WO2003096357A2 - Elektrisches widerstands-bauelement auf diamantbasis - Google Patents

Elektrisches widerstands-bauelement auf diamantbasis Download PDF

Info

Publication number
WO2003096357A2
WO2003096357A2 PCT/EP2003/004792 EP0304792W WO03096357A2 WO 2003096357 A2 WO2003096357 A2 WO 2003096357A2 EP 0304792 W EP0304792 W EP 0304792W WO 03096357 A2 WO03096357 A2 WO 03096357A2
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
component according
electrical resistance
diamond
resistance
resistance component
Prior art date
Application number
PCT/EP2003/004792
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2003096357A3 (de
Inventor
Peter Gluche
Stephan Ertl
Dirk Grobe
Original Assignee
Gfd Gesellschaft Für Diamantprodukte Mbh
Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gfd Gesellschaft Für Diamantprodukte Mbh, Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. filed Critical Gfd Gesellschaft Für Diamantprodukte Mbh
Priority to US10/513,864 priority Critical patent/US7393717B2/en
Priority to EP03720555A priority patent/EP1516359A2/de
Priority to AU2003224148A priority patent/AU2003224148A1/en
Priority to JP2004504244A priority patent/JP2005524986A/ja
Publication of WO2003096357A2 publication Critical patent/WO2003096357A2/de
Publication of WO2003096357A3 publication Critical patent/WO2003096357A3/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/20—Resistors
    • H01L28/22—Resistors with an active material comprising carbon, e.g. diamond or diamond-like carbon [DLC]

