WO2004012249A1 - 研磨装置 - Google Patents

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WO2004012249A1
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polishing
electric signal
polishing pad
polished
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Eiji Ariizumi
Hiroshi Arai
Yutaka Uda
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Nikon Corp
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Nikon Corp
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/16—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the load
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces

Definitions

  • the present invention relates to a polishing apparatus (CMP apparatus) used for polishing a wafer having a semiconductor integrated circuit formed therein.
  • CMP apparatus polishing apparatus
  • the wavelength of the light source of a semiconductor exposure apparatus used for optical lithography becomes shorter, and the numerical aperture of a projection lens of the semiconductor exposure apparatus, so-called NA, becomes larger.
  • NA numerical aperture of a projection lens of the semiconductor exposure apparatus
  • CMP chemical mechanical polishing
  • FIG. 4 11 is a polishing pad
  • 12 is a polishing pad holding section (polishing head)
  • 13 is a wafer to be polished
  • 14 is a polishing platen
  • 15 is a polishing liquid.
  • 16 is a polishing liquid supply unit.
  • the wafer 13 is fixed on the polishing platen 14 and rotates together with the polishing platen 14.
  • the polishing pad 11 is fixed to the polishing head 12 and is rotated and oscillated along with the rotation of the polishing head 12. Then, the wafer 13 is pressed against the wafer 13 with a predetermined pressure.
  • the polishing liquid 15 is supplied onto the wafer 13 from the polishing liquid supply section 16.
  • the polishing liquid 16 diffuses on the wafer 13 and enters between the polishing pad 11 and the wafer 13 with the relative movement of the polishing pad 11 and the wafer 13 to cover the wafer 13. Polish the polished surface. That is, the mechanical polishing by the relative motion of the polishing pad 11 and the wafer 13 and the chemical action of the polishing liquid 15 act synergistically to perform good polishing.
  • the polishing pad 11 is larger than the polishing pad 11, and the polishing pad 11 is on the upper side and the wafer 13 is on the lower side. In some cases, the wafer 13 is smaller than 11 and the polishing pad 11 is on the lower side and the wafer 13 is on the upper side.
  • the polishing liquid 15 is supplied directly to the surface of the wafer 13. However, as will be described later, a passage for the polishing liquid is provided in the polishing head 12, and the polishing head 1 is provided. In some cases, the polishing liquid 15 is supplied via the polishing pad 2 and the polishing pad 11.
  • Figure 5 shows an example of such a polished head structure.
  • An upper plate 22 is fixed to the rotating shaft 21, an upper flange portion 23 is bolted to the upper plate 22 via a packing 24, and a cylindrical body 25 is bolted to the upper plate 22. It has been stopped.
  • a base plate retainer 26 is bolted to the cylindrical body 25, and a circumferential end of a donut-shaped panel panel 27 is provided between the cylindrical body 25 and the base plate retainer 26. It is sandwiched and fixed.
  • a leaf spring 29 is screwed to the base plate 28.
  • the polishing pad attaching plate 30 is mounted on the support pad 29.
  • the base plate 28 and the polishing pad attaching plate 30 are fixed by dowels so as not to rotate relative to each other.
  • the lower flange 31 is bolted to the base plate 28, and the inner peripheral end of the leaf spring 27 is sandwiched and fixed between the base plate 28 and the lower flange 31. ing.
  • a plug provided in the center of the polishing pad attaching plate 30 is fitted into a hole provided in the center of the base plate 28.
  • the space 36 formed by the upper plate 22, the upper flange 23, the cylindrical body 25, the panel panel 27, and the lower flange 31 provides air supplied in the hollow part of the rotating shaft 21. Air is supplied from the port 37, and the pressure causes the panel panel 27 to deform downward. Therefore, when the polishing pad 33 is pressed against the surface of the wafer 35 during polishing, the plate panel 27 serves as a cushioning material, which helps the polishing pad 33 to follow the surface of the wafer 35. As a result, a slight parallelism error between the pad surface and the chuck surface due to processing and assembling, and undulation of the wafer surface can be absorbed.
  • the polishing liquid supplied from the polishing liquid supply pipe 38 is provided to the lower flange 31, the base plate 28, the stopper 32, and the polishing pad mounting plate 30 via the screw joint 39. Through the holes to the polishing surface.
  • the polishing liquid supply pipe 38 has a helical shape in order to absorb the stress caused by the vertical movement of the base plate 28.
  • the pressure at which the polishing pad 33 presses the wafer 35 is determined by the pressure of the air supplied from the air supply port 37 provided in the hollow portion of the rotating shaft 21. .
  • the pressure of this air is determined by an electropneumatic converter provided in the control device. Normally, air having a pressure proportional to the voltage supplied from the control device is supplied to the electropneumatic converter from the air supply port 37, and therefore, the polishing pump is driven by the pressure proportional to the voltage supplied from the control device.
  • conditioning it is common practice to polish the polishing pad itself after polishing a predetermined number of times to eliminate irregularities on the polishing pad.
  • This work is called conditioning.
  • a polishing head with a polishing pad is faced to a polishing machine called a conditioner, and the polishing head and a grindstone attached to the conditioner are moved relative to each other. The surface is polished.
  • Figure 6 shows an overview of the conditioner.
  • the grindstone 41 is attached to a grindstone holder 42, and the grindstone holder 42 is connected to a load 44 via a gimbal mechanism 43.
  • a load 46 is connected to a piston 46 in an air cylinder 45, and against the pressure of the air supplied from the air supply pipe 47, against the urging force of the spring 48. It is designed to move up and down.
  • a gear 49 is coupled to the load 44, and the gear 49 is a motor.
  • the pressure for pressing the whetstone 41 against the polishing pad is determined by the pressure of the air supplied from the air supply pipe 47.
  • the pressure of this air is also adjusted by giving an electric signal from the controller to the electropneumatic converter.
  • the supply amount of the polishing liquid is determined by a control valve provided in the control device. Normally, there is a fixed relationship between the voltage supplied from the control device and the degree of control valve control.When the opening degree of the control valve is determined, the supply amount of the polishing liquid is determined. The polishing liquid is supplied in an amount having a certain relationship with the polishing liquid.
  • the pressure of the supplied air is increased via the mechanical components of the leaf spring 27, the base plate 28, and the polishing pad mounting plate 30. It is transmitted to the polishing pad 33. Therefore, the force transmitted to the polishing pad 33 may change due to the mechanical friction during this time even at the same air supply pressure. Also, the polishing pad 33 has elasticity, but the elastic modulus changes depending on the abrasion condition. This also means that the pressure applied between the polishing pad 33 and the wafer 35 at the same air supply pressure. It causes change.
  • the passage of the polishing liquid such as the polishing liquid supply pipe may be narrowed in some cases because the polishing liquid adheres to the inside. In such a case, there is a problem that even if the voltage applied from the control device to the control valve is set to the target value, the amount of the polishing liquid actually supplied does not reach the target value. Disclosure of the invention
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and stabilizes the pressure between the polishing pad and the object to be polished, the pressure during conditioning, and the supply amount of the polishing liquid even when used for a long time. It is an object of the present invention to provide a polishing apparatus that can maintain the value.
