WO2000026938A1

WO2000026938A1 - Appareil d'implantation ionique

Info

Publication number: WO2000026938A1
Application number: PCT/JP1999/006038
Authority: WO
Inventors: Hiroyuki Ito; Hiroshi Asechi
Original assignee: Applied Materials, Inc.
Priority date: 1998-10-30
Filing date: 1999-10-29
Publication date: 2000-05-11
Also published as: US6867422B1; EP1130623A4; EP1130623A1; TW432500B; JP2000133197A; KR20010080316A

Description

曰月糸田

技術分野

本発明はイオン注入装置に関し、特に荷電粒子発生器から生じる汚染粒子によつて基板が汚染されることを防止できるイオン注入装置に関する。背景技術

大電流イオン注入装置は、単位時間当たりに多数のイオンを基板に導入するために、大きな電流値を有するイオンビームを用いてイオン注入を行う。このため、イオン注入を行っているときに基板自体が徐々に帯電していく。この帯電電荷が放電すると、基板は放電のために損傷を受けることがある。このような事態を避けるために、チャージニュートライザを用いて基板の帯電を防止している。チヤ —ジニュートライザは、基板の帯電による損傷を緩和するために電子を発生させて、電子が有する負電荷とイオン注入されるイオンの正電荷とを中和する。発明の開示

しかしながら、チャージニュートライザは、電子を発生するためにフイラメン卜に電流を流して加熱しているので、加熱されたフイラメン卜からは電子だけではなく、フィラメントを構成する金属粒子も飛び出す。この金属粒子は、多くの場合、基板に到達すると基板上に形成されるデバイスに好ましくない影響を与える。このため、チャージニュートライザは、基板に対する汚染源の一つとなる。本発明の目的は、このような金属汚染を低減することが可能なイオン注入装置を提供することにある。

本発明に係るイオン注入装置は、イオンを生成するイオン源部と、イオン源部において生成されたイオンが基板にイオン注入されるイオン注入部と、イオンと反対の電荷を有する荷電粒子が発生される荷電粒子発生器と、イオン源部からのイオンを受け入れるための受入口、イオン注入部にイオンを送出するための送出口、受入口から送出口に伸びるガイド管、およびガイド管の内面にその開口が設けられ荷電粒子発生器からの荷電粒子をガイド管内に導くための導入部、を有するビームガイド部と、ガイド管の内部において導入部の開口と送出口との間に位置するシールド部と、を備える。

このように、イオン源部において生成されたイオンをイオン注入部に送るために通過するビームガイド部には、イオンと反対の電荷を有する荷電粒子が発生される荷電粒子発生器が設けられている。このため、この荷電粒子発生器において基板に対して汚染物質となる汚染粒子も発生される。しかしながら、導入部の開口と送出口との間に位置するシールド部をガイド管の内面に設けたので、ガイド管内壁の開口から飛び出して基板に到達する汚染粒子の飛行経路が遮断可能となる。

本発明に係るイオン注入装置では、シールド部は、導入部の開口によって規定される面の各点からイオン注入部に配置されるイオン注入されるべき基板の表面の各点に至る直線と交わる遮蔽面を有するようにしてもよい。

このような遮蔽面を設けると、ガイド管内壁の開口から飛び出して基板に直接に到達する汚染粒子の経路が遮蔽面によって遮断される。

本発明に係るイオン注入装置では、シールド部は、開口の縁部近傍から開口の上方に伸び出す遮蔽面を有するようにしてもよい。

このように、シールド部が開口の縁部近傍から開口の上方に伸び出す遮蔽面を設けると、ガイド管内壁の開口から飛び出してイオン注入部に基板に直接に到達する汚染粒子の経路が、簡単な構造のシールド部によって遮断される。

本発明に係るイオン注入装置では、シールド部は、導入部の開口によって規定される面の各点からイオンビーム部の送出口によつて規定される面の各点に至る直線と交わる遮蔽面を有するようにしてもよい。このような遮蔽面を設けると、送出口に面する位置において基板が移動している途中においても、導入部の開口から飛び出して基板に直接に到達する汚染粒子の経路が遮蔽面によって遮断される。

また、本発明に係るイオン注入装置において、シールド部は、遮蔽面がガイド管の内壁面と鋭角をなし、且つ、平板形状をなすように構成してもよい。また、シールド部は、遮蔽面を有すると共にガイド管の内壁面と鋭角をなして配置された平板と、この平板を支持するフレーム部材と、を含むように構成してもよい。図面の簡単な説明

