WO2003025679A2 - Belichtungsmaskeneinrichtung und verfahren zur ausrichtung einer vielzahl von substraten auf eine belichtungsmaske - Google Patents

Belichtungsmaskeneinrichtung und verfahren zur ausrichtung einer vielzahl von substraten auf eine belichtungsmaske Download PDF

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Definitions

  • the invention relates to a method for aligning a plurality of substrates, which are held on a workpiece carrier, to an exposure mask for carrying out a photolithography process.
  • the invention further relates to an exposure mask device for carrying out a photoiithography process for a multiplicity of substrates, which are held on a workpiece carrier, with an exposure mask.
  • the production takes place e.g. B. micromechanical sensors with relatively small substrates.
  • the base substrate is in the form of a small cylindrical steel body.
  • the He r- 'position ER process for applying a thin-film technology If switching on such substrates becomes economical, they must be processed in a network. Therefore, the individual base substrates are held in large numbers on a workpiece carrier and processed together.
  • High-pressure sensors are produced from such substrates and are used in many systems of automotive engineering and automation technology. Areas of application are e.g. These include direct petrol injection, common rail technology for diesel vehicles, electro-hydraulic brake systems, vehicle dynamics control and much more.
  • the pressure is absorbed by the deflection of the membrane of the sensor, which is coated with a Wheatstone measuring bridge using thin-film technology.
  • the circuit is structured using a photolithographic manufacturing process. Contacting and passivation can also be carried out with such a manufacturing step.
  • the quality of the high-pressure sensors is essentially dependent on the positional accuracy of the resistance structures of the Wheatstone measuring bridge on the pressure membrane. The resistors must be centered on the pressure membrane. This position accuracy essentially affects the electrical properties of the measuring bridge, such as. B. the span of the signal supplied by the sensor.
  • the photolithographic structuring process of the functional layer for forming the resistors is therefore essential in the production of a high-pressure sensor.
  • the surface of the functional layer is preconditioned, the coating of the Functional layer with photosensitive varnish, an oven step to condition the varnish for the exposure, the exposure of the varnish through an exposure mask, the development of the photographed structure, an oven step to condition the developed varnish structure for the etching, the imaging of the varnish image into the functional layer an etching process and a subsequent stripping of the photoresist mask from the finished etched functional structure.
  • the position of the resistors is thus already determined in the exposure step. It is therefore necessary to expose the pre-separated substrates held on a workpiece carrier with sufficient positional accuracy relative to an exposure mask.
  • a quartz mask can be aligned, there is a positional inaccuracy to the imaging exposure mask in the exposure of the preinei ⁇ zelte variety of substrates for each substrate.
  • the substrates are handled in firmly screwed workpiece carriers, each of which must be individually aligned with the exposure mask. This alignment process is done manually.
  • the workpiece carriers with the supported substrates can be moved in the direction of the adjustment plate, so that the substrates are inserted into the through holes and are automatically adjusted in this way.
  • the substrates are preferably pushed in with spiral movements, so that threading the substrates into the feedthrough bores is simplified.
  • the exposure mask is preferably aligned with the adjustment plate with the aid of adjustment marks which are provided on the exposure mask and in the adjustment plate.
  • the alignment marks are arranged at coordinated intervals on the exposure mask and the adjustment plate. They can be incorporated in the manufacture of the exposure mask or the adjustment sheet. It is also possible to insert small insert parts as adjustment marks in the adjustment plate.
  • the alignment is then preferably carried out by means of automatic optical detection of the alignment marks.
  • the object is further achieved by the generic exposure mask device, by an adjustment plate with precisely fitting through-bores for receiving one substrate per through-hole, and means for aligning and fixing the viewing mask and the adjustment plate with respect to one another.
  • the adjustment sheet has a vacuum channel for sucking and fixing the adjustment sheet to the viewing mask device.
  • the vacuum channel should then be in the Extend the edge area along the outer edge of the adjustment plate.
  • air suction e.g. B. through a hole in the exposure mask device, a vacuum is then generated in the vacuum channel and the exposure mask device and the adjustment plate connected.
