Verfahren zur Herstellung von mikrostrukturierten Bauelementen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von mikrostrukturierten Festkörperbauelementen, insbesondere von dreidimensional strukturierten elektronischen oder optischen Bauelementen, wie z. B. Feldemitter oder Hohlleiter. Die Erfindung betrifft auch mikrostrukturierte, koaxiale oder abgeschirmte Bauelemente und deren Anwendungen.
Es ist allgemein bekannt, elektronische oder optische Eigenschaften von mikrostrukturierten Bauelementen mit charakteristischen Dimensionen im Mikrometerbereich für bestimmte Funktionen, insbesondere in der Messtechnik und für optische Anzeigen auszunutzen. Die Herstellung von Vakuum-Bauelementen wird beispielsweise von C. A. Spindt et al. in "IEEE Tran, on El. Devices ", Band 38/10, 1991, Seite 2355, beschrieben. Für Anwendungen in der Elektronenmikroskopie sind Feldemissionsbauelemente mit sogenannter Vulkan- oder Kraterform bekannt (siehe z. B. B. Wang in "J. Vac. Sei. Technoig. B", Band 14(3), 1996, S. 1938). Ein Emitter wird durch eine Mehrschichtstruktur aus einem leitfähigen, kegelförmigen Grundkörper, mindestens einer dielektrischen Isolationsschicht und einer leitfähigen Deckschicht gebildet, wobei die Spitze des Grundkörpers durch eine Öffnung in den Isolations- und Deckschichten hindurchragt .
Feldemissions-Bauelemente besitzen auch Anwendungen in Feldemissionsdisplays (siehe z. B. K. Blankenbach in "Physikalische Blätter", Band 55, 1999, Seite 33). Eine Vielzahl von Emittern wird matrixartig auf einem gemeinsamen Substrat gebildet. Zur Erzielung einer hohen Displayqualität werden an die Genauigkeit, Reproduzierbarkeit und Miniaturisierbarkeit der Emitter höchste Anforderungen gestellt.
Matrixartige Anordnungen mikrostrukturierter Feldemitter werden bisher bspw. nach dem folgenden Verfahren hergestellt. Nach Bildung einer Vielzahl der genannten Mehrschichtstrukturen in Pyramiden- oder Kegelform auf einem gemeinsamen Substrat beispielsweise mit einem Lithographie- und/oder Ätzverfahren werden die Mehrschichtstrukturen mit einer planarisier- ten Resistschicht bedeckt. Die Resistschicht wird einem Strip- ping-Vorgang, z. B. in einem Sauerstoffplasma, unterzogen, bis die Spitzen der Mehrschichtstrukturen freiliegen. Anschließend folgt ein nasschemisches Ätzen. Dabei werden die leitfähige Deckschicht und die Isolationsschicht geätzt, so dass jeweils eine Öffnung entsteht, durch die die Spitze des Grundkörpers hindurchragt.
Das bisher verwendete nasschemische Ätzen zur Bildung der Durchtrittsöffnungen an Feldemitter-Bauelementen besitzt die folgenden Nachteile. Beim nasschemischen Ätzen kommt es zu Unterätzungen an Schichträndern mit charakteristischen Dimensionen im Bereich von 150 nm. Dies beschränkt die Funktionalität und die Miniaturisierbarkeit herkömmlicher Feldemitter und deren Gleichmäßigkeit. Es bilden sich raue Ränder aus. Durch nasschemisches Ätzen können Öffnungen lediglich im Bereich von rund 50 μm gebildet werden. Es besteht aber, insbesondere bei Displayanwendungen und auch in der Messtechnik, ein Interesse an der Bildung engerer Öffnungen mit charakteristischen Dimensionen von rund 100 bis 200 nm.
Ein weiterer Nachteil des nasschemischen Ätzens besteht darin, dass die Herstellung von Emitterspitzen, die innerhalb einer Matrixanordnung oder auf mehreren Substraten gleichförmig und reproduzierbar sind, praktisch ausgeschlossen ist. Die sog. Wafer-to-Wafer-Reproduzierbarkeit ist beschränkt. Die fehlende Gleichförmigkeit herkömmlicher Emitteranordnungen wirkt sich
nachteilig auf deren Emittereigenschaften, wie beispielsweise die Displayqualität, aus.
