JP2007242988A - Image acquisition method of semiconductor chip - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体チップの画像取得方法に関する。 The present invention relates to an image acquisition method for a semiconductor chip.
LED或いはその他の半導体チップは、多数の半導体チップが縦横に配列されてなるウェハの状態で製造される。 The LED or other semiconductor chip is manufactured in a wafer state in which a large number of semiconductor chips are arranged vertically and horizontally.
このウェハは、以下に説明するようにして個々の半導体チップに分離される。 The wafer is separated into individual semiconductor chips as described below.
図1はウェハを半導体チップに分離する工程を説明するための図である。 FIG. 1 is a diagram for explaining a process of separating a wafer into semiconductor chips.
図1に示すように、ウェハ1をフィルム2上に貼り付けた状態で、該フィルム2を、図1に矢印を示すように、周囲に引き延ばす。すると、ウェハ1を構成する個々の半導体チップが互いに分離する。
As shown in FIG. 1, with the
図2に斜視図を示すように、分離された多数の半導体チップからなるチップ群3が貼り付けられた状態のフィルム2は、適度な張力でリング状の枠状体4の一方の開口端に貼り付けられる。
As shown in the perspective view of FIG. 2, the
半導体チップは、上記のようにフィルム2を引き延ばすことにより分離される際に、割れや欠けを生じたり、キズを生じたり、隣り合う半導体チップどうしが分離されないままの状態となったり、或いは、分離後の半導体チップどうしが重なり合った状態となったりする問題が生じることがある。これらの問題が生じた半導体チップは欠陥品として扱う必要がある。
When the semiconductor chip is separated by stretching the
このため、分離後の半導体チップは、欠陥が生じているか否かの検査に供される。 For this reason, the separated semiconductor chip is subjected to an inspection as to whether or not a defect has occurred.
従来、分離後の半導体チップの検査は、作業者が目視で行っていた。 Conventionally, inspection of a semiconductor chip after separation has been performed visually by an operator.
なお、分離後の半導体チップの検査に関する先行技術文献は見つけることができなかった。 It should be noted that no prior art document relating to the inspection of the semiconductor chip after separation could not be found.
しかしながら、半導体チップは寸法が非常に小さく、しかも、1枚のウェハを構成する半導体チップの数は非常に多いため、分離後の半導体チップの検査を作業者が目視で行うには、大変な労力が必要であった。 However, the size of the semiconductor chip is very small, and the number of semiconductor chips constituting one wafer is very large. Therefore, it is very laborious for an operator to visually inspect the semiconductor chip after separation. Was necessary.
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、半導体チップの検査における労力の軽減に寄与する半導体チップの画像取得方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a method for acquiring an image of a semiconductor chip that contributes to reducing labor in the inspection of a semiconductor chip.
半導体チップの検査の労力を軽減するためには、画像認識技術を採り入れて検査を行うことが考えられる。 In order to reduce the labor of inspection of a semiconductor chip, it is conceivable to perform inspection by adopting an image recognition technique.
画像認識技術を用いて半導体チップを検査するには、図2に示すようにリング4上にフィルム2を貼り付けた状態で、該フィルム2上のチップ群3の画像を取得し、該取得した画像を解析することが挙げられる。
In order to inspect the semiconductor chip using the image recognition technology, an image of the
画像の取得は、例えば、ラインセンサカメラをフィルム2上において走査させることにより行う。
Acquisition of an image is performed by, for example, scanning a line sensor camera on the
ここで、半導体チップは微細なものである。このため、半導体チップの精密な検査には、高解像度の画像を取得する必要がある。 Here, the semiconductor chip is fine. For this reason, it is necessary to acquire a high-resolution image for precise inspection of the semiconductor chip.
チップ群3には極めて多数の半導体チップが含まれているため、チップ群3の全ての半導体チップについて高解像度の画像を取得し、更に、取得した全ての画像を用いて半導体チップの欠陥の検査を行うには、多くの時間を要する。
Since the
ところで、高解像度の画像を用いなくとも半導体チップに明らかな欠陥があることが認識できる場合がある。 By the way, it may be recognized that there is a clear defect in the semiconductor chip without using a high-resolution image.
