WO2004046827A1 - ガス発生量の少ないペリクル - Google Patents

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Takashi Kozeki
Hiroaki Nakagawa
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Mitsui Chemicals Inc
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    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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    • G—PHYSICS
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Definitions

  • the present invention relates to a pellicle used for protecting a photomask in a photolithographic process for patterning semiconductor devices such as ICs and LSIs and liquid crystal display devices. It is. BACKGROUND ART
  • a photomask in which a circuit pattern is formed on the surface of a glass plate, and a photomask are used to transfer the circuit pattern by exposing the circuit pattern onto a silicon wafer on which a resist is applied. Done.
  • this step if exposure is performed in a state where foreign matter such as dust adheres to the circuit pattern on the photomask, the foreign matter is also transferred onto the wafer and becomes a wafer for defective products.
  • a pellicle is mounted on a photomask, and exposure is performed through the pellicle.
  • this method foreign substances can be prevented from entering the circuit pattern of the photomask, and even if foreign substances may adhere to the veloci- lized film, they are transferred onto the wafer. Therefore, the yield at the time of manufacturing semiconductor devices and the like is improved.
  • An object of the present invention is to remove a substance causing a precipitate from a pellicle itself in advance, so that even if exposure using KrF excimer laser light or ArF excimer laser light is performed, There is no formation of foreign matter precipitates on the photomask at the time of light irradiation and storage ( ⁇ Keep the vehicle attached to the photomask in the case until the next use).
  • An object of the present invention is to provide a pellicle capable of maintaining accurate pattern accuracy for a long period of time and a method of manufacturing the pellicle.
  • An object of the present invention is to eliminate a substance causing a precipitate from a pellicle itself in advance, so that even if exposure using KrF excimer laser light or ArF excimer laser light is performed, laser light irradiation
  • An object of the present invention is to provide a pellicle capable of maintaining accurate pattern accuracy for a long period of time without forming a deposit of a foreign substance on a photomask during storage and a method of manufacturing the pellicle.
  • the present invention captures an organic compound component generated from a pellicle by a nitrogen stream of 100 m 1 / min at room temperature (26 ° C.) for 24 hr, and the 2,6-diphenyl p-phenylene
  • the total weight of volatile organic compounds detected when the gas adsorbed by the lenoxide-based porous polymer bead adsorbent, heated at 260 ° C for 15 minutes and thermally desorbed, and analyzed is the pellicle weight.
  • Organic compounds generated from the pellicle are captured by a nitrogen stream of 100 m 1 / min at room temperature (26.C) for 24 hr, and 2,6-diphenyl-p-phenylenoxide system
  • the total weight of volatile organic compounds detected when the gas adsorbed by the porous polymer bead adsorbent, heated at 260 ° C for 15 minutes and thermally desorbed, and analyzed, is 0% based on the weight of the pellicle.
  • a method for producing a pellicle having a concentration of 5 ppm or less, the method comprising a step of removing a volatile organic compound from the pellicle. Provide a way.
  • the present invention provides an organic compound component generated from the pellicle. , 24 hr, room temperature (26 ° C) at 100 m 1 / min with a nitrogen stream, and 2,6-diphenyl-p-phenylene oxide porous polymer beads Adsorbed by adsorbent Pelicles whose total weight of volatile organic compounds detected when analyzing the gas generated by heating and desorbing by heating at 260 ° C for 15 minutes is less than 0.5 ppm with respect to the weight of the pellicle are The present invention provides a photomask with a pellicle attached to the photomask.
  • the present invention captures an organic compound component generated from a pellicle by a nitrogen stream of 100 m 1 / min at room temperature (26 ° C.) for 24 hours, and forms 2,6-diphenyl-1-p —Adsorbed by the phenylene oxide porous polymer bead adsorbent, heated at 260 ° C for 15 minutes and thermally desorbed.
  • the total weight of volatile organic compounds detected when analyzing the generated gas is Further, the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device using a photomask in which a pellicle having a pellicle weight of 0.5 ppm or less is mounted.
  • the present invention captures an organic compound component generated from a pellicle by a nitrogen stream of 100 m 1 / min at room temperature (26 ° C.) for 24 hr, and 2,6-dipheninole p-phenylenoxy.
  • the total weight of volatile organic compounds detected when the gas adsorbed by the porous polymer bead adsorbent and heated and desorbed by heating at 260 ° C for 15 minutes is analyzed is the pellicle weight.
  • the present invention also provides a method for using a pellicle having a concentration of 0.5 ppm or less with respect to the pellicle used for dust prevention in a semiconductor device manufacturing process. ' ⁇ BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • the pellicle of the present invention refers to a conventionally known pellicle, for example, a pellicle film stretched over one end of a pellicle frame made of a metal such as aluminum via an adhesive, and an adhesive applied to the other end. It is fixed to a photomask for use.
  • a known adhesive that can fix foreign substances may be applied to the inside of the pellicle frame.
  • a liner is attached to the surface to which the adhesive has been applied after the pellicle is manufactured and before it is used.
  • the pellicle may be manufactured using a member from which volatile organic compounds generated from the pellicle have been removed in advance.
  • the pellicle may be manufactured by removing the pellicle.
  • a material called an inner wall coating agent is applied to the inside of a frame to remove foreign substances. Then, apply a photomask adhesive on the underside of the frame to adhere to the photomask, attach a liner, apply an adhesive for attaching the film to the upper side of the pellicle frame, and attach the film And usually stored in a pellicle storage case.
  • the volatile organic compound component may be removed for each member at a stage before the production of the pellicle, but after the production, it is performed for each pellicle and case. Is also good.
  • the volatile organic compound component contained in the pellicle is defined as a force contained in a slight amount in a photomask adhesive, a film adhesive, or an inner wall coating agent used in the pellicle, or generated by some cause.
