WO1998000869A1 - Anordnung zur wärmeableitung bei chipmodulen auf mehrschicht-keramikträgern, insbesondere multichipmodule - Google Patents

Anordnung zur wärmeableitung bei chipmodulen auf mehrschicht-keramikträgern, insbesondere multichipmodule Download PDF

Info

Publication number
WO1998000869A1
WO1998000869A1 PCT/DE1997/000923 DE9700923W WO9800869A1 WO 1998000869 A1 WO1998000869 A1 WO 1998000869A1 DE 9700923 W DE9700923 W DE 9700923W WO 9800869 A1 WO9800869 A1 WO 9800869A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
channels
area
ceramic carrier
heat
multilayer ceramic
Prior art date
Application number
PCT/DE1997/000923
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Guenther Stecher
Annette Seibold
Original Assignee
Robert Bosch Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch Gmbh filed Critical Robert Bosch Gmbh
Priority to US09/202,112 priority Critical patent/US6365260B1/en
Priority to DE59709315T priority patent/DE59709315D1/de
Priority to JP50371398A priority patent/JP3883580B2/ja
Priority to EP97925843A priority patent/EP0909462B1/de
Publication of WO1998000869A1 publication Critical patent/WO1998000869A1/de

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/427Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0272Adaptations for fluid transport, e.g. channels, holes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/901Printed circuit
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24273Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including aperture
    • Y10T428/24322Composite web or sheet
    • Y10T428/24331Composite web or sheet including nonapertured component
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24562Interlaminar spaces
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24628Nonplanar uniform thickness material
    • Y10T428/24661Forming, or cooperating to form cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24744Longitudinal or transverse tubular cavity or cell