Definitions

  • the invention relates to a resistor as a component in electronics, for example as a line terminating resistor for terminating electrical lines or as a load resistor for converting and dissipating electrical energy into heat, in particular in the high-frequency range (HF), and a method for its production and use ,
  • a resistor as a component in electronics, for example as a line terminating resistor for terminating electrical lines or as a load resistor for converting and dissipating electrical energy into heat, in particular in the high-frequency range (HF), and a method for its production and use ,
  • HF high-frequency range
  • SMD surface-mounted device
  • Ceramic substrate in Siebdruckver a metal glaze layer is applied.
  • Such SMD resistors are therefore encapsulated components that are surface-mounted on the circuit board of an electronic circuit, for example by soldering.
  • the use of doped semiconductors based on aluminum nitride (A1N) for realizing the resistance function is known.
  • a high-resistance thin doped conductor track on an electrically insulating substrate is used.
  • the object of the present invention is to provide an electrical resistance component, in particular a line terminating resistor and a method for producing the same, the resistance layers of which retain their integrity even at very high temperatures and at the same time have a high thermal conductivity, so that the resistance component places high demands on its resilience is sufficient and a high power loss is implemented in a small area.
  • the electrical properties of the component should be almost independent of temperature over a wide temperature range.
  • the resistance area is made of diamond, e.g. is electrically conductive due to doping
  • a material is used for the resistance area of the resistance component, which has an extraordinarily high thermal conductivity of up to 2250 W / mK, which is a multiple of the values of silver and copper.
  • the electrically conductive doping makes the diamond, which is electrically insulating in nominally undoped form, in a defined manner and in a wide range of specific resistance values in the order of magnitude between mOhmc ⁇ . and MOhmcm made conductive.
  • the diamond material can be monocrystalline on selected substrates (e.g. iridium) or polycrystalline.
  • diamond has a very low coefficient of thermal expansion, so that a resistance range consisting of diamond can also be used in arrangements that are sensitive to geometric deformations and mechanical stresses. It is also advantageous that the bandgap of diamond is very high at 5.4 to 5.5 eV, which means that the formation of intrinsic charge carriers only occurs at much higher temperatures to the same extent as with other materials with a smaller band gap. The almost constant charge carrier density over the entire temperature range between 0 and 500 ° C contributes significantly to the almost constant resistance value of the resistance component.
  • diamond as a resistance range is furthermore advantageously manifested in the fact that diamond is chemically inert and its surface can be adjusted hydrophilically or hydrophobically and is stable in the long term even under aggressive environmental conditions.
  • diamond appears to be advantageous as a resistance range particularly because of its abrasion resistance, its flexural rigidity of up to 1150 GPa and its breaking stress of up to 11 GPa, since higher reliability even under mechanical load, e.g. Tension is guaranteed by thermal expansion of the housing.
  • the use of diamond material advantageously not only enables an almost constant resistance value of the resistance component over the temperature range between 0 ° C. and 500 ° C. in the present invention, but also the thermal stability of the resistance layer up to a temperature of 600 ° C. is ensured , Because the dielectric loss angle tan ⁇ ⁇ is negligible for all the applications considered here, only very small parasitic line losses occur.
  • the doped diamond (p + or p " ) is therefore also suitable for leads to resist Stand component.
  • the resistance component according to the invention can thus be used in a wide range of possible uses, particularly in high-frequency technology and also in a large number of different forms, for example also as a resistance element in the form of an electrically conductive doped diamond layer per se and / or in coplanar configurations.
  • the resistance element can also be used as an attenuator.
  • the electrical resistance component can advantageously be implemented in planar technology, so that the resistance region consisting of electrically conductively doped diamond is applied as a layer on a substrate. This ensures good heat emission to the environment or adjacent layers; Furthermore, conventional methods of microtechnology and microelectronics can be used for the production of components in layer technology.
  • non-conductive diamond and / or highly oriented non-conductive diamond HOD
  • a very good electrical insulator is used as the substrate, which is also highly insulating in the
  • the substrate consisting of non-conductive diamond
  • another substrate or another substrate with a layer of non-conductive diamond or HOD can also be used, the substrate material advantageously being selected from the materials silicon, silicon nitride, silicon carbide, silicon oxide, silicon dioxide , Iridium, glass, refractory metals or carbides thereof, sapphire, magnesium oxide, graphite, germanium, niobium, tantalum, titanium, tungsten, tungsten carbide, titanium carbide or titanium nitride.
  • the insulating property of the non-conductive diamond layer comes into its own when it is directly adjacent to the resistance area made of freshly conductively doped diamond.
  • the substrate itself can also be designed as a layer.
  • the good heat conduction property of the non-conductive diamond in the substrate can be advantageously exploited in that the electrical resistance component is equipped with a thermal sink which adjoins the substrate and into which the diamond or substrate leads. heat is dissipated.
  • the substrate can be designed as a membrane which is brought into direct contact with a coolant. Due to the high thermal conductivity of diamond, this is the most effective form of heat dissipation from the component.
  • the diamond resistance range of the component is p ⁇ or n " doped.
