WO2000075719A1 - Affichage a cristaux liquides - Google Patents

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WO2000075719A1
WO2000075719A1 PCT/JP1999/002961 JP9902961W WO0075719A1 WO 2000075719 A1 WO2000075719 A1 WO 2000075719A1 JP 9902961 W JP9902961 W JP 9902961W WO 0075719 A1 WO0075719 A1 WO 0075719A1
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gate
drain
line
photoresist
word
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PCT/JP1999/002961
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Nobuyuki Suzuki
Kikuo Ono
Masuyuki Ohota
Yoshiaki Nakayoshi
Masahiro Ishii
Original Assignee
Hitachi, Ltd.
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Publication date
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    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/13629—Multilayer wirings

Definitions

  • This translation relates to the change of active matrix using transistors, especially photolithography:
  • ⁇ H is changed to B3 ⁇ 4 ⁇ .
  • An active matrix type using an active element typified by a tidean transistor (hereinafter referred to as TFT and Ota ⁇ ) Said B ⁇ is widely used as a thin, S, calorie, and ⁇ ⁇ ⁇ indicator that can be used to obtain the power of a CRT.
  • Fig. 21 is an enlarged view of the active matrix substrate (TF TS3 ⁇ 4), which shows the active matrix type B, which is referred to as the active matrix substrate (TF TS3 ⁇ 4).
  • Fig. 21 shows the A-A 'in Fig. 21.
  • Fig. 23 along the line if »Fig. 23 is ⁇ in Fig. 24
  • Fig. 25 along the line K—K 'in the medium 23 is i3 ⁇ 4k
  • Fig. 25 is the signal in Fig. 26 Fffllk along the line L_L, line 2 7 2 7 8 m 2 7 Cross section along the line M- Ik
  • Figure 2 9 shows the MEL of the front bottle of the liquid s ⁇ ⁇ ] is t lIl.
  • the active matrix plate 1 shown in FIGS. 21 and 22 is made of glass or the like.
  • the gate line 101 and the gate line extend on the lubricating furnace plate 100
  • 13 ⁇ 43 ⁇ 4105 is 3 ⁇ 3 between the gate line 101 and the drain 103.
  • WWf symbol supplied to 103 is spoken.
  • 021 is Hl3 ⁇ 43 ⁇ 4it ⁇ 3 ⁇ 4R3 ⁇ 4 from H * II 02, which is H * ⁇ f castle.
  • the gate line 101 is made of, for example, chrome (Cr).
  • the gate electrode 1011 is a gate line 10 ⁇ in FIG. 21, and is made of, for example, chrome (Cr).
  • hot springs 102 and 021 are occupied for example by chrome (Cr).
  • the drain 1031 and the source 3 ⁇ 4g 104 are made of N (+) type book and chromium (Cr) etc. so as to form an i type ⁇ 107, and these gates 1011, gate! Mil 012, i type ⁇ Wil 07 , A drain 1031, and a source 104 as a transistor.
  • Drain 103 1 is the drain identified with it! 3 ⁇ 4 103 and the source 104 are woven into it and ⁇ ⁇ 3 ⁇ 43 ⁇ 4 105.
  • the gate line 101, drain line 103, Lake Izumi 102, and the charges that are surrounded by these fibers are shown in Fig. 22. As shown in Covered by 0 ⁇ . This is made of, for example, silicon nitride.
  • the active matrix type 3 ⁇ 4 says that ⁇ is formed with active elements, such as transistors, etc., of the active matrix plate 1, which is drawn like self! Opposite the surface, a black matrix substrate (having a color finolator group 2).
  • This black matrix S plate 2 is a specific matrix for the if ⁇ S W of the body color 3 ⁇ 4 ⁇
  • the two surfaces of the two plates that have been subjected to self-assembly have a force of 9 to align the ⁇ ⁇ H3 ⁇ 4m ⁇ with a constant value of ⁇ T3 ⁇ 4 of the two surfaces of the two plates. Also, each of the two pieces ⁇ S ⁇ O ⁇ ffi has a (3 ⁇ 4 » ⁇ 10 restaurant to control the ( ⁇ ).
  • liquid crystal 111 is inserted.
  • the ⁇ f-line 101, the drain line 103, and the leak 102 are connected to the active matrix substrate 1 by a conductive board 100
  • a conductive board 100 In the transfigured fiber board 1 0 0 ⁇ 3 ⁇ 4board3 ⁇ 4 ⁇ , each trend path 30 o, The active matrix type is changed to oo.
  • the gate line 101 is indium (In), titanium (T i), and ⁇ (0) is ⁇ .
  • the trend ⁇ m12 shown in (I TO) is a gate! It has been assigned to the gate «II 0 12 power 3 ⁇ 43 ⁇ 4R1 ⁇ 2 ⁇ in order to show the ⁇ insect between II 01 and its cave (ITO). In addition, it is assigned to 108 ⁇ S ⁇ to the worm of this (ITO) and membrane 113.
  • the signal 15 shown in FIGS. 25 and 26 is covered with a drain spring 103 ( ⁇ ) (ITO).
  • ITO drain spring 103
  • the gate ⁇ 1021 has been assigned to 1 ⁇ 2R3 ⁇ 4 to drain the 1 ⁇ insect with the drain ⁇ 103 and; »®! (I TO).
  • (PAS) has been assigned 114 days to remove insects from this (ITO) and 3 ⁇ 41 »3 ⁇ 41113.
  • the detail 116 shown in FIG. 27 and FIG. 28 is covered by ⁇ 102 days (ITO) ⁇ .
  • ⁇ T ⁇ Wl 13 has been destroyed on this (ITO). It is connected to the section ⁇ 500 in Fig. 30 ⁇ .
  • gate 113 113 is placed at ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ to stone » ⁇ Okina of i» f 102 and (I TO).
  • ⁇ li (PAS) 114 has been tested on 3 ⁇ 4 ⁇ in order to reduce the number of insects between the intercept and the 113 113.
  • the 3 ⁇ 4a3 ⁇ 43 ⁇ 43 ⁇ 4 ⁇ of this ⁇ is a photo resist T ⁇ P ⁇ film ( ⁇ ⁇ ) and chromium (Cr) as a material for the gate line, common spring and drain line of the active matrix.
  • ⁇ ⁇ photo resist
  • Cr chromium
  • a Kakehashi membrane is used. Shinsen and drain «fe and painting»
  • the present invention is composed of (a) a gate line 4 and a drain film and a transparent film, and (b) a drain film and a transparent film.
  • the active matrix substrate left by this month is: Tf ⁇ Hidden.