Definitions

  • the invention is based on an arrangement for heat dissipation in chip modules, on multilayer ceramic carriers, in particular
  • Multichip modules the genus defined in the preamble of claim 1.
  • thermal passages are a regular arrangement of holes, hole arrays, which are punched in all circuit layers and filled with silver paste.
  • the heat dissipation from the power ICs through the thermal passages to the metallic base plate, which is arranged under the multilayer ceramic carrier is not very effective.
  • the passages punched through all the circuit layers consume a lot of space that is lost for other conductor tracks on the corresponding circuit layers. This reduces the circuit density.
  • TCM thermal conductive module
  • heat pipe structures are devices which serve to dissipate quantities of heat from one place of production to another. With an appropriate design, their effective heat transfer is 10 times higher than that of the best metallic heat conductors. A good description of their effect is given, for example, by Y. Eastman in Scientific American, 5/68, pages 38-46.
  • the principle of the heat pipes can be described as follows: a suitable liquid with high latent heat of vaporization evaporates in the hot area of the arrangement. The pressure created during evaporation drives the steam to the cold part of the arrangement. There the steam condenses into the liquid phase and releases the transported heat. The liquid condensate is returned to the evaporation point. This creates a cycle.
  • the arrangement according to the invention for heat dissipation in chip modules with the characterizing features of claim 1 has the advantage over the known arrangements that the principle of Heat pipes in miniaturized form for the effective cooling of power I s, which are applied to relatively poorly conductive multilayer ceramic substrates, in particular glass ceramic multilayer circuits.
  • the heat is dissipated to the metallic heat sink much more effectively, whereby
  • the multilayer ceramic carrier is applied to a metal heat sink, in the uppermost layer of the multilayer ceramic carrier in the area of the chip to be applied, thermal passages, in particular in the form of a hole pattern or array, are provided in the the next layer of the multilayer ceramic carrier located underneath is provided in the area of the chip to be applied a cavity which acts as an evaporation space, in the metallic heat sink in the region of the chip to be applied a trough-like recess which acts as a condenser is provided, and the layers of the multilayer ceramic carrier which are located between the evaporation space and the condenser, in the area of these spaces are provided with a large number of large-area steam channels and small-area condensate channels which act as capillaries and which connect the two rooms to one another.
  • each trough-shaped recess provided as a condenser in the multilayer ceramic carrier is provided with a closable filling opening for filling in a heat-conducting medium.
  • the large-area steam channels and the small-area condensate channels are designed as straight channels between the associated layers of the multilayer ceramic carrier.
  • the small-area condensate channels are at least partially designed as angled channels, at least some of which are in the plane of one or several layers of the multilayer ceramic carrier.
  • the part of the condensate channels running in the plane of one or more layers can be produced in various ways. Thus, they can be produced by printing, the corresponding parts of the channels being printed with carbon paste, which is later burned out to produce the partial channels, or they can be punched out or milled out or by embossing the parts of the channels in the unfired ceramic material, in particular the ceramic tape , getting produced.
  • the large-area steam channels have a diameter of approximately 1.5 mm and the small-area condensate channels have a diameter of approximately 0.1 mm.
  • the small-area condensate channels are filled with porous ceramic powder or with metallic frits that do not sinter at the firing temperatures used.
  • the large-area steam channels in the area of the condenser space provided in the metallic heat sink can have a diameter or a passage area that is smaller than the passage area provided in more distant layers of the multilayer ceramic carrier of the steam channel.
  • a liquid with the highest possible evaporation heat at a suitable evaporation temperature and with a high surface tension and wetting angle for the capillaries is provided as the heat-conducting working fluid, in particular alcohols and hydrocarbons.
  • the invention provides that the individual chip or chips can be attached to the multilayer ceramic carrier by means of a suitable, heat-conducting adhesive, and / or that the multilayer ceramic carrier is attached by means of a suitable, heat-conducting adhesive the metallic heat sink is attachable.
  • the invention is explained in more detail in the following description with reference to an embodiment shown in the drawing.
  • the single figure shows schematically in a sectional view in the xy-plane a section from one Multi-layer ceramic carrier, which is applied to a metal heat sink and on which a chip or a power IC is mounted.
  • the invention is shown schematically in a sectional view through an arrangement of a metallic heat sink 1, a multilayer ceramic carrier 2 and a chip 3 mounted thereon.
  • the representation is not necessarily to scale.
  • the dimensions in the x-direction are approximately 10 times enlarged and the dimensions in the y-direction are approximately 40 times enlarged in order to show the features essential to the invention in a clearly recognizable manner.
  • the electrical connections of the chip 3 to the circuit via bonding wires and also the electrical paths within the individual layers of the multilayer ceramic carrier 2 are not shown.
  • the multilayer ceramic carrier 2 which consists of seven layers or layers L1 to L7 in the example shown, is attached to the metal heat sink 1 by means of an adhesive layer 4.
  • the or adhesives used for adhesive layers 4 and 5 are thermally conductive.
  • thermal passages 6 are provided in the area of the chip 3 to be applied, for example in its flat size.
  • These passages 6 can be referred to as thermal vias and are for example by punching out the Layer 1 in the form of a regular hole pattern, a hole array. After punching or drilling these holes serving as passages 6, they are filled with silver paste, for example, for better heat conduction.
  • the bores or passages 6 can have a diameter of approximately 0.2 mm and an equally large space.
  • a cavity 7 is provided in the next layer L2 of the multilayer ceramic carrier 2 located underneath. This cavity 7 is larger in size than the one above it
  • Lace pattern It is preferably also larger than the chip 3 to be mounted. This is shown in the figure.
  • the cavity 7 can be easily formed by punching out the layer L2 in the necessary size. The cavity 7 forms an evaporation space below the chip 3 and thus very close to the heat source.
  • the metallic heat sink 1 is provided in the region of the chip 3 to be applied with a trough-like recess 8 on the side facing the multilayer ceramic carrier 2.
  • this cutout 8 corresponds approximately to that of the associated chip 3 to be arranged above it.
  • These steam channels DKl - DKn and these condensate channels KKO - KKn are arranged in the area of rooms 7 and 8 and connect these two rooms with each other.
  • the large-area steam channels DK1-DKn with a diameter of approximately 1.5 mm are shown, and the small-area condensate channels KKO-KKn with a diameter of approximately 0.1 mm.
  • the trough-like recess 8 in the heat sink 1 which can be produced by milling, is provided with a filling opening 9 which can be closed by a screw 10.
  • a filling opening 9 which is arranged on the side of the heat sink 1 opposite the recess 8, the heat-conducting medium, the evaporating and again condensing, becomes after mounting the chip 3
  • thermoelectric working fluid filled After the filling opening 9 has been closed by the screw 10, operation can be started.
  • a liquid with the highest possible heat of vaporization at a suitable vaporization temperature and which is provided with a high surface tension and wetting angle for the capillaries is advantageously used as the heat-conducting working fluid.
  • these can be alcohols and hydrocarbons.
  • both the large-area steam channels DK1-DKn and the small-area condensate channels KKO-KKn are designed as straight channels between the associated layers or layers L3 and L7 of the multilayer ceramic carrier 2.
  • the steam channels DK1-DKn in the lowest layer L7 with a smaller diameter than in the other layers L6-L3 in order to provide one to prevent direct evaporation of condensate.
  • a combination of straight and angled condensate channels is also possible. This makes a particularly flexible adjustment option possible
  • the capillary channels which are partially constructed in a layered layer, can be produced by printing according to a possible embodiment.
  • the channels are printed with carbon paste, which is later burned out to create the channels.
  • Other production options are punching out, milling out the channels.
  • a particularly useful possibility is to emboss the channels in the unfired ceramic material, in particular the ceramic tape.
  • the bores KKO-KKn serving as capillary channels, the condensate channels, can also be filled with suitable material instead of being empty.
  • porous ceramic powder or non-sintering metallic frits can be used at the firing temperatures of approx. 900 ° C.
  • the diameter of the small-area condensate channels KKO-KKn can thus be made larger and the suction quantity of the condensate can thus be increased.
  • the arrangement for heat dissipation shown in the figure for a chip 3 is particularly advantageous if a plurality of chips 3 are mounted on one and the same multilayer ceramic carrier 2 and this in turn is mounted on a heat sink 1. Then the circuit density and effectiveness of heat dissipation gained are particularly advantageous.
  • the miniaturized heat pipe structure created according to the invention thus allows a significantly greater circuit density and flexibility in the design of the circuit with increased heat dissipation.
  • the arrangement designed according to the invention ensures an effective heat-dissipating circuit which, in a miniaturized version, can transport a lot of energy per unit of time with short distances.

Abstract

Es wird eine Anordnung zur Wärmeableitung bei Chipmodulen auf Mehrschicht-Keramikträgern, insbesondere Multichipmodule, beschrieben, wobei im Keramikträger Durchlässe für ein wärmeleitendes Medium vorgesehen sind. Der Mehrschicht-Keramikträger (2) ist auf einem metallischen Kühlkörper (1) aufgebracht. In der obersten Lage (L1) des Mehrschicht-Keramikträgers sind im Bereich des aufzubringenden Chips (3) thermische Durchlässe (6), insbesondere in Form eines Lochmusters oder Arrays vorgesehen. In der darunter befindlichen nächsten Lage (L2) des Mehrschicht-Keramikträgers ist im Bereich des aufzubringenden Chips ein als Verdampfungsraum wirkender Hohlraum (7) vorgesehen und im metallischen Kühlkörper (1) ist im Bereich des aufzubringenden Chips eine wannenähnliche Aussparung (8), die als Kondensor wirkt, vorgesehen. Die Lagen (L3 - L7) des Mehrschicht-Keramikträgers, die zwischen dem Verdampfungsraum (7) und dem Kondensor (8) liegen, sind im Bereich dieser Räume mit einer ganzen Anzahl von großflächigen Dampfkanälen (DK1 - DKn) und kleinflächigen, als Kapillaren wirkenden Kondensatkanälen (KK0 - KKn) versehen, welche die beiden Räume miteinander verbinden. Diese Anordnung bildet eine Heatpipe-Struktur in miniaturisierter Form, die auf kurzen Wegen viel Energie pro Zeiteinheit transportieren kann.