すなわち、例えば、半導体チップに生じた割れや欠けが大きかったり、隣り合う半導体チップどうしが分離されないままの状態となっていたり、或いは、分離後の半導体チップどうしが重なり合った状態となっていたりする場合は、比較的低解像度の画像を用いるだけで半導体チップの欠陥を認識することができる。 That is, for example, when a crack or chip generated in a semiconductor chip is large, adjacent semiconductor chips are not separated from each other, or separated semiconductor chips are overlapped with each other Can recognize a defect of a semiconductor chip only by using a relatively low resolution image.
そこで、本発明の半導体チップの画像取得方法は、半導体ウェハが貼り付けられたフィルムを引き延ばすことにより前記半導体ウェハを複数の半導体チップに分割した状態で、半導体チップの検査用の画像を取得する方法において、前記フィルム上の半導体チップの画像を比較的低解像度で取得する第1の過程と、前記フィルム上の半導体チップの画像を比較的高解像度で取得する第2の過程と、前記第1の過程により取得された画像に基づき、前記第2の過程による画像の取得領域を決定する第3の過程と、を備えることを特徴としている。 Therefore, the semiconductor chip image acquisition method of the present invention is a method of acquiring an image for inspection of a semiconductor chip in a state where the semiconductor wafer is divided into a plurality of semiconductor chips by stretching a film to which the semiconductor wafer is attached. A first process of acquiring an image of the semiconductor chip on the film at a relatively low resolution, a second process of acquiring an image of the semiconductor chip on the film at a relatively high resolution, and the first process And a third step of determining an image acquisition area in the second step based on the image acquired in the step.
本発明の半導体チップの画像取得方法においては、前記第1の過程は、前記フィルム上において複数の半導体チップからなるチップ群が存在する領域を複数の領域に分割し、該分割された個々の領域毎に順次に画像を取得する複数の撮像過程からなり、前記第1の過程における最初の撮像過程により得られた画像に基づき、チップ群における半導体チップの配列の傾きを判定する第4の過程を行い、前記第4の過程により、半導体チップの配列が傾いていると判定された場合には、この傾きを修正すべく前記フィルムの姿勢を修正する第5の過程を行った後で、前記第1の過程を始めからやり直すことが好ましい。
In the semiconductor chip image acquisition method of the present invention, the first step is to divide an area where a chip group composed of a plurality of semiconductor chips exists on the film into a plurality of areas, and to divide the divided areas into individual areas. A fourth process for determining the inclination of the arrangement of the semiconductor chips in the chip group based on the image obtained by the first imaging process in the first process. If it is determined in the fourth step that the semiconductor chip array is tilted, the fifth step of correcting the posture of the film to correct the tilt is performed, and then the second step is performed. It is preferable to redo the
本発明の半導体チップの画像取得方法においては、前記第1の過程は、前記フィルム上において複数の半導体チップからなるチップ群が存在する領域を複数の領域に分割し、該分割された個々の領域毎に順次に画像を取得する複数の撮像過程からなり、前記第1の過程を構成する一の撮像過程により得られた画像内に、当該画像から一部がはみ出している半導体チップが存在する場合には、前記一の撮像過程の次に行われる撮像過程では、前記はみ出した半導体チップの全体を含むような画像を撮像できるように、前記一の撮像過程の次に行われる撮像過程での撮像範囲を設定することが好ましい。 In the semiconductor chip image acquisition method of the present invention, the first step is to divide an area where a chip group composed of a plurality of semiconductor chips exists on the film into a plurality of areas, and to divide the divided areas into individual areas. When there are semiconductor chips that consist of a plurality of imaging processes that sequentially acquire images each time, and in the image obtained by one imaging process that constitutes the first process, a part of the semiconductor chip protrudes from the image In the imaging process performed after the one imaging process, imaging in the imaging process performed next to the one imaging process is performed so that an image including the whole of the protruding semiconductor chip can be captured. It is preferable to set the range.
