WO2002052640A1 - Verfahren zur herabsetzung des spezifischen widerstandes einer elektrisch leitenden molybdän-schicht - Google Patents

Verfahren zur herabsetzung des spezifischen widerstandes einer elektrisch leitenden molybdän-schicht Download PDF

Info

Publication number
WO2002052640A1
WO2002052640A1 PCT/AT2001/000401 AT0100401W WO02052640A1 WO 2002052640 A1 WO2002052640 A1 WO 2002052640A1 AT 0100401 W AT0100401 W AT 0100401W WO 02052640 A1 WO02052640 A1 WO 02052640A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
molybdenum
electrically conductive
reducing
specific resistance
Prior art date
Application number
PCT/AT2001/000401
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Arno Schintlmeister
Peter Wilhartitz
Original Assignee
Plansee Aktiengesellschaft
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Plansee Aktiengesellschaft filed Critical Plansee Aktiengesellschaft
Priority to EP01271897A priority Critical patent/EP1259982A1/de
Priority to KR1020027010521A priority patent/KR20020090215A/ko
Priority to JP2002553240A priority patent/JP2004515930A/ja
Publication of WO2002052640A1 publication Critical patent/WO2002052640A1/de
Priority to US10/228,887 priority patent/US6913790B2/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
    • H01L21/76888—By rendering at least a portion of the conductor non conductive, e.g. oxidation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H01L21/02244—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of a metallic layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/3165—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation
    • H01L21/31683—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of metallic layers, e.g. Al deposited on the body, e.g. formation of multi-layer insulating structures

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herabsetzung des spezifischen Widerstandes einer elektrisch leitenden Schicht aus Molybdän oder einer Molybänlegierung. Erfindungsgemäss wird dazu auf der Oberfläche der elektrisch leitenden Schicht eine MoO2-Schicht ausgebildet. Dadurch lässt sich eine Verringerung des spezifischen Schichtwiderstandes in der Größenordnung von 10 % bis 15 % erreichen.

