WO1994011729A1 - Procede de fabrication avec encapsulation, d'un capteur de type isfet et capteur en faisant application - Google Patents

Procede de fabrication avec encapsulation, d'un capteur de type isfet et capteur en faisant application Download PDF

Info

Publication number
WO1994011729A1
WO1994011729A1 PCT/FR1993/001116 FR9301116W WO9411729A1 WO 1994011729 A1 WO1994011729 A1 WO 1994011729A1 FR 9301116 W FR9301116 W FR 9301116W WO 9411729 A1 WO9411729 A1 WO 9411729A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
sensor
drain
source
connection pads
Prior art date
Application number
PCT/FR1993/001116
Other languages
English (en)
Inventor
Nicole Jaffrezic
Valérie Rocher
Jean-Marc Chovelon
Pierre Gentil
Jean-Michel Terrot
Jean-Jacques Fombon
Original Assignee
Ecole Centrale De Lyon
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ecole Centrale De Lyon filed Critical Ecole Centrale De Lyon
Publication of WO1994011729A1 publication Critical patent/WO1994011729A1/fr

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403—Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Definitions

  • the present invention relates to the general technical field of integrated electrochemical sensors, commonly called ISFET, and consisting of a field effect transistor in which the metal gate is replaced by a selective gate of an ionic species to be assayed and placed in contact with the solution to analyze.
  • ISFET integrated electrochemical sensors
  • a field effect transistor comprises in a semiconductor substrate, two doped zones called source and drain and a layer of a dielectric material covering the semiconductor in a central zone or channel between the doped zones. , covered with a grid, the variable power supply of which modulates the flow of current between the source and the drain.
  • the state of the art has proposed replacing the metal grid of MOSFET with a grid selective for an ionic species. It is thus planned to produce, on the surface of the dielectric material, an ion-sensitive grid surface which may consist of an organic or mineral membrane added by bonding or by addition by chemical deposition under vacuum. It is thus possible to have a specific grid surface of a product and thus easily ensure the analysis of the latter in a determined medium.
  • the present invention aims to solve the problem stated above by proposing a new method of manufacturing at least one integrated electrochemical sensor having an optimized encapsulation, in order to obtain a sensor having reliable operating characteristics over time.
  • the method according to the invention consists:
  • a transistor with effect of field having a drain zone, a source zone and a grid zone which is selective for an ionic species to be assayed
  • conductive tracks at least between the drain and source areas and respectively the source and drain connection pads.
  • the method according to the invention consists in covering the sensor thus produced, with the exception of the connection pads and the grid area, with a protective coating.
  • the invention also relates to an integrated electrochemical sensor of the type comprising, in a semiconductor substrate having a generally elongated shape, in a direction:
  • - at least one field effect transistor having a drain zone, a source zone and a gate zone which is selective for an ionic species to be assayed, - drain, source and substrate pads provided in a localized region located on the substrate opposite a region grouping the regions of the transistor,
  • the senor is covered, with the exception of the connection pads and the grid area, by a protective coating.
  • Fig. 1 is a top view of an integrated electrochemical sensor according to the invention.
  • Figs. 2A to 2C are cross sections taken respectively along the lines I-I to III-III of FIG. 1 and illustrating the sensor at the end of the manufacturing process.
  • Figs. 3A-3C and 3D-3E are cross sections taken respectively substantially along lines I-I and II-II of FIG. 1 and showing an exemplary embodiment of a sensor according to the invention.
  • Figs. 4A to 4F show exemplary embodiments of photogravure masks used in the process of manufacturing the sensor according to the invention.
  • Figs. 1 and 2A to 2C illustrate an integrated electrochemical sensor comprising a substrate A made of a semiconductor material and having, according to a characteristic of the invention, a generally elongated shape in a general direction x-x '.
  • the substrate A comprises, from one of its faces, for example A , two doped zones 1 and 2 respectively constituting a drain and a source of a field effect transistor.
  • the drain 1 and source 2 zones delimit a central zone 3 intended to constitute a grid which is isolated from the drain 1 and source 2 zones by means of a layer of dielectric material 4.
  • the field effect transistor thus produced has a U-shaped profile in plan, the branches of which constitute the drain and source regions extend substantially parallel to the direction xx 'of the substrate, while the middle part defines the gate 3.
  • the drain 1 and source 2 zones are respectively associated with electrical contact sockets 5 ,, 5 2 formed in the substrate A.
  • the drain 5, and source 5 electrical contact sockets 2 are connected by conductive tracks 6 formed in the substrate A, to pads of connection of drain 7 and source 7 2 respectively .
  • the sensor according to the invention also comprises a connection pad of the substrate 7 3 formed in the substrate, in a region Z also grouping together the connection pads for drain 7, and for source 7 2 .
  • the connection pads 7, -7 3 are aligned in a direction substantially perpendicular to the direction xx 'and located near the end of the substrate.
  • the connection pad 7 3 can be in direct electrical connection with the substrate or, as illustrated in FIG.