  • a polishing liquid is interposed between a polishing object attached to a polishing platen and a polishing pad attached to a polishing head.
  • the polishing head is relatively moved to polish the object to be polished by the polishing pad, and the pressure between the polishing pad and the object to be polished during polishing is adjusted according to an electric signal.
  • a load measuring device detachable between the polishing head and the table during non-polishing; a means for changing the electric signal; a means for detecting the electric signal; and the detected electric power.
  • Means for determining the magnitude of the electric signal to be output based on the relationship of the applied pressure When the target pressure applied between the object is given, or between the size and the fact the polishing pad and the polishing object of the calculated et al electrical signal Means for determining the magnitude of the electric signal to be output based on the relationship of the applied pressure.
  • a load measuring device is arranged between the polishing head and the table (a polishing pad or wafer may or may not be present) during polishing, and The pressure between the polishing head and the table is changed by changing an electric signal for adjusting the pressure between the polishing pad and the object to be polished. Then, the applied voltage and the output of the load measuring device are taken in, and the relationship between the magnitude of the electric signal and the pressure actually applied between the polishing pad and the object to be polished is obtained. This relationship is obtained by, for example, regression calculation. Then, when actually performing the polishing, the magnitude of the electric signal to be output is determined based on the relational expression so that the target pressure between the polishing pad and the object to be polished is obtained. .
  • the value of the electric signal to be output is determined based on the actually measured load. Therefore, in the actual polishing state, even if there is a mechanical change in friction or abrasion of the polishing pad, etc. Polishing can be performed at a target pressure.
  • the “means for detecting an electric signal” may be a device such as an ammeter or a voltmeter. However, if the relationship between the command value and the actual electric signal accurately corresponds to each other, Command value can be regarded as the value of the electrical signal without detecting the signal. In such a case, the command value of the means for issuing the command value can be regarded as the detected value of the electric signal as it is. "Can be regarded as having. This is the same in the section of the disclosure of the invention and in the claims.
  • a second invention for achieving the above object is the first invention, wherein the table is the polishing platen. If the polishing platen itself is used as the table, there is no need to provide a special table, and the possibility of increasing the size of the equipment can be reduced.
  • a third invention for achieving the above object is the first invention, characterized in that the table is a table used for polishing pad exchange (a table used for polishing pad exchange). Even if the polishing table is used as the table, there is no need to provide a special table, and the possibility of increasing the size of the equipment can be reduced. Since there are other mechanical parts, there is a possibility that there is not enough room to attach the load measuring device, but in that regard, the table used to replace the polishing pad is Less interference with
  • a fourth invention for achieving the above object is any one of the first invention to the third invention, wherein the means for changing the electric signal changes the electric signal within a predetermined range. It is characterized by being a thing.
  • a fifth invention for achieving the object is the fourth invention, wherein the means for detecting the electric signal receives two or more different electric signals within the predetermined range, and detects the electric signal. From the relationship between the two or more different electric signals and the output of the load measuring device corresponding to the two or more different electric signals, the magnitude of the output electric signal and the actual polishing pad It is characterized by having a function to determine the relationship between the pressure applied to the object to be polished.
  • a sixth invention for achieving the above object is the fifth invention, wherein the two or more different electrical signals detected and the load measuring device corresponding to the two or more different electrical signals are detected. It has a function of obtaining the relationship between the magnitude of the electric signal and the pressure actually applied between the polishing pad and the object to be polished from the output by regression calculation.
  • a seventh aspect of the present invention for achieving the above object is to provide a polishing object, wherein a polishing liquid is interposed between a polishing object attached to a polishing platen and a polishing pad attached to a polishing head. And the polishing head are relatively moved to polish the object to be polished by the polishing pad, and the pressure between the polishing pad and the conditioner during conditioning is adjusted according to an electric signal.
  • a load measuring device detachable between the polishing head and the conditioner during non-conditioning; a means for changing the electric signal; a means for detecting the electric signal; and From the relationship between the electric signal and the output of the load measuring device, the magnitude of the output electric signal is actually applied between the polishing pad and the conditioner.
  • a load measuring device is arranged between the polishing head and the conditioner (the polishing pad may or may not be present) during the conditioning, and during the conditioning,
  • the electrical signal that regulates the pressure between the polishing pad and the conditioner is changed to change the pressure between the polishing head and the conditioner.
  • the applied electric signal and the output of the load measuring device are taken in, and the relationship between the magnitude of the electric signal and the pressure actually applied between the polishing pad and the conditioner is obtained. This relationship is obtained by, for example, regression calculation.
  • the output is set so that the target pressure between the polishing pad and the conditioner is obtained.
  • the magnitude of the electrical signal to be determined is determined.
  • the value of the electric signal to be output is determined based on the actually measured load. Therefore, in actual conditioning, even if there is a mechanical change in friction or abrasion of the polishing pad, etc. Conditioning can be performed with the pressure as follows.
  • An eighth invention for achieving the above object is characterized in that a polishing liquid is interposed between a polishing object attached to a polishing platen and a polishing pad attached to a polishing head.
  • a polishing apparatus that moves the polishing head relative to the polishing head to polish the object to be polished with the polishing pad, and adjusts a supply amount of the polishing liquid during polishing in accordance with an electric signal;
  • a flow measuring device for measuring an amount; a means for changing the electric signal; a means for detecting the electric signal; and the electric signal output from a relationship between the detected electric signal and an output of the flow measuring device.
  • the target flow rate of the polishing liquid is When it is obtained, the magnitude of the electric signal to be output is based on the relationship between the magnitude of the obtained electric signal and the amount of the polishing liquid actually supplied between the polishing pad and the object to be polished.
  • the electric signal and the actual flow rate of the polishing liquid are measured by changing the electric signal to change the flow rate of the polishing liquid and measuring the actual flow rate with a flow rate measuring device. Then, a relational expression between the magnitude of the electric signal and the actual flow rate is obtained from these measured values. This relationship is obtained by, for example, regression calculation. Then, when actually performing polishing, the magnitude of the electric signal to be output is determined based on this relational expression so that the target supply amount of the polishing liquid is obtained. In the present invention, the value of the electric signal to be output is determined based on the actually measured flow rate. Can be supplied.
  • the flow rate measuring device may be capable of measuring the flow rate during polishing, but may be attached only during non-polishing and measure the output.
  • a polishing liquid is interposed between a polishing object attached to a polishing platen and a polishing pad attached to a polishing head, and the polishing object is A polishing apparatus that moves the polishing head relative to the polishing head to polish the object to be polished with the polishing pad and adjusts a supply amount of the polishing liquid during polishing according to an electric signal; Means for changing the electrical signal, means for detecting the electric signal, means for inputting the measured flow rate of the polishing liquid, and the electric power output from the relationship between the detected electric signal and the flow rate of the input polishing liquid.
