WO2002079743A1 - Capteur de pression a semi-conducteur - Google Patents

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WO2002079743A1
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pressure
semiconductor
sensor
pressure sensor
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Atsushi Miyazaki
Katsuhiko Kikuchi
Masaaki Suzuki
Ryozo Tomosaki
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Hitachi, Ltd.
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    • G01L19/0627Protection against aggressive medium in general
    • G01L19/0645Protection against aggressive medium in general using isolation membranes, specially adapted for protection

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor pressure sensor, and more particularly to a semiconductor pressure sensor having a built-in sensor unit.
  • a connector in which an exterior unit is integrally formed with a connector terminal for making an electrical connection to the outside is disclosed.
  • a frame (Id) having an opening facing in two directions, a resin housing (5a) projecting from the inner surface and having a cylindrical pressure introducing portion provided in the opening direction.
  • a semiconductor chip which converts a signal into an electric signal is built in and includes a case having a lead terminal for electrical connection to the outside and a pressure introducing pipe.
  • the sensor unit is bonded to the pressure introduction part of the housing, the lead terminals of the sensor unit and the connector terminals are electrically connected, and the first cover is made of rubber. Assembling the housing via packing, injecting a bottling agent into the space inside the housing and the sensor unit surrounded by the first cover, and attaching the second cover to the housing via adhesive Heat cured.
  • connector terminals for making electrical connection to the outside are integrally molded in advance with the housing resin, and the lead terminal joint of the sensor unit projects into the housing frame, the housing There is a limit to reducing the size of the device, and a silicone resin / potting agent and a pouring and curing process for the resin / potting agent are required to maintain the joint between the lead terminal and the connector terminal, resulting in an increase in cost.
  • a metal case (4) containing a pressure sensor unit (1) and an IC (2) is replaced with a resin case ( There is known a structure integrally molded in 5). With such a configuration, the steps can be simplified and the cost can be reduced.
  • the pressure introducing portion (5a) for introducing pressure from outside to the sensor is also provided by the resin case (5). It is configured to be integrally molded. In general, the outer diameter and length of the pressure introducing section differ for each user due to the location of the pressure sensor and the like. Therefore, as described in Japanese Patent Publication No.
  • the pressure introducing part (5a) is integrally molded with the resin case (5), so that the pressure and the size and shape according to the user's request are
  • the pressure introducing part (5a) is integrally molded with the resin case (5), so that the pressure and the size and shape according to the user's request are
  • a first object of the present invention is to provide a compact, highly reliable semiconductor pressure sensor that can share a mold for resin molding, has a small number of parts.
  • a second object of the present invention is to provide a semiconductor pressure sensor with a small number of parts, a small size, and a highly reliable temperature sensor.
  • the present invention provides a resin-molded sensor unit having a semiconductor chip for converting a pressure change of a medium to be measured into an electric signal through an introduction hole, and a connector having one end.
  • a lead member that exposes the semiconductor chip in the sensor unit and conducts pressure to the semiconductor chip in advance;
  • the sensor unit, the lead material, and the pressure introduction tube are insert-molded to form an outer case integrally formed of a synthetic resin material.
  • the mold for the resin mold can be used in common, and the number of parts is small, and the size and reliability can be improved.
  • the present invention provides a resin-molded sensor unit having a semiconductor chip for converting a change in pressure of a medium to be measured into an electric signal via an introduction hole, and a connector.
  • a lead material that exposes one end to the semiconductor chip in the sensor unit in advance, a pressure introducing pipe that introduces pressure into the semiconductor chip, and a temperature sensor that converts a temperature change of the medium to be measured into an electric signal.
  • a lead terminal for holding the temperature sensor, an electrical connection between the lead terminal and the lead material, insert molding of the sensor unit, the lead material, and the pressure introduction tube, and synthesis.
  • An outer case integrally formed of a resin material is provided.
  • FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of a semiconductor absolute pressure sensor according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a semiconductor absolute pressure sensor according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a semiconductor relative pressure sensor according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a temperature sensor integrated semiconductor absolute pressure sensor according to a fourth embodiment of the present invention.
  • BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION the configuration of the semiconductor pressure sensor according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
  • FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of a semiconductor absolute pressure sensor according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of FIG.
  • the semiconductor chip 1 is made of silicon.
  • the semiconductor chip 1 is formed in a concave shape by, for example, etching the lower surface of a central portion, and a thin diaphragm 2 is formed in the central portion.
  • a pressure detecting circuit (not shown) is integrally formed on the upper surface of the semiconductor chip 1 and on the diaphragm 2 by a semiconductor process.
  • the pressure detection circuit is composed of four diffused resistors formed on the diaphragm 2 and wired to a bridge with aluminum conductors.
  • a characteristic compensation circuit and a protection circuit are integrally formed in a peripheral portion other than the diaphragm on the upper surface of the semiconductor chip 1 by a semiconductor process.
  • the characteristic compensation circuit is a digital-analog hybrid circuit that adjusts the relationship between pressure and output to a predetermined transfer function.
  • the digital / analog hybrid circuit is composed mainly of a digital section with an EPROM that stores and holds the characteristic adjustment signal, and an analog section that amplifies the signal.
  • the characteristic adjustment signal is an adjustment value such as a coefficient value for adjusting each of these characteristics obtained during zero-span adjustment, sensitivity adjustment, and temperature characteristic adjustment.
  • the protection circuit is a circuit that protects input / output signals provided at an input / output stage connected to the outside.
  • the pressure detection circuit, the characteristic adjustment circuit, and the protection circuit are each electrically connected by an aluminum conductor or the like.
  • the semiconductor chip 1 is joined to the glass table 3 by aanodic bonding or the like.
  • a semiconductor chip 1 and a glass table 3 constitute a chip chip.
  • a vacuum chamber 4 is provided at a portion between the lower surface of the diaphragm 2 of the semiconductor chip 1 and the upper surface of the glass base 3.
  • the linear expansion coefficient of the glass table 3 is substantially equal to the linear expansion coefficient of the semiconductor chip 1.
  • the chip case 5 is formed by insert-molding the lead terminals 6 and the reinforcing plate 7 with epoxy resin.
  • the lead terminal 6 is made of phosphor bronze.
  • the reinforcing plate 7 has a circular shape and is made of 42 alloy. Insert mode for tip case 5
  • the upper surface of the center of the reinforcing plate 7 formed by soldering is exposed from the chip case 5.
  • the lead terminal 6 is arranged around the arrangement portion of the chip holder, and is drawn out through the chip case 5.
  • the chip chip composed of the semiconductor chip 1 and the glass table 3 is bonded and fixed to the reinforcing plate 7 exposed at the center of the chip case 5 using a silicone adhesive 8.
  • the electrodes of the semiconductor chip 1 are connected to the lead terminals 6 by aluminum wires 9 by wire bonding.
  • a chip chip composed of the semiconductor chip 1 and the glass table 3 attached to the reinforcing plate 7 inside the chip case 5 is filled and cured with a fluorosilicone-based or fluorine-based coat gel 10.
  • the coat gel 10 transmits pressure to the semiconductor chip 1 and prevents the corrosive liquid or gas from coming into contact with the semiconductor chip 1 and the silicon adhesive 8.
  • the sensor unit 11 is configured by the chip case composed of the semiconductor chip 1 and the glass base 3 and the chip case 5 in which the reinforcing plate 7 and the lead terminal 6 are integrally formed.
  • the characteristic adjustment is performed by applying a predetermined pressure and temperature to the sensor unit 11 alone and causing the semiconductor chip 1 to store and hold the characteristic adjustment value via the lead terminal 6.
