WO2001035528A1 - Dispositif a ondes acoustiques de surface - Google Patents

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WO2001035528A1
WO2001035528A1 PCT/JP2000/007616 JP0007616W WO0135528A1 WO 2001035528 A1 WO2001035528 A1 WO 2001035528A1 JP 0007616 W JP0007616 W JP 0007616W WO 0135528 A1 WO0135528 A1 WO 0135528A1
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surface acoustic
acoustic wave
electrode
electrode finger
center
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PCT/JP2000/007616
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Akihiro Bungo
Ryohei Kimura
Koji Hasegawa
Masanori Koshiba
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Mitsubishi Materials Corporation
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/0259Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of langasite substrates
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14502Surface acoustic wave [SAW] transducers for a particular purpose
    • H03H9/14505Unidirectional SAW transducers

Definitions

  • the present invention relates to a surface acoustic wave device used for mobile communication equipment and the like.
  • a transmission type surface acoustic wave (SAW) filter with a single-phase unidirectional converter has been commercialized as a device that satisfies the characteristics.
  • SAW surface acoustic wave
  • the phase difference between the excitation wave and the reflected wave becomes in-phase in the forward (forward) direction, and the two waves reinforce each other.
  • the opposite direction (reverse) the two waves cancel each other out. Therefore, surface elastic waves are strongly excited only in the forward direction. This makes it possible to theoretically realize a low-loss filter of 1 dB or less by facing the unidirectional directions of the transmitting electrode and the receiving electrode.
  • EWC-S JDT and DART-SPUDT using an asymmetric electrode structure have been devised as a method for realizing a unidirectional converter.
  • these filters that use the asymmetry of the electrode structure, there is also a natural single-phase filter (NSPUDT).
  • NSPUDT natural single-phase filter
  • the natural unidirectional filter realizes unidirectionality by using the asymmetry of the substrate crystal.
  • a converter called a regular interdigital transuser (IDT) structure, in which a plurality of positive and negative electrode fingers whose electrode width and electrode interval are both ⁇ / 4, are periodically and continuously arranged. One-way direction can be realized.
  • the surface acoustic wave generated by driving the normal type IDT is excited in both directions of the normal type IDT on the ST—X crystal substrate. It propagates and cannot achieve one-wayness.
  • the natural unidirectionality refers to a characteristic of a substrate in which a surface acoustic wave is strongly excited in one direction when a normal type IDT is formed on the surface of a piezoelectric substrate. Surface acoustic wave using this natural unidirectional substrate Since the converter uses the anisotropy of the substrate itself, it is not possible to face the forward direction of the transmitting converter and the receiving converter. Unless the transmitting and receiving electrodes can face each other unidirectionally, it is impossible to produce a low-loss filter.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-204492 proposes a low-loss filter that uses a naturally unidirectional electrode structure that reverses the direction of unidirectionality to face the unidirectionality by Mr. Takeuchi and others.
  • the electrode structure proposed by Takeuchi et al., Which reverses the direction of natural unidirectionality, has a positive electrode finger and a negative electrode finger arranged at a pitch of ⁇ , where ⁇ is the surface acoustic wave wavelength.
  • the center distance between the positive and negative electrodes is ⁇ 2, and a floating electrode with a width of ⁇ 4 is formed between the positive and negative electrode fingers.
  • the distance between the edge and the electrode is formed to be ⁇ / 16.
  • a pair of adjacent floating electrodes is short-circuited (FIG. 5 in the above publication), and the case where all the floating electrodes are short-circuited (FIG. 6 in the above publication) is also included.
  • the characteristics of a surface acoustic wave device depend on the characteristics of a piezoelectric crystal used as a substrate. It is important that the piezoelectric crystal has a large electromechanical coupling coefficient and good frequency-temperature characteristics.
  • langasite is attracting attention as a crystal that satisfies these two characteristics simultaneously. When expressed as Euler angles ( ⁇ , ⁇ , Y), it is 1 5 ° ⁇ 5 °, 1 35 ° ⁇ 0 ⁇ 145 °, 20 ° ⁇ ⁇ 30.
  • the electromechanical coupling coefficient is 0.3% to 0.4%
  • the frequency temperature characteristic shows second-order dependence, and a vertex temperature exists near room temperature.
  • the electromechanical coupling coefficient is about three times that of S-quartz, and the second-order temperature coefficient in frequency temperature characteristics is about twice that of quartz, which is very good, making it applicable to low-loss surface acoustic wave filters. It is an expected crystal.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and it is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave device which can configure a transmission-type surface acoustic wave (SAW) filter with lower loss.
  • SAW surface acoustic wave
  • the positive electrode finger and the negative electrode finger are formed on the surface of a langasite single crystal substrate whose substrate orientation and surface acoustic wave propagation direction are selected so as to have natural unidirectionality.
  • a surface acoustic wave converter comprising a floating electrode disposed between the surface acoustic wave converter and the surface acoustic wave converter.
  • the surface acoustic wave converter is arranged along the propagation direction of the surface acoustic wave such that the natural unidirectionality is reversed.
  • each of the electrodes is formed.
  • the invention according to claim 2 is the surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the langasite single-crystal substrate has a substrate orientation, a substrate orientation, and a surface elastic wave propagation direction that are Euler angles.
  • the display indicates ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) — 5 ° ⁇ 5 °, 135 ° ⁇ 0 ⁇ 1 45 °, 20 ° ⁇ 30. Or a crystallographically equivalent orientation to this.
  • the invention according to claim 3 is the surface acoustic wave device according to claim 2, wherein the distance relationship between the positive electrode finger, the negative electrode finger, and the floating electrode in the surface acoustic wave converter is as follows. Assuming that the wavelength of the surface acoustic wave is ⁇ , the width of the positive electrode finger and the negative electrode finger is approximately ⁇ 8, and the center distance between both electrode fingers is approximately 6 68 ⁇ , and the center electrode of the positive electrode finger floats from The feature is that the distance g between the centers of the electrodes is 1 340 ⁇ ⁇ g ⁇ 14/40 ⁇ , and the width W of the floating electrode is 11 ⁇ 40 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ 1 3/40 ⁇ . I do.
  • the invention according to claim 4 is characterized in that the positive electrode finger and the negative electrode finger are formed on the surface of a langasite single crystal substrate whose substrate orientation and surface acoustic wave propagation direction are selected so as to have a natural unidirectionality. And a floating electrode disposed between them.
  • the floating electrode is a surface acoustic wave element having a surface acoustic wave converter formed such that a pair of adjacent electrode fingers short-circuits across the negative electrode finger.
  • the surface acoustic wave converter is characterized in that the electrodes are formed along the propagation direction of the surface acoustic wave so that the natural unidirectionality is reversed.
  • the invention according to claim 5 is the surface acoustic wave device according to claim 4, wherein the langasite single crystal substrate has a substrate orientation and a surface acoustic wave propagation direction expressed in Euler angles ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ), the angle is within the range of 5 ° ⁇ 5 °, 135 ° ⁇ 145 °, 20 ° ⁇ ⁇ ⁇ 30 °, or an equivalent orientation. .
  • the invention according to claim 6 is the surface acoustic wave device according to claim 5, wherein the distance relationship between the positive electrode finger, the negative electrode finger, and the floating electrode in the surface acoustic wave converter is as follows.
  • the wavelength of the surface acoustic wave is ⁇
  • the center distance between the positive electrode finger and the negative electrode finger is approximately ⁇ 2
  • the width d of both electrode fingers is ⁇ 20 ⁇ d ⁇ A / 10
  • the electrode of the floating electrode is
  • the width W of the finger is approximately ⁇ 4
  • the distance g from the center of the finger is 48 ⁇ / 240 ⁇ g ⁇ 56 ⁇ 240
  • the floating electrode is arranged such that each of the pair of electrode fingers approaches the adjacent positive or negative electrode finger located on the left side. It is characterized by being formed so as to be deviated to.
  • the invention according to claim 7 is characterized in that a period of the wavelength ⁇ of the surface acoustic wave is formed on the surface of the langasite single crystal substrate in which the substrate orientation and the surface acoustic wave propagation direction are selected so as to have a natural unidirectionality.
  • a surface acoustic wave element having a surface acoustic wave converter composed of a positive electrode finger disposed inside and a first negative electrode finger and a second negative electrode finger disposed on one side of the positive electrode finger.
  • the surface acoustic wave converter is characterized in that the electrodes are formed along the propagation direction of the surface acoustic wave such that the natural unidirectionality is reversed.
  • the invention according to claim 8 is the surface acoustic wave device according to claim 7, wherein the langasite single crystal substrate has a substrate orientation and a surface acoustic wave propagation direction expressed in Euler angles ( ⁇ , ⁇ ,) are within the range of 5 ° ⁇ 5 °, 135 ° 145 °, 20 ° ⁇ ⁇ ⁇ 30 °, or have an equivalent orientation.
  • the invention according to claim 9 is the surface acoustic wave device according to claim 8, wherein the positions of the first and second negative electrode fingers with respect to the positive electrode finger in the surface acoustic wave converter.
  • the wavelength of the surface acoustic wave is ⁇
  • the width of the positive electrode finger is approximately ⁇ 8
  • the electrode width W1 from the center of the positive electrode finger is 18/80 A ⁇ W1.
  • the distance d 1 to the center of the first negative electrode finger in the range of ⁇ is 23 ⁇ 80 ⁇ 1 ⁇ 25 no 80 ⁇ , and the electrode width W2 is in the range of 20/80 ⁇ W2 ⁇ 26 / 80 ⁇
  • the distance d2 between the second negative electrode finger and the center of the positive electrode finger is 54 / 80 ⁇ ⁇ 12 ⁇ 55 / 80 ⁇ .
  • FIG. 1 is a plan view showing an electrode structure of a normal type IDT.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram showing a positional relationship between an excitation center and a reflection center for realizing unidirectionality by the normal type IDT shown in FIG.
  • FIG. 3 is a plan view showing an IDT of a conventional TCS-RDT structure.
  • FIG. 4 is a plan view showing an electrode structure of an IDT used for the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention.
  • Figure 5 shows the mode coupling coefficient c!
  • Figure 6 is a characteristic view showing an electrode film thickness dependency of the second phase term is a characteristic view showing an electrode film thickness dependency of the phase term of the excitation coefficients zeta.
  • Fig. 7 is a characteristic diagram showing the electrode thickness dependence of the phase difference between the mode coupling coefficient and the excitation coefficient (Hiichi) 3).
  • FIG. 8 is a characteristic diagram showing the dependence of the positions of the excitation center and the reflection center on the electrode film thickness in the IDT of the TCS-RDT structure.
  • FIG. 9 shows an IDT used for the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a characteristic diagram showing the electrode thickness dependence of the positions of the excitation center and the reflection center.
  • FIG. 10 is a plan view showing a configuration of a transmission type surface acoustic wave filter to which the present invention is applied.
  • FIG. 11 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of a transmission type surface acoustic wave filter to which the present invention is applied and a transmission type surface acoustic wave filter using an IDT of a TCS-RDT structure as a reception electrode.
  • FIG. 12 is an enlarged characteristic diagram of the vicinity of the passband of the filter in the frequency characteristic shown in FIG.
  • FIG. 13 is a plan view showing an IDT of a conventional EWD-RDT structure.
  • FIG. 14 is a plan view showing an electrode structure of an IDT used in the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention.
  • Fig. 15 is a characteristic diagram showing the electrode thickness dependence of the phase difference ( ⁇ - ⁇ ) between the inter-mode coupling coefficient and the excitation coefficient.
  • FIG. 16 is a characteristic diagram showing the electrode film thickness dependence of the positions of the excitation center and the reflection center in the ID of the EWD-RDT structure.
  • FIG. 17 is a characteristic diagram showing the electrode film thickness dependence of the positions of the excitation center and the reflection center in the IDT used in the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a plan view showing a configuration of a transmission type surface acoustic wave filter to which the present invention is applied.
  • FIG. 19 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of a transmission type surface acoustic wave filter to which the present invention is applied and a transmission type surface acoustic wave filter using an IWD having an EWD-RDT structure as a reception electrode.
  • FIG. 20 is an enlarged characteristic diagram of the vicinity of the passband of the filter in the frequency characteristics shown in FIG.
  • FIG. 21 shows the phase difference between the coupling coefficient between the mode and the excitation coefficient —] 3), the wavelength ⁇ of the surface acoustic wave, and the center distance g between the positive electrode and the floating electrode in the surface acoustic wave converter.
  • FIG. 4 is a characteristic diagram showing the dependence of the ratio on the g / ⁇ .
  • FIG. 22 is a plan view showing an electrode structure of the IDT used for the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention.
  • Figure 23 is a characteristic diagram showing the electrode thickness dependence of the phase difference (Hi-3) between the excitation coefficient ⁇ and the inter-mode coupling coefficient ⁇ , 2 .
  • FIG. 24 is a characteristic diagram showing the dependence of the normalized excitation coefficient on the electrode film thickness.