  • the target flow rate of the polishing liquid When obtained, the magnitude of the electric signal to be output based on the relationship between the magnitude of the determined electric signal and the amount of the polishing liquid actually supplied between the polishing pad and the object to be polished. And a means for determining the polishing rate.
  • the polishing liquid flow rate measuring device of the eighth invention is not used as a component of the polishing apparatus, and the flow rate of the polishing liquid is measured by manual measurement. Only the difference from the eighth aspect is that the input is made from the means for inputting the other, and the other effects are the same.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a first example of an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing a second example of the embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing a third example of the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram showing an outline of the CMP device.
  • FIG. 5 is a diagram showing an example of the structure of the polishing head.
  • Figure 6 is a diagram showing the outline of the conditioner. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a first example of an embodiment of the present invention, wherein 1 is a polishing head as shown in FIG. 5, 2 is a polishing platen, and 3 is a load cell as a load measuring device. .
  • 1 is a polishing head as shown in FIG. 5
  • 2 is a polishing platen
  • 3 is a load cell as a load measuring device.
  • a command is issued from the calculating means 4 to the control device 5 so that a predetermined voltage is supplied to the electropneumatic converter 6.
  • the actual voltage is measured and input to the calculating means, but if the relationship between the command voltage and the actual voltage is stable, the actual voltage may not be measured and the command voltage may be substituted. Further, the air pressure output from the electropneumatic converter 6 may be negative with respect to the atmospheric pressure.
  • the load applied between the polishing head 1 and the polishing platen 2 at that time is measured by the input cell 3 and input to the calculating means 4.
  • the calculating means changes the commanded voltage and sequentially inputs the load corresponding to the actual voltage value at that time. At this time, when the measurement is performed with the polishing pad attached to the polishing head 1, a result closer to the actual polishing state can be obtained.
  • the relational expression between the loads applied between 2 is obtained by regression calculation or the like, and stored in the relational expression storage device 7. Thus, the preparatory action is completed.
  • the control device 5 obtains a load corresponding to this pressure, reads out the output voltage that gives the load from the relational expression storage device 7, and outputs the read output voltage to the electropneumatic converter 6. I do. In this way, a voltage based on the actual output voltage of the control device 5 and the pressure measurement value between the polishing head 1 and the polishing platen 2 is output, so that the polishing head 1 and the polishing platen are output.
  • the pressure between 2 and can be set to the desired value.
  • FIG. 2 is a diagram showing an example of the second embodiment of the present invention.
  • the conditioner is as shown in Fig. 6, and the pressure during conditioning changes according to the supplied air pressure.
  • the polishing head 1 faces the grinding wheel 8 of the conditioner, and the opening cell 3 is inserted between them.
  • a command is issued from the calculating means 4 to the control device 5 so that a predetermined voltage is supplied to the electropneumatic converter 6.
  • the actual voltage is measured and input to the calculation means. If the relationship between the command voltage and the actual voltage is stable, the actual voltage is measured. Instead, the command voltage may be used instead.
  • the load applied between the polishing head 1 and the grindstone 8 at that time is measured by the load cell 3 and input to the calculating means 4.
  • the calculating means changes the commanded voltage and sequentially inputs the load corresponding to the actual voltage value at that time. At this time, when the measurement is performed with the polishing pad mounted on the polishing head 1, a result closer to the actual conditioning state can be obtained.
  • the control device 5 When performing conditioning, it is necessary to determine the pressure between the polishing head 1 and the grinding wheel 8 as one of the parameters for determining the conditioning conditions. At this time, the control device 5 obtains a load corresponding to this pressure, reads out the output voltage that gives the load from the relational expression storage device 7, and outputs the read output voltage to the electropneumatic converter 6. To do. In this way, a voltage based on the actual output voltage of the control device 5 and the pressure measurement value between the polishing head 1 and the grinding wheel 8 is output. The pressure between them can be set to a desired value.
  • FIG. 3 is a diagram showing an example of the third embodiment of the present invention.
  • a command is issued from the calculating means 4 to the control device 5 so that a predetermined voltage is supplied to the control valve 10.
  • the actual voltage is measured and input to the calculating means, but if the relationship between the command voltage and the actual voltage is stable, the actual voltage may not be measured and the command voltage may be substituted.
  • the flow rate of the polishing liquid flowing at that time is measured by the flow meter 9 and input to the calculation means 4.
  • the calculating means changes the commanded voltage, and sequentially inputs the flow rate of the polishing liquid corresponding to the actual voltage value at that time.
  • a relational expression between the voltage output from the control device and the supply amount of the polishing liquid is obtained by regression calculation or the like, and stored in the relational expression storage device 7. This completes the preparatory action.
  • the control device 5 When performing polishing, it is necessary to determine the supply amount of the polishing liquid as one of the parameters for determining the polishing conditions. At this time, the control device 5 reads the output voltage corresponding to the supply amount from the relational expression storage device 7 and outputs the read output voltage to the control valve 10. In this way, a voltage based on the actual output voltage of the control device 5 and the measured value of the supply amount of the polishing liquid is output, so that the supply amount of the polishing liquid during actual polishing is set to a target value. Can be.
  • the flow meter 9 is installed in the pipe, and the measured value is read by the calculating means 4.
  • the measurement may be performed manually with a measuring device, and the result may be input to the calculating means 4.
