WO2002052617A1 - Verfahren und vorrichtung zur bearbeitung von halbleitersubstraten - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zur bearbeitung von halbleitersubstraten Download PDF

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WO2002052617A1
WO2002052617A1 PCT/EP2001/014832 EP0114832W WO02052617A1 WO 2002052617 A1 WO2002052617 A1 WO 2002052617A1 EP 0114832 W EP0114832 W EP 0114832W WO 02052617 A1 WO02052617 A1 WO 02052617A1
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    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers

Definitions

  • the invention relates to a method and a device
  • the semiconductor substrates can be loaded, for which purpose first
  • 00027 processing chambers is carried out by means of at least one in
  • 00029 processing chambers are by means of the transfer chamber
  • 00034 vacuum or ultra high vacuum only needs to take place 00035 the transfer chamber is evacuated or kept in a vacuum
  • 00041 gene CVD processes are parasitic depositions e.g. on
  • the particles can be any material that can be used to make a Particle formation going out.
  • the particles can be any material that can be used to make a Particle formation going out.
  • 00053 is cooled. Especially with process printing
  • 00055 influenced the thermal conductivity to a significant extent.
  • the object of the invention is measures
  • 00072 transfer chamber is flooded with an inert gas.
  • 00073 measure has the consequence ,, that the processing chamber on
  • the invention provides that when opening the
  • 00078 gig is higher than the pressure in the processing chamber.
  • 00089 has a heated process chamber during loading
  • 00103 see compounds of Ga, In or AI.
  • the invention also relates to a device or a
  • 00122 is set by a controllable valve that the
  • 00126 influenced the pump associated with the transfer chamber. 00127
  • the invention relates in particular to the control method
  • the purge gas flow is from the total
  • the second parameter is the pressure difference
  • 00139 renz can be dependent on the total pressure. From these 00140 determines the two parameters, the process control unit, 00141 which can be a computer, the 00142 pressure in the other chamber. Depending on this pressure 00143, the purge gas flow 00144 to be set for this chamber is determined. The purge gas flow and the pressure 00145 are then set. If stable pressure conditions 00147 have occurred in both the processing chamber and 00146, the connecting door is opened. The pressure in the processing chamber is preferred00148, so that the transfer chamber pressure is set according to the 00150 pressure difference and the processing chamber pressure. The pressure difference between transfer chamber 00152 pressure and processing chamber pressure can be between 0, 1 and 00153 5 bar.
  • the pressure in the transfer chamber or the 00154 pressure in the processing chamber can be between one and 00155 several 100 mbar. Accordingly, the 00156 purge gas flow into the transfer chamber or the processing chamber is between 100 and 500 sccm. The flow can also be larger in the processing chamber.
  • 00159 00160 00161 Embodiments of the invention are explained below 00162 with reference to the accompanying drawings.
  • the figures show: 00163 00164 Fig. 1 in a rough schematic representation of a device for processing semiconductor substrates, 00166 00167 Fig. 2 roughly schematic a section through a transfer chamber 00168 and a processing chamber with 00169 indicated gas flows and 00170 00171 Fig. 3 the flow chart of the pressure control in the Trans00172 chamber. 00173 00174
  • the device shown in Fig. 1 has as
  • 00175 central element is a transfer chamber 2.
  • transfer chamber 2 In the transfer
  • 00182 se 1 is from the transfer chamber 2 by means of a connection
  • the processing chamber 3 can be an ultra
  • 00200 processing chamber 5 can either be a vacuum process or
  • 00205 Wafers can be made of silicon, depending on the process
  • 00206 gallium arsenide or indium phosphide can consist of
  • the transfer chamber 2 sits a robot arm 10 which
  • an inert gas for example argon or nitrogen
  • 00229 is when the pressure in the low pressure or atmospheric
  • this processing chamber 4 has one in the state
  • the process chamber is kept at process temperature
  • 00262 gate is formed, can in other machining chamber
  • the invention also includes multi-chamber devices
  • FIG. 2 An arrangement is shown roughly schematically in FIG. 2
  • 00275 provides a transfer chamber 2 and a processing
  • 00276 has chamber 4 which by means of a bulkhead 7 voneinan ⁇
  • 00278 transfer chamber 2 opens an inert gas supply line 11 and 00279 an evacuation line 12. In the evacuation line
  • 00280 12 is a pressure control valve 14, which is one
  • the pressure is preferably in the transfer chamber 2
  • 00301 can be between 1 and 500 sccm. Furthermore, the
  • 00312 supply line 11 flowing inert gas stream set.