Description

VERFAHREN ZUR HERABSETZUNG DES SPEZIFISCHEN WIDERSTANDES
EINER ELEKTRISCH LEITENDEN SCHICHT
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herabsetzung des spezifischen Widerstandes einer elektrisch leitenden Schicht aus Molybdän oder einer Molybdänlegierung.
Elektrisch leitende Schichten aus Molybdän oder einer Molybdänlegierung für elektrische bzw. elektronische Bauteile kommen vor allem dort zum Einsatz, wo es neben einer guten elektrischen Leitfähigkeit auch auf eine gute Beständigkeit der Schicht gegen hohe Temperaturen ankommt.
Bei vielen elektrischen und elektronischen Bauteilen sind neben den elektrisch leitenden Schichten, z.B. in Form von Leiterbahnen, vielfach noch weitere Schichten für andere Funktionen notwendig, die in der Regel nachfolgend auf die Leiterbahnen abgeschieden werden. Daher ergibt sich allein durch die während der Beschichtung auftretenden Temperaturen von bis zu 450°C eine hohe Temperaturbelastung der Leiterbahnen, so dass Molybdän und Molybdänlegierungen als Schichtwerkstoff für die Leiterbahnen in großem Umfang eingesetzt werden.
Typische Beispiele für den Einsatz dünner Schichten aus Molybdän und
Molybdänlegierungen sind Leiterbahnen in Flat-Panel-Displays oder elektrisch leitende Schichten in Solarzellen.
Problematisch dabei ist, dass es bei Molybdän ab einer erhöhten Luftfeuchtigkeit von 60 % r.F. schon bei Raumtemperatur zur Ausbildung von Oberflächenschichten kommt, die aus Verbindungen mit etwa 12 Atorr.% Molybdän, etwa 75 Atom% Sauerstoff und etwa 8 Atom% Stickstoff bestehen und im Vergleich zu reinem Molybdän einen deutlich höheren spezifischen elektrischen Widerstand aufweisen.
Selbst wenn sich diese Oberflächenschichten nur mit einer relativ geringen Stärke in der Größenordnung von wenigen Nanometern ausbilden erhöht sich dadurch bei dünnen Schichten aufgrund des erhöhten Übergangswiderstandes, der spezifische elektrische Schichtwiderstand in erheblichem Ausmaß. Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden Schicht aus Molybdän oder einer Molybdänlegierung zu schaffen, durch das der spezifische Widerstand der Schicht herabgesetzt wird.
Erfindungsgemäß wird dies dadurch erreicht, dass auf der Oberfläche der elektrisch leitenden Schicht eine Mo02-Schicht ausgebildet wird. Durch die normalerweise vorhandene Oberflächenschicht, die sich bei entsprechender Luftfeuchtigkeit bereits bei Raumtemperatur von selbst ausbildet, weisen die elektrisch leitenden Schichten aus Molybdän oder einer Molybdänlegierung einen erhöhten Übergangswiderstand auf, der beim
Kontaktieren der Schichten zum Tragen kommt und der damit den spezifischen Schichtwiderstand der elektrisch leitenden Schicht insgesamt erhöht. Durch die Ausbildung einer definierten MoO2-Schicht auf der Oberfläche der elektrisch leitenden Schicht, kommt es zu einer deutlichen Absenkung des Übergangswiderstandes und damit zu einer Herabsetzung des spezifischen Schichtwiderstandes.
Das war völlig überraschend, da Oxide gegenüber den zugehörigen, reinen Metallen immer einen in der Regel deutlich erhöhten spezifischen elektrischen Widerstand aufweisen. Auch das Mo02 weist gegenüber dem reinen Molybdän einen höheren spezifischen Widerstand auf.
Die Erklärung warum es dann bei Ausbildung der oberflächlichen Mo02-Schicht zu einer Absenkung des Übergangswiderstandes und damit zu einer Herabsetzung des spezifischen Schichtwiderstandes kommt liegt darin, dass Mo02 einen geringeren spezifischen Widerstand als die normalerweise an der Oberfläche des Molybdäns vorhandenen Verbindungen mit Sauerstoff- und Stickstoffanteilen aufweist und diese Verbindungen durch die gezielte Ausbildung der MoO2-Schicht vollständig abgebaut werden.
Neben dieser positiven Auswirkung auf den spezifischen Schichtwiderstand von elektrisch leitenden Schichten ist eine Mo02-Schicht auch eine ausgezeichnete Diffusionsbarriere, welche die Diffusion anderer Schichtmaterialien in die elektrisch leitende Schicht aus Molybdän oder einer Molybdänlegierung verhindert.
Der Schichtdickenbereich zwischen 5 nm und 50 nm hat sich für die Mo02- Schicht bewährt um einerseits die üblicherweise vorhandenen Undefinierten Oberflächenschichten vollständig abzubauen und andererseits den