Description

Anordnung zur Wärmeableitung bei Chipmodulen auf Mehrschi ehr* Keramikträσern. insb sondere Multichip odule
Stand der Technik
Die Erfindung geht aus von einer Anordnung zur Wärmeableitung bei Chipmodulen, auf Mehrschicht-Keramikträgern,, insbesondere
Multichipmodulen, der im Oberbegriff des Anspruchs 1 definierten Gattung.
Bei einer bekannten Anordnung zur Wärmeableitung bei Modulen, bei denen ein oder mehrere Chips auf einem Mehrschicht-Keramikträger angeordnet sind, wird das oder werden die Chips, insbesondere der oder die Leistungs-IC ε , auf sogenannten „Thermal vias", thermischen Durchlässen, angeordnet. Diese thermischen Durchlässe sind eine regelmäßige Anordnung von Löchern, Locharrays, die in allen Schaltungslagen gestanzt sind und mit Silberpaste gefüllt werden. Die Wärmeabfuhr von den Leistungs-IC s durch die thermischen Durchlässe hindurch zu der metallischen Grundplatte, die unter dem Mehrschicht-Keramikträger angeordnet ist, ist nicht sehr effektiv. Durch die durch alle Schaltungslagen hindurch gestanzten Durchlässe wird viel Fläche verbraucht, die für andere Leitungsbahnen auf den entsprechenden Schaltungslagen verloren ist. Dadurch nimmt die Schaltungsdichte ab.
Die von der Firma IBM entwickelte, bekannte technische Lösung der thermisch leitenden Module, TCM (thermal conductive moduls), führt die Wärmeleistung der IC's sehr effektiv senkrecht nach oben vom Substrat ab. Diese Lösung ist für viele Anwendungen jedoch zu aufwendig.
Generell sei angemerkt, daß Heatpipe-Strukturen Vorrichtungen sind, die zur Abfuhr von Wärmemengen dienen, von einem Ort der Erzeugung zu einem anderen. Bei entsprechender Auslegung ist ihr effektiver Wärmetransport um 10er Faktoren höher als der von besten metallischen Wärmeleitern. Eine gute Beschreibung ihrer Wirkung wird beispielsweise von Y. Eastman in Scientific American, 5/68, Seite 38 - 46, gegeben.
Das Prinzip der heatpipes läßt sich wie folgt beschreiben: am heißen Bereich der Anordnung verdampft eine geeignete Flüssigkeit mit hoher latenter Verdampfungswärme. Der bei der Verdampfung entstehende Druck treibt den Dampf zum kalten Teil der Anordnung. Dort kondensiert der Dampf in die flüssige Phase und gibt die transportierte Wärme wieder ab. Das flüssige Kondensat wird wieder zur Verdampfungsstelle zurückgeführt. Damit ist ein Kreislauf aufgebaut .
Vorteile der Erfindung
Die erfindungsgemäße Anordnung zur Wärmeableitung bei Chipmodulen mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 hat gegenüber den bekannten Anordnungen den Vorteil, daß das Prinzip der heatpipes in miniaturisierter Form zur effektiven Kühlung von Leistungs-I s , die auf relativ schlecht leitenden Mehrschicht- Keramikträgern, insbesondere Glaskeramik-Mehrlagenschaltungen, aufgebracht sind, angewandt wird. Die Wärme wird wesentlich effektiver zur metallischen Wärmesenke abgeführt, wobei
Schaltungsdichte und Schaltungsflexibilität erhalten bleiben, da der notwendige Flächenverbrauch minimiert ist.
Gemäß der Erfindung wird dies prinzipiell dadurch erreicht, daß der Mehrschicht-Keramikträger auf einem metallischen Kühlkörper aufgebracht ist, in der obersten Lage des Mehrschicht- Kera ikträgers im Bereich des aufzubringenden Chips thermische Durchlässe, insbesondere in Form eines Lochmusters oder Arrays vorgesehen sind, in der darunter befindlichen nächsten Lage des Mehrschicht-Keramikträgers im Bereich des aufzubringenden Chips ein als Verdampfungsraum wirkender Hohlraum vorgesehen ist, im metallischen Kühlkörper im Bereich des aufzubringenden Chips eine wannenähnliche Aussparung, die als Kondensor wirkt, vorgesehen ist, und die Lagen des Mehrschicht-Keramikträgers, die zwischen dem Verdampf ngsraum und dem Kondensor liegen, im Bereich dieser Räume mit einer ganzen Anzahl von großflächigen Dampfkanälen und kleinflächigen, als Kapillaren wirkenden Kondensatkanälen versehen sind, welche die beiden Räume miteinander verbinden.
Durch die in den weiteren Ansprüchen niedergelegten Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen der im Anspruch 1 angegebenen Anordnung zur Wärmeableitung möglich.
Entsprechend einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung sind auf dem Mehrschicht-Keramikträger eine Vielzahl von Chips,' insbesondere erhebliche Verlustwärme erzeugende Leistungs-ICs, aufbringbar. Gemäß einer weiteren vorteilhaf en Ausgestaltung der Erfindung ist jede in dem Mehrschicht-Keramikträger vorgesehene als Kondensor wirkende wannenförmige Ausnehmung mit einer verschließbaren Füllöffnung zum Einfüllen eines Wärme leitenden Mediums versehen.
Entsprechend einer besonders vorteilhaften und einfach herzustellenden Ausfuhrungsform der Erfindung sind die großflächigen Dampfkanäle und die kleinflächigen Kondensatkanäle als gerade Kanäle zwischen den zugehörigen Schichten des Mehrschicht-Keramikträgers ausgeführt.