  • the doping can be done with at least one of the substances boron, sulfur, phosphorus, graphite, diamond, diamond-like carbon (DLC), lithium, hydrogen, nitrogen or Sp 2 -bound Carbon.
  • the properties of the resistance component can be specifically designed for a wide range of application areas.
  • the resistance value can be made dependent on environmental factors such as the pH value of the environment.
  • the dependence of the resistance on the temperature can also be set in a targeted manner by specifically setting the dopant concentration.
  • the electrical properties of the component can be determined by determining the component geometry.
  • the trim metallization to determine the length of the resistance element and thus its resistance value can be varied.
  • Metallization of the resistance area is provided for the contacting. This contact can also be made from the back.
  • the materials of the metallization are preferably selected from: Ti, W, Pt, Au, TiW, WC, TiC, TiN, Si, Cu, Be, Fe, Al, Ni, refractory metals, Cr, Sn and / or Ba, or above - mutually arranged layer sequences of these metals and / or alloys thereof.
  • a preferred embodiment of the invention further provides for arranging several, in particular two to ten, individual components on a substrate, as a result of which the possible uses of the component according to the invention are significantly increased.
  • a partial area of an overall diamond structure made of electrical can be made technically with little effort and without subsequent assembly steps conductive doped and non-conductive diamond layers are shown.
  • Such a growth process can take place, for example, in the CVD process (Chemical Vapor Deposition) or in the MWPECVD process (Microwave Plasma Enhanced CVD) or in the HotFilament CVD process or in the Combustion Flame process or in other hydrogen-methane plasma processes ,
  • An advantageous design of the method provides for the diamond resistance region to be provided with metallizations for applying electrical voltage.
  • the contact can also be from the back respectively.
  • FIG. 1 shows a cross section through a resistance component in layer technology and with a thermal sink.
  • Fig. 2 is a top view of a resistor component as it is designed and built in coplanar technology and used in RF technology.
  • Fig. 1 shows a resistance device in
  • Layering technology (planar technology) is carried out in cross section.
  • a voltage is applied to the resistance region 2 via contacts 1, for example made of metal.
  • the resistance region 2 is designed as a resistance layer on the substrate 3. While the resistance layer 2 consists of electrically conductive doped diamond - in this case it is a p + doping with boron, the dopant concentration being greater than 5 x 10 17 cm -3 - the substrate consists of non-conductive diamond, although other substrate materials can be used, but with regard to the properties of diamond as a good electrical insulator with simultaneous excellent thermal conductivity and low heat capacity, the use of non-conductive diamond as a substrate or at least one substrate layer adjacent to the resistance layer or the resistance region appears to be particularly suitable.
  • the contacts 1 can be designed as metallizations, this metallization can be selected from Ti, W, Pt, Au, TiW, WC, TiC, TiN, Si, Cu, Be, Fe, Al, Ni, refractive metals, Cr, Sn and / or Ba, or stacked layers of these metals and / or alloys thereof.
  • the power supplied via the contacts 1 and converted into heat in the resistance area 2 is quickly and spatially uniformly passed on to the substrate layer 3 in particular over the resistance area.
  • the area required for the resistance region 2 to convert the electrical power into heat is small due to the high stability of the electrically conductive doped diamond material of ⁇ 1.5 GW / cm 3 .
  • the substrate layer 3 made of electrically non-conductive diamond has an electrically strong insulating effect, but conducts the heat accumulating in the resistance area 2 very well for removal in the adjacent area thermal sink 4.
  • the resistance component is produced in that the diamond layer grows on a carrier material, for example by means of a CVD process (Chemical Vapor Deposition), and the doping into the diamond of the resistance layer 2 is already carried out during this growth process.
  • a CVD process Chemical Vapor Deposition
  • the thermal sink 4 for example made of silicon, as this carrier material, and to grow the substrate layer 3 made of electrically non-conductive diamond thereon, and the resistance layer 2 on this again, including an electrically conductive doping to grow, which can be doped differently in different areas or with different materials and is provided with metallizations or contacts 1. Areas of the resistance layer 2 can also be separated from one another by an etching process.
  • the top view of a resistance component serves for illustration.
  • the resistance region 2 is electrically connected to the contacts and supply lines 1; the substrate and the thermal sink are not shown in any more detail and form layers which are located underneath the representation and are therefore covered by the representation, analogously to the cross section in FIG. 1.
  • the top view of a resistance component as it can be used in high-frequency technology is used for illustration.
  • the resistance area 2 is in so-called coplanar technology in a level with the electrical leads 1 attached to a substrate.
  • the supply line is constructed in three parts, with the so-called signal conductor in the middle surrounded by two so-called ground lines. Not shown here are the substrate layers located analogously to FIG. 1 and the thermal sink.
  • This arrangement ensures symmetrical wave guidance for electromagnetic waves.
  • Conductivity of the resistance material ensures adaptation over a wide temperature range.
  • a functionally equivalent structure would also be conceivable in microstrip line technology or other line structures used in high-frequency technology.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

Elektrisches Widerstands-Bauelement mit elektrisch leitend dotiertem Diamant im Widerstandsbereich sowie ein Verfahren zur Herstellung desselben, wobei der Widerstandsbereich als Widerstandsschicht auf einem Substrat ausgeführt sein kann und das Substrat mindestens teilweise aus elektrisch nichtleitendem Diamant bestehen kann.