  • connection pads 7, to 7 3 are located in a localized region Z located on the substrate A, opposite to a region Z 'grouping the various zones 1 to 3 of the transistor.
  • the elongated shape of the sensor is thus taken advantage of, in order to move apart or move away, according to a given interval, the connection pads 7, to 7 3 in particular from the grid 3.
  • the sensor thus formed is covered, with the exception of the connection pads 7, to 7 3 (Fig. 2C) and the grid area 3 (Fig.
  • the protective coating 8 is formed by a deposit of silica ensuring passivation of the sensor.
  • the sensor according to the invention is produced from a semiconductor substrate comprising on one side a field effect transistor and, on the opposite side, pads for connection to an external electronic circuit.
  • the distance thus produced between the grid 3 and the connection pads 7, to 7 3 makes it possible to immerse in the liquid medium to be analyzed, the region Z ′ of the sensor, so that the grid 3 is in contact with the solution to analyze, while allowing the connection pads 7, 7 to 3 never to be in direct or indirect contact with the liquid medium.
  • the distance of the connection pads 7 to 7 3 relative to the grid 3 is chosen according to the intended application. It should be noted that provision may be made to adapt, by any suitable means, the sensor thus produced on a support offering resistance mechanical sufficient for its use. Thus, provision may be made to mount the substrate on a printed circuit comprising conductive connecting strips, on the one hand, of an external electrical circuit and, on the other hand, to the connection pads.
  • the following description illustrates an example of manufacture of an integrated electrochemical sensor according to the invention, produced according to C-MOS technology of the planar type.
  • Fig. 3 A illustrates a semiconductor substrate A, such as silicon, having on an surface A, an oxidation layer 10 produced, for example, by wet thermal oxidation at 1050 ° C. and having a thickness of 0.6 ⁇ m.
  • the method then consists in opening isolation zones 11 by a conventional photogravure operation of the layer 10 using the mask M ,, illustrated in FIG. 4A, delimiting the contours of the sensor.
  • a thermal oxidation operation is then carried out by the dry route, giving a layer of silica 12.
  • the oxidation operation is followed by implantation of dopants of the type, for example, p + .
  • the method then consists in carrying out the implantation of the drain zones
  • the following operations are carried out, namely a wet thermal oxidation at 1050 ° C., making it possible to obtain a layer of silica with a thickness of the order of 0.4 ⁇ m, a photoetching operation using of the mask M 2 illustrated in FIG. 4B, in order to open the drain and source zones, dry thermal oxidation at 1050 ° C., giving a layer of silica 13, implantation of n + dopants in the drain 1 and source 2 zones and wet oxidation thermal at 1050 ° C. giving a layer 14 of silica of the order of 0.3 ⁇ m.
  • the manufacturing process then aims to produce the grid area 3.
  • the grid is opened by a photoengraving operation using the mask M 3 illustrated in FIG. 4C. Dry oxidation at 1050 ° C is carried out, in order to constitute the silica layer 4, for example, of thickness 0.1 ⁇ m in the middle region of the drain 1 and source 2 zones.
  • the manufacturing method according to the invention then provides for making the electrical contact points 5, 5 3 respectively on the drain 1, the source 2 and the substrate.
  • a mask M 4 (Fig. 4D)
  • the opening of the contacts is carried out, as appears on the mask M 4 , in comparison with the mask M 2 , according to a cross section establishing itself in the end region of the branches of the sensor forming the drain and source zones.
  • the method then provides for ensuring a metallic deposit, for example of aluminum under vacuum with a thickness of the order of 0.8 ⁇ m, and for etching the metal (FIG. 3E) via a photogravure operation carried out using a mask M s (FIG. 4E) which takes up the drawing of the contact sockets 5, to 5 3 , the conductive tracks 6 and the connection pads 7, to 7 3 .
  • a metallic deposit for example of aluminum under vacuum with a thickness of the order of 0.8 ⁇ m
  • the method according to the invention then aims to ensure the deposition of a protective material 8 on the assembly of the sensor thus formed, with the exclusion of the connection pads 7, to 7 3 and of the grid area 3
  • a layer of silica 8 at approximately 430 ° C., according to a thickness of the order of 0.4 ⁇ . It is then planned to ensure, by photogravure using the mask M 6 (Fig. 4F), the opening of the grid area 3 (Fig. 2A) and the connection pads 7, to 7 3 (Fig. 2C).
  • the sensor thus produced is covered with a layer of silica 8 over its entire upper surface and, in particular, at the level of the contact points 5, to 5 3 (FIG. 2B) and the conductive tracks 6, excluding only from grid area 3 (Fig. 2A) and connection pads 7, to 7 3 (Fig. 2C).
  • a protective layer 8 makes it possible to ensure complete encapsulation of the sensor by means of a silica which has total impermeability to water.
  • the coating of the sensor carried out during its process, ensures encapsulation minimizing the risk of defect and increasing the life of such a sensor.
  • the encapsulation is also improved by producing, directly on the substrate during the sensor manufacturing process, electrical contact sockets, conductive tracks and connection pads, making it possible to dispense with the use of wires. connection in the sensor immersion area.
  • the sensor according to the invention is suitable for being used for the determination of ionic species contained in a solution.
  • the sensor can be used for biomedical applications and, in particular, for intravenous applications.