同様に、本発明の半導体チップの画像取得方法においては、前記第2の過程は、前記フィルム上において複数の半導体チップからなるチップ群が存在する領域を複数の領域に分割し、該分割された個々の領域毎に順次に画像を取得する複数の撮像過程からなり、前記第2の過程を構成する一の撮像過程により得られた画像内に、当該画像から一部がはみ出している半導体チップが存在する場合には、前記一の撮像過程の次に行われる撮像過程では、前記はみ出した半導体チップの全体を含むような画像を撮像できるように、前記一の撮像過程の次に行われる撮像過程での撮像範囲を設定することが好ましい。 Similarly, in the semiconductor chip image acquisition method of the present invention, in the second step, an area where a chip group consisting of a plurality of semiconductor chips exists on the film is divided into a plurality of areas, and the division is performed. A semiconductor chip consisting of a plurality of imaging processes for acquiring images sequentially for each region, and a part of the semiconductor chip protruding from the image in the one imaging process constituting the second process. If present, in the imaging process performed after the one imaging process, the imaging process performed after the one imaging process so that an image including the entire protruding semiconductor chip can be captured. It is preferable to set the imaging range at.
本発明の半導体チップの画像取得方法においては、前記第1の過程により取得された画像に基づいて、各半導体チップの座標を決定する第6の過程を更に備えることが好ましい。 The semiconductor chip image acquisition method of the present invention preferably further comprises a sixth step of determining the coordinates of each semiconductor chip based on the image acquired in the first step.
本発明によれば、フィルム上の半導体チップの画像を比較的低解像度で取得する第1の過程と、フィルム上の半導体チップの画像を比較的高解像度で取得する第2の過程と、第1の過程により取得された画像に基づき、第2の過程による画像の取得領域を決定する第3の過程と、を備えるので、例えば、低解像度の画像を用いるだけで半導体チップに明らかな欠陥があることが認識できる場合には、その半導体チップについては高解像度の画像を取得することを省略することができる。或いは、低解像度の画像から、半導体チップの存在しない余白領域の存在を判断し、その余白領域については高解像度の画像を取得することを省略することができる。よって、半導体チップの欠陥の検査に要する時間を短縮することができる。 According to the present invention, a first process of acquiring an image of a semiconductor chip on a film with a relatively low resolution, a second process of acquiring an image of a semiconductor chip on a film with a relatively high resolution, And a third process for determining an image acquisition area in the second process based on the image acquired in the process of, for example, the semiconductor chip has an obvious defect only by using a low-resolution image. If this can be recognized, it is possible to omit obtaining a high-resolution image for the semiconductor chip. Alternatively, it is possible to omit the determination of the presence of a blank area in which no semiconductor chip is present from a low-resolution image, and obtaining a high-resolution image for the blank area. Therefore, it is possible to shorten the time required for the inspection of the defect of the semiconductor chip.
以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態について説明する。 Embodiments according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
本実施形態では、本発明に係る半導体チップの画像取得方法の好適な一例として、LED(Light Emitting Diode)チップの画像取得方法について説明する。 In the present embodiment, as a preferred example of an image acquisition method for a semiconductor chip according to the present invention, an image acquisition method for an LED (Light Emitting Diode) chip will be described.
図3はLEDチップの平面図である。 FIG. 3 is a plan view of the LED chip.