  • a saturated or unsaturated aliphatic hydrocarbon compound or aromatic hydrocarbon and may have a functional group such as ketone, ester, or carboxylic acid.
  • nonane de Can
  • pendecane 1-pentene
  • 2-methyloctane 4-methyloctane
  • pendecene cyclooctane
  • dodecene 2-methyl_1-condecene
  • dodecane tetradecane
  • pentadecane octadecane and the like.
  • Ketone compounds include acetone, methylethyl ketone, cyclohexanone, 2-methyl-3-heptanone, 2-heptanone, and the like.
  • ester compound examples include ethyl acetate, butyl acetate, n-butyl acetate, methyl methacrylate, and the like.
  • alcohols include isopropanol, butanol, 2-ethylhexanol, and propylene glycol monomethyl ether.
  • aromatic compound examples include toluene, m-xylene, p-xylene, benzoic acid, cumene and the like.
  • the pellicle or the material of the pellicle is placed in a gas flow, heated, and placed in a Z or reduced pressure environment.
  • the gas used when the gas is placed under circulation is not particularly limited, but includes nitrogen, air, helium, argon and the like.
  • the flow rate of the gas is not particularly limited, but preferably a gas flow rate of 100 ml / min from lmlZmin force is used. This is because if the gas flow rate is too low, it takes too much time to remove the volatile organic compound components, and if the gas flow rate is too high, foreign substances adhere to the pellicle.
  • the heating method includes a method of irradiating light to the pellicle or each material of the pellicle, a method of directly applying a temperature, a method of applying vibration such as ultrasonic waves, a method of applying pressure, and the like.
  • a method of irradiating light and a method of directly applying a temperature are preferably used. This makes it possible to reduce the concentration of the volatile organic compound component contained in the pellicle.
  • the inner wall coating agent and the photomask adhesive applied to the lower side of the frame are Since it is considered that the substance itself may cause the generation of volatile substances, it is necessary to perform a treatment for removing foreign substances. In that case, heating the material to a temperature below its decomposition temperature is effective for foreign matter removal. Usually, it is preferred to heat at 100 ° C. to 200 ° C., more preferably at 140 ° C. to 180 ° C. At this time, performing the treatment in a nitrogen stream is effective not only for preventing oxidation of the material but also for removing volatile substances. Further, it is preferable to remove the volatile organic compound by reducing the pressure in terms of reducing the processing temperature and the processing time.
  • these treatments are as follows:
  • the composition containing the volatile organic compound is heated and decompressed to remove the volatile organic compound. After the removal, the inner wall coating agent and the photomask adhesive may be manufactured, or the volatile organic compound may be removed after the photomask adhesive is manufactured.
  • Removal of the volatile organic compounds from the completed pellicle must be performed at a temperature that does not affect the quality of the completed pellicle, resulting in a limited heating temperature.
  • the treatment is carried out by heating to 40 to 100 ° C.
  • the temperature is too high, the pellicle film will be deformed, causing troubles in circuit pattern creation, and also, inner wall coating agents and photomasks
  • the adhesive may be deformed and not completely adhered when applied to the photomask, which may hinder the dustproof function. In this case, it is necessary to adjust the heating time because the temperature cannot be increased to the temperature at which volatile organic substances are removed from the components of the pellicle.
  • the temperature for heating each member of the pellicle is from 40 ° C. to 200 ° C., and more preferably from 40 ° C. to 180 ° C.
  • the temperature for heating roughly in a pellicle state is preferably 40 to 100 ° C.
  • the reduced pressure environment is defined by using a known vacuum pump, and the concentration of the volatile organic compound component is reduced by placing the pellicle or each material of the pellicle under the reduced pressure environment. Is possible You.
  • the method for reducing the concentration of the volatile organic compound component contained in the pellicle forest material includes the following methods other than those described above. However, reprecipitation purification is also effective.
  • the method of measuring the concentration of the volatile organic compound component is performed by gas chromatography (GC) analysis.
  • GC gas chromatography
  • the method of measuring gas generated from a pellicle that generates a small amount of gas or a component that constitutes the pellicle put the pellicle in a glass container, flow gas in the container for a certain period of time while maintaining a constant temperature, and leave the container. The resulting gas is collected in a collection tube, and the amount of the substance is quantified by GC analysis.
  • each material of the pellicle it can be analyzed by a thermal absorption cold trap (TCT-GC) method.
  • TCT-GC thermal absorption cold trap
  • Volatile substances generated from the pellicle, pellicle members, etc. can be collected and analyzed by the collecting material.
  • An adsorbent (a weakly polar porous polymer bead based on 2,6-diphenyl-p-phenylenoxide) was used for collection. The characteristics of the adsorbent used below are shown below.
  • Density 0. 2 5 g / cm 3
  • adsorbent those having a trade name of TENAX-GR or TENAX-TA (manufactured by GL Science) can be used.
  • a collection tube JHS— filled with 3 ml of a nitrogen stream of 100 ml / min at room temperature (26 ° C) for 24 hr at room temperature (26 ° C) was used for the organic compound component generated from the pellicle. 100A collection tube) to obtain a sample.
  • the sample was introduced into the GC unit by using a headspace sampler (JHS-1000A (manufactured by Nippon Kagaku Kogyo Co., Ltd.)), heating the collection tube at 260 ° C for 15 min and thermally desorbing it.
  • the analyzed gas was analyzed by the GCZMS method
  • Table 1 GCZMS analysis conditions are shown in Table 1.
  • the oven used had a cleanness of 100 to prevent foreign matter from adhering to the pellicle. It is considered that volatile organic compounds from photomask adhesives can be removed most from the pellicle adhesive (17.1341 g) in an oven set at 50 ° C under atmospheric pressure for 24 hr. It was left still with the liner removed.
  • the mixture was passed through a filled collection tube, and the organic matter was concentrated with an adsorbent and sampled.