  • Drain material and photoresist ⁇ Drain Izumi and photolithography, photolithography, photoresist ⁇ etching, drain etching, ⁇ (+) type etching, photoresist (1 (4) Photo Resist decoration, ⁇ turn photolithography, photoresist, gate etching, photoresist ⁇ IJ ⁇
  • Fig. 1 (Milk along the line A-A 'in Fig. 21 to persuade the first ⁇ (1 of the transliteration)
  • Fig. 2 shows ⁇ (B- B' in Fig. 2
  • Figure 4 shows the 3 ⁇ 41 line of the signal
  • Fig. 5 shows the cross section along the line C 1- C I of Fig. 4
  • Fig. 6 shows the line C 2- C 2 'of the line.
  • Fig. 7 is the same as Fig. 8 (D-D in Fig. 7;
  • Fig. 9 is the eik along the line Fig. 10 is a cross-section along the line E-E 'in Fig. 9.
  • Fig. 11 is a cross-section along the line E-E' in Fig. 9.
  • Fig. 1 (Milk along the line A-A 'in Fig. 21 to persuade the first ⁇ (1 of the transliteration)
  • Fig. 2 shows ⁇ (B- B' in Fig
  • FIG. 13 along the line FF
  • FIG. 13 shows the leakage.
  • Fig. 14 shows the line along the line GG 'in Fig. 13.
  • Figure 16 shows the H-H of Fig. 15, along the line ⁇ Hk
  • Figure 17 shows the signal ⁇ Figure 18 (Figure 17 along the line I- ⁇ of Figure 17 shows the fine line ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ 3 ⁇ 4 k Jom J of Fig. 2 omtmi 9, ⁇ ⁇ along the line Fig. 21
  • Ik Fig. 22 (A-A in Fig. 21; cross section along line Ik Fig. 23 is a flat plane of ⁇ 3 ⁇ 43 ⁇ 4 Sk Fig. 24
  • Ik Fig. 25 Is ⁇ ⁇ , Fig.26 (enk along the L- line in Fig.25 is enk.
  • Fig.27 is the country in 28.If3 ⁇ 4k is along the ⁇ - line in Fig.27.
  • Fig.29 is ⁇ ⁇ 3 ⁇ 4f »Figure 30
  • Fig. 1 Fig. 9 Bumatric board 1 is as follows.
  • a gate line 101 is formed on a substrate 100, and this gate line is connected to the ⁇ gate i 011, and the gate line 101 is connected to 3 ⁇ 4 »
  • Gate line 101 and its gate 1 ⁇ ⁇ ⁇ , Fountain 102 and its 021 are from the side closer to the fine S board 100 ⁇ for the gate ⁇ ill 0311 and the gate intercept; 3 ⁇ 4t «(ITO) I will be sincere of 10312. 2Ek 3! Ek As shown in Figs. 7 and 8,
  • the substrate of o has ⁇ 3 ⁇ 4. This ⁇ ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ 12, It is composed of a laminated film of “gate 1011” and “gate”;
  • the gate line 101 and the gate and its gate ⁇ 1011, the fine line 02 and the gate and the gate thereof are suitable.
  • the i-type ⁇ ffi (AS) 107 force lab is applied to the gate 1011 and the gate line 10 of the user.
  • the drain 1031 and the source 104 are ground as in the i-type WS107.
  • This drain 1031 and source ⁇ 04 For the part fen, which is counted as 07, the three layers f ⁇ , such as (CON) 117, ⁇ ⁇ 1041 for drain, and 3 ⁇ 4 11042 for drain, are listed in order of i-type ⁇ wii 07.
  • the drain ⁇ 1031 and the source 104 do not overlap with the i-type ⁇ 107.
  • the source pot film 1041, for the drain It has been difficult since 1 ⁇ .
  • TFT Tidemo Transistor
  • drain lines are connected to the gates 101 and 9 »102.
  • the drain line 103 is formed by two layers of a drain film 1041 and a drain Hil 042 layer 5 in the order from the gate IIII 012 ⁇ ⁇ .
  • the drain line 103 and the drain line 1031 are displayed.
  • Fig. 4 and Fig. 5 As shown in the figure, 115 transparent concealed boards have been cultivated.
  • This layer is composed of two layers: ⁇ 041 for drain and 1042 for drain As shown in FIG. 21, 12 is connected to the drain H 103 and connected to the drain I 103, respectively.
  • This screen 105 consists of the drains ⁇ flll 041 and the drain week ⁇ 1042 in the order from the gate »diaden1012.
  • the source 3 ⁇ 43 ⁇ 4104 and the above-mentioned image ⁇ 3 ⁇ 4105 are " ⁇ sa l> 3 ⁇ 4 ⁇ are dished.
  • a storage facility (CSTG) 106 ( ⁇ 2 lg) is deposited.
  • This dew storage amount 106 is a gate;
  • Drain transparencies are composed of two calendar calendars of 1042.
  • This descendant hall * 3 ⁇ 4 @ 106 is a drain ⁇ 041 and a drain translucent B i 042, which is different from that of the 105, 3 ⁇ 4 ⁇
  • the fiber length is ⁇ .
  • the surface of the active matrix board 1 on which the fiber transistors and the D active elements are provided is formed by ⁇ I (PAS).
  • ⁇ I PAS
  • this ⁇ ill 08 is driven by the gate »11012 and the ⁇ pattern.
  • 3 ⁇ 4a3 ⁇ 43 ⁇ 4 ⁇ as shown in FIG. 29 includes a black matrix «2 as a surface on which an active element such as a tidedenian transistor of the plate 1 shown in FIG. It has.
  • the black matrix plate 2 is made of, for example, an active matrix plate 1, which has a resistance of 13.5%, which is composed of 1 ⁇ 3 111 acrylic, ⁇ E (PASBM) 120, and a color active matrix. Type says ⁇ ⁇ in if ⁇
  • This 09 is made of, for example, a polyimide film having lif3 ⁇ 4f3 ⁇ 450 nm. It has been given to this huge amount of money.
  • liquid crystal 111 is sealed between the active matrix plate 1 and the black matrix S plate 2.
  • the highly stubborn plate 100 is made of, for example, non-alkali glass.
  • the gate transparent film 0112 is made of '100 nm oxidized ⁇ using indium (In), titanium (Ti), oxygen (0) and the like.
  • the first photolithography: m is performed on the photoresist pattern 101 and the photoresist pattern 1011, the trend 12, the Hosoizumi 102, and the ⁇ 11 electrode 1021, 16 with the same.
  • the pattern of the gate film 10111 is for the gate; ⁇ Turn.
  • Gate 0 12 It is made of a 0 N nm silicon nitride film, but may be an expanded silicon film.
  • i ⁇ m l O 7 is ®l 5 O nm ⁇ H, which is referred to as a® silicon.
