパンドを解除した(型押し板65を下降させる)状態においても、ダイシングシートTがエキスパンドされた状態を維持している。
Next, as shown in a cross-sectional view in FIG. 4A, an expanding
次に、図4(b)に断面図で示されるように、型押し板65を下降させ、次いでエキスパンドリング64を下降させてフレームFの内周部に嵌合させる。これにより、エキスパンドリング64とフレームFとが一体化する。図5は、この状態を示す部分拡大断面図であり、エキスパンドリング64とフレームFの左側部分を示している。
Next, as shown in a cross-sectional view in FIG. 4B, the
図5に示されるように、エキスパンドリング64の外周の下面には、わずかな量の突起64Aが形成されており、エキスパンドリング64の外周の上面には、突起64Aより大きな外径のストッパ64Bが形成されている。このような構成により、エキスパンドリング64を下降させた際に、突起64AがフレームFの内周部を乗り越え、エキスパンドリング64がフレームFの内周部に嵌合するとともに、ストッパ64Bによりこれ以上の下降が阻止される。これにより、エキスパンドリング64とフレームFとが一体化する。
As shown in FIG. 5, a slight amount of
図5に示されるように、この状態で、ダイシングシートTは、左端部がフレームFと接着されており、図4(a)に示された部分がエキスパンドリング64と接着されており、両者の間にたるみを形成している。図6は、図4(b)に状態の上面図であり、この状態のウェーハW、ダイシングシートT、エキスパンドリング64、及びフレームFの位置関係を示している。
As shown in FIG. 5, in this state, the left end of the dicing sheet T is bonded to the frame F, and the portion shown in FIG. 4A is bonded to the expanding
なお、既述の図4及び図6において、ウェーハWの図示は簡略化されているが、いずれの状態においても、ウェーハWはエキスパンドされ、複数のチップC、C、…に分割されている。 4 and 6 described above, the wafer W is illustrated in a simplified manner. However, in any state, the wafer W is expanded and divided into a plurality of chips C, C,.
エキスパンド部60での処理が終了した後、ダイシングシートTに貼付されたままの個々のチップC、C、…はフレームFごと搬送手段によってエキスパンド部60から搬出される。次いでエレベータ91によってカセットの元の位置に戻される。
After the processing in the expanding
このようにして、カセット内に収納されたウェーハWは順次レーザーダイシング部40でダイシングされ、次いでエキスパンド部60で内部に形成された改質領域の形成状態が確認され、エキスパンドされ、更にエキスパンド状態が確認される。このため、ダイシングシートT上のチップC同士の間隔が所定量安定して拡張される。
In this way, the wafers W housed in the cassette are sequentially diced by the
また、1枚のウェーハWのレーザーダイシングが終了し、レーザーダイシング部40からエキスパンド部60に搬送されると、次のウェーハWがまたレーザーダイシング部40に搬入される。従って、改質領域形成状態の確認及びエキスパンド状態確認は次のウェーハWがレーザーダイシングされている時に行うので、ダイシング装置10のスループットを低下させることなくウェーハWの状態を確認することができる。
Further, when the laser dicing of one wafer W is completed and the wafer W is transferred from the
以上説明した本発明の実施形態によれば、チップC、C間の間隔を広げた状態でダイシングシートTのエキスパンド状態を容易に維持させることができる。これにより、歩留まりを向上させたウェーハWのエキスパンドが可能になる。 According to the embodiment of the present invention described above, the expanded state of the dicing sheet T can be easily maintained in a state where the distance between the chips C and C is widened. As a result, it is possible to expand the wafer W with improved yield.