  • the heated pellicle is attached to a photomask, and 50 is applied.
  • the sample was allowed to stand still in the oven of C for 3 hours to confirm the generation of foreign substances.
  • both samples were irradiated with an Ar excimer laser beam. Irradiation conditions were as follows: a transmission frequency of 500 Hz, an energy density of lmj / cm2Zpulse, and irradiation up to 2000 J / cm2.
  • a transmission frequency of 500 Hz an energy density of lmj / cm2Zpulse
  • Table 2 shows the amount of gas generated from the pellicles.
  • a pellicle obtained in this manner was pasted with a photomask in the same manner as in Example 1 and irradiated with an ArF excimer laser beam, the laser beam-irradiated portion of the pellicle film turned white, and a diameter of 0 mm was placed on the photomask. Precipitation of foreign matter of about 2 ⁇ was confirmed.
  • Table 3 shows the results.
  • Example 2 A photomask adhesive for adhering a pellicle frame to a photomask was heated to 200 ° C, and heat-treated for 4 hr under a reduced pressure environment of 350 000 Pa. Substances generated from mask adhesives have been reduced. The amount of substance generated from this photomask adhesive is Measured by T-GC method. A temperature of 100 ° C was applied to 20 mg of the photomask adhesive for 3 minutes, and the amount of gas generated therefrom was measured. As a result, the amount of gas generated was reduced to about 1/8 compared to the untreated photomask adhesive.
  • the inner wall coating agent was dissolved in acetone to a concentration of 20 wt% and placed in an eggplant type flask. Thereafter, the substrate was left for 6 hours at 500 Pa and 120 ° C to reduce substances generated from the inner wall coating agent in advance.
  • the amount of substances generated from this inner wall coating agent was measured by the TCT-GC method. A temperature of 100 ° C. was applied to 20 mg of the inner wall coating agent for 3 minutes, and the amount of gas generated therefrom was measured. As a result, the amount of gas generated up to about 1 Z5 was smaller than that of the untreated inner wall coating agent.
  • a pellicle was manufactured using the photomask adhesive and the inner wall coating agent. Then, the sample was stuck on a photomask in the same manner as in Example 1 and allowed to stand still in an oven at 50 ° C for 3 hours to obtain a sample for confirming foreign matter generation. This sample was irradiated with an ArF laser in the same manner as in Example 1. As a result, it was observed after irradiation of 100, 100, 2000, 500, 000, 200,000 J / cm2.In any case, the pellicle was observed. No foreign matter was observed on the film and the photomask.
  • Pellicles were produced using untreated photomask adhesive. Then, the sample was stuck on a photomask in the same manner as in Example 1 and allowed to stand in an oven at 50 ° C. for 3 hours to obtain a sample for confirming foreign matter generation. This sample was irradiated with an ArF laser in the same manner as in Example 1. As a result, when observed after irradiation of 100 J cm 2, foreign matter was found to have formed on the pellicle film and photomask, and between the pellicle film and photomask. 0 Five foreign substances were confirmed.