  • the mimetic oysters 1 17 are N-killed by, for example,
  • the second photolithography on ⁇ -barley Beta presentation was performed, and the 181-transition evening became a positive ⁇ ⁇ i 07 photo-resist pattern.
  • a photoresist pattern is used at the same time. Etch ⁇ m, i ⁇ 107 and apply the photoresist! ⁇ As a result, i ⁇ m 107 and 0 ⁇ 4 117 of ⁇ are obtained.
  • a film is formed on the Nada by a sputtering method using ⁇ 104 perimeter for drain and J ⁇ ® 1042 transparent for drain.
  • the ⁇ ! Film 1041 for the drain may be made of, for example, a chromium Cr force having a thickness of 200 nm, and molybdenum Mo or a chromium-molybdenum compound may be used for chrome.
  • the intercept for the drain is composed of indium I ⁇ , titanium T i, and f3 ⁇ 410 O nm.
  • the gate 811 0 12 is etched in order, and then the photoresist is removed. As a result, the door ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ 08 and the gate «I 0 12 ⁇ are polished.
  • This ⁇ Bil 08 is made of, for example, silicon nitride of! ⁇ 30 O nm.
  • ⁇ II 108 is silicon nitride gated.
  • the substrate is covered with a silicon film, it can be etched.
  • the film 108 and the gate Ml 0 12 were woven according to the self-respected photoresist pattern ⁇ n, shin, ⁇ w ⁇ fine spring w ⁇ It is the power of contact.
  • the pattern of 08 is a gate pattern of 1102 and a ⁇ pattern. As shown in Fig. 2 and Fig.
  • the ⁇ mr- part 112, »3 ⁇ 43 ⁇ 4 116 and the word ⁇ 15 have a fluctuating rise
  • the far side is transparent
  • the gates « ⁇ 012 and ⁇ II 08 are etched using the ⁇ M photo registry: ⁇ , so that the active matrix can be provided without having a dedicated photolithography process for powering the gate» 1012.
  • the gates «11012 and 108 have been formed of a silicon nitride film, the if ⁇ r has 08, and the gate « II 012 has [H3 ⁇ 4etching ⁇ IJ etching] to give etching 3. I can do it. Also, Even if ⁇ made of silicon film, [ ⁇ HD etching ⁇ 'can be etched, and it is possible to eliminate etching.
  • the pattern of this Mo 108 and the gate «Mo 1012 is formed as follows.
  • the active matrix is increased by one.
  • the gate is referred to as a first layer 0121 and a second gate 0122 in order from the side closer to the invisible board 100 which is one month apart.
  • the first gate MI 10121 is made of, for example, a silicon film 10011111.
  • the second gate, ⁇ I 0122 is made of, for example, a silicon nitride film having a thickness of 250 nm. ⁇ ⁇ » ⁇ 's active matrix 3 ⁇ 4 ⁇ 1

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Description

細綱
本翻は、纏トランジスタを利用したァクティブマ卜リクス變^ ι¾¾^ に係り、特にホトリソ: Q呈を肖 I滅してァクティブマトリク 板の
縮することにより、婁豈コストを明 "fg減した ¾H曰 B¾ ^^に Hする。 潮奠トランジスタ （以下、 TF Tと略田 §ϊする） に代表されるアクティブ素子を 用いたアクティブマトリクス型 曰 B ^^は、薄く、 Sであるという,に カロえ、 ブラウン管に » る 力得られるという点力、ら、 ΟΑ¾^© 示 として広く普及している。
Figure imgf000002_0001
1つとして、 に難した 2つ の1 ¾に¾ ^を与え、 己 2つの ^に^ る編麵にほほ 亍¾ ^に より ¾H曰曰を馬働し、 2つの の隙 T曰 ヽら ¾Ηθ曰に ΛΛした光を して^ τΤる ある。 この は^^^著しく広いというキ纖を 。 なお、 この
Figure imgf000002_0002
