JPH0513041A - イオン注入装置用電子シヤワー装置 - Google Patents
イオン注入装置用電子シヤワー装置Info
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- JPH0513041A JPH0513041A JP16131591A JP16131591A JPH0513041A JP H0513041 A JPH0513041 A JP H0513041A JP 16131591 A JP16131591 A JP 16131591A JP 16131591 A JP16131591 A JP 16131591A JP H0513041 A JPH0513041 A JP H0513041A
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- electron
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- ion implantation
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 イオン注入中のウェハに対するフィラメント
からの熱の影響や汚染をなくし、しかも、ウェハ上の帯
電を中和する。 【構成】 チャンバ８の内部に平行平板の電極１１を取
り付ける。この電極１１に高周波電源１２から高周波電
圧を印加し、高真空中での高周波放電（マルチパクタ放
電）を起こし、電子雲を発生させる。この電子を正に帯
電したウェハ７に照射する。 【効果】 熱フィラメントを用いないので、ウェハに対
する熱や汚染の問題がなくなり、又、低エネルギー電子
を照射するのでウェハ上で負の帯電破壊が生じないた
め、信頼性の高い半導体デバイスを製造できる効果があ
る。
からの熱の影響や汚染をなくし、しかも、ウェハ上の帯
電を中和する。 【構成】 チャンバ８の内部に平行平板の電極１１を取
り付ける。この電極１１に高周波電源１２から高周波電
圧を印加し、高真空中での高周波放電（マルチパクタ放
電）を起こし、電子雲を発生させる。この電子を正に帯
電したウェハ７に照射する。 【効果】 熱フィラメントを用いないので、ウェハに対
する熱や汚染の問題がなくなり、又、低エネルギー電子
を照射するのでウェハ上で負の帯電破壊が生じないた
め、信頼性の高い半導体デバイスを製造できる効果があ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、シリコンウェハ等の
基板にイオンを注入するイオン注入装置において、ウェ
ハ上の絶縁膜の帯電あるいは静電破壊を防止するための
電子シャワー装置に関するものである。
基板にイオンを注入するイオン注入装置において、ウェ
ハ上の絶縁膜の帯電あるいは静電破壊を防止するための
電子シャワー装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は例えばNuclear Instruments and
Methods in Physics Research ，Ｂ３７／３８巻（１９
８９年）４９２頁に示されたような従来のイオン注入装
置用電子シャワー装置の概略構成図を示す。図におい
て、１は例えばタングステンフィラメントからなる金属
フィラメント、２はこの金属フィラメント１に接続され
るフィラメント電源、３は金属フィラメント１から放出
された電子を加速するためのバイアス電源、４は金属フ
ィラメント１から放出された電子を反射する電子反射
板、５はこの電子反射板４で反射される負の電子、６は
軸６ａを回転軸とする回転ディスク、７はこの回転ディ
スク６上に固定されたウェハ、８は前記回転ディスク６
を格納するディスクチャンバ、９はビームチャンバ、１
０は前記ウェハ７に注入される正のイオンビームであ
る。
Methods in Physics Research ，Ｂ３７／３８巻（１９
８９年）４９２頁に示されたような従来のイオン注入装
置用電子シャワー装置の概略構成図を示す。図におい
て、１は例えばタングステンフィラメントからなる金属
フィラメント、２はこの金属フィラメント１に接続され
るフィラメント電源、３は金属フィラメント１から放出
された電子を加速するためのバイアス電源、４は金属フ
ィラメント１から放出された電子を反射する電子反射
板、５はこの電子反射板４で反射される負の電子、６は
軸６ａを回転軸とする回転ディスク、７はこの回転ディ