Es ist bekannt, planare Schichtstrukturen durch reaktives Ionenätzen dreidimensional zu strukturieren. Von D. P. Hamblen et al. wird in "J. Electroche . Soc", Juli 1988, S. 1816, beschrieben, dass die Ätzrate des Ionenätzens von der Ausrichtung der zu behandelnden Oberfläche abhängig ist. Dies erlaubt die Bearbeitung dreidimensionaler Strukturen. Die Anwendung des reaktiven Ionenätzens war bisher auf planare Schichtstrukturen beschränkt.
Weitere Anwendungen mikrostrukturierter Bauelemente in der Messtechnik sind durch Tastspitzen für optische Strahlung (siehe beispielsweise F. Keilmann et al. in "Opt. Comun.", Band 129, 1996, Seite 15, und DE-PS 38 37 389) und in der Scanning-Kapazitäts-Mikroskopie gegeben. Tastspitzen für optische Strahlung werden bei der rasteroptischen Nahfeldmikroskopie (Scanning Optical Nearfield Microscopy, SNOM) verwendet. Mit der Nahfeldmikroskopie wird die wellenlängenbedingte Grenze des Auflösungsvermögens konventioneller Mikroskope überwunden, in dem Licht zu einer Öffnung am Ende der Tastspitze geleitet wird, die charakteristische Dimensionen im nm-Bereich bis einige 10 nm-Bereich besitzt. An der Öffnung wird zwar ein Großteil des Lichtes reflektiert (cut-off-Effekt) , ein geringer Anteil kann jedoch auch in unmittelbarer Nähe der Tastspitze außerhalb der Öffnung auftreten. Die SNOM-Messung beruht auf der Erfassung der Wechselwirkung dieses austretenden Lichtes mit einer Probe. Die in DE-PS 38 37 389 beschriebene Tastspitze bildet einen Hochfrequenz-Hohlleiter mit einer Austrittsöffnung, deren charakteristischen Dimensionen klein im Vergleich zur Wellenlänge optischer Strahlung ist. Für Präzisionsanwendungen in der optischen Nahfeldmikroskopie (SNOM)
werden an die Austrittsöffnung höchste Anforderungen in Bezug auf ihre Gleichförmigkeit und die Reproduzierbarkeit der Dimensionierung gestellt. Die Herstellung einer Vielzahl gleichartiger Tastspitzen erfordert bisher einen hohen Prozessaufwand. Des Weiteren besteht ein Interesse an einem möglichst effektiven Lichtaustritt oder -eintritt an der Tastspitze durch Verwendung eines koaxialen Spitzenaufbaus .
Die Aufgabe der Erfindung ist es, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente bereitzustellen, mit dem die Nachteile herkömmlicher Verfahren überwunden werden und dass insbesondere die Bildung von Sub-Mikrostruk- turen mit erhöhter Präzision, Gleichförmigkeit und Miniaturisierung ermöglicht. Die Aufgabe der Erfindung ist es auch, verbesserte mikrostrukturierte Bauelemente mit hoher Gleichförmigkeit und Miniaturisierung von Funktionselementen bereitzustellen.
