WO2000067310A1 - Mikroelektronische baugruppe - Google Patents

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WO2000067310A1
WO2000067310A1 PCT/EP2000/003140 EP0003140W WO0067310A1 WO 2000067310 A1 WO2000067310 A1 WO 2000067310A1 EP 0003140 W EP0003140 W EP 0003140W WO 0067310 A1 WO0067310 A1 WO 0067310A1
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Klaus Sauter
Jörg MAHRLE
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Daimlerchrysler Ag
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    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the invention relates to a microelectronic assembly according to the preamble of claim 1
  • DE-A1 2756500 shows the use of approximately spherical particles as spacers for an adhesive connection between two microelectronic assemblies.
  • the spherical particles have a diameter equal to the desired distance and form a large number of them in the adhesive layer Spacer
  • spherical bodies are used as spacer elements between insulating glass panes, which are plastically deformable at elevated pressure to form flattened areas, as a result of which the manufacturing tolerances of the spherical spacer elements can be reduced to a desired distance by pressing
  • assemblies with force-sensitive sensor elements are attached to a support element, for example a printed circuit board, by means of gluing with such spherical spacer elements.
  • Glass spheres have so far been used as spherical spacer elements since they are electrostatically insensitive and are therefore relatively simple mix into the adhesive and can be distributed in it and are very inexpensive.
  • the adhesive layer crosslinks at a defined curing temperature, which is above the operating temperature range, measurable tensions occur at the sensor element between the component and the adhesive layer, which cause an additional shift of the electrical Zero point of the component causes this to be compensated for by an offset in the size to be sensed.
  • this offset compensation measurement inaccuracies continued to occur, especially if this Component only by means of a
  • Adhesive drop was attached for example, from US 4,295,117 the problem of mechanical bracing in the event of temperature changes in the vicinity of a sensor is also known.
  • a carrier plate with approximately the same thermal expansion coefficient as the sensor chip is selected, but with a base and carrier cube between the carrier plate and the chip are arranged, which are connected to each other or to the chip by an elastic adhesive, so that the chip is isolated from the tension of the carrier plate.
  • an elastic adhesive so that the chip is isolated from the tension of the carrier plate.
  • the adhesive compensates for the deviation in length changes
  • the object of the invention is to further develop an assembly of the type mentioned at the outset, which has lower tolerances and enables simple assembly.
  • This object is achieved by the characterizing features of claim 1.
  • Advantageous further developments can be found in the subclaims.
  • the cause of these measurement inaccuracies was a temperature-dependent bracing determined on the component, which is based on the widely differing thermal expansion coefficients of the adhesive on the one hand and the spherical spacing elements on the other hand. Compensation compensated, deviations occur again at higher temperatures and thus lower shear
  • the thermal expansion coefficient of which corresponds approximately to the expansion coefficient of the adhesive i.e. at least significantly closer than that of the previously used glass spheres
  • Coefficient of expansion can be influenced relatively well.
  • Plastic balls have a lower weight and a tendency to become electrostatically charged, but this can already be compensated for by appropriate steps when mixing adhesive and spacer elements.
  • a special advantage of plastic, in addition to the approximation of the thermal expansion coefficient, is its elasticity , which further reduced the shear effect Since the coefficient of thermal expansion of the spacer element is not less than 10 times smaller than that of the adhesive, a sufficient approximation and a significant improvement in the temperature and manufacturing tolerances could be determined
  • the single figure shows a sketch of an assembly with a microelectronic component, for example a piezoelectric or capacitive acceleration sensor element, which is connected to a mounting surface, here the underside of the component, via an adhesive layer 3 with a carrier element 2, for example a circuit board.
  • a microelectronic component for example a piezoelectric or capacitive acceleration sensor element
  • a mounting surface here the underside of the component
  • an adhesive layer 3 with a carrier element 2, for example a circuit board.
  • a carrier element 2 for example a circuit board.
  • Distributed spacer elements 4 which cause the predetermined distance d between the component and carrier element according to their diameter, the thickness of the adhesive layer 3 or this distance d and the diameter of the approximately spherical spacer elements 4 has been increased in comparison to the other drawing elements for better clarity in the figure.
  • the diameter of the spacer elements and thus the distance is between 50 and 200 ⁇ m, for example.
  • the mounting surface of the component 1 could already be warped, since the adhesive 3, for example silicone adhesive, usually has a thermal effect
  • the difference in thermal elasticity is a significant step forward because the sensitivity of the sensor element is extremely high. Accelerations with an accuracy of 0.1 g, which corresponds to a change in distance between the internal seismic mass of the sensor element and the solid ground of 0.02 ⁇ m, are recorded in the specific application.
  • the measuring range goes up to 3g.
  • the temperature range must be designed for automotive sensor applications from - 40 ° C to + 1 20 ° C.
  • the glass spheres While the glass spheres have a thermal expansion of max. 0.1 ⁇ m, the adhesive changed by approx. 25 ⁇ m. In contrast, the plastic achieves at least a resilience of 2 ⁇ m, which, based on a measuring accuracy of 0.02 ⁇ m and a maximum modulation range of the seismic mass in the sensor element of 0.7 ⁇ m, already means a significant improvement in the temperature behavior.