Gemäß einer zu dieser Ausfuhrungsform alternativen Gestaltungsform der Erfindung, die bei manchen Anwendungen insbesondere im Hinblick auf den Flächenbedarf sowie die Anordnung von Leitungen interessant ist, sind die kleinflächigen Kondensatkanäle zumindest zum Teil als abgewinkelte Kanäle ausgebildet, von denen zumindest ein Teilbereich in der Ebene einer oder mehrerer Lagen des Mehrschicht-Keramikträgers verläuft. Die in der Ebene einer oder mehrerer Lagen verlaufenden Teil der Kondensatkanäle können auf verschiedene Weise hergestellt werden. So können sie durch Drucken hergestellt werden, wobei die entsprechenden Teile der Kanäle mit Kohlepaste gedruckt werden, welche später zur Erzeugung der Teilkanäle ausgebrannt wird, oder sie können durch Ausstanzen oder Ausfräsen oder durch Prägen der Teile der Kanäle in dem ungebrannten Keramikmaterial, insbesondere dem Keramiktape, hergestellt werden.
In vorteilhafter Weiterbildung der Erfindung weisen die großflächigen Dampf anäle einen Durchmesser von ca. 1,5 mm und die kleinflächigen Kondensatkanäle einen Durchmesser von ca. 0 , 1 mm auf . In weiterer zweckmäßiger Ausgestaltung der Erfindung, die zur Verbesserung der Kondensatleitung beitragen kann, sind die kleinflächigen Kondensatkanäle mit porösem Keramikpulver oder mit bei den verwendeten Brenntemperaturen nicht sinternden metallischen Fritten gefüllt.
Um direktes Verdampfen des Kondensats zu verhindern, können gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung die großflächigen Dampfkanäle im Bereich des im metallischen Kühlkörper vorgesehenen Kondensorraums einen Durchmesser bzw. eine Durchlaßfläche aufweisen, die geringer ist als die in weiter entfernten Schichten des Mehrschicht-Keramikträgers vorgesehene Durchlaßfläche des Dampfkanals.
In zweckmäßiger Ausführung der Erfindung ist als Wärme leitende Arbeitsflüssigkeit eine Flüssigkeit mit möglichst hoher Verdampfungswärme bei geeigneter Verdampfungstemperatur, sowie mit hoher Oberflächenspannung und Benetzungswinkel für die Kapillaren, vorgesehen, insbesondere Alkohole und Kohlenwasserstoffe.
Bei der Erfindung ist in weiterer vorteilhafter Ausgestaltung vorgesehen, daß der oder die einzelnen Chips durch einen geeigneten, Wärme leitenden Klebstoff auf dem Mehrschicht- Keramikträger befestigbar ist bzw. sind, und/oder daß der Mehrschicht-Keramikträger durch einen geeigneten, Wärme leitenden Klebstoff auf dem metallischen Kühlkörper befestigbar ist.
Zeichnung
Die Erfindung ist anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Die einzige Figur zeigt schematisch in einem Schnittbild in der x-y-Ebene einen Ausschnitt aus einem Mehrschicht-Keramikträger, der auf einem metallischen Kühlkörper aufgebracht ist, und auf den selbst ein Chip bzw. ein Leistungs-IC montiert ist.
Beschreibung des Ausführungsbeispiels
In der Figur ist in einem Schnittbild durch eine Anordnung von einem metallischem Kühlkörper l, einem Mehrschicht -Keramikträger 2 und einem darauf montiertem Chip 3 die Erfindung schematisch dargestellt. Die Darstellung ist nicht unbedingt maßstabsgerecht. So sind die Dimensionen in x-Richtung etwa 10 -fach und die Dimensionen in y-Richtung etwa 40-fach vergrößert dargestellt, um die erfindungswesentlichen Merkmale gut erkennbar zu zeigen. Weiterhin sind die elektrischen Verbindungen des Chips 3 mit der Schaltung über Bonddrähte sowie auch die elektrischen Bahnen innerhalb der einzelnen Lagen des Mehrschicht-Keramikträgers 2 nicht dargestellt.
Der im dargestellten Beispiel aus sieben Lagen bzw. Schichten Ll bis L7 bestehende Mehrschicht -Keramikträger 2 ist mittels einer Kleblage 4 auf dem metallischen Kühlkörper 1 befestigt. Der Chip 3, der einen Leistungs-IC, eine relativ viel Verlustwärme erzeugende integrierte Schaltung darstellt, und dessen erzeugte Verlustwärme abzuleiten ist, ist ebenfalls mittels einer Klebschicht 5 befestigt, und zwar auf der obersten Lage Ll des Mehrschicht-Keramikträgers 2. Der oder die für die klebenden Schichten 4 und 5 verwendeten Klebstoffe sind wärmeleitend.
In der obersten Lage Ll des Mehrschicht-Keramikträgers 2 sind im Bereich des aufzubringenden Chips 3, etwa in dessen flächiger Größenausdehnung, eine Reihe von thermischen Durchlässen 6 vorgesehen. Diese Durchlässe 6 können als thermische Vias bezeichnet werden und sind beispielsweise durch Ausstanzen der Lage l in Form eines regelmäßigen Lochmusters, eines Locharrays, herzustellen. Nach dem Stanzen oder Bohren dieser als Durchlässe 6 dienenden Bohrungen werden sie zur besseren Wärmeleitung beispielsweise mit Silberpaste gefüllt. Die Bohrungen bzw. Durchlässe 6 können einen Durchmesser von ca. 0,2 mm und einen gleich großen Zwischenraum haben.
In der darunter befindlichen nächsten Lage L2 des Mehrschicht- Keramikträgers 2 ist ein Hohlraum 7 vorgesehen. Dieser Hohlraum 7 ist ausdehnungsmäßig größer als das darüber befindliche
Lochmuster. Vorzugsweise ist es auch größer als der zu montierende Chip 3. Dies ist in der Figur dargestellt. Der Hohlraum 7 kann durch Ausstanzen der Lage L2 in der notwendigen Größe auf einfache Weise gebildet werden. Der Hohlraum 7 bildet unterhalb des Chips 3 und somit sehr nahe an der Wärmequelle, einen Verdampfungsraum.
Dieser Verdampfungsraum steht durch die Vielzahl von Durchlässen 6 in intensiver Wärmekopplung mit dem Chip 3.
Der metallische Kühlkörper 1 ist erfindungsgemäß im Bereich des aufzubringenden Chips 3 mit einer wannenähnlichen Aussparung 8 an der dem Mehrschicht -Keramikträger 2 zugewandten Seite versehen.