図 1は、本発明に係るイオン注入装置を示す分解斜視図である。

図 2は、本発明に係るイオン注入装置の概略構成図である。

図 3は、受入口から送出口を見たときのビームガイド部内部の斜視図である。図 4は、図 3の I一 I ' 断面における縦断面図であり、イオンビームが進行する方向に向いた軸を含む平面においてビームガイド部を模式的に示している。図 5は、図 4の Π— Ι Γ 断面における断面図である。発明を実施するための最良の形態

本発明の好適な実施形態を図面を参照しながら説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付して重複する説明を省略する。

本発明の実施の形態に係るイオン注入装置 1 0を図 1および図 2を用いて説明する。図 1は、本発明に係るイオン注入装置の好適な実施形態を示す分解斜視図である。図 2は、本実施形態のイオン注入装置の概略構成図である。

図 1および図 2を参照すると、イオン注入装置 1 0は、主として、イオン源部 1 2と、イオン注入部 1 4と、ビームガイド部 2 4と、を備える。

イオン源部 1 2は、イオンを生成してイオンビーム（I B ) を形成する。ィォン注入部 1 4にはウェハ（基板） Wが配置されており、イオン源部 1 2において生成されたイオンがこのウェハ Wにイオン注入される。ビームガイド部 2 4は、イオン源部 1 2 (詳細には、後述の後段加速系 2 3 ) に接続されイオンを受け入れるための受入口、イオン注入部 1 4に対する開口となりイオンを送出するための送出口、受入口から送出口に伸びるガイド管、を有する。

イオン源部 1 2は、イオン生成系 1 8と、イオンビーム引き出し ·前段加速系

2 0と、質量分析系 2 2と、後段加速系 2 3と、を有する。これらの各系は、ノ、ウジングまたはチューブ（管）により囲まれている。イオンビーム引き出し -前段加速系 2 0及び後段加速系 2 3には、減圧手段として真空ポンプ、例えば夕一ボ分子真空ポンプ 2 6、 2 8がそれぞれ接続されている。このため、イオンビーム引き出し ·前段加速系 2 0および後段加速系 2 3の各々の内部は、所定の真空度まで減圧される。

イオン生成系 1 8は、ガス供給源（図示せず）から供給されるドーピング不純物を含むガスを放電させることによって、ドーピングイオンを含む高密度のブラズマを形成することができる。イオンビーム引き出し ·前段加速系 2 0は、ィォン生成系 1 8との間に設けられた電位差を利用して、イオン生成系 1 8内のプラズマからドーピングイオンを引き出すと共に、これを加速して、イオンビーム（ I B ) を形成する。質量分析系 2 2には、質量分析用マグネット（図示せず）が配置されている。このため、イオン引き出し ·前段加速系 2 0において獲得した運動エネルギと、質量分析マグネットの磁場とによって決定されるイオン種のみがイオン源部 1 2から取り出される。また、イオンビーム（I B ) はイオン源部 1 2から取り出された後に、後段加速系 2 3を通過しながら更に加速されて、ビームガイド部 2 4に到達するまでにイオン注入に適切な所定の運動エネルギ（加速エネルギ）を獲得する。

ビームガイド部（チューブ） 2 4は、受入口にて後段加速系 2 3に接続されている。ビームガイド部 2 4は、この受入口からイオンを受け入れて、イオン注入部 1 4に向いて面して開口した送出口からイオンを送り出す。このイオンは、ィオン注入部 1 4においてウェハ WJこ注入される。

一方、イオン注入部 1 4は、ボックスタイプのターゲットチャンバ 3 0と、夕ーゲットチャンバ 3 0内に配置されたウェハ支持ホイ一ル 3 2とを備えている。夕一ゲットチャンバ 3 0の一方の壁面には、後段加速系 2 3に一端が接続されたビームガイド部 2 4の開口 3 4がウェハ Wと対面可能な位置になるように、ゥェハガイド部 2 4が配置されている。また、ビームガイド部 2 4は、夕一ゲットチャンバ 3 0内へ開口 3 4を向けて突出している。他方の壁面には、開口 3 4に対面する位置には、ビ一ムストップ 3 6が配置されている。ビームストップ 3 6 は、ウェハ支持ホイール 3 2を通過したイオンビーム（I B ) を受け止めるためのものであり、またイオン注入の制御のためにイオンビーム照射量を検出するためのイオン検出器が配置されている。イオン注入部 1 4は、夕一ゲットチャンバ 3 2の壁面にバルブ 3 8、 4 0を介して第 2の減圧手段として真空ポンプ、例えばクライオポンプ 4 2、 4 4がそれぞれ接続されている。

