JP2002314363A - 表面弾性波素子 - Google Patents

表面弾性波素子

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JP2002314363A
JP2002314363A JP2000166702A JP2000166702A JP2002314363A JP 2002314363 A JP2002314363 A JP 2002314363A JP 2000166702 A JP2000166702 A JP 2000166702A JP 2000166702 A JP2000166702 A JP 2000166702A JP 2002314363 A JP2002314363 A JP 2002314363A
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acoustic wave
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center
electrode finger
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JP2000166702A
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Hiroharu Hasegawa
弘治 長谷川
Masanori Koshiba
正則 小柴
Akihiro Bungo
明裕 豊後
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Mitsubishi Materials Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 低損失の伝送型表面弾性波フィルタを構成す
ることを可能とする。 【解決手段】 表面弾性波の波長をλとしたときに、前
記正電極指の幅がおよそλ/8で、該正電極指の中心か
ら電極幅W1が18/80λ≦W1≦20/80λの範囲
にある第1の負電極指の中心までの距離d1が23/8
0λ≦d1≦25/80λとなり、さらに電極幅W2が2
0/80λ≦W2≦26/80λの範囲にある第2の負
電極指と前記正電極指の中心との距離d2 が54/80
λ≦d2≦55/80λとなるように表面弾性波の伝搬
方向に沿って、前記各電極を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機器等
に用いられる表面弾性波素子に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、携帯電話・携帯端末等の移動体通
信機器が飛躍的に普及しているが、これら端末に用いら
れるフィルタには低損失、広帯域、小型等の特性が求め
られ、これらの特性を満たすデバイスとして単相一方向
性変換器をもつ伝送型表面弾性波(SAW)フィルタが
実用化されている。単相一方向性フィルタにおいては、
励振波と反射波との位相差が、前方(順方向)には同相
となり2つの波が強め合い、反対方向(逆方向)では2つ
の波が打ち消しあうため前方方向のみに表面弾性波が強
く励振される。これにより、送信電極と受信電極の一方
向性の向きを向かい合わせる事により、理論的には1dB
以下の低損失フィルタを実現する事が可能となる。
【0003】一方向性変換器を実現する手法としては、
非対称な電極構造を用いたEWC-SPUDT、DART−SPUDTが考
案されている。電極構造の非対称性を利用したこれらの
フィルタのほかに、自然一方向性フィルタ(NSPUDT:N
atural Single Phase Unidirecitonal Transduce
r)というものがある。自然一方向性フィルタは、基板
結晶の非対称性を利用し一方向性を実現する。このた
め、正規型インターディジタルトランスジューサ(ID
T)構造と呼ばれる、電極幅及び電極間隔がともにλ/
4となる正負電極指が周期的に複数連続的に配置された
構造の変換器で一方向性が実現できる。
【0004】ST−X水晶基板上に、正規型IDTを形
成しても正規型IDTを励振駆動することにより発生す
る弾性表面波はST−X水晶基板上において正規型ID
Tの双方向に伝搬してしまい、一方向性を実現できな
い。つまり、自然一方向性とは、圧電基板表面に正規型
IDTを形成したときに一方向に弾性表面波が強く励振
される基板の特性を示すものである。この自然一方向性
基板を用いる弾性表面波変換器では、基板自体の異方性
を利用しているため送信側変換器と受信側変換器の順方
向を向かい合わせる事が出来ない。送受信電極間で一方
向性を向かい合わせる事ができなけれ低損失なフィル
タを作製することは不可能である。
【0005】この問題を解決する手段として、竹内氏ら
によって自然一方向性の方向を反転させる電極構造とし
て、特開平8−125484号公報において、幅がほぼ
λ/8でλのピッチで配列された正および負の電極指
と、この電極指の間にほぼλ/8のエッジ間隔で配置さ
れた電極幅が3/8λの浮き電極によって構成された表
面弾性波変換器が提案されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】表面弾性波デバイスの
特性は、基板として用いられる圧電結晶の特性に依存し
ている。この圧電結晶の特性として電気機械結合係数が
大きいということと、周波数温度特性が良好であること
が重要となる。現在、この2つの特性を同時に満足する
結晶としてランガサイトが注目されている。オイラー角
表示で(φ,θ,ψ)とした時に−5°≦φ≦5°,1
35°≦θ≦145°,20°≦ψ≦30°の範囲内に
あるランガサイトは電気機械結合係数が0.3%〜0.
