JP2001144573A - 表面弾性波素子 - Google Patents

表面弾性波素子

Info

Publication number
JP2001144573A
JP2001144573A JP32180699A JP32180699A JP2001144573A JP 2001144573 A JP2001144573 A JP 2001144573A JP 32180699 A JP32180699 A JP 32180699A JP 32180699 A JP32180699 A JP 32180699A JP 2001144573 A JP2001144573 A JP 2001144573A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
surface acoustic
acoustic wave
electrode
electrode finger
finger
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP32180699A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryohei Kimura
良平 木村
Akihiro Bungo
明裕 豊後
Hiroharu Hasegawa
弘治 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP32180699A priority Critical patent/JP2001144573A/ja
Priority to PCT/JP2000/007616 priority patent/WO2001035528A1/ja
Priority to EP00970197A priority patent/EP1229645B1/en
Priority to AU79630/00A priority patent/AU7963000A/en
Priority to DE60016964T priority patent/DE60016964T2/de
Priority to US10/110,222 priority patent/US7075390B1/en
Publication of JP2001144573A publication Critical patent/JP2001144573A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低損失の伝送型表面弾性波フィルタを構成す
ることを可能とする。 【解決手段】 自然一方向性を有するように基板方位お
よび表面弾性波伝搬方向が選択されたランガサイト単結
晶基板表面に形成される、正電極指102、104と負
電極指202とこれらの間に配置される浮き電極300
からなり、浮き電極は隣接する一対の電極指が負電極指
を跨いで短絡するように形成された表面弾性波変換器を
有する表面弾性波素子であって、表面弾性波の波長をλ
としたときに、正電極指および負電極指の中心間隔がお
よそλ/2、両者の電極指の幅dがλ/20≦d≦λ/
10、浮き電極の電極指の幅Wがおよそλ/4となり、
浮き電極は、前記一対の電極指の各々が隣接する左側に
位置する正電極指または負電極指に接近するように偏倚
させ、表面弾性波の伝搬方向に沿って、各電極を形成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機器等
に用いられる表面弾性波素子に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、携帯電話・携帯端末等の移動体通
信機器が飛躍的に普及しているが、これら端末に用いら
れるフィルタには低損失、広帯域、小型等の特性が求め
られ、これらの特性を満たすデバイスとして単相一方向
性変換器をもつ伝送型表面弾性波(SAW)フィルタが
実用化されている。単相一方向性フィルタにおいては、
励振波と反射波との位相差が、前方(順方向)には同相
となり2つの波が強め合い、反対方向(逆方向)では2つ
の波が打ち消しあうため前方方向のみに表面弾性波が強
く励振される。これにより、送信電極と受信電極の一方
向性の向きを向かい合わせる事により、理論的には1dB
以下の低損失フィルタを実現する事が可能となる。
【0003】一方向性変換器を実現する手法としては、
非対称な電極構造を用いたEWC-SPUDT、DART−SPUDTが考
案されている。電極構造の非対称性を利用したこれらの
フィルタのほかに、自然一方向性フィルタ(NSPUDT:N
atural Single Phase Unidirecitonal Transduce
r)というものがある。自然一方向性フィルタは、基板
結晶の非対称性を利用し一方向性を実現する。このた
め、正規型インターディジタルトランスジューサ(ID
T)構造と呼ばれる、電極幅及び電極間隔がともにλ/