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Abstract

Es wird eine mikroelektronische Baugruppe vorgestellt, bei der ein mikroelektronisches Bauelement (1), insbesondere ein Sensorbauelement, an einem Trägerelement (2) durch eine Klebstoffschicht (3) befestigt ist, wobei die Klebstoffschicht eine Vielzahl annähernd kugelförmiger Abstandselemente (4) enthält, deren Durchmesser einem vorgegebenen Abstand von der Montagefläche zum Trägerelement entspricht, wobei die Abstandselemente aus einem Werkstoff sind, dessen thermischer Ausdehnungskoeffizient dem Ausdehnungskoeffizienten des Klebstoffs annähernd entspricht und bei auftretenden Temperaturänderungen nicht starr den Abstand beibehält und so zur Verspannung führt, sondern zumindest in geringerem Maß die Spannung aufnimmt und sich elastisch verformt. Vorzugsweise wird ein Kunststoff verwendet und der thermische Ausdehnungskoeffizient des Abstandselements so gewählt, dass dieser nicht kleiner als um den Faktor (10) ist als derjenige des Klebstoffes.

Description

Mikroelektronische Baugruppe
Die Erfindung betrifft eine mikroelektronische Baugruppe gemäß dem Oberbegriffs des Anspruchs 1
Beispielsweise aus der DE-A1 2756500 ist die Verwendung annähernd kugelförmiger Teilchen als Abstandshalter für eine Klebeverbindung zwischen zwei mikro- elektronischen Baugruppen zu entnehmen Die kugelförmigen Teilchen weisen dabei einen Durchmesser gleich dem gewünschten Abstand auf und bilden dabei in einer Vielzahl in der Klebstoffschic ht verteilt die Abstandshalterung
In dem DE-GM 91 1 6 206 werden kugelförmige Korper als Abstandselemente zwischen Isolierglasscheiben genutzt, die bei erhöhtem Druck plastisch unter Bildung von Abflachungen oberflächlich verformbar sind, wodurch die Fertigungstoleranzen der kugelförmigen Abstandselemente durch Pressen auf einen Sollabstand reduziert werden können
Darüber hinaus werden in der Praxis Baugruppen mit kraftempfindlichen Sensorelementen, bspw Beschleunigungssensoren für Kraftfahrzeuge, mittels Verklebens mit derartigen kugelförmigen Abstandselementen auf einem Tragerelement, bspw einer Leiterplatte, befestigt Als kugelförmige Abstandselemente werden dabei bisher Glaskugeln eingesetzt, da diese elektrostatisch unempfindlich sind, sich daher relativ einfach in den Klebstoff einmischen und sich in diesem verteilen lassen und sehr preiswert sind Da die Klebstoffschicht bei einer definierten Ausharte- temperatur vernetzt, welche oberhalb des Einsatztemperaturbereichs liegt, treten am Sensorelement meßbare Verspannungen zwischen dem Bauelement und der Klebstoffschicht auf, die eine zusätzliche Verschiebung des elektrischen Nullpunkts des Bauelements bewirkt Dies muß durch einen Offset bei der zu sensierenden Große kompensiert werden Trotz dieser Offset-Kompensation traten jedoch weiter Meßungenauigkeiten auf, insbesondere wenn das Bauelement nur mittels eines