  • the connector terminal 12 is formed integrally with the lead terminal 6 of the sensor unit 11. Since the connector terminals 12 and the lead terminals 6 have different thicknesses, a step portion 13 is provided.
  • Pipe 30 consists of PBT.
  • the pipe 30 is provided with a ring surface 15 protruding on one surface and a ring surface 16 one step lower on the outer periphery.
  • a mortar pipe 17 and a straight pipe 18 are provided inside the pipe 30, .
  • the straight pipe section 18 also serves as a pressure introducing pipe.
  • the mortar-shaped conduit 17 is used for liquid entering the pressure detection chamber in which the semiconductor chip 1 of the sensor unit is disposed via the medium to be measured, It is provided to make it easy for water droplets and the like adhering due to condensation to flow out.
  • the mounting position of the semiconductor pressure sensor is biased to one side, the internal pipeline of the pipe 30 is changed from a mortar to a pipeline tapered to one side so that a similar effect can be obtained.
  • a ring-shaped film pellet 19 made of epoxy resin is attached to the ring surface 16 of the pipe 30, and the ring surface 20 protruding toward the opening side of the sensor unit 11 comes into contact with the film pellet 19.
  • the sensor unit 11 is mounted on the pipe 30 as described above.
  • the outer case 21 has a connector coupler 23 and a flange 24 with mounting holes integrally formed by molding.
  • the pressure introducing pipe portion is formed by integrating a pipe 30 projecting from the outer case 21.
  • the sensor unit 11 and the pipe 30 are hermetically sealed when the film pellet 19 is melted and fixed at the time of molding, and is fixed in the outer case 21 with PBT resin.
  • the pipe 30 is made of PBT of an adhesiveness improving grade for multiple molding, and has a labyrinth structure having a plurality of projections (not shown) for improving the fusion property on a contact surface with the PBT resin constituting the outer case 21. Is provided. At the time of molding, the projections of the labyrinth portion are melted to ensure airtightness and close contact.
  • the outer case 21 is provided with a connector coupler 23 in which one end of the connector terminal 12 is exposed and a flange 24 with mounting holes, and are integrally formed at the time of molding.
  • the flange 24 has an insert-molded collar 25 made of brass in the mounting hole. The color 25 is necessary when the semiconductor pressure sensor is mounted on the metal surface of the throttle body or the like with screws, and is not required when the resin surface is mounted. Therefore, it is excluded during molding.
  • the outer peripheral portion 26 of the fixed side of the semiconductor chip 1 is exposed from the exterior case 21. Since the characteristics of the sensor unit 11 have already been adjusted, it is necessary to prevent the characteristics of the semiconductor chip 1 from changing due to the injection pressure generated during molding or the shrinkage stress of the resin. By molding the outer periphery 26 of the fixed side of the semiconductor chip 1 of the sensor unit 1 1 so that it is not directly covered with resin, the stress applied directly from the resin to the outer periphery of the fixed side of the semiconductor chip 1 is applied. Not to be.
  • the chip case 5 of the sensor unit 11 is made of a highly elastic epoxy resin containing about 80% of a filler, and is provided with a metal reinforcing plate 7 integrally molded with the resin. It has a stress-free structure in which a semiconductor chip 1 is disposed on a plate 7 using a low-vulcanized silicone adhesive 8 via a glass base 3. Therefore, even if the outer case 21 is formed by insert-molding the sensor unit 11, the characteristics do not shift.
  • the pressure sensor is formed by integrally molding the sensor unit and the pipe constituting the pressure introducing pipe with the outer case, so that the pipe constituting the pressure introducing pipe is a separate body. Can be manufactured. Therefore, when the dimensions such as the outer diameter and length of the pressure introduction pipe differ according to the user's request, only the pipe is changed according to the user's request, and the molding die and sensor unit can be shared. it can.
  • the lead terminals 6 and the connector terminals 12 of the sensor unit 11 are formed integrally, it is not necessary to connect the terminals by welding or the like in a later process, and the integrated terminals are connected inside the exterior unit. Since the case is directly fixed with resin, the outer case can be made smaller and lighter.
  • the weight can be reduced. Further, since the pressure sensor can be manufactured by two-stage molding with resin, the size can be further reduced. be able to.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a semiconductor absolute pressure sensor according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 The same reference numerals as those in FIG. 1 indicate the same parts.
  • the connector terminal 27 is separate from the lead terminal 28 of the sensor unit 11 and is connected by a tie bar (not shown), and each terminal is provided with a projection 29 for projection welding. .
  • the connector terminal 27 is made of phosphor bronze.
  • the connector terminals 27 are tie-bar cut after being welded to the lead terminals 28 of the sensor unit 11 respectively.
  • the sensor unit 11 can be standardized by providing the connector terminal 27 and the lead terminal 28 separately.
  • the connector terminals 27 may have different dimensions depending on the user's request, but even in such a case, the sensor unit 11 can be shared and the sensor unit 11 can be assembled and adjusted independently.
  • Integrating connector terminals with different connector thicknesses and layouts depending on the user will increase the types of components to be managed, and will require changing the platen and other parts due to different shapes.
  • the sensor unit is connected to the connector terminals and becomes larger, making it difficult to handle and the device to become larger.
  • the connector terminal 27 and the lead terminal 28 are provided separately, so that the sensor unit can be shared and each user can easily respond only by changing the connector terminal. And the size of the device can be reduced.
  • Pipe 30 consists of PBT.
  • the pipe 30 has a first concave ring groove 31 on one surface.
  • a second concave ring groove 32 is provided in the ring groove 31.
  • a mortar-shaped pipe 17 and a straight pipe 18 are provided inside the pipe 30.
  • the straight pipe section 18 is configured to also serve as a pressure introduction pipe.
  • An O-ring 33 made of fluorocarbon rubber is attached to the second concave ring groove 32 of the pipe 30, and the protruding ring surface on the opening side of the sensor unit 11 is attached to the first concave ring groove 31. To fit. These are set in a mold for forming the outer case 34, and the sensor unit 11 and the pipe 30 are pressed and held up and down to form a mold.
  • the fitting portion of the pipe 30 is hermetically sealed and fixed integrally.
  • the outer case 21 is composed of the connector coupler 23 and the The flange 24 is integrally formed with a mold.
  • the pressure introducing pipe is formed by integrating the pipe 30 so as to protrude from the outer case.
  • the fixed outer peripheral portion 26 of the sensor unit 11 is a concave ring groove 35 provided so as to surround the exposed portion of the sensor unit 11, and has a structure in which resin is not coated.
  • a low-elastic silicone adhesive 36 By injecting and hardening a low-elastic silicone adhesive 36 into the concave ring groove 35 after molding, the concave ring groove 35 can be formed without applying stress to the outer peripheral part 26 of the sensor unit 11 on the fixed side. Can be filled.
  • the sensor unit can be shared, and it is possible to easily meet a user request only by changing the lead terminal.
  • the sensor unit and the pipe that constitutes the pressure introduction pipe are integrally molded with the outer case to constitute the pressure sensor, the pipes that constitute the pressure introduction pipe are separate. Can be manufactured. Therefore, if the dimensions such as the outer diameter and length of the pressure introducing pipe differ according to the user's request, only the pipe is changed according to the user's request, and the molding die and sensor unit can be shared. In monkey.
  • the lead terminals 6 of the sensor unit 11 and the connector terminals 12 are molded together, there is no need to connect the terminals by welding or the like in a later process, and the integrated terminals are placed in a resin inside the external unit. Since the case is directly fixed, the size and weight of the outer case can be further reduced.