4となる正負電極指が周期的に複数連続的に配置された
構造の変換器で一方向性が実現できる。
【0004】ST−X水晶基板上に、正規型IDTを形
成しても正規型IDTを励振駆動することにより発生す
る弾性表面波はST−X水晶基板上において正規型ID
Tの双方向に伝搬してしまい、一方向性を実現できな
い。つまり、自然一方向性とは、圧電基板表面に正規型
IDTを形成したときに一方向に弾性表面波が強く励振
される基板の特性を示すものである。この自然一方向性
基板を用いる弾性表面波変換器では、基板自体の異方性
を利用しているため送信側変換器と受信側変換器の順方
向を向かい合わせる事が出来ない。送受信電極間で一方
向性を向かい合わせる事ができなけれは低損失なフィル
タを作製することは不可能である。
【0005】自然一方向性の方向を反転させる電極構造
を用いて、一方向性を向かい合せる低損失のフィルタが
竹内氏等によって特開平8−204492号公報におい
て提案されている。竹内氏等によって提案された自然一
方向性の方向を反転させる電極構造は、表面弾性波の波
長をλとしたときに、正電極指および負電極指がそれぞ
れ、λのピッチで配列され、正電極と負電極の中心間距
離はλ/2であり、正電極指と負電極指との間に幅がλ
/4の浮き電極を形成しており、正電極指または負電極
指と、浮き電極とのエッジ間距離はλ/16となるよう
に形成されている。そして少なくとも、隣接する一組の
浮き電極は短絡しており(上記公報における図5)、す
べての浮き電極が短絡する場合(上記公報における図
6)も含まれている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】表面弾性波デバイスの
特性は、基板として用いられる圧電結晶の特性に依存し
ている。この圧電結晶の特性として電気機械結合係数が
大きいということと、周波数温度特性が良好であること
が重要となる。現在、この2つの特性を同時に満足する
結晶としてランガサイトが注目されている。オイラー角
表示で(φ,θ,ψ)とした時に−5°≦φ≦5°,1
35°≦θ≦145°,20°≦ψ≦30°の範囲内に
あるランガサイトは電気機械結合係数が0.3%〜0.
4%であり、周波数温度特性は2次の依存性を示し、室
温付近に頂点温度が存在する。電気機械結合係数はST
水晶の約3倍であり、周波数温度特性における2次温度
係数は水晶の2倍程度と非常に良好な特性をもち、低損
失な表面弾性波フィルタへの応用が期待される結晶であ
る。
【0007】オイラー角表示で前記範囲内にあるランガ
サイト単結晶はNSPUDT特性をもち、この基板を用いて低
損失フィルタを実現するには、送受信電極で一方向性の
向きが対向するような電極構造を構成しなければならな
い。そのために、送信電極に電極幅及び電極間隔がとも
にλ/4となる正負電極指が周期的に複数連続的に配置
された正規型IDTを用いた場合には、受信電極には一
方向性が反転した構造を用いなければならないが、竹内
氏等により提案されている電極構造では、ランガサイト
基板で最適な一方向性反転が実現できておらず、フィル
タの低損失化という要求にこたえることが出来ない。本
発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、よ
り低損失な伝送型表面弾性波(SAW)フィルタを構成
することを可能とした、表面弾性波素子を提供すること
を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に記載の発明は、自然一方向性を有するよ
うに基板方位及び表面弾性波伝搬方向が選択されたラン
ガサイト単結晶基板表面に形成される、正電極指と負電
極指とこれらの間に配置される浮き電極からなり、該浮
き電極は隣接する一対の電極指が前記負電極指を跨いで
短絡するように形成された表面弾性波変換器を有する表
面弾性波素子であって、前記弾性表面波変換器は自然一
方向性が反転するように表面弾性波の伝搬方向に沿っ
て、前記各電極が形成されていることを特徴とする。
【0009】また請求項2に記載の発明は、請求項1に
記載の表面弾性波素子において、前記ランガサイト単結
晶基板は、基板方位および表面弾性波伝搬方向をオイラ
ー角表示で(φ,θ,ψ)とした時に−5°≦φ≦5
°,135°≦θ≦145°,20°≦ψ≦30°の範
囲内にあること、またはこれと等価な方位であることを
特徴とする。
【0010】また請求項3に記載の発明は、請求項2に
記載の表面弾性波素子において、前記弾性表面波変換器
における前記正電極指、負電極指および浮き電極の距離
関係は、表面弾性波の波長をλとしたときに、前記正電
極指および負電極指の中心間隔がおよそλ/2、両者の
電極指の幅dがλ/20≦d≦λ/10、前記浮き電極
の電極指の幅Wがおよそλ/4、前記正電極指の中心
と、前記浮き電極を構成する一対の電極指のうち該正電
極指に前記表面弾性波伝搬方向において隣接する前記浮