そして、フレームFの内径部分にエキスパンドリング64を嵌合させる構成であるので、両者の結合状態が良好となるうえ、コンパクト化(特に、薄型化)が図れる。このような状態のフレームF等であれば、カセットの元の位置に戻すことができ、工程上も非常に便利である。
And since it is the structure which fits the expand
次に、本発明の他の実施形態(第2実施形態)について説明する。なお、既述の第1実施形態と同一、類似の装置、部材等の説明は省略する。本実施形態において、エキスパンドリング164は外径がフレームFの内径より大きく形成されている。以下、図7及び図8に示される断面図により説明する。なお、図7は、第1実施形態の図4に、図8は、第1実施形態の図5にそれぞれ対応する。
Next, another embodiment (second embodiment) of the present invention will be described. The description of the same or similar devices and members as those in the first embodiment is omitted. In the present embodiment, the expanding
エキスパンド部60において、ウェーハW内部の改質領域形成状態が確認され、ダイシングシートTがエキスパンドされ、制御部50でエキスパンド状態が判定された後、図7(a)に断面図で示されるように、エキスパンドされた状態のダイシングシートTの上方よりエキスパンドリング164が供給される。
As shown in the cross-sectional view of FIG. 7A after the expanded
このエキスパンドリング164の内周部分がダイシングシートTに接着される。これにより、エキスパンドリング164とダイシングシートTとが一体化し、ダイシングシートTのエキスパンドを解除した(型押し板65を下降させる)状態においても、ダイシングシートTがエキスパンドされた状態を維持している。
The inner peripheral portion of the expand
次に、図7(b)に断面図で示されるように、型押し板65を下降させ、次いでエキスパンドリング164を下降させてフレームFの内周部に接着させる。このエキスパンドリング164の外周部分の下面、又は、フレームFの内周部分の上面には、予め接着剤又は粘着剤(両面接着シートも含む)が形成(塗布等)されており、これにより、エキスパンドリング164とフレームFとが一体化する。図8は、この状態を示す部分拡大断面図であり、エキスパンドリング164とフレームFの左側部分を示している。
Next, as shown in a cross-sectional view in FIG. 7B, the
図8に示されるように、この状態で、ダイシングシートTは、左端部がフレームFと接着されており、図7(a)に示された部分がエキスパンドリング164と接着されており、両者の間にたるみを形成している。
As shown in FIG. 8, in this state, the dicing sheet T is bonded to the frame F at the left end, and the portion shown in FIG. 7A is bonded to the expanding
このような構成によっても、既述の第1実施形態と同様の効果が得られる。 Even with such a configuration, the same effects as those of the first embodiment described above can be obtained.
以上、本発明に係るエキスパンド方法、装置及びダイシング装置の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各種の態様が採り得る。 As mentioned above, although the embodiment of the expanding method, apparatus, and dicing apparatus according to the present invention has been described, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various aspects can be adopted.
たとえば、本実施形態においては、ダイシング部にはレーザー光を用いてウェーハWの内部に改質領域を形成させるレーザーダイシング部40を用いたが、本発明はこれに限らず、ダイシングブレードを用いたダイシング部であってもよい。この場合は、検査手段70は改質領域形成状態の確認を行う必要はなく、従って光源71は赤外光の必要がなく、白色光光源で構わない。
For example, in the present embodiment, the
また、本実施形態においては、ウェーハWは検査手段70によって内部の改質領域形成状態が確認されているが、このような検査手段70は必須の構成ではなく、装置をシンプルにしたり、安価なものとする場合には省略できる。 In this embodiment, the wafer W is confirmed to have an internal modified region formed by the inspection means 70. However, such an inspection means 70 is not an essential configuration, and the apparatus is simplified or inexpensive. If it is intended, it can be omitted.
