KR20050044800A - 투영 조사 시스템을 시일하는 장치 - Google Patents

투영 조사 시스템을 시일하는 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 조사 장치(3), 레티클(5), 투영 렌즈(7) 및 이미지 평면으로 구성되는 투영 조사 시스템(1)에 관한 것이다. 개별 요소들 사이의 주위 영역에 개방된 공간이 제공된다. 불활성 가스 또는 질소가 가로질러 유동하는 가스 분배기(8, 8′)가 적어도 하나의 상기 개방 공간에 배치된다. 가스 분배기(8, 8′)의 형상 및 크기는 하나 또는 몇 개의 개방 공간이 투영 조사 시스템(1)을 둘러싸는 영역에 대하여 적어도 실질적으로 시일되는 방식으로 선정된다.

Description

투영 조사 시스템을 시일하는 장치{Device for sealing a projection illumination system}
본 발명은 조사 시스템(illumination system), 레티클(reticle), 투영 대물렌즈(projection objective) 및 이미지 평면을 가지며 장치의 개별 요소들 사이의 틈새 공간이 주위 공간에 개방된 투영 노출 장치를 시일하는 장치에 관한 것이다.
이러한 유형의 장치는 웨이퍼 및 광학 요소 사이에 배치된 진공 작동형 장치가 기술된 EP 0 886 184에 개시되어 있다. 이 장치는 그 중앙 부분에 조사 필드 개구부를 가지며, 렌즈 표면에 극소의 상측 갭과 웨이퍼 표면에 더 극소의 갭을 두고 있다. 가스 유동은 장치의 상하에서 도입되어 장치 내에서 슬롯 형상의 개구부를 통해 다시 빠져나간다. 그 결과, 오염물, 특히 먼지 알갱이가 렌즈 표면으로부터 제거된다.
도 1은 감광성 재료로 코팅된 웨이퍼 상에 회로 구조체를 투영하기 위해 적용되는 마이크로리소크로피 분야를 위한 투영 장치의 주요 개요를 나타내는 도면이다.
도 2는 투영 대물렌즈와 웨이퍼 사이에 배치된 가스 정화 장치의 길이방향 단면도이다.
도 3은 조사 장치, 레티클 및 투영 대물렌즈 사이에 배치된 가스 정화 장치의 길이방향 단면도이다.
도 4는 레티클이 조사 시스템 및 투영 대물렌즈에 대하여 측방향으로 이동된 도 3에 도시된 장치의 도면이다.
본 발명에 개시된 과제는, 투영 장치의 중요 영역 내에 배치될 수 있고, 이러한 영역 내에 존재하는 복사선의 많은 부분을 흡수하거나 이와 간섭하지 않는 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 이 과제는 적어도 하나의 틈새 공간 내에 질소 또는 불활성 가스의 흐름을 운반하는 가스 정화 장치를 배치함으로써 해결되며, 여기서 가스 정화 장치는 하나 또는 그 이상의 틈새 공간이 투영 장치를 둘러싸는 주위 공간으로부터 큰 정도로 시일되게 하는 형상 및 크기로 되어 있다.
이 과제의 제1 발명적 해법에 있어서, 투영 대물렌즈 및 이미지 평면 사이의 공간은 이른바 격납부(containment)를 형성하는 적절한 치수의 장치에 의해 고도로 시일되며, 시일 효과는 접촉 없이 나타난다. 157㎚ 파장에서의 리소그래피 처리(lithography process)에 있어서, 복사선은 투영 대물렌즈 및 이미지 평면 사이의 공기로 채워진 공간에서 크게 흡수되며, 따라서 질소 또는 불활성 가스를 사용하여 보호 가스 분위기를 제공하는 것이 필요하다. 이러한 가스는 본 응용예에 사용된 복사선 유형에 대하여 낮은 흡수도를 가진다. 보호 가스용으로 순수 질소를 사용함으로써 감광성 재료로 코팅된 기판이 157㎚ 파장의 복사선을 손실 없이 수용하고 투영 대물렌즈의 최종 표면이 해로운 물질 없이 유지되는 것이 보장된다.