  • the pellicle of the present invention By using the pellicle of the present invention, even if exposure using a KrF or ArF excimer laser beam is performed, it can be applied to a photomask during laser beam irradiation and during storage. Prevents the formation of foreign matter precipitates and maintains accurate pattern accuracy for a long period of time, which is important for industrial applications.

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Abstract

析出物生成の原因物質をぺリクル自体からあらかじめ排除することで、KrF又はArFエキシマレーザ光を用いた露光をおこなっても、レーザ光照射時、及び保管中にフォトマスク上に異物の析出物の形成を防ぎ、正確なパターン精度を長期間維持することが可能なぺリクルを提供する。ぺリクル製造工程において、使用する構成部材、又は完成品を加熱又は減圧下等に置くことにより、使用する構成部材、又は完成品から発生する物質を、あらかじめ除去することである。

Description

明細書 ガス発生量の少ないぺリクノレ 技術分野 本発明は、 I C、 L S I等の半導体素子や液晶表示素子等のパター二 ング用のフォ トリソグラフイエ程における、 フォ トマスク防護用に使用 するペリクルに関するものである。 背景技術 フォ トリ ソグラフィ一工程では、 ガラス板表面に回路パターンを形成 したフォ トマスクゃフォ トマスクを使用し、 レジス トを塗布したシリ コ ンウェファ一上にその回路パターンを露光することにより転写する作業 が行われる。 この工程では、 フォ トマスク上の回路パターンに塵埃等の 異物が付着した状態で露光が行われると、 ウェファ一上にも上記異物が 転写されて不良製品のウェファ一となってしまう。 特に露光をステツパ 一で行う場合には、 ウェファ一上に成形される全てのチップが不良とな る可能性が高くなり、 フォ トマスクの回路パターンへの異物の付着は大 きな問題であった。
このような問題を^決するために、 フォ トマスク上にペリクルを装着 して、 ペリクルを通して露光が行われている。 この方法を用いると、 フ オ トマスクの回路パターン上に、 異物の侵入を防ぐことができ、 仮にべ リクル膜上に異物が付着するようなことがあったとしても、 ウェファ一 上には転写されず、 半導体素子等の製造時の歩留まりが向上する。
しかしながら、 ペリクルを貼付して長期間の露光をおこなうと、 g 線 ( 4 3 6 n m ) 、 i線 （ 3 6 5 n m ) の光源を使用する場合にはフォ ト マスク上に発生しない異物が、 回路線幅の微細化に伴う露光光源の短波 長化 （K r F レーザを用いる露光では 2 4 8 n m、 A r F レーザを用い る場合では 1 9 3 n m ) の影響で、 ペリクルーフォ トマスク空間内、 又 はフォ トマスクパターン上に析出物が生じることが認められた。 この原 因としては、 フォ トマスク洗浄時に使用される硫酸がフォ トマスク表面 上に残留し、 この硫酸が大気中あるいはペリクル部材中に存在するアン モユアと反応し、 異物となってフォ トマスク上に析出することが考えら れた。 しかも、 この析出反応は、 露光光源が短波長となるにつれて促進 されていたので、 ペリクルに使用される材料からアンモニアを除去する 方策が採られた。 さらに、 フォ トマスク上の残硫酸濃度を極力低下させ たり、 ケースから亜硫酸ガス発生の低減等の対策が実施されたことによ り、 主に硫酸アンモニゥム、 塩化アンモニゥム等の無機系物質の析出抑 制に効果を上げることができた。
またこれと同時に、 有機系物質に関しても対策を講じられた。 これは 昇華性を有する物質、' 例えば、 2， 6—ジ— t—ブチルー 4ーメチルフ エノーノレ、 ナフタ レン、 2， 6—ジ一 t ーブチノレフエノーノレ、 2 , 4— ジー t一ブチルフエノール、 安息香酸等を含まない材料をあらかじめ選 定することで、 これらの物質がフォトマスク上に析出することが防止さ れている （特開昭 6 3 — 6 4 0 4 8 )
ところが最近、 上記の対策を講じたペリクル、 フォトマスクの組合せ でも、 露光中あるいは露光後に異物が発生する問題が発生した。
これらの物質は、 従来から行われている残硫酸濃度の低減、 亜硫酸ガ スの発生防止などにより無機系化合物を低減させること、 あるいは昇華 性を有する有機化合物を含まない材料を使用することにより、 使用する 材料中から除去する異物発生対策では解決することができなかった。 本発明の課題は、 析出物生成の原因となる物質をペリクル自体からあ らかじめ排除することで、 K r Fエキシマレーザ光又は A r Fエキシマ レーザ光を用いた露光をおこなっても、 レーザ光照射時、 及び保管 （ぺ リクルをフォ トマスクに貼り付けた状態で次の使用時までケースに入れ て収納しておく こと）時にフォ トマスク上に異物の析出物の形成が無く、 正確なパターン精度を長期間維持することが可能なペリクル、 およぴそ の製造方法を提供することである。
本発明の課題は、 析出物生成の原因物質をペリクル自体からあらかじ め排除することで、 K r Fエキシマレーザ光又は A r Fエキシマレーザ 光を用いた露光をおこなっても、 レーザ光照射時、 及び保管中にフォ ト マスク上に異物の析出物の形成が無く、 正確なパターン精度を長期間維 持することが可能なペリクル、 およびその製造方法を提供することであ る。 発明の開示 発明者らは、 上記の問題点を解決するために、 問題となった異物を分 祈したところ、 意外なことにエステル基、 脂肪族基、 炭化水素基等を含 む揮発性の有機化合物であることを見出し、 本発明に至った。 今回異物 の原因として確認された有機化合物は、 従来は異物発生源としては特定 されていなかったものである。
本発明は、 ペリクルから発生する有機化合物成分を、 2 4 h r、 室温 ( 2 6 °C ) で 1 0 0 m 1 / m i nの窒素気流で捕捉し、 2， 6 —ジフヱ 二ルー p —フエ二レンォキサイ ド系のポーラスポリマービーズ吸着剤に より吸着し、 2 6 0 °C X 1 5分加熱して熱脱着させ発生したガスを分析 したときに検出される揮発性有機化合物の全重量が、 ペリクル重量に対 して 0 . 5 p p m以下であるペリクルを提供する。