Die flächenmäßige Ausdehnung dieser Aussparung 8 entspricht in etwa derjenigen des zugehörigen, darüber anzuordnenden Chips 3.
Sie kann auch, wie in der Figur dargestellt, geringfügig größer sein. Die wannenähnliche Aussparung 8 im metallischen Kühlkörper bildet den Kondensor. In diesem Raum wird aus der verdampften
Arbeitsflüssigkeit wieder die flüssige Arbeitsflüssigkeit .
In denjenigen Lagen, im in der Figur dargestellten Beispiel sind dies die Lagen L3 - L7, des Mehrschicht-Keramikträgers 2, die zwischen dem den Verdampfungsraum bildenden Hohlraum 7 in Lage L2 und der den Kondensor bildenden wannenähnliche Aussparung 8 im Kühlkörper 1 liegen, sind gemäß einem wesentlichen Merkmal der Erfindung eine Anzahl von großflächigen Dampfkanälen DKl - DKn und kleinflächigen, als Kapillaren wirkende Kondensatkanäle KKO - KKn angebracht . Diese Dampfkanäle DKl - DKn und diese Kondensatkanäle KKO - KKn sind im Bereich der Räume 7 und 8 angeordnet und verbinden diese beiden Räume miteinander. In dem in der Figur dargestellten Ausführungsbeispiel sind die großflächigen Dampfkanäle DKl - DKn mit einem Durchmesser von etwa 1,5 mm gezeigt, und die kleinflächigen Kondensatkanäle KKO - KKn mit einem Durchmesser von ca. 0,1 mm.
In weiterer Ausgestaltung der Erfindung ist die wannenähnliche Ausnehmung 8 im Kühlkörper 1, die durch Ausfrasen hergestellt werden kann, mit einer Füllöffnung 9 versehen, die durch eine Schraube 10 verschließbar ist. Durch diese Füllöffnung 9, die auf der der Ausnehmung 8 gegenüberliegenden Seite des Kühlkörpers 1 angeordnet ist, wird nach Montage des Chips 3 das wärmeleitende Medium, die verdampfende und wieder kondensierende
Arbeitsflüssigkeit eingefüllt. Nach Verschließen der Füllöffnung 9 durch die Schraube 10 kann der Betrieb aufgenommen werden. Als Wärme leitende Arbeitsflüssigkeit wird in vorteilhafter Weise eine Flüssigkeit mit möglichst hoher Verdampfungswärme bei geeigneter Verdampfungstemperatur verwendet, die mit hoher Oberflächenspannung und Benetzungswinkel für die Kapillaren versehen ist. Dies können insbesondere Alkohole und Kohlenwasserstoffe sein.
Im in der Figur dargestellten Ausführungsbeispiel sind sowohl die großflächigen Dampfkanäle DKl - DKn als auch die kleinflächigen Kondensatkanäle KKO - KKn als gerade Kanäle zwischen den zugehörigen Schichten bzw. Lagen L3 und L7 des Mehrschicht- Keramikträgers 2 ausgeführt. Alternativ dazu ist es möglich, die Dampfkanäle DKl - DKn in der untersten Lage L7 mit kleinerem Durchmesser als in den anderen Lagen L6 - L3 zu versehen, um eine direkte Verdampfung von Kondensat zu verhindern. Es ist auch möglich, zumindest einige der kleinflächigen Kondensatkanäle KKO - KKn statt als gerade Kanäle zumindest in Teilbereichen davon abweichend mit horizontalen Strecken, die in der Ebene von Schichten, d. h. innerhalb von Lagen des Mehrschicht- Keramikträgers 2 verlaufen, zu versehen. Diese das Kondensat zu dem Verdampfungsraum führende Kapillarkanäle werden dann teilweise in der Schichtlage ausgeführt. Auch eine Kombination von geraden und abgewinkelten Kondensatkanälen ist möglich. Dadurch ist eine besonders flexible Anpassungsmöglichkeit an
Schaltungεnotwendigkeiten und Platzverhältnisse in einzelnen oder mehreren Lagen eröffnet .
Die Kapillarkanäle, die teilweise in einer Schichtlage ausgeführt sind, können nach einer möglichen Ausfuhrungsform durch Drucken hergestellt werden. Dabei werden die Kanäle mit Kohlepaste gedruckt, welche später zur Erzeugung der Kanäle ausgebrannt wird. Andere Möglichkeiten der Herstellung bestehen im Ausstanzen, im Ausfräsen der Kanäle. Eine besonders zweckmäßige Möglichkeit besteht im Prägen der Kanäle in dem ungebrannten Keramikmaterial, insbesondere dem Keramiktape.
Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung können die als Kapillarkanäle dienenden Bohrungen KKO - KKn, die Kondensatkanäle, statt leer zu sein auch mit geeignetem Material gefüllt sein.
Beispielsweise kann poröses Keramikpulver oder bei den verwendeten Brenntemperaturen von ca. 900°C nicht sinternde metallische Fritten eingesetzt werden. Dadurch wird der besondere Vorteil erzielt, daß die Kapillarkräfte beeinflußt werden können. Es kann somit der Durchmesser der kleinflächigen Kondensatkanäle KKO - KKn größer gestaltet und damit die Durchsaugmenge des Kondensats erhöht werden. Die in der Figur für ein Chip 3 dargestellte Anordnung zur Wärmeableitung ist dann von besonderem Vorteil, wenn mehrere Chips 3 auf ein und demselben Mehrschicht-Keramikträger 2 und dieser wiederum auf einem Kühlkörper l montiert sind. Dann besonders ist die gewonnene Schaltungsdichte und Effektivität der Wärmeableitung von enormem Vorteil. Die erfindungsgemäß geschaffene miniaturisierte Heatpipe-Struktur erlaubt also bei erhöhter Wärmeabfuhr eine wesentlich größere Schaltungsdichte und Flexibilität in der Gestaltung der Schaltung. Die erfindungsgemäß gestaltete Anordnung stellt einen effektiven Wärme ableitenden Kreislauf sicher, welcher in miniaturisierter Ausführung bei kurzen Wegen viel Energie pro Zeiteinheit transportieren kann.