  • the 00313 constant gas flow is here also 100 to 500

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Bearbeitung von Halbleitersubstraten, wobei die insbesondere unbeschichteten Halbleitersubstrate durch eine Beladungsschleuse (1) einer Bearbeitungsanordnung zugeführt werden, welche Beladungsschleuse (1) an eine Transferkammer (2) angrenzt, von welcher wiederum eine Vielzahl von Bearbeitungskammern (3, 4, 5) mit den zu bearbeitenden Halbleitersubstraten beladbar sind, wozu zunächst die Transferkammer (2) und die Bearbeitungskammer (3) evakuiert werden und daran anschliessend eine Verbindungstür (7) zwischen Transferkammer (2) und Bearbeitungskammer (3) geöffnet wird. Als Verbesserung schlägt die Erfindung vor, dass in mindestens einer der Bearbeitungskammer (4) ein Niedrigdruck- oder Atmosphärendruck-Prozess betrieben wird und vor dem Öffnen der dieser Bearbeitungskammer (4) zugeordneten Verbindungstür (8) die Transferkammer (2) mit einem Inertgas geflutet wird, wobei zwischen Transferkammer und Bearbeitungskammer eine vorbestimmte Druckdifferenz erhalten bleibt.

Description

00001 Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung- von
00002 Halbleitersubstraten
00003
00004
00005 Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrich¬
00006 tung zur Bearbeitung von Halbleitersubstraten, wobei
00007 die insbesondere unbeschichteten Halbleitersubstrate
00008 durch eine Beladungsschleuse einer Bearbeitungsanord¬
00009 nung zugeführt werden, welche Beladungsschleuse an eine
00010 Transferkammer angrenzt, von welcher wiederum eine
00011 Vielzahl von Bearbeitungskammern mit den zu bearbeiten¬
00012 den Halbleitersubstraten beladbar sind, wozu zunächst
00013 die Transferkammer und die Bearbeitungskammer evakuiert
00014 werden und daran anschließend eine Verbindungstür zwi¬
00015 schen Transferkammer und Bearbeitungskammer geöffnet
00016 wird.
00017
00018 Im Stand der Technik, insbesondere in der Siliziumtech¬
00019 nologie, werden miteinander verkettete Halbleiterprozes¬
00020 se in sogenannten Mehrkammeranlagen (Cluster tools)
00021 durchgeführt. In jeder der mehreren Kammern wird ein
00022 spezifischer Bearbeitungsschritt des Halbleitersubstra¬
00023 tes durchgeführt. Unter anderem können dort Beschich-
00024 tungsschritte, Ätzschritte, Temperschritte, Diffusions¬
00025 schritte oder dergleichen durchgeführt werden. Der
00026 Wechsel des Substrates von der einen in die anderen
00027 Bearbeitungskammern erfolgt mittels zumindest eines in
00028 einer Transferkammer angeordneten Roboterarmes. Die
00029 Bearbeitungskammern sind von der Transferkammer mittels
00030 einer druck- und gasdichten Verbindungstür getrennt.
00031 Diese wird erst geöffnet, nachdem sowohl die Transfer¬
00032 kammer, als auch die jeweilige Bearbeitungskammer evaku¬
00033 iert worden sind. Bei Behandlungsprozessen, die im
00034 Vakuum bzw. Ultrahoch-Vakuum stattfinden braucht nur 00035 die Transferkammer evakuiert oder im Vakuum gehalten zu
00036 werden. Bei Prozessen, die bei Atmosphären- oder Nie-
00037 drigdruck stattfinden muss die Bearbeitungskammer evaku-
00038 iert werden. Dieser Evakuierungsschritt ist insbesonde-
00039 re dann nachteilhaft, wenn in der Bearbeitungskammer
00040 ein Beschichtungsprozess durchgeführt wird. Bei derarti-
00041 gen CVD-Prozessen sind parasitäre Depositionen z.B. an
00042 den Wänden der Prozesskammer oft nicht zu vermeiden.
00043 Die mit der Evakuierung einhergehenden thermischen und
00044 mechanischen Belastungen können dazu führen, dass die
00045 parisitären Beschichtungen abplatzen. Die damit einher-
00046 gehende Partikelbildung ist störend. Die Partikel kön-
00047 nen insbesondere in die Transferkammer gelangen oder
00048 die Substrat-/Schichtoberfläche beieinträchtigen. Derar-
00049 tige dynamische Druckprozesse beeinflussen darüber
00050 hinaus das thermische Profil innerhalb der Prozesskam-
00051 mer, die vorzugsweise während des Be- und Entladens auf
00052 Prozesstemperatur gehalten werden soll bzw. nur gering-
00053 fügig abgekühlt wird. Insbesondere bei Prozessdrucken
00054 von größer einem Millibar werden durch das Evakuieren
00055 die Wärmeleiteffekte in erheblichem Maße beeinflusst.