Übergangswiderstand nicht zu hoch ansteigen zu lassen um den spezifischen Schichtwiderstand der elektrisch leitenden Schicht noch zu verringern. Über eine Schichtdicke von 50 nm hinaus, kommt es aufgrund des höheren spezifischen Widerstandes des Mo02 gegenüber reinem Molybdän in der Regel zu einer Erhöhung des spezifischen Schichtwiderstandes.
Als besonders vorteilhaft haben sich Schichtstärken im Bereich zwischen 20 nm und 30 nm bewährt, womit sich bei elektrisch leitenden Schichten aus reinem Molybdän mit einem üblichen Schichtdickenbereich von 50 nm bis 200 nm eine Verringerung des spezifischen Schichtwiderstandes in der Größenordnung von 10 % bis 15 % erreichen lässt.
In einem bevorzugten Herstellungsverfahren wird die MoO2-Schicht dadurch ausgebildet, dass die Oberflächenzone der elektrisch leitenden Schicht in einem ersten Schritt durch eine Oxidationsbehandlung zuerst in eine M0O3- Schicht und diese Mo03-Schicht in einem zweiten Schritt durch eine Reduktionsbehandlung dann in eine Mo02-Schicht umgewandelt wird.
Besonders vorteilhaft ist es dabei, wenn die Oxidationsbehandlung während eines Zeitraumes von 5 bis 20 Min. bei einer Temperatur zwischen 250°C und 325°C durch strömenden, reinen Sauerstoff und die Reduktionsbehandlung während 5 bis 20 Min. bei einer Temperatur zwischen 375°C und 450°C durch strömenden Wasserstoff erfolgt.
Neben der Ausbildung der Mo02-Schicht nach diesem bevorzugten Verfahren ist auch die direkte Abscheidung einer Mo02-Schicht durch geeignete Beschichtungsverfahren, wie z.B. Sputter-Verfahren, denkbar. Im folgenden wird die Erfindung an Hand von Herstellungsbeispielen näher erläutert.
Beispiel 1
Eine 1 mm dicke rechteckige Glasplatte mit den Abmessungen 350 mm x 450 mm wurde auf einer Seite durch ein Sputter-Verfahren mit einer Molybdänschicht mit einer Schichtstärke von 300 nm beschichtet. Die beschichtete Platte wurde in einem Vakuumtrockenschrank mit beheizbaren Probenträgern unter Vakuum bei einem Restdruck von etwa 50 mbar auf eine Temperatur von 300°C erwärmt. Dann wurde der Rezipient mit trockenem Sauerstoff geflutet, nach einer Reaktionszeit von 20 Minuten wieder evakuiert und innerhalb von 12 Stunden auf Raumtemperatur abgekühlt. Dadurch hat sich in der Oberflächenzone der Molybdänschicht eine 25 nm starke M0O3- Schicht ausgebildet. Dann wurde die Platte in einen allseitig beheizbaren Wasserstoffofen eingebaut, unter strömendem Wasserstoff auf eine Temperatur von 410°C gebracht und nach einer Reaktionszeit von 20 Minuten bei dieser Temperatur innerhalb von 2 Stunden wiederum auf Raumtemperatur abgekühlt. Durch diese Reduktionsbehandlung erfolgte die vollständige Umwandlung der MoO3-Schicht in eine MoO2-Schicht. Die Untersuchung der Schichtzusammensetzungen und Schichtstärken erfolgte mittels Röntgen-Photoelektronenspektroskopie und Augerelektronenespektroskopie-Tiefenprofilierung.
Beispiel 2
Eine Glasplatte gleicher Abmessungen wurde wie nach Beispiel 1 beschichtet. Die weitere Behandlung der beschichteten Platte erfolgte wie nach Beispiel 1, wobei im Unterschied zu Beispiel 1 die Oxidationstemperatur im
Trockenschrank 325°C betrug.
Durch dieselben Untersuchungsmethoden wie in Beispiel 1 wurde festgestellt, dass sich in der Oberflächenzone der Molybdänschicht eine 42 nm starke MoO2-Schicht ausgebildet hat. Beispiel 3
Für Vergleichsversuche wurde eine Glasplatte gleicher Abmessungen wie nach Beispiel 1 beschichtet und nach der Beschichtung an Luft bei 20°C 168 Stunden gelagert. Durch dieselben Untersuchungsmethoden wie in Beispiel 1 wurde festgestellt, dass sich in der Oberflächenzone der Molybdänschicht eine ca. 5 nm starke Schicht aus einer Verbindung mit etwa 12 Atom% Molybdän, 75 Atom% Sauerstoff und etwa 8 Atom% Stickstoff ausgebildet hat.
Bei den nach den Beispielen 1 bis 3 behandelten Proben wurde für Vergleichszwecke der spezifische elektrische Schichtwiderstand mit der 4-Spitzenmethode nach van der Pauw bestimmt. Die Ergebnisse sind in der folgenden Tabelle 1 zusammengesellt.
Tabelle 1
Probe Behandlung Oberflächenschicht Schichtstärke spezifischer
Schichtwiderstand
Beispiel 1 erfindungsgemäß Mo02 25 nm 14,3 . 10" eΩcm
Beispiel 2 erfindungsgemäß Mo02 42 nm 16 . 10"
Ωcm
Beispiel 3 Stand der Technik ca. ca. 5 nm 16,4 . 10" 6Ωcm
12 Atom % Mo, 75 Atom% 02, 8 Atom % N2
Insbesondere bei der Schichtstärke von 25 nm ist deutlich die Verringerung des spezifischen Schichtwiderstandes durch die Ausbildung der oberflächlichen Mo02-Schicht festzuteilen.