Claims

Ansprüche
l. Anordnung zur Wärmeableitung bei Chipmodulen auf Mehrschicht- Keramikträgern, insbesondere Multichipmodule, wobei im Keramikträger Durchlässe für ein Wärme leitendes Medium vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet, daß der Mehrschicht-Keramikträger (2) auf einem metallischen Kühlkörper (1) aufgebracht ist, daß in der obersten Lage (Ll) des Mehrschicht-Keramikträgers (2) im Bereich des aufzubringenden Chips (3) thermische Durchlässe (6) , insbesondere in Form eines Lochmusters oder Arrays vorgesehen sind, daß in der darunter befindlichen nächsten Lage (L2) des Mehrschicht-Keramikträgers (2) im Bereich des aufzubringenden Chips (3) ein als Verdampfungsraum wirkender Hohlraum (7) vorgesehen ist, daß im metallischen Kühlkörper (1) im Bereich des aufzubringenden Chips (3) eine wannenähnliche Aussparung (8) , die als Kondensor wirkt, vorgesehen ist, daß die Lagen (L3 - L7) des Mehrschicht-Keramikträgers (2) , die zwischen dem Verdampfungsraum (7) und dem Kondensor (8) liegen, im Bereich dieser Räume mit einer ganzen Anzahl von großflächigen Dampfkanälen (DKl - DKn) und kleinflächigen, als Kapillaren wirkenden Kondensatkanälen (KKO - KKn) versehen sind, welche die beiden Räume miteinander verbinden.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Mehrschicht-Keramikträger (2) eine Vielzahl von Chips (3), insbesondere erhebliche Verlustwärme erzeugende Leistungs-ICs, aufbringbar sind.
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß jede in dem Mehrschicht-Keramikträger (2) vorgesehene als Kondensor wirkende wannenförmige Ausnehmung (8) mit einer verschließbaren Füllόffnung (9, 10) zum Einfüllen eines Wärme leitenden Mediums versehen ist .
4. Anordnung nach einem der vorigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die großflächigen Dampfkanäle (DKl - DKn) und die kleinflächigen Kondensatkanäle (KKO - KKn) als gerade Kanäle zwischen den zugehörigen Sqhichten (L3 - L7) des Mehrschicht-Keramikträgers (2) ausgeführt sind.
5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 - 3 , dadurch gekennzeichnet, daß von den kleinflächigen Kondensatkanälen (KKO - KKn) zumindest einige als abgewinkelte Kanäle ausgebildet sind, von denen zumindest ein Teilbereich in der Ebene einer oder mehrerer Lagen (L3 - L7) des Mehrschicht- Keramikträgers (2) verläuft.
6. Anordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die in der Ebene einer Lage verlaufenden Teile der Kondensatkanäle (KKO - KKn) durch Drucken hergestellt werden, wobei die entsprechenden Teile der Kanäle mit Kohlepaste gedruckt werden, welche später zur Erzeugung der Teilkanäle ausgebrannt wird, oder durch Ausstanzen oder Ausfräsen oder durch Prägen der Teile der Kanäle in dem ungebrannten Keramikmaterial, insbesondere dem Keramiktape.
7. Anordnung nach einem der vorigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die großflächigen Dampfkanäle (DKl - DKn) einen Durchmesser von ca. 1,5 mm und die kleinflächigen Kondensatkanäle (KKO - KKn) einen Durchmesser von ca. 0,1 mm aufweisen.
8. Anordnung nach einem der vorigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die kleinflächigen Kondensatkanäle (KKO - KKn) mit porösem Keramikpulver oder mit bei den verwendeten Brenntemperaturen nicht sinternden metallischen Fritten gefüllt sind.
9. Anordnung nach einem der vorigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die großflächigen Dampfkanäle (DKl - DKn) im Bereich des im metallischen Kühlkörpers (1) vorgesehenen Kondensorraums (8) einen Durchmesser bzw. eine Durchlaßfläche aufweisen, die geringer ist als die in weiter entfernten Schichten (L6 - L3) des Mehrschicht-Keramikträgers (2) vorgesehene Durchlaßfläche des Dampfkanals .
10. Anordnung nach einem der vorigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Wärme leitende Arbeitsflüssigkeit eine Flüssigkeit mit möglichst hoher Verdampfungswärme bei geeigneter Verdampfungstemperatur, sowie mit hoher
Oberflächenspannung und Benetzungswinkel für die Kapillaren, vorgesehen ist, insbesondere Alkohole und Kohlenwasserstoffe. ll. Anordnung nach einem der vorigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der oder die einzelnen Chips (3) durch einen geeigneten Wärme leitenden Klebstoff (5) auf dem Mehrschicht-Keramikträger (2) befestigbar ist und/oder daß der Mehrschicht-Keramikträger (2) durch einen geeigneten Wärme leitenden Klebstoff (4) auf dem metallischen Kühlkörper (1) befestigbar ist.
PCT/DE1997/000923 1996-06-29 1997-05-07 Anordnung zur wärmeableitung bei chipmodulen auf mehrschicht-keramikträgern, insbesondere multichipmodule WO1998000869A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/202,112 US6365260B1 (en) 1996-06-29 1997-05-07 Arrangement for heat dissipation in chip modules on multilayered ceramic carriers, in particular multichip modules
DE59709315T DE59709315D1 (de) 1996-06-29 1997-05-07 Anordnung zur wärmeableitung bei chipmodulen auf mehrschicht-keramikträgern, insbesondere multichipmodule
JP50371398A JP3883580B2 (ja) 1996-06-29 1997-05-07 多層セラミック支持体上のチップモジュール、特にマルチチップモジュールにおける排熱装置
EP97925843A EP0909462B1 (de) 1996-06-29 1997-05-07 Anordnung zur wärmeableitung bei chipmodulen auf mehrschicht-keramikträgern, insbesondere multichipmodule

