WO2004025368A2 - Vorrichtung zum abdichten einer projektionsbelichtungsanlage - Google Patents

Vorrichtung zum abdichten einer projektionsbelichtungsanlage Download PDF

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WO2004025368A2
WO2004025368A2 PCT/EP2003/009427 EP0309427W WO2004025368A2 WO 2004025368 A2 WO2004025368 A2 WO 2004025368A2 EP 0309427 W EP0309427 W EP 0309427W WO 2004025368 A2 WO2004025368 A2 WO 2004025368A2
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reticle
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Günter Maul
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Eberhard Jost
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Carl Zeiss Smt Ag
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    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus

Definitions

  • the invention relates to a device for sealing a projection exposure system with an illumination system, a reticle, a projection objective and an imaging plane, wherein there are intermediate spaces between the individual elements that are open to the environment.
  • Such a device is known from EP 0 886 184.
  • a vacuum-operated arrangement which is arranged between an afer and an optical element, is shown.
  • the arrangement has an illumination field opening in the middle, with a minimal upper gap between a lens surface and a further minimal gap between a wafer surface.
  • the gas flow is introduced above and below this arrangement and exits again through gap-shaped openings within the arrangement. This removes dirt, especially dust, from the lens surface.
  • the present invention has for its object to provide a device which in the critical areas of the projection exposure system neither absorbs nor disturbs the radiation present there to a high degree.
  • a gas distributor device through which nitrogen or noble gas flows is arranged in at least one of the intermediate spaces, the gas distributor device having a shape and size such that one or more intermediate spaces is at least largely sealed off from the surroundings surrounding the projection exposure system.
  • the area between a projection lens and an imaging plane with a corresponding device is largely known as a so-called Containment sealed, the sealing being carried out without contact.
  • a protective gas atmosphere must accordingly be created, nitrogen or a noble gas being used as the protective gas. This gas has a low degree of absorption for the radiation used.
  • the use of pure nitrogen as a protective gas ensures that the radiation of the wavelength of 157 nm strikes a substrate coated with photosensitive materials without losses and thus the last surface of the projection lens also remains free of interfering substances.
  • gas exchange device is provided with at least one gas supply device and at least one gas discharge device, wherein the inflow cross section for introducing the nitrogen or the noble gas can be made larger than the outlet cross section, wherein the at least one gas supply device can be designed as a hollow nozzle and gap seals can be provided for gas removal.
  • the not very tight containments are constantly filled with the gas through the hollow nozzles, which flows out again at the gap seals.
  • the gaps must overlap and be matched with the amount of gas flowing in so that no foreign gas can diffuse in or external currents can penetrate. There is advantageously a slight overpressure in the inner region of the gas distributor device.
  • a second solution according to the invention provides that a gas distributor device can also be provided in the area between the illumination and the reticle, lamellar gap seals being provided here for gas removal, the gap seals being ring-shaped and the lamellar gap seals being mutually displaceable.
  • the lamella composite also serves as a seal against the environment.
  • the gas flows into this area through inlet nozzles and flows out through the lamellae, each of which represents a seal via a gap seal.
  • the plates should advantageously have a sufficiently large length so that when the reticle is moved, an overlap of the two plates is ensured to seal the rinsed area.
  • FIG. 1 shows a schematic diagram of a projection exposure system for microlithography, which can be used to expose structures on wafers coated with photosensitive materials;
  • FIG. 2 shows a longitudinal section of a gas distributor device which is arranged between a projection objective and a wafer
  • FIG. 3 shows a longitudinal section of a gas distributor device which is arranged between an illumination device, a reticle and a projection objective;
  • FIG. 4 shows a view of the device shown in FIG. 3, the reticle being pivoted out relative to the illumination and the projection objective.
  • FIG. 1 shows a projection exposure system 1, which is basically known in this way from US Pat. No. 5,638,223 and US Pat. No. 6,252,712, the contents of which are recorded in full. The basic functioning of such a system is therefore assumed to be known. For this reason, only the parts essential to the invention are described in more detail below.