Description

Elektrisches Widerstands-Bauele ent auf Diamantbasis
Die Erfindung betrifft einen Widerstand als Bauelement in der Elektronik, beispielsweise als Leitungs- abschluß-Widerstand zur Terminierung elektrischer Leitungen oder als Lastwiderstand zur Umsetzung und Ableitung elektrischer Energie in Wärme, insbesondere im Hochfrequenz-Bereich (HF) sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung und Verwendung.
Für die praktische Anwendung von Widerstands- Bauelementen in elektronischen Schaltungen sind aus dem Stand der Technik besonders die gebräuchlichen Surface-Mounted-Device (SMD) -Widerstände bekannt, bei denen in der Regel auf ein hochreines, rechteckiges
Keramiksubstrat im Siebdruckver ahren eine Metallglasurschicht aufgetragen ist. Solche SMD-Widerstände sind also gekapselte Bauelemente, die auf die Leiterplatte einer elektronischen Schaltung oberflächenmon- tiert sind, z.B. durch Löten. Alternativ ist die Verwendung dotierter Halbleiter auf Basis von Aluminiumnitrid (A1N) zur Realisierung der Widerstandsfunktion bekannt. Es wird dabei eine hochohmige dünne dotierte Leiterbahn auf elektrisch isolierendem Substrat verwendet.
Beide genannten Realisierungsformen von Widerständen unterliegen Beschränkungen, die den Anwendungsbereich der Bauteile einschränken. So ist etwa die Stabilität der Widerstandsschichten gegenüber hohen Temperaturen begrenzt, ebenso die Fähigkeit zur Ableitung von im Widerstand entstehender Wärme, so daß die Leistung, mit der solche Widerstände belastet werden können, relativ gering ist. Bei den vorgenannten "Halbleiterwiderständen" ist neben dem großen Flächenbedarf nachteilig, daß sie eine relativ große Toleranz des Widerstandswertes aufweisen; ferner ist die Temperaturabhängigkeit solcher Widerstände häufig ein uner- wünschter Nachteil.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein elektrisches Widerstands-Bauelement, insbesondere einen Leitungsabschlußwiderstand sowie ein Verfahren zur Herstellung desselben anzugeben, dessen Widerstandsschichten ihre Integrität auch bei sehr hohen Temperaturen behalten und gleichzeitig eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweisen, so daß das Widerstands- Bauelement hohen Anforderungen an seine Belastbarkeit genügt und eine hohe Verlustleistung auf kleiner Fläche umsetzt. Dabei sollen die elektrischen Eigenschaften des Bauelementes in einem großen Temperaturbereich nahezu temperaturunabhängig sein.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein elektrisches Widerstands-Bauelement nach Anspruch 1 und dem Verfahren zur Herstellung nach Anspruch 19 gelöst. Die Verwendung ist in Anspruch 27 angegeben. Vorteilhafte Weiterbildungen finden sich in den jeweiligen abhängigen Ansprüchen.
Dadurch, daß der Widerstandsbereich aus Diamant besteht, der z.B. durch Dotierung elektrisch leitend ist, wird für den Widerstandsbereich des Widerstands- Bauelementes ein Material verwendet, welches eine au- ßerordentlich hohe Wärmeleitfähigkeit von bis zu 2250 W/mK aufweist, die ein Vielfaches der Werte von Silber und Kupfer beträgt. Durch die elektrisch leitende Dotierung wird der in nominell undotierter Form elektrisch isolierende Diamant in definierter Art und Weise und in einem weiten Bereich von spezifischen Widerstandswerten in den Größenordnungen zwischen mOhmcπ. und MOhmcm leitfähig gemacht. Das Diamantmaterial kann dabei monokristallin auf ausgewählten Substraten (z.B. Iridium) oder polykristallin sein.
Da Diamant außer der enorm hohen thermischen Leitfähigkeit auch eine geringe Wärmekapazität von typischerweise 500 J/kgK aufweist, gewährleistet das daraus resultierende rasche Ansprechverhalten eine zu- verlässige Umsetzung auch kurzfristig auftretender großer Leistungen. Die zur Umsetzung großer Leistung benötigte Fläche ist aufgrund der großen umsetzbaren Verlustleistungsdichte von Diamant (bis etwa 1,5 GW/cm3 ) gering.
Ferner ist vorteilhaft, daß Diamant einen recht geringen thermischen Ausdehnungskoeffizient aufweist, so daß ein aus Diamant bestehender Widerstandsbereich auch in Anordnungen eingesetzt werden kann, die sen- sibel gegen geometrische Verformungen und mechanische Verspannungen sind. Weiterhin ist von Vorteil, daß der Bandabstand von Diamant mit 5,4 bis 5,5 eV sehr hoch ist, wodurch die Bildung intrinsischer Ladungsträger erst bei wesentlich höheren Temperaturen in gleichem Maß eintritt wie bei anderen Materialien mit geringerer Bandlücke. Die somit nahezu konstante Ladungsträgerdichte über den gesamten Temperaturbereich zwischen 0 und 500 °C trägt zum nahezu konstanten Widerstandswert des Widerstands-Bauelementes signifikant bei.
Der Einsatz von Diamant als Widerstandsbereich äußert sich weiterhin vorteilhaft darin, daß Diamant chemisch inert und seine Oberfläche hydrophil oder hydrophob einstellbar sowie langzeitstabil auch unter aggressiven Umgebungsbedingungen ist. Hinsichtlich der Verwendung in Schaltungsaufbauten oder anderen Vorrichtungen im praktischen Einsatz erscheint Diamant als Widerstandsbereich besonders wegen seiner Abriebfestigkeit, seiner Biegesteifigkeit von bis 1150 GPa und seiner Bruchspannung von bis zu 11 GPa vorteilhaft, da höhere Zuverlässigkeit auch bei mechanischer Belastung, z.B. Spannungen durch Temperaturausdehnungen des Gehäuses gewährleistet ist.
Die Verwendung von Diamantmaterial ermöglicht vorteilhafterweise in der vorliegenden Erfindung nicht nur einen nahezu konstanten Widerstandswert des Widerstands-Bauelementes über den Temperaturbereich zwischen 0°C und 500°C, sondern es wird auch die thermische Stabilität der Widerstandsschicht bis zu einer Temperatur von 600 °C gewährleistet. Aufgrund des für alle hier betrachteten Anwendungen vernachlässigbar kleinen dielektrischen Verlustwinkels tan δε, treten nur sehr geringe parasitäre Leitungs- Verluste auf. Die dotierte Diamant (p+ bzw. p" ) eignet sich deshalb auch für Zuleitungen zum Wider- Standsbauelement .
Es ist somit das erfindungsgemäße Widerstands- Bauelement in einem weiten Spektrum an Verwendungs- möglichkeiten einsetzbar, besonders in der Hochfrequenztechnik und ebenso in einer Vielzahl verschiedener Formen, so etwa auch als Widerstands-Element in Form einer elektrisch leitend dotierten Diamantschicht an sich und/oder in koplanaren Konfiguratio- nen . Das Widerstandselement kann auch als Dämpfungsglied eingesetzt werden.