き電極の電極指の中心との距離gが48λ/240≦g
≦56λ/240となり、前記浮き電極は、前記一対の
電極指の各々が隣接する左側に位置する正電極指または
負電極指に接近するように偏倚して形成されていること
を特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。まずランガサイト圧
電基板上に、電極幅及び電極間隔がともにλ/4となる
正負電極指が周期的に複数連続的に配置された、いわゆ
る正規型電極(正規型IDT)を形成し、これを励振駆
動したときに、自然一方向性を有する原理について図1
を参照して説明する。図1に正規型電極の模式図を示
す。同図において、この正規型電極は、正電極1および
負電極2からなり、正電極1を構成する正電極指1A
と、この正電極指1Aの左右に配置された負電極2を構
成する負電極指2A及び2Bとの間に電界が発生する。
このときに、この電界によって励振されることによりラ
ンガサイト圧電基板に発生した表面弾性波の励振中心は
正電極指1Aのほぼ中心Aとなる。
【0012】また、この電極構造において、周期的に配
置されている電極幅λ/4の電極指が表面弾性波の反射
源となる。反射は音響インピーダンスの不連続に起因す
ることから、それぞれの電極指の端部で表面弾性波が反
射する。このように電極指の両端部の2箇所で表面弾性
波が反射するだが、等価的に電極指の中心で反射すると
考えて支障がない。このとき、反射波の位相が変化す
る。この変化量は、圧電基板の種類とその切断面と表面
弾性波の伝搬方向、さらに電極材料とその厚さに依存す
る。例えば圧電基板にSTカットX伝搬水晶、金属材料
としてAlを用いたときには反射波の位相が90°遅れ
る、すなわち位相変化量が90°となる。
【0013】これに対して圧電結晶として基板方位およ
び表面弾性波伝搬方向をオイラー角表示で(φ,θ,
ψ)とした時に−5°≦φ≦5°,135°≦θ≦14
5°,20°≦ψ≦30°の範囲内にある、またはこれ
と等価な方位であるランガサイト単結晶を基板として用
い、更に電極材料としてAlを用いて正規型IDTを形成
したときに、電極指によって反射される表面弾性波の位
相変化量は−90°+2αとなる。この2αを反射時の
位相ずれと考えたときに、この2αに相当する分だけ反
射中心が電極指の中心からずれたとして反射中心を定義
すると、反射中心のずれδは、
【数1】 となる。δが正のときには電極指の中心から右側に、負
のときは左側に反射中心がずれる。
【0014】反射中心と電極指の中心のずれの大きさが
λ/8のときに、正電極指1Aで励振された波と、隣接
する負電極指2Aの反射中心B、正電極指1Aの端部C
で反射された波の点Aでの位相を図1を用いて考える
と、A→B→Aの経路で反射する波のA点での位相は、
【数2】 となり、励振波と同位相である。これに対して、A→C
→Aの経路で反射する波のA点での位相は
【数3】 となり、励振波と逆位相である。このために、図1の右
方向に表面弾性波が強く励振されることになり、一方向
性が実現される。
【0015】以上のことから、図2に示すように励振中
心と反射中心の距離が、
【数4】 となったときに、励振中心から反射中心の向きに一方向
性を実現することが可能となる。つまり、任意の結晶
に、表面弾性波が励振可能な周期電極構造(IDT)を
形成したときに、その表面弾性波変換器が一方向性を有
するか否かは、励振中心と反射中心の位置が特定できれ
ば断定できる。この励振中心と反射中心の位置はモード
結合理論を用いたときのモード結合パラメータによって
記述される。
【0016】モード結合パラメータは自己結合係数、モ
ード間結合係数、励振係数、静電容量Cからなる。ここ
で、モード間結合係数は、
【数5】 と表現され、κ12の位相分が基準面からの反射中心のず
れに相当し、そのずれの大きさが(1)式で表される。ま
た、励振係数ζは
【数6】 となり、基準面から、
【数7】 だけ、離れたところに励振中心があると考えてよい。よ
って、反射中心と励振中心の差が(4)式を満たすために
は、モード間結合係数κ12と励振係数ζとの位相の間
に、
【数8】 という関係があればよい。
【0017】ここで、竹内氏より特開平8−20449
2号公報において提案された一方向性反転電極構造(以
下、EWD-RDT 構造と呼ぶ)と本発明の実施の形態に係る
表面弾性波素子の電極構造における励振中心と反射中心
の位置について、モード結合理論より解析した結果を示
す。ここで示すランガサイト基板の切断面・伝搬方向は
オイラー角表示で(0°,140°,24°)である。
また、電極材料としてAlを用いている。図3にEWD-RDT
構造を、図4に本発明の実施の形態に係る表面弾性波素
子の電極構造を示す。
【0018】図3においてEWD-RDT構造の電極は、正電
極10と、負電極20と、浮き電極30とからなり、正
電極10を構成する正電極指12、14と、負電極20
を構成する負電極指22は、共に電極幅がλ/8であ