  • Such systems are used for the exposure of structures on a substrate coated with photosensitive materials, which generally consists predominantly of silicon and is referred to as wafer 2, for the production of semiconductor components.
  • the projection exposure system 1 essentially consists of an illumination device 3, a so-called reticle 5, by means of which the later structures on the wafer 2 are determined, and an imaging device, namely a projection lens 7.
  • the basic functional principle provides that structures introduced into the reticle 5 on the wafer 2 are exposed with a reduction in the size of the structures.
  • the wafer 2 is moved further in the x and y directions over carriages 26, which are firmly connected to the overall device 27, so that on the same wafer 2 a large number of individual fields, each with the one specified by the reticle 5 Structure are exposed.
  • a linear guide 25 of the wafer 2 in the z direction is also ensured.
  • the illumination device 3 provides a projection beam 4 required for imaging the reticle 5 on the wafer 2.
  • the radiation is shaped in the illumination device 3 via optical elements so that the projection beam 4 has the desired properties with regard to diameter, polarization, shape of the wavefront and the like when it hits the reticle 5.
  • An image of the reticle 5 is generated via the projection beam 4 and transferred to the wafer 2 in a correspondingly reduced size by the projection objective 7.
  • FIG. 2 shows a basic structure of a gas distributor device 8.
  • An annular inflow nozzle 10 is preferably installed in the space between the projection objective 7 and the wafer 2, which allows the gas 23 to flow laminarly into the cylindrical gas distributor device 8.
  • the nozzle 10 can also be segmented over the circumference, so that the gas supply can be controlled more finely.
  • the purging takes place in the purging area 13. Since the required radiation must have a high energy in the purging area 13, purging with nitrogen or an inert gas 23, in particular helium, prevents certain gases, in particular air, from absorbing the radiation , are located in the blasting chamber 13.
  • the gaps 11 and 11 ' should be ⁇ 1 mm wide.
  • the blown-in pure nitrogen or the noble gas 23 flows through the gaps 11 and 11 'into the surroundings or into suction devices which may have been set
  • the gaps 11 and 11 'must have sufficiently large lengths so that no foreign or ambient gas can diffuse into them.
  • the inflowing amount of gas 23 through the nozzles 10 must be greater than the outflowing amount of gas 23 through the gaps 11 and 11 '.
  • the gas inlet cross section can accordingly be made slightly larger than the gas outlet cross section in order to achieve a correct ratio of the flow velocity. This creates a slight excess pressure in the gas distribution device 8.
  • the tendency to build up in the center of the nozzle 10 and thus on an optical and mechanical axis 19 is avoided by small, always present asymmetries.
  • the distances between columns 11 and 11 ' are usually different. It is also possible for one of the gaps, preferably the upper gap 11, to be set to 0 mm.
  • the nozzle 10 is then sealed directly, without a microscopic gap. generate, attached to the projection lens 7, which leads to only one gap 11 '.
  • the gas distributor device 8 is provided with bearings 18.
  • the bearings 18 are located on a bearing holder on a machine device 27, which is not shown in detail here, the wafer 2 also being mounted on the bearing holder 27.
  • the bearings 18 are required so that the gas distribution device 8 is not moved when the wafer 2 is moved.
  • FIG. 3 shows a gas distributor device 8 'which includes the reticle 5.
  • the gas is also supplied here via annular nozzles 10.
  • the gas 23 flows through the nozzles 10 into the intermediate area between the reticle 5 and the illumination device 3, as well as into the intermediate area between the reticle 5 and the projection lens 7.
  • At the top of the gas distributor device 8 ' there is a lamella composite 14.
  • the gas 23 flows through the lamellae, each of which represents a seal via a gap seal.
  • the lamella composite 14 consists in each case of a plurality of lamellae 14 ′ stacked one above the other, which are designed as flat rings and are provided with a hole in the center, so that the radiation can strike the reticle 5 unhindered.
  • the slats 14 ' are made of metallic materials which withstand the radiation exposure.