スク６上に固定されたウェハ、８は前記回転ディスク６
を格納するディスクチャンバ、９はビームチャンバ、１
０は前記ウェハ７に注入される正のイオンビームであ
る。
【０００３】次に動作について説明する。回転ディスク
６に取り付けられたウェハ７にイオンビーム１０が照射
されると、通常ウェハ７の表面には予めフォトレジスト
膜や酸化膜等の極薄の絶縁膜が塗布あるいは形成されて
いるため、それらの絶縁膜上に正イオンが蓄積して帯電
し、絶縁破壊まで至る場合がある。この絶縁破壊は、Ｌ
ＳＩ回路パターンに損傷を与え、ＬＳＩ製造の歩留り低
下を招く。これを防止するため帯電したウェハ７の表面
及びイオンビーム１０に、金属フィラメント１より発生
する負の電子５を当てることにより帯電の中和化を図っ
ている。
６に取り付けられたウェハ７にイオンビーム１０が照射
されると、通常ウェハ７の表面には予めフォトレジスト
膜や酸化膜等の極薄の絶縁膜が塗布あるいは形成されて
いるため、それらの絶縁膜上に正イオンが蓄積して帯電
し、絶縁破壊まで至る場合がある。この絶縁破壊は、Ｌ
ＳＩ回路パターンに損傷を与え、ＬＳＩ製造の歩留り低
下を招く。これを防止するため帯電したウェハ７の表面
及びイオンビーム１０に、金属フィラメント１より発生
する負の電子５を当てることにより帯電の中和化を図っ
ている。
【０００４】金属フィラメント１にフィラメント電源２
より電流を流し加熱することにより負の熱電子５を発生
させる。この熱電子５をバイアス電源３により数１００
Ｖで電子反射板４に向けて加速する。加速された電子５
が電子反射板４に衝突することにより数ｅＶから数１０
ｅＶの２次電子５が発生する。このとき前記電子反射板
４は、回転ディスク６に搭載されたウェハ７の方向を向
いており、発生した２次電子５はウェハ７に注がれる。
これによりイオンビーム１０が照射されることにより正
に帯電したウェハ７上の電荷を中和する。
より電流を流し加熱することにより負の熱電子５を発生
させる。この熱電子５をバイアス電源３により数１００
Ｖで電子反射板４に向けて加速する。加速された電子５
が電子反射板４に衝突することにより数ｅＶから数１０
ｅＶの２次電子５が発生する。このとき前記電子反射板
４は、回転ディスク６に搭載されたウェハ７の方向を向
いており、発生した２次電子５はウェハ７に注がれる。
これによりイオンビーム１０が照射されることにより正
に帯電したウェハ７上の電荷を中和する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のイオン注入装置
用電子シャワー装置は以上のように構成されているの
で、ウェハ７の表面に加速電圧程度の高エネルギー（数
１００ｅＶ）を持った電子反射板４で反射された負の電
子５が直接当たり、ウェハ７上で電子５により負帯電領
域を生じ、又、この負帯電によりウェハ７上の絶縁膜が
静電破壊を引き起こすという問題点があった。又、電子
源が加熱された金属フィラメント１であるので、その熱
によるウェハ７の応力発生や蒸発したフィラメント材料
がウェハ７を汚染してしまうという問題点があった。こ
れは、例えばチャールズ・エム・マケナ等の“イオン・
ビーム衝撃装置”（特公昭５８−４２９３９号公報）や
ジョン・エル・フォーネリス等の“イオン・ビーム衝撃
装置”（特公昭５８−４３８６１号公報）に記載されて
いる通りである。
用電子シャワー装置は以上のように構成されているの
で、ウェハ７の表面に加速電圧程度の高エネルギー（数
１００ｅＶ）を持った電子反射板４で反射された負の電
子５が直接当たり、ウェハ７上で電子５により負帯電領
域を生じ、又、この負帯電によりウェハ７上の絶縁膜が
静電破壊を引き起こすという問題点があった。又、電子
源が加熱された金属フィラメント１であるので、その熱
によるウェハ７の応力発生や蒸発したフィラメント材料
がウェハ７を汚染してしまうという問題点があった。こ
れは、例えばチャールズ・エム・マケナ等の“イオン・
ビーム衝撃装置”（特公昭５８−４２９３９号公報）や
ジョン・エル・フォーネリス等の“イオン・ビーム衝撃
装置”（特公昭５８−４３８６１号公報）に記載されて
いる通りである。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、高エネルギー電子によるウェハ
上の負帯電及び静電破壊を防止できると共に、ウェハの
加熱や汚染を生じさせないイオン注入装置用電子シャワ
ー装置を得ることを目的としている。