4%であり、周波数温度特性は2次の依存性を示し、室温
付近に頂点温度が存在する。電気機械結合係数はST水
晶の約3倍であり、周波数温度特性における2次温度係数
は水晶の2倍程度と非常に良好な特性をもち、低損失な
表面弾性波フィルタへの応用が期待される結晶である。
【0007】オイラー角表示で前記範囲内にあるランガ
サイト単結晶はNSPUDT特性をもち、この基板を用いて低
損失フィルタを実現するには、送受信電極で一方向性の
向きが対向するような電極構造を構成しなければならな
い。そのために、送信電極に電極幅及び電極間隔がとも
にλ/4となる正負電極指が周期的に複数連続的に配置さ
れた正規型IDTを用いた場合には、受信電極には一方
向性が反転した構造を用いなければならないが、竹内氏
らより提案されている電極構造では、フィルタの低損失
化という要求にこたえることが出来ない。本発明はこの
ような事情に鑑みてなされたものであり、より低損失な
伝送型表面弾性波(SAW)フィルタを構成することを
可能とした、表面弾性波素子を提供することを目的とす
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に記載の発明は、自然一方向性を有するよ
うに基板方位及び表面弾性波伝搬方向が選択されたラン
ガサイト単結晶基板表面に形成され、表面弾性波の波長
λの周期内に配設される正電極指と、該正電極指の片側
に配設される第1の負電極指及び第2の負電極指とから
なる表面弾性波変換器を有する表面弾性波素子であっ
て、前記弾性表面波変換器は自然一方向性が反転するよ
うに表面弾性波の伝搬方向に沿って、前記各電極が形成
されていることを特徴とする。
【0009】また、請求項2に記載の発明は、請求項1
に記載の表面弾性波素子において、前記ランガサイト単
結晶基板は、基板方位及び弾性表面波伝搬方向をオイラ
ー角表示で(φ,θ,ψ)とした時に−5°≦φ≦5
°,135°≦θ≦145°,20°≦ψ≦30°の範
囲内にあること、またはこれと等価な方位であることを
特徴とする。
【0010】また、請求項3に記載の発明は、請求項2
に記載の表面弾性波素子において、前記表面弾性波変換
器における前記正電極指に対する第1及び第2の負電極
指の位置関係とこれら電極指の幅は、表面弾性波の波長
をλとしたときに、前記正電極指の幅がおよそλ/8
で、該正電極指の中心から電極幅W1が18/80λ≦
W1≦20/80λの範囲にある第1の負電極指の中心
までの距離d1が23/80λ≦d1≦25/80λとな
り、さらに電極幅W2が20/80λ≦W2≦26/80
λの範囲にある第2の負電極指と前記正電極指の中心と
の距離d2 が54/80λ≦d2≦55/80λとなる
ことを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。まずランガサイト圧
電基板上に、電極幅及び電極間隔がともにλ/4となる正
負電極指が周期的に複数連続的に配置された、いわゆる
正規型電極(正規型IDT)を形成し、これを励振駆動
したときに、自然一方向性を有する原理について図1を
参照して説明する。図1に正規型電極の模式図を示す。
同図において、この正規型電極は、正電極1および負電
極2からなり、正電極1を構成する正電極指1Aと、こ
の正電極指1Aの左右に配置された負電極2を構成する
負電極指2A及び2Bとの間に電界が発生する。このと
きに、この電界によって励振されることによりランガサ
イト圧電基板に発生した弾性表面波の励振中心は正電極
指1Aのほぼ中心Aとなる。
【0012】また、この電極構造において、周期的に配
置されている電極幅λ/4の電極指が表面弾性波の反射
源となる。反射は音響インピーダンスの不連続に起因す
ることから、それぞれの電極指の端部で表面弾性波が反
射する。このように電極指の両端部の2箇所で表面弾性
波が反射するだが、等価的に電極指の中心で反射すると
考えて支障がない。このとき、反射波の位相が変化す
る。この変化量は、圧電基板の種類とその切断面と表面
弾性波の伝搬方向、さらに電極材料とその厚さに依存す
る。例えば圧電基板にSTカットX伝搬水晶、金属材料
としてAlを用いたときには反射波の位相が90°遅れ
る、すなわち位相変化量が90°となる。
【0013】これに対して圧電結晶として基板方位及び
表面弾性波伝搬方向をオイラー角表示で(φ,θ,ψ)
とした時に−5°≦φ≦5°,135°≦θ≦145
°,20°≦ψ≦30°の範囲内にある、またはこれと
結晶学的に等価な方位であるランガサイト単結晶を基板
として用い、更に電極材料としてAlを用いて正規型IDT
