WO1993017049A1 - Anschlussteil - Google Patents

Anschlussteil Download PDF

Info

Publication number
WO1993017049A1
WO1993017049A1 PCT/DE1993/000097 DE9300097W WO9317049A1 WO 1993017049 A1 WO1993017049 A1 WO 1993017049A1 DE 9300097 W DE9300097 W DE 9300097W WO 9317049 A1 WO9317049 A1 WO 9317049A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
carrier
protective layer
carrier according
semiconductor chip
bond
Prior art date
Application number
PCT/DE1993/000097
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Gerhard Benz
Reiner Doerfler
Hans Mayer
Original Assignee
Bosch Gmbh Robert
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bosch Gmbh Robert filed Critical Bosch Gmbh Robert
Publication of WO1993017049A1 publication Critical patent/WO1993017049A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/296—Organo-silicon compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • H01L23/3185—Partial encapsulation or coating the coating covering also the sidewalls of the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H01L23/49894—Materials of the insulating layers or coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/564—Details not otherwise provided for, e.g. protection against moisture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical

Definitions

  • the invention relates to a carrier, preferably a metallic carrier or a printed circuit board, in particular for insertion into a vehicle wheel.
  • Carriers equipped with semiconductor chips, in particular connecting parts and / or printed circuit boards, are used in a wide variety of fields. In many cases, their work areas are not protected, so that they are then exposed to environmental influences, which lead to damage and impairment of their functionality. For example, this applies to semiconductor pressure sensors, which are located in an intake pipe for engines. Above all, this also applies to semiconductor sensors for use in a vehicle wheel to determine the "tire climate”. The sensors are subject to considerable centrifugal and shaking forces and are exposed to considerable corrosive influences. All of these effects lead in particular to undesired electrical shunts. Protective layers for certain work facilities are known in many forms.
  • DE-PS 26 25 448 shows a method for applying a protective layer on the surface of optical reflectors, preferably aluminum-vaporized headlight reflectors.
  • the reflectors are exposed in a vacuum recipient to a monomeric vapor of organic compounds, preferably an organosilicon substance, and the protective layer is deposited by polymerization from the vapor phase with the aid of the radiation from a dependent glow discharge using a tungsten filament.
  • hydrophilic protective layers are sought, while hydrophobic surfaces are advantageous in the subject of the application.
  • Coating of high-frequency components with polymeric corrosion protection layers is basically known, for example, from "Metall Design 42” (1988) 9, p. 427.
  • the so-called Parylene method is also known for the coating of bonded semiconductor pressure sensors. Such pressure sensors are then used to measure the intake pressure of engines.
  • the present invention relates to carriers, preferably metallic carriers, connecting parts or printed circuit boards, and in particular to the use of semiconductor chips in vehicle tires in which the semiconductor chips perform certain functions.
  • the free areas of semiconductor chips, bond wires, bond pad and the surface of the carrier are coated with an organic protective layer produced by plasma polymerisation.
  • this protective layer made of an organosilicon plasma polymer and likewise preferably a method is used which corresponds to that according to DE-PS 26 25 448.
  • the protective layer made of a plasma polymer has the considerable advantage that a large number of starting materials or combinations of substances are available, so that a selection can be made from a large number of plasma polymer layers, depending on the requirements placed on the plasma polymer layer.
  • a plasma polymer layer is characterized by a high chemical resistance, no pinholes or cracks, good adhesion, no flaking and good electrical insulation. As a result, it forms very good corrosion protection and protection against electrical shunts, even in microscopic pockets under the bond feet and with angled structures, as well as under the influence of centrifugal and shaking forces when exposed to the tire climate.
  • the coating of a carrier according to the invention offers a good dirt and moisture barrier and has a high mechanical flexibility due to its soft nature. It thus absorbs mechanical shocks before they can have a negative effect on the connection part arrangement, and it only exerts negligible stresses on the chip surface.
  • Such a coated carrier can be used in all areas where it is exposed to environmental influences and in particular where it is subject to corrosion and mechanical influences.
  • FIG. 1 An embodiment of the invention is shown in the drawing. This shows schematically a carrier equipped with a semiconductor chip.
  • the drawing shows in its single figure a partially shown cross section through a carrier T with a semiconductor chip 1 and its connection to a bond pad 2.
  • This can be a metallic carrier, a circuit board or any other connection part.
  • the semiconductor chip 1 is located on the surface 3 of a circuit board.
  • the semiconductor chip 1 is preferably fixed on the surface 3 by means of an adhesive 4.
  • the semiconductor chip 1 is connected to the bond pad 2 via a bond wire 5.
  • the entire arrangement is coated with a plasma polymer coating, so that overall it receives a protective layer 6 made of a plasma polymer.
  • This protective layer 6 covers all free areas of the semiconductor chip 1, the surface 3 of the printed circuit board, the bond pad 2 and the bond wire 5. It preferably consists of low molecular weight silicones or silanes, as described in DE-PS 26 25 448.
  • the wire bonds lead, for example, to metallic bonding posts which are glazed into a metallic carrier T, but other carriers previously mentioned can also be used.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