ためになされたもので、高エネルギー電子によるウェハ
上の負帯電及び静電破壊を防止できると共に、ウェハの
加熱や汚染を生じさせないイオン注入装置用電子シャワ
ー装置を得ることを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係るイオン注
入装置用電子シャワー装置は、イオン注入装置によるウ
ェハへのイオン注入中に発生する正の帯電電荷を中和す
るイオン注入装置用電子シャワー装置において、真空中
に設けられ、高周波電圧が印加される平行な２枚の電極
を備え、この電極間での高周波放電いわゆるマルチパク
タ放電により発生した電子をウェハ上に供給することを
特徴とする。
入装置用電子シャワー装置は、イオン注入装置によるウ
ェハへのイオン注入中に発生する正の帯電電荷を中和す
るイオン注入装置用電子シャワー装置において、真空中
に設けられ、高周波電圧が印加される平行な２枚の電極
を備え、この電極間での高周波放電いわゆるマルチパク
タ放電により発生した電子をウェハ上に供給することを
特徴とする。
【０００８】
【作用】この発明におけるイオン注入装置用電子シャワ
ー装置は、数１０ｅＶ程度の低エネルギー電子がウェハ
上に供給されることにより負帯電や静電破壊が生じず、
又、加熱用フィラメントを用いないことによりウェハの
加熱や汚染も生じさせない。
ー装置は、数１０ｅＶ程度の低エネルギー電子がウェハ
上に供給されることにより負帯電や静電破壊が生じず、
又、加熱用フィラメントを用いないことによりウェハの
加熱や汚染も生じさせない。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１において、図８と同一符号のものは全く同一
のものを示し、説明は省略する。１１は高真空中に設け
られた２枚の平行な平板状の電極で、先端部の電極間隔
が小さくなっている。１２は電極１１に印加されるビー
ムチャンバ９の外部に取り付けられた高周波電源、１３
は高周波電源１２に流れる電流を制限する制限抵抗であ
る。
する。図１において、図８と同一符号のものは全く同一
のものを示し、説明は省略する。１１は高真空中に設け
られた２枚の平行な平板状の電極で、先端部の電極間隔
が小さくなっている。１２は電極１１に印加されるビー
ムチャンバ９の外部に取り付けられた高周波電源、１３
は高周波電源１２に流れる電流を制限する制限抵抗であ
る。
【００１０】次に動作について説明する。先ず、図２に
示したように真空中に置かれた電極１１間に高周波電源
１２から電圧が印加された時にその電極１１間に発生さ
れる電子の運動を考える。Ａ電極１１の表面に座標の原
点をとり、ｘ軸を電極に垂直にとって、Ｂ電極１１の表
面の座標をｘ＝ｄとする。今、このＡＢ電極１１間に印
加される電圧Ｖを下記数１式のようにすると、高周波電
界Ｅxは下記数２式のようになる。
示したように真空中に置かれた電極１１間に高周波電源
１２から電圧が印加された時にその電極１１間に発生さ
れる電子の運動を考える。Ａ電極１１の表面に座標の原
点をとり、ｘ軸を電極に垂直にとって、Ｂ電極１１の表
面の座標をｘ＝ｄとする。今、このＡＢ電極１１間に印
加される電圧Ｖを下記数１式のようにすると、高周波電
界Ｅxは下記数２式のようになる。
【００１１】
【数１】
【００１２】
【数２】
【００１３】ここでＶp ：高周波電圧の波高値、ω：角
周波数（＝２πｆ）、ｆ：周波数、θ：ｔ＝０での位相
である。ここで、Ａ電極をｔ＝０に初速度ｖ0 で、電極
に垂直に飛び出した電子（１次電子）に着目すると、こ
の電子の運動は下記数３式で表される。
周波数（＝２πｆ）、ｆ：周波数、θ：ｔ＝０での位相
である。ここで、Ａ電極をｔ＝０に初速度ｖ0 で、電極
に垂直に飛び出した電子（１次電子）に着目すると、こ
の電子の運動は下記数３式で表される。
【００１４】
【数３】
【００１５】ここで、ｍ：電子の質量〔＝9.１×１０
-31 kg〕、ｅ：電子の電荷量〔＝１６×１０-19 Ｃ〕で
ある。この運動方程式を初期条件を考慮して解くと下記
数４〜数６式のようになる。
-31 kg〕、ｅ：電子の電荷量〔＝１６×１０-19 Ｃ〕で
ある。この運動方程式を初期条件を考慮して解くと下記
数４〜数６式のようになる。
【００１６】
【数４】
【００１７】
【数５】
【００１８】
【数６】
【００１９】この運動方程式を次に示す制約条件下で解
くことにより、高真空中でのマルチパクタ放電発生領域
を求めることができる。