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19626227A DE19626227C2 (de) 1996-06-29 1996-06-29 Anordnung zur Wärmeableitung bei Chipmodulen auf Mehrschicht-Keramikträgern, insbesondere für Multichipmodule, und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19626227.5 1996-06-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1998000869A1 true WO1998000869A1 (de) 1998-01-08

Family

ID=7798457

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE1997/000923 WO1998000869A1 (de) 1996-06-29 1997-05-07 Anordnung zur wärmeableitung bei chipmodulen auf mehrschicht-keramikträgern, insbesondere multichipmodule

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6365260B1 (de)
EP (1) EP0909462B1 (de)
JP (1) JP3883580B2 (de)
DE (2) DE19626227C2 (de)
TW (1) TW449896B (de)
WO (1) WO1998000869A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6148635A (en) * 1998-10-19 2000-11-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Active compressor vapor compression cycle integrated heat transfer device
US6827128B2 (en) 2002-05-20 2004-12-07 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Flexible microchannel heat exchanger

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2776763B1 (fr) * 1998-03-30 2000-07-21 Atmostat Etudes Et Rech Dispositif d'echanges thermiques a fluide biphasique actif et procede de fabrication d'un tel dispositif
FR2776764B1 (fr) * 1998-03-30 2000-06-30 Atmostat Etudes Et Rech Dispositif d'echanges thermiques a fluide biphasique actif et procede de fabrication d'un tel dispositif
DE10017971A1 (de) * 2000-04-11 2001-10-25 Bosch Gmbh Robert Kühlvorrichtung zur Kühlung von Bauelementen der Leistungselektronik mit einem Mikrowärmeübertrager
US7044212B1 (en) * 2000-08-25 2006-05-16 Net Nanofiltertechnik Gmbh Refrigeration device and a method for producing the same
DE10041829B4 (de) * 2000-08-25 2004-11-04 N F T Nanofiltertechnik Gmbh Kühlvorrichtung
US6490159B1 (en) * 2000-09-06 2002-12-03 Visteon Global Tech., Inc. Electrical circuit board and method for making the same
US6843308B1 (en) 2000-12-01 2005-01-18 Atmostat Etudes Et Recherches Heat exchanger device using a two-phase active fluid, and a method of manufacturing such a device
US6452798B1 (en) * 2001-09-12 2002-09-17 Harris Corporation Electronic module including a cooling substrate having a fluid cooling circuit therein and related methods
EP1642335B1 (de) * 2003-07-08 2008-08-13 Infineon Technologies AG Integrierte kühl-schaltungsanordnung, betriebsverfahren und herstellungsverfahren
US7583506B1 (en) * 2005-10-14 2009-09-01 The Boeing Company Multi operational system apparatus and method
JP2008160019A (ja) * 2006-12-26 2008-07-10 Shinko Electric Ind Co Ltd 電子部品
JP5404261B2 (ja) * 2009-04-16 2014-01-29 モレックス インコーポレイテド 冷却装置、電子基板、電子機器
TWI539894B (zh) 2014-11-28 2016-06-21 財團法人工業技術研究院 功率模組
US10354356B2 (en) * 2017-11-02 2019-07-16 Dell Products L.P. Systems and methods for interconnecting and cooling multiple graphics processing unit (GPU) cards
CN114245566A (zh) * 2021-12-22 2022-03-25 维沃移动通信有限公司 基板、摄像头模组及电子设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3402003A1 (de) * 1984-01-21 1985-07-25 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungshalbleitermodul
EP0251836A1 (de) * 1986-05-30 1988-01-07 Digital Equipment Corporation Vollständiges Wärmerohr-Modul
US4880053A (en) * 1989-04-24 1989-11-14 The Board Of Governors Of Wayne State University Two-phase cooling apparatus for electronic equipment and the like
US5527588A (en) * 1994-10-06 1996-06-18 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Micro heat pipe panels and method for producing same