図3に示すように、LEDチップ7は、基板8と、この基板8上に形成されたプラス電極9及びマイナス電極10と、を備えている。
As shown in FIG. 3, the
このようなLEDチップ7は、多数のLEDチップ7が縦横に配列されてなるウェハ1(図1参照)の状態で製造される。
Such an
このウェハ1は、図1に示すように、フィルム2上に貼り付けた状態で、該フィルム2を周囲に引き延ばすことにより、個々のLEDチップ7に分離される。
As shown in FIG. 1, the
更に、分離された多数のLEDチップ7からなるチップ群3が貼り付けられた状態のフィルム2は、図2に示すように、適度な張力でリング状の枠状体4の一方の開口端に貼り付けられる。
Furthermore, the
本実施形態では、例えば、ラインセンサカメラを用いて、フィルム2上のLEDチップ7の画像を取得する。例えば、フィルム2を下方より照明しながら、フィルム2の上方よりラインセンサカメラによりLEDチップ7を撮像することにより、好適に画像を撮像することができる。なお、ラインセンサカメラとしては、解像度を低解像度及び高解像度に切り替え可能なものを用いる。
In the present embodiment, for example, an image of the
LEDチップ7は微細なものであるため、LEDチップ7の精密な検査には、高解像度の画像を取得する必要がある。
Since the
チップ群3には極めて多数のLEDチップ7が含まれているため、チップ群3のLEDチップ7について高解像度の画像を取得し、更に、取得した全ての画像を用いてLEDチップ7の欠陥の検査を行うには、多くの時間を要する。
Since the
ところで、高解像度の画像を用いなくともLEDチップ7に明らかな欠陥があることが認識できる場合がある。
By the way, it may be recognized that the
すなわち、例えば、LEDチップ7に生じた割れや欠けが大きかったり、隣り合うLEDチップ7どうしが分離されないままの状態となっていたり、或いは、分離後のLEDチップ7どうしが重なり合った状態となっていたりする場合は、比較的低解像度の画像を用いるだけでLEDチップ7の欠陥を認識することができる。
That is, for example, cracks and chips generated in the
そこで、本実施形態においては、先ず、比較的低解像度(例えば、20μm程度の分解能)でフィルム2の面上のLEDチップ7の画像を取得する。
Therefore, in the present embodiment, first, an image of the
次に、取得された低解像度の画像に基づき、フィルム2の面上において比較的高解像度(例えば、1μm程度の分解能)での画像の取得が不要な領域を画像解析により判定する。
Next, based on the acquired low-resolution image, an area on the surface of the
すなわち、例えば、比較的低解像度の画像を確認するだけで明らかに欠陥が分かるようなLEDチップ7については、比較的高解像度の画像を用いて改めて欠陥の有無を調べる必要がない。このため、比較的低解像度の画像を確認するだけで明らかに欠陥が分かるようなLEDチップ7の存在領域は、比較的高解像度での画像の取得が不要な領域であると判定する。
That is, for example, for the
次に、比較的高解像度での画像の取得が不要と判定された領域を除く領域のLEDチップ7の画像を比較的高解像度で取得する。
Next, an image of the
そして、比較的高解像度の画像を用いて、各LEDチップ7について、欠陥の有無を検出する。
And the presence or absence of a defect is detected about each
なお、比較的低解像度の画像を取得する処理、得られた比較的低解像度の画像に基づく画像解析により比較的高解像度の画像の取得が不要な領域を判定する処理、比較的低解像度の画像を取得する処理、及び、比較的高解像度の画像を用いて各LEDチップ7の欠陥の有無を検出する処理は、何れもコンピュータ処理により自動的に行う。
In addition, processing for acquiring a relatively low resolution image, processing for determining an area that does not require acquisition of a relatively high resolution image by image analysis based on the obtained relatively low resolution image, and relatively low resolution image And the process of detecting the presence or absence of defects in each