  • FIG. 25 is a characteristic diagram showing the electrode film thickness dependence of the positions of the excitation center and the reflection center in the IDT used in the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 26 is a plan view showing a configuration of a transmission type surface acoustic wave filter to which the present invention is applied.
  • FIG. 27 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of a transmission type surface acoustic wave filter to which the present invention is applied and a transmission type surface acoustic wave filter using an IDT of a TCS-RDT structure as a reception electrode.
  • FIG. 1 shows a schematic diagram of a regular electrode.
  • this normal electrode is composed of a positive electrode 1 and a negative electrode 2, and a positive electrode finger 1 ⁇ constituting the positive electrode 1 and a negative electrode 2 disposed on the left and right of the positive electrode finger 1A.
  • the periodically arranged electrode fingers having an electrode width of ⁇ 4 become a reflection source of surface acoustic waves. Since the reflection is caused by the discontinuity of the acoustic impedance, the surface acoustic waves are reflected at the end of each electrode finger. As described above, the surface acoustic waves are reflected at the two positions at both ends of the electrode finger, but there is no problem in that the surface acoustic wave is equivalently reflected at the center of the electrode finger. At this time, the phase of the reflected wave changes. The amount of this change depends on the type of piezoelectric substrate, its cut surface, the propagation direction of surface acoustic waves, and the electrode material and its thickness. O
  • the phase of the reflected wave is delayed by 90 °, that is, the phase change is 90 °.
  • the substrate orientation and the surface acoustic wave propagation direction are ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) in Euler angle display as a piezoelectric crystal, ⁇ 5 ° ⁇ 5 °, 135 ° ⁇ 0 ⁇ 145 °, 2
  • a normal type IDT is formed by using a langasite single crystal within the range of 0 ° ⁇ ⁇ 30 ° or having a crystallographically equivalent orientation as the substrate and using A1 as the electrode material.
  • phase change of the surface acoustic wave reflected by the electrode finger is -90 + 2 ⁇ .
  • phase at point A of the wave reflected on the path A ⁇ C ⁇ A is
  • the excitation center and the reflection center are described by the mode coupling parameters when using the mode coupling theory.
  • the mode coupling parameters consist of the self coupling coefficient An, the coupling coefficient between modes / 12 , the excitation coefficient ⁇ , and the capacitance C.
  • mode coupling coefficient between kappa 12 is
  • TCS-RDT Transduction Center Shift type Reversal of Directivity Transducer structure
  • Mr. Takeuchi in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-125484 and an embodiment of the present invention.
  • the results of the analysis of the positions of the excitation center and the reflection center in the electrode structure of the surface acoustic wave device according to the above using the mode coupling theory are shown.
  • the cut surface and propagation direction of the Langasite substrate shown here are Euler angles (0, 140 °, 24 °).
  • A1 is used as an electrode material.
  • FIG. 3 shows the TCS-RDT structure
  • FIG. 4 shows the electrode structure of the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention.
  • the electrodes of the TCS-RDT structure are composed of a positive electrode 10 and a negative electrode 20.
  • Positive electrode fingers 12 and 14 forming positive and negative electrodes and a negative electrode forming negative electrode 20.
  • Finger 22 , 24 both have an electrode width of ⁇ 8 and the center distance between the positive electrode finger 12 and the negative electrode finger 24 is 6 ⁇ / 8.
  • the floating electrode 30 provided between the positive electrode finger 12 and the negative electrode finger 24 has an electrode width of 3 ⁇ / 8, and has a center distance between the positive electrode finger 12 and the floating electrode 30. g is 3 ⁇ 8.
  • the electrodes of the surface acoustic wave converter used in the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention include a positive electrode 100 and a negative electrode 200 as shown in FIG.
  • the positive electrode fingers 102 and 104 constituting the positive electrode 100 and the negative electrode fingers 202 and 204 constituting the negative electrode 200 both have an electrode width of 8 and the positive electrode
  • the center distance between the finger 102 and the negative electrode finger 204 is 6 ⁇ 8.
  • the floating electrode 300 provided between the positive electrode finger 102 and the negative electrode finger 204 has an electrode width of 11 ⁇ 140, and the positive electrode finger 102 and the floating electrode 300 And the center distance g is 13 ⁇ 40.
  • the reference planes of the phases of the excitation coefficient ⁇ and the mode coupling coefficient ⁇ 12 are both the centers of the negative electrode fingers 24, 204 having a width of ⁇ 8.
  • FIG. 6 shows the dependence of the phase term j3 of the excitation coefficient ⁇ on the electrode thickness in the TCS-RDT structure and the electrode structure of the present invention, respectively.
  • Figure 7 shows the excitation coefficient ⁇ and the coupling coefficient between modes /! 2 shows the dependence of the phase difference ( ⁇ ) 3) on the electrode film thickness.
  • the negative sign of the phase difference (hi / 3) means that the unidirectional direction of the TCS-RDT structure is opposite to the natural unidirectional direction.
  • the normalized electrode thickness ⁇ ( ⁇ is the electrode thickness) changes between 0 and 0.05, and the size changes from around 0 ° to ⁇ 30 °.
  • this is the angle that optimizes the unidirectionality—it does not reach up to 45 °.
  • the electrode structure according to the embodiment of the present invention when the standardized film thickness is about 0.013, the value of the phase difference ( ⁇ ) 3 becomes unidirectional. It turns out that it is 45 ° to be optimized.
  • Fig. 8 shows the dependence of the position of the excitation center and the reflection center on the electrode film thickness for the TCS-RDT structure (Fig. 3), and the surface according to the embodiment of the present invention.
  • Figure 9 shows the electrode thickness dependence of the positions of the excitation center and the reflection center with respect to the electrode structure of the surface acoustic wave converter used for the acoustic wave device (Fig. 4).
  • Figures 8 and 9 In the upper part, a plan view of the electrode structure is shown, and in the lower graph, a sectional view of the electrode structure is shown in order to clarify the positional relationship in the propagation direction of the surface acoustic wave.
  • the reflection center is indicated by ⁇
  • the excitation center is indicated by X.
  • the reflection center exists on the left side with respect to the excitation center, and the distance between the two exists. Since the difference is about 8, the one-way direction is on the left side of the paper, indicating that the one-way direction is reversed from the natural one-way direction.
  • the distance relationship between the positive electrode finger, the negative electrode finger, and the floating electrode in the surface acoustic wave converter is as follows: When the wavelength of the surface acoustic wave is ⁇ , the width of the positive electrode finger and the negative electrode finger is approximately ⁇ . / 8, the center distance between both electrode fingers is about 6 8 8 ⁇ , the distance g between the center of the positive electrode finger and the center of the floating electrode is 13 40 40 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ 14 ⁇ 40 ⁇ , and the width W of the floating electrode is W If 1 1 ⁇ ⁇ W ⁇ 13/40 ⁇ , the unidirectionality can be reversed from the natural unidirectional direction.
  • a normal type IDT 310 as a transmitting electrode and an IDT 320 as a receiving electrode are provided on the Langasite substrate 300 along the propagation direction (+ X direction) of the surface acoustic wave.
  • the normal type IDT 310 includes a positive electrode 312 and a negative electrode 314, and a plurality of positive electrode fingers 313 and a plurality of negative electrode fingers 315, both of which have an electrode width and an electrode interval of 4, are periodically and continuously arranged. It is formed and realizes unidirectionality using the NPUDT characteristics.
  • the IDT 320 as a receiving electrode uses the electrode structure of the present invention, and includes a positive electrode 322, a negative electrode 324, and a floating electrode 330.
  • the electrode width of the positive electrode finger 323 and the negative electrode finger 325 is ⁇ 8, the center distance between the electrode fingers 323 and 325 is 6 ⁇ 8, and the distance g between the center of the positive electrode finger 323 and the center of the floating electrode 330 is 13 ⁇ / 40, and the width W of the floating electrode 330 is 11 ⁇ 40.
  • This receiving electrode The structure is the same as the structure shown in FIG.
  • the second transmission type surface acoustic wave filter uses the same regular type IDT as the first transmission type surface acoustic wave filter as the transmission electrode and the reception electrode.
  • the IDT of the TCS-RDT structure shown in Fig. 4 was used for the measurement.
  • the two filters are arranged such that one direction of the transmitting and receiving electrodes is opposed to each other.
  • a damper agent 340 is applied to both ends of the langasite substrate 300 to absorb the reflection of surface acoustic waves at the ends.
  • the period length ⁇ of the electrode fingers of filters # 1 and # 2 is 32.15 m, and the thickness of electrode A1 is 500 nm (5000 A).
  • the transmission and reception electrodes are weighted by thinning.
  • FIG. 12 is an enlarged view of the vicinity of the pass band of the filter in the frequency characteristic shown in FIG. From FIGS. 11 and 12, it can be seen that the passband insertion loss, in-band ripple, and in-band delay ripple of the filter of the present invention are improved. Specifically, as shown in Table 1, the passband insertion loss of the filter # 1 is --8 O dB, whereas that of the filter # 2 is 1-9 O dB, and the in-band ripple is Evening # 1 is 0.24 dB, whereas filter # 2 is 0.58. The in-band delay ripple is 69.5 nsec for filter # 1, whereas it is 80.0 nsec for filter # 2.
  • FIG. 1 shows a schematic diagram of a regular electrode.
  • this normal electrode is composed of a positive electrode 1 and a negative electrode 2, and a positive electrode finger 1 ⁇ constituting the positive electrode 1 and a negative electrode 2 disposed on the left and right of the positive electrode finger 1A.
  • An electric field is generated between the constituent negative electrode fingers 2A and 2B.
  • the excitation center of the surface acoustic wave generated on the langasite piezoelectric substrate by being excited by the electric field is substantially the center A of the positive electrode finger 1A.
  • the periodically arranged electrode fingers having an electrode width of ⁇ 4 become a reflection source of surface acoustic waves. Since the reflection is caused by the discontinuity of the acoustic impedance, the surface acoustic waves are reflected at the end of each electrode finger. As described above, the surface acoustic waves are reflected at the two positions at both ends of the electrode finger, but there is no problem in that the surface acoustic wave is equivalently reflected at the center of the electrode finger. At this time, the phase of the reflected wave changes. The amount of the change depends on the type of the piezoelectric substrate, the cut surface thereof, the propagation direction of the surface acoustic wave, and the electrode material and its thickness.
  • the phase of the reflected wave is delayed by 90 °, that is, the phase change amount is 90 °.
  • the substrate orientation and the surface acoustic wave propagation direction of the piezoelectric crystal are expressed as Euler angles ( ⁇ , ⁇ ,), 15 ° ⁇ 5. , 1 35 ° ⁇ 0 ⁇ 1 45 °, 20.
  • the electrode finger When a normal-type IDT is formed using a Langasite single crystal in the range of ⁇ ⁇ ⁇ 30 ° or an equivalent orientation as the substrate and using A1 as the electrode material, the electrode finger
  • the phase change amount of the surface acoustic wave reflected by the light is ⁇ 90 ° + 2 ⁇ .
  • this 2 ⁇ is considered as a phase shift at the time of reflection, and the reflection center is defined as being shifted from the center of the electrode finger by an amount corresponding to this 2 ⁇
  • the shift of the reflection center ⁇ 5 is Becomes
  • positive, the reflection center shifts to the right from the center of the electrode finger, and when ⁇ is negative, the reflection center shifts to the left.
  • phase at point A of the wave reflected on the path A ⁇ C ⁇ A is
  • the excitation center When, it becomes possible to realize unidirectionality in the direction from the excitation center to the reflection center.
  • a periodic electrode structure (IDT) capable of exciting surface acoustic waves is formed on any crystal, whether or not the surface acoustic wave converter has unidirectionality depends on whether the center of excitation and the center of reflection are present. If the position can be specified, it can be determined.
  • the positions of the excitation center and the reflection center are described by a mode coupling parameter when using the mode coupling theory.
  • the mode coupling parameter is composed of a self-coupling coefficient, an inter-mode coupling coefficient, an excitation coefficient, and a capacitance C. .
  • the coupling coefficient between modes is
  • EWD-RDT structure a unidirectional inversion electrode structure (hereinafter, referred to as an EWD-RDT structure) proposed by Mr. Takeuchi in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-204492 and a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention are described. The results of the analysis of the positions of the excitation center and the reflection center in the electrode structure based on mode coupling theory are shown. The cut surface and propagation direction of the Langasite substrate shown here are (0 °, 140 °, 24 °) in Euler angles. A1 is used as an electrode material.
  • FIG. 13 shows the EWD-RDT structure
  • FIG. 14 shows the electrode structure of the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention.
  • the electrodes of the ETO-RDT structure are composed of a positive electrode 410, a negative electrode 420, and a floating electrode 430, and the positive electrode fingers 412, 414 constituting the positive electrode 410.
  • the negative electrode finger 422 constituting the negative electrode 420 has an electrode width of ⁇ 8, and the center distance between the positive electrode finger 412 and the negative electrode finger 422 is ⁇ 2.
  • an electrode finger having a width of ⁇ 4 is provided between the positive electrode finger and the negative electrode finger.