  • FIG. 1 sketch of a photolithographic process for producing thin-film structures
  • FIG. 2 shows a cross-sectional view of an exposure mask device with an adjustment plate and an opposing workpiece carrier with supported substrates
  • FIG. 3 Sketch of the exposure mask device from Fig. 2 with
  • FIGS. 2 and 3 shows a cross-sectional view of an adjustment plate for the exposure mask device from FIGS. 2 and 3;
  • Fig. 5 top view of the adjustment plate from Fig. 4;
  • FIG. 1 shows a sketch of a photolithographic process for the production of thin-film structures.
  • a photoresist layer 1 is applied to the functional layer 2 of the substrate to be structured.
  • the functional layer 2 is located on an insulating layer 4.
  • an exposure mask 5 is aligned with the substrate 3 and the photoresist layer 1 is irradiated with ultraviolet light.
  • the exposed areas 6 of the photoresist layer 1 form the desired structure.
  • a third step c the exposed photoresist layer 1 is developed so that the photoresist layer 1 in the exposed areas 6 is removed.
  • a fourth step d the surface of the substrates 3 is etched, so that the functional layer 2 in the exposed areas 6 is removed.
  • a fifth step e the photoresist layer 1 is washed off, so that a structured functional layer 2 now remains.
  • FIG. 2 shows an exposure mask device 7 for such a photolithographic process in cross section.
  • a plurality of substrates 3 are held on a workpiece carrier 8.
  • the workpiece carrier 8 is mounted on a processing chuck 9 of the exposure mask device 7, which can be displaced in the Z direction (arrow).
  • an adjustment plate 12 is fixed on the exposure mask 5 and is aligned relative to the exposure mask 11.
  • the adjustment plate 1 2 has a multiplicity of through-bores 13 for receiving a substrate 3 in each case. Precise that the substrates 3 are optimally aligned with the exposure mask 5 when the latter is inserted into the through-holes 13 and the adjustment plate 12 is optimally aligned with the exposure mask 5.
  • a vacuum channel 14 is provided in the edge region along the outer edge of the adjustment plate 1 2 in order to suck and fix the adjustment plate 12 to the exposure mask 5.
  • a corresponding circumferential vacuum channel 15 is provided in the holding frame 10.
  • a bore 16 in the exposure mask 5 ensures a vacuum passage from the vacuum channel 15 of the holding frame 10 into the vacuum channel 14 of the adjustment plate 12.
  • FIG. 3 shows the exposure mask device 7 from FIG. 2, the processing chuck 9 now being moved in the Z direction to the holding frame 10.
  • the substrates 3 are now optimally adjusted and fit in the through holes 13 of the adjustment plate 12 and are thereby aligned with the exposure mask 5.
  • the exposure, z. B. by means of UV radiation.
  • the adjustment plate 12 in cross section. It is clear that the through bores 3 have a chamfer on the side of the adjustment plate 12 lying towards the workpiece carrier 8, from which the substrates 3 are introduced. In this way, the play of the substrates 3 in the Z axis is reduced during insertion.
  • the substrates 3 are preferably aligned when they are inserted into the precisely fitting through-bores 13 using spiral-shaped movements. conditions of the workpiece carrier 8, so that the substrates 3 are guided into the optimal position.
  • adjustment plate 12 has adjustment marks 15 which can be implemented in the form of bores with which the adjustment plate 12 can be optically aligned with the exposure mask 5. Adjustment marks, not shown, are likewise provided on the exposure mask 5 at the corresponding positions.
  • FIG. 5 shows the adjustment plate 1 2 in plan view. It is clear that a large number of through bores 1 3 are made in the adjustment plate 1 2. These are arranged in accordance with the associated exposure mask 5.
  • a circumferential vacuum channel 14 extends in the edge region along the outer edge of the adjustment plate 12 in order to fix the adjustment plate 12 to an exposure mask 5 by means of suction.
  • a widening 17 is provided in the vacuum channel 14 and comes to lie exactly below the bore 16 of the exposure mask 5, so that a vacuum penetration to the holding frame 10 is ensured.
  • two adjustment marks 18 are attached to the adjustment plate 12 in order to optically align the adjustment plate 12 with the exposure mask 5.