図4はフィルム2上に貼り付けられた状態のチップ群3を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing the
図4に示すように、ラインセンサカメラによる比較的低解像度の撮像は、フィルム2上においてチップ群3が存在する領域を複数の領域に分割し、個々の領域毎に、順次、ラインセンサカメラを走査させることにより行う。
As shown in FIG. 4, relatively low resolution imaging by the line sensor camera is performed by dividing the area where the
すなわち、例えば、チップ群3を4つの領域に分割する場合は、先ず、図4の矢印Aに沿ってラインセンサカメラを走査させることによりチップ群3の第1領域3Aの画像を取得し、次に、矢印Bに沿ってラインセンサカメラを走査させることによりチップ群3の第2領域3Bの画像を取得し、矢印Cに沿ってラインセンサカメラを走査させることによりチップ群3の第3領域3Cの画像を取得し、矢印Dに沿ってラインセンサカメラを走査させることによりチップ群3の第4領域3Dの画像を取得することにより、チップ群3の全領域について、比較的低解像度の画像を取得することができる。
That is, for example, when the
ここで、図5はチップ群3を構成するLEDチップ7の配列を示す平面図である。なお、図5においては、一部のLEDチップ7にのみ符号を付している。また、図5においては、簡単のため、チップ群3における一部の領域のみを示す。
Here, FIG. 5 is a plan view showing the arrangement of the
LEDチップ7は、図5に示すようにフィルム2上において整然と縦横に配列された状態となることが理想的である。
The LED chips 7 are ideally arranged in an orderly and horizontal arrangement on the
このようにLEDチップ7が整然と配列されている場合は、例えば、図4及び図5に示す境界線6に沿って第1領域3A(図3)と第2領域3B(図3)とを分割し、それぞれの領域を順次に比較的低解像度で撮像し、同様に、第3領域3C及び第4領域3Dの画像も順次に取得すれば良い。
When the
ところで、LEDチップ7を分離させるためにフィルム2を引き伸ばす結果、LEDチップ7の配列が乱れた状態となる場合がある。
By the way, as a result of stretching the
例えば、図6は、LEDチップ7の配列が傾いた場合を示す平面図である。
For example, FIG. 6 is a plan view showing a case where the arrangement of the
図6に示す例の場合、図6に示す境界線6に沿って第1領域3A(図3参照)と第2領域3B(図3参照)とを分割し、それぞれの領域を別個に撮像したのでは、LEDチップ7の配列が傾いているために、欠陥の検査が困難となる。
In the case of the example shown in FIG. 6, the
また、各LEDチップ7は、取得した低解像度の画像に基づいて、各々の座標を決定し、以後の工程で管理することが好ましいが、LEDチップ7の配列が傾いていると、座標の決定に不都合である。
Further, it is preferable that each
そこで、本実施形態では、図4に示す4つの領域3A〜3Dのうち、最初に取得する第1の領域3Aの画像に基づく画像認識処理により、チップ群3の配列の傾きを判定する。
Therefore, in the present embodiment, the inclination of the array of the
例えば、図6に示すようにチップ群3の配列が傾いている場合は、その旨を第1の領域3Aの画像に基づき判定することができるので、図7に示すようにフィルム2をリング状の枠状体4(図2)ごと矢印E方向に回転させることにより、チップ群3の配列の傾きを修正することができる。
For example, when the arrangement of the
ここで、リング状の枠状体4は、水平面において回転可能なステージ上に水平に配置されている。
Here, the ring-shaped frame-
従って、このステージをモータなどの駆動手段により回転駆動させることにより、フィルム2をリング状の枠状体4ごと矢印E方向に回転させてフィルム2の姿勢を修正することができる。
Therefore, by rotating this stage by a driving means such as a motor, the