00056 Dies hat dann zur Folge, dass die Zykluszeiten zufolge
00057 der erforderlichen Zeit zur Erreichung der Gleichge-
00058 ichtsbedingungen hoch sind. 00059
00060 Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Maßnahmen
00061 vorzusehen, um den zuvor genannten Nachteilen entgegen-
00062 zuwirken und insbesondere einen CVD-Reaktor, vorzugswei-
00063 se einen MOCVD-Reaktor in eine Mehrkammeranlage zu
00064 integrieren. 00065
00066 Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen
00067 angegebene Erfindung, wobei zunächst und im Wesentli-
00068 chen vorgesehen ist, dass in mindestens einer der Bear-
00069 beitungskammern ein Niedrigdruck- oder Atmosphärendruck- 00070 Prozess betrieben wird und vor dem Öffnen der dieser
00071 Bearbeitungskammer zugeordneten Verbindungstür die
00072 Transferkammer mit einem Inertgas geflutet wird. Diese
00073 Maßnahme hat zur Folge,, dass die Bearbeitungskammer auf
00074 Prozessdruck gehalten werden kann. Lediglich die Pro-
00075 zessgase werden abgeschaltet. In einer Weiterbildung
00076 der Erfindung ist vorgesehen, dass beim Öffnen der
00077 Verbindungstür der Druck in der Transferkammer geringfü-
00078 gig höher ist, als der Druck in der Bearbeitungskammer.
00079 Dies hat zur Folge, dass eine GasStromrichtung durch
00080 die Verbindungstür in die Bearbeitungskammer gerichtet
00081 ist. Dies wirkt dem Austritt von Restgasen aus der
00082 Bearbeitungskammer in die Transferkammer entgegen. Ein
00083 Massentransport in dieser Richtung kann deshalb im
00084 Wesentlichen nur durch Diffusion erfolgen. Damit ist
00085 auch ein übersprechen der Gase (Cross-Contamination) in
00086 benachbarte Bearbeitungskammern vermindert. In einer
00087 Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass die
00088 Niedrigdruck- oder Atmosphärendruck-Bearbeitungskammer
00089 eine beheizte Prozesskammer besitzt, die beim Beladen
00090 oder Entladen beheizt bleibt und insbesondere auf Pro-
00091 zesstemperatur gehalten wird. Handelt es sich bei der
00092 Bearbeitungskammer um einen MOCVD-Reaktor in dem
00093 phosphorhaltige Halbleiterschichten auf einem insbeson-
00094 dere III-V-Substrat deponiert werden, so kann vorgese-
00095 hen sein, dass die Prozesskammertemperatur für das Be-
00096 und Entladen abgesenkt wird, um ein Abdampfen der Phos-
00097 phor-Komponente aus der abgeschiedenen Halbleiter-
00098 schicht zu verhindern. Zur Durchführung des MOCVD-Pro-
00099 zesses werden der Gasphase entsprechende Reaktionsgase
00100 zugeführt. Für die Elemente der fünften Hauptgruppe
00101 werden Arsin oder Phosphin verwendet. Für die Elemente
00102 der dritten Hauptgruppe die entsprechenden metallorgani-
00103 sehen Verbindungen von Ga, In oder AI. 00104 00105 Die Erfindung betrifft auch eine Vorrichtung bzw. ein
00106 Verfahren, bei der oder dem nur eine oder mehrere Nie-
00107 drigdruck- oder Atmosphärendruck-Bearbeitungskammern an
00108 einer Transferkammer zugeordnet sind. Um, insbesondere
00109 bei solchen Vorrichtungen einen definierten Gasfluss
00110 von der Transferkammer in die Bearbeitungskammer bei
00111 geöffneter Verbindungstür zu gewährleisten sieht die
00112 Erfindung vor, dass sowohl der Spülgasfluss in die
00113 Transferkammer als auch der Spülgasfluss in die Bearbei-
00114 tungskammer vor dem Öffnen der Verbindungstür und wäh-
00115 rend der geöffneten Verbindungstür festgesetzt sind.
00116 Dadurch fließt sowohl in die Transferkammer als auch in
00117 die Bearbeitungskammer stets ein gleichbleibender Gas-
00118 ström. Der Gasstrom, der von der Transferkammer in die
00119 Bearbeitungskammer strömt wird durch den Druckunter-
00120 schied zwischen der Transferkammer und der Bearbeitungs-
00121 kammer vorgegeben. Der Druck in der Bearbeitungskammer
00122 wird durch ein regelbares Ventil eingestellt, das die
00123 Evakuierungsleistung der zugehörigen Pumpe beeinflusst.
00124 Der Druck in der Transferkammer wird ebenfalls über ein
00125 Ventil gesteuert, welches die Evakuierungsleistung der
00126 der Transferkammer zugeordneten Pumpe beeinflusst. 00127
00128 Die Erfindung betrifft insbesondere das Regelverfahren,
00129 mittels welchem diese Druckbalance einstellbar ist.
00130 Erfindungsgemäß wird der Druck entweder der Transferkam-
00131 mer oder der Druck der Bearbeitungskammer vorgegeben.