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5936827B2 (ja) * 1979-01-12 1984-09-06 日本電信電話株式会社 集積回路素子の冷却装置
US5271887A (en) * 1980-08-04 1993-12-21 Witec Cayman Patents, Ltd. Method of fabricating complex micro-circuit boards, substrates and microcircuits and the substrates and microcircuits
US4612978A (en) * 1983-07-14 1986-09-23 Cutchaw John M Apparatus for cooling high-density integrated circuit packages
DE68918156T2 (de) * 1988-05-09 1995-01-12 Nec Corp Flache Kühlungsstruktur für integrierte Schaltung.
DE69112389T2 (de) * 1991-06-06 1996-03-21 Ibm Elektronischer Packungsmodul.
US5216580A (en) * 1992-01-14 1993-06-01 Sun Microsystems, Inc. Optimized integral heat pipe and electronic circuit module arrangement
US5390077A (en) * 1994-07-14 1995-02-14 At&T Global Information Solutions Company Integrated circuit cooling device having internal baffle
EP0693776B1 (de) * 1994-07-15 2000-05-31 Mitsubishi Materials Corporation Keramik-Gehäuse mit hoher Wärmeabstrahlung

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3402003A1 (de) * 1984-01-21 1985-07-25 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungshalbleitermodul
EP0251836A1 (de) * 1986-05-30 1988-01-07 Digital Equipment Corporation Vollständiges Wärmerohr-Modul
US4880053A (en) * 1989-04-24 1989-11-14 The Board Of Governors Of Wayne State University Two-phase cooling apparatus for electronic equipment and the like
US5527588A (en) * 1994-10-06 1996-06-18 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Micro heat pipe panels and method for producing same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6148635A (en) * 1998-10-19 2000-11-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Active compressor vapor compression cycle integrated heat transfer device
US6827128B2 (en) 2002-05-20 2004-12-07 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Flexible microchannel heat exchanger

Also Published As

Publication number Publication date
JP3883580B2 (ja) 2007-02-21
JP2000513504A (ja) 2000-10-10
EP0909462A1 (de) 1999-04-21
EP0909462B1 (de) 2003-02-12
DE19626227A1 (de) 1998-01-02
DE59709315D1 (de) 2003-03-20
TW449896B (en) 2001-08-11
US6365260B1 (en) 2002-04-02
DE19626227C2 (de) 1998-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0909462A1 (de) Anordnung zur wärmeableitung bei chipmodulen auf mehrschicht-keramikträgern, insbesondere multichipmodule
DE602005002507T2 (de) Integriertes Kühlsystem für elektronische Geräte
DE4410467C2 (de) Wärmesenkenanordnung mit einer thermisch leitenden Platte für eine Mehrzahl von integrierten Schaltungen auf einem Substrat
DE112005001365B4 (de) Wärmeableitungseinrichtung mit verbesserter Siede/Kondensationsstruktur
DE112005000672B4 (de) Kühlen eines Chips mit integrierter Schaltung mit Kühlflüssigkeit in einem Mikrokanal und eine thermoelektrischer Dünnfilm-Kühlvorrichtung im Mikrokanal
DE102011077206B4 (de) Leiterplatte und Steuergerät für ein Getriebe eines Fahrzeugs mit der Leiterplatte
DE4410029A1 (de) Mittels einer Feder vorgespannte Wärmesenkenanordnung für eine Mehrzahl von integrierten Schaltungen auf einem Substrat
DE112006002686T5 (de) Integrierte Mikrokanäle für 3D Through-Silicon-Architekturen
DE102010003533B4 (de) Substratanordnung, Verfahren zur Herstellung einer Substratanordnung, Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitermodulanordnung
WO2002017390A2 (de) Kühleinrichtung und verfahren zu deren herstellung
DE3716196A1 (de) Anordnung aus einem elektronische bauelemente tragenden keramiksubstrat und einer waermeabfuehreinrichtung
DE102004009056B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls aus mehreren stapelbaren Halbleiterbauteilen mit einem Umverdrahtungssubstrat
DE8114325U1 (de) Wärmeableitungsvorrichtung
DE102014213545A1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102012112327A1 (de) Ein-Integrierter-Schaltkreis-Gehäuse und ein Verfahren zum Herstellen eines Integrierter-Schaltkreis-Gehäuses
DE102007038937A1 (de) Baugruppenanordnung
DE10324615A1 (de) Elektronisches Bauteil und Verfahren, sowie Vorrichtung zur Herstellung des elektronischen Bauteils
DE3110806C2 (de) Wärmeableitungsvorrichtung
DE2550419A1 (de) Kuehlvorrichtung fuer elektronische bauelemente
WO2006069855A1 (de) Anordnung eines elektrischen bauelements und einer zwei-phasen-kühlvorrichtung
DE19648492A1 (de) Multi-Chip-Modul
WO2017089213A1 (de) Schaltungsträger für eine elektrische schaltung und zugehöriges herstellungsverfahren
DE4443424A1 (de) Mehrschichtiges Substrat
KR100487683B1 (ko) 멀티칩모듈의방열장치
DE102004049654B3 (de) Halbleiterbauteil mit Kunststoffgehäuse und Verfahren zur Herstellung desselben

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): JP KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1997925843

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1019980710714

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1997925843

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 09202112

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1019980710714

Country of ref document: KR

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1997925843

Country of ref document: EP

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1019980710714

Country of ref document: KR