  • the adjustment plate 12 in cross section as a detail. It is particularly clear that the through holes 13 each have a chamfer in order to thread the substrates 3 into the pass-through through hole 1 3 without mechanical damage. Furthermore, the adjustment mark 15, which is designed as a bore, can be seen.
  • the adjustment plate 1 2 also has a shoulder 1 9 between the edge area and the area of the through holes 1 3. This paragraph 1 9 ensures that there is a defined distance between the structured area of the exposure mask 5 and the adjustment plate 12 or the substrates 3, which protection for the structures of the exposure mask 5 is necessary.

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Abstract

Ein Verfahren zum Ausrichten einer Vielzahl von Substraten (3), die auf einem Werkstückträger (8) gehaltert sind, auf eine Belichtungsmaske (5) zur Ausführung eines Photolithografieprozesses hat die Schritte : Ausrichten und Fixieren einer Belichtungsmaske (5) auf ein Justageblech (12), wobei das Justageblech (12) passgenaue Durchführungsbohrungen (13) jeweils zur Aufnahme eines Substrats (3) pro Durchführungsbohrung (13) hat, und Einschieben der Substrate (3), die auf dem Werkstückträger (8) gehaltert sind, in die Durchführungsbohrungen (13) des Justageblechs (12).

Description

Belichtungsmaskeneinrichtung und Verfahren zur Ausrichtung einer Vielzahl von Substraten auf eine Belichtungsmaske
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Ausrichtung einer Vielzahl von Substraten, die auf einem Werkstückträger gehaltert sind, auf eine Belichtungsmaske zur Ausführung eines Photolithografieprozesses.
Die Erfindung betrifft ferner eine Belichtungsmaskeneinrichtung zur Ausführung eines Photoiithografieprozesses für eine Vielzahl von Substraten, die auf einen Werkstückträger gehaltert sind, mit einer Belichtungsmaske.
Im Unterschied zur Halbleiterfertigung von Siiicium-Wafern, die einzeln prozessiert werden, erfolgt die Herstellung z. B. von Mikromechanik- sensoren mit relativ kleinen Substraten. Das Basissubstrat liegt hierbei in Form eines kleinen zylindrischen Stahlkörpers vor. Damit der He'r- stellungsprozess zur Aufbringung einer in Dünnschichttechnologie er- stellten Schaltung auf solchen Substraten wirtschaftlich wird, müssen diese im Verbund prozessiert werden. Daher werden die einzelnen Basissubstrate in größerer Stückzahl auf einem Werkstückträger gehaltert und gemeinsam prozessiert.
Aus derartigen Substraten werden insbesondere Hochdrucksensoren gefertigt, die in vielen Systemen der Kraftfahrzeugtechnik sowie der Automatisierungstechnik Anwendung finden. Anwendungsgebiete sind z. B. die Benzindirekteinspritzung, Common-Rail-Technologie für Die- selfahrzeuge, eiektrohydraulische Bremssysteme, Fahrdynamikregelung und vieles mehr.
Die Druckaufnahme erfolgt über die Auslenkung der Membran des Sensors, die mit einer Wheatstone'schen Meßbrücke in Dünnschscht- technik beschichtet ist. Die Strukturierung der Schaltung erfolgt mit einem photolithografischen Herstellungsprozeß. Auch die Kontaktie- rung und die Passivierung kann mit einem solchen Herstellungsschritt ausgeführt werden. Die Qualität der Hochdrucksensoren ist wesentlich von der Lagegenauigkeit der Widerstandsstrukturen der Wheatsto- ne'schen Meßbrücke auf der Druckmembran abhängig. Die Widerstände müssen hierbei möglichst mittig auf der Druckmembran zu liegen kommen. Diese Lagegenauigkeit beeinflusst im wesentlichen die elektrischen Eigenschaften der Meßbrücke, wie z. B. die Spanne des vom Sensor gelieferten Signals.