ウェハ支持ホイ一ル 3 2は、ターゲットチャンバ 3 0内に揺動可能に取り付けられた揺動シャフト 4 6と、その先端に回転可能に取り付けられたハブ 4 8と、このハブ 4 8から放射状に延びる複数本のアーム 5 0とから構成されている。各アーム 5 0の先端には、ウェハ Wを保持するためのウェハホルダ 5 2が設けられている。ハブ 4 8は、図 1に示された矢印 Aの方向に回転駆動させられ、また、揺動シャフト 4 6は、図 1に示された矢印 Bの方向に沿って所定の角度で揺動させられる。

ウェハローダ部 1 6は、夕一ゲットチャンバ 3 0に隣接して配置されている。ウェハローダ部 1 6では、ハウジング 5 4と夕ーゲットチャンバ 3 0との間が、搬送路 5 6によって連通されている。この搬送路 5 6にはアイソレ一シヨンバルブ 5 8が設けられており、ハウジング 5 4と夕一ゲットチャンバ 3 0との間を分離できるようにしている。このため、ウェハローダ 1 6のみを雰囲気に開放することができるので、オペレータは、複数枚のウェハ Wが収容されたカセット（図示せず）をハウジング 5 内に設置することができる。カセット内のウェハ Wは、ロボット（図示せず）によって搬送され、ターゲットチャンバ 3 0内のウェハ支持ホイール 3 2の各ウェハホルダ 5 2に取り付けることができる。

図 3〜図 5を参照しながら、ビームガイド部 2 4について説明する。図 3は、受入口 2 4 aから送出口 2 4 bを見たときのビームガイド部 2 4の内部の斜視図である。図 4は、図 3の I一 Γ 断面における断面図である。図 4は、イオンビームが進行する方向に向いた軸を含む平面においてビームガイド部 2 4を模式的に示した断面図である。図 5は、図 4の I I一 Ι Γ 断面における断面図である。ビームガイド部 2 4では、受入口 2 4 aはイオン源部の後段加速系（図 2の符号 2 3 ) に接続され、送出口 2 4 bはイオン注入部（図 2の符号 1 4 ) 内部につながる開口 3 4を有する。受入口 2 4 aと送出口 2 4 bとは、受入口 2 4 aから送出口 2 4 bに伸びるガイド管 2 4 cによってつながれている。このため、ガイド管 2 4 c内は、イオンビーム 6 4が通過する通路であり、通過したイオンはゥェハ 9 2に到達する。ウェハ 9 2は、ウェハホルダ 5 2に取り付けられている。また、別のウェハホルダ 5 2には、同様に、ウェハ 9 4が取り付けられている。これらの複数のウェハは、イオンビーム 6 4の進む軸の方向と垂直な平面内において高速に回転している。このため、これら複数のウェハ 9 2、 9 4はイオンビ —ムに対して順次に移動するので（図 4の矢印 C方向）、これらのウェハ 9 2、 9 4に対して繰り返してイオン注入が行われる。

ビームガイド部 2 4の外側面には、荷電粒子発生器 6 2が設けられている。この荷電粒子発生器 6 2は、ターゲットチャンバ 3 0内に配置されている。荷電粒子発生器 6 2は、 2つの端子を有するフィラメントコイル 6 8と、フィラメントコイル 6 8を内部に収納したプラズマ発生チャンバ 6 6と、プラズマ発生チャンバ 6 6内に生成されるプラズマを増強するためのプラズマ強化磁石 7 0と、を含む。フィラメントコイル 6 8の 2つの端子 6 8 a、 6 8 bは、プラズマ発生チヤ

6 6の一面から電気的に絶縁された状態でチャンバ外へ引き出されて、電源 7 2に接続されている。電源 7 2として、例えば、直流電圧が 5ボルトで、電流供給容量が 2 0 0アンペアのものを使用する。