Landscapes

  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

L'invention concerne un capteur électrochimique intégré du type comprenant, dans un substrat semi-conducteur (A) présentant une forme générale allongée, selon une direction (X-X'): au moins un transistor à effet de champ présentant une zone de drain (1), une zone de source (2) et une zone de grille (3) qui est sélective à une espèce ionique à doser, des plots de drain, de source et de substrat ménagés dans une région localisée (Z) située sur le substrat à l'opposé d'une région (Z') regroupant les zones (1-3) du transistor, des prises de contact électrique (51, 52) reliées respectivement aux plots de connexion de drain (71) et de source (72), par des pistes conductrices (6) aménagées dans le substrat (A). Selon l'invention, le capteur est recouvert, à l'exception des plots de connexion (71-73) et de la zone de grille (3), par un revêtement de protection (8).

Description

PROCEDE DE FABRICATION AVEC ENCAPSULATION, D'UN CAPTEUR DE TYPE ISFET ET CAPTEUR EN FAISANT APPLICATION
DOMAINE TECHNIQUE :
La présente invention concerne le domaine technique général des capteurs électrochimiques intégrés, appelés communément ISFET, et constitués d'un transistor à effet de champ dans lequel la grille métallique est remplacée par une grille sélective d'une espèce ionique à doser et placée en contact avec la solution à analyser.
De tels capteurs résultent de l'évolution ou du développement des propriétés des transistors à effet de champ de type MOSFET (métal oxide semi¬ conducteur field effect transistor). D'une manière classique, un transistor à effet de champ comprend dans un substrat semi-conducteur, deux zones dopées dénommées source et drain et une couche d'un matériau diélectrique recouvrant le semi¬ conducteur dans une zone centrale ou canal entre les zones dopées, recouverte d'une grille dont l'alimentation électrique variable permet de moduler le passage du courant entre la source et le drain.
TECHNIQUE ANTERIEURE :
L'état de la technique a proposé de remplacer la grille métallique du MOSFET par une grille sélective à une espèce ionique. Il est ainsi prévu de réaliser, sur la surface du matériau diélectrique, une surface grille ionosensible pouvant être constituée par une membrane organique ou minérale rapportée par collage ou par apport par dépôt chimique sous vide. Il est ainsi possible de disposer d'une surface- grille spécifique d'un produit et d'assurer ainsi facilement l'analyse de ce dernier dans un milieu déterminé.
Comme il a été présenté dans l'article J.M. CHOVELON, N. JAFFREZIC-RENAULT, Y. CROS, J.J. FOMBON et D. PEDONE. Sensors and Actuators B, 3 (1991), p.43-50, l'inconvénient majeur des capteurs ISFET tient à leur relative durée de vie limitée comparée à celle des électrodes électrochimiques en verre. Un tel problème est dû principalement aux défauts apparaissant lors de l'encapsulation du capteur. En effet, il est prévu, d'une manière habituelle, de monter le substrat formant le capteur sur un support et de relier les plots de contact du transistor par des fils de connexion à des pistes conductrices aménagées sur le support. Les pistes conductrices présentent des connexions à un circuit électronique extérieur. L'ensemble ainsi réalisé est revêtu manuellement par l'intermédiaire d'un matériau de protection. Un tel montage conduit à l'apparition de défauts d'enrobage et de liaison électrique au niveau des fils de contact entre le capteur intégré et les pistes du support. De tels défauts sont d'autant plus dommageables que les diverses connexions concernées sont généralement immergées dans la solution à analyser.
Il a été proposé, également, par le document Wθ-A-8703687, un transistor en forme de T dans lequel sont réalisées, dans la zone étroite du capteur, une zone de grille et des diffusions de drain et de source. Une passivation du capteur est prévue par le dépôt d'une couche de nitrure sur une couche préalable de silice. Les couches de passivation sont attaquées pour laisser la place aux prises de contact de drain et de source qui sont réliées à des plots de contact par des métallisations. Ce document vise à proposer un transistor présentant une longueur réduite des diffusions de drain et de source, de manière à ne pas diminuer l'amplification du transistor à effet de champ par la présence de résistances complémentaires apportées par les diffusions. Ce document n'apporte pas de solution au problème de l'encapsulation d'un capteur électrochimique.