Bei der Herstellung eines Hochdrucksensors ist daher der photolitho- grafische Strukturierungsprozeß der Funktionsschicht zur Ausbildung der Widerstände wesentlich. Hierbei erfolgt in der Regel eine Vorkondi- tionierung der Oberfläche der Funktionsschicht, die Belackung der Funktionsschicht mit photosensitivem Lack, ein Ofenschritt zur Kondi- tionierung des Lackes für die Belichtung, die Belichtung des Lackes durch eine Belichtungsmaske, das Entwickeln der abgelichteten Struktur, ein Ofenschritt zur Konditionierung der entwickelten Lackstruktur für das Ätzen, das Abbilden des Lackbildes in die Funktionsschicht durch einen Ätzprozeß und ein anschließendes Strippen der Fotolackmaske von der fertig geätzten Funktionsstruktur.
Damit wird die Lage der Widerstände bereits im Belichtungsschritt festgelegt. Es ist daher erforderlich, die vorvereinzelten, auf einen Werkstückträger gehalterten Substrate mit einer hinreichenden Lagegenauigkeit relativ zu einer Belichtungsmaske zu belichten. Im Unterschied zu der Belichtung von Siiicium-Wafern bei der Halbleiterfertigung, die an einem Stück zu der abbildenden Belichtungsmaske, z. B. einer Quarzmaske, ausgerichtet werden können, besteht bei der Belichtung der vorvereiπzelten Vielzahl von Substraten für jedes Substrat eine Lageungenauigkeit zur abbildenden Belichtungsmaske.
Herkömmlicherweise werden die Substrate in fest verschraubten Werkstückträgern gehandhabt, die jeweils einzeln zur Belichtungsmaske ausgerichtet werden müssen. Dieser Vorgang des Ausrichtens erfolgt manuell.
Bei dem Verfahren der Projektionsbelichtung der Firma Nagano Keiki Co. Ltd. ist jeweils ein spezieller Werkstückträger vorgesehen, der automatisch positionierbar ist. Dieser Werkstückträger ist für die Folgeprozesse nicht identisch. Aufgabe der Erfindung war es, ein verbessertes Verfahren zum Ausrichten einer Vielzahl von Substraten zu schaffen, die auf einem Werkstückträger gehaltert sind, so dass eine großserientaugliche Fertigung bei einer hinreichenden Lagegenauigkeit der Strukturen auf den Sub- strafen ermöglicht wird, ohne in einen extra Werkstückträger umhor- den zu müssen.
Die Aufgabe wird mit dem gattungsgemäßen Verfahren gelöst durch
- Ausrichten und Fixieren einer Belichtungsmaske zu einem Justageblech, wobei das Justageblech passgenaue Durchführungsbohrungen zur Aufnahme jeweils eines Substrates pro Durchführungsbohrung hat und
- Einschieben der Substrate, die auf dem Werkstückträger gehaltert sind, in die Durchführungsbohrungen des Justageblechs.
Durch die Verwendung eines Justageblechs mit passgenauen Durchführungsbohrungen, in die die Substrate jeweils eingeschoben werden, ist nur noch eine einmalige Ausrichtung und Fixierung der Belichtungsmaske zum Justageblech erforderlich. Anschließend können im kontinuierlichen Fertigungsprozeß die Werkstückträger mit den gehalterten Substraten in Richtung des Justageblechs bewegt werden, so dass die Substrate in die Durchführungsbohrungen eingeschoben und auf diese Weise automatisch justiert werden.
Damit sind manuelle Umhordevorgänge der Substrate von einem Werkstückträgersystem in ein anderes nicht mehr erforderlich. Die mit Substraten bestückten Werkstückträger können nunmehr vollautoma- tisch bearbeitet werden. Dabei braucht nicht jeder bestückte Werkstückträger zur Belichtungsmaske ausgerichtet werden. Vielmehr muss die Belichtungsmaske nur noch einmal zum Justageblech ausgerichtet werden. Weiterhin ist nur ein einziges Justageblech pro Belichtungs- maske erforderlich und es braucht nicht auf jeden zu belichtenden Werkstückträger ein solches Justageblech aufgesetzt werden.