  • the present invention can be used for a polishing apparatus having a polishing pad having a smaller diameter than a wafer to be polished, and a polishing apparatus having a polishing pad having a larger diameter.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

研磨ヘッド1と研磨定盤2でロードセル3を挟んだ状態で、算定手段4から制御装置5に指令を出し、所定の電圧が電空変換器6に供給されるようにする。そして、そのときに研磨ヘッド1と研磨定盤2の間に加わる荷重をロードセル3で測定し、算定手段4に入力する。算定手段4は、指令する電圧を変化させ、そのときの実際の電圧値に対応する荷重を逐次入力する。そして、制御装置5から出力される電圧と、研磨ヘッド1と研磨定盤2の間に加わる荷重の間の関係式を回帰計算等により求め、関係式記憶装置7に記憶させておく。研磨時においては、この関係式により、実際の出力電圧を決定する。このようにすることにより、長期にわたって使用する場合でも、研磨パッドと研磨対象物間の圧力、コンディショニング時の圧力、研磨液の供給量を安定して目標値に保つことが可能な研磨装置を提供することができる。

Description

2003/009431
明 細
技術分野
本発明は、 内部に半導体集積回路が形成されたウェハの研磨等に用い られる研磨装置 (C M P装置) に関するものである。 背景技術
半導体集積回路の高集積化、 微細化に伴って、 半導体製造プロセスの 工程は、 増加し複雑になってきている。 これに伴い、 半導体デバイスの 表面は、 必ずしも平坦ではなくなつてきている。 半導体デバイスの表面 に於ける段差の存在は、配線の段切れ、局所的な抵抗の増大などを招き、 断線や電気容量の低下をもたらす。 また、 絶縁膜では耐電圧劣化やリー クの発生にもつながる。
一方、 半導体集積回路の高集積化、 微細化に伴って、 光リソグラフィ に用いられる半導体露光装置の光源波長は短くなり、 半導体露光装置の 投影レンズの開口数、 いわゆる N Aは大きくなつてきている。 これによ り、 半導体露光装置の投影レンズの焦点深度は、 実質的に浅くなつてき ている。 焦点深度が浅くなることに対応するためには、 今まで以上に半 導体デバイスの表面の平坦化が要求されている。
このような半導体デバイスの表面を平坦化する方法としては、 化学的 機械的研磨 ( Chemical Mechanical Polishing ま たは Chemical Mechanical Planarization, 以下では C M Pと称す) 技術が広く行われ ている。 現在、 C M P技術はウェハの全面を平坦化できる唯一の方法で める。 C M Pはウェハの鏡面研磨法を基に発展しており、 図 4に示すような C M P装置を用いて行われている。 図 4において、 1 1は研磨パヅ ド、 1 2は研磨パヅ ド保持部(研磨へヅ ド)、 1 3は研磨対象物であるウェハ、 1 4は研磨定盤、 1 5は研磨液(スラリー)、 1 6は研磨液供給部である。 研磨パッ ド 1 1 としては、 シート状の発泡ポリウレタンが多く用いられ ている。
ウェハ 1 3は研磨定盤 1 4の上に固定され、 研磨定盤 1 4と共に回転 している。 研磨パッ ド 1 1は研磨へヅ ド 1 2に固定され、 研磨へヅ ド 1 2の回転 '揺動と共に回転 ·揺動される。 そして、 ウェハ 1 3に所定の 圧力で押し付けられる。 この状態で、 研磨液 1 5が研磨液供給部 1 6か らウェハ 1 3上に供給される。 研磨液 1 6はウェハ 1 3上で拡散し、 研 磨パヅ ド 1 1 とウェハ 1 3の相対運動に伴って研磨パヅ ド 1 1 とウェハ 1 3の間に入り込み、 ウェハ 1 3の被研磨面を研磨する。 即ち、 研磨パ ッ ド 1 1 とウェハ 1 3の相対運動による機械的研磨と、 研磨液 1 5の化 学的作用が相乗的に作用して良好な研磨が行われる。
なお、図 4においては、研磨パヅ ド 1 1よりウェハ 1 3の方が大きく、 研磨パッ ド 1 1が上側、 ウェハ 1 3が下側となっているが、 C M P装置 には、 研磨パッ ド 1 1よりウェハ 1 3の方が小さく、 研磨パッ ド 1 1が 下側、 ウェハ 1 3が上側となっているものもある。
また、 図 4においては、 研磨液 1 5をウェハ 1 3の表面に直接供給し ているが、後に述べるように、研磨へッ ド 1 2中に研磨液の通路を設け、 研磨へッ ド 1 2 と研磨パッ ド 1 1を介して、 研磨液 1 5を供給するよう にした例もある。
図 5に、 このような研磨へッ ドの構造の例を示す。 回転軸 2 1には上 部プレー ト 2 2が固着され、 上部プレ一ト 2 2には上部フランジ部 2 3 がパヅキン 2 4を介してボルト止めされると共に、 円筒体 2 5がボルト 止めされている。 そして、 円筒体 2 5には、 ベースプレート押え 2 6が ボルト止めされていると共に、 円筒体 2 5 とべ一スプレート押え 2 6の 間には、 ドーナツ状の板パネ 2 7の円周端部が挟み込まれて固定されて いる。
ベースプレート 2 8には、 板バネ 2 9がビス止めされる、 この板バネ
2 9に支えられて研磨パッ ド貼り付け板 3 0が取り付けられている。 ぺ ースプレート 2 8と研磨パッ ド貼り付け板 3 0は、 相対回転しないよう にダボにより止められている。
ベ一スプレート 2 8には、 下部フランジ 3 1がボルト止めされると共 に、 ベースプレート 2 8 と下部フランジ 3 1の間には、 板バネ 2 7の内 周端部が挟み込まれて固定されている。 また、 ベースプレート 2 8の中 央部に設けられた穴には、 研磨パッ ド貼り付け板 3 0の中心に嵌め込ま れた栓 3 2が嵌まり込んでいる。 この構造により、 ベースプレート 2 8 は、 ベ一スプレート押え 2 6により半径方向の動きがある程度拘束され るものの、 上下方向の動きは自由になつており、 研磨パッ ド貼り付け板
3 0に貼り付けられた研磨パッ ド 3 3が、 研磨定盤 3 4に取り付けられ たウェハ 3 5に押し付けられたとき、 その面に倣って上下運動、 傾斜運 動が可能となっている。
上部プレート 2 2、 上部フランジ 2 3、 円筒体 2 5、 板パネ 2 7、 下 部フランジ 3 1で形成される空間部 3 6には、 回転軸 2 1の中空部に設 けられた空気供給口 3 7から空気が送り込まれ、 その圧力により板パネ 2 7が下方に変形するようになっている。 そのため、 研磨中に研磨パヅ ド 3 3をウェハ 3 5面に押し付けたとき、 板パネ 2 7が緩衝材となり、 研磨パッ ド 3 3がウェハ 3 5面に倣うのを助長することとなる。 これに より、 加工組立に起因するわずかなパッ ド面とチャック面の間の平行度 誤差や、 ウェハ表面のうねりなどを吸収することができる。 研磨中には、 研磨液供給管 3 8から供給された研磨液が、 ネジ継ぎ手 3 9を介して、 下部フランジ 3 1、 ベースプレート 2 8、 栓 3 2、 研磨 パッ ド取り付け板 3 0に設けられた穴を通って研磨面に供給される。 研 磨液供給管 3 8は、 ベースプレート 2 8の上下動に伴う応力を吸収する ために、 螺旋状とされている。