EXPOSE DE L'INVENTION
La présente invention vise à résoudre le problème énoncé ci-dessus en proposant un nouveau procédé de fabrication d'au moins un capteur électrochimique intégré présentant une encapsulation optimisée, afin d'obtenir un capteur possédant des caractéristiques de fonctionnement fiables dans le temps. Pour atteindre cet objectif, le procédé selon l'invention consiste :
- à réaliser, dans un substrat semi-conducteur, un transistor à effet de champ présentant une zone de drain, une zone de source et une zone de grille qui est sélective à une espèce ionique à doser,
- à réaliser, dans le substrat, des prises de contact électrique au moins pour les zones de drain et de source, - à ménager les plots de connexion dans une région localisée qui est située sur le substrat, à l'opposé d'une région regroupant les zones du transistor,
- à réaliser, dans le substrat, des pistes conductrices au moins entre les zones de drain et de source et respectivement les plots de connexion de source et de drain.
Le procédé selon l'invention consiste à recouvrir le capteur ainsi réalisé, à l'exception des plots de connexion et de la zone de grille, par un revêtement de protection.
L'invention a également pour objet un capteur électrochimique intégré du type comprenant, dans un substrat semi-conducteur présentant une forme générale allongée, selon une direction :
- au moins un transistor à effet de champ présentant une zone de drain, une zone de source et une zone de grille qui est sélective à une espèce ionique à doser, - des plots de drain, de source et de substrat ménagés dans une région localisée située sur le substrat à l'opposé d'une région regroupant les zones du transistor,
- des prises de contact électrique reliées respectivement aux plots de connexion de drain et de source, par des pistes conductrices aménagées dans le substrat.
Selon l'invention, le capteur est recouvert, à l'exception des plots de connexion et de la zone de grille, par un revêtement de protection.
Diverses autres caractéristiques ressortent de la description faite ci- dessous en référence aux dessins annexés qui montrent, à titre d'exemples non limitatifs, des formes de réalisation et de mise en oeuvre de l'objet de l'invention. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS :
La Fig. 1 est une vue de dessus d'un capteur électrochimique intégré conforme à l'invention. Les Fig. 2A à 2C sont des coupes transversales prises respectivement selon les lignes I-I à III-III de la Fig. 1 et illustrant le capteur à la fin du processus de fabrication.
Les Fig. 3A-3C et 3D-3E sont des coupes transversales prises respectivement sensiblement selon les lignes I-I et II-II de la Fig. 1 et montrant un exemple de réalisation d'un capteur selon l'invention.
Les Fig. 4A à 4F montrent des exemples de réalisation de masques de photogravures utilisés dans le processus de fabrication du capteur selon l'invention.
MEILLEURE FAÇON DE REALISER L'INVENTION
Les Fig. 1 et 2A à 2C illustrent un capteur électrochimique intégré comprenant un substrat A réalisé en un matériau semi-conducteur et présentant, selon une caractéristique de l'invention, une forme générale allongée selon une direction générale x-x'. Le substrat A comporte, à partir de l'une de ses faces, par exemple A,, deux zones dopées 1 et 2 constituant respectivement un drain et une source d'un transistor à effet de champ. Les zones de drain 1 et de source 2 délimitent une zone centrale 3 destinée à constituer une grille qui est isolée des zones de drain 1 et de source 2 par l'intermédiaire d'une couche d'un matériau diélectrique 4. D'une manière classique, le transistor à effet de champ ainsi réalisé présente en plan, un profil en U dont les branches constitutives des zones de drain et de source s'étendent sensiblement parallèlement à la direction x-x' du substrat, tandis que la partie médiane délimite la grille 3.