を形成したときに、電極指によって反射される表面弾性
波の位相変化量は−90+2αとなる。この2αを反射
時の位相ずれと考えたときに、この2αに相当する分だ
け反射中心が電極指の中心からずれたとして反射中心を
定義すると、反射中心のずれδは
【数1】 となる。δが正のときには電極指の中心から右側に、負
のときは左側に反射中心がずれる。
【0014】反射中心と電極指の中心のずれの大きさが
λ/8のときに、正電極指1Aで励振された波と、隣接
する負電極指2A、2Bのそれぞれの反射中心B、Cで
反射された波の点Aでの位相を図1を用いて考える。ま
ず、A→B→Aの経路で反射する波のA点での位相は、
【数2】 となり、励振波と同位相である。これに対して、A→C
→Aの経路で反射する波のA点での位相は
【数3】 となり、励振波と逆位相である。このために、図1の右
方向に表面弾性波が強く励振されることになり、一方向
性が実現される。
【0015】以上のことから、図2に示すように励振中
心と反射中心の距離が、
【数4】 となったときに、励振中心から反射中心の向きに一方向
性を実現することが可能となる。つまり、任意の結晶
に、表面弾性波が励振可能な周期電極構造(IDT)を
形成したときに、その表面弾性波変換器が一方向性を有
するか否かは、励振中心と反射中心の位置が特定できれ
ば断定できる。この励振中心と反射中心の位置はモード
結合理論を用いたときのモード結合パラメータによって
記述される。
【0016】モード結合パラメータは自己結合係数
κ11、モード間結合係数κ12、励振係数ζ、静電容量C
からなる。ここで、モード間結合係数κ12
【数5】 と表現され、モード間結合係数κ12の位相分が基準面か
らの反射中心のずれに相当し、そのずれの大きさが(1)
式で表される。また、励振係数ζは
【数6】 となり、基準面から
【数7】 だけ、離れたところに励振中心があると考えてよい。よ
って、反射中心と励振中心の差が(4)式を満たすために
は、モード間結合係数κ12と励振係数ζとの位相の間に
【数8】 という関係があればよい。
【0017】ここで、竹内氏より特開平8−12548
4号公報において提案された一方向性反転電極構造(TCS
-RDT:Tranduction Center Shift type Reversal of Di
rectivity Transducer 構造と呼ぶ)と本発明の実施の形
態に係る表面弾性波素子の電極構造における励振中心と
反射中心の位置について、モード結合理論より解析した
結果を示す。ここで示すランガサイト基板の切断面・伝
搬方向はオイラー角表示で(0°,140°,24°)
である。また、電極材料としてAlを用いている。図3にT
CS-RDT構造を、図4に本発明の実施の形態に係る表面弾
性波素子の電極構造を示す。
【0018】図3においてTCS-RDT構造の電極は、正電
極10と、負電極20とからなり、表面弾性波の波長を
λとしたときに、正電極10を構成する正電極指12、
14と、負電極20を構成する負電極指22、24は、
共に電極幅がλ/8であり、正電極指12と負電極指2
4との中心間隔は6λ/8である。また正電極指12と
負電極指24との間に設けられた浮き電極30は、電極
幅が3λ/8であり、正電極指12と浮き電極30との
中心間隔gは3λ/8である。
【0019】これに対し、本発明の実施の形態に係る表
面弾性波素子に用いられる表面弾性波変換器の電極は、
図4に示すように正電極100と、負電極200とから
なり、表面弾性波の波長をλとしたときに、正電極10
0を構成する正電極指102、104の幅がおよそλ/
8で、1つの正電極指102の片側(図4では右側)に
第1の負電極指202と第2の負電極指204が配設さ
れている。ここで正電極指102の中心から電極幅W1
が18/80λ≦W1≦20/80λの範囲にある負電
極指202の中心までの距離d1が23/80λ≦d1≦
25/80λであり、さらに電極幅W2が20/80λ
≦W2≦26/80λの範囲にある負電極指204と正
電極指102の中心との距離d2 は54/80λ≦d2
≦55/80λである。
【0020】図5に、TCS-RDT構造及び本発明の実施の
形態に係る表面弾性波素子に用いられる表面弾性波変換
器の電極構造における励振係数ζとモード間結合係数κ
12の位相差(α−β)の電極膜厚依存性を示す。この受
信側電極の電極構造パラメータは、第1の正極指の幅が
およそλ/8であり、電極幅W1が20/80λである
第1の負電極指の中心と第1の正電極指の中心との距離
d1 が23/80λである。さらに、電極幅W2が26