Q 3 - 2 1 9 0 7号等に Γ开 されている。
ここで、本 ¾B月 するァクティブマ卜リクス 曰 B¾ ^^の ·伊」を第 2 1 S~第 3 0図を参照し T ^明する。
第 2 1図はァクティブマトリクス型夜 B曰 B¾¾^を ^¾するァクティブマトリ クス基板 (T F TS¾) の¾ ^藤の拡大 ®Ε1、第 2 2図は第 2 1図の A— A' 線に沿った if»第 2 3図は^ の 第 2 4図 (媒 2 3図 の K— K' 線に沿った i¾k第 2 5図は信" ¾¾ の 第 2 6図 ( 2 5図の L _ L， 線に沿つた fffllk第 2 7 第 2 8 m 2 7図の M— 線に沿った断面 Ik第 2 9図は液 s曰^^の表 瓶 の MEL第 3 0図ば 曰 B¾¾^^の^^]な t lIlである。
第 2 1図および第 2 2図に示されたァクティブマトリク 板 1は、ガラス等 月な編爐板 100上にゲー卜線 101、 ゲ—ト線と に延びる
102、 ゲ一ト線と細泉に対して較するように延びるドレイン線 103力 横に开诚されへゲ一卜線 102、 泉 102およびドレイン! ¾103とに囲ま れた^ ¾に^!^研诚されて 、る。
^には、 ゲ一ト 101 1、 ドレイン 1031、 ソース 104 力、らなる,トランジスタ （TF丁） 、 ドレイン^ 103と^ ίラに 1»に延び る画 05、 021、 泉 102±i m i 06力く されている。
1¾¾ 105にはゲート線 101とドレイン ϋ 103との 3 ^ 付近にある 識莫トランジスタ して、 ドレイン！ ¾103に供給されている Wf言号か ΈΡ¾口 される。 また、 021には、 それと H*^f城された^ «II 02よ り ¾l¾¾it^¾R¾される。
ここで、ゲート線 101は、例えばクローム （C r)で難される。 ゲ一卜電 極 1011は図 21ではゲート線 10 ^となっており、例えばクローム (C r)で構 される。 また、■泉 102と 021は一^ f诚さ † 例えばクローム （Cr)で職される。
ゲ一卜 ¾101、およびゲ一卜 βΐ 011上と 050^|¾ 上に は窒化シリコン等からなるゲ一卜^ 1012か开诚さ kその上にはゲ一卜 «1011に¾¾るように t¾曰 シリコ からなる i型^ 07カ彬 成されている。
ドレイン 1031、 ソース ¾g 104は i型^ 107に M¾るよう に N (+)型 本とクローム （Cr)等で开诚されており、 これらゲート ¾ 1011、ゲート! Mil 012、 i型^ Wil 07、 ドレイン 1031、 およびソース 104をもって,トランジスタ している。
ドレイン 103 1はそれと 诚されたドレイン！ ¾ 103と、 また ソース 104はそれと 诚された ϋ^¾¾105と に纖され ている。
また、 02上には画^ ¾105と ネオ f斗で蓄^ Μ¾106 カ ^されており、 これは画^ ¾105と"^ f されて^ 量 ¾F し ている。
また、第 2 1図に {标されていないが、ゲート線 1 0 1、 ドレイン線 1 0 3、 湖泉 1 0 2、およびこれらに囲まれた繊に械する涵素は、第 2 2図に示 されているように、
Figure imgf000004_0001
0 δにより覆われている。 こ は、例えば窒 化シリコン等からなる。
第 2 9図に示されたように、 アクティブマトリクス型 ¾曰 Β¾ ^^には、 ±!己 のように飄されたァクティブマトリク 板 1の纏トランジスタなどのァク ティブ素子か形成されている面に対向して、 ブラックマトリクス基板（カラ一 フイノレタ基 2を有している。
このブラックマ卜リク S板 2は、伊 j元は '了クティブマトリク 板 1と する Hiから順に、體勤 カラー ¾ ^の if^^S Wに所定の
過する (カラ一フイノレタ） 1 1 8、 (ブラックマトリクス） 1 1 9、 骨層 1 2 o、 m m m o o等で！^されている。
±ί己した 2枚 板の互いに文^ る面には、 ¾H¾m ^由を 己 2枚 板の ¾T¾ ~る面の麵において一定の^]に揃えるための 0 9力 «さ れている。 また、 2枚 ©S^O^ffiのそれぞれに (ϋϋする を制脚 するため (¾ » ι 1 0カ廳されている。
さらに、ァクティブマ卜リク 板 1とブラックマ卜リク 板 2の間には液 晶 1 1 1カ對入されている。
第 3 0図に示されたように、 ^f-ト線 1 0 1、 ドレイン線 1 0 3、漏泉 1 0 2はァクティブマ卜リクス基板 1を る删な 板 1 0 0 (OW 部まで磁し、認翻な繊 ί權板 1 0 0©¾板¾ ^において各趨癱麵 路 3 0 o、
Figure imgf000004_0002
o oと に されて ァクティブマトリクス型 を ^して ゝる。
第 2 3図および第 2 4図に示された 1 2は、ゲート線 1 0 1を インジウム （I n)、 チタン （T i )、瞧（0) を ^とする透明導 ¾
( ΐ το)で覆って开 されている。 こ
Figure imgf000004_0003
mU l 1 3力研 さ;^第 3 OU0^¾IE|¾H¾3 0 0と ^勺に される。
Figure imgf000004_0004
1 3 ( 旨フィルム内に、搠誠に銀メツキを施した鶴ビーズ し、 メッ+ ^に 才 寸着さ こものである。
(I TO)で开诚された趨^^ m 12は、 ゲート！ II 01と そ 奠 (ITO) との^^虫を»するために、 ゲ一卜 «II 0 12力 ¾¾R½に [^されている。 また、 こ (ITO) と 膜 113との 翁虫を β:するために、腦莫 (PAS) 108力 ¾S ^に [^されている。
第 25図および第 26図に示された信^ 15は、 ドレイン泉 103 ¾Μ¾β (ITO)で覆って开诚されている。 こ c¾ l¾^i (ITO)の
Figure imgf000005_0001
こ されている。 言^ 15では、 ドレイン^103と; »®! (I TO) との1^^虫を «するために、 ゲ一ト糸醒莫 1021が ¾R½に^ ¾ されている。 また、 こ (ITO) と¾1»¾1113との 撤虫を職するために、 (PAS) 114カ» ^に されている。 第 27図および第 28図に示された細 116は、 ¾¾¾ 102 日^ ¾I (ITO)で覆って开诚されている。 こ ©¾H^¾i (ITO)の上に ^t^Wl 13か滅さ 第 30図の細瘸 ϋβ§500と^^こ接 続されている。 16では、 i»f 102と (I TO) との ¾ ^翁虫を石 t ^するために、 ゲート 莫 113が; ί¾ ^に されてい る。 また、邀 »¾莫（I TO) と ¾¾»¾莫113との 虫を 5 ^す るために、 ^li (PAS) 114が ¾ ^に驗されている。
