WO1998014793A1 - Detecteur a couche mince sensible au champ magnetique, presentant une couche barriere a effet tunnel - Google Patents

Detecteur a couche mince sensible au champ magnetique, presentant une couche barriere a effet tunnel Download PDF

Info

Publication number
WO1998014793A1
WO1998014793A1 PCT/DE1997/002236 DE9702236W WO9814793A1 WO 1998014793 A1 WO1998014793 A1 WO 1998014793A1 DE 9702236 W DE9702236 W DE 9702236W WO 9814793 A1 WO9814793 A1 WO 9814793A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
magnetic
sensor according
layers
measuring
Prior art date
Application number
PCT/DE1997/002236
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Hugo Van Den Berg
Original Assignee
Siemens Aktiengesellschaft
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Aktiengesellschaft filed Critical Siemens Aktiengesellschaft
Priority to GB9907727A priority Critical patent/GB2333900B/en
Priority to DE19781061T priority patent/DE19781061D2/de
Priority to JP10516141A priority patent/JP2001501309A/ja
Publication of WO1998014793A1 publication Critical patent/WO1998014793A1/fr

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09Magnetoresistive devices
    • G01R33/093Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09Magnetoresistive devices
    • G01R33/098Magnetoresistive devices comprising tunnel junctions, e.g. tunnel magnetoresistance sensors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10Magnetoresistive devices

Abstract

L'invention concerne un détecteur à couche mince (8) sensible au champ magnétique, présentant un système à couches multiples avec au moins une couche de mesure (Ms) en matériau magnétique doux. Cette couche (Ms) doit être séparée, au moyen d'une couche barrière à effet tunnel (Tb), d'une succession de couches (Sf) présentant une rigidité magnétique supérieure à la couche de mesure (Ms). Il peut être également prévu, de façon avantageuse, une zone semiconductrice (H1) formant une barrière de Schottky (Sb) avec une couche magnétique (Ms) adjacente à ladite zone.
PCT/DE1997/002236 1996-10-02 1997-09-29 Detecteur a couche mince sensible au champ magnetique, presentant une couche barriere a effet tunnel WO1998014793A1 (fr)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB9907727A GB2333900B (en) 1996-10-02 1997-09-29 Magnetic-field sensitive thin film sensor having a tunnel effect barrier layer
DE19781061T DE19781061D2 (de) 1996-10-02 1997-09-29 Magnetfeldempfindlicher Dünnfilmsensor mit einer Tunnelbarrierenschicht
JP10516141A JP2001501309A (ja) 1996-10-02 1997-09-29 トンネル障壁層を有する磁界感応薄膜センサ

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19640632 1996-10-02
DE19640632.3 1996-10-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1998014793A1 true WO1998014793A1 (fr) 1998-04-09

Family

ID=7807665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE1997/002236 WO1998014793A1 (fr) 1996-10-02 1997-09-29 Detecteur a couche mince sensible au champ magnetique, presentant une couche barriere a effet tunnel

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2001501309A (fr)
DE (1) DE19781061D2 (fr)
GB (1) GB2333900B (fr)
WO (1) WO1998014793A1 (fr)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0971424A2 (fr) * 1998-07-10 2000-01-12 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Structure à valve de spin et procédé de fabrication
EP0971423A1 (fr) * 1998-07-10 2000-01-12 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Structure à valve de spin et méthode de fabrication
DE10009944A1 (de) * 2000-03-02 2001-09-13 Forschungszentrum Juelich Gmbh Anordnung zum Messen eines Magnetfeldes und Verfahren zum Herstellen einer Anordnung zum Messen eines Magnetfeldes
DE10309244A1 (de) * 2003-03-03 2004-09-23 Siemens Ag Magnetisches Speicherelement, insbesondere MRAM-Element, mit einem TMR-Dünnschichtensystem
DE10017374B4 (de) * 1999-05-25 2007-05-10 Siemens Ag Magnetische Koppeleinrichtung und deren Verwendung
DE10222395B4 (de) * 2002-05-21 2010-08-05 Siemens Ag Schaltungseinrichtung mit mehreren TMR-Sensorelementen
US11500042B2 (en) 2020-02-28 2022-11-15 Brown University Magnetic sensing devices based on interlayer exchange-coupled magnetic thin films