Klebstofftropfens befestigt wurde Beispielsweise aus der US 4,295,1 1 7 ist die Problematik der mechanischen Verspannung bei Temperaturanderungen in der Umgebung eines Sensors ebenfalls bekannt Es wird eine Tragerplatte mit annähernd gleichem thermischen Ausdehnungskoeffizienten wie der Sensorchip gewählt, wobei jedoch zwischen der Tragerplatte und dem Chip ein Sockel und Tragerwurfel angeordnet sind, die untereinander beziehungsweise mit dem Chip durch einen elastischen Klebstoff verbunden sind, so dass der Chip von den Verspannungen der Tragerplatte isoliert wird Innerhalb dieser Klebung kann es jedoch gerade zu unerwünschten Verspannungen, wenn der Klebstoff die Abweichung der Langenanderungen kompensiert
Aufgabe der Erfindung ist, eine Baugruppe der eingangs genannten Art weiterzu- entwicklen, die geringere Toleranzen aufweist und eine einfache Montage ermöglicht Diese Aufgabe wird durch die kennzeichenden Merkmale des Anspruchs 1 gelost Vorteilhafte Weiterbildungen sind den Unteranspruchen zu entnehmen Als Ursache dieser Meßungenauigkeiten wurde eine temperaturabhangige Verspannung am Bauelement ermittelt, die auf den stark unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Klebstoffs einerseits und der kugelförmigen Abstandselemente andererseits beruht So kam es zu einer Scherwirkung der Glaskugeln gegen die Montageflache des Bauelements, wenn sich die Klebstoffschicht bei niedrigen Temperaturen zusammenzieht Wird dies für eine Normtemperatur durch Offset-Kompensation ausgeglichen, treten bei höheren Temperaturen und damit geringerer Scherwirkung wiederum Abweichungen auf
Durch Verwendung von Abstandselementen, deren thermischer Ausdehnungskoeffizient dem Ausdehnungskoeffizienten des Klebstoffs annähernd entspricht, also zumindest deutlich naher kommt als der von den bisher verwendeten Glas-kugeln, konnte eine deutliche Verbesserung der Fertigungsausbeute und eine kleinere Toleranzbreite erreicht werden Bevorzugt lassen sich dazu Kunststoffkugel einsetzen, deren Ausdehnungskoeffizient relativ gut beeinflußt werden kann Kunststoffkugeln weisen zwar ein geringeres Gewicht und eine Neigung zur elektro- statischen Aufladung auf, was jedoch durch entsprechende Schritte beim Vermischen von Klebstoff und Abstandselementen bereits kompensiert werden kann Besonderer Vorteil des Kunststoffs ist neben der Annäherung des thermischen Ausdehnungskoeeffizenten dessen Elastizität, wodurch die Scherwirkung weiter reduziert werden konnte Indem der thermische Ausdehnungskoeffizient des Abstandselements nicht menr als um den Faktor 10 kleiner ist als derjenige des Klebstoffs, konnte eine ausreichende Annäherung und eine deutliche Verbesserung der Temperatur- und Fertigungstoleranzen festgestellt werden
Die Erfindung soll nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels und der Figur näher erläutert werden Kurze Beschreibung der Figur:
Figur Baugruppe mit mikroelektronischem Bauelement verbunden über eine Klebstoffschicht mit einem Tragerelement
Die einzige Figur zeigt skizzenhaft eine Baugruppe mit einem mikroelektronischen Bauelement, bspw einem piezoelektrischen oder kapazitiven Beschleunigungssensorelement, welches mit einer Montageflache, hier der Bauelementeunterseite, über eine Klebstoffschicht 3 mit einem Trägerelement 2, bspw. einer Leiterplatte, verbunden ist. In der Klebstoffschicht 3 sind eine Vielzahl annähernd kugelförmiger