/80λである第2の負電極指の中心と第1の正電極指
の中心との距離d2 が54/80λとなる。
【0021】この結果から、TCS-RDT構造では規格化電
極膜厚H/λ(Hは電極膜厚)が0から0.05の間
で、(α−β)の大きさが、0°付近から−30°の間
で推移し、式(8)から明らかなように一方向性を最適
化する角度である−45°まで達しない。これに対し、
本発明の実施の形態に係る電極構造を用いることによ
り、規格化膜厚が約0.01から0.05の間のときに
位相差(α−β)の値が、一方向性を最適化する−45
°となることが判る。
【0022】また、図6に本発明の実施の形態に係る表
面弾性波素子電極構造と、TCS-RDT構造における規格化
励振係数ζ・λ/2√(ω・C)の電極膜厚依存性を示
す。本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子の電極構
造は、TCS-RDT構造と比較して規格化励振係数の大きさ
が約10%増加する。励振係数は電気音響変換の変換効
率に相当するために、大きな値が得られるほど低損失な
デバイスの作製が可能となる。
【0023】本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子
の電極構造に対して励振中心と反射中心の位置について
の電極膜厚依存性を図7に示す。図7において上部には
図4に示した表面弾性波素子の電極構造の平面図が、下
部のグラフ中には表面弾性波の伝搬方向の位置関係を明
確にするために上記表面弾性波素子の電極構造の断面図
を平面図に対応させて示している。また、これらの図に
おいて、反射中心は○で、励振中心は×で示してある。
同図に示すように、本発明の実施の形態に係る表面弾性
波素子の電極構造において、反射中心は励振中心に対し
て左側に存在し、両者の距離の差はおよそλ/8となるた
めに一方向性の向きは紙面左側となり、自然一方向性の
向きに対して一方向性が反転することが判る。
【0024】次に、本発明の実施の形態に係る表面弾性
波素子に用いられる表面弾性波変換器の電極構造を用い
て構成した伝送型表面弾性波フィルタを2種類試作し、
その特性を評価した結果を示す。用いたランガサイト基
板の切断面・伝搬方向はオイラー角表示で(0°,14
0°,25°)である。また、電極材料として、Alを用
いた。供試品としての第1の伝送型表面弾性波フィルタ
(フィルタ#1と記す。)の構成を図8に示す。同図に
おいて、ランガサイト基板300上には表面弾性波の伝
搬方向(+X方向)に沿って、送信電極としての正規型
IDT310と、受信電極としてのIDT320とが設
けられている。正規型IDT310は、正電極312と
負電極314からなり、電極幅及び電極間隔がともにλ
/4となる正電極指313と負電極指315が周期的に
複数連続的に配置されるように形成され、NPUDT特性を
利用して一方向性を実現している。
【0025】また、受信電極としてのIDT320は本
発明の実施の形態に係る表面弾性波素子の電極構造を用
いており、正電極322及び負電極324からなる。こ
の受信側電極の電極構造パラメータは、正電極指323
の幅がおよそλ/8で、この正電極指323の中心から、
電極幅W1が20/80λである第1の負電極指325
の中心までの距離d1が23/80λである。さらに、
電極幅W2が26/80λである第2の負電極指324
の中心と第1の正電極指323の中心との距離d2が5
4/80λである。
【0026】一方、供試品としての第2の伝送型表面弾
性波フィルタ(フィルタ#2と記す。)は、送信電極に
は前記第1の伝送型表面弾性波フィルタと同じ正規型I
DTを用い、受信電極には図3に示したTCS-RDT構造の
IDTを用いた。両フィルタは、図8に示されるように
送受信電極の一方向性が対向するように配置されてい
る。またランガサイト基板300の両端には、端部での
弾性表面波の反射を吸収するためのダンパー剤340が
塗布されている。フィルタ#1、2の電極指の周期長λ
は、32.15μmで電極Al膜厚は5000Åである。
送受信電極には間引き重み付けを施している。
【0027】フィルタ#1及びフィルタ#2の周波数特
性の測定結果を図9に示す。図9から本発明フィルタの
通過帯域最小挿入損失、帯域内リップル、帯域内遅延リ
ップルともに改善されていることが判る。具体的には表
1に示すように、通過帯域最小挿入損失はフィルタ#1
が−7.8dBであるのに対して、フィルタ#2は−
9.0dBであり、帯域内リップルはフィルタ#1が
0.21dBであるのに対して、フィルタ#2では0.