Claims

A n s p r ü c h e
1. Verfahren zur Herabsetzung des spezifischen Widerstandes einer elektrisch leitenden Schicht aus Molybdän oder einer Molybdänlegierung, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass auf der Oberfläche der elektrisch leitenden Schicht eine Mo02-Schicht ausgebildet wird.
2. Verfahren zur Herabsetzung des spezifischen Widerstandes einer elektrisch leitenden Schicht aus Molybdän oder einer Molybdänlegierung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die MoO2-Schicht mit einer
Schichtstärke zwischen 5 nm und 50 nm ausgebildet wird.
3. Verfahren zur Herabsetzung des spezifischen Widerstandes einer elektrisch leitenden Schicht aus Molybdän oder einer Molybdänlegierung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die MoO2-Schicht mit einer
Schichtstärke zwischen 20 nm und 30 nm ausgebildet wird.
4. Verfahren zur Herabsetzung des spezifischen Widerstandes einer elektrisch leitenden Schicht aus Molybdän oder einer Molybdänlegierung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenzone der elektrisch leitenden Schicht in einem ersten Schritt durch eine Oxidationsbehandlung zuerst in eine MoO3-Schicht und diese Mo03-Schicht in einem zweiten Schritt durch eine Reduktionsbehandlung dann in eine Mo02-Schicht umgewandelt wird.
5. Verfahren zur Herabsetzung des spezifischen Widerstandes einer elektrisch leitenden Schicht aus Molybdän oder einer Molybdänlegierung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,, dass die Oxidationsbehandlung während 5 bis 20 Min. bei einer Temperatur zwischen 250°C und 325°C durch strömenden, reinen Sauerstoff und die Reduktionsbehandlung während 5 bis 20 Min. bei einer Temperatur zwischen 375 °C und 450°C durch strömenden Wasserstoff erfolgt.
PCT/AT2001/000401 2000-12-27 2001-12-21 Verfahren zur herabsetzung des spezifischen widerstandes einer elektrisch leitenden molybdän-schicht WO2002052640A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP01271897A EP1259982A1 (de) 2000-12-27 2001-12-21 Verfahren zur herabsetzung des spezifischen widerstandes einer elektrisch leitenden molybdän-schicht
KR1020027010521A KR20020090215A (ko) 2000-12-27 2001-12-21 전기 전도 몰리브덴 층의 비저항을 감소시키는 방법
JP2002553240A JP2004515930A (ja) 2000-12-27 2001-12-21 導電層の抵抗率を低下させる方法
US10/228,887 US6913790B2 (en) 2000-12-27 2002-08-27 Process for reducing the resistivity of an electrically conductive layer

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ATGM949/2000 2000-12-27
AT0094900U AT4290U1 (de) 2000-12-27 2000-12-27 Verfahren zur herabsetzung des spezifischen widerstandes einer elektrisch leitenden schicht

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US10/228,887 Continuation US6913790B2 (en) 2000-12-27 2002-08-27 Process for reducing the resistivity of an electrically conductive layer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2002052640A1 true WO2002052640A1 (de) 2002-07-04