Selon une caractéristique de l'invention, les zones de drain 1 et de source 2 sont associées respectivement à des prises de contact électrique 5,, 52 ménagées dans le substrat A. Les prises de contact électrique de drain 5, et de source 52 sont reliées par des pistes conductrices 6 ménagées dans le substrat A, à des plots de connexion respectivement de drain 7, et de source 72. Le capteur selon l'invention comporte, également, un plot de connexion du substrat 73 ménagé dans le substrat, dans une région Z regroupant également les plots de connexion de drain 7, et de source 72. De préférence, les plots de connexion 7,-73 sont alignés selon une direction sensiblement perpendiculaire à la direction x-x' et située à proximité de l'extrémité du substrat. Le plot de connexion 73 peut se trouver en liaison électrique directe avec le substrat ou, comme illustré sur la Fig. 1, être relié par une piste conductrice 6 à une prise de contact électrique 53 ménagée au niveau de la section transversale du substrat comportant les prises de contact 5, et 52. Selon une caractéristique de l'invention, les plots de connexion 7, à 73 sont situés dans une région localisée Z située sur le substrat A, à l'opposé d'une région Z' regroupant les diverses zones 1 à 3 du transistor. La forme allongée du capteur est ainsi mise à profit, afin d'écarter ou d'éloigner, selon un intervalle donné, les plots de connexion 7, à 73 de notamment la grille 3. Selon une caractéristique de l'invention, le capteur ainsi constitué est recouvert, à l'exception des plots de connexion 7, à 73 (Fig. 2C) et de la zone de grille 3 (Fig. 2A), par un revêtement de protection 8 permettant l'encapsulation du capteur. Les prises de contact 5, à 53, ainsi que les pistes conductrices 6, se trouvent ainsi recouvertes par le revêtement 8, de sorte que le capteur présente une encapsulation optimisée. Selon une variante de réalisation préférée, le revêtement de protection 8 est formé par un dépôt de silice assurant une passivation du capteur.
Le capteur selon l'invention est réalisé à partir d'un substrat semi¬ conducteur comportant d'un côté, un transistor à effet de champ et, du côté opposé, des plots de connexion à un circuit électronique extérieur. L'éloignement ainsi réalisé entre la grille 3 et les plots de connexion 7, à 73 permet d'immerger dans le milieu liquide à analyser, la région Z' du capteur, afin que la grille 3 se trouve en contact avec la solution à analyser, tout en permettant que les plots de connexion 7, à 73 ne se trouvent jamais en contact direct ou indirect avec le milieu liquide. Bien entendu, l'éloignement des plots de connexion 7, à 73 par rapport à la grille 3 est choisi en fonction de l'application visée. Il est à noter qu'il peut être prévu d'adapter, par tout moyen convenable, le capteur ainsi réalisé sur un support offrant une résistance mécanique suffisante pour son utilisation. Ainsi, il peut être prévu de monter le substrat sur un circuit imprimé comportant des bandes conductrices de liaison, d'une part, d'un circuit électrique extérieur et, d'autre part, aux plots de connexion.
La description qui suit illustre un exemple de fabrication d'un capteur électrochimique intégré conforme à l'invention, réalisé selon la technologie C-MOS du type planar.
La Fig. 3 A illustre un substrat semi-conducteur A, tel que du silicium, présentant sur une surface A, une couche d'oxydation 10 réalisée, par exemple, par oxydation thermique par voie humide à 1050° C et présentant une épaisseur de 0,6 μm. Le procédé consiste, ensuite, à ouvrir des zones d'isolation 11 par une opération classique de photogravure de la couche 10 à l'aide du masque M,, illustré à la Fig. 4A, délimitant les contours du capteur. Il est ensuite procédé à une opération d'oxydation thermique par voie sèche donnant une couche de silice 12. L'opération d'oxydation est suivie par une implantation de dopants de type, par exemple, p+. Le procédé consiste, ensuite, à réaliser l'implantation des zones de drain