また、 ペリクルから発生する有機化合物成分を、 2 4 h r、 室温 （2 6。C ) で 1 0 0 m 1 / m i nの窒素気流で捕捉し、 2， 6—ジフエニル — p —フエ二レンォキサイ ド系のポーラスポリマービーズ吸着剤により 吸着し、 2 6 0 °C X 1 5分加熱して熱脱着させ発生したガスを分析した ときに検出される揮発性有機化合物の全重量が、 ペリクル重量に対して 0 . 5 p p m以下であるペリクルの製造方法であって、 ペリクルを揮発 性有機化合物を除去する工程を経ることを特徴とする該ペリクルの製造 方法を提供する。
ここで、 ペリクルを製造するために用いられる部材から、 揮発性有機 化合物を除去する工程を経て製造することは好ましい態様の 1つである < さらに、 本発明は、 ペリクルから発生する有機化合物成分を、 2 4 h r、 室温 （ 2 6 °C ) で 1 0 0 m 1 / m i nの窒素気流で捕捉し、 2 , 6 ージフエ二ノレ一 p —フエ二レンオキサイ ド系のポーラスポリマービーズ 吸着剤により吸着し、 2 6 0 °C X 1 5分加熱して熱脱着させ発生したガ スを分析したときに検出される揮発性有機化合物の全重量が、 ペリクル 重量に対して 0 . 5 p p m以下であるペリクルが、 フォ トマスクに装着 されているペリ クルつきフォ トマスクを提供する。
また、本発明は、ぺリクルから発生する有機化合物成分を、 2 4 h r 、 室温 （ 2 6 °C ) で 1 0 0 m 1 / m i nの窒素気流で捕捉し、 2 , 6—ジ フエニル一 p—フエ二レンォキサイ ド系のポーラスポリマービーズ吸着 剤により吸着し、 2 6 0 °C X 1 5分加熱して熱脱着させ ¾生したガスを 分析したときに検出される揮発性有機化合物の全重量が、 ペリクル重量 に対して 0 . 5 p p m以下であるペリクルが装着された状態のフォ トマ スクを用いる半導体素子の製造方法を提供する。
本発明は、 ペリクルから発生する有機化合物成分を、 2 4 h r、 室温 ( 2 6 °C ) で 1 0 0 m 1 / m i nの窒素気流で捕捉し、 2， 6 —ジフエ ニノレー p —フエ二レンォキサイ ド系のポーラスポリマービーズ吸着剤に より吸着し、 2 6 0 °C X 1 5 '分加熱して熱脱着させ発生したガスを分析 したときに検出される揮発性有機化合物の全重量が、 ペリクル重量に対 して 0 . 5 p p m以下であるペリクルの使用方法であって、 半導体素子 の製造工程において防塵のために用いられる該ペリクルの使用方法を提 供する。 '· 発明を実施するための最良の形態
[ペリクル] 本発明のペリクルとは、 従来公知のペリクル、 例えば、 アルミニウム 等の金属から成るペリクル枠の一方の端部に接着剤を介してペリクル膜 を張架し、 他方の端部に粘着剤を塗布してフォ トマスクに固定して使用 するものである。 ペリクル枠の内側には、 公知の異物を固定化できる粘 着剤が塗布されている場合がある。 また、 ペリクルを製造後、 使用する までの間において、 粘着剤が塗布された面にライナーが付されている。
[ペリクルの製造方法]
本発明において、 K r F又は A r Fエキシマレーザ光を用いた露光を おこなっても、 レーザ光照射時及ぴ保管中にフォ トマスク上に異物の析 出物の形成を防ぎ、 正確なパターン精度を長期間維持することが可能な ペリクルを提供するためには、 ペリクルから発生する揮発性有機化合物 をあらかじめ除去した部材を用いて製造してもよいし、 ペリクルを組み 立て後に揮発性有機化合物成分を除去することによりペリクルを製造し てもよい。
たとえば、 ペリクルの製造においては枠の内側に異物を除去するため に内壁塗布剤と言われる材料が塗布される。 その後フォ トマスクと密着 させるために、 枠の下側にフォ トマスク粘着剤を塗布し、 ライナーを貼 り付けた後、膜を貼り付けるための接着剤をペリクル枠の上側へ塗布し、 膜を貼り付け、 通常はペリクル保管用のケースに収納される。 これらの 一連の製造工程において、 揮発性有機化合物成分の除去は、 ペリクルを 製造する前の段階で各部材ごとに除去する処理を行っても良いが、 製造 後において、 ペリクル、 ケースごとにおこなっても良い。
[捕集される有機化合物]
本発明において、ペリクルに含まれている揮発性有機化合物成分とは、 ペリクルに使用する、 フォ トマスク粘着剤、 膜接着剤、 内壁塗布剤中に 微量に含まれている力 、あるいは何らかの原因で生成する物質であって、 飽和または不飽和の脂肪族炭化水素化合物、 芳香族炭化水素であり、 ケ トン、 エステル、 カルボン酸などの官能基を有している場合がある。 例 えば、 飽和又は不飽和の脂肪族炭化水素系化合物としては、 ノナン、 デ カン、 ゥンデカン、 1—ペンテン、 2 —メチルオクタン、 4ーメチルォ クタン、 ゥンデセン、 シクロオクタン、 ドデセン、 2—メチル _ 1ーゥ ンデセン、 ドデカン、 テトラデカン、 ペンタデカン、 ォクタデカン等が あげられる。 ケトン系化合物としてはアセトン、 メチルェチルケトン、 シクロへキサノン、 2 —メチル _ 3 —へプタノン、 2—ヘプタノン等が あげられる。 エステル系化合物としては、 酢酸ェチル、 酢酸ブチル、 n 一ブチルアセテート、 メチルメタタリ レート、 等があげられる。 アルコ ール類としては、 イソプロパノール、 ブタノール、 2—ェチルへキサノ ール、 プロピレングリコールモノメチルエーテル等があげられる。 芳香 族系化合物としてはトルエン、 m—キシレン、 p —キシレン、安息香酸、 クメン等が挙げられる。
[揮発性有機化合物成分の除去]
本発明において、 ペリダルから発生する揮発性有機化合物成分の濃度 を減少させるためには、 ペリクル又はペリクルの材料を、 ガスの流通下 に置き加熱しおよび Zまたは減圧環境下に置く方法で行われる。
本発明において、 ガスの流通下に置く場合に使用するガスは、 特に限 定する物ではないが、 窒素、 エアー、 ヘリ ウム、 アルゴン等がある。 本発明において、 ガスの流速は特に限定するものではないが、 好まし くは l m l Z m i n力 ら 1 0 0 0 m l / m i nのものが用いられる。 こ れは、 ガスの流量が少なすぎると、 揮発性有機化合物成分の除去に時間 がかかりすぎ、 流量が多すぎると、 ペリクルに異物が付着するためであ る。
本発明において、 加熱する方法には、 ペリクル、 またはペリクルの各 材料に光を照射する方法、 直接温度を加える方法、 超音波の様な振動を 与える方法、 圧力を加える方法等熱エネルギ一^■と変換される手段であ れば特に制限されるものではない。 このうち、 光を照射する方法や、 直 接温度を加える方法が好ましく用いられる。 これによりペリクルに含ま れている揮発性有機化合物成分の濃度を減少させることが可能となる。