00132 Des Weiteren wird der in diese Kammer einströmende
00133 Spülgasfluss vorgegeben. Der Spülgasfluss ist vom Total-
00134 druck innerhalb der Kammer abhängig. Bei einem geringen
00135 Totaldruck fließt ein geringer Spülgasstrom. Bei einem
00136 höheren Totaldruck fließt ein entsprechend höherer
00137 Spülgasstrom. Als zweiter Parameter wird die Druckdiffe-
00138 renz zur anderen Kammer vorgegeben. Diese Druckdiffe-
00139 renz kann abhängig vom Totaldruck sein. Aus diesen 00140 beiden Parametern ermittelt das Prozess-Steuerorgan, 00141 bei dem es sich um einen Rechner handeln kann, den 00142 Druck in der anderen Kammer. Abhängig von diesem Druck 00143 wird der, für diese Kammer einzustellende Spülgasfluss 00144 ermittelt. Sodann wird der Spülgasfluss und der Druck 00145 eingestellt. Sind sowohl in der Bearbeitungskammer als 00146 auch in der Transferkammer stabile Druckverhältnisse 00147 eingetreten, so wird die Verbindungstür geöffnet. Bevor00148 zugt wird der Druck in der Bearbeitungskammer vorgege00149 ben, so dass der Transferkammerdruck entsprechend der 00150 Druckdifferenz und dem Bearbeitungskammerdruck einge00151 stellt wird. Die Druckdifferenz zwischen Transferkammer00152 druck und Bearbeitungskammerdruck kann zwischen 0, 1 und 00153 5 bar liegen. Der Druck in der Transferkammer bzw. der 00154 Druck in der Bearbeitungskammer kann zwischen einem und 00155 mehreren 100 mbar liegen. Entsprechend beträgt der 00156 Spülgasfluss in die Transferkammer bzw. die Bearbei00157 tungskammer zwischen 100 und 500 sccm. In der Bearbei00158 tungskammer kann der Fluss auch größer sein. 00159 00160 00161 Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend 00162 anhand der beigefügten Zeichnungen erläutert. Es zeigen: 00163 00164 Fig. 1 in grobschematischer Darstellung eine Vorrich00165 tung zur Bearbeitung von Halbleitersubstraten, 00166 00167 Fig. 2 grobschematisch einen Schnitt durch eine Trans- 00168 ferkammer und eine Bearbeitungskammer mit 00169 angedeuteten Gasflüssen und 00170 00171 Fig. 3 den Ablaufplan der Drucksteuerung in der Trans00172 ferkammer. 00173 00174 Die in Fig. 1 dargestellte Vorrichtung besitzt als
00175 zentrales Element eine Transferkammer 2. In der Trans-
00176 ferkammer 2 befindet sich ein Roboterarm 10. Die Trans-
00177 ferkammer 2 wird mittels einer Beladungsschleuse 1
00178 beladen. In diese Beladungsschleuse 1 werden die Halb- "00179 leitersubstrate (Wafer) insbesondere magaziniert einge-
00180 bracht. Diese Wafer können uribeschichtet sein. Sie
00181 können aber auch vorbehandelt sein. Die Beladungsschleu-
00182 se 1 ist von der Transferkammer 2 mittels einer Verbin-
00183 dungstür 6 in Form eines gas- und druckdichten Schotts
00184 getrennt. An die Transferkammer 2 grenzen im Ausfüh-
00185 rungsbeispiel die Bearbeitungskammern 3, 4 und 5, die
00186 jeweils über eine offenbare Verbindungstür 7, 8, 9 mit
00187 der Transferkammer 2 verbunden sind. In die Transferkam-
00188 mer 2 mündet eine Spülleitung 11 zum Fluten der Trans-
00189 ferkammer 2 mit einem Inertgas, bspw. Wasserstoff,
00190 Stickstoff oder Argon. Ferner geht von der Transferkam-
00191 mer 2 eine Evakuierungsleitung 12 ab, die zu einer
00192 Vakuumpumpe führt. 00193
00194 Bei der Bearbeitungskammer 3 kann es sich um eine Ultra-
00195 hoch-Vakuumkammer handeln, in der bspw. ein RTP-Prozess
00196 (rapid thermal process) bei einem Druck von 10 mbar
00197 durchgeführt wird. In der Bearbeitungskammer 4 kann ein
00198 MOCVD-Prozess stattfinden. Dieser Prozess kann bei
00199 Prozessdrücken von größer 1 mbar erfolgen. In der Bear-
00200 beitungskammer 5 kann entweder ein Vakuumprozess oder
00201 ein Niedrigdruck-Prozess oder ein Atmophärendruck-Pro-
00202 zess durchgeführt werden. 00203
00204 Um die Substrate, bei denen es sich um scheibenförmige
00205 Wafer handeln kann, die je nach Prozess aus Silizium,
00206 Galliumarsenid oder Indiumphosphid bestehen können, von
00207 einer der Bearbeitungskammern 3 bis 5 in eine andere
00208 bzw. von oder zur Beladungsschleuse 1 zu bringen be- 00209 sitzt die Transferkammer 2 einen Roboterarm 10, der
00210 durch die geöffneten Verbindungstüren 7 bis 9 in je-
00211 weils eine Bearbeitungskammer 3 bis 5 greifen kann. Um
00212 die UHV-Bearbeitungskammer 3 mit Substraten zu beladen
00213 bzw. die Kammer 3 zu entladen wird zunächst die Trans-