  • the weight can be reduced.
  • the pressure sensor can be manufactured by two-stage molding with resin, the size can be further reduced. be able to.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a semiconductor relative pressure sensor according to a third embodiment of the present invention.
  • the same reference numerals as those in FIG. 1 indicate the same parts.
  • the glass stand 37 has a through hole 38 in the center.
  • the chip case 39 is provided with a through hole 41 communicating from the center of the reinforcing plate 40 to the outside of the chip case.
  • the sensor unit 4 2 is formed by bonding the semiconductor chip 1 with the silicone adhesive 8 so that the through-hole 3 8 of the chip box connecting the glass base 3 7 and the through-hole 4 1 of the chip case 3 9 communicate with each other. I do.
  • the cap 43 includes a first cap 43 A, a second cap 43 B, and a Gotex seal 47.
  • the cap 43 is formed by sandwiching and bonding a Gotex seal 47 between the first cap 43A and the second cap 43B.
  • the cap 43 has a concave inner shape 45 matching the convex outer shape 44 on the side where the through hole 41 of the sensor unit 42 is provided, and an introduction hole at the center communicating with the outside. 4 6 are provided.
  • a gortex seal 47 is provided in the middle of the introduction hole 46, and a labyrinth air introduction hole 48 communicating with the outside is provided.
  • the sensor unit 42 and the connector terminal 27 are joined by projection welding and disposed on the pipe 30 via the O-ring 32.
  • the film pellet 50 is mounted on the outer peripheral ring surface 49 of the convex outer portion 44 of the unit case 42, and the cap 43 is disposed so as to be fitted thereon. These are set in a mold for molding the outer case 51 and molded by PBT.
  • the sensor unit 42 and the cap 43 are hermetically sealed when the film pellet 50 is melted and fixed during molding, and is fixed in the outer case 51 with a PBT resin.
  • the pressure of the medium to be measured introduced from the pressure introducing tube 30 is applied to the upper surface of the semiconductor chip 1, and the atmospheric pressure is applied to the lower surface through the air introducing hole 48 of the cap 43, so that the diaphragm 2 is deformed by the pressure difference between the pressure of the medium to be measured and the atmospheric pressure. That is, the relative pressure based on the atmospheric pressure can be detected. That is, since the outer case 5 of the relative pressure sensor of the present embodiment is the same as the outer case 3 3 of the absolute pressure sensor shown in FIG. 3 except for the presence or absence of the cap 43, the cap 4 3
  • the mold can be shared simply by changing the holding part of the mold with a piece. Also, the same structure can be obtained by forming the sensor unit 42 integrally using the mold for forming the outer case shown in FIG. 3 without changing the insertion piece and bonding the cap 43 later.
  • the absolute pressure sensor and the relative pressure sensor differ only in the presence or absence of the cap, they can be molded with the same mold only by changing the insert of the mold.
  • the sensor unit can be shared, and it is possible to easily meet a user's request only by changing the lead terminal.
  • the pressure sensor is configured by integrally molding the sensor unit and the pipe that constitutes the pressure introducing pipe with the outer case, the pipe that constitutes the pressure introducing pipe can be manufactured separately. . Therefore, when the dimensions such as the outer diameter and the length of the pressure introducing pipe are different according to the user's request, only the pipe is changed according to the user's request, and the molding die and the sensor unit can be shared.
  • the lead terminals 6 of the sensor unit 11 and the connector terminals 12 are molded, it is not necessary to connect the terminals by welding or the like in a later process, and the integrated terminals are directly resin-filled in the exterior unit. Because it is fixed, the size and weight of the outer case can be further reduced.
  • the sensor unit, the pipe, and the outer case can be all made of resin, the weight can be reduced. Since the force sensor can be manufactured, the size can be further reduced.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a temperature sensor integrated semiconductor absolute pressure sensor according to a fourth embodiment of the present invention.
  • the same reference numerals as those in FIG. 1 indicate the same parts.
  • the sensor unit 11 is the same as the sensor unit for absolute pressure detection shown in FIG.
  • a terminal 54 holding a temperature sensor 53 for converting the temperature of the medium to be measured into an electric signal, and a terminal 55 are integrally formed in advance by insert molding.
  • the pipe 52 is made of PBT of a grade with improved adhesion for multiple molding, and has a labyrinth structure with a plurality of projections (not shown) on the contact surface with the PBT resin that constitutes the outer case 56 to improve the adhesion. Is provided.
  • Terminals 54 and 55 are connected to lead terminals 57 and 58 of temperature sensor 53 by welding. In this embodiment, a separate type temperature sensor is used, but a structure in which a terminal terminal or a lead wire and the temperature sensor are integrated in advance may be used.
  • the sensor unit 11 is attached to the pipe 52 serving as a pressure introducing pipe via the 0 ring 33, and the connector terminal 59 and the lead terminal 6 of the sensor unit 11 are connected by welding, and the terminals 54, 55 are also connected. Connect to connector terminals 59 by welding.
  • the connection terminal 59 consists of four terminals: pressure sensor output, power supply, ground, and temperature sensor output.
  • the ground terminals of the temperature sensor and the pressure sensor are shared. These are set in a mold for forming the outer case 56 and are subjected to insert molding with a synthetic resin material such as PBT.
  • An O-ring mounting groove 61 is provided in the protector 60 of the outer case 56, and an O-ring 62 is mounted. As described above, a temperature sensor type semiconductor absolute pressure sensor can be obtained.
  • the temperature sensor type semiconductor absolute pressure sensor is used for engine control. In order to directly measure the temperature and pressure of the air taken into the engine, insert the protector directly into the suction line and attach it.
  • the ⁇ ring 62 is provided to ensure an airtight seal of the mounting portion. Terminals 54 and 55 for holding the temperature sensor 53 have a structure exposed inside the protector 60.
  • the medium to be measured is on the side of the pressure introduction pipe. There are four openings that take in the body at 90-degree intervals.
  • the temperature sensor It can be a sensor.
  • the weight can be reduced.
  • a pressure sensor with a temperature sensor can be manufactured by two-stage molding with resin. The size can be reduced.