  • a floating electrode 430 in which a pair of adjacent electrode fingers 432 and 434 is short-circuited is formed. The distance between the edges of the electrode fingers 4 1, 2, 414 or the negative electrode finger 422 and the floating electrode 430 is formed so that ⁇ 6.
  • the electrodes of the surface acoustic wave converter used in the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention include a positive electrode 150, a negative electrode 250, and a floating electrode as shown in FIG.
  • the positive electrode fingers 1 52 and 1 54 that constitute the positive electrode 150 and the negative electrode finger 2 52 that constitutes the negative electrode 250 both have an electrode width of ⁇ 6.
  • the center distance between the positive electrode finger 1 52 and the negative electrode finger 2 52 is ⁇ 2.
  • a pair of electrode fingers 3 52 and 3 54 straddle the negative electrode finger 2 52 between the positive electrode finger 152 and the positive electrode finger 154.
  • the width of the electrode fingers 352, 354 is ⁇ 4
  • the center of the positive electrode finger 1 52 and a pair of electrode fingers 3 52, Of the 354 is 7 ⁇ / 32.
  • the reference plane of the phase of the excitation coefficient ⁇ and the phase of the inter-mode coupling coefficient are the centers of the positive electrode fingers 414 and 154 having a width of ⁇ 8, respectively.
  • Fig. 15 shows the dependence of the phase difference ( ⁇ / 3) between the excitation ⁇ and the coupling coefficient between modes on the electrode film thickness.
  • the negative sign of the phase difference (h) 3) means that the unidirectional direction of the EWD-RDT structure is opposite to the natural unidirectional direction.
  • the normalized electrode film thickness ⁇ ( ⁇ is the electrode film thickness) is between 0 and 0.05, and the magnitude of is from about 137.5 ° to about 32 °.
  • the angle does not reach the angle at which the unidirectionality is optimized, ie, 1 45 °.
  • the value of the phase difference ( ⁇ / 3) optimizes the unidirectionality. It turns out that it becomes 45 degrees.
  • Fig. 16 shows the dependence of the position of the excitation center and the reflection center on the electrode film thickness for the EWD-RDT structure (Fig. 13).
  • Figure 17 shows the electrode thickness dependence of the positions of the excitation center and the reflection center for the electrode structure of the surface acoustic wave converter used in the surface acoustic wave device according to the embodiment (Fig. 14).
  • a plan view of the electrode structure is shown in the upper part, and a cross-sectional view of the electrode structure is shown in the lower graph to clarify the positional relationship in the propagation direction of surface acoustic waves. is there.
  • the center of reflection is indicated by ⁇
  • the center of excitation is indicated by X.
  • the reflection center exists on the left side with respect to the excitation center, and the distance between them is Since the difference is approximately ⁇ 8, the unidirectional direction is on the left side of the paper, and it can be seen that the unidirectional direction is reversed with respect to the natural unidirectional direction.
  • FIG. 21 shows the center of the positive electrode finger in the surface acoustic wave converter and the phase difference between the excitation ⁇ and the coupling coefficient between modes- ⁇ ) of the pair of electrode fingers constituting the floating electrode.
  • FIG. 4 shows characteristics of dependence on a ratio between a distance g between a center of the electrode finger of the floating electrode adjacent to the electrode finger in the surface acoustic wave propagation direction and a wavelength ⁇ of the surface acoustic wave.
  • the phase difference- ⁇ ) becomes -45 °, which is the optimum angle for reversing the directionality, within the range of 48 ⁇ 24 O ⁇ gZA 5624 0 I understand.
  • the distance relationship between the positive electrode finger, the negative electrode finger, and the floating electrode in the surface acoustic wave converter is such that when the wavelength of the surface acoustic wave is ⁇ , the center distance between the positive electrode finger and the negative electrode finger is approximately ⁇ 2, the width d of both electrode fingers is ⁇ / 20 ⁇ d ⁇ AZl0, the width W of the electrode finger of the floating electrode is about ⁇ / 4, the center of the positive electrode finger, and a pair constituting the floating electrode
  • the distance g of the floating electrode adjacent to the positive electrode finger in the surface acoustic wave propagation direction from the center of the electrode finger becomes 48 ⁇ / 24 0 ⁇ g ⁇ 56 ⁇ / 240, and the floating electrode Is formed so that each of the pair of electrode fingers is biased so as to approach the adjacent positive electrode finger or negative electrode finger located on the left side, thereby inverting the unidirectionality with respect to the natural unidirectional direction. be able to.
  • a normal type IDT 510 as a transmitting electrode and an IDT 520 as a receiving electrode are arranged on the Langasite substrate 500.
  • the normal type IDT 5 10 is composed of a positive electrode 5 12 and a negative electrode 514, and has a plurality of positive electrode fingers 5 13 and negative electrode fingers 5 15 whose electrode width and electrode interval are both ⁇ 4. It is formed so as to be arranged continuously, and realizes unidirectionality using NSPUDT characteristics.
  • the IDT 520 as a receiving electrode uses the electrode structure of the present invention, and includes a positive electrode 522, a negative electrode 524, and a floating electrode 530.
  • the electrode width of the positive electrode finger 523 and the negative electrode finger 525 is long, and the center distance between the two electrode fingers 523, 525 is ⁇ 2, which is adjacent to the center of the positive electrode finger 523.
  • the floating electrode 5 The center distance g of the pole finger 532 is 7 ⁇ 32 and the width W of the electrode finger of the floating electrode 530 is ⁇ 4.
  • the structure of this receiving electrode is the same as the structure shown in FIG.
  • the second transmission-type surface acoustic wave filter as a test sample uses the same normal type IDT as the first transmission-type surface acoustic wave filter as the transmission electrode,
  • an IDT having the EWD-RDT structure shown in FIG. 13 was used for the receiving electrode.
  • both filters are arranged such that the one-way characteristics of the transmitting and receiving electrodes are opposed to each other.
  • a damper agent 540 is applied to both ends of the langasite substrate 500 to absorb the reflection of surface acoustic waves at the ends.
  • the period length ⁇ of the electrode fingers of filters # 1 and # 2 is 32.15 m, and the thickness of electrode A1 is 300 nm (3000 A).
  • the transmitting and receiving electrodes are weighted by thinning.
  • FIG. 19 and 20 show the measurement results of the frequency characteristics of Phil Yu # 1 and Phil Yu # 2.
  • FIG. 20 is an enlarged view of the vicinity of the pass band of the filter in the frequency characteristic shown in FIG. It can be seen from FIGS. 19 and 20 that both the passband insertion loss and the in-band ripple of the filter of the present invention are improved. Specifically, as shown in Table 2, the passband insertion loss of the filter # 1 is --8.84 dB, while that of the filter # 2 is --10.68 dB. The inner ripple is 0.36 dB for filter # 1, whereas it is 0.46 dB for filter # 2.
  • FIG. 1 shows a schematic diagram of a regular electrode.
  • this normal electrode comprises a positive electrode 1 and a negative electrode 2, and comprises a positive electrode finger 1A constituting the positive electrode 1 and a negative electrode 2 arranged on the left and right sides of the positive electrode finger 1A.
  • An electric field is generated between the constituent negative electrode fingers 2A and 2B.
  • the excitation center of the surface acoustic wave generated on the langasite piezoelectric substrate by being excited by this electric field is substantially the center A of the positive electrode finger 1A.
  • the periodically arranged electrode finger having an electrode width of ⁇ / 4 is a reflection source of surface acoustic waves. Since the reflection is caused by the discontinuity of the acoustic impedance, the surface acoustic waves are reflected at the end of each electrode finger. As described above, the surface acoustic waves are reflected at the two positions at both ends of the electrode finger, but there is no problem in that the surface acoustic wave is equivalently reflected at the center of the electrode finger. At this time, the phase of the reflected wave changes. The amount of the change depends on the type of the piezoelectric substrate, the cut surface thereof, the propagation direction of the surface acoustic wave, and the electrode material and its thickness.
  • the phase of the reflected wave is delayed by 90 °, that is, the phase change amount is 90 °.
  • the substrate orientation and the surface acoustic wave propagation direction are ( ⁇ , ⁇ , ⁇ ) in the Euler angle display as a piezoelectric crystal, the angles are 15 ° ⁇ 5 °, 135 ° ⁇ 0 ⁇ 145 °, 2
  • a normal type IDT was formed by using a langasite single crystal within the range of 0 ° ⁇ ⁇ ⁇ 30 ° or having a crystallographically equivalent orientation as the substrate, and using A1 as the electrode material.
  • the phase change amount of the surface acoustic wave reflected by the electrode finger is 90 + 2 ⁇ .
  • this 2 ⁇ is considered as a phase shift at the time of reflection, if the reflection center is defined as deviating from the center of the electrode finger by an amount corresponding to the two ⁇ , then the reflection center deviation (5
  • ⁇ 5 ⁇ (1).
  • the excitation center It is possible to realize unidirectionality from the direction of the reflection center.
  • a periodic electrode structure IDT
  • whether or not the surface acoustic wave converter has unidirectionality depends on whether the center of excitation and the center of reflection are present. If the position can be specified, it can be determined.
  • mode coupling parameter described position by mode coupling parameter Isseki when using mode one de-binding theory of excitation center and the reflection center self-coupling coefficient /, intermodal coupling coefficient AC 12, excitation coefficients zeta, electrostatic Consists of capacity C.
  • mode coupling coefficient between / c 12 is
  • TCS-RDT Transduction Center Shift type Reversal of Directivity Transducer structure
  • Mr. Takeuchi in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-125254 is the present invention.
  • the results of analyzing the positions of the excitation center and the reflection center in the electrode structure of the surface acoustic wave device according to the embodiment using the mode coupling theory are shown.
  • the cut surface and propagation direction of the Langasite substrate shown here are (0 °, 140 °, 24 °) in Euler angle display.
  • A1 is used as an electrode material.
  • FIG. 3 shows the TCS-RDT structure
  • FIG. 22 shows the electrode structure of the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention.
  • the electrode of the TCS-RDT structure is composed of a positive electrode 10 and a negative electrode 20.
  • the positive electrode finger 12 , 14 and the negative electrode fingers 22 and 24 constituting the negative electrode 20 both have an electrode width of ⁇ 8, and the center distance between the positive electrode finger 12 and the negative electrode finger 24 is 6 ⁇ 8. is there.
  • the floating electrode 30 provided between the positive electrode finger 12 and the negative electrode finger 24 has an electrode width of 3 ⁇ 8, and the center distance g between the positive electrode finger 12 and the floating electrode 30 is g 3 ⁇ 8.
  • the electrodes of the surface acoustic wave converter used in the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention include a positive electrode 160 and a negative electrode 260 as shown in FIG.
  • the wavelength of the surface acoustic wave is ⁇
  • the width of the positive electrode fingers 16 2 and 164 constituting the positive electrode 160 is approximately ⁇ 8, and one side of one positive electrode finger 16 2
  • the first negative electrode finger 262 and the second negative electrode finger 264 are disposed on the right side of the reference numeral 22.
  • the distance dl from the center of the positive electrode finger 16 2 to the center of the negative electrode finger 26 2 whose electrode width W1 is 18/8/80 A ⁇ W1 ⁇ 2 0 "80 ⁇ is 2 3
  • the distance d 2 from the center of 16 2 is 54 4 8 0 ⁇ 2 ⁇ 5 5/8 0 ⁇ .
  • the parameters of the electrode structure of the receiving electrode are as follows.
  • the width of the first positive electrode finger is approximately ⁇ 8, and the electrode width W1 is 20 to 80 mm.
  • the distance dl from the center of the electrode finger is 2 3/8 0 ⁇ .
  • the distance d2 between the center of the second negative electrode finger and the center of the first positive electrode finger having an electrode width W2 of 26 ⁇ 80 ⁇ is 5480 ⁇ .
  • the normalized electrode thickness ⁇ ( ⁇ is the electrode thickness) is between 0 and 0.05, and the magnitude of ⁇ - ⁇ ) is about 1 ° from around 0 °. And the angle does not reach as high as one hundred and fifty-five degrees, which is an angle for optimizing the one-way direction, as is apparent from equation (8).
  • the electrode structure according to the embodiment of the present invention when the normalized film thickness is between about 0.01 and 0.05, the value of the phase difference ( ⁇ / 3) is reduced. It can be seen that the angle is one hundred and fifty-five degrees to optimize the one-way direction.
  • FIG. 24 shows the electrode thickness dependence of the normalized excitation coefficient ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ 2 ( ⁇ ⁇ C) in the surface acoustic wave device electrode structure and the TCS-RD structure according to the embodiment of the present invention.
  • the magnitude of the normalized excitation coefficient increases by about 10% as compared with the TCS-RDT structure. Since the excitation coefficient corresponds to the conversion efficiency of electroacoustic conversion, the larger the value, the lower the loss of the device.
  • FIG. 25 shows the electrode thickness dependence of the positions of the excitation center and the reflection center with respect to the electrode structure of the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention.