このようにフィルム2の姿勢を修正した後は、第1の領域3Aの画像を比較的低解像度で再度取得し、続いて、第2乃至第4の領域3B〜3Dの画像も同様に比較的低解像度で順次取得する。
After correcting the posture of the
ところで、図5においてはLEDチップ7が規則的に縦横に配列されており傾きもない例を示し、図6においてはチップ群3が傾いているもののLEDチップ7は規則的に配列されている例を示したが、実際には、フィルム2上のLEDチップ7が不規則な配列となることも多い。
Incidentally, FIG. 5 shows an example in which the
図8は、チップ群3を構成するLEDチップ7の列のうち、不規則に配列された1つの列のみを示す平面図である。
FIG. 8 is a plan view showing only one row irregularly arranged among the rows of
図8に示すLEDチップ7の列において、LEDチップ7Aは列からずれている。
In the row of
このため、例えば、図8に示す境界線6に沿って第1領域3A(図3)と第2領域3B(図3)とを分割し、それぞれの領域を順次に比較的低解像度で撮像したのでは、LEDチップ7Aの画像を1枚の画像の中に取り込むことができない。
Therefore, for example, the
ここで、個々のLEDチップ7の画像の全体像は、1枚の画像の中に取り込むことが必要である。なぜなら、LEDチップ7の一部分ずつの画像を複数回の走査により切れ切れに取得し、それら取得した複数の画像を後で合成するのでは、ラインセンサカメラの機械的な動作の誤差などの影響により画像に誤差が生じ、欠陥の検査に不都合が生じるためである。
Here, it is necessary to capture the entire image of each
そこで、図8に示すように、境界線6を跨ぐような配置のLEDチップ7Aが存在する場合には、これらLEDチップ7Aは、例えば、第1領域3A(図3)の撮像では得られていない(未処理)と判断し、次回の撮像により得られる第2領域3B(図3)の画像内に含めることとする。
Therefore, as shown in FIG. 8, when there are
すなわち、図8に示す境界線6を境として第1領域3A(図3)の画像を取得するのに続いて、図8に示す境界線8を境として第2領域3B(図3)の画像を取得する。
That is, after acquiring the image of the
つまり、例えば第1領域3A(図3)の画像内から一部がはみ出しているLEDチップ7Aが存在する場合には、次に撮像される第2領域3B(図3)の画像にLEDチップ7Aの全体像が含まれるように、第2領域3Bの範囲を設定する処理をコンピュータ処理により自動的に行う。
That is, for example, when there is an
このように、複数の領域(例えば、第1乃至第4領域3A〜3Dの4つの領域)の画像を取得することにより、チップ群3の全ての領域について、比較的低解像度の画像が得られる。
As described above, by acquiring images of a plurality of regions (for example, four regions of the first to
続いて、上記のようにして得られた比較的低解像度の画像に基づき、各LEDチップ7の座標を決定する処理をコンピュータ処理により自動的に行う。
Subsequently, processing for determining the coordinates of each
すなわち、例えば、各LEDチップ7の幾何学重心を画像から求めることにより、その重心位置を個々のLEDチップ7の座標とすることができる。なお、画像から対象物の幾何学重心を画像から求めて座標化する技術は、画像解析技術において周知の技術である。
That is, for example, by obtaining the geometric center of gravity of each
更に、以下に説明するようにして、比較的低解像度の画像から、LEDチップ7の欠陥を判定する処理を自動的に画像解析により行う。
Further, as will be described below, a process for determining a defect of the
図9は、実際の撮像により得られる比較的低解像度の画像の一例を示す図である。 FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a relatively low resolution image obtained by actual imaging.