±1己したアクティブマトリクス基板 1¾ ^成するためには、例えば以下の ( 1 )〜 （6 ) に説明するような 6回の謹 ·ホトレジスト^ J ·ホトリソグラ フィ一 ·ホ卜レジス卜現像 ·エッチング ·ホ卜レジスト彔 I搬の: り返しが となる。
( 1 )ゲ一ト 泉材料刷莫 ·ホトレジスト ·ゲ一トおよび ¾¾¾パターンの ホトリソグラフィ一 ·ホトレジスト現像 ·ゲート 1¾泉材料ェツチング ·ホトレジ スト彔 I
(2)端子用 麵莫'ホ卜レジス卜魏 ·ϋΒ^« ^ターンのホ卜リ
-，ホ卜レジスト現像 ·； ¾¾¾莫エッチング ·ホ卜レジスト彔 I Ιο (3)ゲート画 I¾よび i型、 N (+)型^ ホトレジス卜塗 布 · i型、 N (+)型^ ターンのホトリソグラフィ一 ·型、 (+)型半 エッチング ·ホトレジスト彔
(4)ホ卜レジス卜塗布 ·ゲート パターンのホトリソグラフィ一 ·ホトレ ジスト現像 ·ゲ一卜 «iエッチング ·ホ卜レジスト彔 im>
(5) ドレイン 才ギ斗 莫 'ホ卜レジスト · ドレイン線および画^ »ヽ° ターンのホトリソグラフィ一 ·ホトレジス卜現像 · ドレイン! ^ォ斗エッチング ·
N (+)型^ エッチング .ホトレジス卜彔 1
(6) ^Ι«·ホトレジスト^? ·ί¾¾Μ ^ターンのホトリソグラフィ一' ホトレジスト現像 ·保 ¾莫エッチング ·ホ卜レジスト彔
±1己のように、： でも 6回のホ卜レジスト^ ί ·ホトリソグラフィ一 ·ホ卜 レジスト現像 （以下、 これらをまとめてホトリソ 呈と略 る） をi なけれ ばならず、 アクティブマ卜リク 板 1の S¾iB#f曰 Μϋ^ύ^く必要となり、 ϋα^«|·であり、 として ¾Η曰^^の 豈コストカ してしまう。 しナ て、本 ¾Β月の目的は、 ホ卜リソ: [^を肖喊し、翻 曰¾¾して is豈コスト "できる ¾J 0¾a曰^^、 および ¾i ¾¾¾ することに ある。
画の开呩〕
本删の ¾a¾¾¾ ^は、 ァクティブマトリク ¾扳を纖するゲ一ト線、共 通泉およびドレイン線の 尉才料として^ ホ卜レジス卜 T¾P する^^ 膜（ΙΤΟ) とクローム （Cr)の禾廳膜を用いる。信 ^泉とドレイン «feよ び画 を ί己のホ卜レジス卜とは別のホトレジスト1¾旺する透明導 ¾ (ΙΤΟ) とクローム （Cr)の ¾ 膜を用いる。
また、本到の ¾H曰 の S¾ ¾?去は、 ァクティブマトリク ¾板を滅 するゲート線、 W泉およびドレイン ネオ料として; Ε»» (ITO) と クローム （C r)の ¾ϋΒ奠を用い、下記 （1)〜 （4)のホトリソ: If呈でァク ティフ"マトリク s板を る。
(1)ゲート線、湖泉およびそれらの ¾ ¾f¾する。
(2) a-S iの島を力 Πΐο (3) ソース. ドレインおよびドレイン 诚とチヤネノレエッチング。
(4)腿莫.ゲ—ト «ΙΗ¾¾π:、端子出し。
"Τ¾わち、本删は、 (a) ゲート線 4¾ ^と との禾簾膜で形 成する、 （b) ドレイン 才料を^ と透明どう H莫との積層膜で する、
(c) ゲート «莫と ^Ι¾Η¾ ¾π する。 これにより、 ホトリソ: [^を 肖 ΙΜし、ァクティブマ卜リク »板の ^ し、 iSi» ¾H曰 B¾¾^ カ 导られる。
本 ¾B月によるァクティブマトリクス基板 去は: Tf©匿りである。
( 1 ) ゲート 料と透明 ¾«¾^¾¾莫し、 ホトレジストを^ [Ϊし、 ゲ一 卜およ 9»!パターンのホ卜リソグラフィ一、 ホ卜レジス卜現像、 MOT! のエッチング、ゲ一ト酣尉ォ エッチング、 ホ卜レジスト of
(2) ゲート画 ifcよび i型、 N (+)
Figure imgf000007_0001
ホトレジスト 紘 i型^^ ターンのホトリソグラフィ一、ホ卜レジスト職、 i型、 N (+)型^ WgoH¾エッチング、 ホ卜レジスト彔 I服
(3) ドレイン ^料と ホトレジスト^、 ドレイン 糸泉および画^» ターンのホトリソグラフィ一、 ホトレジスト ^ エッチング、 ドレイン 尉ォ エッチング、 Ν (+)型 のエッチ ング、 ホトレジス卜彔 1 （4 ) ホ卜レジスト飾、 ^ター ンのホトリソグラフィ一、ホトレジスト 、ゲート エッチング、 ホ トレジスト彔 IJ^
±1己のように、 ァクティフ"マトリク ¾板を 4回のホ卜リソ: 0呈で诚するた め、ホ卜リソ: ¾tr'き、 ¾として、 ^ 曰¾?«さ ¾Εな ¾¾¾ ^^を得ること力できる。
画の鹏響月〕
第 1図 (鉢翻の第 1 ^(1を説日财るための第 2 1図の A— A' 線の沿った Milk第 2図は^ 第 3図 (燥 2図の B— B' 線に沿った 断翻、第 4図は信^ の ¾1、第 5図は第 4図の C 1— C Γ 線に 沿った断面 Ik第 6図は第 4図の C 2— C 2 ' 線に沿つた断面 Ik第 7図は共通 第 8図 (燥 7図の D— D， 線に沿った eik第 9図 (鉢発 明の第 2|»ijを説日财るための趨 の 第 10図は第 9図の E — E' 線こ沿った断面 ¾第 11図は信 の平面 Ik第 12図 (燥 11 図の F— F， 線に沿った 第 13図は漏 の «lk第 14図は 第 13図の G— G' 線に沿った 第 15図 (鉢翻の第 3 »ijを説日胜 るための趨 の «lk第 16図は第 15図の H— H, 線に沿った麵 Hk第 17図は信^ 第 18図 (燥 17図の I— Γ 線に沿つ た 第 19図は細 ^¾©¾ k第 2 omtmi 9図の J— J， 線 に沿った β¾第 21図 (鉢翻 するアクティブマトリクス型 曰
を «するアクティブマトリク « (TFT基^ < $m
Ik第 22図 (燥 21図の A— A， 線に沿った断面 Ik第 23図は^ ¾¾ の平 S k第 24図 ί燥 23図の K— K' 線に沿った断面 Ik第 25図は信^泉 ^^ ,第 26図 (嫌 25図の L— 線に沿った enk第 27図は 第 28國嫌 27図の Μ— 線に沿った if¾k第 2 9図は ¾¾¾¾ ^の^灘の ¾f»第 30図ば
なネ^ HIT'ある。
,を するため 態〕
以下、翻をより譜田に説财るために、 寸の睡に従つ "0¾»る。 なお、 J¾下 る本删の各W(Jのァクティブマトリク ¾¾の ¥¾1〖燥21 図と [¾ 'ある。
第 1 第 9図 (鉢翻の第 1
Figure imgf000008_0001
ブ マトリク 板 1は次のよう されて 、る。
第 1図および第 21図において、基板 100上にゲ一卜線 101およびこの ゲ一卜線と ΗΦωゲ一卜 i 011、ゲ一ト線 101と ¾に する »|
102および^ ί¾泉 102と ゲ一ト線 101および^! 102と ^す る:^]に延びる 021力研 されている。