  • a plan view of the electrode structure of the surface acoustic wave device shown in Fig. 22 is shown in the upper part, and in the lower part of the graph, the surface acoustic wave is described in order to clarify the positional relationship in the propagation direction of the surface acoustic wave.
  • a cross-sectional view of the electrode structure of the device is shown corresponding to a plan view.
  • the reflection center is indicated by ⁇
  • the excitation center is indicated by X '.
  • the reflection center exists on the left side with respect to the excitation center, and the difference between the two is approximately ⁇ 8. Therefore, the unidirectional direction is on the left side of the paper, and it can be seen that the unidirectional direction is reversed with respect to the natural unidirectional direction.
  • two types of transmission type surface acoustic wave filters constructed using the electrode structure of the surface acoustic wave converter used in the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention were prototyped, and the characteristics were evaluated. Is shown.
  • FIG. 26 shows the configuration of the first transmission-type surface acoustic wave filter (referred to as “fill # 1”) as a sample under test.
  • a regular type IDT 610 as a transmitting electrode and an IDT 620 as a receiving electrode are provided on the Langasite substrate 600 along the propagation direction (+ X direction) of the surface acoustic wave.
  • the normal type IDT 610 is composed of a positive electrode 6 12 and a negative electrode 614, and the positive electrode finger 6 13 and the negative electrode finger 6 15 whose electrode width and electrode spacing are both 4 are periodic. It is formed so as to be continuously arranged in multiple locations, and realizes unidirectionality using the NPUDT characteristic.
  • IDT 620 as a receiving electrode uses the electrode structure of the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention, and includes positive electrode 622 and negative electrode 624.
  • the electrode structure parameter of the receiving side electrode is as follows: the width of the positive electrode finger 623 is approximately ⁇ 8, and the first negative electrode finger 625 whose electrode width W1 is 20 80 ⁇ from the center of the positive electrode finger 623. The distance dl to the center of is 2380 ⁇ . Further, the distance d2 between the center of the second negative electrode finger 624 having an electrode width W2 of 2680 ⁇ and the center of the first positive electrode finger 623 is 5480 ⁇ .
  • the second transmission-type surface acoustic wave filter (referred to as “fill # 2”) as the sample under test has the same normal type IDT as the first transmission-type surface acoustic wave filter at the transmitting electrode.
  • the IDT of the TCS-RDT structure shown in Fig. 3 was used for the receiving electrode.
  • the two filters are arranged such that the one-way electrodes of the transmitting and receiving electrodes face each other.
  • a damper agent 640 for absorbing the reflection of surface acoustic waves at the ends is applied to both ends of the langasite substrate 600.
  • the period length ⁇ of the electrode fingers of filters # 1 and # 2 is 32.15, and the thickness of electrode A1 is 500 nm (5000 mm).
  • the transmitting and receiving electrodes are weighted by thinning.
  • FIG. 27 shows the measurement results of the frequency characteristics of Filter # 1 and Filter # 2. From Fig. 27, the minimum insertion loss, in-band ripple, and in-band delay It can be seen that both ripples have been improved. Specifically, as shown in Table 3, the minimum insertion loss in the passband is -7.8 dB for filter # 1, whereas it is -9.0 dB for filter # 2. The ripple is 0.25 dB for filter # 1, whereas it is 0.58 dB for filter # 2. The in-band delay ripple is 67.3 nsec for filter # 1, whereas it is 80. 0 nsec for filter # 2.
  • a positive electrode finger and a negative electrode finger are formed on a surface of a langasite single-crystal substrate whose substrate direction and surface acoustic wave propagation direction are selected so as to have a natural unidirectional property, and are disposed between the positive electrode finger and the negative electrode finger.
  • a surface acoustic wave device having a surface acoustic wave converter composed of a floating electrode, wherein the surface acoustic wave converter is configured such that each of the electrodes extends along the propagation direction of the surface acoustic wave so that the natural unidirectionality is reversed.
  • parameters for specifying the electrode structure that is, the width of the positive electrode finger and the negative electrode finger, the center distance between the positive electrode finger and the negative electrode finger, and the parameters of the positive electrode finger and the floating electrode.
  • the substrate orientation and the surface acoustic wave propagation have a natural unidirectionality.
  • a surface acoustic wave device having a surface acoustic wave converter formed so as to be short-circuited across an electrode finger, wherein the surface acoustic wave converter propagates a surface acoustic wave so that natural unidirectionality is reversed.
  • each of the electrodes is formed along the direction, the parameters for specifying the electrode structure, that is, the width of the positive electrode finger and the negative electrode finger, the width of the positive electrode finger and the negative electrode finger, By appropriately selecting the center distance, the center distance between the positive electrode finger and the floating electrode, and the width of the floating electrode, a low-loss transmission type surface acoustic wave filter can be configured.
  • the substrate orientation and the surface acoustic wave propagation direction are selected on the surface of the langasite single crystal substrate selected to have a natural unidirectionality, and are arranged within the period of the wavelength ⁇ of the surface acoustic wave.
  • a surface acoustic wave device comprising a positive electrode finger to be provided, and a first negative electrode finger and a second negative electrode finger disposed on one side of the positive electrode finger, Since the surface acoustic wave converter forms each of the electrodes along the propagation direction of the surface acoustic wave so that the natural unidirectionality is reversed, the parameters for specifying the electrode structure, that is, The widths of the first and second positive electrode fingers and the first and second negative electrode fingers, and the center-to-center distances between the first positive electrode finger and the first and second negative electrode fingers are appropriately selected. This makes it possible to construct a low-loss transmission-type surface acoustic wave filter.