  • the lamellae 14 '' are kept at a constant gap distance on balls and magnets 17 which work on soft iron inserts.
  • the gas 23 located in the gas distributor device 8 can escape through the lamella composite 14, in particular through the respective gaps between the lamellas 14 ', and through the gaps 20'.
  • the gas 23 flows within the gas distributor device 8 ′ from the upper area of the reticle 5 into the lower area of the reticle 5, the reticle 5 being supported on a three-point support 9 at the outer ends on an inner frame 24.
  • the gas distributor device 8 ′ terminates at the lower area with an end plate 16.
  • an upper projection objective end plate 15 is firmly connected to the projection objective 7. This arrangement was chosen because there is only a very limited installation space available in this area.
  • the plates 15 and 16 are ring-shaped, in each case in the middle of these plates 15 and 16 there are sufficiently large openings for the beam passage, and these Plates 15 and 16 are mutually displaceable.
  • the reticle 5 is pulled out as far as the entire device, there must still be a sufficiently large overlap of the two plates 15 and 16, in particular half the length, so that 5 contaminated gas never enters the flushed area.
  • the inner frame 24, on which the reticle 5 is mounted, is opposite the gas distributor device 8 ', the lamella composite 14 and the outer frame 28 in the z direction via
  • annular gaps 20 with different diameters in width and length must have a certain ratio.
  • the gap length to the gap height should always have a size ratio of
  • the advantage of this arrangement is that the room remains largely free of fixtures in addition to the lighting and can be used for measuring technology for stage positioning.
  • FIG. 4 shows a gas distribution device 8 'which is swiveled out. If the reticle 5 is displaced in the x ⁇ and y direction with respect to the illumination device 3 and the projection lens 7 by the slide 26, the lamella composite 14 is deflected.
  • the gas is also supplied here via the ring-shaped hollow nozzle 10.
  • the nitrogen or the noble gas 23 flows out through the sealing gaps of the fins 14 'and the gaps 20, 20', 20 '', 21 and cannot pass through one here either Suction device shown in detail can be removed.
  • a displacement of the reticle 5 is necessary so that a large number of individual fields, each with the structure predetermined by the reticle 5, are exposed on the wafer 2.
  • the disruptive gases should be removed within a few tenths of a second. The gas consumption required for this should be kept low.

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Abstract

Eine Projektionsbelichtungsanlage (1) ist mit einem Beleuchtungssystem (3), einem Reticle (5), einem Projektionsobjektiv (7) and einer Abbildungsebene versehen. Jeweils zwischen den einzelnen Elementen befinden sich zum Umfeld offene Zwischen­räume, wobei in wenigstens einem der Zwischenräume eine Edel­gas oder Stickstoff durchströmte Gasverteilereinrichtung (8,8') angeordnet ist. Die Gasverteilereinrichtung (8,8') weist eine derartige Form and Größe auf, so daß ein oder mehrere Zwischenräume wenigstens weitgehend gegenüber das die Projektionsbelichtungsanlage (1) umgebende Umfeld abgedichtet ist.

Description

Beschreibung:
Vorrichtung zum Abdichten einer Projektionsbelichtungsanlage
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abdichten einer Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem, einem Reticle, einem Projektionsobjektiv und einer Abbildungsebene, wobei zwischen den einzelnen Elementen jeweils zum Umfeld offene Zwischenräume vorhanden sind.