り、正電極指12と負電極指22との中心間隔はλ/2
である。また、正電極指と負電極指との間に幅がλ/4
の電極指を有し、例えば、隣接する一組の電極指32、
34が短絡された浮き電極30が形成されており、正電
極指12、14または負電極指22と、浮き電極30と
のエッジ間距離はλ/16となるように形成されてい
る。
【0019】これに対し、本発明の実施の形態に係る表
面弾性波素子に用いられる表面弾性波変換器の電極は、
図4に示すように正電極100と、負電極200と、浮
き電極300とからなり、正電極100を構成する正電
極指102、104と、負電極200を構成する負電極
指202は、共に電極幅がλ/16であり、正電極指1
02と負電極指202との中心間隔はλ/2である。ま
た正電極指102と正電極指104との間に、一対の電
極指302、304が負電極指202を跨いで短絡する
ように形成された浮き電極300は、電極指302、3
04の幅がλ/4であり、正電極指102の中心と、浮
き電極300を構成する一対の電極指302,304の
うち正電極指102に表面弾性波伝搬方向において隣接
する電極指302の中心との間隔gは7λ/32であ
る。また図3、図4において励振係数ζとモード間結合
係数の位相の基準面は、それぞれ、λ/8幅の正電極指
14、λ/16幅の正電極指104の中心である。
【0020】次に、図5に、励振ζとモード間結合係数
の位相差(α−β)の電極膜厚依存性を示す。位相差
(α−β)の符号が負となるのは、EWD-RDT構造の一方
向性の向きが自然一方向性の向きと逆になることを意味
する。この結果から、EWD-RDT構造では規格化電極膜厚
H/λ(Hは電極膜厚)が0から0.05の間で、の大
きさが、−37.5°付近から−32°の間で推移し、
式(8)から明らかなように一方向性を最適化する角度
である−45°まで達しない。これに対し、本発明の実
施の形態に係る電極構造を用いることにより、規格化膜
厚が約0.012のときに位相差(α−β)の値が、一
方向性を最適化する−45°となることが判る。
【0021】図3及び図4の結果をもとにEWD-RDT構造
(図3)に対して励振中心と反射中心の位置についての
電極膜厚依存性を図6に、本発明の実施の形態に係る表
面弾性波素子に用いられる表面弾性波変換器の電極構造
(図4)に対して励振中心と反射中心の位置についての
電極膜厚依存性を図7に示す。図6、図7の各図におい
て上部には電極構造の平面図が、下部のグラフ中には表
面弾性波の伝搬方向の位置関係を明確にするために電極
構造の断面図を示してある。またこれらの図において、
反射中心は○で、励振中心は×で示してある。
【0022】図7に示すように、本発明の実施の形態に
係る表面弾性波素子に用いられる表面弾性波変換器の電
極構造では、反射中心は励振中心に対して左側に存在
し、両者の距離の差は、およそλ/8になるとなるため
に一方向性の向きは紙面左側となり、自然一方向性の向
きに対して一方向性が反転することが判る。また図11
に励振ζとモード間結合係数の位相差(α−β)の、弾
性表面波変換器における正電極指の中心と、浮き電極を
構成する一対の電極指のうち前記正電極指に表面弾性波
伝搬方向において隣接する前記浮き電極の電極指の中心
との距離gと表面弾性波の波長λとの比g/λに対する
依存性についての特性を示す。同図に示すように、位相
差(α−β)が一方向性を反転する最適化する角度であ
る−45°となるのは、48/240≦g/λ≦56/
240の範囲内においてであることが判る。
【0023】なお、弾性表面波変換器における前記正電
極指、負電極指および浮き電極の距離関係は、表面弾性
波の波長をλとしたときに、前記正電極指および負電極
指の中心間隔がおよそλ/2、両者の電極指の幅dがλ
/20≦d≦λ/10、前記浮き電極の電極指の幅Wが
およそλ/4、前記正電極指の中心と、前記浮き電極を
構成する一対の電極指のうち該正電極指に前記表面弾性
波伝搬方向において隣接する前記浮き電極の電極指の中
心との距離gが48λ/240≦g≦56λ/240と
なり、前記浮き電極は、前記一対の電極指の各々が隣接
する左側に位置する正電極指または負電極指に接近する
ように偏倚して形成すれば、自然一方向性の向きに対し
て一方向性を反転させることができる。
【0024】次に、本発明の実施の形態に係る表面弾性
波素子に用いられる表面弾性波変換器の電極構造を用い
て構成した伝送型表面弾性波フィルタを2種類試作し、
その特性を評価した結果を示す。用いたランガサイト基
板の切断面・伝搬方向はオイラー角表示で(0°,14
0°,24°)である。また、電極材料として、Alを用
いた。供試品としての第1の伝送型表面弾性波フィルタ
(フィルタ#1と記す。)の構成を図8に示す。同図に
おいて、ランガサイト基板500上には表面弾性波の伝
搬方向(+X方向)に沿って、送信電極としての正規型
IDT510と、受信電極としてのIDT520とが設