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Description

明 細 書 半導体圧力センサ 技術分野 本発明は、 半導体圧力センサに係り、 特に、 センサユニットを内蔵した半導体 圧力センサに関する。 背景技術 従来の圧力センサとしては、 例えば、 特開平 9— 1 7 8 5 9 1号公報に記載の ように、 外装ユニットが、 外部との電気的接続を行うためのコネクタ端子を一体 成形したコネクタ部(Π)と、 2方向に対向した開口部を有した枠(I d)と、 内側面 から突出して開口部方向に設けた筒状圧力導入部を有した樹脂製ハウジング(5 a)と、 外部に装着するための取り付け部を有した第 1の樹脂製カバー(4)と、 圧 力導入管部を有した第 2の樹脂製カバ一(5)から構成され、 センサュニッ卜が、 圧力を電気信号に変換する半導体チップを内在し、 外部との電気的接続用のリー ド端子と圧力導入管を有したケースから構成されているものが知られている。 こ こで、 センサユニットと外装ユニットの組み立ては、 センサユニットをハウジン グの圧力導入部に接着し、 センサュニッ卜のリード端子とコネクタ端子を電気的 に接続し、 第 1のカバ一をゴム製のパッキンを介してハウジングに組み付け、 ハ ウジングと第 1のカバーで囲まれたセンサュニッ卜が内在する空間にボッティン グ剤を注入し、 第 2のカバ一をハウジングに接着剤を介して組み付けたものを熱 硬化している。
しかしながら、 かかる構成では、 外装ユニットが複数の樹脂部品から構成され ているため、 各部品を製作するための金型やモールド成形が各々必要となること や、 センサユニットと上記部品群の組み立て工数が必要となるため、 コスト高と なることが避けられないものである。 また、 接合部位が増えるため、 市場におけ る故障のポテンシャルも増える等の課題がある。 更に、 外部との電気的接続をと るためのコネクタ端子が、 予めハウジング樹脂に一体成形されて、 センサュニッ 卜のリード端子接合部が、 ハウジングの枠内に突出した構成となっているため、 ハウジングの小型化を図るには限界があり、 且つ、 リード端子とコネクタ端子の 接合箇所の保持のために、 シリコーン樹脂ゃポッティング剤と、 その注入 ·硬化 工程が必要となり、 コスト高になっていた。
それに対して、 例えば、 特公平 6— 8 4 9 1 8号公報に記載されているように、 圧力センサユニット(1)と、 I C (2)を収納したメタルケース(4)を、 樹脂ケース (5)で一体モールドした構成のものが知られている。 かかる構成により、 工程を 簡略化することができ、 コストを低減できるものである。 発明の開示 しかしながら、 特公平 6— 8 4 9 1 8号公報に記載されているものでは、 セン サュニッ卜に外部から圧力を導入するための圧力導入部(5a)も、 樹脂ケース(5) によって一体成形する構成となっている。 一般に、 圧力導入部の外径や長さは、 圧力センサを使用する場所等の関係で、 ユーザ毎に異なっている。 したがって、 特公平 6— 8 4 9 1 8号公報に記載のように、 圧力導入部(5a)を、 樹脂ケース (5)によって一体成形する構成のものでは、 ユーザ要求に応じた寸法形状の圧力 導入部を備えるため、 ユーザ要求に応じて、 複数の金型を使用する必要があり、 金型の共用化が図れず、 コス卜が増加するという問題があった。
本発明の第 1の目的は、 樹脂モールドのための金型を共用化でき、 部品点数が 少なく, 小型, 高信頼性の半導体圧力センサを提供することにある。
本発明の第 2の目的は、 部品点数が少なく, 小型, 高信頼性な温度センサ付き の半導体圧力センサを提供することにある。
上記第 1の目的を達成するために、 本発明は、 導入孔を介して被測定媒体の圧 力変化を電気信号に変換する半導体チップを内設した樹脂モールドされたセンサ ユニットと、 コネクタに片端を露出し、 上記センサユニット内の半導体チップに 予め導通するリード材と、 上記半導体チップに圧力を導入する圧力導入管と、 上 記センサユニットと、 上記リード材と、 上記圧力導入管とをインサートモールド 成形して、 合成樹脂材により一体成形した外装ケースとを備えるようにしたもの である。
かかる構成により、 樹脂モールドのための金型を共用化でき、 部品点数が少な く, 小型, 高信頼性化し得るものとなる。
また、 上記第 2の目的を達成するために、 本発明は、 導入孔を介して被測定媒 体の圧力変化を電気信号に変換する半導体チップを内設した樹脂モールドされた センサユニットと、 コネクタに片端を露出し、 上記センサユニット内の半導体チ ップに予め導通するリード材と、 上記半導体チップに圧力を導入する圧力導入管 と、 被測定媒体の温度変化を電気信号に変換する温度センサと、 この温度センサ を保持するリード端子と、 このリード端子と上記リード材を電気的に接合し、 上 記センサユニットと、 上記リード材と、 上記圧力導入管とをインサートモールド 成形して、 合成樹脂材により一体成形した外装ケースとを備えるようにしたもの である。
かかる構成により、 部品点数が少なく, 小型, 高信頼性な温度センサ付きの半 導体圧力センサを得ることができる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の第 1の実施形態による半導体絶対圧センサの構成を示す断面 図である。
図 2は、 図 1の平面図である。
図 3は、 本発明の第 2の実施形態による半導体絶対圧センサの構成を示す断面 図である。
図 4は、 本発明の第 3の実施形態による半導体相対圧センサの構成を示す断面 図である。
図 5は、 本発明の第 4の実施形態による温度センサ一体型半導体絶対圧センサ の構成を示す断面図である。 発明を実施するための最良の形態 以下、 図 1及び図 2を用いて、 本発明の第 1の実施形態による半導体圧力セン ザの構成について説明する。
図 1は、 本発明の第 1の実施形態による半導体絶対圧センサの構成を示す断面 図である。 図 2は図 1の平面図である。
半導体チップ 1は、 シリコンから成る。 半導体チップ 1は、 中央部の下面をェ ツチング等により、 凹型状に形成され、 中央部には、 薄肉のダイヤフラム 2が形 成されている。 半導体チップ 1の上面であって、 ダイヤフラム 2の部分には、 図 示しない圧力検出回路が半導体プロセスにより一体的に形成されている。 圧力検 出回路は、 ダイヤフラム 2上に形成された 4個の拡散抵抗から成り、 アルミ導体 でブリッジに配線して構成される。
また、 半導体チップ 1の上面でダイヤフラム以外の周辺部には、 図示しない特 性補償回路及び保護回路が半導体プロセスにより一体的に構成されている。 特性 補償回路は、 圧力と出力の関係を所定の伝達関数に調整するデジ ·アナ混成回路 である。 デジ,アナ混成回路は、 特性調整信号を記憶 ·保持する E P R O Mを有 したデジタル部と、 信号増幅をするアナログ部を主要部として構成される。 特性 調整信号とは、 ゼロ一スパン調整, 感度調整, 温度特性調整時に得られたこれら の各特性を調整するための係数値等の調整値である。 保護回路は、 外部と接続さ れる入出力段に設けられた入出力信号に対する保護を行う回路である。 圧力検出 回路、 特性調整回路及び保護回路は、 それぞれ、 アルミ導線等で電気的に接続さ れている。
半導体チップ 1は、 ガラス台 3とァノ一ディックボンディング等で接合されて いる。 半導体チップ 1とガラス台 3により、 チップクミを構成する。 半導体チッ プ 1のダイヤフラム 2の下面とガラス台 3の上面に挟まれた部分には、 真空室 4 が設けられている。 ガラス台 3の線膨張係数は、 半導体チップ 1の線膨張係数と 略等しいものである。
チップケース 5は、 リード端子 6及び補強板 7をエポキシ樹脂で、 インサート モールドして形成される。 リード端子 6は、 リン青銅から成る。 補強板 7は、 円 形形状であり、 4 2ァロイから成る。 チップケース 5に対して、 インサートモー ルド成形された補強板 7の中央上面は、 チップケース 5から露出している。 リー ド端子 6は、 チップクミの配設部周辺に配置され、 チップケース 5を介して外側 に引き出されている。 半導体チップ 1とガラス台 3から成るチップクミは、 チッ プケース 5の中央部に露出した補強板 7に、 シリコーン接着剤 8を用いて、 接着 •固定されている。
半導体チップ 1の電極は、 アルミワイヤ 9でリード端子 6をワイボンディング で接続されている。 チップケース 5の内部の補強板 7の上に取り付けられた半導 体チップ 1とガラス台 3からなるチップクミは、 フロロシリコーン系またはフッ 素系のコートゲル 1 0を充填 ·硬化させている。 コートゲル 1 0は、 半導体チッ プ 1に圧力を伝達するとともに、 半導体チップ 1とシリコ一ン接着剤 8に腐食性 の液体や気体が接触することを防止している。