58dBである。また帯域内遅延リップルはフィルタ#
1が67.3n secであるのに対して、フィルタ#2で
は80.0n secである。
【表1】
【0028】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、自然一方向性を有するように基板方位及び表面弾性
波伝搬方向が選択されたランガサイト単結晶基板表面に
形成され、表面弾性波の波長λの周期内に配設される正
電極指と、該正電極指の片側に配設される第1の負電極
指及び第2の負電極指とからなる表面弾性波変換器を有
する表面弾性波素子であって、前記弾性表面波変換器は
自然一方向性が反転するように表面弾性波の伝搬方向に
沿って、前記各電極を形成するようにしたので、電極構
造を特定するためのパラメータ、すなわち前記第1、第
2の正電極指及び第1、第2の負電極指の幅、前記第1
の正電極指と第1、第2の負電極指との中心間距離を適
切に選択することにより、低損失の伝送型表面弾性波フ
ィルタを構成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 正規型IDTの電極構造を示す平面図。
【図2】 図1に示す正規型IDTにより一方向性を実
現するための励振中心と反射中心の位置関係を示す説明
図。
【図3】 従来のTCS-RDT 構造のIDTを示す平面図。
【図4】 本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子に
用いられるIDTの電極構造を示す平面図。
【図5】 励振係数ζとモード間結合係数κ12の位相差
(α−β)の電極膜厚依存性を示す特性図。
【図6】 規格化励振係数の電極膜厚依存性を示す特性
図。
【図7】 本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子に
用いられるIDTにおける励振中心と反射中心の位置の
電極膜厚依存性を示す特性図。
【図8】 本発明を適用した伝送型表面弾性波フィルタ
の構成を示す平面図。
【図9】 本発明を適用した伝送型表面弾性波フィルタ
と、TCS-RDT 構造のIDTを受信電極とした伝送型表面
弾性波フィルタの周波数特性を示す特性図
【符号の説明】
1、 10、100 正電極 1A 、12、14、102、104 正電極指 2、20、200 負電極 2A、2B、22、24、202,204 負電極指
フロントページの続き (72)発明者 豊後 明裕 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社総合研究所情報エレ クトロニクス研究所内 Fターム(参考) 5J097 AA01 AA15 BB11 CC15 DD04 DD05 DD28 FF01 GG01 GG05 KK05

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 自然一方向性を有するように基板方位及
    び表面弾性波伝搬方向が選択されたランガサイト単結晶
    基板表面に形成され、表面弾性波の波長λの周期内に配
    設される正電極指と、該正電極指の片側に配設される第
    1の負電極指及び第2の負電極指とからなる表面弾性波
    変換器を有する表面弾性波素子であって、 前記弾性表面波変換器は自然一方向性が反転するように
    表面弾性波の伝搬方向に沿って、前記各電極が形成され
    ていることを特徴とする表面弾性波素子。
  2. 【請求項2】 前記ランガサイト単結晶基板は、基板方
    位及び弾性表面波伝搬方向をオイラー角表示で(φ,
    θ,ψ)とした時に−5°≦φ≦5°,135°≦θ≦
    145°,20°≦ψ≦30°の範囲内にあること、ま
    たはこれと等価な方位であることを特徴とする請求項1
    に記載の表面弾性波素子。
  3. 【請求項3】 前記表面弾性波変換器における前記正電
    極指に対する第1及び第2の負電極指の位置関係とこれ
    ら電極指の幅は、表面弾性波の波長をλとしたときに、
    前記正電極指の幅がおよそλ/8で、該正電極指の中心
    から電極幅W1が18/80λ≦W1≦20/80λの範
    囲にある第1の負電極指の中心までの距離d1が23/
    80λ≦d1≦25/80λとなり、さらに電極幅W2が
    20/80λ≦W2≦26/80λの範囲にある第2の
    負電極指と前記正電極指の中心との距離d2 が54/8
    0λ≦d2≦55/80λとなることを特徴とする請求
    項2に記載の表面弾性波素子。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2019131530A1 (ja) * 2017-12-27 2019-07-04 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ
US10958246B2 (en) 2017-12-27 2021-03-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave filter

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