Es wird ein Träger, ein Anschlußteil und eine Leiterplatte oder dergleichen vorgeschlagen, welcher mit zumindest einem Halbleiterchip bestückt ist, der über Bonddrähte mit zumindest einem Bondpad verbunden ist. Die freien Bereiche von Halbleiterchip (1), Bonddrähten (5), Bondpads (2) und der Oberfläche (3) des Trägers (T) sind mit einer durch Plasmapolimerisation erzeugten organischen Schutzschicht (6) gegen Umwelteinflüsse überzogen. Der Träger wird vorzugsweise in ein Fahrzeugrad eingesetzt.

Description

Anschlußteil
Stand der Technik
Die Erfindung betrifft einen Träger, vorzugsweise einen metallischen Träger oder eine Leiterplatte, insbesondere zum Einsetzen in ein Fahrzeugrad nach der Gattung des Anspruchs 1.
Auf vielfältigen Gebieten werden heute mit Halbleiterchips bestückte Träger, insbesondere Anschlußteile und/oder Leiterplatten, angewendet. In vielen Fällen sind ihre Arbeitsbereiche nicht geschützt, so daß sie dann Umwelteinflüssen ausgesetzt sind, die zu einer Schädigung und Beeinträchtigung ihrer Funktionsfähigkeit führen. Beispielsweise gilt dies für Halbleiterdrucksensoren, welche sich in einem Ansaugrohr für Motoren befinden. Vor allem gilt dies aber auch für Halbleitersensoren zum Einsatz in ein Fahrzeugrad zur Ermittlung des "Reifenklimas". Die Sensoren stehen dort unter erheblichen Zentrifugal- und Schüttelkräften und sind erheblichen korrosiven Einflüssen ausgesetzt. All diese Einwirkungen führen insbesondere zu unerwünschten elektrischen Nebenschlüssen. Schutzschichten für bestimmte Arbeitseinrichtungen sind in vielfältiger Form bekannt. Beispielsweise zeigt die DE-PS 26 25 448 ein Verfahren zum Aufbringen einer Schutzschicht auf die Oberfläche optischer Reflektoren, vorzugsweise aluminiumbedampfter Scheinwerferreflektoren. Dazu werden die Reflektoren in einem Vakuum-Rezipienten einem monomeren Dampf organischer Verbindungen, vorzugsweise einer siliziumorganischen Substanz, ausgesetzt und die Schutzschicht durch Polymerisation aus der Dampfphase mit Hilfe der Strahlung aus einer unselbständigen Glimmentladung unter Verwendung eines Wolfram-Glühdrahtes abgeschieden. Hierbei werden zur Verbesserung der optischen Eigenschaften der Reflektoroberflächen hydrophile Schutzschichten angestrebt, während beim Anmeldungsgegenstand hydrophobe Oberflächen vorteilhaft sind.
Ein Beschichten von Höchstfreguenz-Bauteilen mit polymeren Korrosionsschutzschichten ist grundsätzlich beispielsweise aus "Metalloberfläche 42" (1988) 9, S. 427, bekannt. Ferner ist für die Beschichtung von gebondeten Halbleiterdrucksensoren das sog. Parylene-Verfahren bekannt. Derartige Drucksensoren finden dann bei der Messung des Ansaugdruckes von Motoren Anwendung. Nachteilig ist jedoch, daß nur drei chemisch verschiedene Parylene bekannt sind, wovon lediglich wiederum nur zwei in der Praxis eingesetzt werden.
Vorteile der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Träger, vorzugsweise metallische Träger, Anschlußteile oder Leiterplatten, und speziell auf den Einsatz von Halbleiterchips in Fahrzeugreifen, in denen die Halblei erchips bestimmte Funktionen wahrnehmen. Erfindungsgemäß werden die freien Bereiche von Halbleiterchips, Bonddrähten, Bondpad und der Oberfläche des Trägers mit einer durch Plasmapolimerisation erzeugten organischen Schutzschicht überzogen. Bevorzugt besteht diese Schutzschicht aus einem siliziumorganischen Plasmapolymer und ebenfalls bevorzugt wird ein Verfahren angewendet, welches demjenigen nach der DE-PS 26 25 448 entspricht.