Mögliche vorteilhafte Weiterbildungen nach den Unteransprüchen werden im Folgenden erläutert.
Das elektrische Widerstands-Bauelement kann vorteilhaft in planarer Technik ausgeführt werden, so daß der aus elektrisch leitend dotiertem Diamant bestehende Widerstandsbereich als Schicht auf einem Sub- strat aufgebracht ist. So kann eine gute Wärmeabgabe an die Umwelt oder angrenzende Schichten gewährleistet werden; ferner können herkömmliche Verfahren der Mikrotechnik und Mikroelektronik zur Herstellung von Bauelementen in Schichttechnik angewandt werden.
Besonders vorteilhaft ist eine Verwendung von nichtleitendem Diamant und/oder hochorientiertem nicht leitfähigem Diamant (HOD) als Substrat. Auf diese Weise kommt als Substrat ein sehr guter elektrischer Isolator zum Einsatz, der hochisolierend auch im
Hochfrequenzbereich ist und fast identische Materialeigenschaften mit dem Widerstandsbereich aus elektrisch leitend dotiertem Diamant aufweist, insbesondere wichtig dabei die thermischen Eigenschaften, aber auch die mechanischen Eigenschaften wie Materialelastizität - wie vorstehend näher ausgeführt. Alternativ zum aus nichtleitendem Diamant bestehenden Substrat kann auch ein anderes Substrat oder ein anderes Substrat mit einer Schicht aus nicht-leitendem Diamant oder HOD zur Anwendung kommen, wobei das Substratmaterial vorteilhafterweise ausgewählt ist aus den Materialien Silizium, Siliziumnitrid, Silizium- carbid, Siliziumoxid, Siliziumdioxid, Iridium, Glas, refraktäre Metalle oder Carbide hiervon, Saphir, Ma- gnesiumoxid, Graphit, Germanium, Niob, Tantal, Titan, Wolfram, Wolframcarbid, Titancarbid oder Titannitrid. Die Isolationseigenschaft der nicht-leitenden Diamantschicht kommt dann vorteilhaft zur Geltung, wenn sie unmittelbar an dem Widerstandsbereich aus elek- frisch leitend dotiertem Diamant angrenzt. Das Substrat selbst kann ebenso als Schicht ausgebildet sein.
In jedem Falle kann die gute Wärmeleitungseigenschaft des nicht-leitenden Diamants im Substrat dadurch vorteilhaft ausgenutzt werden, daß das elektrische Widerstands-Bauelement mit einer thermischen Senke ausgestattet ist, die an das Substrat angrenzt und in die die durch den Diamant bzw. das Substrat zugelei- tete Wärme abgeführt wird. Das Substrat kann als Membran ausgebildet sein, die direkt in Kontakt mit einem Kühlmittel gebracht wird. Durch die hohe Wärmeleitfähigkeit von Diamant stellt dies die effektivste Form der Wärmeabfuhr aus dem Bauelement dar.
Der diamantene Widerstandsbereich des Bauelementes ist p~- oder n"-dotiert. Die Dotierung kann dabei mit mindestens einem der Stoffe Bor, Schwefel, Phosphor, Graphit, Diamant, diamantähnlichem Kohlenstoff (DLC) , Lithium, Wasserstoff, Stickstoff oder Sp2-gebundenem Kohlenstoff erfolgen. Eine sehr starke Dotierung, p > 1019 cm-3, des diamantenen Widerstandsbereiches z.B. mit Bor ergibt den Vorteil, daß der elektrische Widerstand des Widerstandsbereiches nahezu temperaturunabhängig ist, da dann die effektive Aktivierungse- nergie des Widerstandsmaterials praktisch verschwindend gering ist.
Wird der Widerstandsbereich in verschiedenen Teilbereichen mit verschiedenen Materialien und/oder ver- schieden stark dotiert, so können die Eigenschaften des Widerstands-Bauelementes für ein weites Feld von Anwendungsbereichen gezielt ausgestaltet werden. Etwa kann der Widerstandswert abhängig gemacht werden von Umwelteinflüssen wie etwa dem pH-Wert der Umgebung.
Durch gezielte Einstellung der Dotierstoffkonzentra- tion kann ferner die Abhängigkeit des Widerstandes von der Temperatur gezielt eingestellt werden.
Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Lösung besteht darin, daß die Bestimmung elektrischen Eigenschaften des Bauelements über die Bestimmung der Bauelementgeometrie erfolgen kann. Dazu kann z. B. die Trimm-metallisierung zur Festlegung der Länge des Wi- derstandselements und damit seines Widerstandswertes variiert werden. Weiterhin besteht die Möglichkeit bei einer festgelegten Dotierung die Länge zu variieren oder bei einer festgelegten Länge über eine variable Dotierung den Widerstandswert zu bestimmen.
Für die Kontaktierung ist eine Metallisierung des Widerstandsbereiches vorgesehen. Diese Kontaktierung kann auch von der Rückseite erfolgen. Die Materialien der Metallisierung sind bevorzugt ausgewählt aus: Ti, W, Pt, Au, TiW, WC, TiC, TiN, Si, Cu, Be, Fe, AI, Ni, refraktären Metallen, Cr, Sn und/oder Ba, oder über- einander angeordneten Schichtfolgen dieser Metalle und/oder Legierungen hiervon.
Eine bevorzugte Aus führungsform der Erfindung sieht weiter vor, mehrere, insbesondere zwei bis zehn ein- zelne Bauelemente auf einem Substrat anzuordnen, dadurch werden die Anwendungsmöglichkeiten des erfindungsgemäßen Bauelementes wesentlich erhöht.
Es hat sich weiter gezeigt, daß die Vorteile des er- findungsgemäßen Bauelementes insbesondere dann zum tragen kommen, wenn es als Leitungsabschlußwiderstand ausgebildet ist. Dies einget sich insbesondere für die Hochfrequenz-Technik bei einem Wellenwiderstand von ca. 50-75 Ω.
Dadurch, daß zur Herstellung eines Widerstands- Bauelementes der Diamant des Widerstandsbereiches auf einem Substrat aufgewachsen wird und während dieses Wachstumsprozesses bereits der Dotierstoff in den Diamant des Widerstandsbereiches mit eingebaut wird, kann technisch aufwandsarm und ohne spätere Zusammen- fügungsschritte ein Teilbereich einer diamantenen Gesamtstruktur aus elektrisch leitend dotierten und nicht leitenden Diamantschichten dargestellt werden. Ein solcher Wachstumsprozeß kann beispielsweise im CVD-Verfahren (Chemical Vapor Deposition) oder im MWPECVD-Verfahren (Microwave Plasma Enhanced CVD) oder im HotFilament-CVD-Verfahren oder im Combustion- Flame-Verfahren oder in anderen Wasserstoff-Methan- Plasma-Verfahren erfolgen.
Eine vorteilhafte Gestaltung des Verfahrens sieht vor, den diamantenen Widerstandsbereich mit Metallisierungen zum Anlegen elektrischer Spannung zu verse- hen. Die Kontaktierung kann auch von der Rückseite erfolgen.