ゲ一ト線 101およびそれと ゲ—ト 1 ο ι ι、 泉 102および それと の 021は、删な繊 ¾S板 100に近い方からゲ一ト 用^ ill 0311とゲート用邀; ¾t« (ITO) 10312より誠される。 第 2Ek第 3!Ek第 7図および第 8図に示したように、翻な »隨板 10 oの基板 ¾には^ ¾ れている。 この^ ι¾ ι 12、
Figure imgf000009_0001
o oに近い 方からゲ一卜用 莫10111とゲート用; 0112との積層膜よ り成る。
Figure imgf000009_0002
12は図 3 OTI兌明したように、 それぞ tl©ゲート線 101と 诚することで、それぞれのゲート線と に赚される。 *¾¾子 部 116は全ての ¾®泉 102と H^^f诚することにより全ての^ W泉 102 と に されている。
第 1図に示されているように、ゲート線 101およびそれと ゲ一卜 β 1011、細 02およびそれと^ 021 うゲ—ト賺 膜 1012力くある。
次に、ゲー卜 012上には 己したゲ—卜 1011およびゲ—ト 線 10 つて i型^ ffi (AS) 107力研诚されている。 また、 この i型^ WS107に るようにドレイン¾1031およびソース 104カ研诚されている。 このドレイン 1031およびソース βΐ 04は
Figure imgf000009_0003
07と数っている部汾については i型^ wii 07から近い 順に、 (CON) 117とドレイン用^ 莫 1041、 ドレイン用 ¾11042の 3層f ^、ら «されている。
このドレイン ^ 1031およびソース 104は i型^^ 107と重 なっていない部汾についてはゲ '一卜 IM l 012力、ら近ぃ順に、 ソース用鍋 膜 1041、 ドレイン用; 奠 1042の 2ϋ¾/1^から難されている。
1己したように作成したゲート珊亟 1011、 i i o 7. ドレイン
«1031、 ソース 04により潮莫トランジスタ （TFT)カ研诚され ている。
次にヽゲ一ト泉 101およ 9»泉 102と ¾する ^に E¾するドレイン 線 103カ研诚されている。 このドレイン線 103はゲート «II 012カヽら 近い順に、 ドレイン用^!膜 1041、 ドレイン用扁どう Hil 042の 2層 •5、ら «されて 、る。 ドレイン線 103とドレイン胃亟 1031 {ir- 成され に赚されている。 また、第 4 gk第 5 k第 6図および第 7図 に示されているように、透明な隱醒板 100©¾板1»にぉは信^¾ 115カ研诚されている。 こ ©if^¾¾ l 15は、ゲート IM l 012力、 ら近い順に、 ドレイン用^ 041、 ドレイン用¾ ¾1042の 2層
Figure imgf000010_0001
12は図 21に示されているように、 それぞ れドレイン H 103と に开 することで、 それぞオ I®ドレイン! ¾ 103と電 に される。
一方、 ドレイン線と ίな^]に延びる面]^ ¾105か } されている。 こ の画¾¾105はゲ一卜 »奠1012から近い順に、 ドレイン用 ^flll 0 41、 ドレイン用週^ ¾1042の 2屬廳^ 、ら成る。 ソース ¾¾10 4と前述の画^ ¾105とは"^ さ l> ¾ ^に皿されている。
また、湖泉 1021上には、蓄館¾¾ (CSTG) 106 (^2 lg カ研诚されている。 この蓄露量 106はゲ一卜； Mil 012から近い順 に、 ドレイン用^ ¾莫 1041、 ドレイン用透 »¾莫1042の 2暦麵 力、ら成る。 この裔館 *¾@106はドレイン用^ 041、 ドレイン用透 B i 042を画 ¾«105のそれと 开诚することで ¾ ^に纖 さ ^^量 ¾f している。
また、第 1図に示したように、アクティブマ卜リク 板 1の纖トランジス タ^ Dアクティブ素子 诚している面は^ I (PAS) 108によって れている。 12および 16、信 15 において、 こ ©^ill 08はゲ一ト»11012と^ パターンに力 Π さ れている。
図 29に示されているような ¾a¾¾ ^には、 12©よう されたァク ティプマ卜リク 板 1の潮奠トランジスタなどのァクティブ素子か されて いる面と文响して、 ブラックマ卜リク «2を備えている。 このブラックマト リク 板 2は、例えばァクティブマ卜リク ¾板 1と文响している耐ヽら鹏こ、 «1^^3 111のアクリル欏誇からなる^ E (PASBM) 120、 カラー ァクティブマトリクス型 曰^ ^の if^に 勺にある
過する fe¾ (カラ一フィルタ） 118、 ¾f¾l mの黒 からなる遮 莫（ブラックマトリクス） 119、 ガラス等カヽらなる運月な 200 等で«される。
認己 2つの基板の互いに文 る面には ΙΞί^ΙΙ 09カ靈されている。 この 09は、例えば lif¾f¾50 nmのポリイミド膜から成る。 この 莫 の麵には 施されてレ、る。
また、 己 2つ 板の文 る面とは の舗には 10か磁 されている。
さらに、ァクティブマトリク 板 1とブラックマトリク S板 2の間には液 晶 111力封入されている。
第 30図にも示されているように、編 5^¾¾ 112およ 子 部 116、
Figure imgf000011_0001
13などにより、各々趙 mrni s o o、
Figure imgf000011_0002
o o、細 ¾e§5 o oか ¾wに接 続されている。 13 旨フィルム内 細誠に銀メツキを施し た^ ¾ビーズ' [し、 «に 材^寸着さ^こものである。
^ mi s o o、 { m ^ o o、 *«wiii¾5 o oは、電 ¾^、信^^^に赚さ^ 言号源 ヽら of言号に従 い、面 言号をアクティブマトリクス繊 1に供袷する。
次に、 5¾のァクティフ"マ卜リク ¾板の ^説 »る。
まず、翻な繊^ ¾100の上にゲ一卜用^ Mill 0111とゲ一ト用透
0112をスハ。ッタリンク法で，に する。
删な膽 a¾板 100は、例えば無アルカリガラスより成る。
ゲ一ト用 ^SBIl 0111 00 nmのクローム （C r)からなるが、 クロームの代わりにモリブデン （Mo)やタングステン （W)でもよいし、 ク ロームやモリブデス あるいは夕ングステンを とする麵匕^ ¾τ、もよい。 これら または ^ィ匕^!は、 ±ϋのゲー卜用 ϋΙ^^Μΐ 0112と接 触させておいても,騰性の^ it ^を生じないため、ゲート用^ II 0111に これら を用いることでゲ一卜用^ II 0111とゲ一卜用週^ BM1 0112との^ 虫を得ること力 <できる。