Diese Aufgaben werden mit Verfahren und Bauelementen mit den Merkmalen gemäß den Patentansprüchen 1 und 10 gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und Anwendungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
Die Grundidee der Erfindung ist es, an mikrostrukturierten Bauelementen mit Mehrschichtstruktur durch reaktives Ionenätzen Öffnungen oder Aperturen anzubringen. Die Mehrschichtstruktur wird durch einen dreidimensional gebildeten Grundkörper mit spitzen- oder kantenförmigen Teilbereichen und auf diesen angeordneten Isolations- und Deckschichten gebildet, wobei mindestens ein kanten- oder spitzenförmiger Teilbereich des Grundkörpers durch die Öffnung oder Apertur in den Isolations- und Deckschichten hindurchragt. Die mindestens eine Öffnung wird abweichend von der herkömmlichen Verwendung nass-
chemischer Ätzverfahren erfindungsgemäß durch das reaktive Ionenätzen gebildet. Beim Ionenätzen wird der Ätzvorgang vorteilhafterweise durch die elektrische Wirkung der spitzen- oder kantenför igen, elektrisch leitfähigen Deckschicht, die mit einer Vorspannung beaufschlagt ist, so umgesetzt, dass Öffnungen im Sub-Mikrometerbereich mit höchster Genauigkeit, Gleichförmigkeit und Symmetrie relativ zur Oberfläche des Grundkörpers gebildet werden. Erfindungsgemäß werden an den Spitzen der zu öffnenden Strukturen gleichzeitig zwei Wirkungen realisiert, nämlich eine Konzentration der Ätzrate auf die Spitze und eine Abhängigkeit der Ätzrate von der Ausrichtung der jeweils geätzten Oberfläche relativ zum einfallenden Ionenstrahl. Es wird eine neuartige Anwendung des reaktiven Ionenätzens unter Ausnutzung der die Ätzrate beeinflussenden Eigenschaften von nicht-planaren Schichtstrukturen bereitgestellt.
Die Erfinder haben festgestellt, dass an einer Spitze oder Kante im mikroskopischen Maßstab immer eine Mikrokrümmung besteht, die an mindestens einer Stelle gerade den Winkel maximaler Ätzrate in Bezug auf die Ätzfront des Plasmas aufweist. Dadurch wird das Ionenätzen auf die Spitze oder Kante konzentriert, so dass dort automatisch die Öffnung erfolgt.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird eine Vielzahl von Mehrschichtstrukturen auf einem gemeinsamen Substrat gebildet. Die Erfindung ist mit beliebigen Bauelementegeometrien realisierbar, bei denen kanten- oder spitzenför- ige Teilbereiche des Grundkörpers durch mindestens eine leitfähige Deckschicht hindurch freigelegt werden. Unter einem kanten- oder spitzenförmigen Teilbereich eines Grundkörpers wird hier ein Teilbereich der Oberfläche des Grundkörpers verstanden, in dem die Oberfläche einen unstetigen oder unkonti-
nuierlichen Krümmungsverlauf besitzt. Dies ist beispielsweise an den Spitzen von kegel- oder pyramidenförmigen Grundkörpern oder an entsprechenden Kantenlinien der Fall. Es werden beispielsweise eine Vielzahl von Feldemittern mit Vulkanform matrixartig auf einem gemeinsamen Substrat gebildet.
Gegenstand der Erfindung ist auch ein mikrostrukturiertes Bauelement mit der genannten Mehrschichtstruktur, bei dem der Innenrand der mindestens einen Öffnung eine zur äußeren Form des durchragenden kanten- oder spitzenförmigen Teilbereichs des Grundkörpers kongruente Gestalt besitzt. Die kongruente Gestalt ist Ergebnis reaktiven Ionenätzens nach dem erfindungsgemäßen Verfahren.
Erfindungsgemäß mikrostrukturierte Bauelemente besitzen Anwendungen in der Messtechnik (insbesondere Feldemissions- Mikroskopie, SNOM, AFM, Kapazitätsmikroskopie) und in der Displaytechnik (insbesondere Feldemitterdisplays) . Besondere Vorteile ergeben sich bei der Herstellung von SNOM-Tastspitzen mit koaxialem Aufbau. Erfindungsgemäß können kanten- oder spitzenförmige Teilbereiche des Grundkörpers mit einer Länge aus der freigelegten Öffnung herausragen, die die Querdimension der Öffnung mehrfach übersteigt. Damit wird die Effektivität der Aus- oder Einkopplung von Licht an Tastspitzen erhöht. Vorteilhaft ist ferner die Herstellung von Feldemitter-Arrays mit einer Vielzahl (z. B. Tausende bis zu mehreren Zehntausenden) von Feldemittern auf einem gemeinsamen Substrat. Damit werden Flächenemitter mit einer hohen Homogenität und Langzeitstabilität der Feldelektronenemission bereitgestellt.