くことにより、高真空中でのマルチパクタ放電発生領域
を求めることができる。
【００２０】１）電子が高周波電圧に同期して運動す
る。２）電子が対向する電極に到達する。３）電子が対
向電極に到達して２次電子を放出する。この２次電子放
出係数が１以上である。これらの制約条件より、マルチ
パクタ放電発生電圧Ｖp （最大放電発生電圧Ｖpmax，最
小放電発生電圧（放電開始電圧）Ｖpmin）は下記数７〜
数９式で表すことができる。
る。２）電子が対向する電極に到達する。３）電子が対
向電極に到達して２次電子を放出する。この２次電子放
出係数が１以上である。これらの制約条件より、マルチ
パクタ放電発生電圧Ｖp （最大放電発生電圧Ｖpmax，最
小放電発生電圧（放電開始電圧）Ｖpmin）は下記数７〜
数９式で表すことができる。
【００２１】
【数７】
【００２２】
【数８】
【００２３】
【数９】
【００２４】ここで、ｐ：整数（ｐ＝０，１，２…）、
θL ：電子が対向電極に到達しなくなるθの限界値、Ｕ
1 ，Ｕ2 ：２次電子放出係数が１になる電子エネルギー
（図３）、ｖrf（ｅＶp／ｍｄω）である。上記数７〜
数９式から、Ｕ1 ＝５０ｅＶ、Ｕ2 ＝３０００ｅＶの場
合のマルチパクタ放電発生電圧領域をｆ・ｄの関数とし
て図示すると図４のようになる。例えば、ｆ＝１3.５６
ＭＨｚで、ｄ＝7.４cmにすると、ｆ・ｄ＝１００ＭＨｚ
・cmであるので、放電発生電圧Ｖp 〔Ｖrms 〕は、下記
数１０式の範囲となることを示している。
θL ：電子が対向電極に到達しなくなるθの限界値、Ｕ
1 ，Ｕ2 ：２次電子放出係数が１になる電子エネルギー
（図３）、ｖrf（ｅＶp／ｍｄω）である。上記数７〜
数９式から、Ｕ1 ＝５０ｅＶ、Ｕ2 ＝３０００ｅＶの場
合のマルチパクタ放電発生電圧領域をｆ・ｄの関数とし
て図示すると図４のようになる。例えば、ｆ＝１3.５６
ＭＨｚで、ｄ＝7.４cmにすると、ｆ・ｄ＝１００ＭＨｚ
・cmであるので、放電発生電圧Ｖp 〔Ｖrms 〕は、下記
数１０式の範囲となることを示している。
【００２５】
【数１０】
【００２６】さて、高周波電源１２の周波数ｆと電極１
１の電極間隔ｄの積ｆ・ｄから、図４に示したマルチパ
クタ放電発生領域に入るように高周波電源１２の電圧を
調節する。このとき電極１１の間にマルチパクタ放電に
より電子５の塊が生ずることになる。一方、ウェハ７は
照射されたイオンビーム１０により正に帯電する。この
ウェハ７上の正電位によって、電極１１間に発生した電
子５がウェハ７側に引き寄せられ、正に帯電したウェハ
７上の電荷を中和することができる。
１の電極間隔ｄの積ｆ・ｄから、図４に示したマルチパ
クタ放電発生領域に入るように高周波電源１２の電圧を
調節する。このとき電極１１の間にマルチパクタ放電に
より電子５の塊が生ずることになる。一方、ウェハ７は
照射されたイオンビーム１０により正に帯電する。この
ウェハ７上の正電位によって、電極１１間に発生した電
子５がウェハ７側に引き寄せられ、正に帯電したウェハ
７上の電荷を中和することができる。
【００２７】なお、上記実施例では電極１１間でのマル
チパクタ放電により発生した電子雲を、ウェハ７上の正
帯電電位のみにより引き出す方式を示したが、図５に示
すように電極１１の先端に、マルチパクタ放電によって
発生した電子雲を強制的に引き出し電極１４とその引き
出した電子５を低エネルギー化する減速電極１６とを設
けてもよい。引き出し電極１４には引き出し電源１５か
ら、また、減速電極１６には減速電源１７から直流電圧
が印加される。この図によれば、大量の電子５を一定の
エネルギーで引き出すことができるので、イオンビーム
１０の照射時のウェハ７上の正電荷を効率的に中和でき
る効果がある。
チパクタ放電により発生した電子雲を、ウェハ７上の正
帯電電位のみにより引き出す方式を示したが、図５に示
すように電極１１の先端に、マルチパクタ放電によって
発生した電子雲を強制的に引き出し電極１４とその引き
出した電子５を低エネルギー化する減速電極１６とを設
けてもよい。引き出し電極１４には引き出し電源１５か
ら、また、減速電極１６には減速電源１７から直流電圧
が印加される。この図によれば、大量の電子５を一定の
エネルギーで引き出すことができるので、イオンビーム
１０の照射時のウェハ７上の正電荷を効率的に中和でき
る効果がある。
【００２８】図６において、電極１１とビームチェンバ
ー９は回転ディスク６の同一回転軌跡上の異なる位置例