ゲ一卜用透日 0112は、インジウム （I n)、チタン （Ti)、酸 素 (0)等を とした, '100 nmの酸化化^より成る。 に 1回目のホトリソ: mを行レ ゲ一ト線 101およびそれと 共 禱 1011、趨 12、細泉 102およびそれと の^ 11 極 102 1、 16のホトレジストパターン 诚する。
この後、 ゲ一ト用透明 ¾«101 12、 ゲ一卜用^!膜 10111の順に エッチングを施し、ホトレジストを彔 る。 これにより、所望のゲート ¾1 01 1、 1 2、 |ί§己ゲ一ト糸泉 1 0 1と ラに する 0 2およびそれと 'ゲ一卜線 101および層泉 102と ϋ3 ^する^]に延び る 021、 1 6¾¾する。
このとき、 として、 ゲート用^膜 10111のパターンはゲート用;^月 0 1 12と！^ ターンとなる。
次にゲート 012、 i i o 7、擞蟾 11
Figure imgf000012_0001
麵去により纖で藤する。
ゲート 0 12は、
Figure imgf000012_0002
0 O nmの窒化シリコン膜よりな るが、膨匕シリコン膜でもよい。
i ^m l O 7は、例えば ¾¾ l 5 O nmの ^ H曰 a®シリコン,、らな るが、 ^晶シリコン膜でも良 L、。
擬蠣 1 1 7は、例えば H®^¾2 O nmの燐 (P) を勦 [ΤΤることにより N
(+)型^本とした^ H¾Sシリコン膜からなる。
β¾¾麦に 2回目のホ卜リソ: β呈を行ヽ、 181卜ランジス夕の肯^^ となる ^ i 07のホトレジス卜パターン 诚する。 ドレイン線 103、画 i 05に i型 07およ 0^蟾117 用する には、同 時にホトレジストパターン 减する。 こ ©m、 i ^ 107をエツチン グし、そ ホ卜レジストを!^する。 これにより、 ^の i ^m 107 およ 0^4 117カ研诚される。
次に、 ドレイン用^ ¾奠 1041とドレイン用透日 J^®莫 1042をスパッタ リング法で灘に成膜する。 ドレイン用^!膜 1 04 1は、例えば ^¾が 200 nmのクローム C r力、ら成る力く、 クロームにtiてモリブデン Moやクロームと モリブデンの化^を用いてもよい。 これらの^!は、 ±ϋのドレイン用週 莫1042と^虫させておいても の酸ィ 奠を生じないため、 ドレイン用 0 4 1とドレイン用^^ βΐ 0 4 2との^？な¾ ^^虫を得るこ と力できる。
ドレイン用邀^¾莫1 0 4 2は、 インジウム I η、チタン T i、 を主 とした f¾く 1 0 O nmの 匕化^!より成る。
劍 に、 3回のホトリソ 10呈を行い、 ドレイン線 1 0 3およびそれと ドレイン 1 0 3 1、 1 1 5、画 0 5お、よびそれと のソース電極 1 0 4、 mmw&i 0 6のホトレジストパターンを开诚する。 この後、 ドレイン用； 0 4 2、 ドレイン用^ II 0 4 1を順にエツ チングした後、 ホトレジス卜を彔 I離する。 これにより、 ^のドレイン泉 1 0 3 およびそれと^ ドレイン 1 0 3 1、 if^ T^ l 1 5、 0 5およびそれと^ ©ソース ¾1 0 4、薪館量 βΐ 0 6力研诚される。 このとき、■としてドレイン用 0 4 1のパターンはドレイン用 ^¾莫1 0 4 2と [¾ パターンとなる。
次に、 ^11 0 8をィ ^ W©去により趣する。劇離に、 4回目の ホトリソ =3呈を行い、 0 8のホ卜レジストパターンを开诚する。 こ ©ί 、
0 8、 ゲート «811 0 1 2を順にエッチングした後、 ホ卜レジス卜を 彔 im る。 これにより、戸; ί θ^ΙΙ 0 8、ゲ一卜 « I 0 1 2カ研诚され る。
こ ©^Bil 0 8は、例えば!^ 3 0 O nmの窒化シリコン職ヽら成る。 このときにゲ'一卜糸«莫 1 0 1 2と 奠 1 0 8とを |¾H¾窒ィ匕シリコン膜で形 成した には、 ί¾Ι1 0 8、ゲート 1^11 0 1 2を^ エッチンク W エッチングすること力 <できる。 また、 ^II l 0 8を窒化シリコン ゲ一卜絶
«1 0 1 2を謝匕シリコン膜で诚しておいても^ エツチンク^ 'エッチ ングすること力〈できる。
1 2、細繊 1 1 6、信 1 5において體 膜 1 0 8、ゲート M l 0 1 2は謹己したホトレジストパターンに従って織 的に驗さ ^ n ,信，^ wヽ細泉 w¾と に接 ること力 となる。 このとき、 として 0 8のパターンはゲー 卜 莫 1 0 1 2と ^パターンとなる。 m½明した第 では、図 2、図 5 Ha 7に示したように、 ^ mr- 部 112と »¾¾ 116およ 言^ 15は、翻な騰 |¾S板 力、ら遠い方の面が透明導 奠で形成されるようにゲ一ト用鎮膜 10111と ゲート用 ¾¾¾莫 10112omm ,またはドレイン用金闘莫 l 03 l lと ドレイン用^^ ¾奠10312の ¾H膜で m¾されているため、 iW食性に優 また^ ¾s®«、 ^ m .細黐^ ¾との^^虫も良 好となる。 また、 この耐腐食 、
Figure imgf000014_0001
る専用のホトリソ 呈を持たな L こめ、 ァクティブマトリク ®板 1 する のに必要な 徽を肖 i Tること力できる。
また、 ゲ一卜 «ϋΐ 012と^ II 08を^ M ホ卜レジス卜を用いて エッチンク： ϋΡ することで、ゲート »莫1012を力 Π する専用のホトリソェ 程を持たせることなくァクティブマ卜リク ¾板 ®ff诚に必要な: [^を肖 i T ること力できる。
さらに、ゲート «11012と 108とを 窒ィ匕シリコン膜で形 成しておいた if^rには、 08、ゲート «II 012を [ H¾エッチン グ^ IJ ェッチングすることでエツチンク Π Ί3呈を すること力できる。 また、
Figure imgf000014_0002
匕シリコン膜で · した if^でも、 [^HDエッチング^ 'エッチングすること力でき、エッチンク加 ： 呈を省 すること力《できる。
次に、第 9|¾~第 14図を用いて本棚の第
Figure imgf000014_0003
なお、第 2 ¾ ^の説明では、 1 ^11との機 につい XI兌明し、纖する部 離の説明ば 1 &する。
Figure imgf000014_0004
12およ t¾w?¾n 15、湖
116のハ。夕一ン を 08とゲ一卜画莫 1012で覆うようなハ。 ターン ¾f する。
こ 莫 108とゲート «莫 1012のパターンは、以下のようにして形 成する。
まず、 ^ l 08を力 Π するホ卜レジストパターンのうち、 ^liW^l
12およ t^»?¾in 15、≠m 16©¾分は、 ^ p^i 1
Figure imgf000015_0001