以上のようにして、 半導体チップ 1とガラス台 3からなるチップクミと、 補強 板 7及びリード端子 6を一体形成したチップケース 5によってセンサュニット 1 1が構成される。 センサユニット 1 1は、 単体で、 所定の圧力と温度を加え、 リ 一ド端子 6を介して半導体チップ 1に特性調整値を記憶 ·保持させることで、 特 性調整が行なわれる。
コネクタ端子 1 2は、 センサュニット 1 1のリード端子 6と一体に構成される。 コネクタ端子 1 2とリード端子 6は、 板厚が異なるため段差部 1 3が設けられて いる。
パイプ 3 0は、 P B Tから成る。 パイプ 3 0は、 一方の面に突出したリング面 1 5と、 その外周で一段低いリング面 1 6が設けられている。 パイプ 3 0の内側 には、 すり鉢状管路 1 7とストレート管路 1 8が設けられている。 ストレート管 部 1 8が、 圧力導入管を兼ねた構成となっている。
すり鉢状管路 1 7は、 半導体圧力センサの圧力導入孔が下向きに取り付けられ たとき、 センサュニッ卜の半導体チップ 1が配設された圧力検出室内に被測定媒 体を介して侵入する液体や、 結露により付着する水滴等を、 外部に流出させやす くするために設けられている。 半導体圧力センサの取り付け位置が片側に偏って 取り付けられるときには、 パイプ 3 0の内部管路をすり鉢から片側にテーパを設 けた管路に変更して同様の効果を得ることができるようにする。 パイプ 3 0のリング面 1 6に、 エポキシ樹脂から成るリング状のフィルムペレ ット 1 9を装着し、 センサュニット 1 1の開口部側に突出したリング面 2 0が、 フィルムペレツト 1 9と接するように、 センサュニット 1 1をパイプ 3 0に搭載 する。 これらを、 外装ケース 2 1を成形するための金型にセットし、 P B Tでモ 一ルド成形する。 外装ケース 2 1は、 コネクタカップラ 2 3と、 取り付け穴付フ ランジ 2 4をモールドで一体成形されている。 圧力導入管部は、 パイプ 3 0が外 装ケース 2 1から突出して一体化されることで構成される。
センサュニッ卜 1 1とパイプ 3 0は、 モールド成形時にフィルムペレツ卜 1 9 が溶融 '固着することで勘合部が気密封止されるとともに、 外装ケース 2 1内に P B T榭脂によって固定される。
パイプ 3 0は、 多重成形用密着性向上グレードの P B Tが用いられており、 外 装ケース 2 1を構成する P B T樹脂との接触面に融着性向上のための図示しない 突起が複数あるラビリンス構造が設けられている。 モールド成形時に、 このラビ リンス部の突起が溶融して気密と密着が確保される。
外装ケース 2 1は、 内部にコネクタ端子 1 2の片端が露出したコネクタカップ ラ 2 3と、 取り付け穴付フランジ 2 4が設けられ、 モールド成形時に一体形成さ れる。 フランジ 2 4は、 取り付け穴部に黄銅から成るカラー 2 5がインサ一トモ 一ルドされている。 カラ一 2 5は半導体圧力センサをスロットルボディ等の金属 面にネジで装着される場合に必要なものであり、 樹脂面装着の場合は不要である ため、 モールド成形時に除くようにしている。
モールド成形時に、 パイプ 3 0の圧力導入孔を塞ぐように金型のピンで保持す ることで、 成形後に圧力導入管と内部が連通した管路が構成されるため、 被測定 媒体の導入と半導体チップ 1による圧力検出が可能である。
圧力センサユニット 1 1は、 半導体チップ 1の固定側外周部 2 6を、 外装ケー ス 2 1から露出させてある。 センサュニット 1 1は、 特性調整が既に行なわれて いるため、 モールド成形時に発生する射出圧力や樹脂の収縮応力により、 半導体 チップ 1の特性が変化することを防止する必要がある。 センサユニット 1 1の半 導体チップ 1の固定側外周部 2 6を、 樹脂で直接被覆しないようにモールド成形 することで、 半導体チップ 1の固定側外周部に直接樹脂から受ける応力が加わら ないようにする。
また、 センサユニット 1 1のチップケース 5は、 フイラを 8 0 %程度含有した 高弾性なエポキシ樹脂で構成されている上、 樹脂と一体成形された金属補強板 7 が設けられており、 金属補強板 7のうえに低弹性なシリコーン接着剤 8を用いて ガラス台 3を介して半導体チップ 1を配設したストレスフリーな構造となってい る。 従って、 センサュニット 1 1をィンサートモールド成形して外装ケース 2 1 を形成しても、 特性のずれが生じることがないものである。
本実施形態では、 センサユニットと、 圧力導入管を構成するパイプとを、 外装 ケースにより一体モールドして圧力センサを構成するようにしているため、 圧力 導入管を構成するパイプは別体のものとして製作できる。 したがって、 ユーザ要 求により圧力導入管の外径や長さ等の寸法が異なる場合には、 パイプのみをユー ザ要求に応じて変更するのみで、 モールド成形金型やセンサュニットは共用化す ることができる。
また、 外装ケース 2 1とセンサュニット 1 1の組み立て方法を用いれば、 従来 必要であったハウジングやカバー等の部品や、 接着剤の塗布 ·硬化ゃポッティン グ材の注入 ·硬化等の工程が不要となるため、'コスト低減が可能となる。
さらに、 接着剤による部品接続個所がないため、 従来必要であったハウジング 外周部の接着溝が不要となるため、 外装ケースの小型, 軽量化が可能となり、 接 着不良のポテンシャルがないため信頼性が向上する。
また、 更に、 センサユニット 1 1のリード端子 6とコネクタ端子 1 2がー体成 形されているため、 後工程での端子間の溶接等での接続が不要であり、 一体端子 を外装ユニット内に樹脂で直接固定しているため、 更なる外装ケースの小型, 軽 量化が可能となる。
また、 さらに、 センサユニット, パイプ, 外装ケースは全て樹脂製とすること ができるので、 軽量化することができ、 また、 樹脂による 2段モールドにより圧 力センサを製造できるため、 さらに、 小型化することができる。
次に、 図 3を用いて、 本発明の第 2の実施形態による半導体圧力センサの構成 について説明する。
図 3は、 本発明の第 2の実施形態による半導体絶対圧センサの構成を示す断面 図である。 なお、 図 1と同一符号は、 同一部分を示している。
本実施形態では、 コネクタ端子 2 7は、 センサユニット 1 1のリード端子 2 8 と別体であり、 図示しないタイバーによって連なっており、 各端子にはプロジェ クシヨン溶接用突起 2 9が設けられている。 コネクタ端子 2 7は、 リン青銅から 成る。 コネクタ端子 2 7は、 センサユニット 1 1のリード端子 2 8に各々溶接さ れたあと、 タイバーカットされる。
本実施形態では、 コネクタ端子 2 7とリード端子 2 8を別体にすることにより、 センサユニット 1 1の標準化を図ることができる。 コネクタ端子 2 7は、 ユーザ 要求により異なる寸法のものが用いられる場合があるが、 このような場合でも、 センサュニット 1 1は共通化して、 センサュニット 1 1は、 単体で組み立て調整 が行うことができる。
コネクタ端子の板厚や配置がユーザにより異なるコネクタ端子と一体にすると、 管理すべき部品の種類が増えることや、 形状違いによるプラテン等の段取り替え が必要となる。 更に、 センサユニットがコネクタ端子と連なっている分大型化す るため、 取り扱いが難しくなり、 装置も大型化することになる。 それに対して、 本実施形態では、 コネクタ端子 2 7とリード端子 2 8を別体としているので、 セ ンサユニットの共用化が図れ、 コネクタ端子の変更のみで、 ユーザ毎に容易に対 応することができ、 また、 装置を小型化することができる。
パイプ 3 0は、 P B Tから成る。 パイプ 3 0は、 片面に第一の凹型リング溝 3 1が設けられている。 リング溝 3 1内に、 第二の凹型リング溝 3 2が設けられて いる。 パイプ 3 0の内部には、 すり鉢状管路 1 7とストレート管路 1 8が設けら れている。 ストレート管部 1 8が、 圧力導入管を兼ねた構成となっている。 パイ プ 3 0の第二の凹型リング溝 3 2に、 フッ素系ゴムから成る Oリング 3 3を装着 し、 センサユニット 1 1の開口部側の突出したリング面を第一の凹型リング溝 3 1に勘合させる。 これらを外装ケース 3 4を形成するための金型にセットし、 セ ンサュニット 1 1とパイプ 3 0を上下に押え込んだ状態でモールド成形すること で、 0リング 3 3により、 センサユニット 1 1とパイプ 3 0の勘合部が気密封止 されるとともに一体に固定される。
外装ケース 2 1は、 コネクタカップラ 2 3と、 図 2に示した取り付け穴付フラ ンジ 2 4をモールドで一体成形されている。 圧力導入管部はパイプ 3 0が外装ケ ースから突出して一体化されることで構成される。