Gegenstand der Erfindung ist insbesondere auch die Anwendung der reaktiven Ionenätzens zur Öffnung von Kanten- oder Spitzenaperturen von mikrostrukturierten Bauelementen.
Die Erfindung besitzt die folgenden Vorteile. Die Verwendung des reaktiven Ionenätzens zur Mikrostrukturierung dreidimensionaler Bauelemente besitzt den Vorteil, mit herkömmlichen Schichtabscheidungs- und Strukturierungstechnologien kompatibel zu sein. Die erfindungsgemäße Freilegung der Öffnung insbesondere in MikroStrukturen mit Vulkanform ist relativ einfach in weitere Prozessabläufe zur Herstellung des jeweiligen Bauteils integrierbar. Es kann Resistschicht-frei gearbeitet werden. Erfindungsgemäße Feldemitter zeichnen sich durch eine erheblich verbesserte Brauchbarkeit aus. Bei den genannten Anwendungen von Feldemitter-Arrays besteht ein starkes Interesse an der Ausbildung einer identischen Feldemission an allen Emittern. Die Feldemission hängt insbesondere von der Feldstärke am kanten- oder spitzenförmigen Teilbereich des Grundkörpers, vom jeweiligen Krümmungsradius und gegebenenfalls einer Oberflächenvergütung ab. Die Feldstärke wird im wesentlichen durch die Dimensionierung der Apertur bestimmt. Da alle Öffnungen innerhalb eines Arrays identisch gebildet sind, ist die Einstellung einer homogenen Feldemission vereinfacht möglich. Besondere Vorteile ergeben sich bei der Massenproduktion von Bauelementen. Bei einem fest eingestellten Satz von Prozessparametern sind alle Aperturen innerhalb eines Arrays und zwischen verschiedenen Arrays reproduzierbar identisch. Dies ist mit den herkömmlichen Verfahren nicht erreichbar und stellt mit Blick auf den hohen Bedarf insbesondere an Feldeffektdisplays einen entscheidenden Fortschritt dar. Ein besonderer Vorteil der Erfindung besteht darin, dass die Freilegung der Grundkörperspitze oder -kante für alle auf einem Substrat angeordneten Mehrschichtstrukturen synchron und sich passiv ausgleichend erfolgt (sogenanntes Self-Alignment) .
Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung werden aus der Beschreibung der beigefügten Zeichnungen ersichtlich. Es zeigen:
Fig. 1: eine schematische Schnittansicht eines erfindungsgemäß strukturierten Bauelements,
Fig. 2: eine Illustration eines erfindungsgemäßen
Strukturierungsverfahrens,
Fig. 3 und 4: elektronenmikroskopische Photographien erfindungsgemäß hergestellter Feldemitter, und
Fig. 5: elektronenmikroskopische Photographien erfindungsgemäß hergestellter SNOM-Tastspitzen.
Die Erfindung wird im Folgenden am Beispiel des Aufbaus koaxialer Spitzenstrukturen erläutert, ist aber nicht auf die illustrierten Geometrien beschränkt. Analog zu den erläuterten Verfahrensschritten können auch andere Mehrschichtbauelemente, z. B. mit Kanten, strukturiert werden. Mehrschichtbauelemente mit Kanten liefern beispielsweise einen Abschirmeffekt äußerer Schichten für innere Schichten analog zu den koaxialen Bauelementen. Ferner ist die Umsetzung nicht auf die unten beispielhaft angegebenen Dimensionsverhältnisse beschränkt. Anwendungsabhängig können kleinere oder auch größere Strukturen hergestellt werden. Schließlich kann die Erfindung abweichend vom illustrierten Dreischicht-Aufbau auch mit komplizierteren Schichtanordnungen umgesetzt werden.