Um verschiedene Bereiche des Widerstandsbereiches, welche mit verschiedenen Materialien und/oder verschieden stark während des Herstellungsprozesses dotiert wurden, voneinander zu separieren, ist es technisch aufwandsminimierend, im Herstellungsprozeß einen Ätzprozeß, oder einen Schritt mit selektivem Wachstum vorzusehen.
Im Folgenden wird die Erfindung anhand eines konkreten Ausführungsbeispiels und mehrerer Skizzen erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt durch ein Widerstands- Bauelement in Schichttechnik und mit thermischer Senke;
Fig. 2 die Draufsicht auf ein Widerstands-Bauelement, wie es in Koplanartechnik entworfen und aufgebaut in der HF-Technik eingesetzt wird.
Fig. 1 zeigt ein Widerstands-Bauelement das in
Schichttechnik (planarer Technik) ausgeführt ist, im Querschnitt. Über Kontaktierungen 1, z.B. aus Metall, wird eine Spannung an den Widerstandsbereich 2 angelegt. Der Widerstandsbereich 2 ist dabei als Wider- Standsschicht auf dem Substrat 3 ausgeführt. Während die Widerstandsschicht 2 aus elektrisch leitend dotiertem Diamant besteht - in diesem Fall handelt es sich um eine p+-Dotierung mit Bor, wobei die Dotierstoff-Konzentration größer als 5 x 1017 cm-3 ist -, ist das Substrat aus nichtleitendem Diamant bestehend, wobei zwar auch andere Substrat-Materialien verwendet werden können, jedoch bezüglich der Eigenschaften von Diamant als guter elektrischer Isolator bei gleichzeitiger hervorragender Wärmeleitfähigkeit und geringer Wärmekapazität die Verwendung von nicht leitendem Diamant als Substrat oder zumindest einer an die Widerstandsschicht bzw. den Widerstandsbereich angrenzenden Substratschicht besonders geeignet erscheint .
Die Kontaktierungen 1 können dabei als Metallisierungen ausgeführt sein, wobei diese Metallisierung ausgewählt sein kann aus Ti, W, Pt, Au, TiW, WC, TiC, TiN, Si, Cu, Be, Fe, AI, Ni, refraktiven Metallen, Cr, Sn und/oder Ba, oder übereinander angeordneten Schichtfolgen dieser Metalle und/oder Legierungen hiervon.
An das aus nichtleitendem Diamant bestehende Substrat 3 grenzt eine thermische Senke 4 an, die aus Silizi- um, Kupfer, Aluminium oder Wasser besteht und die anfallende Wärme gut abführt.
Die über die Kontaktierungen 1 zugeführte und im Widerstandsbereich 2 in Wärme umgesetzte Leistung wird schnell und über den Widerstandsbereich räumlich gleichmäßig vor allem an die Substratschicht 3 weitergeleitet. Die Fläche, die für den Widerstandsbereich 2 zum Umsetzen der elektrischen Leistung in Wärme benötigt wird, ist aufgrund der hohen Stabili- tat des elektrisch leitend dotierten Diamantenmaterials von < 1,5 GW/cm3 gering.
Die Substratschicht 3 aus elektrisch nicht leitendem Diamant wirkt elektrisch stark isolierend, leitet je- doch die im Widerstandsbereich 2 anfallende Wärme sehr gut weiter zum Abtransport in der angrenzenden thermischen Senke 4.
In diesem Beispiel wird das Widerstands-Bauelement dadurch hergestellt, daß die Diamantschicht bei- spielsweise durch ein CVD-Verfahren (Chemical Vapor Deposition) auf einem Trägermaterial aufwächst und während dieses Wachstumsprozesses bereits die Dotierung in den Diamant der Widerstandsschicht 2 vorgenommen wird. Es ist dabei denkbar, als dieses Träger- material die thermische Senke 4 zu verwenden, beispielsweise aus Silizium, und auf dieser die Sub- stratschicht 3 aus elektrisch nicht leitendem Diamant aufwachsen zu lassen und auf dieser wiederum unter Einbeziehung einer elektrisch leitenden Dotierung die Widerstandsschicht 2 aufwachsen zu lassen, welche in verschiedenen Bereichen verschieden stark oder mit verschiedenen Materialien dotiert werden kann und mit Metallisierungen bzw. Kontaktierungen 1 versehen wird. Durch einen Ätzprozeß können darüber hinaus Be- reiche der Widerstandsschicht 2 voneinander separiert werden.
Zur Veranschaulichung dient die Draufsicht auf ein Widerstands-Bauelement, wie es im Rahmen einer elek- tronischen Schaltung angeordnet sein kann. Es ist der Widerstandsbereich 2 mit den Kontaktierungen und Zuleitungen 1 elektrisch verbunden, Substrat und thermische Senke sind nicht näher dargestellt und bilden unter dem Dargestellten befindliche und somit durch das Dargestellte verdeckte Schichten analog zum Querschnitt in Fig. 1.
Zur Veranschaulichung dient die Draufsicht auf ein Widerstands-Bauelement wie es in der Hochfrequenz- technik eingesetzt werden kann. Der Widerstandsbereich 2 ist dabei in sogenannter Koplanartechnik in einer Ebene mit den elektrischen Zuleitungen 1 auf einem Substrat angebracht. Die Zuleitung ist dabei dreigeteilt aufgebaut, mittig befindet sich der sog. Signalleiter umgeben von zwei sog. Masseleitungen. Nicht dargestellt sind hier die analog zu Fig. 1 unter dem dargestellten befindlichen Substratschichten und die thermische Senke. Durch diese Anordnung wird eine symmetrische Wellenführung für elektromagnetische Wellen gewährleistet. Diamant hat dabei den Vor- teil, dass seine relative Dielektrizitätszahl εr = 5,7 bis εr = 5,8 sich weit weniger von der relativen Dielektrizitätszahl von Luft (εr = 1) unterscheidet als dies für andere Materialien der Fall wäre. So ist eine bessere Führung der elektrischen Leistungswelle in dieser Leiteranordnung gewährleistet. Bei Verwendung eines undotierten Diamantsubstrats als Träger für die Struktur ist weiterhin von Vorteil, dass die dielektrische Dämpfung aufgrund der äußerst hohen Isolationsfähigkeit nominell undotierten Diamants mit Werten von 0,025 bis 0,03 dB/mm @ 20 GHz (Leitergeometrie Leiterdichte: 2 um Gold, Diamantschichtdicke: 30 μm Membran, Schlitzbreite: 20 μm, Masse-Masse-Abstand: 200 μm) geringer als bei üblicherweise verwendeten Materialien ist.
Dadurch wird die Anpassung der Gesamtstruktur auf die in der Hochfrequenztechnik üblichen Wellenwiderstände von 50 Ohm bzw. 75 Ohm wesentlich erleichtert.
Durch die von der Temperatur weitgehend unabhängige
Leitfähigkeit des Widerstandsmaterials ist die Anpassung über einen weiten Temperaturbereich gewährleistet. Ein funktioneil gleichwertiger Aufbau wäre auch in Mikrostreifenleitungstechnik oder anderen in der Hochfrequenztechnik verwendeten Leitungsstrukturen denkbar .