図9に示すLEDチップ7Bなどは、比較的低解像度の画像を解析するだけで、明らかに割れが生じていることが分かり、欠陥品であると判定することができる。
It can be determined that the
また、図9に示すLEDチップ7Cなどは、比較的低解像度の画像を解析するだけで、2枚のLEDチップ7が重なっていることが明らかに分かり、欠陥品であると判定することができる。
Further, the
更に、図9に示すLEDチップ7Dなどは、比較的低解像度の画像を解析するだけで、2枚のLEDチップ7が分離されないままとなっていることが明らかに分かり、欠陥品であると判定することができる。
Further, the
このように、比較的低解像度の画像から明らかに欠陥品であると分かるLEDチップ7については、その座標を管理し、高解像度の画像を用いた欠陥の検査は省略する。
As described above, the coordinates of the
また、図示は省略するが、例えば、チップ群3の一部の領域内に存在するLEDチップ7の全てが、比較的低解像度の画像から明らかに欠陥品であると分かるような場合には、その領域については比較的高解像度の画像はそもそも取得しないこととする。
Although illustration is omitted, for example, when all of the
すなわち、比較的低解像度の画像を解析することにより、フィルム2の面上において比較的高解像度での画像の取得が不要な領域を判定し、比較的高解像度での画像の取得が不要と判定された領域を除く領域の半導体チップの画像のみを比較的高解像度で取得すれば良い。
That is, by analyzing a relatively low resolution image, it is possible to determine an area on the surface of the
なお、比較的高解像度での画像の取得についても、比較的低解像度での画像の取得と同様に、チップ群3を複数の領域に分割し、分割された個々の領域毎に順次に画像取得を行う。
As for acquisition of images at a relatively high resolution, the
また、比較的高解像度での画像の取得についても、図8に示すようにLEDチップ7Aの一部が画像からはみ出した場合には、次回の撮像では、このLEDチップ7Aの全体を含むような画像が撮像できるように撮像範囲を設定する。
Further, regarding acquisition of an image with a relatively high resolution, if a part of the
また、ウェハは、図1に示すような矩形状のものに限らず、円形状の場合もある。 Further, the wafer is not limited to a rectangular shape as shown in FIG.
図10は、円形状のウェハを個々のLEDチップ7に分離させて得られるチップ群3を示す平面図である。
FIG. 10 is a plan view showing a
この場合も、図4に示したのと同様に、例えば、第1乃至第4領域3A〜3Dの4つの領域の画像を比較的低解像度で順次に取得し、得られた画像に基づきLEDチップ7の欠陥の判定や、比較的高解像度での画像の取得領域の決定を行う。
Also in this case, as shown in FIG. 4, for example, images of four regions of the first to
ここで、図10に示すように円形状のチップ群3の周囲には、LEDチップ7が存在しない余白領域11が存在するため、これら余白領域11についても比較的高解像度での画像の取得領域としてしまうと、ロスが生じてしまう。
Here, as shown in FIG. 10, there are
そこで、図10に示すように円形状のチップ群3の画像を取得する場合には、比較的低解像度で取得された画像に基づく判定に基づき、極力余白領域11については画像を取得しないように、比較的高解像度での画像の取得領域の計画を決定する処理をコンピュータにより自動的に行う。
Therefore, when acquiring an image of the
すなわち、例えば図10に示す第5の領域3E、第6の領域3F、第7の領域3G・・・といったように余白領域11を極力含まない領域を設定して、順次に比較的高解像度での画像を取得することにより、余白領域11については高解像度の画像をなるべく取得しないで済む。
That is, for example, areas that do not include the
以上のような第1の実施形態によれば、例えば、低解像度の画像を用いるだけでLEDチップ7に明らかな欠陥があることが認識できる場合には、そのLEDチップ7については高解像度の画像を取得することを省略することができるので、LEDチップ7の欠陥の検査に要する時間を短縮することができる。
According to the first embodiment as described above, for example, when it is possible to recognize that the
また、チップ群3の周囲に余白領域11が存在する場合には、余白領域11については高解像度の画像をなるべく取得しないで済み、LEDチップ7の欠陥の検査に要する時間を短縮することができる。
Further, when the
なお、上記の実施形態では、LEDチップ7の画像取得方法を説明したが、本発明はこの例に限らず、その他の半導体チップの画像を取得する方法にも同様に適用することができる。
In the above embodiment, the method for acquiring the image of the
1 ウェハ(半導体ウェハ)
2 フィルム
3 チップ群
7 LEDチップ(半導体チップ)
1 wafer (semiconductor wafer)
2
Claims (5)
前記フィルム上の半導体チップの画像を比較的低解像度で取得する第1の過程と、
前記フィルム上の半導体チップの画像を比較的高解像度で取得する第2の過程と、
前記第1の過程により取得された画像に基づき、前記第2の過程による画像の取得領域を決定する第3の過程と、
を備えることを特徴とする半導体チップの画像取得方法。 In a method of acquiring an image for inspection of a semiconductor chip in a state where the semiconductor wafer is divided into a plurality of semiconductor chips by stretching a film to which the semiconductor wafer is attached.