1 et de source 2. A cet effet et tel que cela ressort de la Fig. 3B, les opérations suivantes sont effectuées, à savoir une oxydation thermique par voie humide à 1050° C, permettant d'obtenir une couche de silice d'épaisseur de l'ordre de 0,4 μm, une opération de photogravure à l'aide du masque M2 illustré à la Fig. 4B, afin d'ouvrir les zones drain et source, une oxydation thermique par voie sèche à 1050° C, donnant une couche de silice 13, une implantation de dopants n+ dans les zones de drain 1 et de source 2 et une oxydation humide thermique à 1050° C donnant une couche 14 de silice de l'ordre de 0,3 μm.
Le procédé de fabrication vise ensuite à réaliser la zone de grille 3. Tel que cela apparaît à la Fig. 3C, l'ouverture de la grille est réalisée par une opération de photogravure à l'aide du masque M3 illustré à la Fig. 4C. Une oxydation sèche à 1050° C est réalisée, afin de constituer la couche de silice 4, par exemple, d'épaisseur 0, 1 μm dans la région médiane des zones de drain 1 et de source 2.
Le procédé de fabrication selon l'invention prévoit, ensuite, de réaliser les prises de contact électrique 5, à 53 respectivement sur le drain 1 , la source 2 et le substrat. Tel que cela apparaît plus précisément à la Fig. 3D, il est prévu d'assurer par photogravure, à l'aide d'un masque M4 (Fig. 4D), comportant le dessin des prises de contact, l'ouverture des contacts et une gravure localisée correspondante des couches de silice 13 et 14. L'ouverture des contacts est réalisée, comme cela apparaît sur le masque M4, en comparaison avec le masque M2, selon une section droite transversale s'établissant dans la région d'extrémité des branches du capteur formant les zones de drain et de source.
Le procédé prévoit, ensuite, d'assurer un dépôt métallique, par exemple d'aluminium sous vide d'épaisseur de l'ordre 0,8 μm, et d'effectuer une gravure du métal (Fig. 3E) par l'intermédiaire d'une opération de photogravure réalisée à partir d'un masque Ms (Fig. 4E) qui reprend le dessin des prises de contact 5, à 53, des pistes conductrices 6 et des plots de connexion 7, à 73.
Le procédé selon l'invention vise, ensuite, à assurer le dépôt d'un matériau de protection 8 sur l'ensemble du capteur ainsi constitué, à l'exclusion des plots de connexion 7, à 73 et de la zone de grille 3. A cet effet, il est prévu de réaliser un dépôt d'une couche de silice 8 à environ 430° C, selon une épaisseur de l'ordre de 0,4 μ. Il est prévu, ensuite, d'assurer, par photogravure à l'aide du masque M6 (Fig. 4F), l'ouverture de la zone de grille 3 (Fig. 2A) et des plots de connexion 7, à 73 (Fig. 2C).
Le capteur ainsi réalisé est recouvert d'une couche de silice 8 sur la totalité de sa surface supérieure et, notamment, au niveau des prises de contact 5, à 53 (Fig. 2B) et des pistes conductrices 6, à l'exclusion uniquement de la zone de grille 3 (Fig. 2A) et des plots de connexion 7, à 73 (Fig. 2C). Une telle couche de protection 8 permet d'assurer une encapsulation complète du capteur par l'intermédiaire d'une silice qui présente une totale imperméabilité à l'eau. L'enrobage du capteur, réalisé au cours de son procédé, permet d'assurer une encapsulation minimisant les risques de défaut et augmentant la durée de vie d'un tel capteur. L'encapsulation est également améliorée par la réalisation, directement sur le substrat au cours du processus de fabrication du capteur, des prises de contact électrique, des pistes conductrices et de plots de connexion, permettant de s'affranchir de l'utilisation de fils de connexion dans la zone d'immersion du capteur. POSSIBILITE D'APPLICATION INDUSTRIELLE :
Le capteur selon l'invention est apte à être utilisé pour le dosage d'espèces ioniques contenues dans une solution. Par exemple, le capteur peut être mis en oeuvre pour des applications biomédicales et, en particulier, pour des applications intraveineuses.
L'invention n'est pas limitée aux exemples décrits et représentés, car diverses modifications peuvent y être apportées sans sortir de son cadre.