けられている。正規型IDT510は、正電極512と
負電極514からなり、電極幅及び電極間隔がともにλ
/4となる正電極指513と負電極指515が周期的に
複数連続的に配置されるように形成され、NSPUDT特性を
利用して一方向性を実現している。
【0025】また受信電極としてのIDT520は本発
明の電極構造を用いており、正電極522、負電極52
4及び浮き電極530からなる。ここで正電極指523
及び負電極指525の電極幅がλ/16で両者の電極指
523、525の中心間隔がλ/2となり、正電極指5
23の中心と、隣接する浮き電極530を構成する電極
指532の中心間距離gが7λ/32となり、且つ浮き
電極530の電極指の幅Wがλ/4である。この受信電
極の構造は図4に示す構造と同一である。
【0026】供試品としての第2の伝送型表面弾性波フ
ィルタ(フィルタ#2と記す。)は、送信電極には前記
第1の伝送型表面弾性波フィルタと同じ正規型IDTを
用い、受信電極には図3に示したEWD-RDT構造のIDT
を用いた。両フィルタは、図8に示されるように送受信
電極の一方向性が対向するように配置されている。また
ランガサイト基板500の両端には、端部での弾性表面
波の反射を吸収するためのダンパー剤540が塗布され
ている。フィルタ#1、2の電極指の周期長λは、3
2.15μmで電極Al膜厚は3000Åである。送受信
電極には間引き重み付けを施している。
【0027】フィルタ#1及びフィルタ#2の周波数特
性の測定結果を図9および図10に示す。図10は図9
に示す周波数特性おいてフィルタの通過域付近を、拡大
した図である。図9及び図10から本発明フィルタの通
過帯域挿入損失、帯域内リップルともに改善されている
ことが判る。具体的には表1に示すように、通過帯域挿
入損失はフィルタ#1が−8.84dBであるのに対し
て、フィルタ#2は−10.68dBであり、帯域内リ
ップルはフィルタ#1が0.33dBであるのに対し
て、フィルタ#2では0.46dBである。
【表1】
【0028】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、自然一方向性を有するように基板方位および表面弾
性波伝搬方向が選択されたランガサイト単結晶基板表面
に形成される、正電極指と負電極指とこれらの間に配置
される浮き電極からなり、該浮き電極は隣接する一対の
電極指が前記負電極指を跨いで短絡するように形成され
た表面弾性波変換器を有する表面弾性波素子であって、
前記弾性表面波変換器は自然一方向性が反転するように
表面弾性波の伝搬方向に沿って、前記各電極を形成する
ようにしたので、電極構造を特定するためのパラメー
タ、すなわち前記正電極指と負電極指の幅、前記正電極
指と負電極指の中心間隔、前記正電極指と浮き電極の中
心間隔、前記浮き電極の幅を適切に選択することによ
り、低損失の伝送型表面弾性波フィルタを構成すること
が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 正規型IDTの電極構造を示す平面図。
【図2】 図1に示す正規型IDTにより一方向性を実
現するための励振中心と反射中心の位置関係を示す説明
図。
【図3】 従来のEWD-RDT 構造のIDTを示す平面図。
【図4】 本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子に
用いられるIDTの電極構造を示す平面図。
【図5】 モード間結合係数と励振係数の位相差(α−
β)の電極膜厚依存性を示す特性図。
【図6】 EWD-RDT 構造のIDTにおける励振中心と反
射中心の位置の電極膜厚依存性を示す特性図。
【図7】 本発明の実施の形態に係る表面弾性波素子に
用いられるIDTにおける励振中心と反射中心の位置の
電極膜厚依存性を示す特性図。
【図8】 本発明を適用した伝送型表面弾性波フィルタ
の構成を示す平面図。
【図9】 本発明を適用した伝送型表面弾性波フィルタ
と、EWD-RDT 構造のIDTを受信電極とした伝送型表面
弾性波フィルタの周波数特性を示す特性図。
【図10】 図9に示す周波数特性おいてフィルタの通
過域付近を、拡大した特性図。
【図11】 モード間結合係数と励振係数の位相差(α
−β)の、表面弾性波の波長λと、表面弾性波変換器に
おける正電極指と浮き電極の電極指との中心間隔gとの
比g/λに対する依存性を示す特性図。
【符号の説明】
1、 10、100 正電極 1A 、12、14、102、104 正電極指 2、20、200 負電極 2A、2B、24、202 負電極指
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長谷川 弘治 北海道釧路市大楽毛西2丁目32番1号 国 立釧路工業高等専門学校 Fターム(参考) 5J097 AA01 BB11 CC14 DD04 DD07 DD10 DD28 EE07 FF01 GG01 KK04