16のハ。ターン うように 开诚する。
そ^、エッチング剤を用いて 莫108およびゲート «3奠 1012^- 括 Τ¾Π する。 この if^には、 12および 16の パターン ¾では、第 10¾第 14図に示したように、 08とゲ一卜 m ο 1 のパターンカ研诚される。 また、 it^ゾ 15のパ ターン i«では第 12図に示したように、 08と if^ 15を 开诚するドレイン用 0312と力 る部分においては^奠 10 8のみが力 Π さ 当 莫 108と ί言号 15¾f するドレイン mi 0312とカ狻しない部汾においては^ s i 08とゲ—卜騰 膜 1012力 H P される。
その後、
Figure imgf000015_0002
08を力 π するホトレジストパタ一ンを することで、 ァ クティブマ卜リク » 1力 られる。
Figure imgf000015_0003
15、細 ¾
¾116のパターン 08およびゲート fMIl 012で れ ているため、
Figure imgf000015_0004
12およ t¾»?¾i 15、 ¾®¾¾ ι ι
6を«するゲート用^ II 0111およびドレイン用^ Mill 0311力くそ のパターン で 中に露出すること力ない。 このため、 食 に優れた走
Figure imgf000015_0005
15、 ¾®«¾ι 16¾?诚するこ と力ぐできる。
次に、第 15g}~第 20図を用いて本通の第 3謂 ijを説日财る。 なお、第 3謂 IJの説明では、編 5H2 Wijとの木隨 につい "0½明し、憩する の再度の説明ば^ ¾する。
Figure imgf000015_0006
第 16図および第 18¾第 20図に示されたように、ゲート 誦莫 ¾1S月な隱醒板 100に近い方から順に第 1ゲ—卜 0121、 第 2ゲート 0122の 2層^ tとする。
第 1ゲート MI 10121は、例えは 10011111の斷匕シリコン膜か らなる。第 2ゲ一卜,^ I 0122は、例えば B®^'250 nmの窒化シリコ ン膜からなる。 ΦΙ»Ι」のァクティブマ卜リク ¾板 1
法と異なる点は、第 2 »[ΐにおいてゲ—
Figure imgf000016_0001
8、 mm 117をィ 目麵去により蔵で趣する工程に代えて、第 1 ゲー卜 0121と第 2ゲ—卜 0122、 i ^^ l 08. mmi 17をィ 去により で «する点、と、 ί^ΙΙ 08と第 2 ゲート 0122、第 1ゲート 0121と ¾ (Jえばフツイ匕 ¾ヽ m ,驢をェツチンク とするブラズマエッチングによつて nnする点 である。
リでは、
Figure imgf000016_0002
0 δおよび第 2ゲート IMIl 0122、第 1ゲート 012 ι¾Η¾ ¾ρ する際に、酸化シリコンよりも窒化シリコンの方 カ晖くエッチングされる例えばフッ化 , をエッチング剤とするプ ラズマエツチングを用いるため、第 1ゲ一卜 ¾«10121 诚する謝匕シ リコンのエッチング翻のテ一パ角の方力 08および第 2ゲ一卜 MI 10122 ¾f狨する窒化シリコンのエッチング删のテ一パ角より小さくなる。 このため、第 16図および第 18¾第 20図に示されたような 08 および第 2ゲート fMIl 0122、第 1ゲート! «II 0121の»»御' 得られる。 12と ί言 15およ 16 をそれぞれ^ ϋ®¾§½30 o、 ^ m ^ o。、 ^ m^ o
0を默^ «113で纖する際には、纖される ±15¾»?¾112、
115、漏 «¾116力くより平坦であるほど ^ «1 13の鶴 するため、 の観を用いることによりアクティブマ トリク ¾¾ιと、
Figure imgf000016_0003
o o、 ¾¾¾
1®β§500と する。
[^ の利用可能 ffi
Ri:のように、 ァクティブマ卜リクス基板を 4回のホトリソュ呈で开诚するた め、 ί¾*ω¾ί!ϊと]^して了クティブマトリク 板¾¾¾するために i¾なホ 卜リソコ^:を肖 でき、そ © ^として了クティブマ卜リク 板の，¾ 力 ¾¾ 'き、低コストの ¾H¾¾¾¾i¾m ること力くできる。

Claims

請求の麵
1. ^し Τ¾ί¾Ξ^される第 1®S板および第 2©g板と、
^(言^ 袷される^ it^泉と 言^ 袷される 信^泉および対 f»E力 給される文^! ¾Eit^|泉と、
廳2 ^言号に基づいて «される認 a»言^ 咖される少なくとも ~ の画^ »と、鍾 か|¾口される少なくとも^ の文^] ¾@とを具備し てなり、
認 aa ¾と ΐΐΐι ^ ι¾との間に される によつ 曰^且 論 ©¾ϋί^¾·$ΐ耐る 日 a¾ ^^であつて、
痛2^言 泉と懇 3«ί言 H^: Lの 倒 禾廳脇、らなるこ と^^とする ¾^^¾^0
2. |ί!2¾ί言^ ¾ して 言 されるゲート ¾と、謹 (言号 線と ¾ ^して iS mに Ι 3«ί言号を E[¾rTるドレイン ¾とを有し、
n己ゲ一ト ¾とドレイン β 觸«^ヽらなること とする請求の範 鹏 1項に謹の ¾H曰 B¾¾^o
3. 認 廳髓は、それぞれ認 板に近い方から順〖 翻な^^ 5よび な¾»ヽら开 してなること とする言青求の iS im 2項に 曰曰
4. fill mti ¾¾¾する不; な^ foよび； Μな ¾βは、それぞ^ 禾 ¾し τ¾ρ されて 、ること [とする請求の igffi 3項に ΐ
5. 鍾环翻な ^SIIは、 Cr、 Mo、 W、 Taのい か 1つ又はそれらを 2っ b組み合わせた^!化^ あること ¾纖とする請求のSffi^ 4項に記 載の ¾a曰 B¾¾¾o
6. 3¾明な¾»は、 In、 Tn、 〇のいずれか 1つ又はそれらを 2つ 組み合わせた^!化^ Γであること ¾ ^とする言青求の ISll^ 4項に ©¾a曰曰
7. |tj!2S板 ®iSい方の «に接して^^研诚されていること とする 請求の isaim 4項に «の 曰 B¾^io
8.認己ゲ一卜 ¾®とドレイン ¾i (塌 «1によつ τ«さ u互い に开 されて Lヽること とする言青求の IBSim 7項に言 の ¾a曰 B¾¾^
9.編 顏と とは し τ¾π されていること ¾ii [とする 請求の ISffl^ 8項に言 の ¾H曰^^ go
10. ti Si曰 ¾β ^《望化シリコンで されて 、ること¾ ^とする請求の
11. t aif¾M¾ ィ匕シリコンで されていること^ ftmとする首青求の
Figure imgf000018_0001
12. 己^ i*窒ィ匕シリコンで开 されていることを :とする f青求の I6S! 第 9項に議の ¾a曰 B¾^¾c
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