えば回転ディスク６の回転中心軸に対して対称的な位置
に設けられている。従って図６は電極１１間でのマルチ
パクタ放電により発生した電子雲を、ビームチェンバー
９を通じてイオンビーム１０が照射された直後にウェハ
７の位置を変えてウェハ７の前面に供給する場合を示し
たもので、イオンビーム１０の照射直後に回転ディスク
６を所定角度例えば１８０°回転して回転ディスク６上
のウェハ７をビームチェンバー９下から外して電極１１
下に位置づけ、ここで電極１１間に発生し、ウェハ７上
の正電位に引かれた電子５が正電荷を中和する。
ー９は回転ディスク６の同一回転軌跡上の異なる位置例
えば回転ディスク６の回転中心軸に対して対称的な位置
に設けられている。従って図６は電極１１間でのマルチ
パクタ放電により発生した電子雲を、ビームチェンバー
９を通じてイオンビーム１０が照射された直後にウェハ
７の位置を変えてウェハ７の前面に供給する場合を示し
たもので、イオンビーム１０の照射直後に回転ディスク
６を所定角度例えば１８０°回転して回転ディスク６上
のウェハ７をビームチェンバー９下から外して電極１１
下に位置づけ、ここで電極１１間に発生し、ウェハ７上
の正電位に引かれた電子５が正電荷を中和する。
【００２９】この図６に示す実施例においても、電極１
１の先端に、マルチパクタ放電によって発生した電子雲
を強制的に引き出し、正に帯電したウェハ７に電子５を
照射するために、図５に示したのと同様の引き出し電極
１４と減速電極１６を設けてもよい。その場合、引き出
し電極１４と減速電極１６に直流電圧を供給する引き出
し電源１５と減速電源１７も必要とするのは言うまでも
ない。
１の先端に、マルチパクタ放電によって発生した電子雲
を強制的に引き出し、正に帯電したウェハ７に電子５を
照射するために、図５に示したのと同様の引き出し電極
１４と減速電極１６を設けてもよい。その場合、引き出
し電極１４と減速電極１６に直流電圧を供給する引き出
し電源１５と減速電源１７も必要とするのは言うまでも
ない。
【００３０】上記した各実施例においてはマルチパクタ
放電を起こすための電極が平行平板の電極１１の場合を
示したが、図７に示す同軸電極であってもよい。２１ａ
は内電極で、２１ｂは内電極２１ａと同軸にある外電極
である。高周波電源１２からの高周波電圧は内電極２１
ａと外電極２１ｂとの間に印加される。
放電を起こすための電極が平行平板の電極１１の場合を
示したが、図７に示す同軸電極であってもよい。２１ａ
は内電極で、２１ｂは内電極２１ａと同軸にある外電極
である。高周波電源１２からの高周波電圧は内電極２１
ａと外電極２１ｂとの間に印加される。
【００３１】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、高真空
中の高周波放電（マルチパクタ放電）で発生する低エネ
ルギー電子をウェハ上に供給するようにしたので、ウェ
ハ上の負帯電や静電破壊が生じず、又、加熱用フィラメ
ントを用いていないので、ウェハの加熱や汚染を生じさ
せない。従って、信頼性の高い半導体デバイスを供給で
きる効果がある。
中の高周波放電（マルチパクタ放電）で発生する低エネ
ルギー電子をウェハ上に供給するようにしたので、ウェ
ハ上の負帯電や静電破壊が生じず、又、加熱用フィラメ
ントを用いていないので、ウェハの加熱や汚染を生じさ
せない。従って、信頼性の高い半導体デバイスを供給で
きる効果がある。
【図１】この発明の一実施例を示す概略構成図である。
【図２】高周波電圧が印加された電極間の電子の運動を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図３】２次電子放出係数の電子エネルギー依存性を示
す特性図である。
す特性図である。
【図４】マルチパクタ放電が発生する電圧と（周波数×
電極間隔）の関係を示す特性図である。
電極間隔）の関係を示す特性図である。
【図５】この発明の他の実施例を示す概略構成図であ
る。
る。
【図６】この発明の他の実施例を示す概略構成図であ
る。
る。
【図７】この発明の他の実施例を示す電子供給部の構成
図である。
図である。
【図８】従来のイオン注入装置用電子シャワー装置の概
略構成図である。
略構成図である。
５ 電子
６ 回転ディスク
７ ウェハ
１０ イオンビーム
１１ 電極
１２ 高周波電源
１４ 引き出し電極
１６ 減速電極
２１ 同軸電極