Die Schutzschicht aus einem Plasmapolymer hat den erheblichen Vorteil, daß eine große Zahl von Ausgangsstoffen bzw. Stoffkombinationen zur Verfügung stehen, so daß eine Auswahl unter einer Vielzahl von Plasmapolymerschichten getroffen werden kann, je nach dem, welche Anforderungen an die Plasmapolymerschicht gestellt werden. Ferner zeichnet sich eine Plasmapolymerschicht durch eine hohe chemische Beständigkeit, keine Punktfehlstellen (Pinholes) oder Risse, durch eine gute Haftung, keine Abplatzungen sowie eine gute elektrische Isolation aus. Hierdurch bildet sie einen sehr guten Korrosionsschutz und einen Schutz vor elektrischen Nebenschlüssen auch in mikroskopisch kleinen Taschen unter den Bondfüßen und bei verwinkelten Strukturen sowie unter dem Einfluß von Zentrifugal- und Schüttelkräften bei Einwirkung des Reifenklimas.
Ferner bietet die erfindungsgemäße Beschichtung eines Trägers eine gute Schmutz- und Feuchtigkeitsbarriere und besitzt durch ihre weiche Beschaffenheit eine hohe mechanische Nachgiebigkeit. Damit fängt sie mechanische Erschütterungen auf, bevor diese sich negativ auf die Anschlußteileanordnung auswirken können, und sie übt nur vernachlässigbare Spannungen auf die Chipoberfläche aus.
Ein derartig beschichteter Träger kann in allen Bereichen Anwendung finden, wo dieser Umwelteinflüssen ausgesetzt ist und insbesondere, wo er einer Korrosion und mechanischer Beeinflussung unterliegt. Zeichnung
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargeteilt. Diese zeigt schematisch einen mit einem Halbleiterchip bestückten Träger.
Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels.
Die Zeichnung zeigt in ihrer einzigen Figur einen teilweise dargestellten Querschnitt durch einen Träger T mit einem Halbleiterchip 1 und dessen Anschluß an einen Bondpad 2. Hierbei kann es sich um einen metallischen Träger, um eine Leiterplatte oder um ein beliebiges anderes Anschlußteil handeln.
Der Halbleiterchip 1 befindet sich auf der Oberfläche 3 einer Leiterplatte. Bevorzugt ist der Halbleiterchip 1 mittels einer Klebemasse 4 auf der Oberfläche 3 festgelegt.
Der Halbleiterchip 1 ist über einen Bonddraht 5 mit dem Bondpad 2 verbunden.
Erfindungsgemäß wird nach dem Verbinden des Halbleiterchips 1 mit dem Bondpad 2 mittels des Bonddrahtes 5 die gesamte Anordnung mit einer Plasmapolymerbeschichtung überzogen, so daß sie insgesamt eine Schutzschicht 6 aus einem Plasmapolymer erhält. Diese Schutzschicht 6 überzieht sämtliche freien Bereiche des Halbleiterchip 1, der Oberfläche 3 der Leiterplatte, des Bondpad 2 sowie des Bonddrahtes 5. Sie besteht vorzugsweise aus niedermolekularen Silikonen oder aus Silanen, wie sie in der DE-PS 26 25 448 beschrieben sind. Die Drah.tbondungen führen beispielsweise zu metallischen Bondpfosten, die in einen metallischen Träger T eingeglast sind, jedoch können auch andere, zuvor bereits genannte Träger zum Einsatz kommen.