更に、本第2実施形態においては、エキスパンド部60において、エキスパンドリング164の外周部分の下面とフレームFの内周部分の上面とを接着させているが、これ以外の態様も採り得る。たとえば、ダイシングシートTが下方に凸になるようにエキスパンドさせ、その状態で、エキスパンドリング164の内周部分の上面をダイシングシートTの裏面に接着させ、次いで、エキスパンドリング164の外周部分の上面をとフレームFの内周部分の下面とを接着させる態様も採り得、同様の効果が得られる。
Furthermore, in the second embodiment, in the expanded
10…ダイシング装置、11…XZθテーブル、20…レーザー光学部、30…観察光学部、40…レーザーダイシング部、50…制御部、60…エキスパンド部、64…エキスパンドリング、70…検査手段、C…チップ、F…フレーム、L…レーザー光、P…改質領域、T…ダイシングシート、W…ウェーハ
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記粘着シートに張力を加えて引き伸ばすエキスパンド工程と、
前記ウェーハの外径より大きい内径を有し、前記第1の環状部材の内径と略等しい外径を有する第2の環状部材の内周部分に引き伸ばされた前記粘着シートを貼着するとともに、該第2の環状部材を前記第1の環状部材に係止することにより、前記粘着シートの引き伸ばされた状態を維持する拡張保持工程と、を備え、
前記エキスパンド工程では、前記ウェーハと略同一の平面サイズを有する型押し板を、前記粘着シートの前記ウェーハが貼着された側の反対側に配し、前記型押し板を前記粘着シートに押しつけて該粘着シートを引き伸ばし、
前記拡張保持工程では、前記第2の環状部材の外周の面のうち前記粘着シートが貼付された面側に形成された第1突起と、前記粘着シートが貼付された面と反対側に形成された第2突起とで前記第1の環状部材を挟持させることにより前記第1の環状部材の内径部分に前記第2の環状部材を嵌合させることを特徴とするエキスパンド方法。 The first annular member having an inner diameter larger than the outer diameter of the wafer is attached to the back surface of the wafer in which a linear modified region along the planned dividing line is formed on the front surface or inside. A sticking step for locking the periphery of the adhesive sheet;
An expanding step in which tension is applied to the pressure-sensitive adhesive sheet to expand it;
Have a larger inner diameter than the outer diameter of the wafer, thereby adhering the said adhesive sheet stretched on the inner peripheral portion of the second annular member having an outer diameter substantially equal to the inner diameter of the first annular member, the An extended holding step of maintaining the stretched state of the adhesive sheet by locking the second annular member to the first annular member ,
In the expanding step, an embossing plate having substantially the same plane size as the wafer is disposed on the opposite side of the adhesive sheet to the side on which the wafer is adhered, and the embossing plate is pressed against the adhesive sheet. Stretch the adhesive sheet,
In the extended holding step, the first protrusion formed on the surface side to which the adhesive sheet is affixed among the outer peripheral surfaces of the second annular member, and the opposite side to the surface to which the adhesive sheet is affixed. An expanding method characterized in that the second annular member is fitted to the inner diameter portion of the first annular member by sandwiching the first annular member with the second protrusion .
前記粘着シートに張力を加えて引き伸ばすエキスパンド工程と、
前記ウェーハの外径より大きい内径を有し、前記第1の環状部材の内径より大きい外径を有する第2の環状部材の内周部分に引き伸ばされた前記粘着シートを貼着するとともに、該第2の環状部材を前記第1の環状部材に係止することにより、前記粘着シートの引き伸ばされた状態を維持する拡張保持工程と、を備え、
前記エキスパンド工程では、前記ウェーハと略同一の平面サイズを有する型押し板を、前記粘着シートの前記ウェーハが貼着された側の反対側に配し、前記型押し板を前記粘着シートに押しつけて該粘着シートを引き伸ばし、
前記拡張保持工程では、前記第1の環状部材の内周部分の面のうち前記粘着シートが貼付されていない側に前記第2の環状部材を接着させることを特徴とするエキスパンド方法。 The first annular member having an inner diameter larger than the outer diameter of the wafer is attached to the back surface of the wafer in which a linear modified region along the planned dividing line is formed on the front surface or inside. A sticking step for locking the periphery of the adhesive sheet;
An expanding step in which tension is applied to the pressure-sensitive adhesive sheet to expand it;
Have a larger inner diameter than the outer diameter of the wafer, thereby adhering the adhesive sheet stretched on the inner peripheral portion of the second annular member having an inner diameter larger than the outer diameter of said first annular member, said An extended holding step of maintaining the stretched state of the pressure-sensitive adhesive sheet by locking the annular member of 2 to the first annular member ,
In the expanding step, an embossing plate having substantially the same plane size as the wafer is disposed on the opposite side of the adhesive sheet to the side on which the wafer is adhered, and the embossing plate is pressed against the adhesive sheet. Stretch the adhesive sheet,
In the expanding and holding step, the second annular member is bonded to the side of the inner peripheral portion of the first annular member on the side where the adhesive sheet is not attached .