Vorzugsweise erfolgt das Einschieben der Substrate mit spiralförmigen Bewegungen, so dass das Einfädeln der Substrate beim Einschieben in die Durchführungsbohrungen vereinfacht wird. Das Ausrichten der Belichtungsmaske auf das Justageblech erfolgt vorzugsweise mit Hilfe von Justagemarken, die an der Belichtungsmaske und im Justageblech vorgesehen sind. Die Justagemarken sind hierbei in aufeinander abgestimmten Abständen an der Belichtungsmaske und dem Justageblech angeordnet. Sie können bei der Fertigung der Belichtungsmaske bzw. des Justageblechs eingebracht sein. Ebenfalls ist es möglich, kleine Einiegeteile als Justagemarken in das Justageblech einzubringen. Das Ausrichten erfolgt dann vorzugsweise mittels automatischer optischer Detektion der Justagemarken.
Die Aufgabe wird ferner durch die gattungsgemäße Belichtungsmaskeneinrichtung gelöst durch ein Justageblech mit passgenauen Durchführungsbohrungen zur Aufnahme jeweils eines Substrates pro Durchführungsbohrung, und Mittel zum Ausrichten und Fixieren der BeSich- tungsmaske und des Justageblechs zueinander.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn das Justageblech einen Vakuu mkanal zum Ansaugen und Saugfixieren des Justageblechs an die BeSich- tungsmaskeneinrichtung hat. Der Vakuumkanal sollte sich dann im Randbereich entlang der Außenkante des Justageblechs erstrecken. Durch Luftabsaugüng, z. B. durch eine Bohrung in der Belichtungsmaskeneinrichtung, wird dann ein Vakuum in dem Vakuumkanal erzeugt und die Belichtungsmaskeneinrichtung und das Justageblech miteinander verbunden.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der beigefügten Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen
Fig. 1 - Skizze eines photolithografischen Prozesses zur Erzeugung von Dünnschichtstrukturen;
Fig. 2 - Querschnittsansicht einer Belichtungsmaskeneinrichtung mit einem Justageblech und einem gegenüberliegenden Werkstückträger mit gehalterten Substraten;
Fig. 3 - Skizze der Belichtungsmaskeneinrichtung aus Fig. 2 mit
Substraten, die in die Durchführungsbohrungen des Justageblechs eingeschoben sind;
Fig. 4 - Querschnittsansicht eines Justageblechs für die Belichtungsmaskeneinrichtung aus Fig. 2 und 3;
Fig. 5 - Draufsicht auf das Justageblech aus Fig. 4;
Fig. 6 - Querschnittsansicht eines Ausschnitts des Justageblechs aus Fig. 4.
Die Fig. 1 lässt eine Skizze eines photolithografischen Prozesses zur Herstellung von Dünnschichtstrukturen erkennen.
In einem ersten Schritt a) erfolgt das Auftragen einer Photolackschicht 1 auf die zu strukturierende Funktionsschicht 2 des Substrats. Die Funktionsschicht 2 befindet sich auf einer Isolierschicht 4. In einem zweiten Schritt b) wird eine Belichtungsmaske 5 auf das Substrat 3 ausgerichtet und die Photolackschicht 1 mit ultraviolettem Licht bestrahlt. Die belichteten Bereiche 6 der Photolackschicht 1 bilden die gewünschte Struktur.
In einem dritten Schritt c) wird die belichtete Photolackschicht 1 entwickelt, so dass die Photolackschicht 1 in den belichteten Bereichen 6 entfernt wird.
in einem vierten Schritt d) wird die Oberfläche der Substrate 3 geätzt, so dass die Funktionsschicht 2 in den belichteten Bereichen 6 entfernt wird.
In einem fünften Schritt e) wird die Photolackschicht 1 abgewaschen, so dass nunmehr eine strukturierte Funktionsschicht 2 verbleibt.
Die Fig. 2 zeigt eine Belichtungsmaskeneinrichtung 7 für einen solchen photolithografischen Prozess im Querschnitt. Auf einen Werkstückträger 8 sind eine Vielzahl von Substrate 3 gehaltert. Der Werkstückträ- ger 8 ist auf einen Bearbeitungs-Chuck 9 der Belichtungsmaskeneinrichtung 7 montiert, die in Z-Richtung (Pfeil) verschiebbar ist.