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 自然一方向性を有するように基板方位お
    よび表面弾性波伝搬方向が選択されたランガサイト単結
    晶基板表面に形成される、正電極指と負電極指とこれら
    の間に配置される浮き電極からなり、該浮き電極は隣接
    する一対の電極指が前記負電極指を跨いで短絡するよう
    に形成された表面弾性波変換器を有する表面弾性波素子
    であって、 前記弾性表面波変換器は自然一方向性が反転するように
    表面弾性波の伝搬方向に沿って、前記各電極が形成され
    ていることを特徴とする表面弾性波素子。
  2. 【請求項2】 前記ランガサイト単結晶基板は、基板方
    位および弾性表面波伝搬方向をオイラー角表示で(φ,
    θ,ψ)とした時に−5°≦φ≦5°,135°≦θ≦
    145°,20°≦ψ≦30°の範囲内にあること、ま
    たはこれと等価な方位であることを特徴とする請求項1
    に記載の表面弾性波素子。
  3. 【請求項3】 前記弾性表面波変換器における前記正電
    極指、負電極指および浮き電極の距離関係は、表面弾性
    波の波長をλとしたときに、前記正電極指および負電極
    指の中心間隔がおよそλ/2、両者の電極指の幅dがλ
    /20≦d≦λ/10、前記浮き電極の電極指の幅Wが
    およそλ/4、前記正電極指の中心と、前記浮き電極を
    構成する一対の電極指のうち該正電極指に前記表面弾性
    波伝搬方向において隣接する前記浮き電極の電極指の中
    心との距離gが48λ/240≦g≦56λ/240と
    なり、 前記浮き電極は、前記一対の電極指の各々が隣接する左
    側に位置する正電極指または負電極指に接近するように
    偏倚して形成されていることを特徴とする請求項2に記
    載の表面弾性波素子。
JP32180699A 1999-11-11 1999-11-11 表面弾性波素子 Pending JP2001144573A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32180699A JP2001144573A (ja) 1999-11-11 1999-11-11 表面弾性波素子
PCT/JP2000/007616 WO2001035528A1 (fr) 1999-11-11 2000-10-31 Dispositif a ondes acoustiques de surface
EP00970197A EP1229645B1 (en) 1999-11-11 2000-10-31 Surface acoustic wave device
AU79630/00A AU7963000A (en) 1999-11-11 2000-10-31 Surface acoustic wave device
DE60016964T DE60016964T2 (de) 1999-11-11 2000-10-31 Akustische oberflächenwellenanordnung
US10/110,222 US7075390B1 (en) 1999-11-11 2000-10-31 Surface acoustic wave device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32180699A JP2001144573A (ja) 1999-11-11 1999-11-11 表面弾性波素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001144573A true JP2001144573A (ja) 2001-05-25