プラズマ発生チャンバ 6 6内にプラズマを発生させるために、封入ガス、例えばアルゴンガスが、ガス供給管 7 4からプラズマ発生チャンバ 6 6に供給される。フィラメントコイル 6 8に流れる電流力フィラメント 2 4自体を加熱するので、フィラメントコイル 6 8はプラズマ発生チャンバ 6 6内に熱的に電子を放出する。フィラメントコイル 6 8とチャンバ 6 6の外周部 7 6と間には、チャンバ 6 6側がフィラメントコイル 6 8に対して高電位になるように、電源 7 8が接続されている。電源 7 8としては、例えば、直流電圧が 5 0ボルトで、電流供給容量が 6 アンペアのものを使用する。このため、フィラメントコイル 6 8から熱電子が放出されるようになると、チャンバ 6 6内にはプラズマが発生して、フィラメントからの電子放出を増大させる。このように、荷電粒子発生器 6 2は、電子発生器であり、このため、チヤ一ジニュ一トライザの機能を有する。

プラズマ発生チャンバ 6 6と、ビームガイド部 2 4とは、導入管（導入部） 8 0によって接続されている。導入管 8 0は、ガイド管 2 4 cの内壁 2 4 dにその開口 8 2を有し、荷電粒子発生器 6 2からの荷電粒子はこの開口 8 2を通過してガイド管 2 4 c内に導かれる。このため、発生された熱電子の一部は、拡散によつて導入管 8 0を通過してビ一ムガイド部 2 4内に放出される。このような開口

8 2の典型的な形状は、円または楕円であり、またその典型的な大きさは、中心を通る径にして、 3 mm〜5 mmである。

一方、電流によって加熱されたフィラメント 6 8からは、熱電子だけでなく電極を構成する金属材料の粒子も放出される。ィオン注入装置の荷電粒子発生器 6 2では、フィラメント 6 8はタングステンから形成されている。このため、荷電粒子発生器 6 2からは、電子と共にタングステン原子も放出される。このタングステン原子はシリコンウェハに導入されると、半導体デバイスに対して好ましくない影響を及ぼす。したがって、タングステン原子がウェハに到達しないような方策が必要となる。 '

このために、本実施形態のイオン注入装置 1 0は、シールド部 8 4を備える。シールド部 8 4は、ガイド管 2 4 cの内壁面 2 4 dにおいて、導入管 8 0の開口 8 2と送出口 2 4 bとの間に位置する。

このようなシールド部 8 4がウェハの汚染を防止するために好適である理由を以下に説明する。イオン源部 1 8 (図 2参照）において生成されたイオンがィォン注入部 1 4 (図 2参照）に導入される際に通過するビームガイド部 2 4には、イオンと反対の電荷を有する荷電粒子が発生される荷電粒子発生器 6 2が設けられている。このため、荷電粒子発生器 6 2からはウェハに対して汚染物質となる汚染粒子（フィラメントの構成元素であるタングステン原子）も発生される。しかしながら、導入管 8 0の開口 8 2と送出口 2 4 bとの間に位置するシールド部 8 4をガイド管 2 4 aの内壁 2 4 dに設ければ、ガイド管内壁 2 4 dの開口 8 2 から飛び出してウェハ 9 2に直接に到達する粒子の経路が遮断される。このため、夕ングステン原子によるウェハの汚染が防止される。

図 4に示された例示では、開ロ8 2から飛び出してウェハ 9 2に直接に到達する経路のみが対象とされている。これに関して、発明者は、以下の理由によると考えている。一般に、このようなイオン注入装置のビームガイド部 2 4内は、高い真空度に保たれている。なぜなら、受入口 2 4 aから入射するイオンビーム 6 4の非常に多くの部分が送出口 2 4 bまで到達するためには、イオンビーム 6 4 のイオンはほとんど残留ガスと衝突しないような真空度が達成されている必要がある。このような真空度にビームガイド部 2 4が保たれていると、その中の粒子が互いに衝突する確率よりも、粒子がイオン注入装置つまりビームガイド部 2 4 の壁面 2 4 d等と衝突する確率が大きい。したがって、開口 8 2から飛び出したタングステン原子は、様々な方向の速度を有しているけれども、特にウェハ 9 2 の方向、図 4の例示では破線 8 8内に速度べクトルが向いたタングステン原子は、他の粒子と衝突しなければ、直接にウェハ 9 2の表面に達する。この他の速度べクトルを有する粒子は壁面 2 4 dと衝突することによって、その運動方向がゥェハ 9 2の方向に変更されなくてはならない。この確率は小さい。故に、開口 8 2 から飛び出してウェハ 9 2に直接に到達するタングステン原子の経路が、遮断されれば十分である。