본 발명의 유리하게 개발된 실시예에 있어서, 가스 유동 장치에는 적어도 하나의 가스 유입 장치 및 적어도 하나의 가스 유출 장치가 구비되며, 질소 또는 불활성 가스의 유입 흐름의 횡단면적은 유출 흐름의 횡단면적보다 클 수 있다. 적어도 하나의 가스 유입 장치는 중공 오리피스 채널로서 형성될 수 있고, 가스 유출 장치는 시일 갭의 형태로 형성될 수 있다.
가스가 시일 갭을 통해 다시 유출하면서, 불완전하게 기밀된 격납부가 중공 오리피스 통로를 통과한 가스로 지속적으로 재보충된다. 어떠한 가스도 확산에 의해 진입될 수 없고 어떠한 흐름도 갭을 통해 역방향으로 유동할 수 없도록, 갭은 충분히 크게 중첩되어야 하며 유입하는 가스 흐름의 크기와 상응하게 치수가 정해져야 한다. 가스 정화 장치의 내부 공간이 약간 초과압력(overpressure) 상태이면 이롭다.
정화 장치 내에 사용된 입구 오리피스 채널은 가능한 한 균일하게 또한 난류가 일어지 않게 격납부 내의 공간을 채워야 한다. 정화 장치의 스로틀 효과는 입구 오리피스 통로 내에 발생하지 않는다. 오히려, 가스가 층류 흐름으로서 입구 오리피스 통로를 벗어나는 것이 이롭다. 주위 공간에 대한 시일 효과는 충분히 긴 갭 통로를 통해 흐르게 되는 가스 유출의 결과로서 발생한다.
본 발명에 따른 제2 해법에 따르면, 가스 정화 장치는 또한 조사 시스템 및 레티클 사이의 공간 내에 배치될 수 있다. 이 경우 유출하는 가스를 위한 시일 갭은, 박판들이 서로에 대하여 슬라이드할 수 있는 배치의 링 갭을 가지는 층상 디스크의 적층체에 의해 형성된다.
박판 적층체가 마찬가지로 주위 공간에 대한 시일로서 설계된다. 가스는 입구 오리피스 통로를 통해 장치 내로 흘러 들어가고 시일 갭을 형성하는 박판들을 통해 흘러나온다. 이러한 배치는, 광로 측 공간이 설치된 요소에 상관없이 유지되어 이러한 배치가 레티클이 장치의 다른 부분에 대하여 이동될 때 공간이 시일되어 유지되면서 스테이지를 위치선정하기 위해 사용될 수 있다는 이점을 가진다.
본 발명의 또 다른 실시예에 있어서, 서로에 대하여 측방향으로 이동 가능한 2개의 큰 고리형상 플레이트가 시일을 위해 사용될 수 있으며, 하나의 플레이트는 투영 대물렌즈에 고정되어 연결되고 다른 플레이트는 가스 정화 장치에 고정되어 연결된다.
단지 매우 한정된 양의 틈새 공간만이 레티클과 투영 대물렌즈 사이의 시일 배치를 위해 가용된다. 그러므로, 2개의 플레이트는 충분한 길이를 가져서, 레티클이 다른 위치로 이동될 때 2개의 플레이트가 여전히 서로 중첩되어 가스로 정화된 공간의 시일을 유지하는 것이 이점이 된다.
본 발명의 추가적인 이로운 구성 및 더 개발된 형태는 종속항 및 실시예에 제시되어 있으며, 이들의 주된 특징은 이하에 도면을 참조하여 기술된다.
도 1은 원칙적으로 미국 특허 제5,638,223호 및 제6,252,712호에서 공지된 유형의 투영(projection) 장치(1)를 도시하며, 이들 특허 문헌의 전체 내용은 본원에 참조로서 합체되어 있다. 그러므로, 이러한 유형의 장치의 작용 원리는 공지된 것으로 가정하며 이하의 상세한 설명은 본 발명에 관련된 부분에 한정될 것이다.