Abstandselemente 4 verteilt, die entsprechend ihrem Durchmesser den vorgegebenen Abstand d zwischen Bauelement und Trägerelement bewirken, wobei in der Figur die Dicke der Klebstoffschicht 3 bzw. dieser Abstand d sowie der Durchmesser der annähernd kugelförmigen Abstandselemente 4 gegenüber den anderen Zeichnungselementen zur besseren Verdeutlichung vergrößert wurde.
Der Durchmesser der Abstandselemente und damit der Abstand beträgt beispielsweise zwischen 50 und 200 μm.
Bei den herkömmlichen Glaskugeln konnte es auch bei diesen relativ geringen Durchmessern bereits zu einer Verspannung der Montagefläche des Bauelements 1 kommen, da üblicherweise der Klebstoff 3, bspw. Silikonkleber einen thermischen
-4 Ausdehnungskoeffizient von ca 8* 1 0 1 /K aufweist, Glas hingegen einen um etwa den Faktor 1 00 geringeren, also bei etwa 8* 1 0 " 1 /K.
Durch ein Abstandselement mit an den Klebstoff angenähertem Ausdehnungskoeffizient, der insbesondere nicht mehr als um den Faktor 1 0 kleiner ist als derjenige des Klebstoffs, können diese Verspannungen deutlich reduziert werden, indem die Abstandselemente bei auftretenden Temperaturschwankungen nicht mehr starr bleiben und so eine Scherwirkung hervorrufen sondern selbst, wenn auch in geringerem Maße, die Spannung aufnehmen und sich selbst verformen. So ist ein Kunststoffgemisch mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizient von 4-
_5 6* 1 0 1 /K ohne weiteres machbar und kann für diese Abstandselemente verwendet werden. Die Temperaturabhängigkeit des Bauelements nimmt bereits wesentlich ab. Eine noch weitere Annäherung bedeutet einen höheren Aufwand, ist dennoch grundsätzlich denkbar. Der trotz allem mit dem Faktor 10 relativ große
Unterschied bei der Wärmeelastizität ist deshalb schon ein deutlicher Fortschritt, weil die Empfindlichkeit des Sensorelements extrem hoch ist. So werden im konkreten Anwendungsfall Beschleunigungen mit einer Genauigkeit von 0,1 g erfaßt, die einer Abstandsänderung zwischen der internen seismischen Masse des Sensorelements und dem festem Boden von 0,02 μm entspricht. Der Meßbereich geht dabei bis 3g. Der Temperaturbereich muß bei Kraftfahrzeugsensoranwendungen von - 40°C bis + 1 20°C ausgelegt werden.
Während dabei die Glaskugeln bei einem Abstand von 200μm eine thermische Ausdehnung von max. 0,1 μm aufwiesen, veränderte sich der Klebstoff um ca. 25 μm. Der Kunststoff erreicht demgegenüber zumindest eine Nachgiebigkeit von 2μm, was ausgehend von einer Meßgenauigkeit von 0,02 μm und einem maximalen Aussteuerungsbereich der seismischen Masse im Sensorelement von 0,7 μm bereits eine deutliche Verbesserung des Temperaturverhaltens bedeutet.
Insbesondere ist es so möglich, das Bauelement mittels eines einzigen Klebstoff- tropfens auf dem Trägerelement zu befestigen, auf den das Bauelement mittig aufgepreßt wird. Zuvor wurde das Bauelement jeweils an den Ecken geklebt, um ein vertretbares Temperaturverhalten zu bekommen.