すなわち、 この研磨ヘッ ドにおいては、 回転軸 2 1の中空部に設けら れた空気供給口 3 7から送り込まれる空気の圧力によって、 研磨パッ ド 3 3がウェハ 3 5を押し付ける圧力が決定される。 この空気の圧力は、 制御装置に設けられた電空変換器によって決定される。 通常は、 電空変 換器に制御装置から与えられる電圧に比例した圧力の空気が、 空気供給 口 3 7から送り込まれ、 従って、 制御装置から与えられる電圧に比例し た圧力により、 研磨パヅ ド 3 3がウェハ 3 5を押し付けるようにされて いる。
また、 これらの研磨装置においては、 所定回数の研磨を行った後に、 研磨パッ ド自体を研磨して、 研磨パッ ドの凹凸を無くする作業を行うの が普通である。 この作業のことをコンディショニングと呼んでいる。 コ ンディショニングは、 研磨パ ヅ ドを付けた研磨へヅ ドをコンディショナ と呼ばれる研磨機に対面させ、 研磨へッ ドとコンディショナに取り付け られた砥石とを相対運動させて、研磨へッ ド面の研磨を行うものである。 図 6に、 コンデイ ショナの概要を示す。 砥石 4 1が砥石ホルダ 4 2に 取り付けられており、 砥石ホルダ 4 2はジンバル機構 4 3を介してロ ヅ ド 4 4に結合されている。 ロ ヅ ド 4 4にはエアシリンダ 4 5中のビス ト ン 4 6が結合されており、 空気供給管 4 7から供給される空気の圧力に 応じて、 スプリング 4 8の付勢力に抗して、 上下動を行うようにされて いる。
また、 ロ ヅ ド 4 4には、 歯車 4 9が結合されており、 歯車 4 9はモ一 PC蘭賺 09431
5 夕 5 0に結合された歯車 5 1 と嚙合している。 モ一夕 5 0を回転させる ことにより、 ロッ ド 4 4を回転させ、 その上に結合されたジンバル機構 4 3を介して、 砥石ホルダ 4 2 と砥石 4 1を回転させる。
砥石 4 1 を研磨パッ ドに押し付ける圧力は、 空気供給管 4 7から供給 される空気の圧力により定まる。 この空気の圧力も制御装置から電空変 換器に電気信号を与えて調節するようになっている。
また、 研磨液の供給量は、 制御装置に設けられた制御弁により決定さ れる。 通常は、 制御装置から与えられる電圧と制御弁の閧度は一定の関 係を有し、 制御弁の開度が決まれば、 研磨液の供給量は決まるので、 制 御装置から与えられた電圧と一定の関係を有する量の研磨液が供給され るようになっている。
しかしながら、 例えば図 5に示すような研磨ヘッ ドにおいては、 供給 される空気の圧力は、 板バネ 2 7、 ベ一スプレート 2 8、 研磨パッ ド取 り付け板 3 0の機械部品を介して研磨パッ ド 3 3に伝達される。よって、 この間の機械的フリクションにより、 同じ空気供給圧力でも、 研磨パッ ド 3 3に伝達される力が変化する可能性がある。 また、 研磨パッ ド 3 3 は弾性を有するが、 その摩耗状況によって弾性率が変化するので、 この ことも、 同じ空気供給圧力でも、 研磨パッ ド 3 3とウェハ 3 5の間にか かる圧力が変化する原因となる。
よって、 制御装置から電空変換器に与える電圧を目標値にしても、 実 際に研磨パッ ド 3 3 とウェハ 3 5の間にかかる圧力が目標値にならない という問題点がある。 この問題は、 特に、 研磨パッ ド 3 3とウェハ 3 5 の間にかかる圧力が低い場合に問題となる。
また、 コンディショニングの際も同様の問題がある。 すなわち、 前述 のように、 砥石 4 1を研磨パッ ドに押し付ける圧力は、 空気供給管 4 7 から供給される空気圧によって決定されるのであるが、 エアシリ ンダ 4 5中のビス トン 4 6とエアシリンダ 4 5の内面間のフリクションゃ、 ジ ンバル機構 4 3のフリクション等が変化すると、 制御装置から同じ電気 信号を与えても、 実際に砥石 4 1を研磨パッ ドに押し付ける圧力が変化 してしまうことになる。
また、 研磨液の供給配管等の研磨液の通路は、 場合によっては研磨液 が内部に固着する等の理由により狭くなることがある。 このような場合 には、 制御装置から制御弁に与える電圧を目標値にしても、 実際に供給 される研磨液の量が目標値にならないという問題点がある。 発明の開示
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、 長期にわたって使 用する場合でも、 研磨パッ ドと研磨対象物間の圧力、 コンディショニン グ時の圧力、 研磨液の供給量を安定して目標値に保つことが可能な研磨 装置を提供することを目的とする。
前記目的を達成するための第 1の発明は、 研磨定盤に取り付けられた 研磨対象物と、 研磨へッ ドに取り付けられた研磨パッ ドの間に研磨液を 介在させ、 前記研磨対象物と前記研磨ヘッ ドとを相対運動させて、 前記 研磨対象物を前記研磨パッ ドにより研磨し、 研磨中における前記研磨パ ッ ドと研磨対象物との間の圧力を電気信号に応じて調整する研磨装置に おいて、 非研磨時に前記研磨ヘッ ドと台との間に着脱可能とされた荷重 測定装置と、 前記電気信号を変化させる手段と前記電気信号を検知する 手段と、検知された前記電気信号と前記荷重測定装置の出力の関係より、 出力される前記電気信号の大きさと実際に前記研磨パッ ドと研磨対象物 との間にかけられる圧力の関係を求める手段と、 研磨中に前記研磨パッ ドと研磨対象物との間にかける目標圧力が与えられたとき、 前記求めら れた電気信号の大きさと実際に前記研磨パッ ドと研磨対象物との間にか けられる圧力の関係に基づいて、 出力すべき電気信号の大きさを決定す る手段とを有することを特徴とする研磨装置である。
本発明においては、 非研磨時に、 研磨ヘッ ドと台との間 (研磨パッ ド やウェハが存在する場合もあるし、 存在していない場合もある) に荷重 測定装置を配置し、 研磨中における前記研磨パッ ドと研磨対象物との間 の圧力を調整する電気信号を変化させて、 研磨へッ ドと台の間の圧力を 変化させる。 そして、 与えた電圧と、 荷重測定装置の出力を取り込み、 電気信号の大きさと実際に前記研磨パッ ドと研磨対象物との間にかけら れる圧力の関係を求める。この関係は、例えば回帰計算によって求める。 そして、 実際に研磨を行うときは、 この関係式に基づいて、 目標とする 研磨パッ ドと研磨対象物との間の圧力が得られるように、 出力すべき電 気信号の大きさを決定する。
本発明においては、 出力する電気信号の値を、 実測荷重に基づいて決 定しているので、 実際の研磨状態において、 機械的なフ リクションの変 化や研磨パッ ドの摩耗等があっても、 目標とする圧力で研磨を行うこと ができる。