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001196661A (ja) 1999-10-27 2001-07-19 Sony Corp 磁化制御方法、情報記憶方法、磁気機能素子および情報記憶素子
JPWO2002050924A1 (ja) 2000-12-21 2004-04-22 富士通株式会社 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及びこれを用いる磁気再生装置
JP2002305335A (ja) * 2001-04-06 2002-10-18 Toshiba Corp スピンバルブトランジスタ
DE10128964B4 (de) * 2001-06-15 2012-02-09 Qimonda Ag Digitale magnetische Speicherzelleneinrichtung
DE10217598C1 (de) * 2002-04-19 2003-10-16 Siemens Ag Schaltungseinrichtung mit mindestens zwei invertierte Ausgangssignale erzeugenden magnetoresistiven Schaltungselementen
DE10217593C1 (de) * 2002-04-19 2003-10-16 Siemens Ag Schaltungsteil mit mindestens zwei magnetoresistiven Schichtelementen mit invertierten Ausgangssignalen

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994015223A1 (fr) * 1992-12-21 1994-07-07 Siemens Aktiengesellschaft Detecteur magneto-resistif muni d'une substance antiferromagnetique et son procede de fabrication
US5416353A (en) * 1992-09-11 1995-05-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Netoresistance effect element
WO1996007208A1 (fr) * 1994-08-31 1996-03-07 Douwe Johannes Monsma Structure conductrice de courant avec au moins une barriere de potentiel, et procede de fabrication de cette structure

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5416353A (en) * 1992-09-11 1995-05-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Netoresistance effect element
WO1994015223A1 (fr) * 1992-12-21 1994-07-07 Siemens Aktiengesellschaft Detecteur magneto-resistif muni d'une substance antiferromagnetique et son procede de fabrication
WO1996007208A1 (fr) * 1994-08-31 1996-03-07 Douwe Johannes Monsma Structure conductrice de courant avec au moins une barriere de potentiel, et procede de fabrication de cette structure

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BERG VAN DEN H A M ET AL: "GMR SENSOR SCHEME WITH ARTIFICIAL ANTIFERROMAGNETIC SUBSYSTEM", IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, vol. 32, no. 5, September 1996 (1996-09-01), pages 4624 - 4626, XP000634087 *

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0971424A2 (fr) * 1998-07-10 2000-01-12 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Structure à valve de spin et procédé de fabrication
EP0971423A1 (fr) * 1998-07-10 2000-01-12 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Structure à valve de spin et méthode de fabrication
US6721141B1 (en) 1998-07-10 2004-04-13 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imecvzw) Spin-valve structure and method for making spin-valve structures
EP0971424A3 (fr) * 1998-07-10 2004-08-25 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Structure à valve de spin et procédé de fabrication
DE10017374B4 (de) * 1999-05-25 2007-05-10 Siemens Ag Magnetische Koppeleinrichtung und deren Verwendung
DE10009944A1 (de) * 2000-03-02 2001-09-13 Forschungszentrum Juelich Gmbh Anordnung zum Messen eines Magnetfeldes und Verfahren zum Herstellen einer Anordnung zum Messen eines Magnetfeldes
US6664785B2 (en) 2000-03-02 2003-12-16 Forschungszentrum Julich Gmbh Assembly for measuring a magnetic field, using a bridge circuit of spin tunnel elements and a production method for the same
DE10222395B4 (de) * 2002-05-21 2010-08-05 Siemens Ag Schaltungseinrichtung mit mehreren TMR-Sensorelementen
DE10309244A1 (de) * 2003-03-03 2004-09-23 Siemens Ag Magnetisches Speicherelement, insbesondere MRAM-Element, mit einem TMR-Dünnschichtensystem
US11500042B2 (en) 2020-02-28 2022-11-15 Brown University Magnetic sensing devices based on interlayer exchange-coupled magnetic thin films