00214 ferkammer 2 evakuiert, wozu die Inertgaszuleitung 11
00215 gesperrt wird und die zu einer Vakuumpumpe führende
00216 Leitung 12 geöffnet wird. Nach Erreichen eines genügend
00217 hohen Vakuums in der Transferkammer 2 wird die Verbin-
00218 dungstür 7 geöffnet und der Be- bzw. Entladungsvorgang
00219 kann beginnen. Die aus der UHV-Bearbeitungskammer 3
00220 entnommenen Substrate können in der Transferkammer 2
00221 oder aber auch in der Beladungsschleuse 1 zwischenge-
00222 speichert werden. Sodann wird die Verbindungstür 7
00223 wieder geschlossen. Um die Niedrigdruck- oder Atmosphä-
00224 rendruck-Bearbeitungskammer 4 zu be- oder entladen wird
00225 die Transferkammer 2 durch die InertgasZuleitung 11 mit
00226 einem Inertgas, bspw. Argon oder Stickstoff gegebenen-
00227 falls auch Wasserstoff geflutet bis in der Transferkam-
00228 mer 2 ein Druck aufgebaut ist, der geringfügig höher
00229 ist, als der Druck in der Niedrigdruck- oder Atmosphä-
00230 rendruck-Prozesskammer 4. Während des Flutens und des
00231 Be- und Entladens wird die Transferkammer mit Inertgas,
00232 bspw. Stickstoff oder Argon gespült. Wird dieser gering-
I
00233 fügige Überdruck erreicht, wird die zugehörige Verbin-
00234 dungstür 8 geöffnet. Der Überdruck ist so gering ge-
00235 wählt, dass sich lediglich eine definierte Strömung von
00236 der Transferkammer 2 in die Niedrigdruck- oder Atmosphä-
00237 rendruck-Bearbeitungskammer einstellt. 00238
00239 In der Niedrigdruck- oder Atmosphärendruck-Bearbeitungs-
00240 kammer 4 kann ein MOCVD-Prozess durchgeführt werden.
00241 Hierzu besitzt diese Bearbeitungskammer 4 eine im Stand
00242 der Technik bekannte Prozesskammer, welcher die erfor-
00243 derlichen Prozessgase zugeführt werden. Die Prozesskam- 00244 mer wird geheizt. Während des Be- und Entladens kann
00245 die Prozesskammer auf Prozesstemperatur gehalten blei¬
00246 ben. Lediglich nach dem Abscheiden von phosphorhaltigen
00247 Schichten kann es erforderlich sein, die Prozesskam¬
00248 mertemperatur geringfügig abzusenken, um ein Abdampfen
00249 von Phosphor aus der Oberfläche zu verhindern.
00250
00251 Die Druckdifferenz zwischen Transferkammer 2 und Bear¬
00252 beitungskammer 4 ist so gewählt, dass sich eine defi¬
00253 nierte Flussrichtung von Transfer- zur Prozesskammer
00254 einstellt. Die Gasströmung ist aber nicht so hoch, dass
00255 nennenswerte Kühleffekte eintreten bzw. strömungsbeding¬
00256 te Ablösung von Partikeln von den Wänden auftreten. Im
00257 Wesentlichen dient die Definierung der Flussrichtung
00258 zur Verhinderung einer Kontamination der Transferkammer
00259 2 während des Transfers.
00260
00261 In der Bearbeitungskammer 4, die von einem MOCVD-Reak-
00262 tor gebildet ist, können auf in anderen Bearbeitungskam¬
00263 mern 3, 5 vorbehandelte Substrate beschichtet werden.
00264 Es ist ferner möglich, die in der Bearbeitungskammer 4
00265 beschichteten Substrate in einer der anderen Bearbei¬
00266 tungskammern 3, 5 nachzubearbeiten, bspw. im Ultrahoch-
00267 Vakuum thermisch zu behandeln oder auch bei Niederdruck
00268 oder Atmosphärendruck. Im Ausführungsbeispiel sind
00269 lediglich insgesamt drei Bearbeitungskammern 3, 4, 5
00270 dargestellt. Die Erfindung umfasst aber auch Mehrkammer¬
00271 anlagen mit erheblich mehr miteinander verketteten
00272 Bearbeitungskammern.
00273
00274 In Fig. 2 ist grobschematisch eine Anordnung darge¬
00275 stellt, die eine Transferkammer 2 und eine Bearbeitungs¬
00276 kammer 4 aufweist, die mittels eines Schotts 7 voneinan¬
00277 der getrennt sind. Das Schott 7 ist offenbar. In die
00278 Transferkammer 2 mündet eine Inertgaszuleitung 11 und 00279 eine Evakuierungsleitung 12. In der Evakuierungsleitung
00280 12 befindet sich ein Druckregelventil 14, das einer
00281 Vakuumpumpe 13 vorgeschaltet ist. 00282
00283 Die Bearbeitungskammer ist nahezu identisch aufgebaut.
00284 In die Bearbeitungskammer 4 mündet ebenfalls eine
00285 InertgasZuleitung 15 und eine Evakuierungsleitung 16.
00286 Auch in dieser Evakuierungsleitung 16 befindet sich ein
00287 Druckregelventil 18, welches vor einer Vakuumpumpe 17
00288 angeordnet ist. 00289
00290 Vor dem Öffnen der Verbindungstür 7 zwischen der Trans-
00291 ferkammer 2 und der Bearbeitungskammer 4 wird in der
00292 Transferkammer 2 ein Druck aufgebaut, der geringfügig
00293 höher ist, als der Druck in der Bearbeitungskammer 4.