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Description

明細書
表面弾性波素子 技術分野
本発明は、 移動体通信機器等に用いられる表面弾性波素子に関する。 背景技術
近年、 携帯電話 ·携帯端末等の移動体通信機器が飛躍的に普及しているが、' こ れら端末に用いられるフィル夕には低損失、 広帯域、 小型等の特性が求められ、 これらの特性を満たすデバイスとして単相一方向性変換器をもつ伝送型表面弾性 波 (SAW) フィル夕が実用化されている。 単相一方向性フィルタにおいては、 励振波と反射波との位相差が、 前方 (順方向) には同相となり 2つの波が強め合 い、 反対方向 (逆方向) では 2つの波が打ち消しあうため前方方向のみに表面弾 性波が強く励振される。 これにより、 送信電極と受信電極の一方向性の向きを向 かい合わせる事により、 理論的には 1 d B以下の低損失フィルタを実現する事が 可能となる。
一方向性変換器を実現する手法としては、 非対称な電極構造を用いた EWC- S JD T、 DART— SPUDTが考案されている。 電極構造の非対称性を利用したこれらのフィ ル夕のほかに、 自然一方向性フィル夕 (NSPUDT: Natural Single Phase Unidire citonal Transducer) というものがある。 自然一方向性フィル夕は、 基板結晶の 非対称性を利用し一方向性を実現する。 このため、 正規型インターディジタルト ランスジユーザ ( I DT) 構造と呼ばれる、 電極幅及び電極間隔がともに λ/4 となる正負電極指が周期的に複数連続的に配置された構造の変換器で一方 向性が実現できる。
S Τ— X水晶基板上に、 正規型 I DTを形成しても正規型 I DTを励振駆動す ることにより発生する弾性表面波は ST— X水晶基板上において正規型 I DTの 双方向に伝搬してしまい、 一方向性を実現できない。 つまり、 自然一方向性とは 、 圧電基板表面に正規型 I DTを形成したときに一方向に弾性表面波が強く励振 される基板の特性を示すものである。 この自然一方向性基板を用いる弾性表面波 変換器では、 基板自体の異方性を利用しているため送信側変換器と受信側変換器 の順方向を向かい合わせる事が出来ない。 送受信電極間で一方向性を向かい合わ せる事ができなけれは低損失なフィルタを作製することは不可能である。
この問題を解決する手段として、 竹内氏らによって自然一方向性の方向を反転 させる電極構造として、 特開平 8— 125484号公報において、 幅がほぼ λ/ 8で λのピッチで配列された正および負の電極指と、 この電極指の間にほぼ λΖ 8のエッジ間隔で配置された電極幅が 3 8 λの浮き電極によって構成された表 面弾性波変換器が提案されている。
自然一方向性の方向を反転させる電極構造を用いて、 一方向性を向かい合せる 低損失のフィル夕が竹内氏等によって特開平 8— 204492号公報において提 案されている。 竹内氏等によって提案された自然一方向性の方向を反転させる電 極構造は、 表面弾性波の波長を λとしたときに、 正電極指および負電極指がそれ ぞれ、 λのピッチで配列され、 正電極と負電極の中心間距離は λΖ2であり、 正 電極指と負電極指との間に幅が λΖ4の浮き電極を形成しており、 正電極指また は負電極指と、 浮き電極とのエッジ間距離は λ/1 6となるように形成されてい る。 そして少なくとも、 隣接する一組の浮き電極は短絡しており (上記公報にお ける図 5) 、 すべての浮き電極が短絡する場合 (上記公報における図 6) も含ま れている。
表面弾性波デバイスの特性は、 基板として用いられる圧電結晶の特性に依存し ている。 この圧電結晶の特性として電気機械結合係数が大きいということと、 周 波数温度特性が良好であることが重要となる。 現在、 この 2つの特性を同時に満 足する結晶としてランガサイトが注目されている。 オイラー角表示で (φ, Θ, ゆ) とした時に一 5° ≤φ≤5° , 1 35° ≤0≤ 145° , 20° ≤ ≤30 。 の範囲内にあるランガサイトは電気機械結合係数が 0. 3%〜0. 4%であり 、 周波数温度特性は 2次の依存性を示し、 室温付近に頂点温度が存在する。 電気 機械結合係数は S Τ水晶の約 3倍であり、 周波数温度特性における 2次温度係数 は水晶の 2倍程度と非常に良好な特性をもち、 低損失な表面弾性波フィル夕への 応用が期待される結晶である。
オイラー角表示で前記範囲内にあるランガサイト単結晶は NSPUDT特性をもち、 この基板を用いて低損失フィル夕を実現するには、 送受信電極で一方向性の向き が対向するような電極構造を構成しなければならない。 そのために、 送信電極に 電極幅及び電極間隔がともに久 4となる正負電極指が周期的に複数連続的に配 置された正規型 I DTを用いた場合には、 受信電極には一方向性が反転した構造 を用いなければならないが、 竹内氏らより提案されている電極構造では、 ランガ サイト基板で最適な一方向性反転が実現できておらず、 フィル夕の低損失化とい う要求にこたえることが出来ない。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、 より低損失な伝送型表面 弾性波 (SAW) フィルタを構成することを可能とした、 表面弾性波素子を提供 することを目的とする。 発明の開示
請求の範囲第 1項に記載の発明は、 自然一方向性を有するように基板方位及び 表面弾性波伝搬方向が選択されたランガサイト単結晶基板表面に形成される、 正 電極指と負電極指とその間に配置される浮き電極からなる表面弾性波変換器を有 する表面弾性波素子であって、 前記表面弾性波変換器は自然一方向性が反転する ように表面弾性波の伝搬方向に沿って、 前記各電極が形成されていることを特徴 とする。
請求の範囲第 2項に記載の発明は、 請求の範囲第 1項に記載の表面弾性波素子 において、 前記ランガサイト単結晶基板は、 基板方位および基板方位及び表面弾 性波伝搬方向をオイラー角表示で (Φ, Θ, ゆ) とした時に— 5 ° ≤φ≤ 5 ° , 1 3 5 ° ≤0≤ 1 45 ° , 2 0 ° ≤ ≤3 0。 の範囲内にあること、 またはこれ と結晶学的に等価な方位であることを特徴とする。
請求の範囲第 3項に記載の発明は、 請求の範囲第 2項に記載の表面弾性波素子 において、 前記表面弾性波変換器における前記正電極指、 負電極指および浮き電 極の距離関係は、 表面弾性波の波長を λとしたときに、 前記正電極指および負電 極指の幅がおよそ λΖ 8で両者の電極指の中心間隔がおよそ 6ノ 8 λとなり、 正 電極指の中心と浮き電極の中心間距離 gが 1 3 40 λ≤ g≤ 1 4/40 λとな り、 且つ浮き電極の幅 Wが 1 1ノ40 λ≤Ψ≤ 1 3/40 λとなることを特徴と する。
請求の範囲第 4項に記載の発明は、 自然一方向性を有するように基板方位及び 表面弾性波伝搬方向が選択されたランガサイト単結晶基板表面に形成される、 正 電極指と負電極指とこれらの間に配置される浮き電極からなり、 該浮き電極は隣 接する一対の電極指が前記負電極指を跨いで短絡するように形成された表面弾性 波変換器を有する表面弾性波素子であって、 前記弾性表面波変換器は自然一方向 性が反転するように表面弾性波の伝搬方向に沿って、 前記各電極が形成されてい ることを特徴とする。
請求の範囲第 5項に記載の発明は、 請求の範囲第 4項に記載の表面弾性波素子 において、 前記ランガサイト単結晶基板は、 基板方位および表面弾性波伝搬方向 をオイラー角表示で (Φ, θ , Φ) とした時に一 5 ° ≤φ≤ 5° , 135 ° ≤ 145° , 20° ≤ゅ≤30° の範囲内にあること、 またはこれと等価な方位 であることを特徴とする。
請求の範囲第 6項に記載の発明は、 請求の範囲第 5項に記載の表面弾性波素子 において、 前記弾性表面波変換器における前記正電極指、 負電極指および浮き電 極の距離関係は、 表面弾性波の波長を λとしたときに、 前記正電極指および負電 極指の中心間隔がおよそ λΖ2、 両者の電極指の幅 dが λΖ20≤d≤A/ 1 0 、 前記浮き電極の電極指の幅 Wがおよそ λΖ4、 前記正電極指の中心と、 前記浮 き電極を構成する一対の電極指のうち該正電極指に前記表面弾性波伝搬方向にお いて隣接する前記浮き電極の電極指の中心との距離 gが 48 λ/240≤g≤ 5 6 λΖ240となり、 前記浮き電極は、 前記一対の電極指の各々が隣接する左側 に位置する正電極指または負電極指に接近するように偏倚して形成されているこ とを特徴とする。
請求の範囲第 7項に記載の発明は、 自然一方向性を有するように基板方位及び 表面弾性波伝搬方向が選択されたランガサイ卜単結晶基板表面に形成され、 表面 弾性波の波長 λの周期内に配設される正電極指と、 該正電極指の片側に配設され る第 1の負電極指及び第 2の負電極指とからなる表面弾性波変換器を有する表面 弾性波素子であって、 前記弾性表面波変換器は自然一方向性が反転するように表 面弾性波の伝搬方向に沿って、 前記各電極が形成されていることを特徴とする。 請求の範囲第 8項に記載の発明は、 請求の範囲第 7項に記載の表面弾性波素子 において、 前記ランガサイト単結晶基板は、 基板方位及び弾性表面波伝搬方向を オイラー角表示で (Ψ, θ , ) とした時に一 5° ≤Φ≤ 5° , 1 35° 145° , 20° ≤ゅ≤30° の範囲内にあること、 またはこれと等価な方位で あることを特徴とする。
請求の範囲第 9項に記載の発明は、 請求の範囲第 8項に記載の表面弾性波素子 において、 前記表面弾性波変換器における前記正電極指に対する第 1及び第 2の 負電極指の位置関係とこれら電極指の幅は、 表面弾性波の波長を λとしたときに 、 前記正電極指の幅がおよそ λΖ8で、 該正電極指の中心から電極幅 W1 が 1 8 /80 A≤W1 ≤ 20Z80 λの範囲にある第 1の負電極指の中心までの距離 d 1 が 23Ζ80 λ≤ά1 ≤25ノ 80 λとなり、 さらに電極幅 W2 が 20/80 λ≤W2 ≤26/80 λの範囲にある第 2の負電極指と前記正電極指の中心との 距離 d2 が 54/80 λ≤<12 ≤ 5 5 /80 λとなることを特徴とする。 図面の簡単な説明
図 1は、 正規型 I DTの電極構造を示す平面図である。
図 2は、 図 1に示す正規型 I DTにより一方向性を実現するための励振中心と 反射中心の位置関係を示す説明図である。
図 3は、 従来の TCS-RDT 構造の I DTを示す平面図である。
図 4は、 本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子に用いられる I DTの電極 構造を示す平面図である。
図 5は、 モ一ド間結合係数 c! 2の位相項の電極膜厚依存性を示す特性図である 図 6は、 励振係数 ζの位相項の電極膜厚依存性を示す特性図である。
図 7は、 モード間結合係数と励振係数の位相差 (ひ一 ) 3) の電極膜厚依存性を 示す特性図である。
図 8は、 TCS- RDT 構造の I DTにおける励振中心と反射中心の位置の電極膜厚 依存性を示す特性図である。
図 9は、 本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子に用いられる I DTにおけ る励振中心と反射中心の位置の電極膜厚依存性を示す特性図である。 図 1 0は、 本発明を適用した伝送型表面弾性波フィル夕の構成を示す平面図で ある。
図 1 1は、 本発明を適用した伝送型表面弾性波フィル夕と、 TCS-RDT 構造の I D Tを受信電極とした伝送型表面弾性波フィル夕の周波数特性を示す特性図であ る。
図 1 2は、 図 1 1に示す周波数特性おいてフィル夕の通過域付近を、 拡大した 特性図である。
図 1 3は、 従来の EWD-RDT 構造の I D Tを示す平面図である。
図 1 4は、 本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子に用いられる I D Tの電 極構造を示す平面図である。
図 1 5は、 モード間結合係数と励振係数の位相差 ( α — β ) の電極膜厚依存性 を示す特性図である。
図 1 6は、 EWD-RDT 構造の I D Τにおける励振中心と反射中心の位置の電極膜 厚依存性を示す特性図である。
図 1 7は、 本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子に用いられる I D Tにお ける励振中心と反射中心の位置の電極膜厚依存性を示す特性図である。
図 1 8は、 本発明を適用した伝送型表面弾性波フィルタの構成を示す平面図で ある。
図 1 9は、 本発明を適用した伝送型表面弾性波フィルタと、 EWD-RDT 構造の I D Tを受信電極とした伝送型表面弾性波フィル夕の周波数特性を示す特性図であ る。
図 2 0は、 図 1 9に示す周波数特性おいてフィル夕の通過域付近を、 拡大した 特性図である。
図 2 1は、 モード間結合係数と励振係数の位相差 — ]3 ) の、 表面弾性波の 波長 λと、 表面弾性波変換器における正電極指と浮き電極の電極指との中心間隔 gとの比 g / λに対する依存性を示す特性図である。
図 2 2は、 本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子に用いられる I D Tの電 極構造を示す平面図である。 図 2 3は、 励振係数 ζとモード間結合係数 κ , 2の位相差 (ひ— 3 ) の電極膜厚 依存性を示す特性図である。
図 2 4は、 規格化励振係数の電極膜厚依存性を示す特性図である。
図 2 5は、 本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子に用いられる I D Tにお ける励振中心と反射中心の位置の電極膜厚依存性を示す特性図である。
図 2 6は、 本発明を適用した伝送型表面弾性波フィル夕の構成を示す平面図で ある。
図 2 7は、 本発明を適用した伝送型表面弾性波フィル夕と、 TCS-RDT 構造の I D Tを受信電極とした伝送型表面弾性波フィル夕の周波数特性を示す特性図であ る。 発明を実施するための最良の形態
<第 1の実施の形態 >
以下、 本発明の第 1の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。 ま ずランガサイト圧電基板上に、 電極幅及び電極間隔がともに λ Ζ 4となる正負電 極指が周期的に複数連続的に配置された、 いわゆる正規型電極 (正規型 I D T ) を形成し、 これを励振駆動したときに、 自然一方向性を有する原理について図 1 を参照して説明する。 図 1に正規型電極の模式図を示す。 同図において、 この正 規型電極は、 正電極 1および負電極 2からなり、 正電極 1を構成する正電極指 1 Αと、 この正電極指 1 Aの左右に配置された負電極 2を構成する負電極指 2 A及 び 2 Bとの間に電界が発生する。 このときに、 この電界によって励振されること によりランガサイト圧電基板に発生した弾性表面波の励振中心は正電極指 1 Aの ほぼ中心 Aとなる。