Gegenüberliegend von dem Bearbeitungs-Chuck 9 mit dem Werkstückträger 8 ist ein Halterahmen 10 zum Halten der Belichtungsmaske 5, insbesondere einer Quarzmaske, angeordnet. Erfindungsgemäß ist auf der Belichtungsmaske 5 ein Justageblech 12 fixiert, das relativ zu der Belichtungsmaske 1 1 ausgerichtet ist. Das Justageblech 1 2 hat eine Vielzahl von Durchführungsbohrungen 13 zur Aufnahme jeweils eines Substrates 3. Die Durchführungsbohrungen 13 sind hierbei so passge- nau, dass die Substrate 3 optimal auf die Belichtungsmaske 5 ausgerichtet sind, wenn diese in die Durchführungsbohrungen 13 eingeschoben und das Justageblech 12 optimal auf die Belichtungsmaske 5 ausgerichtet ist.
In dem Randbereich entlang der Außenkante des Justageblechs 1 2 ist ein Vakuumkanal 14 vorgesehen, um das Justageblech 12 an die Belichtungsmaske 5 anzusaugen und zu fixieren. Ein entsprechender umlaufender Vakuumkanal 1 5 ist in dem Halterahmen 10 vorhanden. Eine Bohrung 16 in der Belichtungsmaske 5 sorgt für einen Vakuumdurchtritt von dem Vakuumkanal 15 des Halterahmens 10 in den Vakuumkanal 14 des Justageblechs 12.
Die Fig. 3 lässt die Belichtungsmaskeneinrichtung 7 aus der Fig. 2 er- kennen, wobei nunmehr der Bearbeitungs-Chuck 9 in Z-Richtung zu dem Halterahmen 10 bewegt ist. Die Substrate 3 liegen nunmehr optimal justiert und passgenau in den Durchführungsbohrungen 13 des Justageblechs 12 und sind hierdurch auf die Belichtungsmaske 5 ausgerichtet. In dieser Stellung kann nun die Belichtung, z. B. mittels UV- Strahlung, erfolgen.
Die Fig. 4 lässt das Justageblech 12 im Querschnitt erkennen. Es wird deutlich, dass die Durchführungsbohrungen 3 eine Fase auf der zum Werkstückträger 8 liegenden Seite des Justageblechs 12 haben, von der die Substrate 3 eingeführt werden. Auf diese Weise wird das Spiel der Substrate 3 in der Z-Achse beim Einführen verringert. Das Ausrichten der Substrate 3 beim Einführen in die passgenauen Durchführungsbohrungen 13 erfolgt vorzugsweise mit spiralförmingen Bewe- gungen des Werkstückträgers 8, so dass die Substrate 3 in die optimale Position geführt werden.
Aus der Fig. 4 ist ferner erkennbar, dass das Justageblech 12 Justagemarken 15 hat, die in Form von Bohrungen realisiert sein können, mit denen das Justageblech 12 optisch auf die Belichtungsmaske 5 ausgerichtet werden kann. An der Belichtungsmaske 5 sind ebenfalls nicht dargestellte Justagemarken an den entsprechenden Positionen vorgesehen.
Die Fig. 5 lässt das Justageblech 1 2 in der Draufsicht erkennen. Es wird deutlich, dass eine Vielzahl von Durchführungsbohrungen 1 3 in das Justageblech 1 2 eingebracht sind. Diese sind entsprechend der zugehörigen Belichtungsmaske 5 angeordnet.
Im Randbereich entlang der Außenkante des Justageblechs 12 erstreckt sich ein umlaufender Vakuumkanal 14, um das Justageblech 12 an eine Belichtungsmaske 5 mittels Saugkraft zu fixieren. In dem Vakuumkanal 14 ist eine Verbreiterung 17 vorgesehen, die genau un- terhalb der Bohrung 16 der Belichtungsmaske 5 zu liegen kommt, so dass ein Vakuumdurchgriff zu dem Halterahmen 10 gewährleistet wird.
Weiterhin sind zwei Justagemarken 18 auf dem Justageblech 1 2 an- gebracht, um das Justageblech 12 auf die Belichtungsmaske 5 optisch auszurichten.