ここで、 内壁塗布剤や、 枠の下側塗布するフォ トマスク粘着剤は、 そ れ自身、 揮発性物質が発生する原因となると考えられるので、 異物を除 去する処理を行う必要がある。 そ 場合、 材料をその分解温度以下の温 度まで加熱することは異物除去にとっては有効である。 通常は 1 0 o°c 〜 2 0 0 °Cで加熱することが好ましく、 さらに好ましくは 1 4 0〜 1 8 0 °Cで加熱される。 また、 この時窒素気流中で行うことは、 材料の酸化 を防止するのみならず、 揮発性物質の除去には,効率的である。 さらに、 減圧にして揮発性有機化合物を除去することは、 処理温度の低減、 処理 時間の短縮の面から好ましい。 通常は 0. 0 0 1〜 5 5 0 0 0 P aで実 施されるが好ましくは 4 5 0 0 0 P a以下、 さらに好ましくは 3 5 0 0 0 P a以下で行うのが好ましい。 またこれらの処理は:、 内壁塗布剤、 フ ォ トマスク粘着剤が複数の物質から構成される物である場合には、 揮発 性有機化合物を含む構成物を加熱、 減圧して揮発性有機化合物を除去し た後、 内壁塗布剤、 フォ トマスク粘着剤を製造しても良いし、 フォ トマ スク粘着剤を製造した後に揮発性有機化合物を除去しても良い。
完成したペリクルから揮発性有機化合物を除去するには、 完成したぺ リクルの品質に影響を与えない温度で行う必要があり、 結果として、 加 熱温度が制限されることになる。 通常は、 4 0〜 1 0 0°Cに加熱して処. 理されるが、 温度を上げすぎると、 ペリクル膜が変形し、 回路パターン 作成の障害が生じたり、また内壁塗布剤、フォ トマスク粘着剤が変形し、 フォ トマスクに貼り付けた際完全に貼り付かず、 防塵機能に障害となる 場合がある。 この場合、 ペリクル各構成物から揮発性有機物を除去する 際に加熱した温度まで上げることができないため、 加熱する時間を調整 する必要がある。
本発明において、 ペリクルの各部材を加熱する温度は、 4 0 °Cから 2 0 0 °Cで、 より好ましくは 4 0 °C〜 1 8 0 °Cあることが好ましい。 ざら にペリクルの状態で加熱する温度は、 4 0〜 1 0 0 °Cが好ましい。
本発明において、 減圧環境下とは公知の真空ポンプを使用してなされ るものであり、 ペリクル、 またはペリクルの各材料を減圧環境下におく ことにより、 揮発性有機化合物成分の濃度を減少させることが可能とな る。
本発明において、 ペリクルの林料 （フォ トマスク粘着剤、 膜接着剤、 内壁塗布剤） 中に含まれる、 揮発性有機化合物成分の濃度を減少させる 方法としては、 上記で述べた以外の方法としては、 再沈精製することも 有効である。
本発明において、 揮発性有機化合物成分の濃度を測定する方法は、 ガ スクロマトグラフィー （G C) 分析にておこなう。 例えばガス発生量の 少ないペリクルやペリクルを構成する部材から発生するガスの測定方法 としては、 ペリクルをガラス製の容器に入れ、 一定温度に保ちながら容 器内に一定時間ガスを流し、 容器から出できたガスを、 捕集管で集め、 その物質量を G C分析により定量する。
さらにペリクルの各材料の場合は、 サーマルリ ソープションコールド トラップ （T C T一 G C) 法により分析することができる。 これは、 あ る重量のペリクルの各材料を、 加熱機能を有する装置に入れ、 加熱する ことで発生するガスを直接 GC分析装置に注入し分析する方法である。 実施例 以下、 実施例に基づき説明する。
(ガスの捕集方法）
ペリクル、 ペリクルの部材等から発生する揮発性物質は、 捕集材によ り捕集して分析することができる。 捕集には吸着剤 （2， 6—ジフエ二 ル一 p—フエ二レンォキサイ ドをベースにした弱極性のポーラスポリマ 一ビーズ） を用いた。 以下に用いた吸着剤の特性を下記に示す。
吸着剤の特性
比表面積 (specific surface area) 3 5 m
細孔容¾ (pore volume) 2. 4 c m2/ g 平均細孑し系 (average pore size) 2 0 0 n m
密度 （Density) 0. 2 5 g / c m 3 かかる吸着剤は、 商品名 TENAX— GR、 または TENAX— TA として （G Lサイエンス社製） のものを用いることができる。 以下の実 施例においては、 ペリクルから発生する有機化合物成分を、 24 h r、 室温 （ 2 6 °C) で 1 00 m 1 /m i nの窒素気流を 3 m 1充填した捕集 管 （ J HS— 100A用捕集管） に通過させ、 サンプルとした。
サンプルの G C装置への導入は、 ヘッ ドスペースサンプラー （ J HS - 1 0 0 A (日本分析工業 （製） ） を用い、 捕集管を 2 6 0 °CX 1 5min 加熱して熱脱着させ発生したガスを GCZMS法により分析した。 GC ノ MS法の分析条件を表 1に示した。 表 1 GCZMS分析条件
Figure imgf000010_0001
(実施例 1 )
使用したオーブンは、 異物がペリクルに付着することを防ぐためにク リーン度 1 0 0 とした。ペリクルの完成品 （ 1 7. 1 34 1 g) を 5 0°C に設定したオーブン中に、 大気圧下で 24 h r、 フォ トマスク粘着剤か らの揮発性有機化合物が最も除去できると考えられるライナーを剥がし た状態で静置した。 次'にペリクルを、 ガラス製チャンバ一 （2'4 C mX 24 c mX 8 c m) に入れ、 ボンベより窒素ガスを l O O m l Zm i n で流しながら、 発生するガスを吸着剤 （T ENAX— GR) 約 3m l を 充填した捕集管に通過させ、 有機物を吸着剤にて濃縮しサンプリングし た。 このサンプリングは、 .室温 （ 2 6 °C) 、 24 h rおこなった。 捕集 管でサンプリングしたものを 2 6 0 °C、 1 5 m i n加熱し、 捕集物を熱 脱着させ、 発生したガスを GC/MSで分析した。 分析結果を表に示し た。 ここに示してある数値は、 絶対検量線法 （トルエンを標準物質） に より求められた各化合物の重量を、 ペリクル 1枚あたりの重量で割って 算出したもの ある。 結果を表 2に示す。
ペリクルを加熱した結果、 分析結果 （後述の比較例 1参照） より明ら かなように、 検出された化合物すべてにおいて減少しており、 合計では 処理前の約 1 Z 5になっている。 これにより、 加熱によってペリクルか ら発生する物質が減少していることがわかつた。
次に、 加熱済みペリクルをフォ トマスクに貼り付け、 5 0。Cのオーブ ンに 3 h r静置し、 異物発生確認用のサンプルとした。 その後 A r エ キシマレーザ光を両サンプルに照射した。 照射条件は、 発信周波数 5 0 0 H z、 エネルギー密度 l m j / c m 2Zp u l s eで、 200 0 J / c m 2まで照射した。 その結果、 加熱済みペリクルとを貼り付けたフォ トマスク上及ぴペリクル膜には異物の析出は見られなかった。 結果を表 3に示す。