Eine derartige Vorrichtung ist aus der EP 0 886 184 bekannt. In dieser Schrift wird eine vakuumbetriebene Anordnung, welche zwischen einem afer und einem optischen Element angeordnet ist, dargestellt. Die Anordnung besitzt in der Mitte eine Be- leuchtungsfeldöffnung, wobei ein minimaler oberer Spalt sich zwischen einer Linsenoberfläche und ein weiterer minimaler Spalt sich zwischen einer Waferoberflache befindet. Der Gasstrom wird ober- und unterhalb dieser Anordnung eingeführt und tritt innerhalb der Anordnung durch spaltförmige Öffnungen wieder aus. Dadurch werden Verschmutzungen, insbesondere Staubkörner, von der Linsenoberfläche beseitigt.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zu schaffen, welche in den kritischen Bereichen der Projektionsbelichtungsanlage die dort vorliegende Strahlung weder in hohem Maße absorbiert noch stört.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß in wenigstens einem der Zwischenräume eine Stickstoff oder Edelgas durchströmte Gasverteilereinrichtung angeordnet ist, wobei die Gasverteilereinrichtung eine derartige Form und Größe aufweist, daß ein oder mehrere Zwischenräume wenigstens weitgehend gegenüber das die Projektionsbelichtungsanlage umgebende Umfeld abgedichtet ist.
In einer ersten erfindungsgemäßen Lösung wird der Bereich zwischen einem Projektionsobjektiv und einer Abbildungsebene mit einer entsprechenden Einrichtung, weitgehend als sogenanntes Containment abgedichtet, wobei die Abdichtung berührungslos erfolgt. Da bei Arbeiten in der Lithographie mit Wellenlängen von 157 nm die Strahlung zwischen dem Projektionsobjektiv und der Abbildungsebene in Luft mit einem hohen Absorptionsgrad absorbiert wird, muß dementsprechend eine Schutzgasatmosphäre geschaffen werden, wobei als Schutzgas Stickstoff oder ein E- delgas benutzt wird. Dieses Gas besitzt einen geringen Absorptionsgrad für die benutzte Strahlung. Durch die Verwendung von reinem Stickstoff als Schutzgas wird gewährleistet, daß die Strahlung der Wellenlänge 157 nm ohne Verluste auf ein mit photosensitiven Materialien beschichtetes Substrat auftrifft und somit ebenfalls die letzte Fläche des Projektionsobjektivs frei von störenden Substanzen bleibt.
Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, daß die Gasaustauscheinrichtung mit wenigstens einer Gaszufuhreinrichtung und wenigstens einer Gasabfuhreinrichtung versehen ist, wobei der Einströmquerschnitt zum Einbringen des Stickstoffes oder des Edelgases größer ausgebildet sein kann als der Austrittsquerschnitt, wobei die wenigstens eine Gaszufuhreinrichtung als Hohldüse ausgebildet sein kann und wobei zur Gasabfuhr Spaltdichtungen vorgesehen sein können.
Die nicht ganz dichten Containments werden über die Hohldüsen ständig mit dem Gas befüllt, das an den Spaltdichtungen wieder ausströmt. Die Spalte müssen sich soweit überlappen und mit der Menge des einströmenden Gases abgestimmt sein, daß kein Fremdgas eindiffundieren oder äußere Strömungen eindringen können. Vorteilhafterweise herrscht im inneren Bereich der Gasverteilereinrichtung ein geringer Überdruck.
Die benutzten Düsen sollen den Raum des Containments möglichst gleichmäßig unter Vermeidung von Wirbeln füllen. Hierbei soll die Drosselwirkung nicht an der Düse auftreten. Vielmehr soll aus der Düse in vorteilhafter Weise ein laminarer Gasstrom austreten. Der Dichteffekt gegenüber der Umwelt kommt durch ein Ausströmen des Gases über hinreichende Spaltlängen zustande. Eine zweite erfindungsgemäße Lösung sieht vor, daß in dem Bereich zwischen Beleuchtung und Reticle ebenfalls eine Gasverteilereinrichtung vorgesehen sein kann, wobei hier zur Gasabfuhr lamellenförmige Spaltdichtungen vorgesehen sind, wobei die Spaltdichtungen ringförmig ausgebildet und wobei die la- mellenförmigen Spaltdichtungen in sich gegeneinander verschiebbar sind.