センサュニット 1 1の固定側外周部 2 6は、 センサュニット 1 1の露出部を囲 むように設けられた凹型リング溝 3 5で、 樹脂の被覆を行なわない構造となって いる。 凹型リング溝 3 5には、 モールド成形後に低弾性なシリコーン接着剤 3 6 を注入 ·硬化させることで、 センサュニット 1 1の固定側外周部 2 6にストレス を加えずに、 凹型リング溝 3 5を埋めることができる。
本実施形態では、 コネクタ端子とリード端子を別体とすることにより、 センサ ユニットを共用化することができ、 リード端子の変更のみで、 ユーザ要求に容易 に応じることができる。
また、 センサユニットと、 圧力導入管を構成するパイプとを、 外装ケースによ り一体モールドして圧力センサを構成するようにしているため、 圧力導入管を構 成するパイプは別体のものとして製作できる。 したがって、 ユーザ要求により圧 力導入管の外径や長さ等の寸法が異なる場合には、 パイプのみをユーザ要求に応 じて変更するのみで、 モールド成形金型やセンサュニットは共用化することがで さる。
さらに、 外装ケース 2 1とセンサユニット 1 1の組み立て方法を用いれば、 従 来必要であったハウジングやカバー等の部品や、 接着剤の塗布 ·硬化ゃボッティ ング材の注入 ·硬化等の工程が不要となるため、 コスト低減が可能となる。 また、 接着剤による部品接続個所がないため、 従来必要であったハウジング外 周部の接着溝が不要となるため、 外装ケースの小型, 軽量化が可能となり、 接着 不良のポテンシャルがないため信頼性が向上する。
さらに、 センサュニット 1 1のリード端子 6とコネクタ端子 1 2がー体成形さ れているため、 後工程での端子間の溶接等での接続が不要であり、 一体端子を外 装ユニット内に樹脂で直接固定しているため、 更なる外装ケースの小型, 軽量化 が可能となる。
また、 さらに、 センサユニット, パイプ, 外装ケースは全て樹脂製とすること ができるので、 軽量化することができ、 また、 樹脂による 2段モールドにより圧 力センサを製造できるため、 さらに、 小型化することができる。 次に、 図 4を用いて、 本発明の第 3の実施形態による半導体圧力センサの構成 について説明する。
図 4は、 本発明の第 3の実施形態による半導体相対圧センサの構成を示す断面 図である。 なお、 図 1と同一符号は、 同一部分を示している。
ガラス台 3 7は、 中央部に貫通孔 3 8が設けられている。 チップケース 3 9に は、 補強板 4 0の中央部からチップケース外側に連通する貫通孔 4 1が設けられ ている。 半導体チップ 1をガラス台 3 7を接合させたチップクミの貫通孔 3 8と、 チップケース 3 9の貫通孔 4 1が連通するように、 シリコーン接着剤 8で接着し て、 センサユニット 4 2を構成する。
キャップ 4 3は、 第 1キャップ 4 3 Aと、 第 2キャップ 4 3 Bと、 ゴァテック スシール 4 7から構成されている。 第 1キャップ 4 3 Aと、 第 2キャップ 4 3 B との間に、 ゴァテックスシール 4 7を挟んで接着することにより、 キャップ 4 3 を構成する。 キャップ 4 3は、 センサユニット 4 2の貫通孔 4 1が設けられた側 の凸型の外形部 4 4に合致するような凹型の内形部 4 5と、 中央に外部と連通す る導入孔 4 6が設けられている。 導入孔 4 6の途中には、 ゴァテックスシール 4 7が設けられており、 更に外部と連通するラビリンスな大気導入孔 4 8が設けら れている。
センサュニット 4 2とコネクタ端子 2 7をプロジェクシヨン溶接して接合し、 Oリング 3 2を介してパイプ 3 0に配設する。 次に、 ユニットケース 4 2の凸型 の外形部 4 4の外周リング面 4 9にフィルムペレツト 5 0を装着し、 キャップ 4 3をその上に嵌合するよう配設する。 これらを、 外装ケース 5 1を成形するため の金型にセットし、 P B Tでモールド成形する。
センサュニット 4 2とキャップ 4 3は、 モールド成形時にフィルムペレツト 5 0が溶融 ·固着することで勘合部が気密封止されるとともに、 外装ケース 5 1内 に P B T樹脂によって固定される。
半導体チップ 1の上面には、 圧力導入管 3 0から導入される被測定媒体の圧力 が印加され、 下面にはキャップ 4 3の大気導入孔 4 8を介して大気圧が印加され るため、 ダイヤフラム 2は被測定媒体の圧力と大気圧の差圧により変形する。 す なわち、 大気圧を基準とした相対圧が検出できることになる。 即ち、 本実施形態の相対圧センサの外装ケース 5と、 図 3に示した絶対圧セン ザの外装ケース 3 3とは、 キャップ 4 3の有り無し以外は同一であるため、 キヤ ップ 4 3の保持部を入れ駒で変えるだけで、 金型の共用化ができる。 また、 入れ 駒を変えず、 図 3の外装ケースを形成する金型を用いてセンサュニット 4 2を一 体成形して、 キャップ 4 3を後から接着しても同様の構造が得られる。
本実施形態では、 絶対圧センサと相対圧センサは、 キャップの有無の相違のみ であるため、 モールド金型の入れ駒の変更のみで、 同じ金型で成形することがで さる。
また、 コネクタ端子とリード端子を別体とすることにより、 センサユニットを 共用化することができ、 リード端子の変更のみで、 ユーザ要求に容易に応じるこ とができる。
さらに、 センサユニットと、 圧力導入管を構成するパイプとを、 外装ケースに より一体モールドして圧力センサを構成するようにしているため、 圧力導入管を 構成するパイプは別体のものとして製作できる。 したがって、 ユーザ要求により 圧力導入管の外径や長さ等の寸法が異なる場合には、 パイプのみをユーザ要求に 応じて変更するのみで、 モールド成形金型やセンサュニットは共用化することが できる。
また、 外装ケース 2 1とセンサュニット 1 1の組み立て方法を用いれば、 従来 必要であったハウジングやカバ一等の部品や、 接着剤の塗布 ·硬化ゃポッティン グ材の注入 ·硬化等の工程が不要となるため、 コスト低減が可能となる。
さらに、 接着剤による部品接続個所がないため、 従来必要であったハウジング 外周部の接着溝が不要となるため、 外装ケースの小型, 軽量化が可能となり、 接 着不良のポテンシャルがないため信頼性が向上する。
また、 センサュニット 1 1のリード端子 6とコネクタ端子 1 2がー体成形され ているため、 後工程での端子間の溶接等での接続が不要であり、 一体端子を外装 ユニット内に樹脂で直接固定しているため、 更なる外装ケースの小型, 軽量化が 可能となる。
また、 さらに、 センサユニット, パイプ, 外装ケースは全て榭脂製とすること ができるので、 軽量化することができ、 また、 樹脂による 2段モールドにより圧 力センサを製造できるため、 さらに、 小型化することができる。
次に、 図 5を用いて、 本発明の第 4の実施形態による半導体圧力センサの構成 について説明する。
図 5は、 本発明の第 4の実施形態による温度センサ一体型半導体絶対圧センサ の構成を示す断面図である。 なお、 図 1と同一符号は、 同一部分を示している。 センサユニット 1 1は、 図 1で示した絶対圧検出用のセンサユニットと同一で ある。
パイプ 5 2は、 被測定媒体の温度を電気信号に変換するための温度センサ 5 3 を保持するターミナル 5 4と、 ターミナル 5 5とを、 予めインサートモールドで 一体成形される。 パイプ 5 2は、 多重成形用密着性向上グレードの P B Tが用い られており、 外装ケース 5 6を構成する P B T樹脂との接触面に融着性向上のた めの図示しない突起が複数あるラビリンス構造が設けられている。 ターミナル 5 4, 5 5と、 温度センサ 5 3のリード端子 5 7 , 5 8を溶接により接続する。 本 実施形態では、 別体型の温度センサを用いているが、 ターミナル端子またはリー ド線と温度センサが予め一体化された構造であっても良いものである。
圧力導入管となるパイプ 5 2にセンサュニット 1 1を 0リング 3 3を介して装 着し、 コネクタ端子 5 9とセンサュニット 1 1のリード端子 6を溶接で接続する とともに、 ターミナル 5 4, 5 5もコネクタ端子 5 9に溶接で接続する。 コネク 夕端子 5 9は、 圧力センサ用出力, 電源, グランド, 温度センサ用出力の 4端子 から構成される。 温度センサと圧力センサのグランド端子は共用される。 これら を外装ケース 5 6を形成する金型にセッ卜して、 P B T等の合成樹脂材でインサ 一トモ一ルド成形する。 外装ケース 5 6のプロテク夕 6 0には、 〇リング取り付 け溝 6 1が設けられ、 Oリング 6 2が装着される。 以上のようにして、 温度セン サー体型半導体絶対圧センサを得ることができる。