(比較例 1 )
実施例で、オープン中で 1 2時間処理した以外は同様な処理を行った。 これによつて得られたペリクルのガス発生量について、 表 2に示した。 このようにして得られたペリクルを実施例 1 と同様にフォトマスクを 貼り付け、 A r Fエキシマレーザ光を照射すると、 ペリクル膜のレーザ 光照射部が白く変色し、 フォ トマスク上に、 直径 0. 2 μ ιη程度の異物 の析出が確認された。 結果を表 3に示す。
(実施例 2 ) ペリクルフレームをフォ トマスクに貼り付けるための フォ トマスク粘着剤を、 2 0 0°Cまで加熱し、 3 5 0 00 P aの減圧環 境下で 4 h r加熱処理し、 あらかじめフォ トマスク粘着剤から発生する 物質を減少させた。 このフォ トマスク粘着剤から発生する物質量を T C T一 G C法により測定した。 フォ トマスク粘着剤 2 0 m gに、 1 0 0 °C の温度を 3分間かけ、そこから発生するガスの量を測定した。その結果、 未処理のフォ トマスク粘着剤と比較して約 1 / 8にまで発生するガス量 は減少していた。
次に内壁塗布剤をァセトンに 2 0 w t %になるように溶かしてナス型 フラスコに入れた。 その後、 5 0 0 0 P a、 1 2 0 °Cの状態で 6 h r放 置し、 あらかじめ内壁塗布剤から発生する物質を減少させた。 この内壁 塗布剤から発生する物質量を T C T一 G C法により測定した。 内壁塗布 剤 2 0 m gに、 1 0 0 °Cの温度を 3分間かけ、 そこから発生するガスの 量を測定した。 その結果、 未処理の内壁塗布剤と比較して約 1 Z 5にま で発生するガス量は減少していた。
このフォ トマスク粘着剤、 及び内壁塗布剤を用いてペリクルを製造し た。 そして実施例 1 と同様にフォ トマスクに貼り付け、 5 0 °Cのオーブ ンに 3 h r静置し、 異物発生確認用のサンプルとした。 このサンプルに 実施例 1 と同様に A r Fレーザを照射した。 その結果、 1 0 0、 1 0 0 0、 2 0 0 0、 5 0 0 0、 1 0 0 0 0、 2 0 0 0 0 J / c m 2照射後に 観察したが、 いずれの場合においても、 ペリクル膜及びフォトマスク上 に異物の発生は観られなかった。
(比較例 2 )
未処理のフォ トマスク粘着剤を用いてペリクルを製造した。 そして 実施例 1 と同様にフォ トマスクに貼り付け、 5 0 °Cのオーブンに 3 h r 静置し、 異物発生確認用のサンプルとした。 このサンプルに実施例 1 と 同様に A r Fレーザを照射した。 その結果、 1 0 0 J c m 2照射後に 観察したところ、 ペリクル膜及ぴフォ トマスク上、 及ぴペリクル膜とフ オ トマスクの間に異物が発生しており、 異物検査機で確認したところ 2 3 0 5個の異物が確認ざれた。
(比較例 3 )
ペリクルを室温 (約 2 5 °C) で長期間 （約 1年程度） 放置しておい'た 場合の結果を表に示す。 結果的に、 C 5 H 1 0、 メチルァク リ レート、 ブタノールは各 0. 0 1 p m以下までに減少していたが、 他の撺発性有機化合物成分の量は 殆ど変化はなかった。 表 2 ペリクルからの揮発性有機化合物成分分析結果 単位: PPm 化合物名 実施例 1 比較例 1 比較例 2 比較例 3
C5H10 0. 01 0. 01 0. 06 0. 01以下 メチルァクリレート 0. 04 0. 12 0. 22 0. 01以下 ブタノ一ル 0. 01以下 0. 01 0. 02 0. 01以下
CSH16 0. 02 0. 05 0. 13 0. 1 Λ
C9H20 0. 02 0. 05 0. 09 0. 08
C9H20 0. 01以下 0. 01 0. 01以下 0. 01以下
C9H20 0. 01以下 0. 01 0. 02 0. 02
C3アルキルベンゼン 0 01以下 0 01 0 01 0. 01
C10H22 0 CM以下 0 01 0. 01
C11H24 0 01以下 0 01以 ¾A下 0 01 0. 01
CI 1H24 0. 01以下 0. 01以下 0. 01 0. 01
CI 1H24 0. cn以下 0.02 0.04. 0.04
C11H22 0. 01以下 0. 02 0. 02 0. 02 安息香酸メチル 0. 01以下 0. 01 0. 02 0. 02
(0
C12H26 ！
0. 01 0. 04 0. 08 0. 06
C12H26 0. 01以下 0. 01 0. 02 0. 02
C15H32 0. 01以下 0. 01 0. 03 0. 03
C17H36 0. 01以下 0. 01以下 0. 01 0. 02
C18H38 0. 01 0. 01 0. 04 0. 03
C21H44 0. 01以下 0. 02 0. 02 0. 02
MW182脂肪族環状
化合物 0. 01以下 0. 05 0. 08
不明成分 0. 004 0. 01 0. 02 0. 02 不明成分 0. 01 0. 03 0. 02 0. 02 不明成分 0.01 0.02 0.04 0.03
P3 RT 0. 29以下 0. 56以下 1. 03以下 0. 71 表 3 異物発生確認結果
Figure imgf000014_0001
産業上の利用可能性 本発明のぺリクルを使用すれば、 K r F又は A r Fエキシマレーザ光 を用いた露光をおこなっても、 レーザ光照射時、 及ぴ保管中にフォ トマ スク上に異物の析出物の形成を防ぎ、 正確なパターン精度を長期間維持 することができ、 産業上利用上重要な意義を有する。

Claims

請求の範囲
1 . ペリクルから発生する有機化合物成分を、 2 4 h r、室温（ 2 6 °C ) で 1 0 0 m 1 Z m i nの窒素気流で捕捉し、 2， 6—ジフエ-ルー： — フエ二レンオキサイ ド系のポーラスポリマービーズ吸着剤により吸着し. 2 6 0 °C X 1 5分加熱して熱脱着させ発生したガスを分析したときに検 出される揮発性有機化合物の全重量が、 ペリクル重量に対して 0 . 5 p p m以下であるペリクル。 '
2 . ペリクルから発生する有機化合物成分を、 2 4 h r、室温 ( 2 6。C ) で 1 0 0 m 1 / m i nの窒素気流で捕捉し、 2， 6—ジフエ-ルー； — フエ二レンォキサイ ド系のポーラスポリマービーズ吸着剤により吸着し. 2 6 0 °C X 1 5分加熱して熱脱着させ発生したガスを分析したときに検 出される揮発性有機化合物の全重量が、 ペリクル重量に対して 0 . 5 p m以下であるペリクルの製造方法であって、 ペリクルを揮発性有機化 合物を除去する工程を経ることを特徴とする該ペリクルの製造方法。