また、 この電極構造において、 周期的に配置されている電極幅 λ Ζ 4の電極指 が表面弾性波の反射源となる。 反射は音響インピーダンスの不連続に起因するこ とから、 それぞれの電極指の端部で表面弾性波が反射する。 このように電極指の 両端部の 2箇所で表面弾性波が反射するだが、 等価的に電極指の中心で反射する と考えて支障がない。 このとき、 反射波の位相が変化する。 この変化量は、 圧電 基板の種類とその切断面と表面弾性波の伝搬方向、 さらに電極材料とその厚さに O
8
依存する。 例えば圧電基板に STカット X伝搬水晶、 金属材料として A 1を用い たときには反射波の位相が 90 ° 遅れる、 すなわち位相変化量が 90 ° となる。 これに対して圧電結晶として基板方位及び表面弾性波伝搬方向をオイラー角表 示で (φ, θ , φ) とした時に— 5° ≤φ≤ 5° , 1 35° ≤0≤ 145° , 2 0 ° ≤ ≤30 ° の範囲内にある、 またはこれと結晶学的に等価な方位であるラ ンガサイト単結晶を基板として用い、 更に電極材料として A 1を用いて正規型 I DTを形成したときに、 電極指によって反射される表面弾性波の位相変化量は— 90 + 2 αとなる。 この 2 αを反射時の位相ずれと考えたときに、 この 2 αに相 当する分だけ反射中心が電極指の中心からずれたとして反射中心を定義すると、 反射中心のずれ δは δ= -^ζ- λ (1)
κ
となる。 (5が正のときには電極指の中心から右側に、 負のときは左側に反射中 心がずれる。
反射中心と電極指の中心のずれの大きさが久ノ 8のときに、 正電極指 1 Αで励 振された波と、 隣接する負電極指 2 Aの反射中心 B、 正電極指 1 Aの端部 Cで反 射された波の点 Aでの位相を図 1を用いて考えると、 A→B→Aの経路で反射す る波の A点での位相は、
-2 X X =- 27T (2)
O 人
となり、 励振波と同位相である。 これに対して、 A→C→Aの経路で反射する 波の A点での位相は
- 2 X - =- π (3) となり、 励振波と逆位相である。 このために、 図 1の右方向に表面弾性波が強く 励振されることになり、 一方向性が実現される。
以上のことから、 図 2に示すように励振中心と反射中心の距離が、 λ + - ^- (η = 0, 1, 2 ) (4)
8 2
となったときに、 励振中心から反射中心の向きに一方向性を実現することが可 能となる。 つまり、 任意の結晶に、 表面弾性波が励振可能な周期電極構造 ( I D T) を形成したときに、 その表面弾性波変換器が一方性を有するか否かは、 励振 中心と反射中心の位置が特定できれば断定できる。 この励振中心と反射中心の位 置はモ一ド結合理論を用いたときのモード結合パラメ一夕によって記述される。 モード結合パラメ一夕は自己結合係数 A n、 モード間結合係数/ 12、 励振係数 ζ、 静電容量 Cからなる。 ここで、 モード間結合係数 κ 12
Κ ΐ 2 = I κ 12 I e ( 5
と表現され、 K! 2の位相分が基準面からの反射中心のずれに相当し、 そのずれ の大きさが (1) 式で表される。 また、 励振係数 ζは
ζ = I ζ I e j e (6)
となり、 基準面から ^ λ (7)
だけ、 離れたところに励振中心があると考えてよい。 よって、 反射中心と励振 中心の差が (4) 式を満たすためには、 モード間結合係数 C 12と励振係数 ζとの 位相の間に a— β = - + η π (n = 0 , 1 , 2 -) (8) という関係があればよい。
ここで、 竹内氏より特開平 8— 1 2 5484号公報において提案された一方向 性反転電極構造 (TCS-RDT: Tranduction Center Shift type Reversal of Direc tivity Transducer 構造と呼ぶ) と本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子の 電極構造における励振中心と反射中心の位置について、 モード結合理論より解析 した結果を示す。 ここで示すランガサイト基板の切断面 ·伝搬方向はオイラー角 表示で (0。 , 140 ° , 24° ) である。 また、 電極材料として A 1を用いて いる。 図 3に TCS-RDT構造を、 図 4に本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子の 電極構造を示す。
図 3において TCS- RDT構造の電極は、 正電極 1 0と、 負電極 2 0とからなり、 正 . 0を構成する正電極指 1 2、 1 4と、 負電極 2 0を構成する負電極指 22 、 2 4は、 共に電極幅が λノ 8であり、 正電極指 1 2と負電極指 2 4との中心間 隔は 6 λ/ 8である。 また正電極指 1 2と負電極指 2 4との間に設けられた浮き 電極 3 0は、 電極幅が 3 λ/8であり、 正電極指 1 2と浮き電極 3 0との中心間 隔 gは 3 λΖ8である。
これに対し、 本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子に用いられる表面弾性 波変換器の電極は、 図 4に示すように正電極 1 0 0と、 負電極 2 0 0とからなり 、 正電極 1 0 0を構成する正電極指 1 0 2、 1 0 4と、 負電極 2 0 0を構成する 負電極指 2 0 2、 2 0 4は、 共に電極幅が 8であり、 正電極指 1 0 2と負電 極指 2 0 4との中心間隔は 6 λΖ8である。 また正電極指 1 0 2と負電極指 2 0 4との間に設けられた浮き電極 3 0 0は、 電極幅が 1 1 λΖ4 0であり、 正電極 指 1 0 2と浮き電極 3 0 0との中心間隔 gは 1 3 λΖ4 0である。
また図 3、 図 4において励振係数 ζとモード間結合係数 κ 12の位相の基準面は ともに、 λΖ 8幅の負電極指 2 4、 2 0 4の中心である。
また、 図 5に TCS-RDT構造及び本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子に用い られる表面弾性波変換器の電極構造のモード間結合係数 κ , 2の位相項 2 aの電極 膜厚依存性を、 図 6に TCS- RDT構造及び本発明の電極構造の励振係数 ζの位相項 j3 の電極膜厚依存性を、 それぞれ示す。 図 7に、 励振係数 ζとモード間結合係数/ ! 2の位相差 (α— )3) の電極膜厚依存性を示す。 位相差 (ひー /3) の符号が負と なるのは、 TCS-RDT構造の一方向性の向きが自然一方向性の向きと逆になることを 意味する。 この結果から、 TCS- RDT構造では規格化電極膜厚 ΗΖλ (Ηは電極膜厚 ) が 0から 0. 0 5の間で、 の大きさが、 0 ° 付近から— 3 0 ° の間で推移し、 式 (8) から明らかなように一方向性を最適化する角度である— 4 5 ° まで達し ない。 これに対し、 本発明の実施の形態に係る電極構造を用いることにより、 規 格化膜厚が約 0. 0 1 3のときに位相差 (α— ] 3) の値が、 一方向性を最適化す る一 4 5 ° となることが判る。
図 3及び図 4の結果をもとに TCS- RDT構造 (図 3) に対して励振中心と反射中心 の位置についての電極膜厚依存性を図 8に、 本発明の実施の形態に係る表面弾性 波素子に用いられる表面弾性波変換器の電極構造 (図 4) に対して励振中心と反 射中心の位置についての電極膜厚依存性を図 9に示す。 図 8、 図 9の各図におい て上部には電極構造の平面図が、 下部のグラフ中には表面弾性波の伝搬方向の位 置関係を明確にするために電極構造の断面図を示してある。 またこれらの図にお いて、 反射中心は〇で、 励振中心は Xで示してある。
図 9に示すように、 本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子に用いられる表 面弾性波変換器の電極構造では、 反射中心は励振中心に対して左側に存在し、 両 者の距離の差は、 およそ 8になるとなるために一方向性の向きは紙面左側と なり、 自然一方向性の向きに対して一方向性が反転することが分かる。
なお、 弾性表面波変換器における前記正電極指、 負電極指および浮き電極の距 離関係は、 弾性表面波の波長を λとしたときに、 前記正電極指および負電極指の 幅がおよそ λ/ 8で両者の電極指の中心間隔がおよそ 6ノ 8 λとなり、 正電極指 の中心と浮き電極の中心間距離 gが 13ノ 40 λ≤^≤14Ζ40 λとなり、 且 つ浮き電極の幅 Wが 1 1 40 λ≤W≤ 13/40 λであれば自然一方向性の向 きに対して一方向性を反転させることができる。
次に、 本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子に用いられる表面弾性波変換 器の電極構造を用いて構成した伝送型表面弾性波フィルタを 2種類試作し、 その 特性を評価した結果を示す。 用いたランガサイト基板の切断面 ·伝搬方向はオイ ラ一角表示で (0° , 140° , 24° ) である。 また、 電極材料として、 A 1 を用いた。 供試品としての第 1の伝送型表面弾性波フィル夕 (フィルタ # 1と記 す。 ) の構成を図 10に示す。 同図において、 ランガサイト基板 300上には表 面弾性波の伝搬方向 (+ X方向) に沿って、 送信電極としての正規型 I DT 31 0と、 受信電極としての I DT 320とが設けられている。 正規型 I DT 310 は、 正電極 312と負電極 314からなり、 電極幅及び電極間隔がともに人 4 となる正電極指 313と負電極指 315が周期的に複数連続的に配置されるよう に形成され、 NPUDT特性を利用して一方向性を実現している。
また受信電極としての I DT 320は本発明の電極構造を用いており、 正電極 322、 負電極 324及び浮き電極 330からなる。 ここで正電極指 323及び 負電極指 325の電極幅が λ 8で両者の電極指 323、 325の中心間隔が 6 λΖ8となり、 正電極指 323の中心と浮き電極 330の中心間距離 gが 13 λ /40となり、 且つ浮き電極 330の幅 Wが 1 1 λΖ40である。 この受信電極 の構造は図 4に示す構造と同一である。
供試品としての第 2の伝送型表面弾性波フィルタ (フィル夕 # 2と記す。 ) は 、 送信電極には前記第 1の伝送型表面弾性波フィル夕と同じ正規型 I D Tを用い 、 受信電極には図 4に示した TCS- RDT構造の I DTを用いた。 両フィル夕は、 図 1 0に示されるように送受信電極の一方向性が対向するように配置されている。 ま たランガサイト基板 300の両端には、 端部での弾性表面波の反射を吸収するた めのダンパー剤 340が塗布されている。 フィルタ # 1、 2の電極指の周期長 λ は、 32. 1 5 mで電極 A 1膜厚は 500 nm (5000 A) である。 送受信 電極には間引き重み付けを施している。
フィルタ # 1及びフィルタ # 2の周波数特性の測定結果を図 1 1および図 1 2 に示す。 図 1 2は図 1 1に示す周波数特性おいてフィルタの通過域付近を、 拡大 した図である。 図 1 1及び図 1 2から本発明フィル夕の通過帯域挿入損失、 帯域 内リップル、 帯域内遅延リップルともに改善されていることが判る。 具体的には 表 1に示すように、 通過帯域挿入損失はフィル夕 # 1が— 8. O dBであるのに 対して、 フィルタ # 2は一 9. O dBであり、 帯域内リップルはフィル夕 # 1が 0. 24 d Bであるのに対して、 フィルタ # 2では 0. 58である。 また帯域内 遅延リップルはフィルタ # 1が 69. 5 n s e cであるのに対して、 フィルタ # 2では 80. 0 n s e cである。
表 1. フィルタ # 1及び # 2の特性の比較 フィルタ # 1 フィル夕 # 2
(本発明) (TCS-RDT) 通過域最小挿入損失 (dB) -8.0 -9.0 帯域内リップル (dB) 0.24 0.58 遅延リップル (nsec) 69.5 80.0 <第 2の実施の形態 >
以下、 本発明の第 2の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。 ま ずランガサイト圧電基板上に、 電極幅及び電極間隔がともに λ Ζ 4となる正負電 極指が周期的に複数連続的に配置された、 いわゆる正規型電極 (正規型 I D T ) を形成し、 これを励振駆動したときに、 自然一方向性を有する原理について図 1 を参照して説明する。 図 1に正規型電極の模式図を示す。 同図において、 この正 規型電極は、 正電極 1および負電極 2からなり、 正電極 1を構成する正電極指 1 Αと、 この正電極指 1 Aの左右に配置された負電極 2を構成する負電極指 2 A及 び 2 Bとの間に電界が発生する。 このときに、 この電界によって励振されること により.ランガサイト圧電基板に発生した表面弾性波の励振中心は正電極指 1 Aの ほぼ中心 Aとなる。
また、 この電極構造において、 周期的に配置されている電極幅 λ Ζ 4の電極指 が表面弾性波の反射源となる。 反射は音響インピーダンスの不連続に起因するこ とから、 それぞれの電極指の端部で表面弾性波が反射する。 このように電極指の 両端部の 2箇所で表面弾性波が反射するだが、 等価的に電極指の中心で反射する と考えて支障がない。 このとき、 反射波の位相が変化する。 この変化量は、 圧電 基板の種類とその切断面と表面弾性波の伝搬方向、 さらに電極材料とその厚さに 依存する。 例えば圧電基板に S Tカット X伝搬水晶、 金属材料として A 1を用い たときには反射波の位相が 9 0 ° 遅れる、 すなわち位相変化量が 9 0 ° となる。 これに対して圧電結晶として基板方位および表面弾性波伝搬方向をオイラー角 表示で (Φ, Θ, ) とした時に一 5 ° ≤φ≤ 5。 , 1 3 5 ° ≤0≤ 1 4 5 ° , 2 0。 ≤ゅ≤ 3 0 ° の範囲内にある、 またはこれと等価な方位であるランガサイ ト単結晶を基板として用い、 更に電極材料として A 1を用いて正規型 I D Tを形 成したときに、 電極指によって反射される表面弾性波の位相変化量は— 9 0 ° + 2 αとなる。 この 2 αを反射時の位相ずれと考えたときに、 この 2 αに相当する 分だけ反射中心が電極指の中心からずれたとして反射中心を定義すると、 反射中 心のずれ <5は、 となる。 δが正のときには電極指の中心から右側に、 負のときは左側に反射中 心がずれる。
反射中心と電極指の中心のずれの大きさが λΖ 8のときに、 正電極指 1 Αで励 振された波と、 隣接する負電極指 2 Aの反射中心 B、 正電極指 1 Aの端部 Cで反 射された波の点 Aでの位相を図 1を用いて考えると、 A→B→Aの経路で反射す る波の A点での位相は、
- X 年 - " f =- 2 (2 )
となり、 励振波と同位相である。 これに対して、 A→C→Aの経路で反射する 波の A点での位相は
- 2XK - +… (3)
となり、 励振波と逆位相である。 このために、 図 1の右方向に表面弾性波が強 く励振されることになり、 一方向性が実現される。