Claims

Patentansprüche
1. Elektrisches Widerstands-Bauelement mit einem
Widerstandsbereich und damit elektrisch verbundenen Kontaktierungen d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Widerstandsbereich zumindest teilweise aus elektrisch leitendem Diamant besteht.
2. Elektrisches Widerstands-Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauelement in planarer Technik ausgeführt ist, ein Substrat enthält und der Widerstandsbereich als mindestens eine Schicht auf dem Substrat aufgebracht ist.
3. Elektrisches Widerstands-Bauelement nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der diamantene Widerstandsbereich p-dotiert oder n-dotiert ist.
4. Elektrisches Widerstands-Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Dotierung mindestens einen der Stoffe Bor, Schwefel, Phosphor, diamantähnlicher Koh- lenstoff (DLC) , Lithium, Wasserstoff, Stickstoff oder Sp2 -gebundenen Kohlenstoff aufweist.
5. Elektrisches Widerstands-Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Dotierstoffkonzentration des diamante- nen Widerstandsbereiches so groß ist, dass der elektrische Widerstand des Widerstandsbereiches nahezu temperaturunabhängig ist.
6. Elektrisches Widerstands-Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Widerstandsbereich verschiedene Bereiche aufweist, welche mit verschiedenen Materia- lien und/oder verschieden stark dotiert sind.
7. Elektrisches Widerstands-Bauelement nach Anspruch 2 oder nach einem der Ansprüche 3 bis 6, soweit diese auf Anspruch 2 rückbezogen sind, dadurch gekennzeichnet, dass das Substratmateri- al ausgewählt ist aus Diamant, hochorientiertem
Diamant (HOD) , Silizium, Siliziumnitrid, Silizi- umcarbid, Siliziumoxid, Siliziumdioxid, Siliziu- moxinitriden, Iridium, refraktären Metallen oder Carbiden hiervon, Saphir, Magnesi-umoxid, Gra- phit, Germanium, Niob, Tantal, Titan, Wolfram,
Wolframcarbid, Titancarbid oder Titannitrid.
8. Elektrisches Widerstands-Bauelement nach Anspruch 2 oder nach einem der Ansprüche 3 bis 7, soweit diese auf Anspruch 2 rückbezogen sind, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat als
Schicht ausgebildet ist.
9. Elektrisches Widerstands-Bauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat aus mindestens zwei Schichten besteht und eine dieser Schichten aus elektrisch isolierendem Diamant und/oder aus hochorientiertem Diamant (HOD) besteht und diese eine Grenzfläche mit dem Widerstandsbereich bildet.
10. Elektrisches Widerstands-Bauelement nach An- spruch 2 oder nach einem der Ansprüche 3 bis 9, soweit diese auf Anspruch 2 rückbezogen sind, dadurch gekennzeichnet, dass eine thermische Senke vorgesehen ist, die mit dem Substrat eine Grenzfläche bildet.
11. Elektrisches Widerständs-Bauele ent nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauelement mit einer thermischen Senke eine Grenzfläche bildet.
12. Elektrisches Widerstands-Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass eine isolierende Abdeckung des Bauelementes vorgesehen ist.
13. Elektrisches Widerstands-Bauelement nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckung aus isolierendem Diamant besteht.
14. Elektrisches Widerstands-Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass für die Kontaktierungen eine Metallisierung des Widerstandsbereiches vorgesehen ist und diese Metallisierung ausgewählt ist aus Ti, W, Pt, Au, TiW, WC, TiC, TiN, Si, Cu, Be, Fe, AI, Ni, refraktären Metallen, Cr, Sn und/oder Ba, oder übereinander angeordneten Schichtfolgen dieser Metalle und/oder Legierungen hiervon.
15. Elektrisches Widerständs-Bauelement nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Kon- taktierung von der Rückseite erfolgt.
16. Elektrisches Widerstands-Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat als Membran ausgebildet ist.
17. Elektrisches Widerstands-Bauelement nach An- spruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Mem- bran eine auf der Rückseite angeordnete Kühlung aufweist.
18. Elektrisches Widerständs-Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere, bevorzugt zwei bis zehn Wider- stands-Bauelemente auf einem Substrat angeordnet sind.
19. Elektrisches Widerstands-Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß es in einer Koplanarleitung integriert ist.
20. Elektrisches Widerständs-Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß es ein Leitungsabschlußwiderstand ist.
21. Verfahren zur Herstellung eines Widerstands- Bauelementes nach mindestens einem der Ansprüche
1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass der Widerstandsbereich aus Diamant gebildet wird, wobei beim Wachstumsprozess der Dotier- stoff eingebracht wird.
22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass der Wachstumsprozeß im CVD-Verfahren (Chemical Vapor Deposition) oder im MWPECVD-
Verfahren (Microwave Plasma Enhanced CVD) oder im HotFilament-CVD-Verfahren oder im Combustion-
Flame-Verfahren oder einem anderen Wasserstoff- Methan-Plasma-Verfahren erfolgt.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 oder 22, dadurch gekennzeichnet, dass der Widerstandsbe- reich mit Metallisierungen zum Anlegen von elektrischer Spannung versehen wird.
24. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass verschiedene Bereiche des Widerstandsbereiches mit verschiedenen Materialien und/oder verschieden stark dotiert werden.
25. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass verschiedene Bereiche des Widerstandsbereiches durch einen Atzpro- zess voneinander separiert werden.
26. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass während eines Verfahrensablaufes mehrere Widerstands-Bauelemente gleichzeitig auf demselben Substrat gefertigt werden .
27. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass die Bestimmung der elektrischen Eigenschaften des Bauelementes im Verfahren über eine Bestimmung der Bauelement- Geometrie erfolgen.
28. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 27, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsoberfläche des Widerstandsbereiches mit O, F und/oder H terminiert ist.
29. Verwendung des Widerstands-Bauelements nach ei- ner der Ansprüche 1 - 20 als Dämpfungsglied.
30. Verwendung des Widerstands-Bauelementes nach einem der Ansprüche 1 bis 20, als Leitungsab- schlußwiderstand in der HF-Technik.
31. Verwendung nach Anspruch 30, für HF-Systeme mit 50-75 Ω Wellenwiderstand.
PCT/EP2003/004792 2002-05-07 2003-05-07 Elektrisches widerstands-bauelement auf diamantbasis WO2003096357A2 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/513,864 US7393717B2 (en) 2002-05-07 2003-05-07 Diamond-based electrical resistor component
EP03720555A EP1516359A2 (de) 2002-05-07 2003-05-07 Elektrisches widerstands-bauelement auf diamantbasis
AU2003224148A AU2003224148A1 (en) 2002-05-07 2003-05-07 Electrically resistant diamond-based component
JP2004504244A JP2005524986A (ja) 2002-05-07 2003-05-07 ダイヤモンド材料よりなる電気抵抗コンポーネント

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10220360.1 2002-05-07
DE10220360A DE10220360B4 (de) 2002-05-07 2002-05-07 Verwendung eines elektrischen Widerstands-Bauelementes auf Diamantbasis

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2003096357A2 true WO2003096357A2 (de) 2003-11-20
WO2003096357A3 WO2003096357A3 (de) 2004-02-05

Family

ID=29285171

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2003/004792 WO2003096357A2 (de) 2002-05-07 2003-05-07 Elektrisches widerstands-bauelement auf diamantbasis

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7393717B2 (de)
EP (1) EP1516359A2 (de)
JP (1) JP2005524986A (de)
AU (1) AU2003224148A1 (de)
DE (1) DE10220360B4 (de)
WO (1) WO2003096357A2 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7727798B1 (en) 2009-01-27 2010-06-01 National Taipei University Technology Method for production of diamond-like carbon film having semiconducting property
WO2014205489A1 (en) * 2013-06-25 2014-12-31 The University Of Melbourne A circuit board comprising an insulating diamond material
CN114038640B (zh) * 2021-09-18 2023-05-23 盛雷城精密电阻（江西）有限公司 一种超高频射频电阻器及其生产方法
CN114023519B (zh) * 2021-09-18 2023-04-07 盛雷城精密电阻（江西）有限公司 一种超高频射频电阻器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5348909A (en) * 1993-03-26 1994-09-20 Lexmark International, Inc. Manufacture of printhead with diamond resistors
WO1999063596A1 (de) * 1998-06-04 1999-12-09 GFD-Gesellschaft für Diamantprodukte mbH Diamantbauelement mit rückseitenkontaktierung und verfahren zu seiner herstellung
US20020044174A1 (en) * 1997-10-02 2002-04-18 Hofer Eberhard P. Microactuator based on diamond