Family

ID=3503529

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/AT2001/000401 WO2002052640A1 (de) 2000-12-27 2001-12-21 Verfahren zur herabsetzung des spezifischen widerstandes einer elektrisch leitenden molybdän-schicht

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6913790B2 (de)
EP (1) EP1259982A1 (de)
JP (1) JP2004515930A (de)
KR (1) KR20020090215A (de)
AT (1) AT4290U1 (de)
WO (1) WO2002052640A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1691421A1 (de) * 2005-02-10 2006-08-16 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Verfahren zur Herstellung eines Metallüberzugs auf einem Substrat

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2922364B1 (fr) * 2007-10-12 2014-08-22 Saint Gobain Procede de fabrication d'une electrode en oxyde de molybdene
US9992917B2 (en) 2014-03-10 2018-06-05 Vulcan GMS 3-D printing method for producing tungsten-based shielding parts
JP2020047702A (ja) * 2018-09-18 2020-03-26 キオクシア株式会社 半導体装置およびその製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4045216A (en) * 1975-11-03 1977-08-30 Amax Inc. Direct reduction of molybdenum oxide to substantially metallic molybdenum
US4557036A (en) * 1982-03-31 1985-12-10 Nippon Telegraph & Telephone Public Corp. Semiconductor device and process for manufacturing the same
US4806385A (en) * 1987-03-24 1989-02-21 Amax Inc. Method of producing oxidation resistant coatings for molybdenum
EP0635718A1 (de) * 1993-07-24 1995-01-25 Schott Glaswerke Referenzelektrode zur elektrochemischen Bestimmung des Sauerstoffpartialdruckes in Ionenschmelzen
EP0806785A2 (de) * 1996-05-10 1997-11-12 Nec Corporation Herstellungsverfahren einer Feldemissionskaltkathode mit hohem Emissionsstrom
AT3814U1 (de) * 1998-10-12 2000-08-25 Plansee Ag Verwendung einer mo02-schicht als korrosionsschutz bei molybdänoberflächen

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4281048A (en) * 1979-04-26 1981-07-28 Haering Rudolph R Battery cathode and method of making same
US4429011A (en) * 1982-03-29 1984-01-31 General Electric Company Composite conductive structures and method of making same
US4471004A (en) * 1983-04-28 1984-09-11 General Electric Company Method of forming refractory metal conductors of low resistivity
US4960493A (en) * 1988-07-22 1990-10-02 Hughes Aircraft Company Plating on metallic substrates
US4996116A (en) * 1989-12-21 1991-02-26 General Electric Company Enhanced direct bond structure

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4045216A (en) * 1975-11-03 1977-08-30 Amax Inc. Direct reduction of molybdenum oxide to substantially metallic molybdenum
US4557036A (en) * 1982-03-31 1985-12-10 Nippon Telegraph & Telephone Public Corp. Semiconductor device and process for manufacturing the same
US4806385A (en) * 1987-03-24 1989-02-21 Amax Inc. Method of producing oxidation resistant coatings for molybdenum
EP0635718A1 (de) * 1993-07-24 1995-01-25 Schott Glaswerke Referenzelektrode zur elektrochemischen Bestimmung des Sauerstoffpartialdruckes in Ionenschmelzen
EP0806785A2 (de) * 1996-05-10 1997-11-12 Nec Corporation Herstellungsverfahren einer Feldemissionskaltkathode mit hohem Emissionsstrom
AT3814U1 (de) * 1998-10-12 2000-08-25 Plansee Ag Verwendung einer mo02-schicht als korrosionsschutz bei molybdänoberflächen