図 4および図 5を参照すると、 2点鎖線 8 6によって挟まれる領域は、ウェハ

9 2が移動してその全表面がビームガイド部 2 4の送出部 2 4 bに現れた場合を示している。破線 8 8によって囲まれる領域は、ウェハ 9 2が更に移動してその全表面がビームガイド部 2 4の送出部 2 4 bのほぼ中央に現れた場合を示している。一点鎖線 9 0によって囲まれる領域は、ウェハ 9 2が移動してその表面の一部がビームガイド部 2 4の送出部 2 4 bから消え始める時を示している。

開口 8 2の周囲上の 2点、 8 2 a、 8 2 bを例示しながら、ウェハの汚染を防止するために必要な事柄に関して更に説明する。点 8 2 aは、開口 8 2上の点のうち、送出口 2 4 bに最も近い点であり、点 8 2 bは、開口 8 2上の点のうち、送出口 2 4 bに最も遠い点である。シ一ルド部 8 4の遮蔽面 8 4 aは、点 8 2 a からウェハ 9 2の表面の各点に至る直線の群の少なくとも一部と交差している。同様にして、シールド部 8 4の遮蔽面 8 4 aは、点 8 2 bからウェハ 9 2の表面の各点に至る直線の群の少なくとも一部と交差している。交差している直線が示す経路を飛んで行くタングステン原子は、ウェハ表面に到達する前にシールド部 8 4、つまり遮蔽面 8 4 aに衝突する。このため、この原子はウェハ表面に到達しない。

点 8 2 aおよび点 8 2 bを代表的に説明したが、開口 8 2によって規定される開口面の各点において、同様な直線の群が規定される。このような各点において規定された直線のすべてからなる直線群の少なくとも一部が、シールド部 8 4の遮蔽面 8 4 aと交差するように、遮蔽面 8 4 aを設ければタングステン原子によつて引き起こされる汚染を防止する上で好適である。

特に、図 4が示す断面（平面）内において、シールド部 8 4の遮蔽面 8 4 aは、点 8 2 aからウェハ 9 2の表面の各点に至る全直線と交差している。同様にして、シールド部 8 4の遮蔽面 8 4 aは、点 8 2 bからウェハ 9 2の表面の各点に至る全直線と交差している。また、遮蔽面 8 4 aは、開口 8 2によって規定される面上の点の各々からウェハ 9 2の表面の点の各々に至る直線の全てと交差している。図 5には、開口 8 2の面上の全ての点からウェハ 9 2の表面の各点に至る全直線が遮蔽面 8 4 aと交差する場合を示しており、これらの直線の群によって規定される外形 8 4わが、シ一ルド部 8 4の遮蔽面 8 4 a上に示されている。この場合には、ほぼ完全に汚染を防止できる。

以下、遮蔽面 8 4 aについて、より詳細に説明する。

遮蔽面 8 4 aは、導入管 8 0の開口 8 2によって規定される面の各点からィォン注入部 1 4に配置されるウェハ 9 2のイオン注入されるべき表面の各点に至る直線と交わるようにすることが好ましい。このような遮蔽面 8 4 aを設けると、ガイド管内壁 2 4 dの開口 8 2から飛び出してウェハ 9 2に直接に到達する汚染粒子の経路が遮断される。

また、遮蔽面 8 4 aは、開口 8 2の縁部 8 2 aの近傍から開口 8 2の上方に伸び出すようにすることが好ましい。このような遮蔽面 8 2 aを設けると、ガイド管内壁 2 4 dの開口から飛び出してイオン注入部 1 4にウェハに直接に到達する汚染粒子の経路が、簡単な構造のシールド部 8 4によって遮断される。

更に、遮蔽面 8 4 aは、導入管 8 0の開口 8 2によって規定される面の各点からイオンビーム部 2 4の送出口 2 4 bによって規定される面の各点に至る直線と交わることが好ましい。このような遮蔽面 8 4 aを設けると、ウェハ 9 2が送出口を移動しているいかなるときでも、ガイド管内壁 2 4 dの開口 8 2から飛び出してウェハ 9 2に直接に到達する汚染粒子の経路が遮断される。

このようなシ一ルド部 8 4は、遮蔽面 8 4 aを一端に有し、遮蔽面 8 4 aがガイド管の壁面 2 4 dと鋭角を成し、内壁 2 4 d上をイオンビーム 6 4の方向に延びる平板状の部材であることができる。また、シ一ルド部 8 4は、一の面が遮蔽面 8 4 aを成し壁面 2 4 dから鋭角を成して延び出した平板と、この平板を支持するフレーム部材によって構成してもよい。