Der Lamellenverbund dient ebenfalls zur Abdichtung gegenüber der Umwelt. Das Gas strömt durch Einlaßdüsen in diesen Bereich ein und entströmt durch die Lamellen, die jede für sich so eine Dichtung über eine Spaltabdichtung darstellen. Die Vorteile dieser Anordnung sind, daß der Raum neben der Lichtführung weitgehend frei von Einbauten bleibt und zur Stagepositionie- rung genutzt werden kann und eine Abdichtung des Bereiches bei Verstellung des Reticles gegenüber dem restlichen Aufbau bestehen bleibt.
In Weiterbildung der Erfindung kann ferner vorgesehen sein, daß zur Abdichtung zwei große ringförmige Platten vorgesehen sind, welche gegeneinander verschiebbar sind und wobei feste Verbindungen der einen Platte mit dem Projektionsobjektiv und feste Verbindungen der anderen Platte mit der Gasverteilereinrichtung vorgesehen sind.
Zwischen dem Reticle und dem Projektionsobjektiv steht nur eine sehr eingeschränkte Bauraumhöhe zur Abdichtung zur Verfü- gung. Aus diesem Grunde sollten die Platten vorteilhafterweise eine hinreichend große Länge besitzen, damit bei Verschiebung des Reticles ein Überlapp der beiden Platten zur Abdichtung des gespülten Bereichs gewährleistet ist.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen und aus den nachfolgend anhand der Zeichnung prinzipmäßig beschriebenen Ausführungsbeispielen. Es zeigt :
Figur 1 Prinzipdarstellung einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, welche zur Belichtung von Strukturen auf mit photosensitiven Materialien beschichtete Wafer verwendbar ist;
Figur 2 ein Längsschnitt einer Gasverteilereinrichtung, welche zwischen einem Projektionsobjektiv und einem Wa- fer angeordnet ist;
Figur 3 ein Längsschnitt einer Gasverteilereinrichtung, welche zwischen einer Beleuchtungseinrichtung, einem Reticle und einem Projektionsobjektiv angeordnet ist; und
Figur 4 eine Ansicht der in Figur 3 dargestellten Vorrichtung, wobei das Reticle gegenüber der Beleuchtung und dem Projektionsobjektiv ausgeschwenkt ist.
Figur 1 zeigt eine Projektionsbelichtungsanlage 1, welche in dieser Art grundsätzlich aus der US 5,638,223 und der US 6,252,712 bekannt ist, deren Inhalt vollumfänglich mitaufgenommen wird. Die grundsätzliche Funktionsweise einer solchen Anlage wird deshalb als bekannt vorausgesetzt. Nachfolgend werden aus diesem Grunde nur die für die Erfindung wesentlichen Teile näher beschrieben.
Derartige Anlagen dienen zur Belichtung von Strukturen auf mit photosensitiven Materialien beschichtetes Substrat, welches im allgemeinen überwiegend aus Silizium besteht und als Wafer 2 bezeichnet wird, zur Herstellung von Halbleiterbauelementen.
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 besteht dabei im wesentli- chen aus einer Beleuchtungseinrichtung 3, einem sogenannten Reticle 5, durch welches die späteren Strukturen auf dem Wafer 2 bestimmt werden, und einer Abbildungseinrichtung, nämlich einem Projektionsobjektiv 7. Das grundsätzliche Funktionsprinzip sieht dabei vor, daß in das Reticle 5 eingebrachte Strukturen auf dem Wafer 2 mit einer Verkleinerung der Strukturen belichtet werden.
Nach einer erfolgten Belichtung wird der Wafer 2 in x-und y- Richtung über Schlitten 26, welche mit der Gesamteinrichtung 27 fest verbunden sind, weiterbewegt, so daß auf demselben Wafer 2 eine Vielzahl von einzelnen Feldern, jeweils mit der durch das Reticle 5 vorgegebenen Struktur belichtet werden. Eine Linearführung 25 des Wafers 2 in z-Richtung ist ebenfalls gewährleistet .