以上のことから、 図 2に示すように励振中心と反射中心の距離が、
λ + ^- (n = 0, 1 , 2〜) (4)
8 2
となったときに、 励振中心から反射中心の向きに一方向性を実現することが可 能となる。 つまり、 任意の結晶に、 表面弾性波が励振可能な周期電極構造 ( I D T) を形成したときに、 その表面弾性波変換器が一方向性を有するか否かは、 励 振中心と反射中心の位置が特定できれぱ断定できる。 この励振中心と反射中心の 位置はモード結合理論を用いたときのモード結合パラメ一夕によって記述される モード結合パラメ一夕は自己結合係数、 モード間結合係数、 励振係数、 静電容 量 Cからなる。 ここで、 モード間結合係数は、
κ i 2 = I A 1 2 I e i 2° (5)
と表現され、 κ 12の位相分が基準面からの反射中心のずれに相当し、 そのずれ の大きさが (1) 式で表される。 また、 励振係数 ζは
ζ = \ ζ \ e i B (6)
となり、 基準面から、 r= -^— λ (7) だけ、 離れたところに励振中心があると考えてよい。 よって、 反射中心と励振 中心の差が (4) 式を満たすためには、 モード間結合係数 κ 12と励振係数 ζとの 位相の間に、 α - β = - + η π (η = 0 , 1 , 2···) (8) という関係があればよい。
ここで、 竹内氏より特開平 8— 2 0449 2号公報において提案された一方向 性反転電極構造(以下、 EWD-RDT 構造と呼ぶ)と本発明の実施の形態に係る表面弾 性波素子の電極構造における励振中心と反射中心の位置について、 モード結合理 論より解析した結果を示す。 ここで示すランガサイト基板の切断面,伝搬方向は オイラー角表示で (0 ° , 140 ° , 24° ) である。 また、 電極材料として A 1を用いている。 図 1 3に EWD-RDT構造を、 図 14に本発明の実施の形態に係る表 面弾性波素子の電極構造を示す。
図 1 3において ETO- RDT構造の電極は、 正電極 4 1 0と、 負電極 42 0と、 浮き 電極 43 0とからなり、 正電極 4 1 0を構成する正電極指 4 1 2、 4 14と、 負 電極 42 0を構成する負電極指 422は、 共に電極幅が λΖ 8であり、 正電極指 4 1 2と負電極指 42 2との中心間隔はぇ 2である。 また、 正電極指と負電極 指との間に幅が λΖ4の電極指を有し、 例えば、 隣接する一組の電極指 432、 434が短絡された浮き電極 43 0が形成されており、 正電極指 4 1 2、 4 14 または負電極指 42 2と、 浮き電極 43 0とのエッジ間距離は λΖΐ 6となるよ うに形成されている。
これに対し、 本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子に用いられる表面弾性 波変換器の電極は、 図 14に示すように正電極 1 5 0と、 負電極 2 5 0と、 浮き 電極 3 5 0とからなり、 正電極 1 5 0を構成する正電極指 1 52、 1 54と、 負 電極 2 5 0を構成する負電極指 2 5 2は、 共に電極幅が λΖΐ 6であり、 正電極 指 1 52と負電極指 2 52との中心間隔は λΖ2である。 また正電極指 1 52と 正電極指 1 54との間に、 一対の電極指 3 5 2、 3 54が負電極指 2 52を跨い で短絡するように形成された浮き電極 350は、 電極指 3 52、 3 54の幅が λ 4であり、 正電極指 1 52の中心と、 浮き電極 350を構成する一対の電極指 3 52, 354のうち正電極指 1 52に表面弾性波伝搬方向において隣接する電 極指 352の中心との間隔 gは 7 λ/32である。
また図 13、 図 14において励振係数 ζとモード間結合係数の位相の基準面は 、 それぞれ、 λΖ8幅の正電極指 414、 1 6幅の正電極指 1 54の中心で ある。
次に、 図 1 5に、 励振 ζとモード間結合係数の位相差 (α— /3) の電極膜厚依 存性を示す。 位相差 (ひー )3) の符号が負となるのは、 EWD- RDT構造の一方向性の 向きが自然一方向性の向きと逆になることを意味する。 この結果から、 EWD-RDT構 造では規格化電極膜厚 ΗΖλ (Ηは電極膜厚) が 0から 0. 0 5の間で、 の大き さが、 一 37. 5° 付近から一 32° の間で推移し、 式 (8) から明らかなよう に一方向性を最適化する角度である一 45 ° まで達しない。 これに対し、 本発明 の実施の形態に係る電極構造を用いることにより、 規格化膜厚が約 0. 0 12の ときに位相差 (α— /3) の値が、 一方向性を最適化する一 45° となることが判 る。
図 1 3及び図 14の結果をもとに EWD- RDT構造 (図 1 3) に対して励振中心と反 射中心の位置についての電極膜厚依存性を図 1 6に、 本発明の実施の形態に係る 表面弾性波素子に用いられる表面弾性波変換器の電極構造 (図 14) に対して励 振中心と反射中心の位置についての電極膜厚依存性を図 1 7に示す。 図 1 6、 図 1 7の各図において上部には電極構造の平面図が、 下部のグラフ中には表面弾性 波の伝搬方向の位置関係を明確にするために電極構造の断面図を示してある。 ま たこれらの図において、 反射中心は〇で、 励振中心は Xで示してある。
図 1 7に示すように、 本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子に用いられる 表面弾性波変換器の電極構造では、 反射中心は励振中心に対して左側に存在し、 両者の距離の差は、 およそ λΖ8になるとなるために一方向性の向きは紙面左側 となり、 自然一方向性の向きに対して一方向性が反転することが判る。
また図 2 1に励振 ζとモード間結合係数の位相差 - β) の、 弾性表面波変 換器における正電極指の中心と、 浮き電極を構成する一対の電極指のうち前記正 電極指に表面弾性波伝搬方向において隣接する前記浮き電極の電極指の中心との 距離 gと表面弾性波の波長 λとの比 に対する依存性についての特性を示す 。 同図に示すように、 位相差 — β) がー方向性を反転する最適化する角度で ある一 45 ° となるのは、 48Ζ24 O^gZA 5 6 24 0の範囲内におい てであることが判る。
なお、 弾性表面波変換器における前記正電極指、 負電極指および浮き電極の距 離関係は、 表面弾性波の波長を λとしたときに、 前記正電極指および負電極指の 中心間隔がおよそ λΖ2、 両者の電極指の幅 dが λノ 2 0≤d≤AZl 0、 前記 浮き電極の電極指の幅 Wがおよそ λ/4、 前記正電極指の中心と、 前記浮き電極 を構成する一対の電極指のうち該正電極指に前記表面弾性波伝搬方向において隣 接する前記浮き電極の電極指の中心との距離 gが 48 λ/24 0≤ g≤ 5 6 λ/ 240となり、 前記浮き電極は、 前記一対の電極指の各々が隣接する左側に位置 する正電極指または負電極指に接近するように偏倚して形成すれば、 自然一方向 性の向きに対して一方向性を反転させることができる。
次に、 本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子に用いられる表面弾性波変換 器の電極構造を用いて構成した伝送型表面弾性波フィルタを 2種類試作し、 その 特性を評価した結果を示す。 用いたランガサイ卜基板の切断面 ·伝搬方向はオイ ラ一角表示で (0 ° , 140 ° , 24° ) である。 また、 電極材料として、 A 1 を用いた。 供試品としての第 1の伝送型表面弾性波フィル夕 (フィルタ # 1と記 す。 ) の構成を図 1 8に示す。 同図において、 ランガサイト基板 5 00上には表 面弾性波の伝搬方向 (+X方向) に沿って、 送信電極としての正規型 I DT 5 1 0と、 受信電極としての I DT 5 2 0とが設けられている。 正規型 I DT 5 1 0 は、 正電極 5 1 2と負電極 5 14からなり、 電極幅及び電極間隔がともに λΖ4 となる正電極指 5 1 3と負電極指 5 1 5が周期的に複数連続的に配置されるよう に形成され、 NSPUDT特性を利用して一方向性を実現している。
また受信電極としての I DT 5 2 0は本発明の電極構造を用いており、 正電極 522、 負電極 524及び浮き電極 5 30からなる。 ここで正電極指 52 3及び 負電極指 52 5の電極幅が久 1 6で両者の電極指 5 2 3, 5 2 5の中心間隔が λΖ2となり、 正電極指 5 2 3の中心と、 隣接する浮き電極 5 3 0を構成する電 極指 532の中心間距離 gが 7 λノ 32となり、 且つ浮き電極 530の電極指の 幅 Wが λΖ4である。 この受信電極の構造は図 4に示す構造と同一である。
供試品としての第 2の伝送型表面弾性波フィル夕 (フィル夕 # 2と記す。 ) は 、 送信電極には前記第 1の伝送型表面弾性波フィル夕と同じ正規型 I DTを用い 、 受信電極には図 1 3に示した EWD- RDT構造の I DTを用いた。 両フィル夕は、 図 1 8に示されるように送受信電極の一方向性が対向するように配置されている。 またランガサイト基板 500の両端には、 端部での弾性表面波の反射を吸収する ためのダンパー剤 540が塗布されている。 フィルタ # 1、 2の電極指の周期長 λは、 32. 1 5 mで電極 A 1膜厚は 300 nm ( 3000 A) である。 送受 信電極には間引き重み付けを施している。
フィル夕 # 1及びフィル夕 # 2の周波数特性の測定結果を図 1 9および図 20 に示す。 図 20は図 1 9に示す周波数特性おいてフィルタの通過域付近を、 拡大 した図である。 図 1 9及び図 20から本発明フィル夕の通過帯域挿入損失、 帯域 内リップルともに改善されていることが判る。 具体的には表 2に示すように、 通 過帯域挿入損失はフィル夕 # 1が— 8. 84 d Bであるのに対して、 フィル夕 # 2は— 1 0. 68 dBであり、 帯域内リップルはフィルタ # 1が 0. 33 d Bで あるのに対して、 フィル夕 # 2では 0. 46 dBである。
表 2. フィル夕 # 1及び # 2の特性の比較
Figure imgf000020_0001
ぐ発明の実施の形態 3 >
以下、 本発明の第 3の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。 ま ずランガサイト圧電基板上に、 電極幅及び電極間隔がともに λΖ4となる正負電 極指が周期的に複数連続的に配置された、 いわゆる正規型電極 (正規型 I DT) を形成し、 これを励振駆動したときに、 自然一方向性を有する原理について図 1 を参照して説明する。 図 1に正規型電極の模式図を示す。 同図において、 この正 規型電極は、 正電極 1および負電極 2からなり、 正電極 1を構成する正電極指 1 Aと、 この正電極指 1 Aの左右に配置された負電極 2を構成する負電極指 2 A及 び 2 Bとの間に電界が発生する。 このときに、 この電界によって励振されること によりランガサイト圧電基板に発生した弾性表面波の励振中心は正電極指 1 Aの ほぼ中心 Aとなる。
また、 この電極構造において、 周期的に配置されている電極幅 λノ 4の電極指 が表面弾性波の反射源となる。 反射は音響インピーダンスの不連続に起因するこ とから、 それぞれの電極指の端部で表面弾性波が反射する。 このように電極指の 両端部の 2箇所で表面弾性波が反射するだが、 等価的に電極指の中心で反射する と考えて支障がない。 このとき、 反射波の位相が変化する。 この変化量は、 圧電 基板の種類とその切断面と表面弾性波の伝搬方向、 さらに電極材料とその厚さに 依存する。 例えば圧電基板に STカット X伝搬水晶、 金属材料として A 1を用い たときには反射波の位相が 90 ° 遅れる、 すなわち位相変化量が 90° となる。 これに対して圧電結晶として基板方位及び表面弾性波伝搬方向をオイラー角表 示で (φ, θ , φ) とした時に一 5 ° ≤φ≤ 5° , 1 35° ≤0≤ 145° , 2 0° ≤ゅ≤30° の範囲内にある、 またはこれと結晶学的に等価な方位であるラ ンガサイト単結晶を基板として用い、 更に電極材料として A 1を用いて正規型 I DTを形成したときに、 電極指によって反射される表面弾性波の位相変化量は一 90 + 2 αとなる。 この 2 αを反射時の位相ずれと考えたときに、 この 2ひに相 当する分だけ反射中心が電極指の中心からずれたとして反射中心を定義すると、 反射中心のずれ (5は
<5= λ (1) となる。 δが正のときには電極指の中心から右側に、 負のときは左側に反射中 心がずれる。
反射中心と電極指の中心のずれの大きさが λΖ8のときに、 正電極指 1 Αで励 振された波と、 隣接する負電極指 2 A、 2 Bのそれぞれの反射中心 B、 Cで反射 された波の点 Aでの位相を図 1を用いて考える。 まず、 A→B→Aの経路で反射 する波の A点での位相は、
- 2 X - - X ~ - =- 2 ττ (2) となり、 励振波と同位相である。 これに対して、 A→C→Aの経路で反射する 波の A点での位相は
- 2X + X年 - +=- π (3)
となり、 励振波と逆位相である。 このために、 図 1の右方向に表面弾性波が強 く励振されることになり、 一方向性が実現される。
以上のことから、 図 2に示すように励振中心と反射中心の距離が、 λ 8 + -^ 2 - (η = 0, 1, 2···) (4) となったときに、 励振中心から反射中心の向きに一方向性を実現することが可 能となる。 つまり、 任意の結晶に、 表面弾性波が励振可能な周期電極構造 ( I D T) を形成したときに、 その表面弾性波変換器が一方向性を有するか否かは、 励 振中心と反射中心の位置が特定できれば断定できる。 この励振中心と反射中心の 位置はモ一ド結合理論を用いたときのモード結合パラメ一夕によって記述される モード結合パラメータは自己結合係数/ 、 モード間結合係数 AC 12、 励振係数 ζ、 静電容量 Cからなる。 ここで、 モード間結合係数/ c 12
κ ΐ 2= I κ 12 \ e >2α (5)
と表現され、 モード間結合係数 κ 12の位相分が基準面からの反射中心のずれに 相当し、 そのずれの大きさが (1) 式で表される。 また、 励振係数 ζは
ζ = I ζ I e J e (6)
となり、 基準面から
"= - ^ λ ( 7 )
だけ、 離れたところに励振中心があると考えてよい。 よって、 反射中心と励振 中心の差が (4) 式を満たすためには、 モード間結合係数/ 12と励振係数 ζとの 位相の間に - β = - + η π (η = 0, 1 , 2 -) (8) という関係があればよい。
ここで、 竹内氏より特開平 8 - 1 2 5 4 8 4号公報において提案された一方向 性反転電極構造(TCS- RDT: Tranduction Center Shift type Reversal of Direct ivity Transducer 構造と呼ぶ)と本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子の電 極構造における励振中心と反射中心の位置について、 モード結合理論より解析し た結果を示す。 ここで示すランガサイト基板の切断面 ·伝搬方向はオイラー角表 示で (0 ° , 1 4 0 ° , 2 4° ) である。 また、 電極材料として A 1を用いてい る。 図 3に TCS- RDT構造を、 図 2 2に本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子の 電極構造を示す。