In Fig. 1 ist schematisch ein erfindungsgemäß strukturiertes Bauelement 10 dargestellt. Die Mehrschichtstruktur besteht aus einem Grundkörper 11, der eine dielektrische Isolationsschicht
12 und eine elektrisch leitfähige Deckschicht 13 trägt. Die Mehrschichtstruktur ist auf einem Substrat 14 gebildet. Der Grundkörper 11 besteht aus demselben Material wie das Substrat 14 und ragt aus dessen Ebene kegel- oder pyramidenförmig hervor. Anwendungsabhängig kann die Kegel- oder Pyramidenform mit einem extremen Aspektverhältnis gebildet sein, so dass eine Säulen- oder Drahtform gebildet wird.
Die Isolations- und Deckschichten 12, 13 sind mit einer relativ zur Normalen der Substratebene gleichbleibenden Dicke gebildet und folgen entsprechend dem Verlauf der Oberfläche des Grundkörpers 11. Allerdings ist an der Spitze 15 des Grundkörpers 11 eine Öffnung oder Apertur 16 gebildet, durch die die Spitze 15 herausragt. Ein besonderer Vorteil des erfindungsgemäßen Bauelements 10 besteht im streng koaxialen Aufbau der Mehrschichtstruktur und insbesondere in der Symmetrie des Durchtritts der Spitze 15 durch die Öffnung 16. Der obere innere Rand der Deckschicht 13 liegt in einer Bezugsebene, die parallel zur Ebene des Substrats 14 verläuft. Die Oberfläche der Spitze 15 besitzt allseits den gleichen Abstand von der Deckschicht 13. Die Isolationsschicht 12 ist stärker abgetragen als die Deckschicht 13, so dass sich eine umlaufende Ausnehmung 17 bildet.
Die Materialien der Mehrschichtstruktur gemäß Fig. 1 sind anwendungsabhängig gewählt. Der Grundkörper 11 besteht aus einem elektrisch leitfähigen Material, wie insbesondere einem Halbleiter (z. B. Silizium oder Galliumarsenid) oder einem Metall (z. B. Aluminium), das vorzugsweise im Rahmen des umgesetzten Prozessablaufs oxidierbar ist. Die Isolationsschicht 12 besteht vorzugsweise aus einem Oxid des Materials des Grundkörpers 11, kann aber auch durch ein Fremdoxid oder ein anderes Dielektrikum gebildet werden. Die Deckschicht 13 besteht wie-
deru aus einem elektrisch leitfähigen Material (beispielsweise aus einem Metall, wie z. B. Chrom, Aluminium, Kupfer, Gold, Platin, Silber oder dgl.). Das Material der Deckschicht 13 wird vorzugsweise in Bezug auf eine hohe Haftfähigkeit und eine gute Leitfähigkeit ausgewählt.
Die Höhe des pyramidenförmigen Grundkörpers 11 beträgt beispielsweise rund 3 μm. Der Durchmesser der Apertur 16 beträgt beispielsweise rund 350 nm.
Abweichend von der illustrierten Ausführungsform mit einer über die Deckschicht 13 hinausragenden Spitze 15 kann alternativ vorgesehen sein, dass die Spitze 15 lediglich die Isolationsschicht 12 überragt, nicht jedoch die Deckschicht 13.
Wird durch das Bauelement 10 ein Feldemitter gebildet, so wird die Deckschicht 13 auch als Gate-Schicht bezeichnet. Die Deckschicht 13 bildet eine Gate-Elektrode, die mit einer Spannung zur Steuerung der Feldemission beaufschlagbar ist. Die Isolationsschicht 12 wird bei Feldemitter-Anwendungen auch als Gate-Isolation bezeichnet. Wird durch das Bauelement 10 eine SNOM-Tastspitze gebildet, so ist die Spitze 15 ein Koaxialleiter zur Ein- oder Auskupplung von Licht in die Tastspitze.