이러한 유형의 시스템은 반도체 구성요소의 생산을 위해 사용되며, 감광성 재료로 코팅되고 일반적으로 주로 실리콘으로 이루어지며 웨이퍼(2)로서 참조되는 기판 상에 회로 구조체를 투영하도록 기능한다.
투영 장치(1)는 실질적으로 조사 장치(3), 차후 웨이퍼 상에 존재할 구조체를 한정하는 소위 레티클(reticel)(5) 및 투영 대물렌즈 형태인 화상 시스템(imaging system)(7)으로 구성된다.
근본 작용 원리에 의하면, 레티클(5) 내에 합체된 구조체가 크기가 감소되어 웨이퍼(2) 상에 투영된다.
노출이 완료된 후, 다수의 개별 필드들이 레티클(5)에 의해 한정된 구조체에 노출될 수 있도록, 웨이퍼(2)는 전체 장치(27)에 고정되어 연결된 위치 선정 스테이지(26)에 의해 X방향 및 Y방향으로 이동된다. Z방향에서 웨이퍼의 병진 운동(25)이마찬가지로 가능하다.
조사 장치(3)는 웨이퍼(2) 상에 레티클(5)의 이미지를 형성하는데 필요한 투영 광선(4)을 제공한다. 광선은 투영 광선(4)이 레티클(5) 상에 떨어질 때 직경, 편광(polarization), 파면 형상 및 다른 특성에 관한 규정된 특성을 가지는 방식으로 광학 요소에 의해 조사 장치(3) 내에서 형성된다.
레티클(5)의 이미지는 광선(4)으로 발생되어 투영 대물렌즈(7)을 통해 웨이퍼(2)로 크기가 감소되어 전달된다.
도 2는 가스 정화 장치(8)의 주요 구성을 도시한다. 바람직한 배치에 있어서, 투영 대물렌즈(7) 및 웨이퍼(2) 사이의 공간에 있는 고리형상 입구 오리피스 채널(10)이 원통형 가스 정화 장치(8) 내로 가스의 층류 유입을 발생시킨다. 오리피스 통로(10)는 보다 정밀하게 가스 유동이 제어될 수 있도록 그 원주를 따라서 부채꼴들로 분할될 수 있다. 정화는 정화 영역(13) 내에서 일어난다. 정화 영역(13)을 통과하는 복사선은 높은 에너지 레벨을 가질 필요가 있으므로, 질소 또는 특히 헬륨과 같은 불활성 가스(23)로 정화시키는 것이 빔 통과 영역(13) 내에 어떤 복사흡수(radiation-absorbing) 가스, 특히 공기가 존재하는 것을 방지하도록 기능한다.
가스 정화 장치(8)의 상부 및 하부에 각각 2개의 갭, 즉 투영 대물렌즈 및 가스 정화 장치 사이의 갭(11)과 가스 정화 장치 및 웨이퍼 사이의 갭(11′)이 있다. 갭(11, 11′)은 1㎜ 폭 미만이어야 한다. 정화 장치 내로 취입되는 순수 질소 또는 불활성 가스(23)는 갭(11, 11′)을 통해 주위 공간으로 또는 도면에 도시되지 않았지만 설비의 일부가 될 수 있는 배기 가스 장치로 흘러나간다.
갭(11, 11′)을 통하는 통로는 어떠한 외부 또는 주위 가스가 확산에 의해 장치 내로 진입할 수 없을 만큼 길 필요가 있다.
오리피스 통로(10)를 통해 유입하는 가스(23)의 부피는 갭(11, 11′)을 통해 유출하는 부피보다 클 필요가 있다. 따라서, 유입 통로의 횡단면적은 각각의 유량 사이에 소망의 비율을 달성하도록 유출 통로의 횡단면적보다 약간 클 수 있다. 그 결과, 가스 정화 장치(8) 내부에 약간의 초과압력(overpressure)이 존재한다.