温度センサー体型半導体絶対圧センサは、 エンジン制御に用いられる。 ェンジ ンに吸入される空気の温度と圧力を直接測定するため、 吸入管路にプロテク夕 6 0を直接挿入し装着する。 〇リング 6 2は、 この装着部の気密シールを確保する ために設けられる。 温度センサ 5 3を保持するターミナル 5 4, 5 5は、 プロテ クタ 6 0の内部に露出させた構造となっている。 圧力導入管側面には、 被測定媒 体を取り込む開口部が、 9 0度間隔で、 4箇所設けられている。
本実施形態のような構造とすることで、 外装ケース装着部の壁温により、 夕一 ミナル 5 4 , 5 5に加わる熱の影響を排除するとともに、 温度計測応答性の良い 温度センサー体型絶対圧センサとすることができる。
また、 センサユニット, パイプ, 外装ケースは全て樹脂製とすることができる ので、 軽量化することができ、 また、 樹脂による 2段モールドにより、 温度セン サ付きの圧力センサを製造できるため、 さらに、 小型化することができる。
なお、 上述の各実施形態において、 基本的考え方としては請求項に示した内容 に包括されており、 これらの構成要素以外で個別の構成要素 (例えば、 リード端 子とコネクタ端子との接続をはんだ付にするなど) については全く限定しないも のである。 産業上の利用の可能性 本発明によれば、 樹脂モールドのための金型を共用化でき、 部品点数が少なく, 小型, 高信頼性化することができる。

Claims

請求の範囲
1. 導入孔を介して被測定媒体の圧力変化を電気信号に変換する半導体チップ (1)を内設した樹脂モールドされたセンサュ二ット(11)と、
コネクタに片端を露出し、 上記センサュニット内の半導体チップに予め導通す るリード材(12)と、
上記半導体チップに圧力を導入する圧力導入管(30)と、
上記センサユニット(11)と、 上記リード材(12)と、 上記圧力導入管(30)とをィ ンサートモールド成形して、 合成樹脂材により一体成形した外装ケース(21)とを 備えたことを特徴とする半導体圧力センサ。
2. 請求項 1記載の半導体圧力センサにおいて、
上記センサュニット(11)は、 絶対圧測定用のセンサュニットであることを特徴 とする半導体圧力センサ。
3. 請求項 1記載の半導体圧力センサにおいて、
上記センサュニット(11)は、 相対圧測定用のセンサュニットであることを特徴 とする半導体圧力センサ。
4. 請求項 3記載の半導体圧力センサにおいて、
上記相対圧測定用のセンサュニットは、 大気と連通する導入孔に水分透過を妨 げる膜(47)を有するキャップを備えたことを特徴とする半導体圧力センサ。
5. 請求項 1記載の半導体圧力センサにおいて、
上記圧力導入管と上記センサュニッ卜の間に配設されたシール部材(19, 33)を 備えたことを特徴とする半導体圧力センサ。
6. 請求項 1記載の半導体圧力センサにおいて、
上記センサュニッ卜の入出力端子と上記リード材(28, 27)が別体構成とし、 両 者を途中で電気的に接続することを特徴とした半導体圧力センサ。
7 . 請求項 1記載の半導体圧力センサにおいて、
上記センサュニッ卜の一部を、 上記外装ケースの一部から露出させることを特 徴とする半導体圧力センサ。
8 . 請求項 1記載の半導体圧力センサにおいて、
上記センサュニッ卜の半導体チップ(1 )は、 合成樹脂製のチップケースに一部 を露出してィンサートモ一ルドされた補強材(7)の露出部にガラス台(3)を介して 配設されたことを特徴とする半導体圧力センサ。
9 . 請求項 1記載の半導体圧力センサにおいて、
上記圧力導入管は、 その内部に、 すり鉢状, または, 一部にテーパを有した管 路(17)を備えることを特徴とする半導体圧力センサ。
1 0 . 導入孔を介して被測定媒体の圧力変化を電気信号に変換する半導体チップ (1 )を内設した樹脂モールドされたセンサュニット(1 1 )と、
コネクタに片端を露出し、 上記センサュニット内の半導体チップに予め導通す るリード材(1 2)と、
上記半導体チップに圧力を導入する圧力導入管(52)と、
被測定媒体の温度変化を電気信号に変換する温度センサ(58)と、
この温度センサを保持するリ―ド端子(54, 55)と、
このリード端子(54, 55)と上記リード材(1 2)を電気的に接合し、 上記センサュ ニット(1 1 )と、 上記リード材(1 2)と、 上記圧力導入管(52)とをインサートモール ド成形して、 合成樹脂材により一体成形した外装ケース(56)とを備えたことを特 徴とする半導体圧力センサ。
1 1 . 請求項 1 0記載の半導体圧力センサにおいて、
上記温度センサと、 上記リード端子とを、 上記圧力導入管に合成樹脂材でモ一 ルド一体成形したことを特徴とする半導体圧力センサ
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004354294A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Hitachi Ltd 圧力センサ
JP2008008731A (ja) * 2006-06-29 2008-01-17 Denso Corp センサ装置およびその製造方法
US7412895B2 (en) 2006-02-20 2008-08-19 Mitsubishi Electric Corp. Semiconductor pressure sensor and die for molding a semiconductor pressure sensor
JP2008215609A (ja) * 2007-03-07 2008-09-18 Ti Group Automotive Systems Llc クイックコネクタ
JP2010002198A (ja) * 2008-06-18 2010-01-07 Denso Corp 圧力センサの製造方法
JP2011202960A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Fuji Electric Co Ltd 温度センサ一体型半導体圧力センサ
JP2012512405A (ja) * 2008-12-16 2012-05-31 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 装置および装置を製造するための方法
WO2012124282A1 (ja) * 2011-03-11 2012-09-20 パナソニック株式会社 センサ
JP2013517096A (ja) * 2010-01-20 2013-05-16 ケーシーアイ ライセンシング インク 流体潅流および陰圧創傷閉鎖療法のための創傷連結パッドおよびシステムと方法
JP2017083362A (ja) * 2015-10-30 2017-05-18 日立オートモティブシステムズ株式会社 圧力センサ
JP2018155670A (ja) * 2017-03-21 2018-10-04 日立オートモティブシステムズ株式会社 圧力センサ

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004309212A (ja) * 2003-04-03 2004-11-04 Denso Corp 圧力センサ及び吸気系圧力測定装置
KR101050334B1 (ko) * 2006-10-02 2011-07-19 파나소닉 전공 주식회사 압력센서
CN101190552A (zh) * 2006-11-29 2008-06-04 深圳富泰宏精密工业有限公司 模具结构
US7478560B2 (en) * 2007-03-08 2009-01-20 Delphi Technologies, Inc. Sensor apparatus responsive to pressure and temperature within a vessel
JP2008227087A (ja) * 2007-03-12 2008-09-25 Denso Corp 半導体素子
DE102007057903B4 (de) * 2007-11-29 2010-07-08 Continental Automotive Gmbh Sensormodul und Verfahren zur Herstellung des Sensormoduls
ITTO20080483A1 (it) * 2008-06-19 2009-12-20 Eltek Spa Dispositivo sensore di pressione
US8191423B2 (en) 2010-03-29 2012-06-05 Continental Automotive Systems, Inc. Grooved structure for die-mount and media sealing
JP2012052809A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Hitachi Automotive Systems Ltd センサの構造
DE202013100793U1 (de) * 2013-02-22 2013-03-05 Bürkert Werke GmbH Sensorgehäuse und Sensoreinheit