Die Fig. 6 lässt das Justageblech 12 im Querschnitt als Ausschnitt erkennen. Es wird besonders deutlich, dass die Durchgriffsbohrungen 13 jeweils eine Fase haben, um die Substrate 3 ohne mechanische Beschädigung in die passgeπaue Durchführungsbohrung 1 3 einzufädeln. Weiterhin ist die beispielhaft als Bohrung ausgeführte Justagemarke 1 5 erkennbar.
Das Justageblech 1 2 hat zudem einen Absatz 1 9 zwischen dem Randbereich und dem Bereich der Durchführungsbohrungen 1 3. Dieser Absatz 1 9 gewährleistet, dass zwischen dem struktierierten Bereich der Belichtungsmaske 5 und dem Justageblech 12 bzw. den Substraten 3 ein definierter Abstand herrscht, der zum Schutz für die Strukturen der Belichtungsmaske 5 notwendig ist.

Claims

Patentansprüche
1 . Verfahren zur Ausrichtung einer Vielzahl von Substraten (3), die auf einem Werkstückträger (8) gehaltert sind, auf eine Belichtungsmaske (5) zur Ausführung eines Photolithografieprozesses, gekennzeichnet durch
- Ausrichten und Fixieren der Belichtungsmaske (5) auf ein Justage- blech (12), wobei das Justageblech (12) passgenau Durchführungsbohrungen (13) zur Aufnahme jeweils eines Substrates (3) pro Durchführungsbohrung (13) hat und
- Einschieben der Substrate (3), die auf dem Werkstückträger (8) ge- haltert sind, in die Durchführungsbohrungen (13) des Justageble- ches (12).
2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass das Einschieben der Substrate (3) mit spiralförmigen Bewegungen er- folgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch Ausrichten der Belichtungsmasken (5) auf das Justageblech (1 2) mit Hilfe von Justagemarken (1 5), die an der Belichtungsmaske (5) und dem Justageblech (1 2) vorgesehen sind.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausrichten mittels automatischer optischer Detektion der Justagemarken (15) erfolgt.
5. Belichtungsmaskeneinrichtung (7) zur Ausführung eines Photolithografieprozesses für eine Vielzahl von Substraten (3), die auf einem Werkstückträger (8) gehaltert sind, mit einer Belichtungsmaske (5), gekennzeichnet durch eine Justageblech (12) mit passgenauen Durchführungsbohrungen ( 13) zur Aufnahme jeweils eines Substrats (3) pro Durchführungsbohrung (13), und Mitteln zum Ausrichten und Fixieren der Belichtungsmaske (5) und des Justageblechs ( 12) zueinander.
6. Belichtungsmaskeneinrichtung (7) nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Werkstückträger (8) verschieblich in Richtung der Belichtungsmaskeneinrichtung (7) ist, um die auf dem Werkstückträger (8) gehalterten Substrate (3) in die Durchfüh- rungsbohrungen (1 3) des Justageblechs (12) einzuschieben.
7. Belichtungsmaskeneinrichtung (7) nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Belichtungsmaskeneinrichtung (7) und der Werkstückträger (8) so ausgebildet sind, dass das Einschieben der Substrate (3) mit spiralförmigen Bewegungen erfolgt.
8. Belichtungsmaskeneinrichtung (7) nach einem der Ansprüche 5 - 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Belichtungsmaske (5) und das Justageblech (12) Justagemarken (1 5) zum Ausrichten der Belich- tungsmaske (5) und des Justagebleches (12) zueinander haben.
9. Belichtungsmaskeneinrichtung (7) nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Justageblech (12) einen Vakuumkanal (14) zum Ansaugen und Saugfixieren des Justageblechs (12) an die Be- lichtungsmaskeneinrichtung (7) hat, wobei sich der Vakuumkanal (14) im Randbereich entlang der Außenkante des Justageblechs (1 2) erstreckt.
10. Belichtungsmaskeneinrichtung (7) nach einem der Ansprüche 5 - 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchführungsbohrungen (13) in dem Justageblech (12) jeweils eine Fase zur Einführung der Substrate (3) haben.
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