Die Herstellung einer Vielzahl von erfindungsgemäßen Bauelementen auf einem gemeinsamen Substrat wird im Folgenden unter Bezug auf Fig. 2 erläutert. Die Strukturierung beginnt mit einem Vorbereitungsschritt (a) , bei dem auf dem Substrat 14 Maskierungsschichten 18 entsprechend den späteren Positionen der Grundkörper aufgebracht werden. Das Substrat 14 besteht beispielsweise aus n-Typ-Silizium (spezifischer Widerstand 2 Ohm cm, Substratebene 100-orientiert) . Die Maskierungsschichten 18 bestehen beispielsweise aus Siliziumoxid (Dicke rund 100 nm) .
Anschließend erfolgt bei der Sockelstrukturierung (b) die Formung von Sockeln 19 als Rohlinge für die späteren Grundkörper. Die Sockelstrukturierung (b) erfolgt beispielsweise durch induktives Plasmaätzen, wie es von B. Volland et al. in "J. Vac. Sei. Tech.", Band B 17(6), 1999, Seite 2768, beschrieben wird. Dieses Verfahren ermöglicht vorteilhafterweise eine genaue Einstellung des Aspektverhältnisses der Silizium-Sockel 19. Bei der anschließenden Grundkörperstrukturierung (c) werden die oben erläuterten pyramidenförmigen Grundkörper als aus der 'Substratebene herausragende Spitzen geformt. Die Strukturierung (c) erfolgt vorzugsweise durch reaktives Ionenätzen in einem Radiofrequenz-Reaktor (z. B. OPT-μ-80, Oxford Plasma Technology, 75W, Ionenätzen in 4:l-SF6/02). Bei Schritt c) folgt ein Nassätzen in einer 1: 80-HF/HNO3-Lösung. Die spitzen Grundkörper 11 werden durch ein an sich bekanntes Verfahren geschärft, bei dem ein Oxidationsschärfen bei 900 °C und ein Ausheilen in einer Stickstoffatmosphäre für 10 Stunden bei 1100°C erfolgen. Bei Schritt (d) erfolgt die Abscheidung oder Bildung der Isolationsschicht. Hierzu werden die Grundkörper 11 zunächst in gepufferter HF-Lösung geätzt und dann oxidiert. Die Dicke der Oxidschicht beträgt beispielsweise rund 200 nm. Zur Vervollständigung der Mehrschichtstruktur folgt bei Schritt (e) die Abscheidung der Deckschicht oder Gate-Schicht 13. Hierzu wird eine Chromschicht aufgebracht (Dicke rund 100 nm) .
Anschließend erfolgt bei Schritt (f) die erfindungsgemäße Freilegung der Spitzen 15, wie es im rechten Teil von Figur 2 illustriert ist. Das Öffnen der Gate-Schicht 13 erfolgt durch Trockenätzen (reaktives Ionenätzen) . Zum Ionenätzen kann allgemein jedes an sich bekannt Sputterverfahren verwendet werden, bei dem die erfindungsgemäße Feldverstärkung an den Spit-
zen oder Kanten stattfindet. Das reaktive Ionenätzen erfolgt z. B. in einem 1 : 2-02/Ar-Plasma oder einem 02/Cl2/Ar-Plasma.
Ein wichtiges Merkmal der Erfindung besteht darin, dass die Ätzrate an der Spitze der Mehrschichtstruktur von der Orientierung des auftreffenden Ionenstroms relativ zur Ausrichtung der jeweiligen Oberfläche abhängt. Da die Gate-Schicht 13 gleichförmig auf der Isolationsschicht 12 bzw. dem Grundkörper 11 aufgetragen ist, folgt die Spitzenkontur der Gate-Schicht 13 dem freizulegenden Kanten- oder Spitzenbereich des Grundkörpers 11. Es wurde festgestellt, dass die Ätzrate an den Spitzen rund 50 nm/min und an den Seitenflächen der Spitzen rund 30 nm/min beträgt. In den flachen Bereichen zwischen den Spitzen beträgt die Ätzrate rund 20 nm/min. Dieses anisotrope Ätzverhalten bewirkt einen gleichmäßigen Abtrag der Gate- Schicht 13 und nachfolgend der Isolationsschicht 12, bis die Spitze des Grundkörpers 11 frei liegt. Das anisotrope Ätzverhalten ergibt sich aus der Verstärkung des elektrischen Feldes an der elektrisch leitfähigen Gate-Schicht (Konzentration von Feldlinien) während des Ätzens. Die obersten Teile der metallisch beschichteten Spitzen werden als erste dem Ionenstrom ausgesetzt. Dies bewirkt eine Verstärkung des Stromes auf die Spitze und erhöht entsprechend die Ätzrate. Die Apertur 16 (siehe Fig. 1) wird genau und relativ zur Kegelachse axialsymmetrisch über der Spitze geöffnet (Schritt f) ) .