US20140260650A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Silicon Microstructures, Inc. Silicon plate in plastic package
JP6293562B2 (ja) * 2014-04-17 2018-03-14 株式会社不二工機 圧力センサ
KR101945923B1 (ko) * 2014-06-17 2019-02-08 가부시키가이샤 사기노미야세이사쿠쇼 센서칩을 구비하는 센서유닛, 및 그것을 구비하는 압력검출장치
DE102014113570B3 (de) * 2014-09-19 2015-12-24 Ksm Castings Group Gmbh Einrichtung zur Messung von Drücken in einem mit Schmelze füllbaren Formhohlraum einer Gießform, insbesondere einer Vakuumdruckgussform
JP2018166083A (ja) * 2017-03-28 2018-10-25 アイシン精機株式会社 電子部品モジュール、及び電子部品モジュールの製造方法
FR3081672B1 (fr) 2018-05-22 2021-04-09 A Raymond Et Cie Boitier de protection d'un dispositif electronique

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06273248A (ja) * 1993-03-16 1994-09-30 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 圧力センサとその製造方法
US5747694A (en) * 1995-07-28 1998-05-05 Nippondenso Co., Ltd. Pressure sensor with barrier in a pressure chamber
JPH10115536A (ja) * 1996-10-14 1998-05-06 Denso Corp 複合センサ
JPH10153507A (ja) * 1996-11-26 1998-06-09 Fuji Electric Co Ltd 半導体圧力センサ
US5948991A (en) * 1996-12-09 1999-09-07 Denso Corporation Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip
JPH11295174A (ja) * 1998-04-09 1999-10-29 Fujikoki Corp 圧力センサ

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0684918A (ja) 1992-08-31 1994-03-25 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 高周波用バンプ
JPH09178591A (ja) 1995-12-25 1997-07-11 Denso Corp 半導体圧力センサ
JP3532776B2 (ja) * 1998-10-20 2004-05-31 株式会社日立製作所 自動車用センサの取付け構造

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06273248A (ja) * 1993-03-16 1994-09-30 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 圧力センサとその製造方法
US5747694A (en) * 1995-07-28 1998-05-05 Nippondenso Co., Ltd. Pressure sensor with barrier in a pressure chamber
JPH10115536A (ja) * 1996-10-14 1998-05-06 Denso Corp 複合センサ
JPH10153507A (ja) * 1996-11-26 1998-06-09 Fuji Electric Co Ltd 半導体圧力センサ
US5948991A (en) * 1996-12-09 1999-09-07 Denso Corporation Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip
JPH11295174A (ja) * 1998-04-09 1999-10-29 Fujikoki Corp 圧力センサ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1376090A4 *

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004354294A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Hitachi Ltd 圧力センサ
US7412895B2 (en) 2006-02-20 2008-08-19 Mitsubishi Electric Corp. Semiconductor pressure sensor and die for molding a semiconductor pressure sensor
KR100868125B1 (ko) 2006-02-20 2008-11-10 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체 압력 센서 장치
US7603908B2 (en) 2006-02-20 2009-10-20 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor pressure sensor, manufacturing method thereof, and die for molding semiconductor pressure sensor
KR101187451B1 (ko) 2006-02-20 2012-10-02 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체 압력 센서 장치의 제조 방법
JP2008008731A (ja) * 2006-06-29 2008-01-17 Denso Corp センサ装置およびその製造方法
JP2008215609A (ja) * 2007-03-07 2008-09-18 Ti Group Automotive Systems Llc クイックコネクタ
JP2010002198A (ja) * 2008-06-18 2010-01-07 Denso Corp 圧力センサの製造方法
JP2012512405A (ja) * 2008-12-16 2012-05-31 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 装置および装置を製造するための方法
US8621925B2 (en) 2008-12-16 2014-01-07 Robert Bosch Gmbh Device and method for producing a device
JP2013517096A (ja) * 2010-01-20 2013-05-16 ケーシーアイ ライセンシング インク 流体潅流および陰圧創傷閉鎖療法のための創傷連結パッドおよびシステムと方法
JP2011202960A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Fuji Electric Co Ltd 温度センサ一体型半導体圧力センサ
WO2012124282A1 (ja) * 2011-03-11 2012-09-20 パナソニック株式会社 センサ
US9231119B2 (en) 2011-03-11 2016-01-05 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Sensor
JP2017083362A (ja) * 2015-10-30 2017-05-18 日立オートモティブシステムズ株式会社 圧力センサ
JP2018155670A (ja) * 2017-03-21 2018-10-04 日立オートモティブシステムズ株式会社 圧力センサ

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Publication number Publication date
EP1376090A1 (en) 2004-01-02
US6964200B2 (en) 2005-11-15
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