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
OHFUJI S-I ET AL: "OXYGEN CONCENTRATION CHANGES IN OXYGEN-DOPED MOLYBDENUM FILMS UNDERHIGH TEMPERATURE ANNEALING", THIN SOLID FILMS, ELSEVIER-SEQUOIA S.A. LAUSANNE, CH, vol. 115, no. 4, May 1984 (1984-05-01), pages 299 - 307, XP000837198, ISSN: 0040-6090 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1691421A1 (de) * 2005-02-10 2006-08-16 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Verfahren zur Herstellung eines Metallüberzugs auf einem Substrat
WO2006085752A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-17 Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno Process for preparing a metal film on a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
AT4290U1 (de) 2001-05-25
KR20020090215A (ko) 2002-11-30
US20030012881A1 (en) 2003-01-16
US6913790B2 (en) 2005-07-05
EP1259982A1 (de) 2002-11-27
JP2004515930A (ja) 2004-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2601656C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines hochohmigen Cermet-Schichtwiderstandes und Cermet-Schichtwiderstand
DE112013003600B4 (de) Brennstoffzellenseparator
DE1446161A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Supraleiters mit verbesserter Supraleitfaehigkeit und unveraenderten Abmessungen
EP0632848B1 (de) Verfahren zur vorbehandlung der oberflächen von kunststoffteilen sowie ein nach diesem verfahren vorbehandeltes kunststoffteil
DE69936281T2 (de) Verfahren zur Verbesserung der elektrischen Leitfähigkeit von Metallen, Metalllegierungen und Metalloxiden
EP0195117A2 (de) Verbundwerkstoff für elektrische Kontakte und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2300813A1 (de) Verfahren zum niederschlagen von stickstoffdotiertem beta-tantal sowie eine beta-tantal-duennschicht aufweisender artikel
DE1288174B (de) Metallischer UEberzug auf einer isolierenden Unterlage
DE2217737A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Leitungssystems
DE2119066A1 (de) Verfahren zum Herstellen von edel metall und/oder edelmetalloxid beschich teten Gegenstanden, insbesondere Elektro den
DE1802932B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Schaltkontaktes
EP1259982A1 (de) Verfahren zur herabsetzung des spezifischen widerstandes einer elektrisch leitenden molybdän-schicht
DE1012698B (de) Verfahren zur Herstellung von Sekundaeremissionskathoden mit einer Magnesiumoxydoberflaeche
DE1589079A1 (de) Herstellungsverfahren fuer Duennfilmkondensatoren
DE2536985B2 (de) Elektrischer kontakt, insbesondere steckkontakt und verfahren zu dessen herstellung
DE2218460A1 (de) Kontaktmatenal
DE10017233B4 (de) Verfahren zum Deponieren einer Schicht und zur Herstellung eines akustischen Wellengerätes
EP0966008A2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Anode für elektrolytische Kondensatoren, solchermassen hergestellte Anode und eine solche Anode aufweisender Kondensator
DE1275221B (de) Verfahren zur Herstellung eines einen Tunneleffekt aufweisenden elektronischen Festkoerperbauelementes
DE3932536C1 (en) Wear resistant contact material - in which is applied to support comprising copper alloy and non-noble metal contg. silver, palladium or palladium-silver alloy
DE2110987B2 (de) Verfahren zum Herstellen von dünnen Schichten aus Tantal
DE2450341A1 (de) Halbleiterbauteile mit hitzebestaendigen metallschichten
WO2009156415A2 (de) Verfahren zur herstellung von metalloxidschichten
DE1195135B (de) Verfahren zur Verbesserung der elektrischen Leitfaehigkeit von auf Unterlagen, wie Glas und Kunststoffen, insbesondere durch Vakuum-bedampfen aufgebrachten duennen, licht-durchlaessigen oxydischen Schichten
DE4306971C2 (de) Verfahren zur Vorbehandlung der Oberflächen von Kunststoffteilen sowie ein nach diesem Verfahren vorbehandeltes metallisiertes und/oder lackiertes Kunststoffteil

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): JP KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020027010521

Country of ref document: KR

ENP Entry into the national phase

Ref country code: JP

Ref document number: 2002 553240

Kind code of ref document: A

Format of ref document f/p: F

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2001271897

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10228887

Country of ref document: US

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2001271897

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020027010521

Country of ref document: KR