なお、 「電気信号を検知する手段」は、 電流計、 電圧計のような装置で あってもよいが、 指令値と実際の電気信号の関係が正確に対応している 場合は、 わざわざ電気信号を検知しなくても指令値をもって電気信号の 値と見なすことができる。 このような場合には、 指令値を出す手段の指 令値をそのまま電気信号の検出値とみなすことができ、 このような方法 で電気信号の検知方法を行う場合も 「電気信号を検知する手段」 を有す るものとみなすことができる。 このことは、 発明の開示の欄、 及び請求 の範囲において同じである。
前記目的を達成するための第 2の発明は、 前記第 1の発明であって、 前記台が前記研磨定盤であることを特徴とするものである。 研磨定盤そのものを前記台として用いれば、 特別の台を設ける必要が 無く、 設備が大型化する可能性を少なくすることができる。
前記目的を達成するための第 3の発明は、 前記第 1の発明であって、 前記台が研磨パッ ド交換に用いる台であることを特徴とするものである ( 研磨パッ ド交換に用いる台を前記台として用いても、 特別の台を設け る必要が無く、 設備が大型化する可能性を少なくすることができる。 特 に、 研磨定盤は回転し、 かつ近傍に研磨ヘッ ド等の他の機械部品がある ので、 荷重測定装置を取り付ける余裕が無い可能性があるが、 その点、 研磨パッ ド交換に用いる台の方が、 荷重測定測定装置を取り付けるに際 して、 他の部品との干渉が少ない。
前記目的を達成するための第 4の発明は、 前記第 1の発明から第 3の 発明のいずれかであって、 前記電気信号を変化させる手段が、 所定の範 囲内で前記電気信号を変化させるものであることを特徴とするものであ る。
前記目的を達成するための第 5の発明は、 前記第 4の発明であって、 前記電気信号を検知する手段が、 前記所定の範囲内において 2以上の異 なる電気信号を受信し、 検知された前記 2以上の異なる電気信号と、 前 記 2以上の異なる電気信号に対応する前記荷重測定装置の出力との関係 より、 出力される前記電気信号の大きさと、 実際に前記研磨パッ ドと研 磨対象物との間にかけられる圧力の関係を求める機能を有することを特 徴とするものである。
前記目的を達成するための第 6の発明は、 前記第 5の発明であって、 検知された前記 2以上の異なる電気信号と、 前記 2以上の異なる電気信 号に対応する前記荷重測定装置の出力から、 回帰計算により前記電気信 号の大きさと、 実際に前記研磨パッ ドと研磨対象物との間にかけられる 圧力の関係を求める機能を有することを特徴とするものである。 P T/JP2003/009431
9 前記目的を達成するための第 7の発明は、 研磨定盤に取り付けられた 研磨対象物と、 研磨へッ ドに取り付けられた研磨パッ ドの間に研磨液を 介在させ、 前記研磨対象物と前記研磨ヘッ ドとを相対運動させて、 前記 研磨対象物を前記研磨パッ ドにより研磨し、 コンディショニング時にお ける前記研磨パッ ドとコンディショナとの間の圧力を電気信号に応じて 調整する研磨装置において、 非コンディショニング時に前記研磨へッ ド と前記コンディショナとの間に着脱可能とされた荷重測定装置と、 前記 電気信号を変化させる手段と前記電気信号を検知する手段と、 検知され た前記電気信号と前記荷重測定装置の出力の関係より、 出力される前記 電気信号の大きさと実際に前記研磨パッ ドと前記コンディショナとの間 にかけられる圧力の関係を求める手段と、 コンディショニング中に前記 研磨パッ ドと前記コンディショナとの間にかける目標圧力が与えられた とき、 前記求められた電気信号の大きさと実際に前記研磨パッ ドと前記 コンディショナとの間にかけられる圧力の関係に基づいて、 出力すべき 電気信号の大きさを決定する手段とを有することを特徴とする研磨装置 め 。
本発明においては、 非コンディショニング時に、 研磨へヅ ドとコンデ イショナとの間 (研磨パッ ドが存在する場合もあるし、 存在していない 場合もある) に荷重測定装置を配置し、 コンディショニング中における 研磨パッ ドとコンディショナとの間の圧力を調整する電気信号を変化さ せて、 研磨へヅ ドとコンデイショナの間の圧力を変化させる。 そして、 与えた電気信号と、 荷重測定装置の出力を取り込み、 電気信号の大きさ と実際に前記研磨パッ ドとコンディショナとの間にかけられる圧力の関 係を求める。 この関係は、 例えば回帰計算によって求める。 そして、 実 際にコンディショニングを行うときは、 この関係式に基づいて、 目標と する研磨パッ ドとコンデイショナとの間の圧力が得られるように、 出力 すべき電気信号の大きさを決定する。
本発明においては、 出力する電気信号の値を、 実測荷重に基づいて決 定しているので、 実際のコンディショニングにおいて、 機械的なフリク シヨンの変化や研磨パッ ドの摩耗等があっても、 目標とする圧力でコン ディショニングを行うことができる。
前記目的を達成するための第 8の発明は、 研磨定盤に取り付けられた 研磨対象物と、 研磨へッ ドに取り付けられた研磨パッ ドの間に研磨液を 介在させ、 前記研磨対象物と前記研磨ヘッ ドとを相対運動させて、 前記 研磨対象物を前記研磨パッ ドにより研磨し、 研磨中における前記研磨液 の供給量を、 電気信号に応じて調整する研磨装置において、 研磨液の流 量を測定する流量測定装置と、 前記電気信号を変化させる手段と前記電 気信号を検知する手段と、 検知された前記電気信号と前記流量測定装置 の出力の関係より、 出力される前記電気信号の大きさと実際に前記研磨 パッ ドと研磨対象物との間に供給される研磨液の量の関係を求める手段 と、 研磨中に前記研磨パ、ソ ドと研磨対象物との間に供給する研磨液の目 標流量が与えられたとき、 前記求められた電気信号の大きさと実際に前 記研磨パッ ドと研磨対象物との間に供給される研磨液の量の関係に基づ いて、 出力すべき電気信号の大きさを決定する手段とを有することを特 徴とする研磨装置である。
本発明においては、 電気信号を変化させて研磨液の流量を変え、 実際 の流量を流量測定装置で測定することにより、 電気信号と研磨液の実際 の流量とを測定する。 そして、 これらの測定値より、 電気信号の大きさ と実際の流量の関係式を求める。 この関係は、 例えば回帰計算によって 求める。 そして、 実際に研磨を行うときは、 この関係式に基づいて、 目 標とする研磨液の供給量が得られるように、 出力すべき電気信号の大き さを決定する。 . 本発明においては、 出力する電気信号の値を、 実測流量に基づいて決 定しているので、 実際の研磨において、 研磨液の配管のつまり等があつ ても、 目標とする量の研磨液を供給することができる。
なお、 流量測定装置は、 研磨中に流量を測定できるものであってもよ いが、 非研磨中にのみ取り付け、 その出力を測定してもよい。