3 . ペリクルを製造するために用いられる部材から、 揮発性有機化合物 を除去する工程を経ることを特徴とする請求項 2に記載のぺリクルの製 造方法。
4 . ペリクルから発生する有機化合物成分を、 2 4 h r、室温（2 6。C ) で 1 0 0 m 1 / m i nの窒素気流で捕捉し、 2 , 6—ジフエエル一 p— フエ二レンォキサイ ド系のポーラスポリヤービーズ吸着剤により吸着し, 2 6 0 °C X 1 5分加熱して熱脱着させ発生したガスを分析したときに検 出される揮発性有機化合物の全重量が、 ペリクル重量に対して 0 . 5 p p I 以下であるペリクルが、 フォ トマスクに装着されているペリクルつ きフォ トマスク。
5 . ペリクルから発生する有機化合物成分を、 2 4 h r、室温 ( 2 6 °C ) で 1 0 0 m 1 / m i nの窒素気流で捕捉し、 2， 6—ジフエ二ルー： — フエ二レンォキサイ ド系のポーラスポリマービーズ吸着剤により吸着し、 2 6 0 °C X 1 5分加熱して熱脱着させ発生したガスを分析したときに検 出される揮発性有機化合物の全重量が、 ペリクル重量に対して 0 . 5 p p m以下であるペリクルが装着された状態のフォ トマスクを用いる半導 体素子の製造方法。
6 . ペリクルから発生する有機化合物成分を、 2 4 h r、室温（ 2 6 °C ) で 1 0 0 m 1 Z m i nの窒素気流で捕捉し、 2， 6—ジフエ二ルー p— フエ二レンォキサイ ド系のポーラスポリマービーズ吸着剤により吸着し, 2 6 0 °C X 1 5分加熱して熱脱着させ発生したガスを分析したときに検 出される揮発性有機化合物の全重量が、'ペリクル重量に対して 0 . 5 p p m以下であるペリクルの使用方法であって、 半導体素子の製造工程に おいて防塵のために用いられる該ぺリクルの使用方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006184822A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトリソグラフィ用ペリクル及びペリクルフレーム

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007333910A (ja) * 2006-06-14 2007-12-27 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル
CN101430501B (zh) * 2007-11-06 2015-04-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种修正光刻胶图形的方法
FR2926145A1 (fr) * 2008-01-04 2009-07-10 Alcatel Lucent Sas Procede de fabrication de photomasques.
EP2077467B9 (fr) * 2008-01-04 2014-09-03 Adixen Vacuum Products Procédé de fabrication de photomasques et dispositif pour sa mise en oeuvre
JP6308592B2 (ja) * 2014-04-02 2018-04-11 信越化学工業株式会社 Ｅｕｖ用ペリクル
JP7040427B2 (ja) 2018-12-03 2022-03-23 信越化学工業株式会社 ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法及び半導体の製造方法
CN112225991A (zh) * 2020-10-16 2021-01-15 江苏中恒宠物用品股份有限公司 一种低气味宠物用pp塑料及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001109134A (ja) * 1999-10-13 2001-04-20 Asahi Kasei Corp リソグラフィー用ペリクル
JP2001147518A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Asahi Kasei Corp ペリクル

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4931404A (en) * 1986-12-22 1990-06-05 Abbott Laboratories Method and device for ketone measurement
TW420770B (en) * 1998-09-22 2001-02-01 Mitsui Chemicals Inc Pellicle film, method of preparing the same and exposure method
JP3434731B2 (ja) * 1999-06-09 2003-08-11 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 ペリクル及びそのケース
US6566021B2 (en) * 2001-07-26 2003-05-20 Micro Lithography, Inc. Fluoropolymer-coated photomasks for photolithography
WO2004040374A2 (en) * 2002-10-29 2004-05-13 Dupont Photomasks, Inc. Photomask assembly and method for protecting the same from contaminants generated during a lithography process

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001109134A (ja) * 1999-10-13 2001-04-20 Asahi Kasei Corp リソグラフィー用ペリクル
JP2001147518A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Asahi Kasei Corp ペリクル

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006184822A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトリソグラフィ用ペリクル及びペリクルフレーム

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Publication number Publication date
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