図 3において TCS-RDT構造の電極は、 正電極 1 0と、 負電極 2 0とからなり、 表 面弾性波の波長を λとしたときに、 正電極 1 0を構成する正電極指 1 2、 1 4と 、 負電極 2 0を構成する負電極指 2 2、 2 4は、 共に電極幅が λΖ 8であり、 正 電極指 1 2と負電極指 2 4との中心間隔は 6 λΖ8である。 また正電極指 1 2と 負電極指 2 4との間に設けられた浮き電極 3 0は、 電極幅が 3 λ 8であり、 正 電極指 1 2と浮き電極 3 0との中心間隔 gは 3 λΖ8である。
これに対し、 本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子に用いられる表面弾性 波変換器の電極は、 図 2 2に示すように正電極 1 6 0と、 負電極 2 6 0とからな り、 表面弾性波の波長を λとしたときに、 正電極 1 6 0を構成する正電極指 1 6 2、 1 64の幅がおよそ λΖ8で、 1つの正電極指 1 6 2の片側 (図 2 2では右 側) に第 1の負電極指 2 6 2と第 2の負電極指 2 6 4が配設されている。 ここで 正電極指 1 6 2の中心から電極幅 W1 が 1 8/8 0 A≤W1 ≤ 2 0 "8 0 λの範 囲にある負電極指 2 6 2の中心までの距離 d l が 2 3 8 0 A≤dl ≤ 2 5/8 0 λであり、 さらに電極幅 W2 が 2 0/8 0 λ≤Ψ2 ≤ 2 6/8 0 λの範囲にあ る負電極指 2 6 4と正電極指 1 6 2の中心との距離 d 2 は 5 4ノ8 0 ^ 2 ≤ 5 5 /8 0 λである。 図 2 3に、 TCS-RDT構造及び本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子に用い られる表面弾性波変換器の電極構造における励振係数 ζとモード間結合係数/ , 2 の位相差 ( a — 13 ) の電極膜厚依存性を示す。 この受信側電極の電極構造パラメ 一夕は、 第 1の正極指の幅がおよそ ΛΖ8であり、 電極幅 W1 が 2 0ノ 8 0入で ある第 1の負電極指の中心と第 1の正電極指の中心との距離 d l が 2 3/8 0 λ である。 さらに、 電極幅 W2 が 2 6 Ζ8 0 λである第 2の負電極指の中心と第 1 の正電極指の中心との距離 d 2 が 5 4 8 0 λとなる。
この結果から、 TCS- RDT構造では規格化電極膜厚 ΗΖλ (Ηは電極膜厚) が 0か ら 0. 0 5の間で、 α— β ) の大きさが、 0 ° 付近から一 3 0 ° の間で推移し 、 式 (8) から明らかなように一方向性を最適化する角度である一 4 5 ° まで達 しない。 これに対し、 本発明の実施の形態に係る電極構造を用いることにより、 規格化膜厚が約 0. 0 1から 0. 0 5の間のときに位相差 (α— /3) の値が、 一 方向性を最適化する一 4 5 ° となることが判る。
また、 図 2 4に本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子電極構造と、 TCS- RD Τ構造における規格化励振係数 ζ · λΖ2 (ω · C) の電極膜厚依存性を示す。 本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子の電極構造は、 TCS-RDT構造と比較して 規格化励振係数の大きさが約 1 0 %増加する。 励振係数は電気音響変換の変換効 率に相当するために、 大きな値が得られるほど低損失なデバイスの作製が可能と なる。
本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子の電極構造に対して励振中心と反射 中心の位置についての電極膜厚依存性を図 2 5に示す。 図 2 5において上部には 図 2 2に示した表面弾性波素子の電極構造の平面図が、 下部のグラフ中には表面 弾性波の伝搬方向の位置関係を明確にするために上記表面弾性波素子の電極構造 の断面図を平面図に対応させて示している。 また、 これらの図において、 反射中 心は〇で、 励振中心は Xで示'してある。
同図に示すように、 本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子の電極構造にお いて、 反射中心は励振中心に対して左側に存在し、 両者の距離の差はおよそ λΖ 8となるために一方向性の向きは紙面左側となり、 自然一方向性の向きに対して 一方向性が反転することが判る。 次に、 本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子に用いられる表面弾性波変換 器の電極構造を用いて構成した伝送型表面弾性波フィル夕を 2種類試作し、 その 特性を評価した結果を示す。 用いたランガサイト基板の切断面 ·伝搬方向はオイ ラー角表示で (0° , 140° , 25° ) である。 また、 電極材料として、 A 1 を用いた。 供試品としての第 1の伝送型表面弾性波フィル夕 (フィル夕 # 1と記 す。 ) の構成を図 26に示す。 同図において、 ランガサイト基板 600上には表 面弾性波の伝搬方向 (+X方向) に沿って、 送信電極としての正規型 I DT 6 1 0と、 受信電極としての I DT 620とが設けられている。 正規型 I DT 6 1 0 は、 正電極 6 1 2と負電極 6 14からなり、 電極幅及び電極間隔がともに久ノ4 となる正電極指 6 1 3と負電極指 6 1 5が周期的に複数連続的に配置されるよう に形成され、 NPUDT特性を利用して一方向性を実現している。
また、 受信電極としての I DT 620は本発明の実施の形態に係る表面弾性波 素子の電極構造を用いており、 正電極 622及び負電極 624からなる。 この受 信側電極の電極構造パラメ一夕は、 正電極指 623の幅がおよそ λΖ8で、 この 正電極指 623の中心から、 電極幅 W1 が 20 80 λである第 1の負電極指 6 25の中心までの距離 dl が 23 80 λである。 さらに、 電極幅 W2 が 26 80 λである第 2の負電極指 624の中心と第 1の正電極指 623の中心との距 離 d2 が 54 80 λである。
一方、 供試品としての第 2の伝送型表面弾性波フィル夕 (フィル夕 # 2と記す 。 ) は、 送信電極には前記第 1の伝送型表面弾性波フィル夕と同じ正規型 I DT を用い、 受信電極には図 3に示した TCS-RDT構造の I DTを用いた。 両フィル夕は 、 図 26に示されるように送受信電極の一方向性が対向するように配置されてい る。
またランガサイト基板 600の両端には、 端部での弾性表面波の反射を吸収す るためのダンパ一剤 640が塗布されている。 フィル夕 # 1、 2の電極指の周期 長 λは、 32. 1 5 で電極 A 1膜厚は 500 nm ( 5000 Α) である。 送 受信電極には間引き重み付けを施している。
フィルタ # 1及びフィルタ # 2の周波数特性の測定結果を図 27に示す。 図 2 7から本発明フィルタの通過帯域最小挿入損失、 帯域内リップル、 帯域内遅延リ ップルともに改善されていることが判る。 具体的には表 3に示すように、 通過帯 域最小挿入損失はフィル夕 # 1がー 7. 8 d Bであるのに対して、 フィルタ # 2 は一 9. 0 dBであり、 帯域内リップルはフィルタ # 1が 0. 2 1 d Bであるの に対して、 フィルタ # 2では 0. 5 8 d Bである。 また帯域内遅延リップルはフ ィル夕 # 1が 6 7. 3 n s e cであるのに対して、 フィル夕 # 2では 8 0. O n s e cである。
表 3. フィルタ # 1及び # 2の特性の比較
Figure imgf000026_0001
産業上の利用可能性
本発明によれば、 自然一方向性を有するように基板方位及び表面弾性波伝搬方 向が選択されたランガサイ卜単結晶基板表面に形成される、 正電極指と負電極指 とその間に配置される浮き電極からなる表面弾性波変換器を有する表面弾性波素 子であって、 前記弾性表面波変換器は自然一方向性が反転するように表面弾性波 の伝搬方向に沿って、 前記各電極を形成するようにしたので、 電極構造を特定す るためのパラメータ、 すなわち前記正電極指と負電極指の幅、 前記正電極指と負 電極指の中心間隔、 前記正電極指と浮き電極の中心間隔、 前記浮き電極の幅を適 切に選択することにより、 低損失の伝送型表面弾性波フィルタを構成することが 可能となる。
本発明によれば、 自然一方向性を有するように基板方位および表面弾性波伝搬 方向が選択されたランガサイト単結晶基板表面に形成される、 正電極指と負電極 指とこれらの間に配置される浮き電極からなり、 該浮き電極は隣接する一対の電 極指が前記負電極指を跨いで短絡するように形成された表面弾性波変換器を有す る表面弾性波素子であって、 前記弾性表面波変換器は自然一方向性が反転するよ うに表面弾性波の伝搬方向に沿って、 前記各電極を形成するようにしたので、 電 極構造を特定するためのパラメ一夕、 すなわち前記正電極指と負電極指の幅、 前 記正電極指と負電極指の中心間隔、 前記正電極指と浮き電極の中心間隔、 前記浮 き電極の幅を適切に選択することにより、 低損失の伝送型表面弾性波フィルタを 構成することが可能となる。
さらに、 本発明によれば、 自然一方向性を有するように基板方位及び表面弾性 波伝搬方向が選択されたランガサイト単結晶基板表面に形成され、 表面弾性波の 波長 λの周期内に配設される正電極指と、 該正電極指の片側に配設される第 1の 負電極指及び第 2の負電極指とからなる表面弾性波変換器を有する表面弾性波素 子であって、 前記弾性表面波変換器は自然一方向性が反転するように表面弾性波 の伝搬方向に沿って、 前記各電極を形成するようにしたので、 電極構造を特定す るためのパラメ一夕、 すなわち前記第 1、 第 2の正電極指及び第 1、 第 2の負電 極指の幅、 前記第 1の正電極指と第 1、 第 2の負電極指との中心間距離を適切に 選択することにより、 低損失の伝送型表面弾性波フィル夕を構成することが可能 となる。

Claims

請求の範囲
1. 自然一方向性を有するように基板方位及び表面弾性波伝搬方向が選択さ れたランガサイト単結晶基板表面に形成される、 正電極指と負電極指とその間に 配置される浮き電極からなる表面弾性波変換器を有する表面弾性波素子であって 前記弾性表面波変換器は自然一方向性が反転するように表面弾性波の伝搬方向 に沿って、 前記各電極が形成されていることを特徴とする表面弾性波素子。
2. 前記ランガサイ卜単結晶基板は、 基板方位および基板方位及び弾性表面 波伝搬方向をオイラー角表示で (Φ, θ , ゆ) とした時に一 5° ≤φ≤ 5° , 1 35° ≤0≤ 145° , 20° ≤ゅ≤ 30° の範囲内にあること、 またはこれと 等価な方位であることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の表面弾性波素子。
3. 前記弾性表面波変換器における前記正電極指、 負電極指および浮き電極 の距離関係は、 弾性表面波の波長を λとしたときに、 前記正電極指および負電極 指の幅がおよそ λΖ8で両者の電極指の中心間隔がおよそ 6 Ζ8 λとなり、 正電 極指の中心と浮き電極の中心間距離 gが 1 3Ζ40 λ≤^≤ 14Ζ40 λとなり 、 且つ浮き電極の幅 Wが 1 1Z40 λ≤ ≤ 1 3/40 λとなることを特徴とす る請求の範囲第 2項に記載の表面弾性波素子。
4. 自然一方向性を有するように基板方位および表面弾性波伝搬方向が選択 されたランガサイ卜単結晶基板表面に形成される、 正電極指と負電極指とこれら の間に配置される浮き電極からなり、 該浮き電極は隣接する一対の電極指が前記 負電極指を跨いで短絡するように形成された表面弾性波変換器を有する表面弾性 波素子であって、
前記弾性表面波変換器は自然一方向性が反転するように表面弾性波の伝搬方向 に沿って、 前記各電極が形成されていることを特徴とする表面弾性波素子。
5. 前記ランガサイト単結晶基板は、 基板方位および弾性表面波伝搬方向を オイラー角表示で (Φ, Θ, ) とした時に一 5 ° ≤^≤5。 , 1 35°
145° , 20 ° ≤ゅ≤ 30。 の範囲内にあること、 またはこれと等価な方位で あることを特徴とする請求の範囲第 4項に記載の表面弾性波素子。
6. 前記弾性表面波変換器における前記正電極指、 負電極指および浮き電極 の距離関係は、 表面弾性波の波長を λとしたときに、 前記正電極指および負電極 指の中心間隔がおよそ λノ 2、 両者の電極指の幅 dが 2 0≤ά≤λ/ 1 0、 前記浮き電極の電極指の幅 Wがおよそ λΖ4、 前記正電極指の中心と、 前記浮き 電極を構成する一対の電極指のうち該正電極指に前記表面弾性波伝搬方向におい て隣接する前記浮き電極の電極指の中心との距離 gが 48 λ/240≤ g≤ 56 240となり、
前記浮き電極は、 前記一対の電極指の各々が隣接する左側に位置する正電極指 または負電極指に接近するように偏倚して形成されていることを特徴とする請求 の範囲第 5項に記載の表面弾性波素子。
7. 自然一方向性を有するように基板方位及び表面弾性波伝搬方向が選択さ れたランガサイト単結晶基板表面に形成され、 表面弾性波の波長 λの周期内に配 設される正電極指と、 該正電極指の片側に配設される第 1の負電極指及び第 2の 負電極指とからなる表面弾性波変換器を有する表面弾性波素子であって、 前記弾性表面波変換器は自然一方向性が反転するように表面弾性波の伝搬方向 に沿って、 前記各電極が形成されていることを特徴とする表面弾性波素子。
8. 前記ランガサイト単結晶基板は、 基板方位及び弾性表面波伝搬方向をォ イラ一角表示で (Φ, θ , φ) とした時に一 5 ° ≤φ≤ 5 ° , 1 3 5 ° ≤ 0≤ 1 45 ° , 20 ° ≤ ≤ 3 0 ° の範囲内にあること、 またはこれと等価な方位であ ることを特徴とする請求の範囲第 7項に記載の表面弾性波素子。
9. 前記表面弾性波変換器における前記正電極指に対する第 1及び第 2の負 電極指の位置関係とこれら電極指の幅は、 表面弾性波の波長を λとしたときに、 前記正電極指の幅がおよそ λ/8で、 該正電極指の中心から電極幅 W1 が 1 8/ 80 A≤W1 ≤ 2 0/8 0 λの範囲にある第 1の負電極指の中心までの距離 d 1 が 23Ζ8 0 λ≤ά1 ≤2 5Ζ8 0 λとなり、 さらに電極幅 W2 が 2 0ノ 8 0 λ ≤W2 ≤ 26/8 0 λの範囲にある第 2の負電極指と前記正電極指の中心との距 離 d2 が 54Ζ8 0 λ≤(12 ≤ 5 5/80 λとなることを特徴とする請求の範囲 第 8項に記載の表面弾性波素子。
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