前記目的を達成するための第 9の発明は、 研磨定盤に取り付けられた 研磨対象物と、 研磨へッ ドに取り付けられた研磨パッ ドの間に研磨液を 介在させ、 前記研磨対象物と前記研磨ヘッ ドとを相対運動させて、 前記 研磨対象物を前記研磨パッ ドにより研磨し、 研磨中における前記研磨液 の供給量を、 電気信号に応じて調整する研磨装置において、 前記電気信 号を変化させる手段と前記電気信号を検知する手段と、 測定された研磨 液の流量を入力する手段と、 検知された前記電気信号と入力された研磨 液の流量の関係より、 出力される前記電気信号の大きさと実際に前記研 磨パッ ドと研磨対象物との間に供給される研磨液の量の関係を求める手 段と、 研磨中に前記研磨パッ ドと研磨対象物との間に供給する研磨液の 目標流量が与えられたとき、 前記求められた電気信号の大きさと実際に 前記研磨パッ ドと研磨対象物との間に供給される研磨液の量の関係に基 づいて、 出力すべき電気信号の大きさを決定する手段とを有することを 特徴とする研磨装置である。
本発明においては、 前記第 8の発明が有していた研磨液の流量測定装 置を研磨装置の構成要素としておらず、 手動測定により研磨液の流量を 測定し、 それを、 研磨液の流量を入力する手段から入力する点が第 8の 発明と異なるのみで、 その他の作用効果は同じである。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の実施の形態の第 1の例を示す概要図である。 図 2は、 本発明の実施の形態の第 2の例を示す概要図である。
図 3は、 本発明の実施の形態の第 3の例を示す概要図である。
図 4は、 C M P装置の概要を示す図である。
図 5は、 研磨ヘッ ドの構造の例を示す図である。
図 6は、 コンデイショナの概要を示す図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施の形態の例を、 図を用いて説明する。 図 1は、 本 発明の実施の形態の第 1の例を示す概要図で、 1は図 5に示すような研 磨ヘッ ド、 2は研磨定盤、 3は荷重測定装置であるロードセルである。 研磨とコンディショニングを中止した時点で、 研磨へッ ド 1 と研磨定盤 2の間隔を広げ、 その間にロードセル 3を挟み込む。 この作業は手作業 で行ってもよいし、 ロードセル 3を搬送する装置を設け、 自動的に研磨 ヘッ ド 1と研磨定盤 2の間に搬送して設置させるようにしてもよい。 そして、 研磨ヘッ ド 1 と研磨定盤 2でロードセル 3を挟んだ状態で、 算定手段 4から制御装置 5に指令を出し、 所定の電圧が電空変換器 6に 供給されるようにする。 実際の電圧は、 測定されて算定手段に入力され るが、 指令電圧と実際の電圧の関係が安定したものであれば、 実際の電 圧を測定せず、 指令電圧で代行してもよい。 又、 電空変換器 6から出力 される空気圧は、 大気圧に対して負圧となることもある。
そして、 そのときに研磨へッ ド 1 と研磨定盤 2の間に加わる荷重を口 —ドセル 3で測定し、 算定手段 4に入力する。 算定手段は、 指令する電 圧を変化させ、そのときの実際の電圧値に対応する荷重を逐次入力する。 このとき、 研磨ヘッ ド 1に研磨パッ ドを装着した状態で測定した方が、 実際の研磨状態に、 より近い結果が得られる。
そして、 制御装置 5から出力される電圧と、 研磨へッ ド 1 と研磨定盤 PC蘭 003/009431
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2の間に加わる荷重の間の関係式を回帰計算等により求め、 関係式記憶 装置 7に記憶させておく。 以上で準備作用が完了する。
研磨を行うときは、 研磨条件を決定するパラメ一夕の一つとして、 研 磨へヅ ド 1と研磨定盤 2 (研磨パッ ドとウェハ) の間の圧力を決定する 必要がある。このとき、制御装置 5は、この圧力に対応する荷重を求め、 その荷重を与える出力電圧を関係式記憶装置 7から読み出して、 読み出 された出力電圧を電空変換器 6に出力するようにする。このようにして、 実際の制御装置 5の出力電圧と研磨へッ ド 1と研磨定盤 2との間の圧力 測定値に基づいた電圧が出力されるので、 研磨へッ ド 1 と研磨定盤 2と の間の圧力を目的の値にすることができる。
なお、 上記の説明では、 研磨ヘッ ド 1 と研磨定盤 2の間にロードセル 3を挟み込むとしたが、 研磨定盤 2の近傍に設けられた研磨定盤 2以外 の台の上に口一ドセル 3を設置して、 研磨へヅ ド 1 とその台との間に口 ードセル 3を挟み込んで、 上記の荷重測定を行ってもよい。 研磨定盤 2 以外の台としては、例えば研磨パッ ド 1の交換に用いる台が挙げられる。 図 2は、本発明の第 2の実施の形態の例を示す図である。以下の図 2、 図 3においては、 図 1に示された構成要素と同じ構成要素には、 同じ符 号を付してその説明を省略する。 なお、 コンデイショナは図 6に示した ようなものであり、 供給される空気圧によりコンディショニング時の圧 力を変えるようになつている。
研磨とコンディショニングを中止した時点で、 研磨へヅ ド 1をコンデ ィショナの砥石 8に対面させ、 その間に口一ドセル 3を挟み込む。
そして、 研磨へヅ ド 1 と砥石 8でロー ドセル 3を挟んだ状態で、 算定 手段 4から制御装置 5に指令を出し、 所定の電圧が電空変換器 6に供給 されるようにする。実際の電圧は、測定されて算定手段に入力されるが、 指令電圧と実際の電圧の関係が安定したものであれば、 実際の電圧を測 定せず、 指令電圧で代行してもよい。
そして、 そのときに研磨へッ ド 1 と砥石 8の間に加わる荷重をロード セル 3で測定し、 算定手段 4に入力する。 算定手段は、 指令する電圧を 変化させ、 そのときの実際の電圧値に対応する荷重を逐次入力する。 こ のとき、 研磨ヘッ ド 1に研磨パッ ドを装着した状態で測定した方が、 実 際のコンディショニング状態に、 より近い結果が得られる。
そして、 制御装置から出力される電圧と、 研磨へッ ド 1と砥石 8の間 に加わる荷重の間の関係式を回帰計算等により求め、 関係式記憶装置 7 に記憶させておく。 以上で準備作用が完了する。
コンディショニングを行うときは、 コンディショニング条件を決定す るパラメ一夕の一つとして、 研磨へッド 1と砥石 8の間の圧力を決定す る必要がある。 このとき、 制御装置 5は、 この圧力に対応する荷重を求 め、 その荷重を与える出力電圧を関係式記憶装置 7から読み出して、 読 み出された出力電圧を電空変換器 6に出力するようにする。 このように して、 実際の制御装置 5の出力電圧と研磨ヘッ ド 1と砥石 8 との間の圧 力測定値に基づいた電圧が出力されるので、 研磨へッ ド 1と砥石 8との 間の圧力を目的の値にすることができる。
図 3は、 本発明の第 3の実施の形態の例を示す図である。 非研磨時に おいて研磨液の供給配管中に流量計 9を設置する。 そして、 算定手段 4 から制御装置 5に指令を出し、 所定の電圧が制御弁 1 0に供給されるよ うにする。 実際の電圧は、 測定されて算定手段に入力されるが、 指令電 圧と実際の電圧の関係が安定したものであれば、実際の電圧を測定せず、 指令電圧で代行してもよい。