Die Beleuchtungseinrichtung 3 stellt ein für die Abbildung des Reticles 5 auf dem Wafer 2 benötigten Projektionsstrahl 4 bereit. Die Strahlung wird in der Beleuchtungseinrichtung 3 über optische Elemente so geformt, daß der Projektionsstrahl 4 beim Auftreffen auf das Reticle 5 die gewünschten Eigenschaften hinsichtlich Durchmesser, Polarisation, Form der Wellenfront und dergleichen aufweist.
Über den Projektionsstrahl 4 wird ein Bild des Reticles 5 erzeugt und von dem Projektionsobjektiv 7 entsprechend verkleinert auf den Wafer 2 übertragen.
Figur 2 zeigt einen prinzipiellen Aufbau einer Gasverteilereinrichtung 8. In den Zwischenraum zwischen dem Projektionsobjektiv 7 und dem Wafer 2 wird vorzugsweise eine ringförmige Einströmdüse 10 angebracht, die das Gas 23 laminar in die zy- linderförmige Gasverteilereinrichtung 8 einströmen läßt. Die Düse 10 kann auch über den Umfang segmentiert sein, so daß die Gaszufuhr feiner gesteuert werden kann. Die Spülung erfolgt im Spülbereich 13. Da in dem Spülbereich 13 die geforderte Strahlung eine hohe Energie besitzen muß, wird durch die Spülung mit Stickstoff oder ' einem Edelgas 23, insbesondere Helium, verhindert, daß sich bestimmte Gase, insbesondere Luft, die die Strahlung absorbieren, im Strahlraum 13 befinden. An der Oberseite und an der Unterseite der Gasverteilereinrichtung 8 befinden sich zwei Spalte, nämlich der Spalt Projektionsobjektiv-Gasverteilereinrichtung 11 und der Spalt Gas- verteilereinrichtung-Wafer 11'. Die Spalte 11 und 11' sollten < 1 mm breit sein. Durch die Spalte 11 und 11' strömt der eingeblasene reine Stickstoff oder das Edelgas 23 in die Umgebung oder in eventuell eingerichteten Absaugeinrichtungen, welche nicht näher dargestellt sind, ab.
Die Spalte 11 und 11' müssen über ausreichend große Längen verfügen, damit kein Fremd- oder Umgebungsgas hineindiffundieren kann.
Die einströmende Menge Gas 23 durch die Düsen 10 muß größer sein als die ausströmende Menge Gas 23 durch die Spalte 11 und 11'. Der Gaseintrittsquerschnitt kann dementsprechend leicht größer ausgestaltet werden als der Gasaustrittsquerschnitt, um ein richtiges Verhältnis der Strömungsgeschwindigkeit zu erreichen. Dadurch entsteht in der Gasverteilereinrichtung 8 ein geringer Überdruck.
Die tendenzielle Staubildung im Zentrum der Düse 10 und damit auf einer optischen und mechanischen Achse 19 wird durch geringe, immer vorhandene Asymmetrien vermieden. So sind die Ab- stände der Spalten 11 und 11' in der Regel unterschiedlich. Es ist auch möglich, daß einer der Spalte, vorzugsweise der obere Spalt 11, zu 0 mm gesetzt wird. Die Düse 10 ist dann direkt gedichtet, ohne einen mikroskopischen Spalt zu . erzeugen, am Projektionsobjektiv 7 angebracht, was zu nur noch einem Spalt 11' führt.