Claims

Patentansprüche
1 ) Mikroelektronische Baugruppe mit einem mikroelektronischen Bauelement (1 ), insbesondere einem Sensorbauelement, mit einer Montagefläche, a) wobei Bauelement an einem Trägerelement (2) durch eine Klebstoffschicht (3) befestigt sind und b) die Klebstoffschicht (3) eine Vielzahl annähernd kugelförmiger Abstandselemente (4) enthält, deren Durchmesser (d) einem vorgegebenen Abstand von der Montagefläche zum Trägerelement (2) entspricht, dadurch gekennzeichnet, daß c) die Abstandselemente (4) aus einem Werkstoff sind, dessen thermischer Ausdehnungskoeffizient dem Ausdehnungskoeffizienten des Klebstoffs (3) annähernd entspricht.
2) Mikroelektronische Baugruppe nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß die Abstandselemente (4) aus Kunststoff sind.
3) Mikroelektronische Baugruppe nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der thermische Ausdehnungskoeffizient des Abstandselements (4) nicht mehr als um den Faktor 1 0 kleiner ist als derjenige des Klebstoffs (3).
4) Verfahren zur Herstellung der mikroelektronischen Baugruppe nach Anspruch 1 oder 2, indem die Klebstoffschicht (3) als ein Tropfen auf dem Trägerelement (4) aufgebracht, nachfolgend das Bauelement (1 ) dazu mittig aufgepreßt und die Klebstoffschicht (3) ausgehärtet wird. GEÄNDERTE ANSPRÜCHE
[beim Internationalen Büro am 21. August 2000 (21.08.00) eingegangen; ursprüngliche Ansprüche 1-4 durch neue Ansprüche 1-3 ersetzt (1 Seite)]
1 ) Mikroelektronische Baugruppe mit einem mikroelektronischen Bauelement (1 ), insbesondere einem Sensorbauelement, mit einer Montagefiäche, wobei a) das Bauelement an einem Trägerelement (2) durch eine Klebstoffschicht (3) befestigt sind und b) die Klebstoffschicht (3) eine Vielzahl annähernd kugelförmiger Abstandselemente (4) enthält, deren Durchmesser (d) einem vorgegebenen Abstand von der Montagefläche zum Trägerelement (2) entspricht, c) wobei die Abstandselemente (4) aus einem Verspannungen zumindest in geringem Maße elastisch nachgiebigem Kunststoff sind, d) und der thermische Ausdehnungskoeffizient der Abstandselemente (4) dem Ausdehnungskoeffizienten des Klebstoffs (3) annähernd entspricht.
2) Mikroelektronische Baugruppe nach Anspruch 1 , wobei der thermische
Ausdehnungskoeffizient des Abstandselements (4) nicht mehr als um den Faktor 10 kleiner ist als derjenige des Klebstoffs (3).
3) Verfahren zur Herstellung der mikroelektronischen Baugruppe nach Anspruch 1 , indem die Klebstoffschicht (3) als ein Tropfen auf dem Trägerelement (4) aufgebracht, nachfolgend das Bauelement (1 ) dazu mittig aufgepreßt und die
Klebstoffschicht (3) ausgehärtet wird.
Declaration according the Amendments of the Claims under Art. 19 (1) PCT Erklärung zu den vorgenommenen Änderungen der Ansprüche gemäß Art. 19 (1) PCT
Es werden neue Ansprüche 1 bis 3 eingereicht, die die Ansprüche der Anmeldeunterlagen ersetzen und im folgendem dem Prüfungsverfahren zugrunde gelegt werden sollen.
Der neue Anspruch 1 wurde gegenüber der nunmehr als gattungsbildend betrachteten WO 97/22993 abgegrenzt und eine Beschränkung auf Abstandselemente aus elastischem Kunststoff vorgenommen.
Dies ist in den Anmeldeunterlagen auf S. 2, Zeilen 32 -34, S. 3, Z. 31 ff. , S. 4, Z. 1 5 ff. offenbart. Entsprechend wurde Anspruch 2 der Anmeldeunterlagen in Anspruch 1 aufgenommen und die Ansprüche 3 und 4 der Anmeldeunterlagen als neue Ansprüche 2 und 3 nummeriert.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009098033A1 (de) * 2008-02-06 2009-08-13 Würth Elektronik Rot am See GmbH & Co. KG Verfahren zum herstellen einer leiterplatte