정체 가스(stagnant gas)의 포켓이 광학 및 기계적 중심축(19) 상에서 고리형상 오리피스(10)의 중앙에 형성되는 경향은 항상 존재하는 약간의 비대칭에 의해 방지된다. 예를 들면, 갭(11, 11′)은 대체로 상이한 폭을 가진다. 갭 중 하나, 바람직하게는 상측 갭(11)이 0으로 감소되는 것이 또한 가능하다. 이 경우, 오리피스 채널(10)은 극미의 갭 없이 투영 대물렌즈(7)와 직접적인 기밀 접촉을 하며, 단지 하나의 갭(11′)만이 있게 된다.
가스 정화 장치(8)에는 지지 베어링(18)이 구비된다. 베어링(18)은 상세하게 도시되지 않은 기구의 지지대(27) 상에 위치한다. 웨이퍼(2)가 마찬가지로 지지대(27)에 의해 지지된다. 베어링(18)은 웨이퍼(2)가 이동될 때 가스 정화 장치(8)가 적소에 체재할 수 있게 하기 위해 필요하다.
도 3은 레티클(5)을 에워싼 가스 정화 장치(8′)를 도시한다. 도 2의 배치에서와 같이, 가스 유입이 또한 고리형상 오리피스 통로(10)를 통해 일어난다. 가스(23)는 오리피스 통로(10)를 통해 레티클(5) 및 투영 대물렌즈(7) 사이의 틈새 공간 내로 또한 레티클(5) 및 조사 장치(3) 사이의 틈새 공간 내로 흐른다. 층상 디스크의 적층체(14)가 가스 정화 장치(8′)의 상측에 배치된다. 가스(23)는 각자가 시일 갭을 형성하는 층들을 통해 유출한다. 층상 디스크의 적층체(14)는 서로 쌓아 올려진 다수의 박판(14′)으로 이루어지며, 복사선이 레티클(5) 상에 떨어지도록 중앙에 개구부를 둔 편평한 링 디스크로서 구성된다. 박판(14′)은 복사선 하에서 버티는 금속 재료로 이루어진다. 박판(14′)은 연철의 삽입물과 협력하는 볼 및 자석(17)에 의해 일정 갭 거리를 두고 유지된다. 가스 정화 장치(8) 내의 가스(23)는 박판의 적층체(14)를 통해, 특히 박판들(14′) 사이의 갭 및 갭(20′)을 통해 흘러나온다.
가스(23)는 가스 정화 장치(8′) 내부에서 레티클(5) 위의 공간으로부터 레티클(5) 아래의 공간으로 흐른다. 레티클(5)은 그 외측 단부에서 내측 프레임(24) 상에 3점 지지부(9)를 통해 안착되어 있다. 가스 정화 장치(8′)는 폐쇄 플레이트(16)에 의해 바닥에서 폐쇄되어 있다. 가스 정화 장치(8′) 및 투영 대물렌즈(7) 사이에 충분히 넓은 갭(21)을 제공하기 위해, 투영 대물렌즈(7)의 상측 폐쇄 플레이트(15)는 투영 대물렌즈(7)에 고정되어 부착되어 있다. 이러한 배치는 단지 매우 한정된 간극 높이만이 이 영역에 가용되기 때문에 선택된다.
플레이트(15, 16)는 플레이트(15, 16)의 중앙 부분을 관통하고, 플레이트(15, 16)가 서로에 대하여 측방향으로 슬라이드할 수 있음을 고려하여도 광선이 통과할 수 있는 충분히 큰 개구부를 둔 고리형상 형태를 가진다. 레티클(5)이 전체 장치에 대하여 그 극단의 위치로 당겨질 때에도, 어떠한 외부 가스도 진입하여 정화 영역을 오염시킬 수 없도록, 2개의 플레이트(15, 16) 사이에 예컨대 공칭 갭 통로 길이의 절반인 충분히 큰 중첩이 여전히 존재할 필요가 있다.