Claims

REVENDICATIONS :
1 - Procédé de fabrication d'au moins un capteur électrochimique intégré, du type consistant :
- à réaliser dans un substrat semi-conducteur (A), un transistor à effet de champ présentant une zone de drain (1), une zone de source (2) et une zone de grille (3) qui est sélective à une espèce ionique à doser,
- à réaliser dans le substrat (A), des prises de contact électrique (5,, 52) au moins pour les zones de drain et de source,
- à ménager les plots de connexion (7,-73) dans une région localisée (Z) qui est située sur le substrat (A), à l'opposé d'une région (Z') regroupant les zones (1-3) du transistor,
- à réaliser dans le substrat, des pistes conductrices (6) au moins entre les zones de drain (1) et de source (2) et respectivement les plots de connexion de source (7,) et de drain (72), caractérisé en ce qu'il consiste à recouvrir le capteur ainsi réalisé à l'exception des plots de connexion (7,-73) et de la zone de grille (3), par un revêtement de protection (8).
2 - Procédé selon la revendication 1 , caractérisé en ce qu'il consiste à recouvrir le capteur, à l'exception des plots de connexion (7,-73) et de la zone de grille (3), par un revêtement (8) formé par un dépôt de silice assurant une passivation du capteur.
3 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il consiste à réaliser dans le substrat (A), d'une part, une prise de contact électrique (53) pour le substrat et, d'autre part, une piste conductrice (6) reliant ladite prise de contact au plot de connexion du substrat (73).
4 - Procédé selon les revendication 1 et 3, caractérisé en ce qu'il consiste à réaliser les prises de contact électrique (5,-53) par une opération de photogravure suivie d'une opération de métallisation du substrat qui précède une autre opération de photogravure permettant de réaliser les prises de contact électrique (5^53), les pistes conductrices (6) et les plots de connexion (7,-73).
5 - Capteur électrochimique intégré du type comprenant, dans un substrat semi-conducteur (A) présentant une forme générale allongée, selon une direction (x- x') :
- au moins un transistor à effet de champ présentant une zone de drain (1), une zone de source (2) et une zone de grille (3) qui est sélective à une espèce ionique à doser,
- des plots de drain, de source et de substrat ménagés dans une région localisée (Z) située sur le substrat à l'opposé d'une région (Z')) regroupant les zones (1 - 3) du transistor,
- des prises de contact électrique (5,, 52) reliées respectivement aux plots de connexion de drain (7,) et de source (72), par des pistes conductrices (6) aménagées dans le substrat (A), caractérisé en ce que le capteur est recouvert, à l'exception des plots de connexion (7,-73) et de la zone de grille (3), par un revêtement de protection (8).
6 - Capteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que le revêtement de protection (8) est formé par une couche de silice assurant la passivation du capteur.
7 - Capteur selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'il comprend une prise de contact électrique (53) pour le substrat relié par une piste conductrice (6) au plot de connexion du substrat (73). 8 - Capteur selon la revendication 5 ou 7, caractérisé en ce que les plots de connexion (7,-73) sont alignés selon une direction sensiblement perpendiculaire à celle (x-x') du capteur.
PCT/FR1993/001116 1992-11-13 1993-11-15 Procede de fabrication avec encapsulation, d'un capteur de type isfet et capteur en faisant application WO1994011729A1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9213872A FR2698211B1 (fr) 1992-11-13 1992-11-13 Procédé de fabrication avec encapsulation, d'un capteur de type ISFET et capteur en faisant application.
FR92/13872 1992-11-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1994011729A1 true WO1994011729A1 (fr) 1994-05-26