Die Gasverteilereinrichtung 8 ist mit Lagern 18 versehen. Die Lager 18 befinden sich auf einer Lagerhalterung an einer Maschineneinrichtung 27, welche hier nicht näher dargestellt ist, wobei der Wafer 2 ebenfalls auf der Lagerhalterung 27 gelagert ist. Die Lager 18 werden benötigt, damit bei Verschiebung des Wafers 2, die Gasverteilereinrichtung 8 nicht mitbewegt wird. In Figur 3 ist eine Gasverteilereinrichtung 8' erkennbar, welche das Reticle 5 einschließt. Die Gaszufuhr erfolgt hier e- benfalls über ringförmige Düsen 10. Das Gas 23 strömt durch die Düsen 10 in den Zwischenbereich zwischen Reticle 5 und Beleuchtungseinrichtung 3, wie auch in den Zwischenbereich zwischen Reticle 5 und dem Projektionsobjektiv 7. An der Oberseite der Gasverteilereinrichtung 8' befindet sich ein Lamellenverbund 14. Das Gas 23 entströmt durch die Lamellen, die jede für sich eine Dichtung über eine Spaltabdichtung darstellen. Der Lamellenverbund 14 besteht jeweils aus mehreren übereinander gestapelten Lamellen 14', welche als flache Ringe ausgebildet und mittig mit einem Loch versehen sind, damit die Strahlung ungehindert auf das Reticle 5 treffen kann. Die La- mellen 14' sind aus metallischen Werkstoffen hergestellt, welche den Strahlenbelastungen standhalten. Auf Kugeln und Magneten 17, die auf Weicheiseneinlagen arbeiten, werden die Lamellen 14 •' auf konstantem Spaltabstand gehalten. Das sich in der Gasverteilereinrichtung 8 befindliche Gas 23 kann durch den Lamellenverbund 14, insbesondere durch die jeweiligen Spalte zwischen den Lamellen 14', und durch die Spalte 20' austreten.
Das Gas 23 strömt innerhalb der Gasverteilereinrichtung 8 ' von dem oberen Bereich des Reticles 5 in den unteren Bereich des Reticles 5, wobei das Reticle 5 auf einer Dreipunktauflage 9 jeweils an den äußeren Enden auf einem inneren Rahmen 24 gelagert ist. Die Gasverteilereinrichtung 8' schließt am unteren Bereich mit einer Abschlußplatte 16 ab. Damit ein hinreichend großer Spalt 21 zwischen der Gasverteilereinrichtung 8 ' und dem Projektionsobjektiv 7 vorhanden ist, wird eine obere Pro- jektionsobjektivabschlußplatte 15 fest mit dem Projektionsobjektiv 7 verbunden. Diese Anordnung wurde gewählt, da nur eine sehr eingeschränkte Bauraumhöhe in diesem Bereich zur Verfügung steht.
Die Platten 15 und 16 sind ringförmig ausgebildet, wobei jeweils in der Mitte dieser Platten 15 und 16 ausreichend große Öffnungen zum Strahldurchtritt vorhanden sind und wobei diese Platten 15 und 16 gegeneinander verschiebbar sind. Bei maximalem Auszug des Reticles 5 gegenüber der Gesamteinrichtung muß noch ein hinreichend großer Überlapp der beiden Platten 15 und 16, insbesondere die Hälfte der Länge, vorhanden sein, damit 5 niemals kontaminiertes Gas in den gespülten Bereich eintritt.
Der innere Rahmen 24, auf welchem das Reticle 5 gelagert ist, ist gegenüber der Gasverteilereinrichtung 8 ' , dem Lamellenverbund 14 und dem äußeren Rahmen 28 in z-Richtung über entspre-
.0 chende Schlitten 25 verschiebbar, wobei die Lichtwirkung erhalten bleibt. Um dabei die jeweilige Dichtung zu garantieren, müssen Ringspalte 20 mit unterschiedlichen Durchmessern in der Breite und Länge ein bestimmtes Verhältnis besitzen. Die Spaltlänge zur Spalthöhe sollte immer ein Größenverhältnis von
.5 10mm-20mm zu 0,5mm-10mm besitzen. Es befinden sich ebenfalls an der Gasverteilereinrichtung 8' ringförmige, nicht näher dargestellte Öffnungen. Durch die Spalte 20, den ringförmigen Öffnungen und über den Lamellenverbund 14 kann das sich in der Gasverteilereinrichtung 8' befindliche Gas 23 wieder austre-
-0 ten.
Der Vorteil dieser Anordnung ist, daß der Raum neben der Lichtführung weitgehend frei von Einbauten bleibt und für die Meßtechnik zur Stagepositionierung genutzt werden kann.