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10109083B4 (de) * 2001-02-24 2006-07-13 Conti Temic Microelectronic Gmbh Elektronische Baugruppe
DE10204959A1 (de) * 2002-02-06 2003-08-14 Endress & Hauser Gmbh & Co Kg Leiterplatte mit einem Bauteil
US6892578B2 (en) * 2002-11-29 2005-05-17 Hitachi Metals Ltd. Acceleration sensor
JP2004296897A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Seiko Epson Corp 半導体装置、電子デバイス、電子機器および半導体装置の製造方法
ES2423212T3 (es) * 2004-07-23 2013-09-18 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Componente, en particular sensor, y procedimiento para el encolado del componente
US20060185836A1 (en) * 2005-02-24 2006-08-24 Scott Garner Thermally coupled surfaces having controlled minimum clearance
US7371676B2 (en) * 2005-04-08 2008-05-13 Micron Technology, Inc. Method for fabricating semiconductor components with through wire interconnects
US7393770B2 (en) * 2005-05-19 2008-07-01 Micron Technology, Inc. Backside method for fabricating semiconductor components with conductive interconnects
US7307348B2 (en) 2005-12-07 2007-12-11 Micron Technology, Inc. Semiconductor components having through wire interconnects (TWI)
US7807547B2 (en) * 2006-03-28 2010-10-05 Innovative Micro Technology Wafer bonding material with embedded rigid particles
US7659612B2 (en) 2006-04-24 2010-02-09 Micron Technology, Inc. Semiconductor components having encapsulated through wire interconnects (TWI)
US20090050266A1 (en) * 2007-08-21 2009-02-26 Kang Yang Crosslinked polymeric materials as filler and spacers in adhesives
JP5558140B2 (ja) * 2009-06-10 2014-07-23 デクセリアルズ株式会社 絶縁性樹脂フィルム、並びにこれを用いた接合体及びその製造方法
US8454789B2 (en) 2010-11-05 2013-06-04 Raytheon Company Disposable bond gap control structures
KR101595199B1 (ko) * 2011-11-30 2016-02-17 쌩-고벵 글래스 프랑스 모듈 캐리어를 구비한 무프레임 태양광 모듈 및 그 제조 방법
US9711485B1 (en) * 2014-02-04 2017-07-18 Amkor Technology, Inc. Thin bonded interposer package
EP3477263B1 (de) * 2017-10-26 2019-12-11 Dr. Johannes Heidenhain GmbH Anordnung mit einem an einem träger befestigten massstab

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4545840A (en) * 1983-03-08 1985-10-08 Monolithic Memories, Inc. Process for controlling thickness of die attach adhesive
JPS60253280A (ja) * 1984-05-29 1985-12-13 Omron Tateisi Electronics Co 半導体圧力センサ
WO1997022993A1 (en) * 1995-12-15 1997-06-26 International Business Machines Corporation Electronic package with spacer means

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2756500A1 (de) * 1977-12-19 1979-06-21 Varlamov Verfahren zur herstellung eines optrons
US4295117A (en) * 1980-09-11 1981-10-13 General Motors Corporation Pressure sensor assembly
DE9116206U1 (de) * 1991-02-11 1992-04-09 Vegla Vereinigte Glaswerke Gmbh, 5100 Aachen, De
US5232962A (en) * 1991-10-09 1993-08-03 Quantum Materials, Inc. Adhesive bonding composition with bond line limiting spacer system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4545840A (en) * 1983-03-08 1985-10-08 Monolithic Memories, Inc. Process for controlling thickness of die attach adhesive
JPS60253280A (ja) * 1984-05-29 1985-12-13 Omron Tateisi Electronics Co 半導体圧力センサ
WO1997022993A1 (en) * 1995-12-15 1997-06-26 International Business Machines Corporation Electronic package with spacer means

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"CHIP-HEATSINK ATTACH USING CONTOURED ADHESIVE WITH GLASS STAND-OFFS", IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN,US,IBM CORP. NEW YORK, vol. 34, no. 3, 1 August 1991 (1991-08-01), pages 161 - 162, XP000210487, ISSN: 0018-8689 *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 010, no. 121 (E - 401) 7 May 1986 (1986-05-07) *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009098033A1 (de) * 2008-02-06 2009-08-13 Würth Elektronik Rot am See GmbH & Co. KG Verfahren zum herstellen einer leiterplatte

Also Published As

Publication number Publication date
EP1186021A1 (de) 2002-03-13
US20020063321A1 (en) 2002-05-30
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US6740982B2 (en) 2004-05-25
DE19919716B4 (de) 2005-11-03
DE19919716A1 (de) 2001-08-09
DE50013836D1 (de) 2007-01-18
ATE347736T1 (de) 2006-12-15

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