00294 Vorzugsweise liegt der Druck in der Transferkammer 2
00295 etwa 1 bis 5 mbar höher als der Druck in der Bearbei-
00296 tungskammer 3. Der in Fig. 3 dargestellte Druckanglei-
00297 chungsprozess erfolgt folgendermaßen: 00298
00299 Der Spülgasfluss durch die InertgasZuleitung 15 wird
00300 auf einen festen vorgegebenen Wert gesetzt. Dieser Wert
00301 kann zwischen 1 und 500 sccm sein. Ferner wird der
00302 Druck in der Bearbeitungskammer 4 vorgegeben. Entspre-
00303 chend der Druckvorgabe regelt das Druckregelventil 18
00304 die Evakuierungsleistung der Pumpe 17. 00305
00306 Aus dem vorgegebenen Druck in der Bearbeitungskammer 4
00307 und der vorgegebenen Druckdifferenz ermittelt das Pro-
00308 zess-Steuerorgan den Druck in der Transferkammer 2.
00309 Anhand einer vorgegebenen Wertetabelle oder eines vorge-
00310 gebenen funktioneilen Zusammenhangs wird vom Steueror-
00311 gan, abhängig vom Tranferkammerdruck, der durch die
00312 Zuleitung 11 fließende Inertgasstrom festgesetzt. Der 00313 gleichbleibende Gasfluss beträgt auch hier 100 bis 500
00314 sccm. 00315
00316 Der Druck wird bei gleichbleibendem Gasstrom mittels
00317 des Druckregelventiles 14 eingeregelt, welches die
00318 Evakuierungsleistung der Pumpe 13 beeinflusst. 00319
00320 Sobald der Druck in der Bearbeitungskammer 4 und der
00321 Druck in der Transferkammer 2 einen stabilen Wert einge-
00322 nommen hat, öffnet sich die Verbindungstür 7. Zufolge
00323 des Druckunterschiedes in der Bearbeitungskammer 4 und
00324 der Transferkammer 2 entsteht ein Gasstrom durch die
00325 o fene Verbindungstür 7. Der Gasstrom durch die offene
00326 Verbindungstür 7 ist so gering gewählt, dass keine
00327 Partikel von den Wänden der Bearbeitungskammer 4 abge-
00328 tragen werden. Er ist aber so groß, dass eine Cross-Kon-
00329 tamination weitestgehend vermieden wird. 00330
00331 Bei geöffneter Tür 7 erfolgt die Regelung der Drucke in
00332 der Bearbeitungskammer bzw. der Transferkammer über die
00333 Evakuierungsleistung der den Kammern zugeordneten Pum-
00334 pen. 00335
00336 Wie aus der Fig. 2 erkennbar ist, liegen die Zuleitun-
00337 gen 11, 15 geringer beabstandet zur Verbindungstür 7,
00338 als' die Gasableitungen 12 und 16, welche einen größeren
00339 Abstand zur Verbindungstür 7 besitzen. 00340
00341 Alle offenbarten Merkmale sind (für sich) erfindungswe-
00342 sentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit
00343 auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten
00344 Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) voll-
00345 inhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale
00346 dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung
00347 mit aufzunehmen.