>5
Figur 4 zeigt eine ausgeschwenkte Gasverteilereinrichtung 8 ' . Wird das Reticle 5 durch Schlitten 26 in x~ und y-Richtung gegenüber der Beleuchtungseinrichtung 3 und dem Projektionsobjektiv 7 verschoben, wird der Lamellenverbund 14 ausgelenkt.
30 Die Gaszufuhr erfolgt hier ebenfalls über die ringförmige Hohldüse 10. Der Stickstoff oder das Edelgas 23 strömt über die Dichtspalte der Lamellen 14' und der Spalte 20, 20', 20'', 21 ab und kann auch an diesen Stellen durch eine hier nicht näher dargestellte Absaugeinrichtung entfernt werden.
35
Eine Verschiebung des Reticles 5 ist notwendig, damit auf dem Wafer 2 eine Vielzahl von einzelnen Feldern, jeweils mit der durch das Reticle 5 vorgegebenen Struktur, belichtet werden. Das Entfernen der störenden Gase soll innerhalb von einigen Zehntel Sekunden erfolgen. Der hierfür benötigte Gasverbrauch soll gering gehalten werden.

Claims

Patentansprüche :
1. Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem, einem Reticle, einem Projektionsobjektiv und einer Abbil- dungsebene, wobei zwischen den einzelnen Elementen jeweils zum Umfeld offene Zwischenräume vorhanden sind, dadurch gekennzeichnet, daß in wenigstens einem der Zwischenräume eine Edelgas oder Stickstoff durchströmte Gasverteilereinrichtung (8,8') angeordnet ist, wobei die Gasverteilerein- richtung (8,8') eine derartige Form und Größe aufweist, daß ein oder mehrere Zwischenräume wenigstens weitgehend gegenüber dem die Projektionsbelichtungsanlage (1) umgebenden Umfeld abgedichtet ist. .
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gasverteilereinrichtung (8) zwischen der Abbildungsebene (2) und dem Projektionsob ektiv (7) angeordnet ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gasverteilereinrichtung (8') zwischen dem Beleuchtungssystem (3) und dem Projektionsobjektiv (7) angeordnet ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gasverteilereinrichtung (8,8') mit wenigstens einer Gaszufuhreinrichtung (10) und wenigstens einer Gasabfuhreinrichtung (11, 11' , 20,21, 22) versehen ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der Gasaustauscheinrichtung (8,8') ein Überdruck vorgesehen ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Einströmquerschnitt zum Einbringen des Stickstoffes o- der des Edelgases (23) größer ausgebildet ist als der Aus- trittsquerschnitt .
7. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die wenigstens eine Gaszufuhreinrichtung als Hohldüse (10) ausgebildet ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß 5 zur laminaren Einströmung des Stickstoffes oder des Edelgases (23) in die Gasverteilereinrichtung (8,8) die Hohldüse (10) ringförmig ausgebildet ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß L0 die Hohldüse (10) über ihren Umfang segmentiert ausgebildet ist.
10. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Gasabfuhreinrichtung mit Spaltdichtungen (11, 11', 20,
15 20', 20'', 21) versehen ist.
11. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Gasabfuhreinrichtung mit lamellenför igen Spaltdichtungen (14) versehen ist, wobei die Spaltdichtungen (14) ring-
20 förmig ausgebildet sind.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die lamellenförmigen Spaltdichtungen (14) in sich gegeneinander verschiebbar sind.
25
13. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Gasabfuhreinrichtung zur Abdichtung mit zwei ringförmigen Platten (15,16) versehen ist, welche gegeneinander verschiebbar sind.
30
14. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß feste Verbindungen der einen Platte (15) mit dem Projektionsobjektiv (7) und feste Verbindungen der anderen Platte (16) mit der Gasverteilereinrichtung (8,8') vorgesehen 35 sind.
15. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die zwei Platten (15,16) jeweils mit einer Mittenbohrung versehen sind.
16. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Edelgas Helium vorgesehen ist.
17. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Gasverteilereinrichtung (8.8') zylinderförmig ausgebil- det ist.
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