図 3を参照すると、簡単のためにビームガイド部 2 4、電荷発生部 6 2、シールド部 8 4のみを示している。ビ一ムガイド部 2 4の内壁 2 4 dには、導入管 8 0の開口 8 2が位置している。シールド部 8 4の遮蔽面 8 4 a上には開口 8 0上に各点とウェハ 9 2上の各点を結ぶ直線の群の外形 8 4 bが示されている。このように、開口 8 2の縁部から開口 8 2をその上方において覆うように延び出した遮蔽平面 8 4 aを設けたので、かかる直線の群の少なくとも一部と交差するようにできる。また、このような直線の群の全てと交差するように遮蔽平面 8 4 aを形成することが好ましい。

このようなシールド部 8 4を形成するために好適な材料としては、グラフアイトが好ましい。また、所定の材料にてシールド部 8 4を形成した後に、グラファィトの表面被覆処理を施して汚染を防止することもできる。

このように、フィラメント 6 8をシールドするためのシールド部 8 4を備えたイオン注入装置に関する実験結果を示す。実験に使用したイオン注入条件を以下に示す。

イオン種： A s

加速エネルギ： 8 0 k e V

ドーズ量： 5 x 1 0 ' 7cm²

この条件において、シ一ルド部 8 4の有無によって基板内のタングステン量を分析した。この分析は、誘導結合プラズマ質量分析法（ICP- MS) を用いて行った。その実験結果は、

フィラメント · シールド取付前： 2 . 4 X 1 0 ^{1 2}atoms/ c m²

フィラメント · シールド取付後： 1 . 6 X 1 0 ^{1 0} toms/ c m ²

となった。フィラメントを有するチャンバにつながる開口をウェハから見込む角度の全部が遮断されるように、シールド部 8 4を設けた。この結果として、汚染元素の原子数が 1 / 1 0以下に低減された。産業上の利用可能性

以上、詳細に説明したように、本発明に係るイオン注入装置では、荷電粒子発生器が、イオンビームをイオン注入部に送るために通過するビームガイド部に設けられている。このため、この荷電粒子発生器においては、イオンと反対の電荷を有する荷電粒子が発生されると共に、基板に対して汚染物質となる汚染粒子も発生される。しかしながら、導入部の開口と送出口との間に配置されたシールド部をガイド管の内面上に設けたので、ガイド管内壁の開口から飛び出して基板に到達する汚染粒子の経路が遮断可能となる。故に、荷電粒子発生器から生じる汚染粒子によつて基板が汚染されることが防止できるィオン注入装置が提供される

Claims

請求の範囲

1 . イオンを生成するイオン源部と、

前記イオン源部において生成された前記イオンが基板にイオン注入されるィォン注入部と、

前記イオンと反対の電荷を有する荷電粒子を発生する荷電粒子発生器と、前記イオン源部からの前記イオンを受け入れるための受入口、前記イオン注入部へ前記イオンを送出するための送出口、前記受入口から前記送出口に伸びるガィド管、および前記ガイド管の内面にその開口が設けられ前記荷電粒子発生器からの前記荷電粒子を前記ガイド管内に導くための導入部、を有するビームガイド部と、

前記ガイド管の内部において、前記導入部の前記開口と前記送出口との間に位置するシールド部と、

を備えるイオン注入装置。

2 . 前記シールド部は、前記導入部の前記開口によって規定される面の各点から前記イオン注入部に配置されるイオン注入されるべき前記基板の表面の各点に至る直線と交わる遮蔽面を有する、ことを特徴とする請求項 1に記載のイオン注入装置。

3 . 前記シールド部は、前記開口の縁部近傍から前記開口の上方に伸び出す遮蔽面を有する、ことを特徴とする請求項 1に記載にイオン注入装置。

4 . 前記シールド部は、前記導入部の前記開口によって規定される面の各点から前記イオンビーム部の前記送出口によつて規定される面の各点に至る直線と交わる遮蔽面を有する、ことを特徴とする請求項 1に記載のイオン注入装置。

5 . 前記シールド部は、前記遮蔽面は前記ガイド管の内壁面と鋭角をなし、且つ、平板形状をなしていることを特徴とする請求項 2に記載のイオン注入装置。

6 . 前記シールド部は、前記遮蔽面を有すると共に前記ガイド管の内壁面と鋭角をなして配置された平板と、 -前記平板を支持するフレーム部材と、を含むことを特徴とする請求項 2に記載のィオン注入装置。