Claims

Ansprüche
1. Träger, vorzugsweise metallischer Träger, Anschlußteil oder Leiterplatte, welcher mit zumindest einem Halbleiterchip bestückt ist, der über Bonddrähte mit zumindest einem Bondpad verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die freien Bereiche von Halbleiterchip (1), Bonddrähten (5), Bondpads (2) und der Oberfläche (3) des Trägers (T) mit einer durch Plasmapolimerisation erzeugten organischen Schutzschicht (6) gegen Umwelteinflüsse überzogen sind.
2. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht (6) aus einem Plasmapolymer niedermolekularer Silikone oder Silane, vorzugsweise Hexamethyldisiloxan oder Vinyltrimethylsilan besteht.
3. Träger nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnung einem monomeren Dampf organischer Verbindungen ausgesetzt und die Schutzschicht (6) durch Polymerisation aus der Dampf hase mit Hilfe der Strahlung aus einer Gasentladung hergestellt ist.
4. Träger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Bonddrähte (5) zu metallischen Bondpads (2) führen, welche in eine metallische Auflage eingeglast sind.
5. Träger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß er in ein Fahrzeugrad eingesetzt ist.
6. Träger nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß er mit einem Silizium-Drucksensor eines Reifendurckkontrollsystems bestückt ist.
PCT/DE1993/000097 1992-02-21 1993-02-05 Anschlussteil WO1993017049A1 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE9202251 1992-02-21
DEG9202251.0U 1992-02-21
DE9206834U DE9206834U1 (de) 1992-02-21 1992-05-20
DEG9206834.0U 1992-05-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1993017049A1 true WO1993017049A1 (de) 1993-09-02

Family

ID=25959173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE1993/000097 WO1993017049A1 (de) 1992-02-21 1993-02-05 Anschlussteil

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE9206834U1 (de)
WO (1) WO1993017049A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2726151A1 (fr) * 1994-10-25 1996-04-26 Europ Composants Electron Procede et dispositif de protection hermetique de circuit electronique
DE102013216282A1 (de) * 2013-08-16 2015-02-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Elektrisches Bauteil mit einer elektrisch zu kontaktierenden Stelle sowie Verfahren zur Vorbereitung eines elektrischen Bauteils für einen Lötprozess
GB2521137A (en) * 2013-12-10 2015-06-17 Europlasma Nv Surface Coatings
CN107039384A (zh) * 2017-04-29 2017-08-11 深圳市劲阳电子有限公司 一种贴片式元件

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3329065A1 (de) * 1982-08-13 1984-02-16 Western Electric Co., Inc., 10038 New York, N.Y. Polymerschichten fuer elektronische schaltungen
DE2625448C3 (de) * 1976-06-05 1986-11-13 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Schutzschicht auf der Oberfläche optischer Reflektoren

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2625448C3 (de) * 1976-06-05 1986-11-13 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Schutzschicht auf der Oberfläche optischer Reflektoren
DE3329065A1 (de) * 1982-08-13 1984-02-16 Western Electric Co., Inc., 10038 New York, N.Y. Polymerschichten fuer elektronische schaltungen