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年１２月２７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】ここで、ｍ：電子の質量〔＝9.１×１０
-31 kg〕、ｅ：電子の電荷量〔＝1.６×１０-19 Ｃ〕で
ある。この運動方程式を初期条件を考慮して解くと下記
数４〜数６式のようになる。
-31 kg〕、ｅ：電子の電荷量〔＝1.６×１０-19 Ｃ〕で
ある。この運動方程式を初期条件を考慮して解くと下記
数４〜数６式のようになる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】
【数６】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図７】
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 仲西 幸一郎
兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三
菱電機株式会社生産技術研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 イオン注入装置によるウェハへのイオン
注入中に発生する正の帯電電荷を中和するイオン注入装
置用電子シャワー装置において、真空中に設けられ、高
周波電圧が印加される平行な２枚の電極を備え、この電
極間での高周波放電いわゆるマルチパクタ放電により発
生した電子をウェハ上に供給することを特徴とするイオ
ン注入装置用電子シャワー装置。 - 【請求項２】 前記電極間でのマルチパクタ放電により
生成された電子雲を電子ビームとして引き出す引き出し
電極と該電子ビームを減速する減速電極とを備えたこと
を特徴とする請求項１記載のイオン注入装置用電子シャ
ワー装置。 - 【請求項３】 イオンビームが照射されるウェハの前面
に前記電子雲が形成供給されることを特徴とする請求項
１または請求項２記載のイオン注入装置用電子シャワー
装置。 - 【請求項４】 前記高周波電圧が印加される電極材質を
２次電子放出係数が１以上である銅、ニッケル、モリブ
デンとすることを特徴とする請求項１記載のイオン注入
装置用電子シャワー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16131591A JPH0513041A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | イオン注入装置用電子シヤワー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16131591A JPH0513041A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | イオン注入装置用電子シヤワー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513041A true JPH0513041A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15732766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16131591A Pending JPH0513041A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | イオン注入装置用電子シヤワー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513041A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010080316A (ko) * | 1998-10-30 | 2001-08-22 | 조셉 제이. 스위니 | 이온 주입 장치 |
-
1991
- 1991-07-02 JP JP16131591A patent/JPH0513041A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010080316A (ko) * | 1998-10-30 | 2001-08-22 | 조셉 제이. 스위니 | 이온 주입 장치 |
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