前記ウェーハの外径より大きい内径を有し、前記第1の環状部材の内径と略等しい外径を有する第2の環状部材と、
表面又は内部に分割予定線に沿った線状の改質領域が形成されているウェーハの裏面に粘着シートを貼着するとともに、前記第1の環状部材に前記粘着シートの周縁を係止する貼着手段と、
前記粘着シートに張力を加えて引き伸ばすエキスパンド手段と、
前記第2の環状部材の内周部分に引き伸ばされた前記粘着シートを貼着するとともに、該第2の環状部材を前記第1の環状部材に係止することにより、前記粘着シートの引き伸ばされた状態を維持する拡張保持手段と、
を備え、
前記エキスパンド手段は、前記ウェーハと略同一の平面サイズを有する型押し板を、前記粘着シートの前記ウェーハが貼着された側の反対側に配し、前記型押し板を前記粘着シートに押しつけて該粘着シートを引き伸ばし、
前記拡張保持手段は、前記第2の環状部材の外周の面のうち前記粘着シートが貼付された面側に形成された第1突起と、前記粘着シートが貼付された面と反対側に形成された第2突起とで前記第1の環状部材を挟持させることにより前記第1の環状部材の内径部分に前記第2の環状部材を嵌合させることを特徴とするエキスパンド装置。 A first annular member having an inner diameter greater than the outer diameter of the wafer;
A second annular member having an inner diameter greater than the outer diameter of the wafer and having an outer diameter substantially equal to the inner diameter of the first annular member;
Affixing a pressure sensitive adhesive sheet on the back surface of a wafer having a line-shaped modified region formed along a predetermined dividing line on the front surface or inside, and affixing the peripheral edge of the pressure sensitive adhesive sheet to the first annular member Wearing means,
Expanding means for applying tension to the pressure-sensitive adhesive sheet to expand it;
The pressure-sensitive adhesive sheet was stretched by adhering the stretched pressure-sensitive adhesive sheet to the inner peripheral portion of the second annular member and engaging the second annular member with the first annular member. Extended holding means for maintaining the state;
With
The expanding means arranges an embossing plate having a plane size substantially the same as that of the wafer on the opposite side of the pressure-sensitive adhesive sheet from which the wafer is adhered, and presses the embossing plate against the pressure-sensitive adhesive sheet. Stretch the adhesive sheet,
The expansion holding means is formed on a side opposite to the surface on which the pressure-sensitive adhesive sheet is adhered, and a first protrusion formed on the surface of the outer surface of the second annular member on which the pressure-sensitive adhesive sheet is adhered. An expanding apparatus, wherein the second annular member is fitted into an inner diameter portion of the first annular member by sandwiching the first annular member with the second protrusion .