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JAPIO PUBLICATION NO. 3 206 686, Questel Telesysteme (JAPIO), Japan Patent Information Organisation, Tokyo, 10 September 1991 (10.09.91), *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2726151A1 (fr) * 1994-10-25 1996-04-26 Europ Composants Electron Procede et dispositif de protection hermetique de circuit electronique
EP0710061A1 (de) * 1994-10-25 1996-05-01 Compagnie Europeenne De Composants Electroniques Lcc Verfahren und Vorrichtung zum hermetischen Schutz einer elektronischen Schaltung
DE102013216282A1 (de) * 2013-08-16 2015-02-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Elektrisches Bauteil mit einer elektrisch zu kontaktierenden Stelle sowie Verfahren zur Vorbereitung eines elektrischen Bauteils für einen Lötprozess
DE102013216282B4 (de) * 2013-08-16 2020-10-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Elektrisches Bauteil mit einer elektrisch zu kontaktierenden Stelle sowie Verfahren zur Vorbereitung eines elektrischen Bauteils für einen Lötprozess und Verwendung einer entsprechenden Matrix
GB2521137A (en) * 2013-12-10 2015-06-17 Europlasma Nv Surface Coatings
CN107039384A (zh) * 2017-04-29 2017-08-11 深圳市劲阳电子有限公司 一种贴片式元件
WO2018196425A1 (zh) * 2017-04-29 2018-11-01 深圳市劲阳电子有限公司 一种贴片式元件

Also Published As

Publication number Publication date
DE9206834U1 (de) 1993-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0923717B1 (de) Vorrichtung zur erfassung des drucks und der temperatur im saugrohr einer brennkraftmaschine
DE19731420A1 (de) Vorrichtung zur Erfassung des Drucks und der Temperatur im Saugrohr einer Brennkraftmaschine und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE60004454T2 (de) Drucksensoreinheit
WO2003100371A1 (de) Vorrichtung zur druckmessung
WO2009089956A1 (de) Druckmessmodul
DE20211518U1 (de) Als Hall-Sensor ausgebildeter Positionssensor
WO2001073391A1 (de) Sensoranordnung
DE102005001458A1 (de) In einem Gehäuse enthaltener Drucksensor
WO1993017049A1 (de) Anschlussteil
DE102010002274A1 (de) Vorrichtung zur Messung von Torsionen, Biegungen und dergleichen sowie entsprechendes Herstellungsverfahren
DE102006026881A1 (de) Mikromechanisches Bauelement
WO2009068508A1 (de) Sensormodul und verfahren zur herstellung des sensormoduls
EP1587140B1 (de) Elektronisches Bauteil mit einer Schaltung, die mit einer Gelschicht versehen ist und Verfahren zur Herstellung des Bauteils
EP3942259B1 (de) Winkelerfassungseinrichtung
EP1305578A1 (de) Luftdicht verschlossener sensorträger
DE102014223850A1 (de) Mikromechanische Sensorvorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren
DE102015206299B4 (de) Über Leiterplatte auf Leadframe verschaltete Sensorschaltung
DE19518027C2 (de) Verfahren zur abstandsgenauen Umhüllung mit funktionstragenden Schichten versehener Bauelemente und danach hergestellte Bauelemente
DE10046017B4 (de) Halbleiter-Drucksensorvorrichtung mit von Schutzelement bedecktem Sensorchip
DE102004020173B4 (de) Mikrostrukturiertes Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines mikrostrukturierten Bauelements
DE102004028888A1 (de) Elektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102005020016B4 (de) Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung
WO2009068493A1 (de) Sensormodul und verfahren zu seiner herstellung
DE102022202299A1 (de) Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren
DE102020202277A1 (de) Mikromechanisches Bauteil für einen Stresssensor und Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil für einen Stresssensor

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): JP US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

122 Ep: pct application non-entry in european phase