Während des reaktiven Ionenätzens wird an die Gate-Schicht 13 eine Vorspannung angelegt. Die Vorspannung ist eine Gleichspannung von mindestens 100 V, vorzugsweise mindestens 200 V. Die Gleichspannung bewirkt eine Verstärkung der Konzentration des Ionenstroms an den Spitzen der Mehrschichtstruktur.
Vorteilhafterweise kann auf die Aufbringung einer Resistschicht verzichtet werden, da das Ionenätzen erzwungen auf die Spitzen konzentriert wird. Gemäß einer abgewandelten Ausführungsform der Erfindung, die im linken Teil von Figur 2 illustriert ist, kann aber das Ionenätzen auch mit einer Re- sisttechnik kombiniert werden. Zur Vorbereitung der erfindungsgemäßen Freilegung der Spitzen 15 erfolgt bei Schritt fl) die Aufbringung einer Resistschicht 20. Die Resistschicht 20 wird planar durch Au schleudern aufgebracht. Das Resistmate- rial besteht z. B. aus dem Polymer AZ 4256 (Hersteller: Schipley) . Nach dem Aufschleudern wird die Resistschicht 20 temperiert (Aufheizen auf 100 °C für rund 30 min) .
Mit den Verfahrensschritten (f2) und (f3) erfolgt das Öffnen der Gate-Schicht 13 durch Trockenätzen (siehe oben) . Zunächst bewirkt das reaktive Ionenätzen einen Abbau der Resistschicht 20. Die Ätzrate beträgt beim Polymer AZ 4256 beispielsweise 80 nm/min. Sobald die Ätzfront die Spitzen der Gate-Schicht 13 erreicht (Schritt (f2) ) , erfolgt deren Abbau, wie dies oben erläutert wurde.
Nach dem Öffnen der Gate-Schicht 13 erfolgt bei Schritt (g) ein Abbau der Isolationsschicht 12. Dies erfolgt beispielsweise mit gepufferter HS-Lösung. Außerdem werden bei Schritt (i) die Reste der Resistschicht 20 abgelöst. Die Ablösung erfolgt beispielsweise mit Aceton.
Im Ergebnis der Schritte (a) bis (g) wird eine Vielzahl von Bauelementen entsprechend dem Bauelement 10 (gemäß Fig. 1) auf einem gemeinsamen Substrat hergestellt. Erfindungsgemäße Bauelemente zeichnen sich durch Mehrschichtstrukturen aus, bei denen Kanten- oder Spitzenbereiche beschichteter Grundkörper in Öffnungen von Isolations- und Deckschichten hineinragen
oder durch diese Öffnungen hindurchragen. Der Rand der elektrisch leitfähigen Deckschicht besitzt einen Abstand von der Oberfläche des Grundkörpers. Dieser Abstand besitzt im Unterschied zu herkömmlichen Bauelementen eine erheblich verbesserte Gleichförmigkeit. Das erfindungsgemäß verwendete Ionenätzen reduziert Rauhigkeiten und Unebenheiten der freiliegenden Körper- und Schichtkanten. Ein Maß für die hervorragende Gleichförmigkeit erfindungsgemäßer Bauelemente ist durch den Quotienten aus Breite des Abstandes zwischen dem Innenrand der Gate- oder Deckschicht 13 und der Oberfläche des Grundkörpers 11 einerseits und der Rauhigkeit (z. B. besser als 5 nm) des inneren Randes der Gate- oder Deckschicht 13 gegeben. Dieser Quotient liegt bei erfindungsgemäßen Bauelementen oberhalb von 5, vorzugsweise oberhalb von 20.