前記ウェーハの外径より大きい内径を有し、前記第1の環状部材の内径より大きい外径を有する第2の環状部材と、
表面又は内部に分割予定線に沿った線状の改質領域が形成されているウェーハの裏面に粘着シートを貼着するとともに、前記第1の環状部材に前記粘着シートの周縁を係止する貼着手段と、
前記粘着シートに張力を加えて引き伸ばすエキスパンド手段と、
前記第2の環状部材の内周部分に引き伸ばされた前記粘着シートを貼着するとともに、該第2の環状部材を前記第1の環状部材に係止することにより、前記粘着シートの引き伸ばされた状態を維持する拡張保持手段と、
を備え、
前記エキスパンド手段は、前記ウェーハと略同一の平面サイズを有する型押し板を、前記粘着シートの前記ウェーハが貼着された側の反対側に配し、前記型押し板を前記粘着シートに押しつけて該粘着シートを引き伸ばし、
前記拡張保持手段は、前記第1の環状部材の内周部分の面のうち前記粘着シートが貼付されていない側に前記第2の環状部材を接着させることを特徴とするエキスパンド装置。 A first annular member having an inner diameter greater than the outer diameter of the wafer;
A second annular member having an inner diameter greater than the outer diameter of the wafer and having an outer diameter greater than the inner diameter of the first annular member;
Affixing a pressure sensitive adhesive sheet on the back surface of a wafer having a line-shaped modified region formed along a predetermined dividing line on the front surface or inside, and affixing the peripheral edge of the pressure sensitive adhesive sheet to the first annular member Wearing means,
Expanding means for applying tension to the pressure-sensitive adhesive sheet to expand it;
The pressure-sensitive adhesive sheet was stretched by adhering the stretched pressure-sensitive adhesive sheet to the inner peripheral portion of the second annular member and engaging the second annular member with the first annular member. Extended holding means for maintaining the state;
With
The expanding means arranges an embossing plate having a plane size substantially the same as that of the wafer on the opposite side of the pressure-sensitive adhesive sheet from which the wafer is adhered, and presses the embossing plate against the pressure-sensitive adhesive sheet. Stretch the adhesive sheet,
The expanding and holding means is configured to adhere the second annular member to a side of the inner peripheral portion of the first annular member on the side where the adhesive sheet is not attached .
請求項4または5に記載のエキスパンド装置と、
前記ウェーハを保管するウェーハ保管手段と
前記ダイシング手段、エキスパンド装置及びウェーハ保管手段の間で前記ウェーハを搬送する搬送手段と、を備えることを特徴とするダイシング装置。 A dicing means for forming a linear modified region along the planned dividing line on the surface or inside of the wafer;
The expanding device according to claim 4 or 5 ,
Dicing apparatus, comprising a conveying means for transporting the wafers between the wafer storage means for storing the previous SL wafer wherein the dicing unit, expanding apparatus and wafer storage means.
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Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR102443290B1 (en) * | 2016-07-13 | 2022-09-14 | 유니버셜 인스트루먼츠 코퍼레이션 | Modular Die Handling System |
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CN109891556B (en) * | 2016-10-28 | 2022-11-22 | 株式会社东京精密 | Workpiece dividing device and workpiece dividing method |
DE102017201154A1 (en) * | 2017-01-25 | 2018-07-26 | Disco Corporation | Method for processing a wafer and wafer processing system |
CN112736012A (en) * | 2021-01-18 | 2021-04-30 | 东莞市瑞勤电子有限公司 | Crystal expansion device, crystal expansion equipment and wafer processing method |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6323334A (en) * | 1987-05-29 | 1988-01-30 | Sony Corp | Processing of semiconductor element |
JPH0346253A (en) * | 1989-07-14 | 1991-02-27 | Fujitsu Ltd | Wafer extending device |
JPH0446253A (en) * | 1990-06-06 | 1992-02-17 | Uchi Nippon Syst:Kk | Actuator mechanism having displacement enlarging and power assisting function |
JP2759165B2 (en) * | 1992-04-28 | 1998-05-28 | カシオ計算機株式会社 | Wafer mounting sheet expanding method and apparatus |
JP4167094B2 (en) * | 2003-03-10 | 2008-10-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | Laser processing method |
JP2004349456A (en) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Expand tool |
JP2005332969A (en) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Lintec Corp | Fixture and fixing method of dicing tape |
JP4714950B2 (en) * | 2005-11-18 | 2011-07-06 | 株式会社東京精密 | Expanding ring and substrate dividing method using the expanding ring |
-
2005
- 2005-12-22 JP JP2005370191A patent/JP4835830B2/en active Active
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Publication number | Publication date |
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