레티클(5)이 지지되는 내측 프레임(24)은 슬라이드 스테이지(25) 상에서 가스 정화 장치(8′), 층상 디스크의 적층체(14) 및 외측 프레임(28)에 대하여 Z방향으로 이동 가능하다. 내측 프레임(24)이 레티클(5)과 함께 다른 위치로 이동될 때 조사가 유지되도록 이러한 배치가 설계된다. 모든 위치에서의 시일의 유효성을 보장하기 위해, 상이한 직경을 가질 수 있는 링 갭(20)은 항상 폭 및 통로 길이 사이에 일정 비율을 가져야 한다. 갭 통로의 길이 대 갭의 폭 비율은 항상 10㎜ 내지 20㎜의 길이 대 0.5㎜ 내지 10㎜의 폭의 비율 내에 있어야 한다. 가스 정화 장치(8′)는 또한 상세하게 도시되지 않는 고리형상 개구부를 가진다. 갭(20), 고리형상 개구부 및 층상 디스크의 적층체(14)에 의해, 정화 장치(8′) 내부의 가스(23)가 다시 유출할 수 있다.
전술한 배치는 광로 측 공간이 설치된 요소에 상관없이 유지되어 이러한 배치가 스테이지의 위치선정시 사용된 측정 장치에 대하여 사용될 수 있다는 이점을 가진다.
도 4는 측방향으로 이동된 가스 정화 장치(8′)를 도시한다. 레티클(5)이 슬라이드 스테이지(26) 상에서 조사 시스템(3) 및 투영 대물렌즈(7)에 대하여 X 방향 및 Y 방향으로 이동함에 따라, 층상 디스크의 적층체(14)는 디스크들이 엇갈린 상태로 바뀐다. 가스의 유입이 마찬가지로 고리형상의 중공 오리피스 채널(10)에 의해 일어난다. 질소 또는 불활성 가스(23)가 층상 디스크(14′) 사이의 시일 갭을 통해 또한 갭(20, 20′, 20″, 21)을 통해 흘러 나와 도면에 도시되지 않은 배기 가스 장치에 의해 이들 위치로부터 벗어나 운반될 수 있다.
레티클(5)의 측방향 이동 운동은 웨이퍼(2) 상의 다수의 개별 필드를 레티클(5)에 의해 한정된 구조체의 투영에 순차적으로 노출시키기 위해 필요하다.
노출 프로세스와 간섭하는 가스의 제거는 수 십분의 일 초 내에 일어난다. 이러한 목적을 위한 가스의 양은 작게 유지되어야 한다.

Claims (17)

  1. 조사 시스템, 레티클, 투영 대물렌즈 및 이미지 평면을 구비하고 개별 요소들 사이의 틈새 공간이 주위 공간에 개방된 투영 노출 장치로서,
    불활성 가스 또는 질소의 흐름을 운반하는 가스 정화 장치(8, 8′)가 적어도 하나의 틈새 공간에 배치되며, 가스 정화 장치(8, 8′)는 하나 또는 그 이상의 틈새 공간이 상기 투영 노출 장치를 둘러싸는 주위 공간(1)으로부터 큰 정도로 적어도 시일되도록 형상 및 크기가 정해진 것을 특징으로 하는 투영 노출 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    가스 정화 장치(8)는 이미지 평면(2) 및 투영 대물렌즈(7) 사이에 배치된 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    가스 정화 장치(8′)는 조사 시스템(3) 및 투영 대물렌즈(7) 사이에 배치된 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    가스 정화 장치(8, 8′)에는 적어도 하나의 가스 유입 장치(10) 및 적어도 하나의 가스 유출 장치(11, 11′, 20, 21, 22)가 구비된 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상측 주위압력이 가스 정화 장치(8, 8′) 내부에 제공된 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    질소 또는 불활성 가스(23)의 전달을 위한 유입 통로는 유출 통로보다 큰 횡단면적을 가지도록 설계된 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    적어도 하나의 가스 유입 장치는 중공 오리피스 통로(10)로서 형성된 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    중공 오리피스 통로(10)는 질소 또는 불활성 가스(23)의 가스 정화 장치(8, 8′) 내로의 층류 유입 흐름을 달성하도록 고리형상인 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    중공 오리피스 통로(10)는 그 원주를 따라서 부채꼴들로 분할된 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제 4 항에 있어서,
    가스 유출 장치에는 갭 시일(11, 11′, 20, 20′, 20″, 21)이 구비된 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 제 4 항에 있어서,
    가스 유출 장치에는 층상의 갭 시일(14)이 구비되며, 상기 갭 시일은 고리형상인 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    층상의 갭 시일(14)은 서로에 대하여 측방향으로 이동될 수 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제 4 항에 있어서,