A first step of acquiring an image of a semiconductor chip on the film at a relatively low resolution;
A second step of acquiring an image of the semiconductor chip on the film at a relatively high resolution;
A third step of determining an acquisition area of the image by the second step based on the image acquired by the first step;
An image acquisition method for a semiconductor chip, comprising:
前記第1の過程における最初の撮像過程により得られた画像に基づき、チップ群における半導体チップの配列の傾きを判定する第4の過程を行い、
前記第4の過程により、半導体チップの配列が傾いていると判定された場合には、この傾きを修正すべく前記フィルムの姿勢を修正する第5の過程を行った後で、前記第1の過程を始めからやり直すことを特徴とする請求項1に記載の半導体チップの画像取得方法。 The first process includes a plurality of imaging processes in which a region where a chip group including a plurality of semiconductor chips is present on the film is divided into a plurality of regions, and an image is sequentially acquired for each of the divided regions. Consists of
Performing a fourth step of determining the inclination of the arrangement of the semiconductor chips in the chip group based on the image obtained by the first imaging step in the first step;
If it is determined in the fourth process that the arrangement of the semiconductor chips is tilted, the first process is performed after the fifth process of correcting the posture of the film to correct the tilt. 2. The method of acquiring an image of a semiconductor chip according to claim 1, wherein the process is started again from the beginning.
前記第1の過程を構成する一の撮像過程により得られた画像内に、当該画像から一部がはみ出している半導体チップが存在する場合には、前記一の撮像過程の次に行われる撮像過程では、前記はみ出した半導体チップの全体を含むような画像を撮像できるように、前記一の撮像過程の次に行われる撮像過程での撮像範囲を設定することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体チップの画像取得方法。 The first process includes a plurality of imaging processes in which a region where a chip group including a plurality of semiconductor chips is present on the film is divided into a plurality of regions, and an image is sequentially acquired for each of the divided regions. Consists of
When a semiconductor chip partially protruding from the image is present in the image obtained by one imaging process constituting the first process, the imaging process performed after the one imaging process The imaging range in the imaging process performed next to the one imaging process is set so that an image including the whole of the protruding semiconductor chip can be captured. An image acquisition method for the semiconductor chip described.
前記第2の過程を構成する一の撮像過程により得られた画像内に、当該画像から一部がはみ出している半導体チップが存在する場合には、前記一の撮像過程の次に行われる撮像過程では、前記はみ出した半導体チップの全体を含むような画像を撮像できるように、前記一の撮像過程の次に行われる撮像過程での撮像範囲を設定することを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の半導体チップの画像取得方法。 The second process includes a plurality of imaging processes in which a region where a chip group including a plurality of semiconductor chips is present on the film is divided into a plurality of regions, and an image is sequentially acquired for each of the divided regions. Consists of
If there is a semiconductor chip partially protruding from the image obtained by one imaging process constituting the second process, the imaging process performed after the first imaging process The imaging range in the imaging process performed after the one imaging process is set so that an image including the entire protruding semiconductor chip can be captured. The image acquisition method of the semiconductor chip as described in any one of Claims.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006065333A JP4768477B2 (en) | 2006-03-10 | 2006-03-10 | Image acquisition method of semiconductor chip |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006065333A JP4768477B2 (en) | 2006-03-10 | 2006-03-10 | Image acquisition method of semiconductor chip |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007242988A true JP2007242988A (en) | 2007-09-20 |
JP4768477B2 JP4768477B2 (en) | 2011-09-07 |
Family
ID=38588220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006065333A Expired - Fee Related JP4768477B2 (en) | 2006-03-10 | 2006-03-10 | Image acquisition method of semiconductor chip |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4768477B2 (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP4768477B2 (en) | 2011-09-07 |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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