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2695000B2 (ja) * 1989-04-11 1997-12-24 住友電気工業株式会社 サーミスタ及びその製造方法
JPH03131003A (ja) * 1989-10-16 1991-06-04 Kobe Steel Ltd ダイヤモンド薄膜サーミスタ
JPH05299635A (ja) * 1992-04-23 1993-11-12 Kobe Steel Ltd 耐熱性オーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜及びその製造方法
DE19514544A1 (de) * 1995-04-20 1996-10-24 Daimler Benz Ag Mikrokühleinrichtung
DE19738512A1 (de) * 1997-09-03 1999-02-18 Daimler Benz Ag Diamantschicht eines mikroelektronischen Bauteils und Verfahren zu deren Herstellung
AU1224099A (en) * 1997-10-02 1999-04-27 Merckle Gmbh Diamond-based microactuator
WO2001011661A2 (en) * 1999-08-10 2001-02-15 Emc Technology, Inc. Passive electrical components formed on carbon coated insulating substrates
EP1321104A1 (de) * 2001-12-06 2003-06-25 GFD-Gesellschaft für Diamantprodukte MBH Ablationsinstrument und Verfahren zum Schneiden, Fragmentieren und/oder Abtragen von Material

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5348909A (en) * 1993-03-26 1994-09-20 Lexmark International, Inc. Manufacture of printhead with diamond resistors
US20020044174A1 (en) * 1997-10-02 2002-04-18 Hofer Eberhard P. Microactuator based on diamond
WO1999063596A1 (de) * 1998-06-04 1999-12-09 GFD-Gesellschaft für Diamantprodukte mbH Diamantbauelement mit rückseitenkontaktierung und verfahren zu seiner herstellung

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HANNI W ET AL: "SELECTIVE AREA DEPOSITION OF DIAMOND ON 4 IN SI WAFERS" THIN SOLID FILMS, ELSEVIER-SEQUOIA S.A. LAUSANNE, CH, Bd. 236, Nr. 1/2, 15. Dezember 1993 (1993-12-15), Seiten 87-90, XP000415500 ISSN: 0040-6090 *
See also references of EP1516359A2 *
WERNER M ET AL: "THERMISTOR BASED ON DOPED POLYCRYSTALLINE DIAMOND THIN FILMS" DIAMOND AND RELATED MATERIALS, ELSEVIER SCIENCE PUBLISHERS, AMSTERDAM, NL, Bd. 1, Nr. 5 / 6, 15. April 1992 (1992-04-15), Seiten 669-672, XP000356300 ISSN: 0925-9635 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE10220360B4 (de) 2006-09-21
AU2003224148A1 (en) 2003-11-11
JP2005524986A (ja) 2005-08-18
WO2003096357A3 (de) 2004-02-05
US7393717B2 (en) 2008-07-01
DE10220360A1 (de) 2003-11-27
AU2003224148A8 (en) 2003-11-11
EP1516359A2 (de) 2005-03-23
US20050224806A1 (en) 2005-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10196065B3 (de) Verbindungsstruktur für eine integrierte Schaltung, Verfahren zur Herstellung der Verbindungsstruktur und integrierte Schaltung mit der Verbindungsstruktur
EP0171467B1 (de) Elektrischer Widerstand
DE60214572T2 (de) Hartlötbare metallisierungen für diamantbauteile
DE2601656A1 (de) Hochohmige metallkeramikschicht und verfahren zu deren herstellung
EP1151446A1 (de) Mikroschaltkontakt
DE112020001168T5 (de) Kompakter, oberflächenmontierbarer dünnschichtkoppler mit breitbandleistung
DE102012101606A1 (de) ESD-Schutzbauelement und Bauelement mit einem ESD-Schutzbauelement und einer LED
DE102004022178B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Leiterbahn auf einem Substrat und Bauelement mit einer derart hergestellten Leiterbahn
DE602005005189T2 (de) Elektronische einrichtung
DE10207109B4 (de) Keramische Leiterplatte
WO2003096357A2 (de) Elektrisches widerstands-bauelement auf diamantbasis
US4310571A (en) Process for producing a calibrated resistance element
DE3843863C2 (de)
EP3994710A1 (de) Ntc-dünnschichtthermistor und verfahren zur herstellung eines ntc-dünnschichtthermistors
WO1999063596A1 (de) Diamantbauelement mit rückseitenkontaktierung und verfahren zu seiner herstellung
EP1665371B1 (de) Verfahren zur herstellung einer multifunktionellen dielektrikumsschicht auf einem substrat
DE102007003541A1 (de) Elektronisches Bauteil
DE10316057A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Erkennungsvorrichtung für eine dynamische Größe
DE102018103169A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelement
EP3455861A2 (de) Keramische vielschichtbauelement und verfahren zur seines herstellung
KR970005684B1 (ko) 반도체소자 금속배선 형성방법
EP4045882B1 (de) Sensorelement und verfahren zur herstellung eines sensorelements
EP1472732B1 (de) Vorrichtung zur verbindung eines ic-anschlusses mit einem bezugspotential
DE102020205043A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiterbauelementanordnung oder Leistungshalbleiterbauelementeinhausung
DE10201491C1 (de) Meßspitzensystem und Verfahren zu dessen Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NI NO NZ OM PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2003720555

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004504244

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10513864

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2003720555

Country of ref document: EP