そして、 そのときに流れる研磨液の流量を流量計 9で測定し、 算定手 段 4に入力する。 算定手段は、 指令する電圧を変化させ、 そのときの実 際の電圧値に対応する研磨液の流量を逐次入力する。 そして、 制御装置から出力される電圧と、 研磨液の供給量の関係式を 回帰計算等により求め、 関係式記憶装置 7に記憶させておく。 以上で準 備作用が完了する。
研磨を行うときは、 研磨条件を決定するパラメ一夕の一つとして、 研 磨液の供給量を決定する必要がある。 このとき、 制御装置 5は、 この供 給量に対応する出力電圧を関係式記憶装置 7から読み出して、 読み出さ れた出力電圧を制御弁 1 0に出力するようにする。 このようにして、 実 際の制御装置 5の出力電圧と研磨液供給量の測定値に基づいた電圧が出 力されるので、 実際の研磨中における研磨液の供給量を目的の値にする ことができる。
なお、 この実施の形態においては、 流量計 9を配管中に設置して、 そ の測定値を算定手段 4が読み込むようにしたが、 流 *計 9を設置せず、 メスシリンダ一のような測定装置で手動測定を行い、 その結果を算定手 段 4に入力するようにしてもよい。
また、 本発明は、 研磨されるウェハよりも小径の研磨パッ ドを有する 研磨装置にも、 大径の研磨パッ ドを有する研磨装置にも使用できること は言うまでもない。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 研磨定盤に取り付けられた研磨対象物と、 研磨ヘッ ドに取り付け られた研磨パッ ドの間に研磨液を介在させ、 前記研磨対象物と前記研磨 へッ ドとを相対運動させて、 前記研磨対象物を前記研磨パッ ドにより研 磨し、 研磨中における前記研磨パッ ドと研磨対象物との間の圧力を電気 信号に応じて調整する研磨装置において、 非研磨時に前記研磨へッ ドと 台との間に着脱可能とされた荷重測定装置と、 前記電気信号を変化させ る手段と前記電気信号を検知する手段と、 検知された前記電気信号と前 記荷重測定装置の出力の関係より、 出力される前記電気信号の大きさと 実際に前記研磨パッ ドと研磨対象物との間にかけられる圧力の関係を求 める手段と、 研磨中に前記研磨パッ ドと研磨対象物との間にかける目標 圧力が与えられたとき、 前記求められた電気信号の大きさと実際に前記 研磨パッ ドと研磨対象物との間にかけられる圧力の関係に基づいて、 出 力すべき電気信号の大きさを決定する手段とを有することを特徴とする
2 . 前記台が前記研磨定盤であることを特徴とする請求の範囲第 1項 に記載の研磨装置。
3 . 前記台が研磨パッ ド交換に用いる台であることを特徴とする請求 の範囲第 1項に記載の研磨装置。
4 . 前記電気信号を変化させる手段が、 所定の範囲内で前記電気信号 を変化させるものであることを特徴とする請求の範囲第 1項から第 3項 のうちいずれか 1項に記載の研磨装置。
5 . 前記電気信号を検知する手段が、 前記所定の範囲内において 2以上 の異なる電気信号を受信し、
検知された前記 2以上の異なる電気信号と、 前記 2以上の異なる電気 信号に対応する前記荷重測定装置の出力との関係より、 出力される前記 電気信号の大きさと、 実際に前記研磨パッ ドと研磨対象物との間にかけ られる圧力の関係を求める機能を有することを特徴とする請求の範囲第 4項に記載の研磨装置。 ':'
6 . 検知された前記 2以上の異なる電気信号と、 前記 2以上の異なる 電気信号に対応する前記荷重測定装置の出力から、 回帰計算により前記 電気信号の大きさと、 実際に前記研磨パッ ドと研磨対象物との間にかけ られる圧力の関係を求める機能を有することを特徴とする請求の範囲第 5項に記載の研磨装置。
7 . 研磨定盤に取り付けられた研磨対象物と、 研磨ヘッ ドに取り付け られた研磨パッ ドの間に研磨液を介在させ、 前記研磨対象物と前記研磨 へッ ドとを相対運動させて、 前記研磨対象物を前記研磨パッ ドにより研 磨し、 コンディショニング時における前記研磨パヅ ドとコンディショナ との間の圧力を電気信号に応じて調整する研磨装置において、 非コンデ ィショニング時に前記研磨へッ ドと前記コンディショナとの間に着脱可 能とされた荷重測定装置と、 前記電気信号を変化させる手段と前記電気 信号を検知する手段と、 検知された前記電気信号と前記荷重測定装置の 出力の関係より、 出力される前記電気信号の大きさと実際に前記研磨パ ッ ドと前記コンディショナとの間にかけられる圧力の関係を求める手段 と、 コンディショニング中に前記研磨パヅ ドと前記コンディショナとの 間にかける目標圧力が与えられたとき、 前記求められた電気信号の大き さと実際に前記研磨パッ ドと前記コンディショナとの間にかけられる圧 力の関係に基づいて、 出力すべき電気信号の大きさを決定する手段とを 有することを特徴とする研磨装置。
8 . 研磨定盤に取り付けられた研磨対象物と、 研磨ヘッ ドに取り付け られた研磨パッ ドの間に研磨液を介在させ、 前記研磨対象物と前記研磨 へ、 J、 ドとを相対運動させて、 前記研磨対象物を前記研磨パッ ドにより研 磨し、 研磨中における前記研磨液の供給量を、 電気信号に応じて調整す る研磨装置において、 研磨液の流量を測定する流量測定装置と、 前記電 気信号を変化させる手段と前記電気信号を検知する手段と、 検知された 前記電気信号と前記流量測定装置の出力の関係より、 出力される前記電 気信号の大きさと実際に前記研磨パッ ドと研磨対象物との間に供給され る研磨液の量の関係を求める手段と、 研磨中に前記研磨パッ ドと研磨対 象物との間に供給する研磨液の目標流量が与えられたとき、 前記求めら れた電気信号の大きさと実際に前記研磨パッ ドと研磨対象物との間に供 給される研磨液の量の関係に基づいて、 出力すべき電気信号の大きさを 決定す'る手段とを有することを特徴とする研磨装置。
9 . 研磨定盤に取り付けられた研磨対象物と、 研磨へッ ドに取り付け られた研磨パッ ドの間に研磨液を介在させ、 前記研磨対象物と前記研磨 へッ ドとを相対運動させて、 前記研磨対象物を前記研磨パッ ドにより研 磨し、 研磨中における前記研磨液の供給量を、 電気信号に応じて調整す る研磨装置において、 前記電気信号を変化させる手段と前記電気信号を 検知する手段と、 測定された研磨液の流量を入力する手段と、 検知され た前記電気信号と入力された研磨液の流量の関係より、 出力される前記 電気信号の大きさと実際に前記研磨パッ ドと研磨対象物との間に供給さ れる研磨液の量の関係を求める手段と、 研磨中に前記研磨パッ ドと研磨 対象物との間に供給する研磨液の目標流量が与えられたとき、 前記求め られた電気信号の大きさと実際に前記研磨パッ ドと研磨対象物との間に 供給される研磨液の量の関係に基づいて、 出力すべき電気信号の大きさ を決定する手段とを有することを特徴とする研磨装置。
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