Claims

00348
00349 Ansprüche
00350
00351 1. Verfahren zur Bearbeitung von Halbleitersubstraten,
00352 wobei die insbesondere uribeschichteten Halbleitersub-
00353 sträte durch eine Beladungsschleuse (1) einer Bearbei-
00354 tungsanordnung zugeführt werden, welche Beladungsschleu-
00355 se (1) an eine Transferkammer (2) angrenzt, von welcher
00356 wiederum eine Vielzahl von Bearbeitungskammern (3, 4,
00357 5) mit den zu bearbeitenden Halbleitersubstraten belad-
00358 bar sind, wozu zunächst die Transferkammer (2) und die
00359 Bearbeitungskammer (3) evakuiert werden und daran an-
00360 schließend eine Verbindungstür (7) zwischen Transferkam-
00361 mer (2) und Bearbeitungskammer (3) geöffnet wird, da-
00362 durch gekennzeichnet, dass in mindestens einer der
00363 Bearbeitungskammern (4) ein Niedrigdruck- oder Atmosphä-
00364 rendruck-Prozess betrieben wird und vor dem Öffnen der
00365 dieser Bearbeitungskammer (4) zugeordneten Verbindungs-
00366 tür (8) die Transferkammer (2) mit einem Inertgas geflu-
00367 tet wird. 00368
00369 2. Verfahren nach Anspruch 1 oder insbesondere danach,
00370 dadurch gekennzeichnet, dass beim Beladen der Bearbei-
00371 tungskammer (4) der Druck in der Transferkammer (2)
00372 geringfügig höher ist, als der Druck in der Bearbei-
00373 tungskammer (4) . 00374
00375 3. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehen-
00376 den Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekenn-
00377 zeichnet, dass die Niedrigdruck- oder Atmosphärendruck-
00378 Bearbeitungskammer (4) eine beheizte Prozesskammer
00379 besitzt, die beim Beladen oder Entladen beheizt bleibt
00380 und insbesondere auf Prozesstemperatur gehalten wird. 00381
00382 4. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehen-
00383 den Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekenn-
00384 zeichnet, dass in der Niedrigdruck- oder Atmosphären-
00385 druck-Bearbeitungskammer (4) eine Beschichtung der
00386 Halbleitersubstrate insbesondere mittels der Gasphase
00387 zugeführten Reaktionsgasen durchgeführt wird. 00388
00389 5. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehen-
00390 den Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekenn-
00391 zeichnet, dass in der Niedrigdruck- oder Atmosphären-
00392 druck-Bearbeitungskammer (4) ein MOCVD-Prozess durchge-
00393 führt wird. 00394
00395 6. Verfahren zur Bearbeitung von Halbleitersubstraten,
00396 wobei die insbesondere unbeschichteten Halbleitersub-
00397 strate durch eine Beladungsschleuse (1) einer Bearbei-
00398 tungsanordnung zugeführt werden, welche Beladungsschleu-
00399 se (1) an eine Transferkammer (2) angrenzt, von welcher
00400 ein oder mehrere Bearbeitungskammern (3, 4, 5) mit den
00401 zu bearbeitenden Halbleitersubstraten beladbar sind,
00402 wozu eine Verbindungstür (7) zwischen Transferkammer
00403 (2) und Bearbeitungskammer (3) geöffnet wird, dadurch
00404 gekennzeichnet, dass in mindestens einer der Bearbei-
00405 tungskammern (4) ein Niedrigdruck- oder Atmosphären-
00406 druck-Prozess betrieben wird und vor dem Öffnen der
00407 dieser Bearbeitungskammer (4) zugeordneten Verbindungs-
00408 tür (8) die Transferkammer (2) mit einem Inertgas geflu-
00409 tet wird, wobei die Druckdifferenz zwischen der Trans-
00410 ferkammer (2) und der Bearbeitungskammer (4) dadurch
00411 aufrechterhalten wird, dass bei gleichbleibenden Gas-
00412 flüssen in die Transferkammer (2) einerseits und in die
00413 Bearbeitungskammer (4) andererseits der Druck in Trans-
00414 ferkammer (2) bzw. Bearbeitungskammer (4) durch Variati-
00415 on der Evakuierungsleistung geregelt wird. 00416
00417 7. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehen00418 den Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekenn00419 zeichnet, dass vor dem Öffnen der Verbindungstür je00420 weils in der Transferkammer (2) bzw. der Bearbeitungs00421 kammer (4) ein stabiler Druck eingeregelt wird, wobei 00422 der Druck in der Transferkammer (2) um eine Druckdiffe00423 renz höher ist, als der Druck in der Bearbeitungskammer 00424 (4). 00425 00426 8. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehen00427 den Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekenn00428 zeichnet, dass die Druckdifferenz etwa 0,1 bis 5 mbar 00429 beträgt . 00430 00431 9. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehen00432 den Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekenn00433 zeichnet, dass die Höhe des Spülgasflusses in der Bear00434 beitungskammer (4) bzw. der Transferkammer (2) um so 00435 größer ist, wie der Totaldruck in der jeweiligen Kammer 00436 (2, 4) ist und einem vorgegebenen funktionalen Zusammen00437 hang folgt oder in einer Wertetabelle in einer elektro00438 nischen Steuereinrichtung hinterlegt ist. 00439 00440 10. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens gemäß 00441 einem der vorhergehenden Ansprüche, mit einer an eine 00442 insbesondere evakuierbaren Transferkammer (2) angrenzen00443 den Beladungsschleuse (1) und mit mindestens einer 00444 Bearbeitungskammer (3) zum Bearbeiten eines Halbleiter00445 substrates dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine 00446 Bearbeitungskammer (4) zum Bearbeiten von Halbleitersub00447 straten bei Niedrigdruck oder Atmosphärendruck ausge00448 stattet ist, wobei die Transferkammer (2) zum Beladen 00449 dieser Kammern (4) dort mit einem Inertgas spülbar ist, 00450 dass beim Beladen zufolge einer Druckdifferenz ein 00451 Gasstrom in die Bearbeitungskammer (4) strömt.