    가스 유출 장치에는 시일을 제공하는 2개의 고리형상 플레이트(15, 16)가 구비되며, 상기 2개의 고리형상 플레이트(15, 16)는 서로에 대하여 측방향으로 이동될 수 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    플레이트 중 하나(15)를 투영 대물렌즈(7)에 부착하기 위한 고정 연결이 제공되고, 다른 플레이트(16)를 가스 정화 장치(8, 8′)에 부착하기 위한 고정 연결이 제공된 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    2개의 플레이트(15, 16) 각각에는 중앙 개구부가 제공된 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    불활성 가스로서 헬륨이 제공된 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 제 1 항에 있어서,
    가스 정화 장치(8, 8′)는 원통 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170043090A (ko) * 2015-10-12 2017-04-20 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 광학 조립체, 투영 시스템, 메트롤로지 시스템 및 euv 리소그래피 장치

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7072021B2 (en) * 2004-05-17 2006-07-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL2008345A (en) * 2011-03-28 2012-10-01 Asml Holding Nv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
CN107111249A (zh) * 2014-12-31 2017-08-29 Asml控股股份有限公司 具有图案化装置环境的光刻设备
WO2019020450A1 (en) 2017-07-28 2019-01-31 Asml Netherlands B.V. SYSTEMS AND METHODS FOR DEPLETING PARTICLES
US11204558B2 (en) 2017-07-28 2021-12-21 Asml Netherlands B.V. Particle suppression systems and methods

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3127511B2 (ja) * 1991-09-19 2001-01-29 株式会社日立製作所 露光装置および半導体装置の製造方法
JPH0786152A (ja) 1993-09-14 1995-03-31 Nikon Corp 投影露光装置
IL133422A0 (en) * 1997-06-10 2001-04-30 Nikon Corp Optical device, method of cleaning the same, projection aligner, and method of producing the same
US5973764A (en) * 1997-06-19 1999-10-26 Svg Lithography Systems, Inc. Vacuum assisted debris removal system
DE19807120A1 (de) 1998-02-20 1999-08-26 Zeiss Carl Fa Optisches System mit Polarisationskompensator
US6933513B2 (en) * 1999-11-05 2005-08-23 Asml Netherlands B.V. Gas flushing system for use in lithographic apparatus
EP1279070B1 (en) * 2000-05-03 2007-10-03 ASML Holding N.V. Apparatus for providing a purged optical path in a projection photolithography system and a corresponding method
JP2002151400A (ja) * 2000-11-15 2002-05-24 Canon Inc 露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法及び半導体製造工場
US20020159042A1 (en) * 2001-04-25 2002-10-31 Poon Alex Ka Tim Chamber assembly for an exposure apparatus
JP2002373852A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Canon Inc 露光装置
US6867844B2 (en) * 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170043090A (ko) * 2015-10-12 2017-04-20 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 광학 조립체, 투영 시스템, 메트롤로지 시스템 및 euv 리소그래피 장치
US10146048B2 (en) 2015-10-12 2018-12-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical assembly, projection system, metrology system and EUV lithography apparatus

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