Also Published As

Publication number Publication date
GB2333900A (en) 1999-08-04
DE19781061D2 (de) 1999-07-01
GB2333900B (en) 2001-07-11
JP2001501309A (ja) 2001-01-30
GB9907727D0 (en) 1999-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0674769B1 (fr) Detecteur magneto-resistif muni d'une substance antiferromagnetique et son procede de fabrication
DE60013079T2 (de) Doppeltes magnetisches Element mit zwei magnetischen Zuständen und Herstellungsverfahren dafür
DE602004005905T2 (de) Magnetoresistive Vorrichtung mit austauschgekoppelte Struktur mit halbmetallischer ferromagnetischer Heuslerschen Legierung in der Pinning-Schicht
DE69533636T2 (de) Magnetowiderstandseffektvorrichtung und hiermit versehener Magnetkopf, Speicher- und Verstärkungsanordnung
DE69826090T2 (de) Magnetische Tunnelübergangseinrichtung mit verbesserten ferromagnetischen Schichten
EP0674770B1 (fr) Detecteur magneto-resistif comportant des couches de mesure raccourcies
DE19528245B4 (de) Magneto-Widerstandskopf und dessen Verwendung in einer Magnetaufzeichnungsvorrichtung
DE4427495C2 (de) Sensoreinrichtung mit einem GMR-Sensorelement
WO1999018578A1 (fr) Agencement de cellules de memoire
DE19936378B4 (de) Magnetowiderstands-Dünnschichtelement vom Spin-Valve-Typ
EP1417690B1 (fr) Systeme de couches a effet magnetoresistif renforce et son utilisation
WO1998014793A1 (fr) Detecteur a couche mince sensible au champ magnetique, presentant une couche barriere a effet tunnel
DE102019113815B4 (de) Magnetsensor
DE69825031T2 (de) Magnetfeldsensor mit spin tunnelübergang
DE102019126320B4 (de) Magnetoresistiver Sensor und Fertigungsverfahren für einen magnetoresistiven Sensor
DE69932701T2 (de) Pinning-Lage für magnetische Anordnungen
DE19507303A1 (de) Sensoreinrichtung mit einer Brückenschaltung von magnetoresistiven Sensorelementen
DE10153658B4 (de) Magnetoresistive Speicherzelle mit Anordnung zur Minimierung der Néel-Wechselwirkung zwischen zwei ferromagnetischen Schichten beiderseits einer nichtferromagnetischen Trennschicht und Verfahren zu Herstellung der magnetoresistiven Speicherzelle
DE69635362T2 (de) Magnetowiderstandseffekt-Element
DE10046782B4 (de) Magnetisches Bauelement mit einem magnetischen Schichtsystem und dessen Verwendung
DE19720197C2 (de) Dünnschichtenaufbau eines magnetfeldempfindlichen Sensors mit einem einen erhöhten magnetoresistiven Effekt zeigenden Magnetschichtensystem
DE19652536C2 (de) Dünnschichtenaufbau eines magnetfeldempfindlichen Sensors mit einem magnetoresistiven Magnetschichtsystem
DE19844890C2 (de) Dünnschichtenaufbau eines magnetfeldempfindlichen Sensors mit einem magnetoresistiven Mehrschichtensystem mit Spinabhängigkeit der Elektronenstreuung
WO2004017085A1 (fr) Systeme de couches magnetoresistif et element capteur comprenant ce systeme de couches
EP1425754B1 (fr) Compensation d'un champ magnetique polarise dans une surface de memoire d'une cellule de memoire magnetoresistante

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): DE GB JP US

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 1998 516141

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

Ref document number: 9907727

Country of ref document: GB

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 09283594

Country of ref document: US

REF Corresponds to

Ref document number: 19781061

Country of ref document: DE

Date of ref document: 19990701

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 19781061

Country of ref document: DE