00452 11. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherge-
00453 henden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch
00454 gekennzeichnet, dass die Niedrigdruck- oder Atmosphären-
00455 druck-Bearbeitungskammer (4) ein MOCVD-Reaktor mit
00456 beheizbarer Prozesskammer ist. 00457
00458 12. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherge-
00459 henden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeich-
00460 net durch ein Steuerorgan zum Einstellen von jeweiligen
00461 Spülgasflüssen sowohl in die Bearbeitungskammer (4) als
00462 auch in die Transferkammer (2) und zum Regeln der Druk-
00463 ke in der Bearbeitungskammer (4) bzw. der Transferkam-
00464 mer (2) . 00465
00466 13. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherge-
00467 henden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeich-
00468 net durch jeweils einer Bearbeitungskammer (4) und der
00469 Transferkammer (2) zugeordneten, vom Steuerorgan gere-
00470 gelten Evakuierungseinrichtung (13, 17) . 00471
00472 14. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherge-
00473 henden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch
00474 gekennzeichnet, dass der Spülgasausgang (11, 15) der
00475 Verbindungstür (7) näher beäbstandet ist, als die der
00476 Evakuierungseinrichtung (13, 17) zugeordnete Gasablei-
00477 tung (12, 16) .
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7521089B2 (en) * 2002-06-13 2009-04-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for controlling the movement of CVD reaction byproduct gases to adjacent process chambers
JP2009091665A (ja) * 2008-12-26 2009-04-30 Tokyo Electron Ltd 処理方法および処理システム

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7368368B2 (en) 2004-08-18 2008-05-06 Cree, Inc. Multi-chamber MOCVD growth apparatus for high performance/high throughput
TW200709936A (en) * 2005-07-13 2007-03-16 Dimatix Inc Fluid deposition cluster tool
US20080050889A1 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Applied Materials, Inc. Hotwall reactor and method for reducing particle formation in GaN MOCVD
US20090029033A1 (en) * 2007-07-27 2009-01-29 Joseph Chou Method of manufacturing thin-film based PV modules
US20100236478A1 (en) * 2007-09-03 2010-09-23 Tokyo Electron Limited Vacuum processing system
CN101802254B (zh) 2007-10-11 2013-11-27 瓦伦斯处理设备公司 化学气相沉积反应器

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0209150A2 (de) * 1985-07-19 1987-01-21 Fujitsu Limited Vorrichtung zur chemischen metallorganischen Gasabscheidung zum Wachsen einer epitaxialen Halbleiterverbindungsschicht
US4985281A (en) * 1988-08-22 1991-01-15 Santa Barbara Research Center Elemental mercury source for metal-organic chemical vapor deposition
JPH03193877A (ja) * 1989-12-21 1991-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
JPH05259098A (ja) * 1992-03-11 1993-10-08 Tokyo Electron Ltd 真空排気方法
JPH0758093A (ja) * 1993-08-17 1995-03-03 Kokusai Electric Co Ltd ロードロック装置のガス置換方法及びその装置
JPH10303279A (ja) * 1997-04-30 1998-11-13 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置
US6077321A (en) * 1996-11-08 2000-06-20 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Wet/dry substrate processing apparatus

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0408216A3 (en) * 1989-07-11 1991-09-18 Hitachi, Ltd. Method for processing wafers and producing semiconductor devices and apparatus for producing the same
WO1999019900A2 (en) * 1997-10-14 1999-04-22 Patterning Technologies Limited Method of forming an electronic device
US6376387B2 (en) * 1999-07-09 2002-04-23 Applied Materials, Inc. Method of sealing an epitaxial silicon layer on a substrate

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0209150A2 (de) * 1985-07-19 1987-01-21 Fujitsu Limited Vorrichtung zur chemischen metallorganischen Gasabscheidung zum Wachsen einer epitaxialen Halbleiterverbindungsschicht
US4985281A (en) * 1988-08-22 1991-01-15 Santa Barbara Research Center Elemental mercury source for metal-organic chemical vapor deposition
JPH03193877A (ja) * 1989-12-21 1991-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
JPH05259098A (ja) * 1992-03-11 1993-10-08 Tokyo Electron Ltd 真空排気方法
JPH0758093A (ja) * 1993-08-17 1995-03-03 Kokusai Electric Co Ltd ロードロック装置のガス置換方法及びその装置
US6077321A (en) * 1996-11-08 2000-06-20 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Wet/dry substrate processing apparatus
JPH10303279A (ja) * 1997-04-30 1998-11-13 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置
US6328864B1 (en) * 1997-04-30 2001-12-11 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 015, no. 456 (C - 0886) 20 November 1991 (1991-11-20) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 018, no. 020 (E - 1489) 13 January 1994 (1994-01-13) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1995, no. 06 31 July 1995 (1995-07-31) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1999, no. 02 26 February 1999 (1999-02-26) *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7521089B2 (en) * 2002-06-13 2009-04-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for controlling the movement of CVD reaction byproduct gases to adjacent process chambers
JP2009091665A (ja) * 2008-12-26 2009-04-30 Tokyo Electron Ltd 処理方法および処理システム

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Publication number Publication date
US6908838B2 (en) 2005-06-21
JP2004516678A (ja) 2004-06-03
WO2002052617B1 (de) 2002-09-06
US20040058464A1 (en) 2004-03-25
EP1344243A1 (de) 2003-09-17

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