In den Fig. 3 und 4 sind elektronenmikroskopische Darstellungen erfindungsgemäß hergestellter Feldemitter mit verschiedenen Vergrößerungen dargestellt. Die Vergrößerungen sind im unteren Teil angegeben. Die Länge der Bezugslinien beträgt jeweils 3.33 μm bzw. 1.0 μm. Zur Erzielung einer langzeitstabi- len Feldemission und einer weiteren Verbesserung der Gleichförmigkeit der Emission bei elektrischen Feldstärken im Bereich von 3 bis 5 V/μm werden die Feldemitter 21 mit einer DLC-Schicht (DLC: "Diamond-like Carbon") beschichtet. Dies erfolgt unter Verwendung eines ICPECVD-Verfahrens (Inductively Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapour-Deposition) . Das ICPECVD-Verfahren besitzt den Vorteil, dass die DLC-Schichten selbst bei geringsten Schichtdicken (z. B. 30 nm) eine hohe Gleichförmigkeit besitzen. Die Abscheidung der DLC-Schicht erfolgt bei einem Druck von 60 mTorr bei Raumtemperatur in einer CH4-Atmosphäre . Der sp3-Gehalt der DLC-Schicht hängt von der Ionenenergie des abgetragenen Materials ab, wie es beispiels-
weise von W. I. Milne in "Applied Surface Science", Band 146, 1999, Seite 262, beschrieben wird.
Zur Erzielung möglichst kompakter DLC-Schichten erfolgt wiederum die Verwendung einer Vorspannung im Bereich von -300 bis -400 V. Damit werden kompakte DLC-Schichten mit einer hervorragenden Haftung auf Silizium erzielt. Die schichtige Gleichförmigkeit ist besser als 3 % .
Bevorzugte Anwendungen erfindungsgemäßer Bauelemente liegen im Bereich der Meß- (z. B. Rastermikroskopie, insbesondere SNOM oder Scanning Probe Microscopy, auf der Grundlage von Potential-, Coulomb- oder Kapazitätsmessungen) und der Display- Technik. Zum Aufbau koaxialer SNOM-Sensoren wird die erfindungsgemäß geöffnete Spitze der Mehrschichtstruktur als Wellenleiter benutzt. Die hervorragende Gleichförmigkeit der auf einem gemeinsamen Substrat gebildeten Bauelemente ermöglicht erstmalig, zweidimensionale SNOM-Sensoren zu schaffen, mit denen Oberflächentopographien aufgenommen werden können. Die in den Fign. 3 und 4 gezeigten Feldemitter-Arrays umfassen beispielsweise 25000 Bauelemente auf einer Fläche von 5 mm * 5 mm.
Figur 5 zeigt beispielhaft eine elektronenmikroskopische Darstellung einer Tastspitze für die Rastermikroskopie. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es vorteilhafterweise möglich, die Länge der durch die Apertur ragenden Spitze je nach Aufgabe einzustellen. Beispielsweise für die Tunnelmikroskopie beträgt die Spitzenlänge rd. 300 nm bis 500 nm über der Apertur. Für SNOM-Anwendungen werden kürzere Spitzenlängen im Bereich von beispielsweise 10 nm bis 50 nm bevorzugt. Beim dargestellten Beispiel besitzt die Aperturöffnung einen Durchmesser von
rd. 400 nm. Damit ist die illustrierte Tastspitze für SNOM- Messungen im Infrarotbereich geeignet.
Die durch die Apparatur herausragende Spitze des Grundkörpers bildet bei SNOM-Anwendungen einen Wellenleiter.
Die in der vorstehenden Beschreibung, den Zeichnungen und den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination für die Veröffentlichung der Erfindung in ihren verschiedenen Ausgestaltungen von Bedeutung sein.