Family

ID=18136635

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32180699A Pending JP2001144573A (ja) 1999-11-11 1999-11-11 表面弾性波素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001144573A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200061409A (ko) * 2017-12-27 2020-06-02 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 필터

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200061409A (ko) * 2017-12-27 2020-06-02 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 필터
KR102205186B1 (ko) 2017-12-27 2021-01-20 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 필터

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100609966B1 (ko) 탄성표면파 필터 장치 및 통신 장치
US7135805B2 (en) Surface acoustic wave transducer
JP3391309B2 (ja) 表面波装置及び通信機装置
EP1030447A2 (en) Saw resonator filter
JP4100249B2 (ja) 弾性表面波装置、通信機
KR100326620B1 (ko) 탄성표면파디바이스
US7579932B2 (en) Resonator SAW filter having a control interdigital transducer between input and output interdigital transducers
EP1207621B1 (en) Transversal surface acoustic wave filter
US5698927A (en) Surface acoustic wave device
WO2001035528A1 (fr) Dispositif a ondes acoustiques de surface
US6534897B2 (en) Surface acoustic wave device
KR20000005736A (ko) 탄성표면파장치
KR100300897B1 (ko) 탄성표면파변환기및이변환기를이용한탄성표면파필터
US6600391B2 (en) End surface reflection type surface acoustic wave apparatus utilizing waves with a longitudinal wave or shear vertical wave main component
JP4058859B2 (ja) 表面弾性波素子
JP2001144573A (ja) 表面弾性波素子
JP3818195B2 (ja) 表面弾性波素子
JP3014930B2 (ja) 弾性表面波デバイス
JP4310928B2 (ja) 表面弾性波素子
JP3040928B2 (ja) 弾性表面波トランスデューサ
JP2002314363A (ja) 表面弾性波素子
JP4158289B2 (ja) 表面弾性波素子の製造方法
JP3197883B2 (ja) 弾性表面波トランスデューサ
JPH10335973A (ja) 縦結合二重モードsawフィルタ
JP2001285001A (ja) 弾性表面波フィルタの製造方法、弾性表面波フィルタおよび通信機器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050426

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20070918

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A02 Decision of refusal

Effective date: 20080205

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02