Family

ID=9435664

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/FR1993/001116 WO1994011729A1 (fr) 1992-11-13 1993-11-15 Procede de fabrication avec encapsulation, d'un capteur de type isfet et capteur en faisant application

Country Status (2)

Country Link
FR (1) FR2698211B1 (fr)
WO (1) WO1994011729A1 (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2805826A1 (fr) * 2000-03-01 2001-09-07 Nucleica Nouvelles puces a adn

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60202347A (ja) * 1984-03-27 1985-10-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 電界効果型半導体センサ
WO1987003687A1 (fr) * 1985-12-05 1987-06-18 Societe Nationale Elf Aquitaine Transistor a effet de champ selectif aux ions et procede de fabrication

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60202347A (ja) * 1984-03-27 1985-10-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 電界効果型半導体センサ
WO1987003687A1 (fr) * 1985-12-05 1987-06-18 Societe Nationale Elf Aquitaine Transistor a effet de champ selectif aux ions et procede de fabrication

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 10, no. 60 (P - 435) 11 March 1986 (1986-03-11) *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2805826A1 (fr) * 2000-03-01 2001-09-07 Nucleica Nouvelles puces a adn
WO2001064945A2 (fr) * 2000-03-01 2001-09-07 Nucleica Nouvelles puces a adn
WO2001064945A3 (fr) * 2000-03-01 2002-03-28 Nucleica Nouvelles puces a adn

Also Published As

Publication number Publication date
FR2698211A1 (fr) 1994-05-20
FR2698211B1 (fr) 1995-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4212667B2 (ja) 圧力センサおよび電気化学的センサを組み合わせたセンサの製造方法
US8084792B2 (en) Electric component
US20170365474A1 (en) Depositing a passivation layer on a graphene sheet
CN101189507B (zh) 电化学传感器
FR3011386A1 (fr) Transistor mos a espaceurs d'air
EP0911886A3 (fr) Dispositif opto-électronique et méthode de fabrication
FR2524709A1 (fr) Dispositif a semi-conducteur et procede pour sa fabrication
US20060185980A1 (en) Ceramic sensor and manufacturing method thereof
US20160005930A1 (en) Optoelectronic semiconductor chip encapsulated with an ald layer and corresponding method of production
FR2591802A1 (fr) Protection contre l'oxydation de pastilles de connexion en cuivre au moyen de palladium
WO1994011729A1 (fr) Procede de fabrication avec encapsulation, d'un capteur de type isfet et capteur en faisant application
JP2552100B2 (ja) 集積構造パッドアセンブリ及びその製造方法
CN102254936B (zh) 化合物半导体装置以及制造该化合物半导体装置的方法
FR2776830A1 (fr) Cellule memoire electriquement programmable
JP3202271B2 (ja) 半導体装置の製造方法
EP0004219B1 (fr) Circuit intégré comportant un système d'interconnexion à deux nappes de conducteurs; procédé de fabrication d'un tel circuit
EP0701288A3 (fr) Dispositif semi-conducteur et procédé de fabrication
FR2487123A1 (fr) Dispositif semi-conducteur et procede pour relier celui-ci a un support
US4290080A (en) Method of making a strain buffer for a semiconductor device
FR2912548A1 (fr) Realisation de contacts compacts pour des transistors a double grilles auto-alignees.
US8669662B2 (en) Fastening device
JPH0117252B2 (fr)
EP1916520B1 (fr) Composant électrique
WO1994029711A1 (fr) Capteur de type isfet dont le substrat est isole electriquement
EP0615125A1 (fr) Capteur électrochimique intégré de mesure de pH et son procédé de fabrication

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): JP US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
122 Ep: pct application non-entry in european phase